JP2020098833A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理槽内における基板処理の面内ばらつきを低減する技術を提供する。【解決手段】内槽３４１と、内槽３４１の外周部に設けられる外槽３４３と、内槽３４１と外槽３４３とを接続する第１配管５０と、第１配管５０を通過するリン酸水溶液を加熱するヒーター５２と、第１配管５０におけるヒーター５２と内槽３４１との間に設けられる開閉バルブ５１３と、第１配管５０におけるヒーター５２と内槽３４１との間の配管部、および外槽３４３とを接続する第２配管６０と、第２配管６０に設けられる開閉バルブ６１とを備える。【選択図】図２

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。特に、槽に貯留された処理液に基板を浸漬させて処理する技術に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置および有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、プリント基板などが含まれる。
半導体装置の製造工程には、処理槽に貯留されたリン酸水溶液に半導体ウエハを浸漬し、基板の表面に形成されたシリコン窒化膜をエッチングする、いわゆるウエットエッチングが行われる場合がある。このようなウエットエッチングを行う基板処理装置は、例えば特許文献１に記載されている。
特許文献１の基板処理装置は、基板が浸漬されるリン酸水溶液を貯留した内槽と、内槽の上部からオーバーフローしたリン酸水溶液を回収する外槽と、外槽と内槽とを接続する循環配管とを備えている。循環配管には、循環ポンプ、ヒーター、およびフィルターが設けられている。循環配管は、外槽から汲み出されたリン酸水溶液を加熱および濾過して内槽に戻す。循環配管が設けられていることによって、基板が浸漬される内槽のリン酸水溶液の温度が所望の温度に保たれるとともに、エッチングによって析出した異物が濾過される。
特開２０１３−０２１０６６号公報
しかしながら、従来技術の場合、リン酸水溶液が内槽に戻されることによって、内槽においてリン酸水溶液の流動が不均一に発生する可能性があった。このように、内槽において不均一な流動が発生すると、リン酸水溶液中において、リン酸濃度または基板から溶出したシリコンの濃度にばらつきが生じるおそれがあり、これによって、基板のエッチング量が面内でばらつくおそれがあった。
そこで、本発明は、処理槽内における基板処理の面内ばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、第１態様は、基板を処理する基板処理装置であって、上部に第１開口を有する有底筒状の内槽と、前記内槽の外周部に設けられ、上部に第２開口を有する有底筒状の外槽と、前記内槽の内部と前記外槽の内部とを接続する第１配管と、前記第１配管に設けられ、前記外槽から前記内槽へ向けて処理液を送るポンプと、前記第１配管に設けられ、前記第１配管を通過する前記処理液を加熱するヒーターと、前記第１配管における前記ヒーターと前記内槽との間の配管部、および前記外槽とを接続する第２配管と、前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通過する前記処理液の流量を変更する第２配管用バルブとを備える。
第２態様は、第１態様の基板処理装置であって、前記第１配管の一端が前記内槽の底部に接続されている。
第３態様は、第１態様または第２態様の基板処理装置であって、前記第１配管における前記ヒーターと前記内槽との間に設けられ、前記第１配管を通過する前記処理液の流量を変更する第１配管用バルブ、をさらに備え、前記第１配管用バルブが、前記第１配管における前記第２配管につながる部分と前記内槽との間に設けられている。
第４態様は、第３態様の基板処理装置であって、前記第１配管用バルブおよび前記第２配管用バルブに接続され、前記第１配管用バルブおよび前記第２配管用バルブを制御する制御部をさらに備える。
第５態様は、第４態様の基板処理装置であって、前記制御部は、前記第１配管用バルブを開放し、かつ前記第２配管用バルブを閉鎖する第１循環制御処理と、前記第１配管用バルブ、および前記第２配管用バルブを開放する第２循環制御処理とを実行する。
第６態様は、第３態様から第５態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記第１配管は、前記第１配管における前記ヒーターと前記第１配管用バルブとの間の分岐部から分岐して前記内槽につながるバイパス配管、を含み、前記バイパス配管に設けられ、前記バイパス配管を通過する前記処理液の流量を変更するバイパス配管用バルブ、をさらに備え、前記第２配管が、前記バイパス配管における前記分岐部と前記バイパス配管用バルブとの間に接続されている。
第７態様は、第１態様から第６態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記第２配管が前記第２開口を通って前記外槽の内部に接続されている。
第８態様は、第１態様から第７態様のいずれか１つの基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、ａ）基板を前記内槽に貯留された前記処理液に浸漬すること、ｂ）前記工程ａ）において、前記第１配管を通過する前記処理液を前記内槽に戻すとともに、前記第１配管を通過する前記処理液を前記第２配管を通じて前記外槽に戻すこと、ｃ）前記工程ｂ）において、前記第１配管を通過する前記処理液を加熱することを含む。
第１態様の基板処理装置によると、内槽からあふれて外槽に移動した処理液を、第１配管によって内槽に戻す循環流を形成できる。また、第２配管用バルブを開放することによって、第１配管から第２配管へ処理液を移動させて、外槽に戻すことができる。これにより、内槽に戻る処理液の量を減らすことができるため、内槽における処理液の流動を低減できる。したがって、基板処理における面内ばらつきを低減できる。
第２態様の基板処理装置によると、内槽の底部に処理液を戻すことができる。これにより、処理液循環による内槽における処理液の流動を低減できる。
第３態様の基板処理装置によると、第１配管用バルブによって、第１配管から内槽への処理液の流通、および第１配管から第２配管への処理液の流通を制御できる。
第４態様の基板処理装置によると、第１配管用バルブおよび第２配管用バルブの動作を制御部によって制御できる。
第５態様の基板処理装置によると、制御部が第１循環制御処理を実行することにより、第１配管を通じて外槽から内槽へ処理液を移動させることができる。また、制御部が第２循環制御処理を実行することにより、第１配管を通じて外層から内槽へ処理液を移動させることができるとともに、第１配管および第１配管から分岐して延びる第２配管を通じて外槽から外槽へ処理液を移動させることができる。このため、外層から内槽へ移動する処理液の量を小さくすることができる。
第６態様の基板処理装置によると、第１配管用バルブを閉鎖し、第２配管用バルブおよびバイパス配管用バルブを開放することによって、内槽へ戻る処理液の一部を、第２配管へ移動させて、外槽に導くことができる。これにより、内槽に流入する処理液の量を低減できる。
第７態様の基板処理装置によると、第２配管により、外槽の上側から処理液を戻すことができる。
第８態様の基板処理方法によると、内槽からあふれて外槽に移動した処理液を、第１配管によって内槽に戻す循環流を形成できる。また、第２配管用バルブを開放することによって、第１配管から第２配管へ処理液を移動させて、外槽に戻すことができる。これにより、内槽に戻される処理液の量を減らすことができるため、内槽における処理液の流動を低減できる。したがって、基板処理における面内ばらつきを低減できる。
実施形態の基板液処理装置１００を示す図である。 エッチング処理装置１の構成を模式的に示す図である。 エッチング処理装置１におけるエッチング処理時の各要素の動作状況を説明するためのタイミングチャートである。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
本願において、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「〜の上」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む。
＜実施形態＞
図１は、実施形態の基板液処理装置１００を示す図である。図１では、各要素の位置関係を説明するために、ＸＹＺ直交座標系を定義している。Ｘ軸およびＹ軸は水平面に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、図１において、矢印の先端が向く方を＋（プラス）方向とし、その逆方向を−（マイナス）方向とする。
基板液処理装置１００は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６、制御部７とを備えている。キャリア搬入出部２は、複数枚（例えば２５枚）のシリコンウエハである基板Ｗを水平姿勢（基板Ｗの両主面が水平面に平行となる姿勢）で上下（Ｚ軸方向）に並べて収容したキャリア９の搬入および搬出を行う。
キャリア搬入出部２には、キャリアステージ１０、キャリア搬送機構１１、キャリアストック１２，１３、およびキャリア載置台１４が設けられている。キャリアステージ１０には、Ｙ軸方向に沿って複数のキャリア９が載置される。キャリア搬送機構１１は、キャリア９の搬送を行う。キャリアストック１２，１３は、１つのキャリア９を一時的に収容される。キャリア載置台１４には、キャリア９が載置される。キャリアストック１２は、製品となる基板Ｗをロット処理部６で処理する前に一時的に収容する。キャリアストック１３は、製品となる基板Ｗをロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。
キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１でキャリアストック１２またはキャリア載置台１４に搬送する。キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１でキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３は、１つまたは複数のキャリア９に収容された複数の基板Ｗを組合せて同時に処理される枚数（たとえば、５０枚）の基板Ｗからなるロットを形成する。ロット形成部３は、ロットを形成する際に、各基板Ｗの表面にパターンが形成されている面どうしを互いに対向させてもよい。また、ロット形成部３は、ロットを形成する際に、各基板Ｗのパターン形成面がすべて一方を向くようにしてもよい。
ロット形成部３には、同時に複数枚の基板Ｗを搬送する基板搬送機構１５が設けられている。基板搬送機構１５は、基板Ｗの搬送途中で基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢（基板Ｗの両主面が鉛直面に平行となる姿勢）および垂直姿勢から水平姿勢に変更する機構を備えている。
ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板Ｗをロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板Ｗをロット載置部４に載置する。ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。基板搬送機構１５は、複数枚の基板Ｗを支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板Ｗを支持する第１基板支持部、および処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板Ｗを支持する第２基板支持部を有している。第１および第２基板支持部を備えることによって、処理前の基板Ｗから取れたパーティクルなどが処理後の基板Ｗに付着することを抑制できる。
