JP2016178151A - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じることを防止する。
【解決手段】基板８を処理するための処理液が流れる処理液流路（濃度計測流路５３）と、処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を処理液流路に供給する洗浄流体供給部５７と、処理液を加熱するヒータ５２と、洗浄流体供給部５７及びヒータ５２を制御する制御部とを有する。ヒータ５２で処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の処理液が滞留する処理液流路に供給し、その後、洗浄流体供給部５７から処理液流路に洗浄流体を供給する。
【選択図】図４
【解決手段】基板８を処理するための処理液が流れる処理液流路（濃度計測流路５３）と、処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を処理液流路に供給する洗浄流体供給部５７と、処理液を加熱するヒータ５２と、洗浄流体供給部５７及びヒータ５２を制御する制御部とを有する。ヒータ５２で処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の処理液が滞留する処理液流路に供給し、その後、洗浄流体供給部５７から処理液流路に洗浄流体を供給する。
【選択図】図４
Description
本発明は、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路を洗浄流体で洗浄する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を洗浄液やエッチング液などの処理液で処理する基板液処理装置が用いられている。
従来の基板液処理装置では、処理液を貯留する処理液貯留槽に循環流路が接続され、循環流路の途中にポンプ及びヒータが設けられている。そして、ポンプを駆動して循環流路に処理液を流し、その処理液をヒータで所定温度に加熱して処理液貯留槽に戻す。その後、所定温度の処理液が貯留された処理液貯留槽に基板を浸漬させて処理液で基板を液処理する。
この基板液処理装置では、処理液の濃度を計測するための濃度センサのセンサ部を洗浄する際などにおいて、処理液が流れる流路（循環流路）に洗浄流体としての純水を供給する（たとえば、特許文献１参照）。
ところが、上記従来の基板液処理装置では、処理液で基板を処理してからある程度時間が経過した後に濃度センサの洗浄等が行われることが多く、残留している処理液の温度が低下している。そして、温度低下した処理液が滞留する循環流路に常温の洗浄流体を供給すると、処理液と洗浄流体とが反応して結晶が生じる場合がある。
循環流路で結晶が生じると、洗浄が良好に行えないばかりか、パーティクルとなって基板に付着したり流路を詰まらせるなどの不具合が発生し、基板を良好に処理できなくなるおそれがある。
そこで、本発明では、基板液処理装置において、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、前記処理液を加熱するヒータと、前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給するように制御することにした。
また、本発明では、基板液処理装置において、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、前記洗浄流体を加熱するヒータと、前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記ヒータで前記洗浄流体を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、前記洗浄流体を前記洗浄流体供給部から前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給するように制御することにした。
また、前記処理液又は前記洗浄流体の温度を計測する温度センサをさらに有し、前記制御部は、前記温度センサで計測した温度が所定温度よりも低い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することにした。
また、前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間を計測するタイマをさらに有し、前記制御部は、前記タイマで計測した時間が所定時間よりも長い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することにした。
また、前記制御部は、前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記ヒータで前記処理液を加熱するように制御することにした。
また、前記洗浄流体供給部は、前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することにした。
また、前記処理液流路は、前記処理液を貯留する処理液貯留部に接続されて前記処理液を循環させるための循環流路と、循環流路から分岐して前記処理液の濃度を計測するための濃度計測流路とを有し、前記循環流路に前記ヒータを設けることにした。
また、本発明では、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記処理液を加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することにした。
また、本発明では、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記洗浄流体を加熱した後に、前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することにした。
また、前記処理液又は前記洗浄流体の温度が所定温度よりも低い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することにした。
また、前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間が所定時間よりも長い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することにした。
また、前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記処理液を加熱することにした。
また、前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することにした。
