KR101061937B1 - 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 - Google Patents

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 단계와, 그 후 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판을 건조시키는 단계는 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키는 단계와, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하는 단계와, 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하는 단계와, 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키는 단계와, 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하는 단계를 포함한다.

Description

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치{SUBSTRATE CLEANING METHOD AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 방법의 실시에 이용되는 웨이퍼 세정 장치의 일례를 도시한 개략 평면도.
도 2는 도 1의 웨이퍼 세정 장치의 개략 단면도.
도 3은 도 1의 웨이퍼 세정 장치에 이용되고 있는 N2 가스 토출 노즐의 개략구조를 도시한 사시도.
도 4는 도 1의 웨이퍼 세정 장치의 액 및 가스의 공급계를 도시한 도면.
도 5는 도 1의 웨이퍼 세정 장치에 의한 웨이퍼 표면 세정 처리의 시퀀스의 일례를 설명하기 위한 흐름도.
도 6a∼6d는 도 5의 각 공정을 설명하기 위한 개략도.
도 7은 도 5의 건조 처리 공정의 바람직한 예를 설명하는 타이밍 차트.
도 8은 N2 가스 토출 노즐로서 원형 노즐을 이용한 경우의 N2 가스 스캔 상태를 설명하기 위한 모식도.
도 9는 N2 가스 토출 노즐로서 슬릿 노즐을 이용한 경우의 N2 가스 스캔 상태를 설명하기 위한 모식도.
도 10a∼10c는 N2 가스 토출 노즐의 슬릿 형상의 토출구로부터의 N2 가스 토출 방향을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치(LCD)의 유리 기판으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등의 기판을 세정하는 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기재함)를 소정의 약액(세정액)에 의해 세정하여, 웨이퍼에 부착된 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등의 콘터미네이션, 에칭 처리 후의 폴리머 등을 제거하는 세정 처리가 행해진다.
이러한 세정 처리를 행하는 웨이퍼 세정 장치로서는, 웨이퍼를 스핀척에 유지하고, 웨이퍼를 정지시킨 상태 또는 회전시킨 상태에서 웨이퍼의 표리면에 약액을 공급하여 약액 처리를 행하며, 다음에 웨이퍼를 소정의 회전수로 회전시키면서 웨이퍼에 순수 등의 린스액을 공급하여 약액을 씻어내고, 그 후에 웨이퍼를 회전시켜 건조 처리를 행하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치가 알려져 있다.
이러한 매엽식 웨이퍼 세정 장치에 있어서, 예컨대 플루오르화수소산계 약액을 이용하여 세정 처리를 행하는 경우에는, 웨이퍼 표면이 소수성이 되기 때문에, 웨이퍼의 외주 부분은 원심력에 의해 매우 짧은 시간에 린스액이 털어지지만, 원심력이 작은 웨이퍼 중심부는 린스액이 털어지는 타이밍이 지연되고, 중심부의 린스액이 털어질 때에는, 먼저 건조되어 있는 웨이퍼 외주부에 워터 마크가 발생할 우려가 있다. 또한, 웨이퍼 중심부에 액적이 잔존하여 파티클 발생의 원인이 된다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위해, 일본 특허 공개 제2001-53051호 공보에는 순수를 분사하는 노즐과 불활성 가스를 분사하는 노즐을 기판 중심으로부터 주연부를 향하여 스캔시키는 기술이 개시되어 있다. 그리고, 이러한 구성에 의해, 분사 순수에 의해 기판이 젖으면, 분사 불활성 가스에 의한 순수 수막의 배제와, 회전 원심력에 의한 기판으로부터의 수막의 배제를 대략 동시에 진행시킬 수 있고, 기판 중심부로부터 외주를 향하여 건조 영역이 대략 동심원 형상으로 넓어져 가기 때문에, 워터 마크나 오염을 발생시키지 않게 하고 있다.
그러나, 이러한 기술에서는 기판인 웨이퍼를 건조시킬 때는 웨이퍼를 기본적으로 고속으로 회전시키기 때문에, 그 때에 장치의 챔버 등으로부터 린스액이 튀어 오르며, 그 물방울이 웨이퍼의 건조가 종료된 부분에 부착되어 파티클 등의 원인이 되게 될 우려가 있다.
또한, 제품 웨이퍼는 패턴이 형성되어 있는 것이나, 여러 가지의 막이 형성되어 있는 것 등, 여러 가지의 것이 있으며, 이러한 소수성 부분을 갖는 여러 가지의 웨이퍼에 대하여 파티클의 발생이 충분히 억제된 세정 처리가 요구되고 있지만, 반드시 충분한 성과가 얻어지고 있지 않다는 것이 현재의 상황이다.
본 발명의 목적은 표면에 소수성 부분을 갖는 여러 가지의 기판에 있어서도 표면에 파티클이 잔존하기 어려운 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 그와 같은 방법을 실시하기 위한 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 양태에 따르면, 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 단계와, 그 후 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판을 건조하는 단계는 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키는 단계와, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하는 단계와, 상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하는 단계와, 상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키는 단계와, 상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법이 제공된다.
