JP5518756B2 - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5518756B2
JP5518756B2 JP2011008075A JP2011008075A JP5518756B2 JP 5518756 B2 JP5518756 B2 JP 5518756B2 JP 2011008075 A JP2011008075 A JP 2011008075A JP 2011008075 A JP2011008075 A JP 2011008075A JP 5518756 B2 JP5518756 B2 JP 5518756B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
arm
liquid
wafer
nozzle
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011008075A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012151238A (ja
Inventor
島 治 郎 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2011008075A priority Critical patent/JP5518756B2/ja
Priority to KR1020110127632A priority patent/KR101551995B1/ko
Priority to US13/351,841 priority patent/US20120180829A1/en
Priority to TW101101757A priority patent/TW201250893A/zh
Publication of JP2012151238A publication Critical patent/JP2012151238A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5518756B2 publication Critical patent/JP5518756B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、基板を水平状態に保持した状態で回転させながら当該基板に処理液を供給することにより基板の洗浄処理やエッチング処理、メッキ処理、現像処理等の液処理を行う液処理装置に関する。
従来から、半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハともいう）を水平状態に保持した状態で回転させながら当該基板の表面や裏面に処理液を供給することにより基板の洗浄処理やエッチング処理、メッキ処理、現像処理等の液処理を行う液処理装置として、様々な種類のものが知られている（例えば、特許文献１等参照）。特許文献１には、基板をスピンチャックにより水平に保持して回転させ、スピンチャックにより保持されて回転する基板の表面に処理液を供給するような、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の液処理装置が開示されている。また、このような枚葉式の液処理装置において、処理室の上方にＦＦＵ（ファンフィルタユニット）を設け、このＦＦＵからＮ２ガス（窒素ガス）やクリーンエア等のガスをダウンフローで処理室内に送るような技術が知られている。
処理室の上方にＦＦＵが設けられた液処理装置の構成について図１１および図１２を用いて説明する。図１１は、従来の液処理装置の概略的な構成を示す側面図であり、図１２は、図１１に示す従来の液処理装置の上面図である。図１１および図１２に示すように、従来の液処理装置２００は、ウエハＷが収容され、この収容されたウエハＷの液処理が行われる処理室（チャンバー）２１０を備えている。図１１および図１２に示すように、処理室２１０内には、ウエハＷを保持して回転させるための保持部２２０が設けられており、この保持部２２０の周囲にはカップ２３０が配設されている。また、従来の液処理装置２００では、保持部２２０に保持されたウエハＷに対してカップ２３０の上方から処理液を供給するためのノズル２４０およびこのノズル２４０を支持するアーム２４１が処理室２１０内に設けられている。また、アーム２４１には略鉛直方向に延びるアーム支持部２４２が設けられており、このアーム支持部２４２によりアーム２４１が支持されている。そして、アーム支持部２４２は図示しない駆動機構により正逆両方向に回転駆動させられるようになっている。このことにより、アーム２４１はアーム支持部２４２を中心として正逆両方向に回転可能となり、このアーム２４１は、保持部２２０により保持されたウエハＷに処理液を供給する進出位置（図１２の実線参照）とカップ２３０から退避した退避位置（図１２の二点鎖線参照）との間でアーム支持部２４２を中心として回転移動を行うようになる（図１２の矢印参照）。
また、図１１に示すように、処理室２１０の上方にはＦＦＵ（ファンフィルタユニット）２５０が設けられており、このＦＦＵ２５０からＮ２ガス（窒素ガス）やクリーンエア等のガスが常にダウンフローで処理室２１０内に送られるようになっている。また、処理室２１０の底部には排気部２６０が設けられており、この排気部２６０により処理室２１０内の雰囲気の排気が行われるようになっている。このように、ＦＦＵ２５０から処理室２１０内にクリーンエア等のガスがダウンフローで送られ、このガスが排気部２６０により排気されることにより、処理室２１０内の雰囲気の置換が行われるようになっている。
特開２００９−９４５２５号公報
図１１および図１２に示すような従来の液処理装置２００では、ノズル２４０を支持するアーム２４１やこのアーム２４１を支持するアーム支持部２４２が処理室２１０内に設けられている。このため、図１１および図１２に示すような従来の液処理装置２００では、アーム２４１に付着した汚れが処理室２１０内のウエハＷに落下して付着してしまうおそれがある。また、処理室２１０内でウエハＷの液処理を行う際に薬液等が飛散してアーム２４１に付着すると、この薬液がアーム２４１に残存してしまい、その後のウエハＷの処理においてこの残存した薬液の雰囲気によりウエハＷが汚れてしまう等の悪影響を与えてしまうおそれがある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、処理室に隣接したアーム待機部を設けることにより、処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、しかも基板の液処理を行う際に飛散した薬液がノズル支持アームに付着しないように処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供することを目的とする。
本発明の液処理装置は、基板を保持する基板保持部および当該基板保持部の周囲に配設されるカップが内部に設けられた処理室と、前記基板保持部に保持された基板に対して流体を供給するためのノズルと、前記ノズルを支持し、前記処理室内と、当該処理室に隣接して設けられたアーム待機部との間で水平方向に移動自在となっているノズル支持アームと、前記処理室と前記アーム待機部とを区画する壁と、を備え、前記壁には、前記ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられており、前記ノズル支持アームは、前記アーム待機部で待機しているときに前記壁の前記開口を塞ぐようになっていることを特徴とする。
このような液処理装置によれば、ノズル支持アームは、処理室とアーム待機部とを区画する壁の開口を塞ぐ蓋として機能するようになり、処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができるようになる。
本発明の液処理装置においては、前記処理室内において前記カップの周囲に配設され、上方位置と下方位置との間で昇降可能となっており、前記ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられた円筒状のカップ外周筒を更に備え、前記ノズル支持アームは、前記上方位置にある前記カップ外周筒の開口も塞ぐことができるようになっていてもよい。
また、前記アーム待機部には、前記ノズル支持アームの駆動を行うアーム駆動機構が設けられていてもよい。
また、前記ノズル支持アームは、前記処理室内と前記アーム待機部との間で直進運動を行うようになっていてもよい。
本発明の液処理装置によれば、処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる。
本発明の実施の形態による液処理装置を含む液処理システムを上方から見た上面図である。 本発明の実施の形態による液処理装置の概略的な構成を示す上面図である。 図２に示す液処理装置の側面図である。 図２に示す液処理装置の構成の詳細を示す縦断面図であって、カップ外周筒が下方位置にあるときの状態を示す図である。 図２に示す液処理装置の構成の詳細を示す縦断面図であって、カップ外周筒が上方位置にあるときの状態を示す図である。 （ａ）は、図４等に示す液処理装置における保持プレートに設けられた保持部材の構成を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す状態からリフトピンプレートが下方に移動したときの状態を示す拡大縦断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示す状態からリフトピンプレートが更に下方に移動したときの状態を示す拡大縦断面図である。 図４等に示す液処理装置におけるカップ外周筒の構成を示す斜視図である。 図２等に示す液処理装置における処理室および６つのノズル支持アームを示す斜視図である。 図７に示すノズル支持アームの拡大斜視図である。 図７等に示す各ノズル支持アームを、これらのノズル支持アームの後方から処理室に向かって見たときの構成を示す図である。 図７等に示すノズル支持アームの構成の詳細を示す側断面図である。 従来の液処理装置の概略的な構成を示す側面図である。 図１１に示す従来の液処理装置の上面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１乃至図１０は、本実施の形態による液処理装置を示す図である。より詳細には、図１は、本発明の実施の形態による液処理装置を含む液処理システムを上方から見た上面図である。また、図２は、本発明の実施の形態による液処理装置の概略的な構成を示す上面図であり、図３は、図２に示す液処理装置の概略的な構成を示す側面図である。また、図４および図５は、図２に示す液処理装置の構成の詳細を示す縦断面図である。また、図６Ａは、図４等に示す液処理装置における保持プレートに設けられた保持部材の構成を示す拡大縦断面図であり、図６Ｂは、図４等に示す液処理装置におけるカップ外周筒の構成を示す斜視図である。また、図７乃至図１０は、図２等に示す液処理装置に設けられたノズル支持アームの構成を示す図である。
まず、図１を用いて、本実施の形態による液処理装置を含む液処理システムについて説明する。図１に示すように、液処理システムは、外部から被処理基板としての半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、ウエハＷともいう）を収容したキャリアを載置するための載置台１０１と、キャリアに収容されたウエハＷを取り出すための搬送アーム１０２と、搬送アーム１０２によって取り出されたウエハＷを載置するための棚ユニット１０３と、棚ユニット１０３に載置されたウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを液処理装置１０内に搬送する搬送アーム１０４と、を備えている。図１に示すように、液処理システムには、複数（図１に示す態様では４個）の液処理装置１０が設けられている。
次に、本実施の形態による液処理装置１０の概略的な構成について図２および図３を用いて説明する。
図２および図３に示すように、本実施の形態による液処理装置１０は、ウエハＷが収容され、この収容されたウエハＷの液処理が行われる処理室（チャンバー）２０を備えている。図３に示すように、処理室２０内には、ウエハＷを水平状態で保持して回転させるための保持部２１が設けられており、この保持部２１の周囲にはリング状の回転カップ４０が配設されている。また、図２および図３に示すように、処理室２０内において回転カップ４０の周囲には円筒状のカップ外周筒５０が配設されている。後述するように、このカップ外周筒５０はウエハＷの処理状況に応じて昇降可能となっている。これらの保持部２１、回転カップ４０およびカップ外周筒５０の構成の詳細については後述する。
また、液処理装置１０には、保持部２１に保持されたウエハＷに対してウエハＷの上方から処理液やＮ２ガス等の流体を供給するためのノズル８２ａおよびこのノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２が設けられている。図２に示すように、１つの液処理装置１０には複数（具体的には例えば６つ）のノズル支持アーム８２が設けられており、各ノズル支持アーム８２の先端にノズル８２ａが設けられている。また、図３に示すように、各ノズル支持アーム８２にはアーム支持部８４が設けられており、各アーム支持部８４は後述するアーム駆動機構８５によって図３における左右方向に駆動されるようになっている。このことにより、各ノズル支持アーム８２は、ノズル８２ａが処理室２０内に進出した進出位置と、ノズル８２ａが処理室２０から退避した退避位置との間で水平方向に直線運動を行うようになっている（図２および図３における各ノズル支持アーム８２に設けられた矢印参照）。また、図３に示すように、各ノズル支持アーム８２には表面処理液供給管８２ｍが設けられており、各表面処理液供給管８２ｍは表面処理液供給部８９に接続されている。そして、表面処理液供給部８９から各表面処理液供給管８２ｍを介して各ノズル支持アーム８２のノズル８２ａに処理液やＮ２ガス等の流体が供給されるようになっている。
図２および図３に示すように、液処理装置１０において、アーム待機部８０が処理室２０に隣接して設けられている。このアーム待機部８０において、処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するようになっている。また、アーム待機部８０と処理室２０との間には鉛直方向に延びる壁９０が設けられている。この壁９０は、各ノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ｐが設けられたアーム洗浄部８８を有している。このアーム洗浄部８８により各ノズル支持アーム８２の洗浄が行われるようになっている。アーム洗浄部８８の構成の詳細については後述する。
また、図３に示すように、処理室２０の上方にはＦＦＵ（ファンフィルタユニット）７０が設けられており、このＦＦＵ７０からＮ２ガス（窒素ガス）やクリーンエア等のガスがダウンフローで処理室２０内に送られるようになっている。また、図２および図３に示すように、処理室２０の底部におけるカップ外周筒５０の内側には排気部５４が設けられており、この排気部５４により処理室２０内の雰囲気の排気が行われるようになっている。このように、ＦＦＵ７０から処理室２０内にクリーンエア等のガスがダウンフローで送られ、このガスが排気部５４により排気されることにより、処理室２０内の雰囲気の置換が行われるようになっている。
また、図２および図３に示すように、処理室２０の底部におけるカップ外周筒５０の外側には排気部５６が設けられており、この排気部５６により処理室２０内の雰囲気の排気が行われるようになっている。この排気部５６により、処理室２０内におけるカップ外周筒５０の外側の雰囲気の排気を行うことができるようになっている。具体的には、排気部５６により、アーム待機部８０内の雰囲気がカップ外周筒５０内に入り込むことが抑止される。また、この排気部５６により、カップ外周筒５０内の雰囲気がアーム待機部８０に出てしまうことが抑止される。
また、図２および図３に示すように、アーム待機部８０の底部には排気部５８が設けられており、この排気部５８によりアーム待機部８０内の雰囲気の排気が行われるようになっている。具体的には、各ノズル支持アーム８２を駆動するためのアーム駆動機構８５（後述）から発生するパーティクルを排気部５８により引くことができるようになっている。
また、図２に示すように、液処理装置１０の処理室２０およびアーム待機部８０の出入口にはそれぞれメンテナンス用のシャッター６０、６２が設けられている。処理室２０およびアーム待機部８０にそれぞれメンテナンス用のシャッター６０、６２が設けられていることにより、これらの処理室２０内やアーム待機部８０内の機器を個別にメンテナンスすることができる。また、処理室２０内でウエハＷを処理している最中でも、シャッター６２を開くことによりアーム待機部８０内の機器をメンテナンスすることができるようになる。
また、図２に示すように、液処理装置１０の側壁には、搬送アーム１０４により処理室２０内へウエハＷを搬入したり処理室２０からウエハＷを搬出したりするための開口９４ａが設けられており、この開口９４ａには、当該開口９４ａを開閉するためのシャッター９４が設けられている。
なお、図２に示す液処理装置１０において、処理室２０内におけるカップ外周筒５０の内部の領域はクリーンルームに対して微陽圧となっており、一方、処理室２０内におけるカップ外周筒５０の外側の領域はクリーンルームに対して微陰圧となっている。このため、処理室２０内において、カップ外周筒５０の内部の領域の気圧はカップ外周筒５０の外側の領域の気圧よりも大きくなっている。
次に、図２および図３に示すような液処理装置１０の構成の詳細について図４および図５を用いて説明する。
図４および図５に示すように、保持部２１は、ウエハＷを保持するための円板形状の保持プレート２６と、保持プレート２６の上方に設けられた円板形状のリフトピンプレート２２とを備えている。リフトピンプレート２２の上面には、ウエハＷを下方から支持するためのリフトピン２３が周方向に等間隔で３つ設けられている。なお、図４および図５では２つのリフトピン２３のみを表示している。また、リフトピンプレート２２にはピストン機構２４が設けられており、このピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が昇降するようになっている。より具体的には、搬送アーム１０４（図１参照）によりウエハＷをリフトピン２３上に載置したりリフトピン２３上からウエハＷを取り出したりするときには、ピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が図４等に示すような位置から上方に移動させられ、このリフトピンプレート２２は回転カップ４０よりも上方に位置するようになる。一方、処理室２０内でウエハＷの液処理を行う際には、ピストン機構２４によりリフトピンプレート２２が図４等に示すような下方位置に移動させられ、ウエハＷの周囲に回転カップ４０が位置するようになる。
保持プレート２６には、ウエハＷを側方から支持するための保持部材２５が周方向に等間隔で３つ設けられている。なお、図４および図５では２つの保持部材２５のみを表示している。各保持部材２５は、リフトピンプレート２２が上方位置から図４および図５に示すような下方位置に移動したときにこのリフトピン２３上のウエハＷを支持し、このウエハＷをリフトピン２３からわずかに離間させるようになっている。
リフトピンプレート２２および保持プレート２６の構成について、図６Ａを用いてより詳細に説明する。図６Ａにおいて、（ａ）は、リフトピンプレート２２が上方位置から図４等に示すような下方位置に移動する途中での状態を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す状態からリフトピンプレート２２が下方に移動したときの状態を示す図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示す状態からリフトピンプレート２２が更に下方に移動し、リフトピンプレート２２が図４等に示すような下方位置に到達したときの状態を示す図である。
図６Ａに示すように、保持部材２５は軸２５ａを介して保持プレート２６に軸支されている。より詳細には、図６Ａに示すように、保持プレート２６には軸受け部２６ａが取り付けられており、この軸受け部２６ａに設けられた軸受け孔２６ｂに軸２５ａが受け入れられる。軸受け孔２６ｂは水平方向に延びるような細長い孔からなり、保持部材２５の軸２５ａはこの軸受け孔２６ｂに沿って水平方向に移動することができる。このようにして、保持部材２５は、軸受け部２６ａの軸受け孔２６ｂに受け入れられた軸２５ａを中心として揺動することができる。
保持部材２５の軸２５ａには、ねじりバネ等のバネ部材２５ｄが巻き掛けられている。このバネ部材２５ｄは、軸２５ａを中心として保持部材２５を図６Ａにおける時計回りの方向に回転させるような力を保持部材２５に付勢するようになっている。これにより、保持部材２５に何ら力が加えられていない場合には、保持部材２５が保持プレート２６に対して傾斜した状態となり、保持部材２５におけるウエハＷを側方から支持するための支持部分２５ｂ（後述）は保持プレート２６の中心から遠ざかった状態となる。
また、軸２５ａに巻き掛けられたバネ部材２５ｄからは線状部分が伸び出しており、この線状部分は軸受け部２６ａの内壁面２６ｃに係止されて、軸２５ａを保持プレート２６の中心に向かって押し返す。このように、バネ部材２５ｄの線状部分により、軸２５ａは保持プレート２６の中心に向かって（すなわち、図６Ａにおける左方向に向かって）常時押圧される。このため、比較的径が小さなウエハＷが保持部材２５により保持される場合には、軸２５ａは、図６Ａに示すように、軸受け孔２６ｂにおける保持プレート２６の中心に近い位置（すなわち、図６Ａにおける左側の位置）に位置する。一方、比較的径が大きなウエハＷが保持部材２５により支持される場合には、バネ部材２５ｄの線状部分による力に抗して、軸２５ａは軸受け孔２６ｂに沿って図６Ａに示す位置から右方向に移動する。なお、ここでのウエハＷの径の大小とは、許容寸法誤差内でのウエハＷの径の大小を意味している。
また、保持部材２５は、ウエハＷを側方から支持する支持部分２５ｂと、軸２５ａに関して支持部分２５ｂと反対側に設けられた被押圧部材２５ｃとを有している。被押圧部材２５ｃは、リフトピンプレート２２と保持プレート２６との間に設けられており、この被押圧部材２５ｃは、図６Ａに示すようにリフトピンプレート２２が下方位置またはその近傍位置にあるときに当該リフトピンプレート２２の下面により下方に向かって押圧される。
図６Ａに示すように、保持部材２５は、リフトピンプレート２２が上方位置から下方位置に移動したときに、当該リフトピンプレート２２の下面により被押圧部材２５ｃが下方に押圧されることにより軸２５ａを中心として図６Ａにおける反時計回りの方向（図６Ａにおける矢印方向）に回転する。そして、保持部材２５が軸２５ａを中心として回転することにより、支持部分２５ｂがウエハＷに向かって当該ウエハＷの側方から移動する。これにより、リフトピンプレート２２が下方位置に到達したときに、図６Ａ（ｃ）に示すように、ウエハＷが保持部材２５により側方から支持される。ここで、図６Ａ（ｃ）に示すように、ウエハＷが保持部材２５により側方から支持されたときに、このウエハＷはリフトピン２３の先端から上方に離間し、リフトピン２３から上方に浮いた状態となる。また、前述のように、ウエハＷの大きさによっては、バネ部材２５ｄの線状部分による力に抗して軸２５ａが軸受け孔２６ｂに沿って図６Ａに示す位置から右方向に移動する場合もある。このため、比較的大きなウエハＷが保持部材２５により支持される場合であっても、保持部材２５が水平方向に移動可能となっているので、ウエハＷを変形させたり破損させたりすることなくウエハＷを側方から支持することができる。
また、リフトピンプレート２２および保持プレート２６の中心部分にはそれぞれ貫通穴が形成されており、これらの貫通穴を通るよう処理液供給管２８が設けられている。この処理液供給管２８は、保持プレート２６の各保持部材２５により保持されたウエハＷの裏面に薬液や純水等の処理液を供給するようになっている。また、処理液供給管２８はリフトピンプレート２２と連動して昇降するようになっている。処理液供給管２８の上端には、リフトピンプレート２２の貫通穴を塞ぐよう設けられたヘッド部分２８ａが形成されている。また、図４等に示すように、処理液供給管２８には処理液供給部２９が接続されており、この処理液供給部２９により処理液供給管２８に処理液が供給されるようになっている。
図４および図５に示すように、保持部２１の周囲にはリング状の回転カップ４０が配設されている。この回転カップ４０は保持プレート２６に取り付けられており、保持プレート２６と一体的に回転するようになっている。より詳細には、回転カップ４０は、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されたウエハＷを側方から囲うよう設けられており、ウエハＷの液処理を行う際にこのウエハＷから側方に飛散した処理液を受けるようになっている。
また、回転カップ４０の周囲には、ドレインカップ４２、第１案内カップ４３、第２案内カップ４４および第３案内カップ４５が上方から順に設けられている。ドレインカップ４２および各案内カップ４３、４４、４５はそれぞれリング状に形成されている。ここで、ドレインカップ４２は処理室２０において固定されている。一方、各案内カップ４３、４４、４５にはそれぞれ昇降シリンダ（図示せず）が連結されており、これらの案内カップ４３、４４、４５は対応する昇降シリンダにより互いに独立して昇降自在となっている。
図４および図５に示すように、ドレインカップ４２や各案内カップ４３、４４、４５の下方には、第１処理液回収用タンク４６ａ、第２処理液回収用タンク４６ｂ、第３処理液回収用タンク４６ｃおよび第４処理液回収用タンク４６ｄがそれぞれ設けられている。そして、各案内カップ４３、４４、４５の上下方向における位置により、ウエハＷの液処理を行う際にこのウエハＷから側方に飛散した処理液が、この処理液の種類に基づいて、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうちいずれか一つの処理液回収用タンクに選択的に送られるようになっている。具体的には、全ての案内カップ４３、４４、４５が全て上方位置にあるときには（図４および図５に示すような状態）、ウエハＷから側方に飛散した処理液は第４処理液回収用タンク４６ｄに送られるようになっている。一方、第３案内カップ４５のみが下方位置にあるときには、ウエハＷから側方に飛散した処理液は第３処理液回収用タンク４６ｃに送られるようになっている。また、第２案内カップ４４および第３案内カップ４５が下方位置にあるときには、ウエハＷから側方に飛散した処理液は第２処理液回収用タンク４６ｂに送られるようになっている。また、全ての案内カップ４３、４４、４５が下方位置にあるときには、ウエハＷから側方に飛散した処理液は第１処理液回収用タンク４６ａに送られるようになっている。
また、図４および図５に示すように、第４処理液回収用タンク４６ｄの内側には排気部４８が設けられている。そして、各案内カップ４３、４４、４５の上下方向における位置が所定の位置となることにより、ウエハＷの周囲の雰囲気が、排気部４８により排気されるようになっている。
また、本実施の形態の液処理装置１０においては、処理室２０内においてドレインカップ４２や各案内カップ４３、４４、４５の周囲にカップ外周筒５０が設けられている。このカップ外周筒５０は、図４に示すような下方位置と図５に示すような上方位置との間で昇降可能となっている。また、図２および図３に示すように、カップ外周筒５０には、ノズル支持アーム８２が通過可能な開口５０ｍが設けられている。カップ外周筒５０は、図５に示すような上方位置にあるときに、カップ外周筒５０内の領域を外部に対して隔離するようになっている。
このようなカップ外周筒５０の構成の詳細について図６Ｂを用いて説明する。図６Ｂは、カップ外周筒５０の構成を示す斜視図である。図６Ｂに示すように、カップ外周筒５０の側面には、ノズル支持アーム８２が通過可能な開口５０ｍが、ノズル支持アーム８２の本数に応じて設けられている（例えばノズル支持アーム８２が６本の場合、６つの開口５０ｍが設けられる）。また、カップ外周筒５０の上部には、このカップ外周筒５０を支持するための支持部材５０ａが連結されており、支持部材５０ａには当該支持部材５０ａを昇降させる駆動機構５０ｂが設けられている。そして、駆動機構５０ｂにより支持部材５０ａを昇降させることにより、この支持部材５０ａに支持されるカップ外周筒５０も昇降するようになっている。
また、図４および図５に示すように、ＦＦＵ７０にはガイド部材５１が取り付けられている。このガイド部材５１は、図５に示すようにカップ外周筒５０が上方位置にあるときに、このカップ外周筒５０から内側にわずかに距離を隔てて位置するよう配置されている。また、本実施の形態の液処理装置１０においては、図５に示すようにカップ外周筒５０が上方位置にあるときには、カップ外周筒５０内の気圧はカップ外周筒５０の外側の気圧よりも大きくなるようになっている。このため、カップ外周筒５０が上方位置にあるときには、ＦＦＵ７０により生じる処理室２０内のダウンフローのガスが、ガイド部材５１によりカップ外周筒５０の上端近傍において当該カップ外周筒５０の内側から外側に案内されるようになっている。
また、図４および図５に示すように、処理室２０内には、カップ外周筒５０を洗浄するための洗浄部５２が設けられている。この洗浄部５２は、純水等の洗浄液を貯留するための貯留部分５２ａを有しており、図４に示すようにカップ外周筒５０が下方位置にあるときにこのカップ外周筒５０が貯留部分５２ａに貯留された洗浄液に浸されるようになっている。洗浄部５２は、貯留部分５２ａに貯留された洗浄液にカップ外周筒５０が浸されることにより、このカップ外周筒５０の洗浄を行うようになっている。貯留部分５２ａに貯留される洗浄液としては、例えば室温以上の、好ましくは４０℃以上の、更に好ましくは６０℃以上の純水等が用いられる。貯留部分５２ａに貯留される洗浄液の温度が高い場合には、カップ外周筒５０に対する洗浄効果がより大きくなる。
図４に示すように、カップ外周筒５０が下方位置にあるときにはこのカップ外周筒５０の大部分が貯留部分５２ａに貯留された洗浄液に浸されるようになる。また、図５に示すように、カップ外周筒５０が上方位置にあるときにもこのカップ外周筒５０の下部が貯留部分５２ａに貯留された洗浄液に浸されるようになる。このため、カップ外周筒５０が上方位置にあるときには、貯留部分５２ａに貯留された洗浄液とカップ外周筒５０の下部との間で水シールを行うとともに、カップ外周筒５０の上部とガイド部材５１との間が狭くなるので、カップ外周筒５０内の領域を外部から隔離することができるようになる。
また、図４および図５に示すように、処理室２０内において、洗浄部５２の内側には処理室２０内の雰囲気の排気を行うための排気部５４が設けられており、また、洗浄部５２の外側には処理室２０内の雰囲気の排気を行うための排気部５６が設けられている。このような排気部５４および排気部５６が設けられていることにより、カップ外周筒５０が図４に示すような下方位置にあるときには、これらの排気部５４および排気部５６により処理室２０内全体の雰囲気の排気を行うことができる。一方、カップ外周筒５０が図５に示すような上方位置にあるときには、カップ外周筒５０内の領域が外部から隔離されるので、排気部５４によりカップ外周筒５０の内部の雰囲気の排気を行うことができ、また、排気部５６によりカップ外周筒５０の外側の雰囲気の排気を行うことができる。
前述のように、本実施の形態においては、１つの液処理装置１０に複数（具体的には例えば６つ）のノズル支持アーム８２が設けられており、各ノズル支持アーム８２の先端にノズル８２ａが設けられている。具体的には、各ノズル８２ａは、それぞれ、第１の薬液（具体的には、例えば酸性の薬液）、第２の薬液（具体的には、例えばアルカリ性の薬液）、純水、Ｎ２ガス、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、純水のミストをウエハＷの上面に供給するようになっている。
以下、本実施の形態におけるノズル支持アーム８２の構成について図７乃至図１０を用いて詳述する。ここで、図７は、図２等に示す液処理装置１０における処理室２０および６つのノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕを示す斜視図であり、図８は、図７に示す各ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕの拡大斜視図である。また、図９は、図７等に示す各ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕを、これらのノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕの後方から処理室２０に向かって見たときの構成を示す図であり、図１０は、図７等に示す各ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕの構成の詳細を示す側断面図である。
図７に示すように、６つのノズル支持アーム８２は、例えば純水供給用アーム８２ｐ、第１の薬液供給用アーム８２ｑ、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒ、第２の薬液供給用アーム８２ｓ、純水のミスト供給用アーム８２ｔおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕから構成されている。前述のように、これらのアーム８２ｐ〜８２ｕの先端にはノズル８２ａが設けられている。このようにして、純水供給用アーム８２ｐの先端に設けられたノズル８２ａからは純水がウエハＷの上面に供給され、第１の薬液供給用アーム８２ｑの先端に設けられたノズル８２ａからは第１の薬液（具体的には、例えば酸性の薬液）がウエハＷの上面に供給され、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒの先端に設けられたノズル８２ａからはＮ２ガスがウエハの上面に供給されるようになっている。また、第２の薬液供給用アーム８２ｓの先端に設けられたノズル８２ａからは第２の薬液（具体的には、例えばアルカリ性の薬液）がウエハＷの上面に供給され、純水のミスト供給用アーム８２ｔの先端に設けられたノズル８２ａからは純水のミストがウエハＷの上面に供給され、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕの先端に設けられたノズル８２ａからはＩＰＡがウエハＷの上面に供給されるようになっている。
図８および図１０に示すように、各ノズル支持アーム８２には、当該ノズル支持アーム８２を直進運動させるためのアーム駆動機構８５が設けられている。アーム駆動機構８５は、ベース部材８５ｄに取り付けられ正逆両方向に回転するモータ８５ａと、モータ８５ａに対向するようベース部材８５ｄに取り付けられたプーリ８５ｂと、モータ８５ａおよびプーリ８５ｂに巻き掛けられた循環ベルト８５ｃと、循環ベルト８５ｃに取り付けられたベルト取付部材８５ｅとを有している。ここで、ベルト取付部材８５ｅは、ノズル支持アーム８２を支持するアーム支持部８４の下部に取り付けられており、ベルト取付部材８５ｅおよびアーム支持部８４は一体的に移動するようになっている。そして、このようなアーム駆動機構８５において、モータ８５ａが回転することにより循環ベルト８５ｃが図１０における右方向または左方向に移動し、この循環ベルト８５ｃに取り付けられたベルト取付部材８５ｅが図１０における右方向または左方向に移動することにより、アーム支持部８４が図１０における左右方向に直進運動を行うようになる。このようにして、アーム支持部８４に支持されるノズル支持アーム８２も図１０における左右方向に直進運動を行う。
本実施の形態の液処理装置１０においては、アーム駆動機構８５が処理室２０の外部に設けられていることにより、このアーム駆動機構８５から発生するゴミ等が処理室２０内に入ってしまうことを抑制することができる。また、処理室２０内の雰囲気がアーム駆動機構８５に到達してしまうことを抑制することができる。
また、図９に示すように、上述した６つのアーム８２ｐ〜８２ｕのうち、純水供給用アーム８２ｐ、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよび純水のミスト供給用アーム８２ｔは同じ高さレベルに設置されている。より具体的には、図９において、これらのアーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔは、図９における二点鎖線Ａで囲まれる領域の高さレベルに設置されている。一方、上述した６つのアーム８２ｐ〜８２ｕのうち、第１の薬液供給用アーム８２ｑ、第２の薬液供給用アーム８２ｓおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕも同じ高さレベルに設置されている。より具体的には、図９において、これらのアーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕは、図９における二点鎖線Ｂで囲まれる領域の高さレベルに設置されている。そして、図９に示すように、純水供給用アーム８２ｐ、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよび純水のミスト供給用アーム８２ｔは、それぞれ、第１の薬液供給用アーム８２ｑ、第２の薬液供給用アーム８２ｓおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕよりも高い位置に設置されている。
また、本実施の形態の液処理装置１０においては、高さレベルが互いに異なる複数のアーム８２ｐ〜８２ｕが同時に処理室２０内に進出したときにアーム同士が衝突または干渉しないようになっている。
本実施の形態の液処理装置１０においては、ウエハＷの乾燥処理を行うにあたり、処理室２０内において保持部２１により保持されたウエハＷに対してＩＰＡを供給した後、このウエハＷにおけるＩＰＡが供給された箇所にＮ２ガスを供給するようになっている。このような場合、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕが同時に処理室２０内に進出する。ここで、前述のように、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕは互いに高さレベルが異なるようになっている。より詳細には、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒは図９における二点鎖線Ａで囲まれる領域の高さレベルに設置されているのに対し、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕは図９における二点鎖線Ｂで囲まれる領域の高さレベルに設置されている。
そして、処理室２０内において、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕに設けられたノズル８２ａからＩＰＡが噴射されるウエハＷ上の領域に対して、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒに設けられたノズル８２ａからＮ２が噴射されるウエハＷ上の領域が後を追うように、これらのＩＰＡ供給用アーム８２ｕおよびＮ２ガス供給用アーム８２ｒを処理室２０内で移動させる。この際に、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕは互いに高さレベルが異なるようになっているので、これらのアーム８２ｒ、８２ｕが互いに干渉することはない。このようにして、処理室２０内に進出したＩＰＡ供給用アーム８２ｕに設けられたノズル８２ａからウエハＷに対してＩＰＡを供給した後に、このウエハＷにおけるＩＰＡが供給された箇所に対して処理室２０内に進出したＮ２ガス供給用アーム８２ｒに設けられたノズル８２ａからＮ２ガスを供給することができるようになる。
