JP4680044B2 - 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4680044B2 JP4680044B2 JP2005339133A JP2005339133A JP4680044B2 JP 4680044 B2 JP4680044 B2 JP 4680044B2 JP 2005339133 A JP2005339133 A JP 2005339133A JP 2005339133 A JP2005339133 A JP 2005339133A JP 4680044 B2 JP4680044 B2 JP 4680044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- processed
- gap
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 193
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 49
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 125
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 54
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 43
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 31
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 90
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Description
また、そのような方法を実施するための制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
被処理基板の少なくとも一方の面に対して接離可能に設けられた少なくとも1枚のプレートと、前記プレートと前記被処理基板との間に薬液を供給するための薬液供給手段と、前記プレートと前記被処理基板との間にリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、前記プレートと前記被処理基板との間にガスを供給するガス供給機構と、前記被処理基板を回転させる回転機構と、前記プレートと前記被処理基板との間隔を調整する昇降機構と、水平に保持された被処理基板の少なくとも一方の面に、近接して対面するようにプレートを配置し、当該プレートと被処理基板との間のギャップに前記薬液供給手段により薬液を供給して前記ギャップを満たす液膜を形成した状態で前記被処理基板に薬液処理を行わせ、前記処理が終了後、前記プレートと前記被処理基板との間のギャップに前記ガス供給機構によりガスを供給して前記ギャップを満たす液膜を破壊させ、次いで、前記昇降機構により前記プレートと前記被処理基板との間隔を広げて、前記ギャップを上下方向に広げさせ、次いで、前記回転機構により前記被処理基板を回転させながら前記被処理基板の前記少なくとも一方の面に前記リンス液供給手段から前記リンス液を供給してリンス処理を行わせ、次いで、前記回転機構により前記被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行わせるように制御する制御機構とを具備することを特徴とする液処理装置を提供する。
2;アウターチャンバ
11;インナーチャンバ
12;スピンチャック
13;アンダープレート
31;液吐出ノズルアーム
32;2流体スプレーノズルアーム
50;裏面洗浄用ノズル
51;液吐出ノズル
52;2流体スプレーノズル
61,111;流体供給ライン
62,112;薬液供給ライン
63,113;純水供給ライン
66,116;N2ガス供給ライン
100;洗浄処理装置
101;薬液のパドル(液膜)
103;トッププレート
110;表面洗浄用ノズル
W;半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (15)
- 水平に保持された被処理基板の少なくとも一方の面に、近接して対面するようにプレートを配置し、当該プレートと前記被処理基板との間のギャップに薬液を供給して前記ギャップを満たす液膜を形成する工程と、
前記ギャップを満たす液膜が形成された状態で前記被処理基板を処理する工程と、
前記処理が終了後、前記ギャップを満たす液膜にガスを供給して前記ギャップを満たす液膜を破壊する工程と、
次いで、前記ギャップを上下方向に広げる工程と、
次いで、前記被処理基板を回転させながら前記被処理基板の前記少なくとも一方の面に前記リンス液を供給してリンス処理を行う工程と、
次いで、前記被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行う工程と
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記薬液は、前記プレートの中心部に設けられたノズルを介して前記プレートと前記被処理基板との間に供給されることを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 前記液膜を破壊する工程に先立って、前記ギャップを満たす液膜にガスを供給するガスラインの圧力を開放する工程をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液処理方法。
- 前記ギャップを上下方向に広げる工程の後、前記被処理基板を回転させて、前記被処理基板に残存する液を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 前記ギャップを上下方向に広げる工程は、前記被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させながら行い、前記被処理基板に残存する液を除去する工程は、被処理基板の回転数を前記第1の回転数よりも高速の第2の回転数に上昇させて行うことを特徴とする請求項4に記載の液処理方法。
- 前記第1の回転数は10〜100rpmであり、前記第2の回転数は100〜1000rpmであることを特徴とする請求項5に記載の液処理方法。
- 水平に保持された被処理基板の裏面に、近接して対面するようにプレートを配置し、当該プレートと前記被処理基板との間のギャップに薬液を供給して前記ギャップを満たす液膜を形成する工程と、
前記ギャップを満たす液膜が形成された状態で前記被処理基板の裏面を処理する工程と、
前記処理が終了後、前記ギャップを満たす液膜にガスを供給して前記ギャップを満たす液膜を破壊する工程と、
次いで、前記被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させながら前記ギャップを上下方向に広げる工程と、
次いで、前記被処理基板の回転数を相対的に高速の第2の回転数に上昇させて前記被処理基板の裏面に残存する液を除去する工程と、
次いで、前記被処理基板を回転させながら前記被処理基板の裏面にリンス液を供給してリンス処理を行う工程と、
前記被処理基板の裏面の処理を進行させている間に前記被処理基板の表面に薬液を供給して前記被処理基板の表面の処理を行う工程と、
前記被処理基板の表面の処理の後、その表面にリンス液を供給してリンス処理を行う工程と、
前記第1の回転数から前記第2の回転数に上昇するタイミングで、前記被処理体の表面に供給されているリンス液を、噴霧化された純水とガスとの2流体スプレーに切り替える工程と
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記第1の回転数は10〜100rpmであり、前記第2の回転数は100〜1000rpmであることを特徴とする請求項7に記載の液処理方法。
- 前記2流体スプレーを供給後、前記被処理基板を高速で回転させて振り切り乾燥させる工程をさらに有することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の液処理方法。
- 水平に保持された被処理基板の少なくとも一方の面に、第1の間隔をおいて近接して対面するようにプレートを配置し、当該プレートと前記被処理基板との間のギャップに薬液を供給して前記ギャップを満たす液膜を形成する工程と、
前記ギャップを満たす液膜が形成された状態で前記被処理基板を処理する工程と、
前記処理が終了後、前記ギャップを満たす液膜にガスを供給して前記ギャップを満たす液膜を破壊する工程と、
前記ガスを供給しつつ、前記プレートと前記被処理基板との間隔を前記第1の間隔よりも広い第2の間隔に広げる工程と、
次いで、前記被処理基板を回転させながら前記被処理基板の前記少なくとも一方の面に前記リンス液を供給してリンス処理を行う工程と、
次いで、前記被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行う工程と
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記液膜を破壊する工程において前記被処理基板を回転させ、前記ガスを供給しつつ前記プレートと前記被処理基板との間隔を前記第2の間隔にする工程において前記被処理基板の回転数を上昇させて前記被処理基板に残存する液を除去することを特徴とする請求項10に記載の液処理方法。
- 前記リンス処理を行う工程の後、前記プレートと被処理基板との間隔を前記第2の間隔より広い第3の間隔に広げ、リンス液の供給を停止し、その後前記振り切り乾燥を行うことを特徴とする請求項10または請求項11に記載の液処理方法。
- 前記薬液を用いてギャップを満たす液膜を形成した後、前記液膜を破壊する工程に先立って、前記プレートと前記被処理体との間にリンス液を供給して、前記ギャップを満たす液膜の薬液の一部または全部をリンス液に置換する工程をさらに有し、前記ギャップを満たす液膜を破壊する工程では、前記薬液の一部または全部がリンス液に置換された液膜を破壊することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 被処理基板を水平に保持する基板保持部と、
被処理基板の少なくとも一方の面に対して接離可能に設けられた少なくとも1枚のプレートと、
前記プレートと前記被処理基板との間に薬液を供給するための薬液供給手段と、
前記プレートと前記被処理基板との間にリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記プレートと前記被処理基板との間にガスを供給するガス供給機構と、
前記被処理基板を回転させる回転機構と、
前記プレートと前記被処理基板との間隔を調整する昇降機構と、