また、本発明では、基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、前記処理液を加熱するヒータとを有する基板液処理装置に実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱させた後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給させ、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給させることにした。
本発明では、処理液が流れる処理液流路を洗浄流体で洗浄する際に処理液と洗浄流体とが反応して結晶が生じるのを防止することができ、基板を良好に液処理することができる。
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１に示すように、基板液処理装置１は、キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、制御部７を有する。
キャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、25枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。
このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ10と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア９を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。
そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、50枚）の基板８からなるロットを形成する。
このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
そして、ロット形成部３は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９から基板搬送機構15を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロット載置部４でロットを形成する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置（待機）する。
このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板８を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。
そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。
乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構28には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30，31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36，37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。
このエッチング処理装置26では、所定濃度の薬剤（リン酸）の水溶液（88.3重量％のリン酸水溶液）を処理液（エッチング液）として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。
エッチング処理装置26は、図２に示すように、所定濃度のリン酸水溶液（88.3重量％のリン酸水溶液）からなる処理液を貯留するとともに基板８を処理するための処理液貯留部38と、処理液貯留部38に処理液を供給するための処理液供給部39と、処理液貯留部38に貯留された処理液を循環させるための処理液循環部40と、処理液貯留部38から処理液を排出する処理液排出部41とを有する。
処理液貯留部38は、上部を開放させた処理槽34の上部周囲に上部を開放させた外槽42を形成し、処理槽34と外槽42に処理液を貯留する。処理槽34では、基板８を基板昇降機構36によって浸漬させることで液処理する処理液を貯留する。外槽42では、処理槽34からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環部40によって処理槽34に処理液を供給する。
処理液供給部39は、処理液貯留部38に処理液とは異なる濃度（処理液よりも低い濃度）の薬剤（リン酸）の水溶液（85重量％のリン酸水溶液）を供給するための水溶液供給部43と、処理液貯留部38に水（純水）を供給するための水供給部44とで構成されている。
水溶液供給部43は、所定濃度（８５重量％）及び所定温度（25℃）のリン酸水溶液を供給するための水溶液供給源45を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器46を介して接続する。流量調整器46は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
水供給部44は、所定温度（25℃）の純水を供給するための水供給源47を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器48を介して接続する。流量調整器48は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
処理液循環部40は、処理液貯留部38の外槽42の底部と処理槽34の底部との間に循環流路49を形成する。循環流路49には、ポンプ50、フィルタ51、ヒータ52が順に設けられている。ポンプ50及びヒータ52は、制御部７に接続されており、制御部７で駆動制御される。そして、処理液循環部40は、ポンプ50を駆動させることで外槽42から処理槽34に処理液を循環させる。その際に、ヒータ52で処理液を所定温度（165℃）に加熱する。
また、処理液循環部40は、循環流路49の途中（ヒータ52よりも下流側）と外槽42との間に濃度計測流路53を形成する。濃度計測流路53には、上流側開閉弁54、濃度センサ55、下流側開閉弁56が順に設けられている。上流側開閉弁54と濃度センサ55との間には、濃度センサ55を洗浄するための洗浄流体（ここでは、常温の純水）を供給する洗浄流体供給部57が接続されている。この洗浄流体供給部57は、洗浄流体を供給するための洗浄流体供給源58を上流側開閉弁54と濃度センサ55との間に供給開閉弁59を介して接続する。また、濃度センサ55と下流側開閉弁56との間には、洗浄流体を排出する洗浄流体排出部60が接続されている。この洗浄流体排出部60は、濃度センサ55と下流側開閉弁56との間に外部の排液管と連通する排出流路61を接続し、排出流路61に排出開閉弁62を設けている。上流側開閉弁54、下流側開閉弁56、供給開閉弁59、及び排出開閉弁62は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。また、濃度センサ55は、制御部７に接続されており、制御部７からの指示で濃度計測流路53を流れる処理液の濃度を計測して制御部７に通知する。なお、洗浄流体排出部60は、主に洗浄流体を排出するが、濃度計測流路53に滞留する処理液も排出する。
処理液排出部41は、処理液貯留部38の処理槽34の底部に外部の排液管と連通する排液流路63を接続し、排液流路63に開閉弁64を設けている。開閉弁64は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。
制御部７は、基板液処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。
この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体65を備える。記憶媒体65には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体65に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体65に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体65にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体65としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、記憶媒体65に記憶された基板液処理プログラム等に従って制御部７で各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御することで、基板８を処理する。
この基板液処理装置１で基板８をエッチング処理する場合には、エッチング処理装置26の水溶液供給部43によって所定濃度（85重量％）及び所定温度（25℃）のリン酸水溶液を処理液貯留部38に供給し、処理液循環部40によって所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）になるように加熱して処理液を生成し、処理液を処理液貯留部38に貯留する。その際に、加熱によって蒸発する水の量に相応する量の純水を水供給部44によって処理液貯留部38に供給する。その後、所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）の処理液が貯留された処理槽34に基板昇降機構36によって基板８を浸漬させることで、処理液で基板８をエッチング処理（液処理）する。
基板液処理装置１では、基板８を処理液で液処理するとともに、必要に応じて処理液の濃度を濃度センサ55で計測する。また、定期的に濃度センサ55を洗浄流体で洗浄する。
液処理時において制御部７は、図３に示すように、ポンプ50を駆動させて処理液を循環流路49で循環させるとともに、ヒータ52を駆動させて処理液の温度を所定温度（165℃）に維持させる。
濃度計測時において制御部７は、図４に示すように、液処理時と同様にポンプ50を駆動させて処理液を循環流路49で循環させるとともに、ヒータ52を駆動させて処理液の温度を所定温度（165℃）に維持させる。さらに、上流側開閉弁54と下流側開閉弁56とを開放した状態にして、循環流路49を流れる処理液の一部を濃度計測流路53に流し、濃度センサ55で処理液の濃度を計測する。
濃度センサ55の洗浄時において制御部７は、図５に示す基板液処理プログラムに従って濃度センサ55の洗浄動作を行う。
まず、制御部７は、洗浄動作時の条件を確認する（条件確認ステップＳ１）。ここで、洗浄動作時の条件とは、処理液を加熱してから洗浄流体を濃度センサ55に供給して洗浄を行うか否かを判定する条件を指す。洗浄動作時の条件としては、たとえば、濃度計測流路53に設けた温度センサ66（図２参照。）を用いて濃度計測流路53に滞留する処理液の温度を計測し、処理液の温度が所定温度（たとえば、100℃）以下であることを条件としてもよく、また、濃度計測流路53に設けられた上流側開閉弁54や下流側開閉弁56が連続して閉塞した状態となっている時間を制御部７に内蔵されたタイマで計測し、上流側開閉弁54や下流側開閉弁56の閉塞によって濃度計測流路53に処理液が滞留している時間が所定時間（たとえば、30分）以上であることを条件としてもよい。さらに、特に洗浄動作時の条件を設けずに常に処理液を加熱してから洗浄流体を濃度センサ55に供給して洗浄を行うようにしてもよい。
次に、制御部７は、条件確認ステップＳ１で確認した条件（たとえば、処理液の温度や滞留時間など）に基づいて処理液を加熱するか否かを判断する（加熱判断ステップＳ２）。処理液を加熱すると判断した場合には、次の加熱ステップＳ３を実行し、処理液を加熱しないと判断した場合には、加熱ステップＳ３を実行せずに洗浄ステップＳ４を実行する。なお、無条件に処理液を加熱する場合には、条件確認ステップＳ１及び加熱判断ステップＳ２を省略することができる。
加熱ステップＳ３では、制御部７は、図６に示すように、液処理時と同様にポンプ50を駆動させて処理液を循環流路49で循環させるとともに、ヒータ52を駆動させて処理液の温度を所定温度（165℃）に加熱させる。さらに、上流側開閉弁54と排出開閉弁62とを開放した状態にするとともに下流側開閉弁56を閉塞した状態にして、循環流路49を流れる所定温度に加熱された処理液の一部を濃度計測流路53に流し、濃度センサ55を通過した後に排出流路61から排出させる。この加熱ステップＳ３は、予め決められた時間（たとえば、12秒間）継続して行う。
洗浄ステップＳ４では、制御部７は、図７に示すように、上流側開閉弁54と下流側開閉弁56とを閉塞した状態にするとともに供給開閉弁59と排出開閉弁62とを開放した状態にして、洗浄流体供給源58から洗浄流体を供給させ、濃度センサ55を通過した後に排出流路61から排出させる。これにより、濃度センサ55の接液部分が洗浄流体で洗浄される。
この洗浄ステップＳ４では、最初に洗浄流体で処理液が押し流されることになる。その際に、洗浄流体が処理液と接触する。処理液の温度が予め決められた温度（たとえば、80℃）以下の場合には、処理液と洗浄流体との接触によって反応が生じて結晶が生成されることがある。しかしながら、加熱ステップＳ３において処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱することで、洗浄ステップＳ４において処理液と洗浄流体とが接触しても反応が生じず結晶の生成を防止することができる。
このように、基板液処理プログラムでは、洗浄ステップＳ４を実行する前に加熱ステップＳ３を実行して、処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱する。加熱ステップＳ３では、処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度（たとえば、80℃）に処理液を加熱すればよいが、基板８を処理する時の処理液の温度（たとえば、165℃）と同一温度に処理液を加熱することで、ヒータ52の制御等を容易なものとすることができる。また、加熱ステップＳ３では、洗浄ステップＳ４で洗浄流体が流れる流路に滞留する処理液を加熱しているが、これに限られず、洗浄流体を加熱してもよく、また、洗浄流体が流れる流路（配管）自体を加熱することで処理液や洗浄流体を加熱してもよい。加熱した処理液を流す場合には、基板８の処理のために処理液を加熱する既存のヒータ52を用いることができるので、別に専用のヒータを設ける必要がない。