また、他の例としては、ウエハＷに対して酸性やアルカリ性の薬液により処理を行うにあたり、処理室２０内において保持部２１により保持されたウエハＷに対して薬液を供給した後に中断することなく引き続きこのウエハＷに純水を供給してリンス処理を行うようになっている。このような場合、第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）および純水供給用アーム８２ｐが同時に処理室２０内に進出する。ここで、前述のように、純水供給用アーム８２ｐおよび第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）は互いに高さレベルが異なるようになっている。より詳細には、純水供給用アーム８２ｐは図９における二点鎖線Ａで囲まれる領域の高さレベルに設置されているのに対し、第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）は図９における二点鎖線Ｂで囲まれる領域の高さレベルに設置されている。
そして、処理室２０内において、保持部２１により保持されたウエハＷに対して薬液を供給した後に中断することなく引き続きこのウエハＷに純水を供給するように、純水供給用アーム８２ｐおよび第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）を処理室２０内で移動させる。この際に、純水供給用アーム８２ｐおよび第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）は互いに高さレベルが異なるようになっているので、これらのアーム８２ｐ、８２ｑ（またはアーム８２ｐ、８２ｓ）が互いに干渉することはない。このようにして、処理室２０内に進出した第１の薬液供給用アーム８２ｑ（または第２の薬液供給用アーム８２ｓ）に設けられたノズル８２ａからウエハＷに対して薬液を供給した後に、処理室２０内に進出した純水供給用アーム８２ｐに設けられたノズル８２ａから純水を中断することなく引き続き供給してリンス処理を行うことができるようになる。
図１０に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕは二重配管構造となっている。より詳細には、各アーム８２ｐ〜８２ｕは内部配管８２ｂおよび外部配管８２ｃから構成されている。内部配管８２ｂはノズル８２ａに連通しており、この内部配管８２ｂからノズル８２ａに流体が送られるようになっている。内部配管８２ｂは例えばフッ素系樹脂から構成されている。また、内部配管８２ｂは外部配管８２ｃに覆われるようになっており、この外部配管８２ｃは例えばステンレス鋼パイプにフッ素系樹脂をコーティングしたものからなる。
また、図８および図１０等に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕの後端側におけるこれらのアーム８２ｐ〜８２ｕの外側には、各内部配管８２ｂに連通する渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕがそれぞれ設けられている。各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは可撓性材料から形成されている。具体的には、各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは例えばフッ素系樹脂等のチューブが渦巻き形状に曲げられたものから形成されている。図７、図８および図１０に示すように、各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは、対応するアーム８２ｐ〜８２ｕが退避位置にあるときに、これらのアーム８２ｐ〜８２ｕの延びる方向に直交する平面（すなわち、鉛直方向に延びる平面）上で渦巻き形状となるよう構成されている。そして、各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕに薬液等の流体が送られることにより、各アーム８２ｐ〜８２ｕの内部に設けられた内部配管８２ｂを経てノズル８２ａから流体が下方に噴射されるようになっている。また、各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは可撓性材料から形成されているため、対応するアーム８２ｐ〜８２ｕが処理室２０内に進出した場合には、渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは図８に示すような渦巻き形状から変形して円錐螺旋形状（先端が徐々に細くなるような螺旋形状）となる。
また、本実施の形態の液処理装置１０においては、各アーム８２ｐ〜８２ｕは、当該アーム８２ｐ〜８２ｕの移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっている。具体的には、図８に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕには回転機構８６が設けられており、この回転機構８６により各アーム８２ｐ〜８２ｕは図８における矢印方向に回転するようになっている。各アーム８２ｐ〜８２ｕを回転させることにより、ノズル８２ａの向きを図１０に示すような下向きから他の方向に変えることができるようになる。また、各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕは渦巻き形状となっているとともに可撓性材料から形成されているため、回転機構８６により各アーム８２ｐ〜８２ｕを回転させた場合でも、対応する渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕはアーム８２ｐ〜８２ｕの回転に合わせてスムーズに変形するようになり、アーム８２ｐ〜８２ｕの回転が各渦巻き形状配管８３ｐ〜８３ｕにより妨げられることはない。
回転機構８６は、保持部２１に保持されたウエハＷに対してノズル８２ａにより流体を供給する際に、このノズル８２ａを支持するアーム８２ｐ〜８２ｕを選択的に長手方向軸を中心として回転させるようになっている。具体的には、保持部２１に保持されたウエハＷの周縁部にノズル８２ａが近づくと、このノズル８２ａの向きは下向きから斜めに傾斜するようアーム８２ｐ〜８２ｕが回転するようになっている。このことにより、保持部２１に保持されたウエハＷの周縁部において、ノズル８２ａから斜め下方に流体が噴射されることによって、ノズル８２ａからウエハＷに供給された流体、具体的には薬液等の液体について、ウエハＷの周縁部上での液ハネを抑制することができるようになる。このように、回転機構８６は、ノズル８２ａがウエハＷの中心に位置する場合とノズル８２ａがウエハＷの周縁部に位置する場合とで、ノズル８２ａの向きを変えることができるようになっている。
また、回転機構８６は、各アーム８２ｐ〜８２ｕが進出位置と退避位置との間で移動する際に、ノズル８２ａが下向き以外の向き、具体的には例えば上向きとなるよう、長手方向軸を中心としてアーム８２ｐ〜８２ｕを回転させるようになっている。このことにより、アーム８２ｐ〜８２ｕを移動させる際にノズル８２ａから薬液等の液体がボタ落ちしてしまうことを防止することができる。
また、図７および図１０に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕには、これらのアーム８２ｐ〜８２ｕの洗浄を行うためのアーム洗浄部８８がアーム８２ｐ〜８２ｕ毎に位置固定で設けられている。各アーム洗浄部８８は、それぞれ対応するアーム８２ｐ〜８２ｕが移動する際に当該アーム８２ｐ〜８２ｕの洗浄を行うようになっている。このような各アーム洗浄部８８による各アーム８２ｐ〜８２ｕの洗浄のタイミングは自由に設定できるようになっており、具体的には、各アーム８２ｐ〜８２ｕの洗浄は例えば処理毎に、または一日一回、あるいは月に一回行われるようになっている。
アーム洗浄部８８の構成の詳細について図１０を用いて説明する。図１０に示すように、アーム洗浄部８８には、ノズル支持アーム８２（８２ｐ〜８２ｕ）が通過する貫通穴が水平方向（図１０における左右方向）に延びるよう設けられている。この貫通穴の断面は、ノズル支持アーム８２の断面よりもわずかに大きくなっている。また、この貫通穴には、洗浄液が収容される収容部分８８ａが設けられている。また、収容部分８８ａには洗浄液供給管８８ｂが接続されており、洗浄液供給管８８ｂから収容部分８８ａに洗浄液が供給されるようになっている。収容部分８８ａに洗浄液が供給されると、この収容部分８８ａ内でノズル支持アーム８２の外周面上に液膜が張られるようになる。そして、アーム洗浄部８８において、収容部分８８ａに収容された洗浄液にノズル支持アーム８２（８２ｐ〜８２ｕ）の一部が接触しながら当該ノズル支持アーム８２が移動することによりノズル支持アーム８２の洗浄が行われるようになっている。
また、アーム洗浄部８８において、ノズル支持アーム８２の移動方向（図１０における左右方向）における収容部分８８ａよりも処理室２０に近い前方位置および収容部分８８ａよりも処理室２０から遠い後方位置にはそれぞれ吸引機構８８ｃ、８８ｄが設けられている。これらの吸引機構８８ｃ、８８ｄは、収容部分８８ａに収容された洗浄液がこの収容部分８８ａから外部に漏れたときに漏れた分の洗浄液を吸引して排液するようになっている。なお、吸引機構は、必ずしもノズル支持アーム８２の移動方向における収容部分８８ａよりも前方位置および後方位置の両方に設ける必要はなく、代わりに、ノズル支持アーム８２の移動方向における収容部分８８ａよりも前方位置または後方位置のうちいずれか一方にのみ吸引機構が設けられるようになっていてもよい。
また、吸引機構８８ｃ、８８ｄは、ノズル支持アーム８２が洗浄された後に、このノズル支持アーム８２に付着した液滴を吸引することにより、ノズル支持アーム８２の乾燥を行うようになっている。
また、アーム洗浄部８８において、ノズル支持アーム８２の移動方向における収容部分８８ａよりも後方位置には、ノズル支持アーム８２の内部配管８２ｂに残留した薬液等の液体を排出するための排液部分８８ｅが設けられている。また、排液部分８８ｅにはドレン管８８ｆが接続されており、排液部分８８ｅに送られた液体はドレン管８８ｆにより排出されるようになっている。そして、ノズル８２ａが排液部分８８ｅの真上に位置するようノズル支持アーム８２が移動して、ノズル支持アーム８２の内部配管８２ｂに残留した薬液等の液体がノズル８２ａから排液部分８８ｅに吐出されるようになっている。このような排液部分８８ｅが設けられていることにより、ウエハＷの液処理が終了した後、ノズル支持アーム８２の内部配管８２ｂに液体が残留してしまった場合でも、このノズル支持アーム８２に設けられたノズル８２ａを用いて次の液処理を行う際に、内部配管８２ｂに残留した液体を予めこの内部配管８２ｂから排出することができるようになる。とりわけ、ウエハＷに高温の薬液等をノズル８２ａから供給するときには、ノズル支持アーム８２の内部配管８２ｂに残留している液体は冷めている場合が多いため、この残留している冷めた液体を排液部分８８ｅにより予め内部配管８２ｂから排出することが望ましい。
なお、排液部分８８ｅは、ノズル支持アーム８２の移動方向における収容部分８８ａよりも後方位置ではなく収容部分８８ａよりも前方位置に設けられていてもよい。この場合でも、ノズル８２ａが排液部分８８ｅの真上に位置するようノズル支持アーム８２が移動し、ノズル８２ａから薬液を吐出することにより、ノズル支持アーム８２の内部配管８２ｂに残留した薬液等の液体がノズル８２ａから排液部分８８ｅに送られるようになる。
図７および図１０に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕに対応する各アーム洗浄部８８は、処理室２０とアーム待機部８０との間に設けられた壁９０の外側に取り付けられるようになっている。このため、各アーム洗浄部８８はカップ外周筒５０の外側に設けられるようになる。なお、各アーム洗浄部８８は壁９０の外側に取り付けられる代わりに壁９０の内側に取り付けられるようになっていてもよい。この場合には、各アーム洗浄部８８は、回転カップ４０とアーム待機部８０との間の領域に位置するようになる。
本実施の形態の液処理装置１０においては、アーム洗浄部８８はノズル支持アーム８２の全体を洗浄するようになっていてもよく、あるいはノズル支持アーム８２の一部分のみを洗浄するようになっていてもよい。また、アーム洗浄部８８はノズル支持アーム８２の全周を洗浄するようになっているが、このことに限定されることはない。
また、本実施の形態の液処理装置１０においては、図２や図１０に示すように、各アーム８２ｐ〜８２ｕは、アーム待機部８０で待機しているときに、処理室２０とアーム待機部８０との間に設けられた壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐを塞ぐようになっている。このことにより、各アーム８２ｐ〜８２ｕは、壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐを塞ぐ蓋として機能するようになり、処理室２０内の領域とアーム待機部８０の領域とを隔離することができるようになる。
また、各アーム８２ｐ〜８２ｕは、図５に示すような上方位置にあるカップ外周筒５０の開口５０ｍも塞ぐことができるようになっている。このことにより、カップ外周筒５０内の領域とアーム待機部８０の領域とを隔離することができるようになる。
次に、このような構成からなる液処理装置１０の動作について説明する。
まず、保持部２１におけるリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図４に示す位置から上方に移動させることと、処理室２０の開口９４ａに設けられたシャッター９４をこの開口９４ａから退避させることにより開口９４ａを開くことを行う。そして、液処理装置１０の外部からウエハＷが搬送アーム１０４により開口９４ａを介して処理室２０内に搬送され、このウエハＷがリフトピンプレート２２のリフトピン２３上に載置され、その後、搬送アーム１０４は処理室２０から退避する。この際に、カップ外周筒５０は図４に示すような下方位置に位置している。また、各ノズル支持アーム８２は処理室２０から退避した退避位置に位置している。すなわち、各ノズル支持アーム８２はアーム待機部８０で待機している。また、ＦＦＵ７０から処理室２０内にクリーンエア等のガスが常にダウンフローで送られ、このガスが排気部５４により排気されることにより、処理室２０内の雰囲気の置換が行われるようになっている。
次に、リフトピンプレート２２および処理液供給管２８を下方に移動させ、これらのリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図４に示すような下方位置に位置させる。この際に、保持プレート２６に設けられた各保持部材２５が、リフトピン２３上のウエハＷを支持し、このウエハＷをリフトピン２３からわずかに離間させる。
その後に、またはリフトピンプレート２２の下降中に、カップ外周筒５０に設けられた駆動機構５０ｂにより、このカップ外周筒５０を上方に移動させ、カップ外周筒５０を図５に示すような上方位置に位置させる。そして、カップ外周筒５０が上方位置に移動した後、アーム待機部８０で待機している６つのノズル支持アーム８２のうち一または複数のノズル支持アーム８２が壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐおよびカップ外周筒５０の開口５０ｍを介して処理室２０内に進出する（図５の二点鎖線参照）。この際に、アーム駆動機構８５によりノズル支持アーム８２は直線運動を行う。
そして、保持部２１における保持プレート２６およびリフトピンプレート２２を回転させる。このことにより、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷも回転する。
その後、まず、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷに対して酸性の薬液により処理を行い、その後引き続いてリンス処理を行う。具体的には、図５に示すような状態で、アーム待機部８０で待機している６つのノズル支持アーム８２のうち第１の薬液供給用アーム８２ｑおよび純水供給用アーム８２ｐがそれぞれ壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐおよびカップ外周筒５０の開口５０ｍを介して処理室２０内に同時に進出する。この際に、第１の薬液供給用アーム８２ｑおよび純水供給用アーム８２ｐは互いに高さレベルが異なるようになっているので、これらのアーム８２ｑ、８２ｐが互いに干渉することはない。
そして、ウエハＷが回転した状態で、処理室２０内に進出した第１の薬液供給用アーム８２ｑのノズル８２ａからウエハＷの上面に酸性の薬液を供給する。また、この際に、ウエハＷの下面（裏面）に向かって処理液供給管２８から酸性の薬液を供給してもよい。このようにして、ウエハＷの少なくとも上面に酸性の薬液が供給され、ウエハＷの薬液処理が行われる。ウエハＷに供給された酸性の薬液は、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうち例えば第１処理液回収用タンク４６ａに送られて回収される。また、上述のような薬液処理が行われる際に、純水供給用アーム８２ｐは、第１の薬液供給用アーム８２ｑのノズル８２ａによる酸性の薬液の吐出位置からわずかに後退した位置に当該純水供給用アーム８２ｐのノズル８２ａが位置するよう、処理室２０内で待機している。ここで、純水供給用アーム８２ｐが待機しているときに、ノズル８２ａが下向き以外の向き、具体的には例えば上向きとなるように純水供給用アーム８２ｐを回転させておけば、薬液処理中において純水供給用アーム８２ｐのノズル８２ａからのボタ落ちを防止することができる。
そして、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷに対して酸性の薬液が供給された後に中断することなく引き続きこのウエハＷに純水が供給される。具体的には、処理室２０内に進出した第１の薬液供給用アーム８２ｑに設けられたノズル８２ａからウエハＷに対して酸性の薬液を供給した後に、処理室２０内に進出した純水供給用アーム８２ｐに設けられたノズル８２ａから純水を中断することなく引き続きウエハＷに供給する。ウエハＷに供給された純水は、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうち例えば第３処理液回収用タンク４６ｃに送られて回収される。このようにして、カップ外周筒５０内でウエハＷに対して酸性の薬液により処理が行われ、その後引き続いてリンス処理が行われるようになる。この際に、処理室２０内において純水供給用アーム８２ｐと第１の薬液供給用アーム８２ｑは互いに高さレベルが異なっているのでこれらのアーム８２ｐ、８２ｑが互いに干渉することはない。そして、ウエハＷに対する酸性の薬液による処理およびリンス処理が終了すると、処理室２０に進出した第１の薬液供給用アーム８２ｑはこの処理室２０から退避してアーム待機部８０で待機するようになる。一方、純水供給用アーム８２ｐは処理室２０内に残ったままとなる。また、リンス処理が行われる間に、第２の薬液供給用アーム８２ｓが壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐおよびカップ外周筒５０の開口５０ｍを介して処理室２０内に進出する。より詳細には、上述のようなリンス処理が行われる際に、第２の薬液供給用アーム８２ｓは、純水供給用アーム８２ｐのノズル８２ａによる純水の吐出位置からわずかに後退した位置に当該第２の薬液供給用アーム８２ｓのノズル８２ａが位置するよう、処理室２０内で待機している。
その後、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷに対してアルカリ性の薬液により処理を行い、その後引き続いてリンス処理を行う。具体的には、処理室２０内に進出している第２の薬液供給用アーム８２ｓおよび純水供給用アーム８２ｐにより、ウエハＷに対してアルカリ性の薬液による処理およびリンス処理が行われる。この際に、第２の薬液供給用アーム８２ｓおよび純水供給用アーム８２ｐは互いに高さレベルが異なるようになっているので、これらのアーム８２ｓ、８２ｐが互いに干渉することはない。
具体的に説明すると、ウエハＷが回転した状態で、処理室２０内に進出した第２の薬液供給用アーム８２ｓのノズル８２ａからウエハＷの上面にアルカリ性の薬液を供給する。また、この際に、ウエハＷの下面（裏面）に向かって処理液供給管２８からアルカリ性の薬液を供給してもよい。このようにして、ウエハＷの少なくとも上面にアルカリ性の薬液が供給され、ウエハＷの薬液処理が行われる。ウエハＷに供給されたアルカリ性の薬液は、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうち例えば第２処理液回収用タンク４６ｂに送られて回収される。また、上述のような薬液処理が行われる際に、純水供給用アーム８２ｐは、第２の薬液供給用アーム８２ｓのノズル８２ａによるアルカリ性の薬液の吐出位置からわずかに後退した位置に当該純水供給用アーム８２ｐのノズル８２ａが位置するよう、処理室２０内で待機している。