水平に保持された被処理基板の少なくとも一方の面に、近接して対面するようにプレートを配置させ、当該プレートと前記被処理基板との間のギャップに前記薬液供給手段により薬液を供給して前記ギャップを満たす液膜を形成した状態で前記被処理基板に薬液処理を行わせ、前記処理が終了後、前記プレートと前記被処理基板との間のギャップに前記ガス供給機構によりガスを供給して前記ギャップを満たす液膜を破壊させ、次いで、前記昇降機構により前記プレートと前記被処理基板との間隔を広げて、前記ギャップを上下方向に広げさせ、次いで、前記回転機構により前記被処理基板を回転させながら前記被処理基板の前記少なくとも一方の面に前記リンス液供給手段から前記リンス液を供給してリンス処理を行わせ、次いで、前記回転機構により前記被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行わせるように制御する制御機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。 - コンピュータ上で動作し、液処理装置を制御するためのプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに前記液処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339133A JP4680044B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
KR1020060114492A KR101061945B1 (ko) | 2005-11-24 | 2006-11-20 | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 이를 행하는 제어프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US11/602,398 US7914626B2 (en) | 2005-11-24 | 2006-11-21 | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
TW095143394A TW200729311A (en) | 2005-11-24 | 2006-11-23 | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
TW099112696A TWI460774B (zh) | 2005-11-24 | 2006-11-23 | Liquid treatment method and liquid treatment device |
EP06024286.4A EP1791161B1 (en) | 2005-11-24 | 2006-11-23 | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339133A JP4680044B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149772A JP2007149772A (ja) | 2007-06-14 |
JP4680044B2 true JP4680044B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=38210854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339133A Active JP4680044B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4680044B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5518756B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
US9316443B2 (en) * | 2012-08-23 | 2016-04-19 | Lam Research Ag | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
US10490426B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-11-26 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
KR102123563B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2020-06-16 | 주식회사 제우스 | 기판지지장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치 |
CN114121715A (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP7217778B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2023-02-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001046815A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-20 | Nisso Engineering Co Ltd | ベローズダンパー付きフイルター装置及びそれを用いた半導体ウエハ用薬液循環処理装置 |
JP2002343759A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2003224100A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003275696A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板洗浄方法 |
JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2004119717A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004235559A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2005050724A1 (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005339133A patent/JP4680044B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001046815A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-20 | Nisso Engineering Co Ltd | ベローズダンパー付きフイルター装置及びそれを用いた半導体ウエハ用薬液循環処理装置 |
JP2002343759A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2003224100A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003275696A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板洗浄方法 |
JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2004119717A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004235559A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2005050724A1 (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007149772A (ja) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101061945B1 (ko) | 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 이를 행하는 제어프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
JP2007157898A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
KR101061937B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
US7914626B2 (en) | Liquid processing method and liquid processing apparatus | |
KR101371118B1 (ko) | 약액 처리 장치 및 약액 처리 방법 | |
TWI244131B (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
CN107871691B (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 | |
JP4680044B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
EP1803503A2 (en) | Apparatus and system for cleaning a substrate | |
JP5954862B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010186859A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP4675772B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
TWI636158B (zh) | Substrate processing method and substrate processing device | |
KR100822511B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
TW201624532A (zh) | 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記錄媒體 | |
KR102559412B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR20180098656A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR102301802B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5747842B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
CN209747469U (zh) | 基板清洗装置 | |
JP4451412B2 (ja) | リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用tft素子の製造方法 | |
JPH11330041A (ja) | エッチング液による基板処理装置 | |
JP6009858B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004056005A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009026911A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4680044 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |