JP2002343759A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の使用量を抑制しつつも、基板の表裏
面を同時に均一に液処理することができる液処理装置お
よび液処理方法を提供する。 【解決手段】 液処理装置の一実施形態である洗浄処理
ユニット２１ａは、ウエハＷを略水平に保持するスピン
チャック２３と、スピンチャック２３に保持されたウエ
ハＷの下方に略水平に設けられたステージ２４と、スピ
ンチャック２３に保持されたウエハＷとステージ２４と
の間隙に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給孔４１とを
具備する。ステージ２４の表面は洗浄液の接触角が５０
度以上となる濡れ性を有するように疎水性ポリマーでコ
ーティングされており、スピンチャック２３に保持され
たウエハＷとステージ２４の間隙に洗浄液を層を形成し
て、ウエハＷの液処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板等の各種基板に対して洗浄処理等の所定の液処
理を施す液処理装置および液処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、基板としての半導体ウエハ（ウエハ）を所定の
薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し、ウエハからパー
ティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーシ
ョン、エッチング処理後のポリマー等を除去するウエハ
洗浄装置が使用されている。このようなウエハ洗浄装置
としては、略水平に保持されたウエハを回転させて洗浄
処理を行う枚葉式のウエハ洗浄装置が知られている。

【０００３】一般的に、枚葉式のウエハ洗浄装置におい
ては、所定位置に載置されたキャリア（収納容器）内の
ウエハがウエハ搬送装置によって搬出され、搬出された
ウエハはスピンチャックと呼ばれる回転自在なプレート
状に受け渡されてスピンチャックに保持される。ウエハ
を保持する方法としては、ウエハの周縁部を機械的に保
持する方法や、ウエハの裏面を吸着保持する方法が用い
られる。そして、スピンチャックに保持されたウエハを
回転させながら、所定の洗浄液をウエハの表面に供給し
て洗浄処理が行われる。なお、ウエハの表面に所定の洗
浄液を供給しつつブラシ等をウエハに当接させて、ウエ
ハを洗浄することもできる。

【０００４】このようなウエハ洗浄装置では、回転して
いるウエハに洗浄液を連続して供給するために、洗浄液
の消費量が嵩むとともに、スピンチャックにより保持さ
れているウエハの裏面には洗浄液を供給することができ
なかった。このため、ウエハの表面を洗浄した後にはウ
エハを反転させてウエハの裏面を洗浄する必要があっ
た。

【０００５】そこで、例えば、特開平８−７８３６８号
公報には、スピンチャック上に設置された複数の支持ピ
ンによりウエハを支持して、ウエハの表面およびウエハ
とスピンチャックの間隙にそれぞれ洗浄液を供給して洗
浄することにより、洗浄液の消費量を節約し、かつ、ウ
エハの両面を同時に洗浄することができるウエハ洗浄装
置が開示されている。このウエハ洗浄装置は、ウエハの
表面に対して移動する蓋体をも有しており、所定距離に
保持されたウエハと蓋体との間隙に洗浄液を供給してウ
エハの表面の洗浄を行うことができるようになってい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開平８−７８３６８号公報号に開示されたウエハ洗浄装
置においては、ウエハとスピンチャックの間隙を洗浄液
で満たすために、この隙間を狭くする必要があり、支持
ピンの高さを高くすることができない。この場合には、
スピンチャックとの間でウエハの受け渡しを行うウエハ
搬送装置の搬送アームが、ウエハの受け渡しの際にスピ
ンチャックに衝突する危険性がある。一方、支持ピンの
高さを高くすると、ウエハとスピンチャックの間隙を埋
めるような洗浄液パドルを形成することができない。支
持ピンを高くした場合には、必要に応じて基板を回転さ
せながら連続的に所定量の洗浄液を供給する必要がある
ため、洗浄液の消費量が増大する問題が生ずる。

【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、基板を保持する保持手段に対して安全かつ
円滑に基板の受け渡しをすることができる液処理装置を
提供することを目的とする。また、本発明は、処理液の
使用量を抑制しつつも、基板の表裏面を同時に均一に液
処理することができる液処理装置および液処理方法を提
供することを目的とする。さらに、本発明は、洗浄品質
を高めた液処理装置および液処理方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、第１発明として、基板に処理液を供給し
て基板に液処理を施す液処理装置であって、基板を略水
平に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基
板の下方に略水平に設けられ、その表面は前記処理液の
接触角が５０度以上となるステージと、前記保持手段に
保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に
前記処理液を供給する処理液供給手段と、を具備し、前
記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表
面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が液
処理されることを特徴とする液処理装置、を提供する。

【０００９】本発明は第２発明として、基板に処理液を
供給して基板に液処理を施す液処理装置であって、基板
を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段を回転さ
せる回転手段と、前記保持手段に保持された基板の下方
に略水平に設けられ、その表面は前記処理液の接触角が
５０度以上となるステージと、前記保持手段に保持され
た基板の表面に前記処理液を供給する第１の処理液供給
手段と、前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ス
テージの表面との間隙に前記処理液を供給する第２の処
理液供給手段と、を具備し、前記保持手段に保持された
基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液
の層が形成され、かつ、前記基板の表面に前記処理液の
パドルが形成されて、前記基板が液処理されることを特
徴とする液処理装置、を提供する。

【００１０】本発明は第３発明として、基板に処理液を
供給して基板に液処理を施す液処理装置であって、基板
を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段を回転さ
せる回転手段と、前記処理液の接触角が５０度以上とな
る濡れ性を有する裏面を有し、前記保持手段に保持され
た基板の表面と前記裏面が対面するように配置される蓋
体と、前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に
設けられ、その表面は前記処理液の接触角が５０度以上
となるステージと、前記保持手段に保持された基板の表
面と前記蓋体の裏面との間隙に前記処理液を供給する第
１の処理液供給手段と、前記保持手段に保持された基板
の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液を供
給する第２の処理液供給手段と、を具備し、前記保持手
段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面との間隙お
よび前記基板の裏面と前記ステージの表面との間隙にそ
れぞれ前記処理液の層が形成されて前記基板が液処理さ
れることを特徴とする液処理装置、を提供する。

【００１１】本発明はこのような液処理装置を用いた液
処理方法を提供する。すなわち、本発明は第４発明とし
て、基板を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段
に保持された基板の下方に略水平に設けられ、前記基板
の裏面と対向する表面は処理液の接触角が５０度以上と
なるステージと、を具備する液処理装置を用いて、前記
保持手段に保持された基板の表面および前記基板と前記
ステージの間隙にそれぞれ前記処理液を供給して液処理
を行う液処理方法であって、前記保持手段に基板を保持
させる第１工程と、前記保持手段に保持された基板の裏
面と前記ステージの表面との間を所定距離に調節する第
２工程と、前記保持手段に保持された基板の表面に前記
処理液のパドルを形成し、かつ、前記基板の裏面と前記
ステージの表面との間隙部に前記処理液の層を形成し
て、前記基板の表裏面の液処理を行う第３工程と、前記
保持手段を所定の回転数で回転させて基板から処理液を
振り切って前記基板を乾燥させる第４工程と、乾燥処理
された基板を保持手段から取り外す第５工程と、を有す
ることを特徴とする液処理方法、を提供する。

【００１２】本発明は第５発明として、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の
下方に略水平に設けられ、前記基板の裏面と対向する表
面は処理液の接触角が５０度以上となるステージと、を
具備する液処理装置を用いて、前記保持手段に保持され
た基板の表面および前記基板と前記ステージの間隙にそ
れぞれ前記処理液を供給して液処理を行う液処理方法で
あって、前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、
前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
表面との間を所定距離に調節する第２工程と、前記保持
手段に保持された基板を、基板の端面を含む基板全体が
前記処理液に包み込まれるようにして前記基板の表裏面
の液処理を行う第３工程と、前記保持手段を所定の回転
数で回転させて基板から処理液を振り切って前記基板を
乾燥させる第４工程と、乾燥処理された基板を保持手段
から取り外す第５工程と、を有することを特徴とする液
処理方法、を提供する。

【００１３】本発明は第６発明として、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の
下方に略水平に設けられ、前記基板の裏面と対向する表
面は処理液の接触角が５０度以上となるステージと、前
記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
の接触角が５０度以上となる蓋体と、を具備する液処理
装置を用いて、前記保持手段に保持された基板の表面お
よび前記基板と前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理
液を供給して液処理を行う液処理方法であって、前記保
持手段に基板を保持させる第１工程と、前記保持手段に
保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙を
所定距離に調節する第２工程と、前記保持手段に保持さ
れた基板の上方の所定位置に前記蓋体を配置する第３工
程と、前記保持手段に保持された基板の表面に前記処理
液のパドルを形成し、かつ、前記基板の裏面と前記ステ
ージの表面との間隙に前記処理液の層を形成して前記基
板の表裏面の液処理を行う第４工程と、前記蓋体および
前記ステージを前記基板から退避させる第５工程と、前
記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板から処
理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程と、乾
燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工程と、
を有することを特徴とする液処理方法、を提供する。

【００１４】本発明は第７発明として、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の
下方に略水平に設けられ、前記基板の裏面と対向する表
面は処理液の接触角が５０度以上となるステージと、前
記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
の接触角が５０度以上となる蓋体と、を具備する液処理
装置を用いて、前記保持手段に保持された基板の表面お
よび前記基板と前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理
液を供給して液処理を行う液処理方法であって、前記保
持手段に基板を保持させる第１工程と、前記保持手段に
保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙を
所定距離に調節する第２工程と、前記保持手段に保持さ
れた基板の上方の所定位置に前記蓋体を配置する第３工
程と、前記保持手段に保持された基板を、基板の端面を
含む基板全体が前記処理液に包み込まれるようにして前
記基板の表裏面の液処理を行う第４工程と、前記蓋体お
よび前記ステージを前記基板から退避させる第５工程
と、前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板
から処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程
と、乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工
程と、を有することを特徴とする液処理方法、を提供す
る。

【００１５】本発明は第８発明として、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の
下方に略水平に設けられ、前記基板の裏面と対向する表
面は処理液の接触角が５０度以上となるステージと、前
記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
の接触角が５０度以上となる蓋体と、を具備する液処理
装置を用いて、前記保持手段に保持された基板の表面と
前記蓋体との間隙および前記基板の裏面と前記ステージ
の表面との間隙にそれぞれ前記処理液を供給して前記基
板の液処理を行う液処理方法であって、前記保持手段に
基板を保持させる第１工程と、前記保持手段に保持され
た基板の裏面と前記ステージの表面との間隙を所定距離
に調節する第２工程と、前記保持手段に保持された基板
の表面と前記蓋体の裏面との間隔を所定距離に調節する
第３工程と、前記保持手段に保持された基板の表面と前
記蓋体の裏面との間隙および前記基板の裏面と前記ステ
ージの表面との間隙にそれぞれ前記処理液の層を形成し
て前記基板の表裏面の液処理を行う第４工程と、前記蓋
体および前記ステージを前記基板から退避させる第５工
程と、前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基
板から処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工
程と、乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７
工程と、を有することを特徴とする液処理方法、を提供
する。

【００１６】本発明は第９発明として、基板を略水平に
保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の
下方に略水平に設けられ、前記基板の裏面と対向する表
面は処理液の接触角が５０度以上となるステージと、前
記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
の接触角が５０度以上となる蓋体と、を具備する液処理
装置を用いて、前記保持手段に保持された基板の表面と
前記蓋体との間隙および前記基板の裏面と前記ステージ
の表面との間隙にそれぞれ前記処理液を供給して前記基
板の液処理を行う液処理方法であって、前記保持手段に
基板を保持させる第１工程と、前記保持手段に保持され
た基板の裏面と前記ステージの表面との間隙を所定距離
に調節する第２工程と、前記保持手段に保持された基板
の表面と前記蓋体の裏面との間隔を所定距離に調節する
第３工程と、前記保持手段に保持された基板を、基板の
端面を含む基板全体が前記処理液に包み込まれるように
して前記基板の表裏面の液処理を行う第４工程と、前記
蓋体および前記ステージを前記基板から退避させる第５
工程と、前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記
基板から処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６
工程と、乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第
７工程と、を有することを特徴とする液処理方法、を提
供する。

【００１７】本発明の液処理装置および液処理方法によ
れば、保持手段に保持された基板の下方に設けられたス
テージは、処理液の接触角が大きくなるようにその表面
が処理液に対して濡れ難い特性を有していることから、
処理液のパドルを安定して形成することができる。これ
によって基板とステージの間の距離の自由度が広がるた
めに、所定幅の処理液の層を確実に形成して、基板の裏
面の液処理を均一に行うことができる。また、基板の端
面を含む基板全体を処理液で包み込むことも可能とな
り、この場合には液処理が困難である基板の端面をも液
処理することが可能となる。

【００１８】さらに、十分な量の処理液の層を静止状態
で保持することができるために処理液を連続して供給す
る必要がなくなり、こうして処理液の使用量を低減する
ことが可能である。また、基板とステージの間の距離を
拡げることが可能となることで、ステージとの間で基板
の受け渡しをする搬送アームのステージへの衝突を回避
することが可能となる。

【００１９】基板の上面に配置する蓋体の裏面を処理液
に対して濡れ難いものとして基板と蓋体との間に処理液
を供給し、液処理を行った場合には、液処理後の蓋体の
裏面に処理液が付着し難くなる。これによって蓋体の裏
面へのパーティクル等の付着を防止して蓋体を清浄な状
態に維持し、処理液にパーティクル等が拡散することを
防止して液処理品質を向上させることが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。本実施の形態において
は、半導体ウエハ（ウエハ）Ｗの両面を同時に洗浄処理
する洗浄処理ユニットを備えた洗浄処理システムについ
て説明するものとする。

【００２１】図１は洗浄処理システム１の概略構造を示
す平面図であり、図２はその側面図である。これら図１
および図２に示されるように、洗浄処理システム１は、
ウエハＷに洗浄処理および洗浄処理後の熱的処理を施す
洗浄処理部３と、洗浄処理部３に対してウエハＷを搬入
出する搬入出部２から構成されている。搬入出部２は、
複数枚、例えば２５枚のウエハＷが所定の間隔で略水平
に収容可能な容器（フープＦ）を載置するための載置台
１１が設けられたイン・アウトポート４と、載置台１１
に載置されたフープＦと洗浄処理部３との間でウエハの
受け渡しを行うウエハ搬送装置（ＣＲＡ）１３が備えら
れたウエハ搬送部５と、から構成されている。

【００２２】フープＦにおいて、ウエハＷはフープＦの
１側面を通して搬入出され、この側面には開閉可能な蓋
体が設けられている。また、ウエハＷを所定間隔で保持
するための棚板が内壁に設けられており、ウエハＷを収
容するスロット１〜スロット２５が形成されている。ウ
エハＷは表面（半導体デバイスを形成する面をいうもの
とする）が上面（ウエハＷを水平に保持した場合に上側
となっている面をいうものとする）となっている状態で
各スロットに１枚ずつ収容される。

【００２３】イン・アウトポート４の載置台１１上に
は、例えば、３個のフープＦを水平面のＹ方向に並べて
所定位置に載置することができるようになっている。フ
ープＦは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４
とウエハ搬送部５との境界壁９１側に向けて載置され
る。境界壁９１においてフープＦの載置場所に対応する
位置には窓部９２が形成されており、窓部９２のウエハ
搬送部５側には窓部９２をシャッター等により開閉する
窓部開閉機構１２が設けられている。

【００２４】この窓部開閉機構１２は、フープＦに設け
られた蓋体もまた開閉することが可能であり、窓部９２
の開閉と同時にフープＦの蓋体をも開閉する。窓部開閉
機構１２は、フープＦが載置台の所定位置に載置されて
いないときには動作しないようにインターロックを設け
ることが好ましい。窓部９２を開口してフープＦのウエ
ハ搬入出口とウエハ搬送部５とを連通させると、ウエハ
搬送部５に配設されたウエハ搬送装置（ＣＲＡ）１３の
フープＦへのアクセスが可能となり、ウエハＷの搬送を
行うことが可能な状態となる。窓部９２の上部には図示
しないウエハ検査装置が設けられており、フープＦ内に
収納されたウエハＷの枚数と状態をスロット毎に検出す
ることができるようになっている。このようなウエハ検
査装置は、窓部開閉機構１２に装着させることも可能で
ある。

【００２５】ウエハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装
置（ＣＲＡ）１３は、Ｙ方向とＺ方向に移動可能であ
り、かつ、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成さ
れている。また、ウエハ搬送装置（ＣＲＡ）１３はウエ
ハＷを把持する搬送アーム１３ａを有し、この搬送アー
ム１３ａはＸ方向にスライド自在となっている。こうし
て、ウエハ搬送装置（ＣＲＡ）１３は、載置台１１に載
置された全てのフープＦの任意の高さのスロットにアク
セスし、また、洗浄処理部３に配設された２台のウエハ
受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ・１４ｂにアクセスし
て、イン・アウトポート４側から洗浄処理部３側へ、逆
に洗浄処理部３側からイン・アウトポート４側へウエハ
Ｗを搬送することができるようになっている。

【００２６】洗浄処理部３は、ウエハ搬送部５との間で
ウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを一時的に載
置する２台のウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ・１
４ｂと、ウエハＷの表面と裏面を同時に洗浄処理する４
台の洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄと、洗
浄処理後のウエハＷを加熱処理する３台のホットプレー
トユニット（ＨＰ）１６ａ〜１６ｃおよび加熱されたウ
エハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＯＬ）１６ｄからな
る加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）１６と、ウエハ受渡ユ
ニット（ＴＲＳ）１４ａ・１４ｂおよび洗浄処理ユニッ
ト（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄならびに加熱／冷却部（Ｈ
Ｐ／ＣＯＬ）１６の全てのユニットにアクセス可能に配
設され、これらの各ユニット間でウエハＷの搬送を行う
主ウエハ搬送装置（ＰＲＡ）１５と、を有している。

【００２７】洗浄処理部３には、洗浄処理システム１全
体を稼働させるための電源である電装ユニット（ＥＢ）
１８と、洗浄処理システム１内に配設された各種ユニッ
トおよび洗浄処理システム１全体の動作・制御を行う機
械制御ユニット（ＭＣＢ）１９と、洗浄処理ユニット
（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄに送液する所定の洗浄液を貯
蔵する薬液貯蔵ユニット（ＣＴＢ）１７とが配設されて
いる。電装ユニット（ＥＢ）１８は図示しない主電源と
接続される。洗浄処理部３の天井部には、ウエハＷを取
り扱う各ユニットおよび主ウエハ搬送装置（ＰＲＡ）１
５に、清浄な空気をダウンフローするためのフィルター
ファンユニット（ＦＦＵ）２０が配設されている。

【００２８】薬液貯蔵ユニット（ＣＴＢ）１７と電装ユ
ニット（ＥＢ）１８と機械制御ユニット（ＭＣＢ）１９
を洗浄処理部３の外側に設置することによって、または
外部に引き出すことによって、この面（Ｙ方向側面）か
らウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ・１４ｂと主ウ
エハ搬送装置（ＰＲＡ）１５と加熱／冷却部（ＨＰ／Ｃ
ＯＬ）１６のメンテナンスを容易に行うことが可能であ
る。

【００２９】図３はウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４
ａ・１４ｂと、ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ・
１４ｂのＸ方向に隣接する主ウエハ搬送装置（ＰＲＡ）
１５および加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）１６の概略配
置を示す断面図である。ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）
１４ａ・１４ｂは上下２段に積み重ねられて配置されて
おり、例えば、下段のウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１
４ａは、イン・アウトポート４側から洗浄処理部３側へ
搬送するウエハＷを載置するために用い、一方、上段の
ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ｂは、洗浄処理部３
側からイン・アウトポート４側へ搬送するウエハＷを載
置するために用いることができる。

【００３０】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）２０
からのダウンフローの一部は、ウエハ受渡ユニット（Ｔ
ＲＳ）１４ａ・１４ｂと、その上部の空間を通ってウエ
ハ搬送部５に向けて流出する構造となっている。これに
より、ウエハ搬送部５から洗浄処理部３へのパーティク
ル等の侵入が防止され、洗浄処理部３の清浄度が保持さ
れるようになっている。

【００３１】主ウエハ搬送装置（ＰＲＡ）１５は、Ｚ方
向に延在し、垂直壁５１ａ・５１ｂおよびこれらの間の
側面開口部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側
に筒状支持体５１に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられ
たウエハ搬送体５２とを有している。筒状支持体５１は
モータ５３の回転駆動力によって回転可能となってお
り、それに伴ってウエハ搬送体５２も一体的に回転され
るようになっている。

【００３２】ウエハ搬送体５２は、搬送基台５４と、搬
送基台５４に沿って前後に移動可能な３本の主ウエハ搬
送アーム５５・５６・５７とを備えており、主ウエハ搬
送アーム５５〜５７は、筒状支持体５１の側面開口部５
１ｃを通過可能な大きさを有している。これら主ウエハ
搬送アーム５５〜５７は、搬送基台５４内に内蔵された
モータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移
動することが可能となっている。ウエハ搬送体５２は、
モータ５８によってベルト５９を駆動させることにより
昇降するようになっている。なお、符号６０は駆動プー
リー、６１は従動プーリーである。

【００３３】加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）１６におい
ては、ウエハＷの強制冷却を行う冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）１６ｄが１台配設され、その上に強制加熱／自然冷
却を行うホットプレートユニット（ＨＰ）１６ａ〜１６
ｃが３台積み重ねられて配設されている。なお、ウエハ
受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ・１４ｂの上部の空間に
加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）１６を設けることも可能
である。この場合には、図１に示される加熱／冷却部
（ＨＰ／ＣＯＬ）１６の位置をその他のユーティリティ
空間として利用することができる。

【００３４】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ〜２１
ｄは、上下２段で各段に２台ずつ配設されている。図１
に示されるように、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ
・２１ｃと洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ｂ・２１ｄ
とは、その境界をなしている壁面９３に対して対称な構
造を有しているが、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ
〜２１ｄを構成する各種の機構の動作には違いはない。
そこで、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａを例とし
て、その構造について詳細に以下に説明することとす
る。なお、このような対称構造とすることにより、主ウ
エハ搬送装置（ＰＲＡ）１５をＸ方向へ移動させること
なく、主ウエハ搬送アーム５５〜５７を洗浄処理ユニッ
ト（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄに対して進入または退出さ
せることが可能となる。

【００３５】図４は洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ
の概略構造を示す平面図、図５と図６はともに洗浄処理
ユニット（ＣＬＵ）２１ａ内に配設された処理カップ２
２とその内部の構造を示した概略断面図であり、図５は
ウエハＷの洗浄処理時の状態を示し、また、図６はウエ
ハＷの搬入出時の状態を示している。洗浄処理ユニット
（ＣＬＵ）２１ａにおいては、主ウエハ搬送アーム５５
〜５７が進入または退出するための窓部９４が境界壁９
３側に形成されており、この窓部９４は図示しないシャ
ッターによって開閉可能となっている。

【００３６】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａは、処
理カップ２２と、処理カップ２２内に保持されたウエハ
Ｗの表面を覆うように配置および移動可能な蓋体８０
と、を有しており、処理カップ２２の内側には、ウエハ
Ｗを略水平に保持するスピンチャック２３が設けられ、
ステージ２４がスピンチャック２３に保持されたウエハ
Ｗの下側に位置するように設けられている。

【００３７】蓋体８０の略中心部には、スピンチャック
２３に保持されたウエハＷの表面に所定の洗浄液を供給
するための洗浄液供給孔８１が形成されており、蓋体８
０は、Ｘ方向に延在するガイド８４に沿って図示しない
スライド機構によってＸ方向にスライド自在であるとと
もに、図示しない昇降機構によってＺ方向に昇降可能と
なっている。

【００３８】ウエハＷはスピンチャック２３の外周３箇
所に設けられた保持部材２５ａ〜２５ｃによってその側
面において保持される。図５に示すように、保持部材２
５ｃは傾倒自在となっており、主ウエハ搬送アーム５５
〜５７とスピンチャック２３との間でウエハＷの受け渡
しを行う際に、傾倒動作を行うことでウエハＷの脱着が
可能である。保持部材２５ａ〜２５ｃが取り付けられて
いるチャックプレート２６は、図示しない回転機構によ
って回転自在である中空状の回転軸２７に取り付けられ
ており、保持部材２５ａ〜２５ｃにウエハＷを保持させ
た状態において回転軸２７を所定の回転数で回転させる
ことによって、ウエハＷを回転させることができるよう
になっている。

【００３９】チャックプレート２６の下方には、回転軸
２７を囲繞するように階段状のカバー２８が設けられて
おり、このカバー２８は台座２９に固定されている。カ
バー２８の内周側には排気口３１が形成されており、図
示しない排気ポンプ等によって処理カップ２２内の空気
を吸引することで、スピンチャック２３の回転によって
発生するパーティクル等がウエハＷの上方へ舞い上がる
のを防止し、また、ウエハＷから振り切られる洗浄液に
起因して発生するミスト等の処理カップ２２外への拡散
を防止している。

【００４０】ステージ２４は、主に、ステージ本体部３
６と、ステージ本体部３６の上面を覆うようにネジ３４
によって取り付けられた円盤３５と、ステージ本体部３
６を支持する枢軸３７と、枢軸３７の下方に取り付けら
れた図示しない昇降機構から構成されており、この昇降
機構を動作させることで、ステージ２４を所定高さ上下
させることができるようになっている。図５は、この昇
降機構を動作させて、ウエハＷの洗浄処理を行う位置
（処理位置）にステージ２４を保持した状態を示してい
る。

【００４１】スピンチャック２３と主ウエハ搬送アーム
５５〜５７との間でウエハＷの受け渡しを行う際には、
図６に示すように、ステージ本体部３６の下面に形成さ
れた円環状の突起部３６ａがチャックプレート２６の上
面に当接し、また、チャックプレート２６の上面に形成
された円環状の突起部２６ａがステージ本体部３６の下
面に当接する位置（退避位置）にステージ２４を降下さ
せた状態とする。こうして、ウエハＷと円盤３５との間
隙幅を広くすることで、主ウエハ搬送アーム５５〜５７
の進入と退出が容易となる。

【００４２】ステージ本体部３６の上面側には円環状の
条溝３８が形成されており、円盤３５がこの条溝３８を
覆うことで空間３９が形成されている。また、ステージ
本体部３６の下側中央部には円柱状の凹部が形成され
て、この凹部に嵌合するように円柱部材４４が取り付け
られており、円柱部材４４の下面は枢軸３７の上面と接
合されている。円盤３５とステージ本体部３６と円柱部
材４４のほぼ中央を貫通するように洗浄液供給孔４１が
形成されており、円柱部材４４に取り付けられた洗浄液
供給管４５ａ〜４５ｃから所定の洗浄液が洗浄液供給孔
４１に供給され、円盤３５の表面とウエハＷとの間隙に
洗浄液が供給される。

【００４３】洗浄液としては、例えば、アンモニア水
（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）と純水（Ｄ
ＩＷ）との混合物（組成比が、ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：
ＤＩＷ＝１：２：１０〜１：５：５０）であって、主に
パーティクル除去用として用いられる通称、ＳＣ−１と
呼ばれる薬液や、フッ化水素（ＨＦ）を所定量含む水溶
液であって、主に酸化膜除去に用いられる、通称、ＤＨ
Ｆと呼ばれる薬液、および、純水（ＤＩＷ）が用いられ
る。

【００４４】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａにおい
ては、洗浄液供給管４５ａからＳＣ−１が、洗浄液供給
管４５ｂから純水（ＤＩＷ）が、洗浄液供給管４５ｃか
らＤＨＦが、それぞれ供給されるようになっており、こ
れらの洗浄液供給管４５ａ〜４５ｃの合流部近傍におい
て、洗浄液供給管４５ａ〜４５ｃのそれぞれに逆流防止
弁５０ａ〜５０ｃが取り付けられている。この逆流防止
弁５０ａ〜５０ｃによって、洗浄液供給管４５ａ〜４５
ｃに異なる種類の洗浄液が流入することが防止される。
なお、図６においては、洗浄液供給管４５ａ〜４５ｃの
細部の図示を省略している。

【００４５】洗浄液供給管４５ａ〜４５ｃには、それぞ
れにヒータ４０ａ〜４０ｃが取り付けられており、ウエ
ハＷと円盤３５の間隙に供給する処理液の温度を処理液
毎に適切な液温に調節することができるようになってい
る。また、空間３９において、円盤３５の裏面にはヒー
タ４６が取り付けられており、このヒータ４６によって
も、円盤３５とウエハＷとの間隙に供給された洗浄液の
温度調節を行うことが可能となっている。ヒータ４６へ
電力を供給するためのケーブル４７は、空間３９と枢軸
３７の中空部とを連通するように形成された電気配線孔
４２に通されている。例えば、ヒータ４６を空間３９の
天井を覆うように円盤３５の裏面に取り付け、円盤３５
への伝熱面積を広くすることで、迅速に洗浄液を適切な
温度へ昇温することが可能となる。

【００４６】ヒータ４６のみでも円盤３５とウエハＷと
の間隙に供給された洗浄液の温度調節を行うことは可能
ではあるが、ヒータ４０ａ〜４０ｃを設けることで、ヒ
ータ４６の負荷を小さくして、しかも、洗浄液の温度を
より均一なものとすることができる。このように洗浄液
を所定の温度に保持することで、洗浄液の性能を引き出
し、より高精度な洗浄処理を行うことが可能となる。

【００４７】ステージ２４においては、空間３９と枢軸
３７の中空部とを連通するようにガス供給孔４３が形成
され、ガス供給孔４３にはガス供給管４８が取り付けら
れている。このガス供給孔４３を利用して空間３９に乾
燥した窒素ガス等の不活性ガスを供給することで、ネジ
３４と円盤３５との隙間等から、円盤３５とステージ本
体部３６とのシール部４９を介して空間３９へ洗浄液が
進入することを防止できるようになっている。

【００４８】処理カップ２２は、図示しない昇降機構に
よって昇降自在な内側カップ２２ａと、固定されたアン
ダーカップ２２ｂとから構成されている。内側カップ２
２ａは、ウエハＷの洗浄処理時には図５に示す位置（上
段位置）に保持され、ウエハＷから振り切られる洗浄液
が外部に飛散することを防止する。また、主ウエハ搬送
アーム５５〜５７とスピンチャック２３との間でのウエ
ハＷの受け渡しが行われる際には、図６に示した位置
（下段位置）に保持されて、主ウエハ搬送アーム５５〜
５７の進入および退出を可能とする。アンダーカップ２
２ｂの底部には、排気および洗浄液を排出するためのド
レイン３２が設けられている。

【００４９】前述したように、洗浄液としてＳＣ−１、
ＤＨＦ、純水（ＤＩＷ）を用いる場合には、ＳＣ−１は
アンモニアを含むアルカリ性水溶液であり、一方のＤＨ
Ｆはフッ化水素を含む酸性水溶液であることから、ドレ
イン３２から洗浄液を回収する際には、少なくともＳＣ
−１とＤＨＦの化学反応を回避するために、これらを分
別回収する必要がある。図７は、ＳＣ−１とＤＨＦとを
分別回収するためのドレイン３２の排液経路を示す説明
図であり、ドレイン３２には、排気ポンプ６１が取り付
けられて、強制的に排気および洗浄液の排液が行われる
ようになっている。

【００５０】排気ポンプ６１へ洗浄液が到達しないよう
に、ミストセパレータ６２が排気ポンプ６１の上流側に
設けられており、ミストセパレータ６２において分離さ
れた処理液は、電磁バルブ６３ａ〜６３ｃがそれぞれ設
けられた排液管６４ａ〜６４ｃを通して廃棄される。例
えば、洗浄液としてＳＣ−１を用いている場合には、Ｓ
Ｃ−１を廃棄する排液管６４ａの電磁バルブ６３ａを開
いて、使用済みのＳＣ−１を回収する。ＳＣ−１とＤＨ
Ｆを連続して供給することは行わずに、ＳＣ−１または
ＤＨＦを使用した後には必ず純水（ＤＩＷ）でＳＣ−１
またはＤＨＦをそれぞれ洗い流すようにすれば、ミスト
セパレータ６２内におけるＳＣ−１とＤＨＦの混合も回
避することができる。

【００５１】蓋体８０は、ウエハＷの洗浄処理を行わな
い状態においては、図４に示すように、処理カップ２２
の上方から離れた位置に退避した状態にある。蓋体８０
は蓋体保持アーム８２によって保持され、この蓋体保持
アーム８２は、ガイド８４と嵌合しているアーム保持部
材８３と連結されている。アーム保持部材８３は図示し
ない駆動機構によってガイド８４に沿ってＸ方向にスラ
イド可能であり、さらに、図示しない昇降機構によって
蓋体８０はＺ方向に昇降可能である。

【００５２】こうして、ウエハＷの洗浄処理時には、図
５に示すように、蓋体８０はウエハＷの表面と蓋体８０
の裏面との間隙が所定幅となるように位置決めされて保
持される。この状態において、蓋体８０の略中心に設け
られた洗浄液供給孔８１から所定の洗浄液をスピンチャ
ック２３に保持されたウエハＷの表面に供給すること
で、ウエハＷの表面に蓋体８０と接しない洗浄液のパド
ルを形成し、または、蓋体８０とウエハＷとの間隙に洗
浄液の層を形成する。ウエハＷと蓋体８０との間隙に洗
浄液の層を形成した後に、蓋体８０を所定距離だけ上昇
させることによっても、ウエハＷの表面上に蓋体８０と
接しない洗浄液のパドルを形成することができる。

【００５３】蓋体８０とウエハＷとの間隙に洗浄液の層
を形成した場合には、円盤３５とウエハＷとの間に供給
された薬液をヒータ４６により温度調節したのと同様
に、蓋体８０の内部にヒータを内蔵させて、蓋体８０と
ウエハＷとの間隙に供給された薬液の温度調節を行うこ
とも好ましい。また、洗浄液供給孔８１に所定の洗浄液
を供給する図示しない洗浄液供給管は、先に説明した洗
浄液供給管４５ａ〜４５ｃと同様にヒータにより温度調
節が可能な構造とすることが好ましい。こうして、洗浄
液を所定の温度に保持することで、洗浄液の性能を引き
出し、より高精度な洗浄処理を行うことが可能となる。

【００５４】ウエハＷの表面に蓋体８０と接しない洗浄
液のパドルを形成した場合にも、ウエハＷの上方の所定
位置に蓋体８０を配置することによって、処理液の蒸発
を防止することが可能となる。また、蓋体８０の内部に
ヒータを内蔵させて蓋体８０を所定の温度に保持するこ
とにより、ウエハＷ上に形成されたパドルを間接的に加
熱することも可能である。

【００５５】上述した洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１
ａを用いたウエハＷの洗浄において、ウエハＷの裏面を
均一に洗浄するためには、ウエハＷの裏面が均一に洗浄
液と接するように、ウエハＷと円盤３５との間隙に洗浄
液の層を形成する必要がある。ここで、一般的に円盤３
５としてはアルミニウムやステンレス等の金属材料が用
いられるが、これらの金属材料に対する純水（ＤＩＷ）
の接触角は約８度と小さい。このため、円盤３５の表面
がこのような金属材料である場合には、洗浄液をウエハ
Ｗと円盤３５との間隙に供給しても、ウエハＷと円盤３
５との距離を短くしなければ、ウエハＷと円盤３５との
間隙に薬液の層を形成することは困難である。

【００５６】そこで本発明においては、円盤３５とし
て、母体を金属材料で構成しつつも、その表面に、例え
ば、フッ素樹脂や疎水性のシリコン樹脂等の疎水性樹脂
をコーティングして円盤３５の表面を疎水性化し、洗浄
液に濡れ難い性質に改質したものを用いる。これによっ
て、円盤３５の表面に高さの高い洗浄液のパドルを形成
することが可能となり、円盤３５とウエハＷとの間隙に
洗浄液の層を確実に形成することができるようになり、
また、ウエハＷ全体が包み込まれるように洗浄液のパド
ルを形成することも可能となる。好ましくは、円盤３５
の表面に対する処理液の接触角が５０度以上となる円盤
３５を用いる。

【００５７】図８（ａ）・（ｂ）は、表面にフッ素樹脂
をコーティングすることで図示しない薄い樹脂層が形成
された円盤３５ａと、このコーティングを行っていない
円盤３５ｂとを用いて、ウエハＷと円盤３５ａ・３５ｂ
の間隙にそれぞれ洗浄液（ＳＣ−１）の層を形成させた
状態を模式的に示す説明図である。図８（ａ）に示すよ
うに、樹脂層が形成されている円盤３５ａを用いたとき
には、円盤３５ａとウエハＷとの間隙幅が０．５ｍｍの
場合のみならず、１ｍｍの場合にも円盤３５ａとウエハ
Ｗとの間隙に良好な洗浄液層６８が形成される。このよ
うな状態で所定時間放置されて洗浄処理されたウエハＷ
の裏面には、残存するパーティクルの量が少なく、ま
た、残存する少量のパーティクルの分布も均一であっ
た。

【００５８】一方、図８（ｂ）に示すように、表面にフ
ッ素樹脂をコーティングしていない円盤３５ｂを用いた
場合には、円盤３５ｂとウエハＷとの間隙幅が０．５ｍ
ｍの場合には円盤３５ｂとウエハＷとの間隙に良好な洗
浄液層６８が形成されたが、間隙幅が１ｍｍの場合には
円盤３５ｂの外周を観察すると、洗浄液層６８は良好に
形成されておらず、洗浄液が円盤３５ｂの表面から外部
に向かって流れ出した状態でパドル６９が形成されてい
た。これに起因してウエハＷの裏面の中央部ではパーテ
ィクルの量は少ないが、外周部に残存するパーティクル
の量は多く、しかも、不均一に分布していた。

【００５９】ウエハＷの表面側については、原則として
は、ウエハＷの表面の洗浄液に対する濡れ性と洗浄液の
表面張力の大きさにしたがって洗浄液のパドルが形成さ
れるため、こうして形成されるパドルの高さに応じて、
ウエハＷと蓋体８０との間隙幅が定められる。しかしな
がら、蓋体８０とウエハＷとの間隙に洗浄液の層を形成
した場合には、少なからず蓋体８０の裏面の洗浄液に対
する濡れ性が洗浄液の層の形成状態に影響を及ぼすもの
と考えられる。また、蓋体８０の裏面が洗浄液と接触す
る場合には蓋体８０の裏面に洗浄液が付着するが、この
付着した洗浄液を振り切る手段を設けない場合には、蓋
体８０の裏面へパーティクル等が付着しやすくなる。蓋
体８０の裏面に付着したパーティクル等は、次のウエハ
Ｗの処理を開始した際に洗浄液に混入し、ウエハＷを汚
染するおそれがある。

【００６０】そこで、本発明においては、蓋体８０の裏
面もまた純水（ＤＩＷ）等の洗浄液に対して濡れ難くな
るように、フッ素樹脂や疎水性のシリコン樹脂等の疎水
性樹脂をコーティングして、蓋体８０の裏面を疎水性化
し、洗浄液に濡れ難い性質に改質したものを用いること
が好ましい。これによって、蓋体８０の裏面に付着する
洗浄液の量を低減して、パーティクル等の付着量をも低
減することができ、液処理品質を向上させることが可能
となる。なお、蓋体８０の裏面に対する処理液の接触角
は５０度以上となるようにすることが好ましい。

【００６１】図９は、表面が疎水性化された円盤３５を
用いた洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａにおけるウエ
ハＷの薬液による液処理の一実施形態を示す説明図であ
る。図９（ａ）は、円盤３５とウエハＷとの間隙および
蓋体８０とウエハＷとの間隙に薬液層７０・７１が形成
された状態を示し、図９（ｂ）は、ウエハＷの表面には
薬液のパドル７２が形成され、円盤３５とウエハＷとの
間隙には薬液層７０が形成された状態を示している。

【００６２】また、図１０は、表面が疎水性化された円
盤３５を用いた洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａにお
けるウエハＷの薬液による液処理の別の実施形態を示す
説明図である。図１０（ａ）は、ウエハＷ全体が包み込
まれるように円盤３５と蓋体８０との間隙に薬液層７３
が形成された状態を示しており、図１０（ｂ）は、ウエ
ハＷ全体が包み込まれるように円盤３５の表面に薬液の
パドル７４が形成された状態を示している。

【００６３】円盤３５の表面を疎水性化することによっ
て、これら図９および図１０に示すような薬液層７０・
７１・７３やパドル７２・７４を形成することが可能と
なり、こうしてウエハＷの表裏面が同時に薬液に接した
状態で所定時間放置することで、薬液による処理を進行
させることができる。この薬液処理の間には、薬液を常
時供給する必要がなく、薬液の消費量を低減することが
可能となる。

【００６４】通常は、ウエハＷを静止した状態に保持し
て、薬液層７０・７１・７３やパドル７２・７４の形態
を保持するが、薬液層７０・７１・７３やパドル７２・
７４の形態を保持することができる限りにおいて、ウエ
ハＷを所定の低速な回転数で回転させてもよい。特に、
気泡が発生しやすい薬液を用いた場合には、ウエハＷを
回転させることによって、発生する気泡が１箇所に停留
することを防止することができる。

【００６５】なお、図１０に示すように、ウエハＷ全体
が薬液に包み込まれるように薬液層７３またはパドル７
４を形成した場合には、ウエハＷの端面をも薬液処理す
ることが可能となり、洗浄品質をより高めることが可能
となる。また、円盤３５の外径をウエハＷの外径以上と
することで、薬液層７３またはパドル７４を安定に形成
することができる。また、ウエハＷを保持する保持部材
２５ａ〜２５ｃには、ウエハＷを洗浄処理する間、およ
びウエハＷから洗浄液を振り切る際に、洗浄液が付着す
る。こうして保持部材２５ａ〜２５ｃに付着した洗浄液
は、ウエハＷを回転させた際に遠心力によって振り切ら
れるが、保持部材２５ａ〜２５ｃの表面にもフッ素樹脂
等をコーティングして疎水性化させておくことで、付着
した洗浄液をより確実に振り切ることが可能となる。

【００６６】次に、上述した洗浄処理システム１を用
い、先に図９（ａ）に示したように蓋体８０とウエハＷ
との間隙および円盤３５とウエハＷとの間隙に薬液層７
０・７１を形成することによってウエハＷの洗浄処理を
行う場合の洗浄処理工程の一実施形態について以下に説
明する。ここで、ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａ
は、イン・アウトポート４側から洗浄処理部３側へ搬送
するウエハＷを載置するために用い、ウエハ受渡ユニッ
ト（ＴＲＳ）１４ｂは、洗浄処理部３側からイン・アウ
トポート４側へ搬送するウエハＷを載置するために用い
るものとする。

【００６７】図１１は、以下に示す洗浄処理工程を簡略
に示す工程説明図（フローチャート）である。最初に、
表面が上面となっている状態で所定枚数のウエハＷが収
容されているフープＦを載置台１１に載置する（ステッ
プ１）。次に、窓部開閉機構１２によって窓部９２およ
びフープＦの蓋体が開口された状態において、フープＦ
内の所定のスロットにあるウエハＷをウエハ搬送装置
（ＣＲＡ）１３を用いてフープＦから搬出し、ウエハ受
渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａに搬送し、その場に載置す
る（ステップ２）。続いて、主ウエハ搬送装置（ＰＲ
Ａ）１５がウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ａからウ
エハＷを搬出し、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ〜
２１ｄのいずれかへ搬送し（ステップ３）、そこで洗浄
処理を行う（ステップ４）。

【００６８】このステップ４の洗浄処理においては、例
えば、図５に示した状態において、最初に、洗浄液供給
孔４１から円盤３５とウエハＷの間隙にＳＣ−１を供給
して円盤３５とウエハＷとの間隙にＳＣ−１の層を形成
し、また、洗浄液供給孔８１から蓋体８０とウエハＷと
の間隙にＳＣ−１を供給して蓋体８０とウエハＷとの間
隙にＳＣ−１の層を形成する。こうして図９（ａ）に示
した状態が実現される。ＳＣ−１の層が形成されたらＳ
Ｃ−１の供給を停止して、スピンチャック２３を回転さ
せることなく、ウエハＷの表裏面が同時にＳＣ−１に接
した状態で所定時間放置する。このような薬液処理にお
いては、継続的にＳＣ−１を供給しないために、ウエハ
Ｗ１枚当たりのＳＣ−１の使用量を少なく抑えることが
できる。

【００６９】次に、円盤３５とウエハＷの間隙および蓋
体８０とウエハＷとの間隙に純水（ＤＩＷ）を供給して
ＳＣ−１をそれぞれの間隙から流し出すとともに、ウエ
ハＷの表裏面をリンス処理する。流し出されたＳＣ−１
は純水（ＤＩＷ）によって希釈された排液となるが、こ
の排液におけるＳＣ−１の濃度が高い間は、排液をドレ
イン３２および排液管６４ａを通して回収し、排液にＳ
Ｃ−１が殆ど含まれなくなったら、排液をドレイン３２
および排液管６４ｂを通して回収する（図７参照）。

【００７０】続いてウエハＷの表面から純水（ＤＩＷ）
を除去し、その後にＤＨＦを円盤３５とウエハＷの間隙
および蓋体８０とウエハＷとの間隙に供給し、これらの
間隙にＤＨＦの層を形成して所定時間保持する。先にＳ
Ｃ−１を用いた処理と同様に、継続的にＤＨＦを円盤３
５とウエハＷの間隙および蓋体８０とウエハＷとの間隙
に供給する必要はなく、これによってＤＨＦの消費量を
抑えることができる。

【００７１】ＤＨＦによる所定時間の液処理が終了した
ら、円盤３５とウエハＷの間隙および蓋体８０とウエハ
Ｗとの間隙に純水（ＤＩＷ）を供給してＤＨＦをそれぞ
れの間隙から流し出し、ウエハＷを十分に純水でリンス
処理する。流し出された排液におけるＤＨＦの濃度が高
い間は、排液をドレイン３２および排液管６４ｃを通し
て回収し、排液にＤＨＦが殆ど含まれなくなったら、排
液をドレイン３２および排液管６４ｂを通して回収する
（図７参照）。

【００７２】このリンス処理が終了したら、蓋体８０を
図４に示した位置へ退避させ、かつ、ステージ２４を図
６に示した位置へ退避（降下）させて、ウエハＷの表面
に純水（ＤＩＷ）のパドルが形成された状態とし、スピ
ンチャック２３を所定の回転数、例えば、約５０００ｒ
ｐｍで回転させてウエハＷの表裏面に付着した純水（Ｄ
ＩＷ）を振り切る。こうしてウエハＷの表裏面の洗浄処
理が終了する。

【００７３】洗浄処理が終了したウエハＷは、主ウエハ
搬送装置（ＰＲＡ）１５によって、ホットプレートユニ
ット（ＨＰ）１６ａ〜１６ｃのいずれかへ搬送され、そ
の場で加熱乾燥処理され（ステップ５）、次に冷却ユニ
ット（ＣＯＬ）１６ｄに搬送されて冷却処理される（ス
テップ６）。冷却処理が終了したウエハＷは、主ウエハ
搬送装置（ＰＲＡ）１５によって、冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）１６ｄからウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ｂへ
搬送され、その場に載置される（ステップ７）。ウエハ
受渡ユニット（ＴＲＳ）１４ｂに載置されたウエハＷ
は、ウエハ搬送装置（ＣＲＡ）１３によってフープＦ内
の所定のスロットに戻される（ステップ８）。このよう
な作業をフープＦ内に収納された全てのウエハＷについ
て行い、全てのウエハＷの処理が終了したら、フープＦ
を載置台１１から次の処理を行う装置等へ搬送する。

【００７４】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａについ
ては、その構成部分である処理カップ２２およびドレイ
ン３２の構成を変更することが可能である。そこで、次
に、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄに用い
られる処理カップの別の実施の形態について説明する。
図１２は４箇所に排液経路の異なるドレイン７９ａ〜７
９ｄが形成された処理カップ７５の概略平面図であり、
図１３は処理カップ７５とその内部の概略構造を示す断
面図である。処理カップ７５内には、先に図５および図
６に示したスピンチャック２３やステージ２４等が配置
されるが、図１２および図１３にはこれらの構造を簡略
化して示している。

【００７５】処理カップ７５は、内側カップ７５ａと、
内側カップ７５ａを囲繞するドレインカップ７５ｂから
構成されている。内側カップ７５ａは、図示しないカッ
プ回転機構によってθ方向に所定角度回転させた状態で
保持することができ、かつ、図示しない昇降機構によっ
て昇降自在となっている。内側カップ７５ａの底壁には
傾斜が設けられており、傾斜した底壁の下方側に排液口
７６が形成されている。こうして、ウエハＷに供給され
た洗浄液は、排液口７６からドレイン７９ａ〜７９ｄの
いずれかに向けて排出される。

【００７６】ドレインカップ７５ｂには、４箇所に排液
経路がそれぞれ異なるドレイン７９ａ〜７９ｄが形成さ
れており、ドレイン７９ａ〜７９ｄの近傍にそれぞれ排
気口７８ａ〜７８ｄが設けられている。例えば、ドレイ
ン７９ａはＳＣ−１を排出するために、ドレイン７９ｂ
は純水（ＤＩＷ）を排出するために、ドレイン７９ｃは
ＤＨＦを排出するためにそれぞれ用いられる。ドレイン
７９ｄはその他の薬液を使用することを想定して予備的
に設けられており、このような予備のドレインを２箇所
以上設けてもよい。

【００７７】処理カップ７５を用いた洗浄処理ユニット
（ＣＬＵ）を使用した洗浄処理におけるスピンチャック
２３やステージ２４、蓋体８０の使用方法は、洗浄処理
ユニット（ＣＬＵ）２１ａを使用して洗浄処理を行う場
合と同じである。しかし、洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）
２１ａでは、排出される処理液の分別回収を電磁バルブ
６３ａ〜６３ｃの切替によって行っていたが、処理カッ
プ７５を用いた洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）では、排出
される処理液に応じて所定のドレイン７９ａ〜７９ｄが
用いられるように、液処理の進行に合わせて内側カップ
７５ａを所定角度回転させ、排液口７６の位置を所定の
ドレイン７９ａ〜７９ｄの位置に合わせる。

【００７８】例えば、ウエハＷの洗浄処理の開始時に
は、排液口７６の位置をドレイン７９ａの位置に合わせ
た状態としておき、円盤３５とウエハＷの間隙および蓋
体８０とウエハＷとの間隙にＳＣ−１を供給して所定時
間放置し、その後に円盤３５とウエハＷの間隙および蓋
体８０とウエハＷとの間隙に純水（ＤＩＷ）を供給して
ＳＣ−１をそれぞれの間隙から流し出すと、流し出され
た主にＳＣ−１からなる排液はドレイン７９ａから排出
される。

【００７９】こうして排液口７６から排出される排液中
のＳＣ−１の濃度が低くなったら、内側カップ７５ａを
９０度回転させて、排液口７６の位置をドレイン７９ｂ
の位置に合わせ、主に純水（ＤＩＷ）からなる排液をド
レイン７９ｂから排出する。次に、ＤＨＦによる処理を
開始する前に、内側カップ７５ａをさらに９０度回転さ
せて、排液口７６の位置をドレイン７９ｃの位置に合わ
せて、ＤＨＦを円盤３５とウエハＷの間隙および蓋体８
０とウエハＷとの間隙に供給し、これらの間隙にＤＨＦ
の層を形成して所定時間保持する。

【００８０】ＤＨＦによる所定時間の液処理が終了した
ら、円盤３５とウエハＷの間隙および蓋体８０とウエハ
Ｗとの間隙に純水（ＤＩＷ）を供給してＤＨＦをそれぞ
れの間隙から流し出し、ウエハＷを十分に純水でリンス
処理する。流し出された排液におけるＤＨＦの濃度が高
い間は排液をドレイン７９ｃから排出し、排液にＤＨＦ
が殆ど含まれなくなったら、排液口７６の位置がドレイ
ン７９ｂの位置と合うように内側カップ７５ａを回転さ
せて、排液を回収することができる。

【００８１】以上、本発明の液処理装置および液処理方
法について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではない。例えば、ウエハＷの洗浄処理
を行うにあたってウエハＷの表面に洗浄液のパドルを形
成する際には、蓋体８０を用いることなく、図１４
（ａ）・（ｂ）の斜視図に示すような１箇所の洗浄液吐
出孔１０２を有する筒状のスポットノズル１０１や、一
方向に複数の洗浄液吐出孔１０４が形成されたラインノ
ズル１０３等を用いて、図９（ｂ）に示すようなパドル
をウエハＷの表面に形成し、表面の洗浄処理を行っても
よい。但し、この場合には、温度調節された洗浄液をウ
エハＷに供給することは容易であるが、形成されたパド
ルの温度調節は行うことは困難である。また、洗浄処理
ユニット（ＣＬＵ）２１ａ〜２１ｄに、蓋体８０とライ
ンノズル１０３を併設して、要求される洗浄処理の精度
に応じて、蓋体８０とラインノズル１０３とを使い分け
るように構成してもよい。さらに、純水（ＤＩＷ）によ
るリンス処理時には、ウエハＷを所定の回転数で回転さ
せてもよい。

【００８２】ウエハＷの液処理が終了した後に、ステー
ジ２４全体を所定距離だけ上昇させた際に、図１５に示
すように、円盤３５上に純水（ＤＩＷ）等のパドル７０
ａが形成される場合には、例えば、ステージ２４に洗浄
液供給孔４１と洗浄液供給管４５ａ〜４５ｃを設けて円
盤３５の表面に洗浄液を供給したように、ステージ２４
の略中心部のネジ３４が取り付けられていない部分に、
洗浄液回収孔１０５と洗浄液回収孔１０５に連結される
図示しない洗浄液回収管、洗浄液回収管に連結される図
示しない吸引ポンプを設けて円盤３５上の洗浄液を回収
してもよい。この場合において、回収する処理液の種類
に応じて、回収タンク等の回収先を変更することができ
るように構成することも好ましい。上記実施の形態にお
いては、基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板
は半導体ウエハに限定されるものではなく、ＬＣＤ基板
やセラミック基板等であってもよい。

【００８３】

【発明の効果】上述の通り、本発明の液処理装置および
液処理方法によれば、保持手段に保持された基板の下方
に設けられたステージは、その表面が処理液に対して濡
れ難い性質を有していることから、処理液のパドルを安
定して形成することが可能となる。また、高さの高い処
理液のパドルの形成も可能となる。これによって基板と
ステージの間の距離の自由度が広がり、所定幅の処理液
の層を確実に形成して、基板の裏面の液処理を均一に行
い、基板の品質を高く保持することが可能となるという
優れた効果が得られる。さらに、基板の端面を含む基板
全体を処理液で包み込むことが可能となり、この場合に
は液処理が困難である基板の端面をも液処理して、基板
品質を高めることが可能となる。

【００８４】また、十分な処理液量を確保しつつ、処理
液のパドルまたは層を形成した状態で保持することがで
きるために、継続的に処理液を供給する必要がなく、処
理液の使用量を低減することが可能となることから、処
理コストを低減することが可能になるという効果も得ら
れる。さらに、基板とステージの間の距離を拡げること
で、ステージとの間で基板の受け渡しをする搬送アーム
のステージへの衝突を回避することが可能となる。こう
して、作業安全性を向上させ、故障の発生を低減するこ
とができる。

【００８５】さらにまた、基板の上面に配置する蓋体の
裏面を処理液に対して濡れ難いものとして基板と蓋体と
の間に処理液を供給し、液処理を行った場合には、液処
理後の蓋体の裏面に処理液が付着し難くなるため、蓋体
の裏面へのパーティクル等の付着を防止して、蓋体を清
浄な状態に維持することが可能となる。これによって処
理液にパーティクル等が拡散することが防止され、液処
理品質を向上させることが可能となる。基板をその端面
で保持する保持手段についても、処理液に対して濡れ難
い特性とすることで、基板と保持手段との接触部分に処
理液が残留することを防止し、基板に液痕が発生するこ
とを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である洗浄処理ユニットを
具備する洗浄処理システムの概略構造を示す平面図。

【図２】図１に示した洗浄処理システムの概略構造を示
す側面図。

【図３】図１に示した洗浄処理システムの概略断面図。

【図４】洗浄処理ユニットの概略構造を示す平面図。

【図５】洗浄処理ユニットにおけるウエハＷの洗浄処理
時の状態を示す概略断面図。

【図６】洗浄処理ユニットにおけるウエハＷの搬入出時
の状態を示す概略断面図。

【図７】洗浄液を分別回収するためのドレインの排液経
路を示す説明図。

【図８】表面にフッ素樹脂によるコーティングが施され
た円盤とコーティングが施されたいない円盤を用いたそ
れぞれの場合の薬液層の形成状態を示す説明図。

【図９】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）におけるウエハの
薬液による液処理の一実施形態を示す説明図。

【図１０】洗浄処理ユニット（ＣＬＵ）におけるウエハ
の薬液による液処理の別の実施形態を示す説明図。

【図１１】洗浄処理システムにおける洗浄処理工程を示
す工程説明図。

【図１２】洗浄処理ユニットの別の実施形態を示す概略
平面図。

【図１３】図１２に示す洗浄処理ユニットの概略断面
図。

【図１４】本発明に係る洗浄処理ユニットに用いること
ができるノズルを示す斜視図。

【図１５】洗浄処理終了後に蓋体およびステージを退避
させたときのウエハの状態の一形態を示す説明図。

【符号の説明】

１；洗浄処理システム １３；ウエハ搬送装置（ＣＲＡ） １５；主ウエハ搬送装置（ＰＲＡ） ２１ａ〜２１ｄ；洗浄処理ユニット（ＣＬＵ） ２２；処理カップ ２２ａ；内側カップ ２２ｂ；アンダーカップ ２３；スピンチャック ２４；ステージ ２５ａ〜２５ｃ；保持部材 ３５；円盤 ４０ａ〜４０ｃ・４６；ヒータ ４１；洗浄液供給孔 ４５ａ〜４５ｃ；洗浄液供給管 ５０ａ〜５０ｃ；逆流防止弁 ７０・７１・７３；薬液層 ７２・７４；パドル ７５；処理カップ ７５ａ；内側カップ ７５ｂ；ドレインカップ ８０；蓋体 ８１；洗浄液供給孔 Ｆ；フープ（収納容器） Ｗ；半導体ウエハ（基板）

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給して基板に液処理を
   施す液処理装置であって、 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
   れ、その表面は前記処理液の接触角が５０度以上となる
   ステージと、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
   表面との間隙に前記処理液を供給する処理液供給手段
   と、 を具備し、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
   表面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が
   液処理されることを特徴とする液処理装置。
2. 【請求項２】 基板に処理液を供給して基板に液処理を
   施す液処理装置であって、 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段を回転させる回転手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
   れ、その表面は前記処理液の接触角が５０度以上となる
   ステージと、 前記保持手段に保持された基板の表面に前記処理液を供
   給する第１の処理液供給手段と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
   表面との間隙に前記処理液を供給する第２の処理液供給
   手段と、 を具備し、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
   表面との間隙に前記処理液の層が形成され、かつ、前記
   基板の表面に前記処理液のパドルが形成されて、前記基
   板が液処理されることを特徴とする液処理装置。
3. 【請求項３】 前記処理液の層と前記処理液のパドルと
   がつながって前記基板の端面を含む基板全体が前記処理
   液で包み込まれるように、前記基板の裏面と前記ステー
   ジの表面との間隔が調整されること特徴とする請求項２
   に記載の液処理装置。
4. 【請求項４】 基板に処理液を供給して基板に液処理を
   施す液処理装置であって、 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段を回転させる回転手段と、 前記処理液の接触角が５０度以上となる濡れ性を有する
   裏面を有し、前記保持手段に保持された基板の表面と前
   記裏面が対面するように配置される蓋体と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
   れ、その表面は前記処理液の接触角が５０度以上となる
   ステージと、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面
   との間隙に前記処理液を供給する第１の処理液供給手段
   と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
   表面との間隙に前記処理液を供給する第２の処理液供給
   手段と、 を具備し、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面
   との間隙および前記基板の裏面と前記ステージの表面と
   の間隙にそれぞれ前記処理液の層が形成されて前記基板
   が液処理されることを特徴とする液処理装置。
5. 【請求項５】 前記基板を挟んで形成された前記処理液
   の層がつながって前記基板の端面を含む基板全体が前記
   処理液に包み込まれるように、前記基板の表面と前記蓋
   体との間隔及び前記基板の裏面と前記ステージの表面と
   の間隔が調整されることを特徴とする請求項４に記載の
   液処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１の処理液供給手段は、 前記蓋体の略中心部において前記蓋体を厚み方向に貫通
   して形成された第１の処理液吐出孔と、 前記第１の処理液吐出孔に連通して設けられた第１の処
   理液供給管と、 を有し、 前記第１の処理液吐出孔から前記保持手段に保持された
   基板の表面に前記処理液が供給されることを特徴とする
   請求項４または請求項５に記載の液処理装置。
7. 【請求項７】 前記蓋体はヒータを内蔵し、前記保持手
   段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面との間隙に
   供給された処理液を加熱することができることを特徴す
   る請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の液処理
   装置。
8. 【請求項８】 前記蓋体の裏面にはフッ素樹脂がコーテ
   ィングされていることを特徴とする請求項４から請求項
   ７のいずれか１項に記載の液処理装置。
9. 【請求項９】 前記第１の処理液供給手段は、前記保持
   手段に保持された基板の表面に供給される処理液を所定
   の温度に調節可能な液温度制御手段を有することを特徴
   とする請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の液
   処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第２の処理液供給手段は、 前記ステージの略中心部において前記ステージを厚み方
    向に貫通して形成された第２の処理液吐出孔と、 前記第２の処理液吐出孔に連通して設けられた第２の処
    理液供給管と、 を有し、 前記第２の処理液吐出孔から前記保持手段に保持された
    基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液
    が供給されることを特徴とする請求項２から請求項９の
    いずれか１項に記載の液処理装置。
11. 【請求項１１】 前記第２の処理液供給手段は、前記保
    持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面と
    の間隙に供給される前記処理液を所定の温度に調節可能
    な液温度制御手段を有することを特徴とする請求項２か
    ら請求項１１のいずれか１項に記載の液処理装置。
12. 【請求項１２】 前記ステージはヒータを内蔵し、前記
    ステージ上の処理液を加熱することができることを特徴
    する請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の液
    処理装置。
13. 【請求項１３】 前記ステージを昇降させる昇降機構を
    さらに具備し、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間の距離を変化させることが可能であることを
    特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記
    載の液処理装置。
14. 【請求項１４】 前記保持手段において基板と接触する
    部材の表面は、前記処理液の接触角が５０度以上となる
    濡れ性を有することを特徴とする請求項１から請求項１
    ３のいずれか１項に記載の液処理装置。
15. 【請求項１５】 前記ステージの表面にはフッ素樹脂が
    コーティングされていることを特徴とする請求項１から
    請求項１４のいずれか１項に記載の液処理装置。
16. 【請求項１６】 前記保持手段に保持された基板に供給
    された前記処理液を流出させる排液口が形成され、前記
    保持手段を囲繞するように設けられた処理カップと、 前記処理カップを所定角度回転させるカップ回転機構
    と、 排液経路の異なるドレインが複数箇所に形成され、前記
    処理カップを囲繞するように設けられたドレインカップ
    と、 をさらに具備し、 前記保持手段に保持された基板に供給される前記処理液
    の種類に応じて前記処理カップの排液口の位置が前記ド
    レインカップに形成された所定のドレインの位置と合う
    ように前記カップ回転機構を駆動して、前記処理液を分
    別廃棄することを特徴とする請求項１から請求項１５の
    いずれか１項に記載の液処理装置。
17. 【請求項１７】 前記処理カップの底壁には所定の傾斜
    が設けられ、前記排液口は傾斜した底壁の下方側に形成
    されていることを特徴とする請求項１６に記載の液処理
    装置。
18. 【請求項１８】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面および前記基板と
    前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理液を供給して液
    処理を行う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板の表面に前記処理液のパ
    ドルを形成し、かつ、前記基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙部に前記処理液の層を形成して、前記基板
    の表裏面の液処理を行う第３工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて基板から処理
    液を振り切って前記基板を乾燥させる第４工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第５工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
19. 【請求項１９】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面および前記基板と
    前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理液を供給して液
    処理を行う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板を、基板の端面を含む基
    板全体が前記処理液に包み込まれるようにして前記基板
    の表裏面の液処理を行う第３工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて基板から処理
    液を振り切って前記基板を乾燥させる第４工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第５工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
20. 【請求項２０】 前記第３工程においては、前記保持手
    段に保持された基板を静止させた状態で前記基板の表裏
    面に向けて処理液を供給し、前記基板の表裏面が処理液
    に接している状態となった時点で処理液の供給を停止し
    て所定時間保持することにより前記基板の液処理を行う
    ことを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の
    液処理方法。
21. 【請求項２１】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 前記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
    れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
    の接触角が５０度以上となる蓋体と、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面および前記基板と
    前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理液を供給して液
    処理を行う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板の上方の所定位置に前記
    蓋体を配置する第３工程と、 前記保持手段に保持された基板の表面に前記処理液のパ
    ドルを形成し、かつ、前記基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙に前記処理液の層を形成して前記基板の表
    裏面の液処理を行う第４工程と、 前記蓋体および前記ステージを前記基板から退避させる
    第５工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板から
    処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
22. 【請求項２２】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 前記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
    れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
    の接触角が５０度以上となる蓋体と、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面および前記基板と
    前記ステージの間隙にそれぞれ前記処理液を供給して液
    処理を行う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板の上方の所定位置に前記
    蓋体を配置する第３工程と、 前記保持手段に保持された基板を、基板の端面を含む基
    板全体が前記処理液に包み込まれるようにして前記基板
    の表裏面の液処理を行う第４工程と、 前記蓋体および前記ステージを前記基板から退避させる
    第５工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板から
    処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
23. 【請求項２３】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 前記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
    れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
    の接触角が５０度以上となる蓋体と、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体との間
    隙および前記基板の裏面と前記ステージの表面との間隙
    にそれぞれ前記処理液を供給して前記基板の液処理を行
    う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面
    との間隔を所定距離に調節する第３工程と、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面
    との間隙および前記基板の裏面と前記ステージの表面と
    の間隙にそれぞれ前記処理液の層を形成して前記基板の
    表裏面の液処理を行う第４工程と、 前記蓋体および前記ステージを前記基板から退避させる
    第５工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板から
    処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
24. 【請求項２４】 基板を略水平に保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けら
    れ、前記基板の裏面と対向する表面は処理液の接触角が
    ５０度以上となるステージと、 前記保持手段に保持された基板の上方に略水平に設けら
    れ、少なくとも前記基板の表面と対向する裏面は処理液
    の接触角が５０度以上となる蓋体と、 を具備する液処理装置を用いて、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体との間
    隙および前記基板の裏面と前記ステージの表面との間隙
    にそれぞれ前記処理液を供給して前記基板の液処理を行
    う液処理方法であって、 前記保持手段に基板を保持させる第１工程と、 前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの
    表面との間隙を所定距離に調節する第２工程と、 前記保持手段に保持された基板の表面と前記蓋体の裏面
    との間隔を所定距離に調節する第３工程と、 前記保持手段に保持された基板を、基板の端面を含む基
    板全体が前記処理液に包み込まれるようにして前記基板
    の表裏面の液処理を行う第４工程と、 前記蓋体および前記ステージを前記基板から退避させる
    第５工程と、 前記保持手段を所定の回転数で回転させて前記基板から
    処理液を振り切って前記基板を乾燥させる第６工程と、 乾燥処理された基板を保持手段から取り外す第７工程
    と、 を有することを特徴とする液処理方法。
25. 【請求項２５】 前記第４工程においては、前記保持手
    段に保持された基板を静止させた状態で前記基板の表裏
    面に向けて処理液を供給し、前記基板の表裏面が処理液
    に接している状態となった時点で処理液の供給を停止し
    て所定時間保持することにより前記基板の液処理を行う
    ことを特徴とする請求項２１から請求項２４のいずれか
    １項に記載の液処理方法。