以上に説明したように、上記基板液処理装置１及び基板液処理装置１で用いられる基板液処理方法（基板液処理プログラム）では、洗浄流体供給部57から処理液が流れる処理液流路（ここでは、濃度計測流路53）に洗浄流体を供給する前に、ヒータ52で処理液を処理液と洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱する。これにより、処理液が流れる処理液流路（ここでは、濃度計測流路53）を洗浄流体で洗浄する際に処理液と洗浄流体とが反応して結晶が生じるのを防止することができる。そのため、結晶が原因となる配管等の詰まり等の故障や濃度センサ55の誤作動や基板８への付着などを防止することができ、基板８を良好に液処理することができる。
なお、上記基板液処理装置１では、処理液が流れる処理液流路として濃度計測流路53に本発明を適用しているが、これに限られず、循環流路49や排液流路63などの処理液が流れる流路に洗浄流体供給部57を設けることで本発明を適用することもできる。
１ 基板液処理装置
７ 制御部
８ 基板
53 濃度計測流路（処理液流路）
55 濃度センサ
57 洗浄流体供給部
７ 制御部
８ 基板
53 濃度計測流路（処理液流路）
55 濃度センサ
57 洗浄流体供給部
Claims (14)
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記処理液を加熱するヒータと、
前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記洗浄流体を加熱するヒータと、
前記洗浄流体供給部及び前記ヒータを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記ヒータで前記洗浄流体を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱した後に、前記洗浄流体を前記洗浄流体供給部から前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給するように制御することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記処理液又は前記洗浄流体の温度を計測する温度センサをさらに有し、
前記制御部は、前記温度センサで計測した温度が所定温度よりも低い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板液処理装置。 - 前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間を計測するタイマをさらに有し、
前記制御部は、前記タイマで計測した時間が所定時間よりも長い場合に、前記ヒータで前記処理液又は前記洗浄流体を加熱するように制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板液処理装置。 - 前記制御部は、前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記ヒータで前記処理液を加熱するように制御することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記洗浄流体供給部は、前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記処理液流路は、前記処理液を貯留する処理液貯留部に接続されて前記処理液を循環させるための循環流路と、循環流路から分岐して前記処理液の濃度を計測するための濃度計測流路とを有し、前記循環流路に前記ヒータを設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、
前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記処理液を加熱した後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給し、その後、前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することを特徴とする基板液処理方法。 - 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路に洗浄流体を供給して処理液流路の少なくとも一部を洗浄する基板液処理方法において、
前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に前記洗浄流体を加熱した後に、前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に前記洗浄流体を供給することを特徴とする基板液処理方法。 - 前記処理液又は前記洗浄流体の温度が所定温度よりも低い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板液処理方法。
- 前記処理液流路に前記処理液が滞留している時間が所定時間よりも長い場合に、前記処理液又は前記洗浄流体を加熱することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板液処理方法。
- 前記基板を処理するための前記処理液の温度に前記処理液を加熱することを特徴とする請求項８〜請求項１１のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記処理液流路に設けられた濃度センサを洗浄するための洗浄流体を供給することを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 基板を処理するための処理液が流れる処理液流路と、
前記処理液流路の少なくとも一部を洗浄するための洗浄流体を前記処理液流路に供給する洗浄流体供給部と、
前記処理液を加熱するヒータと、
を有する基板液処理装置に実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記ヒータで前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度よりも高い温度に加熱させた後に、加熱した前記処理液を前記処理液と前記洗浄流体との反応によって結晶が生じる温度の前記処理液が滞留する前記処理液流路に供給させ、その後、前記洗浄流体供給部から前記処理液流路に前記洗浄流体を供給させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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