상기 제1 양태에 있어서, 상기 제1 회전수로 감속시킬 때에, 기판의 대략 중심부에 액을 공급하여도 좋다. 또한, 기판의 회전수가 상기 제2 회전수일 때에 액의 공급 위치가 기판의 주연부이어도 좋다. 또한, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치를 이동시킬 때에, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급량이 적어지도록 하여도 좋다.
상기 가스를 기판에 공급할 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 가스를 공급하도록 할 수 있다. 이 경우에, 상기 가스를 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 공급할 때의 기판의 회전수는 상기 세정시의 기판의 회전수보다도 낮은 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판을 세정하는 단계는 기판의 표면에 약액을 공급하여 약액 세정하는 단계와, 세정 후의 기판을 회전시키면서, 그 표면에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하여도 좋다. 또한, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 기판에 공급되는 액은 린스액이어도 좋다.
상기 제1 회전수는 500 rpm 이하로 행할 수 있고, 상기 제1 회전수가 30∼100 rpm, 상기 제2 회전수가 10∼30 rpm이며, 가스를 공급할 때의 기판의 회전수가 60∼500 rpm인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 회전수로부터 상기 제2 회전수에 도달할 때까지, 기판의 회전수가 직선적으로 감소하고, 기판의 회전수가 상기 제2 회전수로부터 가스의 공급을 개시할 때까지, 기판의 회전수가 직선적으로 증가하며, 그 회전수로 기판의 회전을 유지하면서 기판에 가스를 공급하도록 구성하여도 좋다. 또한, 상기 가스는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 노즐을 이용하여 공급하는 것이 바람직하고, 이 경우에, 상기 노즐은 가스가 기판의 직경 방향 외측을 향하여 토출되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다.
이상의 구성은 기판의 표면이 소수성 부분을 포함하는 경우에 특히 유효하며, 전형적으로는 상기 약액으로서 플루오르화수소산계의 약액을 이용하여 기판이 소수성 부분을 포함하게 된 경우에 유효하다. 또한, 상기 가스는 불활성 가스라도 좋다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 기판의 표면을 세정하는 기판 세정 장치로서, 기판을 수평으로 또한 회전 가능하게 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 액 공급 기구와, 액 노즐을 통해 상기 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 세정 기구와, 가스 노즐을 통해 기판의 표면에 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하고, 그 후 기판을 회전시켜 기판을 건조시키도록 상기 회전 기구, 상기 세정 기구, 상기 가스 공급 기구를 제어하는 제어 기구를 구비하고, 상기 제어 기구는 건조시에 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키며, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하고, 상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하며, 상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시켜 상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하도록 제어하는 기판 세정 장치가 제공된다.
상기 제2 양태에 있어서, 상기 세정 기구는 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 갖는 약액 공급 기구와, 기판의 표면 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 갖는 린스액 공급 기구를 구비하며, 상기 제어 기구는 세정시에 약액 노즐로부터 기판 표면에 약액을 공급하여 기판을 세정하고, 계속해서 린스액 노즐로부터 기 판 표면에 린스액을 공급하여 세정 후의 기판을 린스하도록 제어하여도 좋다.
본 발명의 제3 양태에서는 컴퓨터 상에서 동작하고, 실행시에 상기 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 프로그램을 제공한다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은 실행시에 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 단계와, 그 후 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판을 건조하는 단계는 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키는 단계와, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 대략 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하는 단계와, 상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하는 단계와, 상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키는 단계와, 상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 표면을 약액 세정하고, 계속해서 린스한 후, 건조시킬 때에, 기판을 저속으로 회전시켜 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 린스액을 공급하는 노즐을 스캔시키면서 린스액을 기판에 공급하기 때문에, 표면이 소수성 기판이어도 기판의 내측 부분과 외측 부분을 균일하게 건조시킬 수 있는 동시 에, 린스액의 튀어 오름에 의해 건조 부분이 오염될 우려가 작고, 또한, 그 후 기판의 회전수를 저속으로 유지한 상태로 불활성 가스를 공급하는 노즐을 기판의 중심부로부터 주연부를 향하여 스캔시키면서 불활성 가스를 기판에 공급하기 때문에, 기판의 패턴 등에 잔존한 물을 조속히 건조시킬 수 있다. 이 때문에, 표면에 소수성 부분을 갖는 여러 가지의 기판, 특히 소수성의 표면에 친수성 패턴이 형성되어 있는 기판에 있어서도 표면에 파티클이 잔존하기 어려운 세정 처리를 실시할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 여기서는 본 발명을 웨이퍼의 표리면을 동시에 세정 처리할 수 있는 웨이퍼 세정 장치에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 방법의 실시에 이용되는 웨이퍼 세정 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이며, 도 2는 그 개략 단면도이다. 웨이퍼 세정 장치(100)는 하우징(1)을 갖고 있으며, 하우징(1)의 내부에 세정 처리를 행하는 웨이퍼를 수용하는 외측 챔버(2)와, 노즐 아암(31)을 수납하는 노즐 아암 수납부(3)를 갖고 있다.
또한, 웨이퍼 세정 장치(100)는 외측 챔버(2)의 내부에, 내측 챔버(11)(도 2)와, 내측 챔버(11) 내에 있어서 웨이퍼(W)를 유지하는 스핀척(12)과, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면측에 웨이퍼(W)에 대향하도록, 또한 상하 이동 가능하게 설치된 언더 플레이트(13)를 갖고 있다.
하우징(1)에는 웨이퍼 반입구 및 반출구로서 기능하는 창부(14)가 형성되어 있으며, 이 창부(14)는 제1 셔터(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 창부(14)는 웨이퍼(W)의 반입출시에는 개방된 상태가 되며, 그 이외는 제1 셔터(15)에 의해 폐색된 상태로 유지된다. 제1 셔터(15)는 하우징(1)의 내부로부터 창부(14)를 개폐하도록 되어 있으며, 하우징(1)의 내부가 양압이 된 경우에도 하우징(1) 내의 분위기의 누설을 유효하게 방지 가능하게 되어 있다.
외측 챔버(2) 측부의 상기 창부(14)에 대응하는 위치에는 웨이퍼(W)의 반입구 및 반출구가 되는 창부(16)가 형성되어 있으며, 이 창부(16)는 셔터(17)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 창부(16)는 웨이퍼(W)의 반입출시에는 개방된 상태가 되며, 그 이외는 제2 셔터(17)에 의해 폐색된 상태로 유지된다. 웨이퍼(W)의 세정 처리는 외측 챔버(2) 안에서 행해지도록 되어 있으며, 웨이퍼(W)의 반입출시에는 창부(14 및 16)의 양방이 개방된 상태가 되며, 외부로부터 도시하지 않은 반송 아암이 외측 챔버(2) 안에 삽입되어, 스핀척(12)에 대한 웨이퍼(W)의 수취 및 전달이 행해진다.
제2 셔터(17)도 외측 챔버(2)의 내부로부터 창부(16)를 개폐하도록 되어 있으며, 외측 챔버(2) 안이 양압이 된 경우에도 그 내부 분위기의 누설을 유효하게 방지할 수 있도록 되어 있다.
외부 챔버(2)의 상벽에는 외측 챔버(2) 안에 N2 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구(18)가 설치되어 있다. 이 가스 공급구(18)는 외측 챔버(2) 안에 다운 플로우를 형성하고, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)로 토출된 약액의 증기 가 외측 챔버(2) 안에 충만하는 것을 방지한다. 또한, 이러한 다운 플로우를 형성함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 워터 마크가 발생하기 어렵게 된다고 하는 효과도 얻어진다. 외측 챔버(2)의 바닥부에는 드레인부(19)가 설치되고, 드레인부(19)로부터 배기 및 배액을 행할 수 있도록 되어 있다.
내측 챔버(11)는 웨이퍼(W)로 토출된 약액이나 순수가 주위로 비산하는 것을 방지하기 위한 것이며, 외측 챔버(2)의 내측에 스핀척(12)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 이 내측 챔버(11)는 상부가 테이퍼부(11a)로 되어 있으며, 바닥벽에는 드레인부(20)가 형성되어 있다. 또한, 내측 챔버(11)는 그 상단이 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)보다도 상측이며, 테이퍼부가 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리 위치(도 2에 있어서 실선으로 나타내는 위치)와, 그 상단이 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)보다도 하측의 후퇴 위치(도 2에 있어서 점선으로 나타내는 위치)와의 사이에서 승강 가능하게 되어 있다.
내측 챔버(11)는 웨이퍼(W)의 반입출시에는 반송 아암(도시하지 않음)의 진입/퇴출을 방해하지 않도록 후퇴 위치에 유지된다. 한편, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)에 세정 처리가 실시될 때에는 처리 위치에 유지된다. 또한 웨이퍼(W)의 세정 처리에 이용된 약액은 드레인부(20)로 유도된다. 드레인부(20)에는 도시하지 않은 약액 회수 라인과 배기 덕트가 접속되어 있으며, 이것에 의해 내측 챔버(11) 안에서 발생하는 미스트 등이 외측 챔버(12) 안으로 확산되는 것이 방지된다.
스핀척(12)은 회전 플레이트(41)와, 회전 플레이트(41)의 중앙부에 접속되어 회전 플레이트(41)의 하측으로 연장되는 회전 통체(42)를 갖고, 웨이퍼(W)를 지지 하는 지지핀(44a)과 웨이퍼(W)를 유지하는 유지핀(44b)이 회전 플레이트(41)의 주연부에 부착되어 있다. 반송 아암(도시하지 않음)과 스핀척(12)간의 웨이퍼(W)의 주고받음은 이 지지핀(44a)을 이용하여 행해진다. 지지핀(44a)은 웨이퍼(W)를 확실하게 지지하는 관점으로부터 적어도 3 개소에 설치하는 것이 바람직하다. 유지핀(44b)은 반송 아암(도시하지 않음)과 스핀척(12)간의 웨이퍼(W)의 주고받음을 방해하지 않도록, 도시하지 않은 가압 기구에 의해 회전 플레이트(41)의 하부에 위치하는 부분을 회전 플레이트(41)측으로 가압함으로써, 유지핀(44b)의 상선단이 회전 플레이트(41)의 외측으로 이동하도록 경사지게 할 수 있도록 되어 있다. 유지핀(44b)도 웨이퍼(W)를 확실하게 유지하는 관점으로부터 적어도 3개소에 설치하는 것이 바람직하다.
회전 통체(42) 하단부의 외주면에는 벨트(45)가 권취되어 있으며, 벨트(45)를 모터(46)에 의해 구동시킴으로써, 회전 통체(42) 및 회전 플레이트(41)를 회전시켜 유지핀(44b)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있도록 되어 있다.
언더 플레이트(13)는 회전 플레이트(41)의 중앙부 및 회전 통체(42) 안을 관통 삽입하여 설치된 샤프트(지지 기둥)(47)에 접속되어 있다. 샤프트(47)는 그 하단부에 있어서, 수평판(48)에 고정되어 있으며, 이 수평판(48)은 샤프트(47)와 일체적으로 에어실린더 등의 승강 기구(49)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 그리고, 언더 플레이트(13)는 이 승강 기구(49)에 의해, 스핀척(12)과 반송 아암(도시하지 않음)간에 웨이퍼(W)의 주고받음이 행해질 때에는 반송 아암과 충돌하지 않도록 회전 플레이트(41)에 근접하는 위치에 강하되고, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 세 정 처리를 행할 때에는 웨이퍼(W)의 이면에 근접하는 위치로 상승된다. 또한, 이면 세정 처리가 종료된 후에는 적절한 위치로 하강된다. 또한, 언더 플레이트(13)의 높이 위치를 고정하고, 회전 통체(42)를 승강시킴으로써, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)의 상대 위치를 조정하여도 좋다.
언더 플레이트(13) 및 샤프트(47)에는 그 내부를 관통하도록 세정액인 약액이나 린스액인 순수 및 질소 가스를 웨이퍼(W)의 이면을 향해서 공급하는 이면 세정용 노즐(50)이 설치되어 있다. 또한, 언더 플레이트(13)에는 히터(33)가 매설되어 있으며, 도시하지 않은 전원으로부터 전력이 공급됨으로써, 언더 플레이트(13)를 통해 웨이퍼(W)의 온도 제어가 가능하게 되어 있다.
노즐 아암 수납부(3)의 외측 챔버(2)와 인접하는 부분에는 창부(21)가 형성되어 있으며, 이 창부(21)는 제3 샤프트(22)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 노즐 아암 수납부(3)와 외측 챔버(2)의 분위기를 이격할 때는 이 제3 셔터(22)가 폐쇄된다.
노즐 아암 수납부(3)에 수납되어 있는 노즐 아암(31)은 그 기단부에 설치된 구동 장치(54)보다 노즐 아암 수납부(3)와 외측 챔버(2) 내의 웨이퍼(W) 중심부의 상측 위치와의 사이에서 회동 가능 및 상하 이동 가능하게 되어 있으며, 그 선단에는 세정액으로서의 약액, 예컨대 HF계 약액 및 린스액으로서의 순수를 토출하는 액토출 노즐(51)이 설치되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 불활성 가스 인 N2 가스를 토출하는 슬릿 형상의 토출구(52a)를 갖는 N2 가스 토출 노즐(52)이 설치되어 있다. 이 N2 가스 토출 노즐(52)은 수평면에 대한 각도를 조절할 수 있도록 되어 있다.
도 4는 웨이퍼 세정 장치(100)의 유체 공급계를 도시하는 개략도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼의 표면측에 설치되어 있는 액 토출 노즐(51)에는 액 공급 라인(72)이 접속되어 있다. 액 공급 라인(72)에는 각각 밸브(75 및 76)를 통해 약액 공급 라인(73) 및 순수 공급 라인(74)이 접속되어 있으며, 웨이퍼(W)의 표면에 세정액으로서의 약액 및 린스액으로서의 순수를 공급 가능하게 되어 있다. 또한, 순수 공급 라인(74)에는 유량 컨트롤러(74a)가 설치되어 있으며, 린스액으로서의 순수의 유량을 제어 가능하게 되어 있다. 또한, N2 가스 토출 노즐(52)에는 N2 가스 공급 라인(79)이 접속되어 있으며, 라인(79)에는 밸브(80)가 설치되어 있다.
웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부는 도 2에 도시하는 바와 같이, CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러(101)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 프로세스 컨트롤러(101)에는 공정 관리자가 웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(102), 웨이퍼 세정 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(101)의 제어로써 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부(103)가 접속되어 있다.
그리고, 필요에 따라 사용자 인터페이스(102)로부터의 지시 등을 받아 임의 의 레시피를 기억부(103)로부터 호출하여 프로세스 컨트롤러(101)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(101)의 제어하에 웨이퍼 세정 장치(100)에 있어서 원하는 각종 처리가 행해진다. 레시피는, 예컨대 CD-ROM, 하드디스크, 플랙시블 디스크, 비휘발성 메모리 등의 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것이라도 좋으며, 또한, 적합한 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 웨이퍼 세정 장치에 있어서의 세정 처리에 대해서 설명한다. 우선, 하우징(1)에 설치된 제1 셔터(15)와 외측 챔버(2)에 설치된 제2 셔터(17)를 개방하고, 내측 챔버(11)를 후퇴 위치에 유지하며, 언더 플레이트(13)를 회전 플레이트(41)에 근접하는 위치에서 대기시키고, 노즐 아암(31)을 노즐 아암 수납부(3)에 수납시킨 상태로 한다.
이 상태로부터 웨이퍼(W)를 반입하여 웨이퍼(W)의 표리면을 동시에 세정한다. 최초에 웨이퍼(W)의 표면 세정에 대해서 설명한다. 도 5는 웨이퍼(W)의 표면 세정 처리 순서의 일례를 도시하는 흐름도, 도 6a∼6d는 도 5의 각 공정을 설명하기 위한 개략도이다. 우선, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 노즐 아암(31)을 외측 챔버(2) 내에 진입시키고, 액 토출 노즐(51)을 웨이퍼(W)의 표면 중심 상에 위치시키며, 약액 공급 라인(73), 액 공급 라인(72) 및 액 토출 노즐(51)을 통해 웨이퍼(W)의 표면에, 예컨대 HF계의 약액을 공급하여 세정 처리를 행한다(단계 1). 이 때에 소정량의 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 패들(액막)을 형성하여 세정 처리를 진행시켜도 좋고, 약액을 흘리면서 세정을 행하여도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)는 정지 상태에서도 10∼500 rpm 정도로 회전시켜도 좋다.
다음에, 도 6b에 도시하는 바와 같이, 약액 공급 라인(73)을 순수 공급 라인(74)으로 전환하고, 액 토출 노즐(51)로부터 린스액으로서 순수를 공급하여 린스 처리를 행한다(단계 2). 이것에 의해 웨이퍼(W) 표면 상의 약액을 씻어낸다. 이 때의 웨이퍼 회전수는 10∼1500 rpm 정도, 바람직하게는 500∼1500 rpm으로 한다.
그 후, 건조 처리를 행한다(단계 3). 이 건조 처리는 웨이퍼의 회전수를 린스 처리 시간보다 작게 하고, 린스액인 순수를 웨이퍼(W)에 공급하며 스캔하면서 웨이퍼(W)를 건조시키는 슬로우 드라이 단계(단계 3-1)와, N2 가스를 스캔하면서 웨이퍼에 공급하는 N2 스캔 단계(단계 3-2)에 의해 행해진다.
슬로우 드라이 단계(단계 3-1)에서는 웨이퍼(W)의 회전수를 500 rpm 이하로 낮은 값으로부터 저하시키고, 제1 회전수가 되었을 때에, 도 6c에 도시하는 바와 같이, 액 토출 노즐(51)을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부를 향하여 스캔시키면서 순수로 이루어지는 린스액을 웨이퍼(W)에 공급한다. 그리고, 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 린스액의 공급을 정지한다. 제2 회전수에 도달한 시점에서 순수의 공급 위치는 웨이퍼 주연부에 도달하고 있다. 또한, 이와 같이 린스액인 순수의 스캔시에 유량 컨트롤러(74a)에 의해, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 이동함에 따라 단계적으로 또는 서서히 순수의 공급량을 감하도록 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 액 잔류를 보다 저감할 수 있다.
그 후, 제2 회전수로부터 웨이퍼(W)의 회전수를 상승시켜 가고, 웨이퍼의 회 전수가 500 rpm 이하의 소정 회전수가 되었을 때에, N2 스캔 단계(단계 3-2)가 개시된다. 이 N2 스캔 단계(단계 3-2)에서는 웨이퍼의 회전수를 500 rpm 이하의 소정의 값으로 유지하면서, 도 6d에 도시하는 바와 같이, N2 가스 토출 노즐(52)을 최초에 웨이퍼(W)의 중심에 위치시키고, 주연부를 향하여 스캔시키면서 N2 가스를 웨이퍼(W)에 토출한다.
건조 공정(단계 3)은 구체적으로는 도 7에 도시하는 바와 같은 레시피로 행하는 것이 바람직하다. 도 7은 단계 3의 건조 처리 공정의 바람직한 예를 설명하는 타이밍차트이다. 우선, 단계 2의 린스 공정을 웨이퍼(W)의 회전수를 500∼1500 rpm의 범위에서 행한 후, 단계 3-1을 실시한다. 단계 3-1에서는 린스 공정 종료 시점으로부터 린스액인 순수를 웨이퍼(W)의 대략 중심에 공급한 상태에서 웨이퍼(W)의 회전수를 직선적으로 저하시키고, 웨이퍼(W)의 회전수가 바람직하게는 30∼100 rpm(제1 회전수)에 도달한 시점에서 웨이퍼(W)의 중심에 있는 액 토출 노즐(51)로부터 린스액으로서의 순수의 토출을 계속하면서 액 토출 노즐(51)을 주연부를 향하여 스캔시킨다. 순수를 토출시키고 있는 사이에도 웨이퍼(W)의 회전수가 저하되어 가고, 웨이퍼(W)의 회전수가 10∼30 rpm(제2 회전수)이 된 시점에서 액 토출 노즐(51)이 주연부에 도달하도록 하여, 그 시점에서 순수의 토출을 정지한다. 이 스캔 린스의 시간은 10∼100초 정도이다. 그리고, 그곳으로부터 웨이퍼(W)의 회전수를 상승시키고, 또한 건조시켜 60∼500 rpm의 범위 내의 소정의 값(제3 회전수)이 되었을 때에, 그 회전수를 유지하면서 전술한 단계 3-2의 N2 스캔 단계를 개시한다. 그리고, 소정 시간, 예컨대 30∼80초 정도에 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부까지 스캔하고, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 물을 외측으로 이동시키며, 마지막으로 웨이퍼(W)의 외측으로 몰아낸다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 건조 공정이 종료된다.
이러한 건조 공정을 행하는 것은 이하와 같은 이유 때문이다.
HP계 약액에 의해 세정하는 등에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 소수화되었을 때에, 종래와 같이 고속 회전에 의해 털기 건조를 행한 경우, 원심력이 큰 웨이퍼(W)의 외측 부분은 조기에 건조되지만, 원심력이 작은 중심 부분은 린스액으로서의 순수가 잔존하고, 그 중심 부분의 순수가 건조된 외측 부분에 도달한 상태에서 그대로 건조하면 그 부분에 파티클이 남는다. 또한, 중심 부분에 잔존한 순수가 그대로 건조됨으로써 역시 파티클이 남는다. 또한, 고속 회전에 의해 챔버벽 등에 충돌하여 튀어 오른 미스트가 웨이퍼(W)에 부착됨으로써도 파티클이 발생한다. 이것에 대하여, 상기 실시 형태와 같이 웨이퍼(W)를 저속으로 회전시켜 린스액인 순수를 중심으로부터 주연부를 향하여 스캔하면서 공급함으로써, 국부적인 건조를 방지하면서 웨이퍼상의 순수를 외측으로 몰아내고, 그 후 린스액을 정지하여 웨이퍼(W)를 저속으로 회전시킴으로써, 미스트의 튀어 오름이 발생하지 않고, 또한 균일하게 건조가 진행된다. 웨이퍼(W)의 회전수가 린스시의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 된 시점에서 린스액의 스캔을 개시하는 것은 린스시의 회전수이면 린스액의 비산이 발생하기 때문이다. 단, 제2 회전수로 스캔을 개시시킨 것으로는 원심력이 너무 약하여 웨이퍼(W)의 중심부가 건조되지 않는다. 또한, 보다 낮은 제2 회전수로 스캔을 종료하는 것은 액 공급 노즐이 웨이퍼 주연 부근에 이르렀을 때에 웨이퍼(W)의 회전수가 스캔 개시시의 제1 회전수이면 웨이퍼 주연부에서의 튀어 오름, 웨이퍼(W)를 유지하는 척에서의 튀어 오름 등에 의해 미스트가 재부착하기 때문이다.
웨이퍼(W)가 패턴이 형성되어 있지 않은 베어 웨이퍼인 경우에는, 여기까지의 단계 3-1이 종료된 시점에서 충분히 웨이퍼(W)의 표면을 건조시킬 수 있다. 그러나, 패턴이 있는 웨이퍼의 경우에는 소수 부분과 친수 부분이 혼재하게 되며, 상기 단계 3-1만으로는 패턴의 내부에 잔존한 순수를 건조시키기 어려운 경우가 있다. 그 때문에, 단계 3-2를 행하지만, 이 단계 3-2에서는 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전수를 비교적 저속으로 하여 N2 가스를 공급한다. 또한, N2 가스를 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부를 향하여 스캔함으로써, 웨이퍼(W)에 잔존하고 있는 순수를 웨이퍼(W)의 외측을 향하여 몰아낼 수 있고, 웨이퍼(W)의 표면을 대략 완전히 건조시킬 수 있다. 이 때에, 웨이퍼(W)의 회전수가 비교적 저속이기 때문에, 척 등에 부착한 수분이 미스트가 되고, 이것이 웨이퍼(W)에 부착하여 파티클이 되는 것도 억제된다.
