JP2016178151A - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板8を処理するための処理液が流れる処理液流路(濃度計測流路53)と、処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を処理液流路に供給する洗浄流体供給部57と、処理液を加熱するヒータ52と、洗浄流体供給部57及びヒータ52を制御する制御部とを有する。ヒータ52で処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の処理液が滞留する処理液流路に供給し、その後、洗浄流体供給部57から処理液流路に洗浄流体を供給する。
【選択図】図4
Description
7 制御部
8 基板
53 濃度計測流路(処理液流路)
55 濃度センサ
57 洗浄流体供給部
Claims (14)
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記処理液を加熱するヒータと、
前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記洗浄流体を加熱するヒータと、
前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記ヒータで前記洗浄流体を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、前記洗浄流体を前記洗浄流体供給部から前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記処理液又は前記洗浄流体の温度を計測する温度センサをさらに有し、
前記制御部は、前記温度センサで計測した温度が所定温度よりも低い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板液処理装置。 - 前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間を計測するタイマをさらに有し、
前記制御部は、前記タイマで計測した時間が所定時間よりも長い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板液処理装置。 - 前記制御部は、前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記ヒータで前記処理液を加熱するように制御することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記洗浄流体供給部は、前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記処理液流路は、前記処理液を貯留する処理液貯留部に接続されて前記処理液を循環させるための循環流路と、循環流路から分岐して前記処理液の濃度を計測するための濃度計測流路とを有し、前記循環流路に前記ヒータを設けたことを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、
前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記処理液を加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することを特徴とする基板液処理方法。 - 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、
前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記洗浄流体を加熱した後に、前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することを特徴とする基板液処理方法。 - 前記処理液又は前記洗浄流体の温度が所定温度よりも低い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間が所定時間よりも長い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記処理液を加熱することを特徴とする請求項8〜請求項11のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することを特徴とする請求項8〜請求項12のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記処理液を加熱するヒータと、
を有する基板液処理装置に実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱させた後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給させ、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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