そして、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷに対してアルカリ性の薬液が供給された後に中断することなく引き続きこのウエハＷに純水が供給される。具体的には、処理室２０内に進出した第２の薬液供給用アーム８２ｓに設けられたノズル８２ａからウエハＷに対してアルカリ性の薬液を供給した後に、処理室２０内に進出している純水供給用アーム８２ｐに設けられたノズル８２ａから純水を中断することなく引き続きウエハＷに供給する。ウエハＷに供給された純水は、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうち例えば第３処理液回収用タンク４６ｃに送られて回収される。このようにして、カップ外周筒５０内でウエハＷに対してアルカリ性の薬液により処理が行われ、その後引き続いてリンス処理が行われるようになる。そして、ウエハＷに対するアルカリ性の薬液による処理およびリンス処理が終了すると、処理室２０に進出した第２の薬液供給用アーム８２ｓおよび純水供給用アーム８２ｐはこの処理室２０から退避してアーム待機部８０で待機するようになる。また、上述のようなリンス処理が行われる間に、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕが壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐおよびカップ外周筒５０の開口５０ｍを介して処理室２０内に進出する。より詳細には、上述のようなリンス処理が行われる際に、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕは、純水供給用アーム８２ｐのノズル８２ａによる純水の吐出位置からわずかに後退した位置に当該ＩＰＡ供給用アーム８２ｕのノズル８２ａが位置するよう、処理室２０内で待機している。
その後、保持プレート２６の各保持部材２５により支持されているウエハＷに対してＩＰＡにより乾燥処理が行われる。具体的には、アーム待機部８０で待機している６つのノズル支持アーム８２のうちＮ２ガス供給用アーム８２ｒが壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ｐおよびカップ外周筒５０の開口５０ｍを介して処理室２０内に進出する。このようにして、処理室２０内にＮ２ガス供給用アーム８２ｒおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕがそれぞれ進出した状態となる。この際に、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒおよびＩＰＡ供給用アーム８２ｕは互いに高さレベルが異なるようになっているので、これらのアーム８２ｒ、８２ｕが互いに干渉することはない。
そして、ウエハＷが回転した状態で、処理室２０内に進出したＩＰＡ供給用アーム８２ｕに設けられたノズル８２ａからウエハＷに対してＩＰＡを供給した後に、このウエハＷにおけるＩＰＡが供給された箇所に対して処理室２０内に進出したＮ２ガス供給用アーム８２ｒに設けられたノズル８２ａからＮ２ガスを供給する。具体的には、処理室２０内において、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕに設けられたノズル８２ａによりウエハＷの中心にＩＰＡが供給される。その後、ＩＰＡ供給用アーム８２ｕがウエハＷの中心から周縁部に移動し、ＩＰＡが供給された後のウエハＷ上の領域に対して、Ｎ２ガス供給用アーム８２ｒに設けられたノズル８２ａによりガスが噴射されるウエハＷ上の領域が後を追うように、これらのＩＰＡ供給用アーム８２ｕおよびＮ２ガス供給用アーム８２ｒをウエハＷ上で移動させる。このようにして、ウエハＷの表面において、ＩＰＡが供給された箇所にＮ２ガスがすぐに供給されるようになり、ウエハＷの乾燥処理を適切に行うことができるようになる。なお、ウエハＷに供給されたＩＰＡは、４つの処理液回収用タンク４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄのうち例えば第４処理液回収用タンク４６ｄに送られて回収される。ウエハＷの乾燥処理が終了すると、処理室２０に進出したＩＰＡ供給用アーム８２ｕおよびＮ２ガス供給用アーム８２ｒはこの処理室２０から退避してアーム待機部８０で待機するようになる。
ウエハの乾燥処理が終了すると、カップ外周筒５０に設けられた駆動機構５０ｂにより、このカップ外周筒５０を下方に移動させ、カップ外周筒５０を図４に示すような下方位置に位置させる。
その後、保持部２１におけるリフトピンプレート２２および処理液供給管２８を図４に示す位置から上方に移動させる。この際に、保持プレート２６の保持部材２５により支持されたウエハＷがリフトピンプレート２２のリフトピン２３上に受け渡される。次に、処理室２０の開口９４ａに設けられたシャッター９４をこの開口９４ａから退避させることにより開口９４ａを開き、液処理装置１０の外部から開口９４ａを介して搬送アーム１０４を処理室２０内に進出させ、この搬送アーム１０４によりリフトピンプレート２２のリフトピン２３上のウエハＷを取り出す。搬送アーム１０４により取り出されたウエハＷは液処理装置１０の外部に搬送される。このようにして、一連のウエハＷの液処理が完了する。
なお、各ノズル支持アーム８２の洗浄は、ノズル支持アーム８２が処理室２０からアーム待機部８０における退避位置に移動する際にアーム洗浄部８８により行ってもよい。また、各ノズル支持アーム８２の洗浄は、ウエハＷに対する各処理後に行ってもよいし、あるいは定期的に行ってもよい。
以上のように本実施の形態の液処理装置１０によれば、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のノズル洗浄部８８には、ノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられており、ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のノズル洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。このことにより、ノズル支持アーム８２は、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０のノズル洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐ蓋として機能するようになり、処理室２０内の領域とアーム待機部８０の領域とを隔離することができるようになる。
また、本実施の形態の液処理装置１０においては、ノズル支持アーム８２は、上方位置にあるカップ外周筒５０の開口５０ｍも塞ぐことができるようになっている。このことにより、カップ外周筒５０内の領域とアーム待機部８０の領域とを隔離することができるようになる。
なお、本実施の形態による液処理装置は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、処理室２０内に進出したノズル支持アーム８２のノズル８２ａおよび処理液供給管２８によりウエハＷの上面および下面の両方に処理液を供給する必要はなく、ノズル支持アーム８２のノズル８２ａによりウエハＷの上面のみに処理液を供給するようになっていてもよい。
また、一本のノズル支持アーム８２に対して複数のノズル８２ａが設けられるようになっていてもよい。
１０ 液処理装置
２０ 処理室
２１ 保持部
２２ リフトピンプレート
２３ リフトピン
２４ ピストン機構
２５ 保持部材
２５ａ 軸
２５ｂ 支持部分
２５ｃ 被押圧部材
２５ｄ バネ部材
２６ 保持プレート
２６ａ 軸受け部
２６ｂ 軸受け孔
２６ｃ 内面壁
２８ 処理液供給管
２８ａ ヘッド部分
２９ 処理液供給部
４０ 回転カップ
４２ ドレインカップ
４３ 第１案内カップ
４４ 第２案内カップ
４５ 第３案内カップ
４６ａ 第１処理液回収用タンク
４６ｂ 第２処理液回収用タンク
４６ｃ 第３処理液回収用タンク
４６ｄ 第４処理液回収用タンク
４８ 排気部
５０ カップ外周筒
５０ａ 支持部材
５０ｂ 駆動機構
５０ｍ 開口
５１ ガイド部材
５２ 洗浄部
５２ａ 貯留部分
５４ 排気部
５６ 排気部
５８ 排気部
６０ シャッター
６２ シャッター
７０ ＦＦＵ
８０ アーム待機部
８２ ノズル支持アーム
８２ａ ノズル
８２ｂ 内部配管
８２ｃ 外部配管
８２ｐ 純水供給用アーム
８２ｑ 第１の薬液供給用アーム
８２ｒ Ｎ２ガス供給用アーム
８２ｓ 第２の薬液供給用アーム
８２ｔ 純水のミスト供給用アーム
８２ｕ ＩＰＡ供給用アーム
８３ｐ〜８３ｕ 渦巻き形状配管
８４ アーム支持部
８５ アーム駆動機構
８５ａ モータ
８５ｂ プーリ
８５ｃ 循環ベルト
８５ｄ ベース部材
８５ｅ ベルト取付部材
８６ 回転機構
８８ アーム洗浄部
８８ａ 収容部分
８８ｂ 洗浄液供給管
８８ｃ 吸引機構
８８ｄ 吸引機構
８８ｅ 排液部分
８８ｆ ドレン管
８８ｐ 開口
８９ 表面処理液供給部
９０ 壁
９４ シャッター
９４ａ 開口
１０１ 載置台
１０２ 搬送アーム
１０３ 棚ユニット
１０４ 搬送アーム
２００ 液処理装置
２１０ 処理室
２２０ 保持部
２３０ カップ
２４０ ノズル
２４１ アーム
２４２ アーム支持部
２５０ ＦＦＵ
２６０ 排気部

Claims (4)

  1. 基板を保持する基板保持部および当該基板保持部の周囲に配設されるカップが内部に設けられた処理室と、
    前記基板保持部に保持された基板に対して流体を供給するためのノズルと、
    先端部に前記ノズルを支持するノズル支持アームと、