또한, N2 가스 토출 노즐(52)을 슬릿 형상의 토출구(52a)를 갖는 것으로 함으로써, 이하와 같은 이점을 얻을 수 있다. 즉, 일반적인 원형 노즐을 사용한 경우에는 도 8에 도시하는 바와 같이, 노즐을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부를 향하여 스캔하면, 그 때에, 웨이퍼(W) 표면에 남아 있던 순수는 노즐로부터의 N2 가스에 의해 물방울이 되어 사방팔방으로 비산되고, 웨이퍼(W) 표면의 중앙부에 비산된 물방울은 잔존하여 파티클이 되어 버리는 경우가 있다. 이것에 대하여, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 슬릿 노즐로 함으로써, 도 9에 도시하는 바와 같이, 방향 제어성이 좋고, 순수를 확실하게 외측을 향하여 날려 버릴 수 있다. 또한, 원형 노즐보다도 토출 영역을 넓게 할 수 있으며, 또한 N2 가스 속도를 높게 할 수 있기 때문에, 회전수를 보다 작게 하여 건조를 행할 수 있어서, 건조 효율이 높다. 또한, N2 가스의 공급에 있어서, 반드시 전술한 바와 같은 스캔을 행하지 않아도 좋고, 그와 같은 경우라도 일정한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 슬릿 형상의 토출구(52a)로부터의 N2 가스 토출 방향은 대별하여, 도 10a에 도시하는 바와 같은 웨이퍼(W)의 회전 순방향, 도 10b에 도시하는 바와 같은 회전 역방향, 도 10c에 도시하는 바와 같은 외측 방향의 3 종류를 생각할 수 있지만, 도 10c의 외측 방향이 가장 건조 효율이 높다. 이것은 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서 물방울을 날리는 힘이 최대가 되기 때문이라고 생각할 수 있다.
실제로 열산화막이 형성된 웨이퍼(W)에 대한 건조 실험을 행한 바, 원형 노즐에서는 300 rpm으로도 충분히 건조되지 않고, 충분히 건조시키기 위해서는 400 rpm 이상의 회전수가 필요한 데 대하여, 슬릿 형상의 노즐에서는 300 rpm으로 충분히 건조되며, 특히, 도 10c의 외측 방향으로 토출한 경우에는 60 rpm에서 건조 가능하였다. 이와 같이, 슬릿 형상의 노즐을 사용하는 효과가 확인되었다.
한편, 이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 표면 세정 처리를 행하고 있는 사이에, 웨이퍼(W) 이면의 세정이 행해진다. 최초에 언더 플레이트(13)가 웨이퍼(W)의 반입에 방해되지 않도록, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭은 4 ㎜ 이상, 예컨대 10 mm 이상으로 해 두고, 계속해서, 언더 플레이트(13)를 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 근접한 위치까지 상승시켜 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 사이의 갭을 0.5∼3 ㎜, 예컨대 0.8 ㎜로 설정한다.
계속해서, 상기 단계 1의 사이에, 이면 세정용 노즐(50)을 통해 세정액으로서 소정의 약액을 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭에 공급하여 세정 처리를 행한다.
약액에 의한 세정 처리가 종료된 후, 상기 단계 2의 개시 타이밍과 동기하여, 이면 세정용 노즐(50)을 통해 웨이퍼(W) 이면과 언더 플레이트(13) 사이에 린스액으로서 순수를 공급한다. 계속해서, 언더 플레이트(13)를 하강시키지만, 그 때에 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이가 진공이 되어 웨이퍼(W)가 구부러지거나 부서지거나 하는 것을 방지하기 위해 언더 플레이트(13)를 하강시키기 전에 이면 세정용 노즐(50)을 통해 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이에 N2 가스를 공급하고, 이들 사이에 형성되어 있는 액막을 파괴하는 것이 바람직하다. 언더 플레이트(13)를 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭을 1.5∼4 ㎜, 예컨대 1.5 ㎜로 넓히고, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이에 린스액으로서 순수를 공급하여 린스 처리를 행한다. 이 린스 처리까지의 일련의 공정은 상기 단계 2 의 린스 공정에 대응하여 행해진다.
그 후, 순수의 공급을 정지하고, 언더 플레이트(13)를 더욱 하강시켜, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭을 4 ㎜ 이상, 예컨대 10 ㎜로 하고, 상기 단계 3의 타이밍으로 털기 건조를 행한다. 이 때, 표면 세정시와 동일하게, 건조를 촉진하기 위해 N2 가스를 공급하도록 하여도 좋다.
이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 표면 및 이면의 세정이 종료된 후, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭을 4 ㎜ 이상, 예컨대 10 ㎜로 유지한 상태에서, 도시하지 않은 반송 아암을 웨이퍼(W)의 하측에 삽입하고, 웨이퍼(W)를 반송 아암에 넘긴다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 일 없이, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시 형태에서는 기판으로서의 웨이퍼의 표면 및 이면을 동시에 세정하는 경우의 표면 세정에 본 발명을 적용한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 표면 세정만을 실시하는 경우에 적용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태와 같이 소수성 부분을 갖는 기판에 대하여 특히 유효하지만, 친수성 웨이퍼에도 적용 가능하다.
또한, 건조를 촉진하는 가스로서 불활성 가스인 N2 가스를 이용하였지만, 다른 불활성 가스라도 좋다. 또한, 기판 표면에 악영향을 미치지 않는 것이라면, 공기 등의 다른 가스라도 좋다. 이 경우에, 공급하는 가스로서는 수분이 제거된 건조가스인 것이 바람직하다. 또한, 상기 실시 형태에서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우에 대해서 나타내었지만, 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 기판 등, 다른 기판에 물론 적용 가능할 수 있다.
본 발명은 표면에 소수성 부분을 갖는 여러 가지의 기판, 예컨대 패턴을 갖는 기판이나 소수성 부분 및 친수성 부분이 혼재하고 있는 기판 등의 세정 처리에 적합하다. 또한, 친수성 기판에 적용하여도 동일하게 높은 파티클 억제 효과를 얻을 수 있고, 기판의 종류를 막론하고 파티클 억제 효과를 얻을 수 있다는 이점을 얻을 수 있다.

Claims (19)

  1. 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 단계와, 그 후 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 기판을 건조하는 단계는,
    기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키는 단계와,
    기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하는 단계와,
    상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하는 단계와,
    상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키는 단계와,
    상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하는 단계를
    포함하는 것인 기판 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 회전수로 감속시킬 때에, 기판의 중심부에 액을 공급하는 것인 기판 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 기판의 회전수가 상기 제2 회전수일 때에, 액의 공급 위치가 기판의 주연부인 것인 기판 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치를 이동시킬 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급량이 적어지도록 하는 것인 기판 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가스를 기판에 공급할 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 가스를 공급하는 것인 기판 세정 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가스를 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 공급할 때의 기판의 회전수는 상기 세정시의 기판의 회전수보다도 낮은 것인 기판 세정 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판을 세정하는 단계는 기판의 표면에 약액을 공급하여 약액 세정하는 단계와, 세정 후의 기판을 회전시키면서, 그 표면에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 것인 기판 세정 방법.
  8. 제7항에 있어서, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 공급 위치를 이동시키면서 기판에 공급되는 액은 린스액인 것인 기판 세정 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 회전수는 500 rpm 이하인 것인 기판 세정 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 회전수가 30∼100 rpm, 상기 제2 회전수가 10∼30 rpm이며, 가스를 공급할 때의 기판의 회전수가 60∼500 rpm인 것인 기판 세정 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 회전수로부터 상기 제2 회전수에 도달할 때까지, 기판의 회전수가 직선적으로 감소하고, 기판의 회전수가 상기 제2 회전수로부터 가스의 공급을 개시할 때까지, 직선적으로 증가하며, 그 회전수로 기판의 회전을 유지하면서 기판에 가스를 공급하는 것인 기판 세정 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 가스는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 노즐을 이용하여 공급되는 것인 기판 세정 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 노즐은 가스가 기판의 직경 방향 외측을 향하여 토출되도록 설치되어 있는 것인 기판 세정 방법.
  14. 제1항에 있어서, 기판의 표면이 소수성 부분을 포함하는 것인 기판 세정 방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 약액으로서 플루오르화수소산계의 약액을 이용하는 것인 기판 세정 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 가스는 불활성 가스인 것인 기판 세정 방법.
  17. 기판의 표면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평으로 또한, 회전 가능하게 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    액 노즐을 통하여 상기 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 세정 기구와,
    가스 노즐을 통해 기판의 표면에 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
    적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하고, 그 후 기판을 회전시켜 기판을 건조시키도록 상기 회전 기구, 상기 세정 기구, 상기 가스 공급 기구를 제어하는 제어 기구를 구비하며,
    상기 제어 기구는 건조시에 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키고, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하고, 상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하며, 상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키고, 상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하도록 제어하는 기판 세정 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 세정 기구는 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 갖는 약액 공급 기구와, 기판의 표면 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 갖는 린스액 공급 기구를 구비하고,
    상기 제어 기구는 세정시에 약액 노즐로부터 기판 표면에 약액을 공급하여 기판을 세정하고, 계속해서 린스액 노즐로부터 기판 표면에 린스액을 공급하여 세정 후의 기판을 린스하도록 제어하는 것인 기판 세정 장치.
  19. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은 실행시에 적어도 일부 기간에 있어서 기판을 회전시키면서, 기판의 표면에 액을 공급하여 세정하는 단계와, 그 후 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판을 건조하는 단계는 기판의 회전수를 기판을 세정할 때의 회전수보다도 낮은 제1 회전수로 감속시키는 단계와, 기판의 회전수가 상기 제1 회전수까지 감속되었을 때에, 기판의 중심으로부터 주연부를 향하여 액의 공급 위치의 이동을 개시하는 단계와, 상기 제1 회전수보다 낮은 제2 회전수에 도달한 시점에서 액의 공급을 정지하는 단계와, 상기 제2 회전수로부터 회전수를 증가시키는 단계와, 상기 제2 회전수보다 높은 회전수로 기판을 회전시키면서 기판을 향하여 가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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