    前記処理室と前記アーム待機部とを区画するとともに前記ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられた壁と、
    前記ノズル支持アームが前記処理室から退避して前記アーム待機部内で待機する待機位置と、前記ノズル支持アームが前記壁の前記開口を通って前記処理室内に進出して前記ノズル支持アームに支持された前記ノズルが前記基板保持部により保持された基板の上方に位置する処理位置と、の間で前記ノズル支持アームを水平方向に移動させるアーム駆動機構と、
    を備え、
    前記ノズル支持アームが前記待機位置にあるときに、前記ノズル支持アームの先端が前記壁の前記開口の中に位置して前記壁の前記開口を塞ぐようになっていることを特徴とする液処理装置。
  2. 前記処理室内において前記カップの周囲に配設され、上方位置と下方位置との間で昇降可能となっており、前記ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられた円筒状のカップ外周筒を更に備え、
    前記ノズル支持アームは、前記上方位置にある前記カップ外周筒の開口も塞ぐことができるようになっていることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
  3. 前記アーム待機部に、前記アーム駆動機構が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の液処理装置。
  4. 前記ノズル支持アームは、前記処理室内と前記アーム待機部との間で直進運動を行うようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液処理装置。
JP2011008075A 2011-01-18 2011-01-18 液処理装置 Active JP5518756B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011008075A JP5518756B2 (ja) 2011-01-18 2011-01-18 液処理装置
KR1020110127632A KR101551995B1 (ko) 2011-01-18 2011-12-01 액 처리 장치
US13/351,841 US20120180829A1 (en) 2011-01-18 2012-01-17 Liquid Processing Apparatus
TW101101757A TW201250893A (en) 2011-01-18 2012-01-17 Liquid Processing Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011008075A JP5518756B2 (ja) 2011-01-18 2011-01-18 液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012151238A JP2012151238A (ja) 2012-08-09
JP5518756B2 true JP5518756B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=46489826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011008075A Active JP5518756B2 (ja) 2011-01-18 2011-01-18 液処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120180829A1 (ja)
JP (1) JP5518756B2 (ja)
KR (1) KR101551995B1 (ja)
TW (1) TW201250893A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5867462B2 (ja) 2013-07-26 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6326387B2 (ja) * 2015-03-19 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7124946B2 (ja) * 2017-08-10 2022-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法
JP6981092B2 (ja) * 2017-08-10 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
SG10201707766SA (en) * 2017-09-20 2019-04-29 Teoh Hwa Ang Dish washing apparatus and dish drying apprartus
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
KR102616061B1 (ko) * 2021-08-24 2023-12-20 (주)디바이스이엔지 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP7424424B2 (ja) * 2021-11-02 2024-01-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0161975U (ja) * 1987-10-15 1989-04-20
JPH07230976A (ja) * 1993-12-24 1995-08-29 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム
US6159291A (en) * 1997-08-11 2000-12-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP3625707B2 (ja) * 1999-08-06 2005-03-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置および基板現像方法
JP3635217B2 (ja) * 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
JP2003297788A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP4621038B2 (ja) * 2005-02-18 2011-01-26 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体ウエハの洗浄方法及び半導体ウエハの洗浄装置
JP4680044B2 (ja) * 2005-11-24 2011-05-11 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2007154298A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置および無電解めっき方法
JP4740329B2 (ja) * 2006-06-26 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008205118A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板の処理システム及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US20120180829A1 (en) 2012-07-19
KR20120083840A (ko) 2012-07-26
TW201250893A (en) 2012-12-16
JP2012151238A (ja) 2012-08-09
KR101551995B1 (ko) 2015-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5518756B2 (ja) 液処理装置
JP5694118B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5864232B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4757882B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
JP5518793B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5220839B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5248633B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5512560B2 (ja) 液処理装置
JP5220838B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2013004623A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2014179378A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5507438B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP5829174B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2013021182A (ja) 液処理装置および液処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130123

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5518756

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250