ロット載置部４は、ロット搬送部５がロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットが、一時的に載置するためのロット載置台１６を備えている。また、ロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７、および処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８が設けられている。載置台１７，１８の各々には、１ロット分の複数枚の基板Ｗが垂直姿勢でＹ軸方向に並べて載置される。
ロット載置部４では、ロット形成部３で形成されたロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５によってロット処理部６に搬入される。ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５によって搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４およびロット処理部６の間で、あるいはロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０、複数枚の基板Ｗを保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１、および移動体２１を移動させるモータを含む。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板Ｗを保持する基板保持体２２が設けられている。移動体２１は、基板保持体２２をＹ軸方向に進退させるモータなどを含む機構を有する。
ロット処理部６は、垂直姿勢でＹ軸方向に並ぶ複数枚の基板Ｗを１ロットとしてエッチング、洗浄および乾燥などの処理を行う。ロット処理部６には、＋Ｘ方向に向かって順に、乾燥処理装置２３、基板保持体洗浄処理装置２４、洗浄処理装置２５、および複数（本例では２つ）のエッチング処理装置１が配置されている。
乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを有する。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）など）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板Ｗが垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板Ｗの乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。
基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９、および当該処理槽２９に洗浄用の処理液および乾燥ガスを供給する供給機構を有する。基板保持体洗浄処理装置２４は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置２５は、基板Ｗの洗浄処理を行う。洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１（アンモニア過酸化水素水混合液）など）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水など）が貯留される。
各エッチング処理装置１は、基板Ｗのエッチング処理を行う。エッチング処理装置１は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有する。各処理槽３４，３５には、基板昇降機構３６，３７が設けられている。エッチング用の処理槽３４は、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）を内部に貯留できる。リンス用の処理槽３５は、リンス用の処理液（純水など）を内部に貯留できる。
洗浄処理装置２５とエッチング処理装置１は、例えば同一の構成を有する。エッチング処理装置１について説明すると、基板昇降機構３６は、１つのロット分の複数枚の基板Ｗを垂直姿勢で前後に並べて保持する。エッチング処理装置１では、基板昇降機構３６、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを受け取る。そして、基板昇降機構３６がそのロットを下降させることによって、ロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させる。これにより、基板Ｗのエッチング処理が行われる。エッチング処理の後、基板昇降機構３６がロットを上昇させるとともに、そのロットを基板保持体２２に渡す。その後、基板昇降機構３７が、基板保持体２２からロットを受け取る。そして、基板昇降機構３７がそのロットを下降させることによって、そのロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させる。これにより、基板Ｗのリンス処理が行われる。リンス処理の後、基板昇降機構３７はロットを上昇させるとともに、そのロットを基板保持体２２に渡す。
制御部７は、基板液処理装置１００の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、エッチング処理装置１）に接続されており、これらの動作を制御する。制御部７のハードウェア構成は、例えば一般的なコンピュータと同一である。すなわち、制御部７は、ＣＰＵ（プロセッサー）、ＲＯＭ、ＲＡＭ（メモリー）、および固定ディスクを備えている。ＣＰＵは、各種演算処理を行う演算回路を含む。ＲＯＭは、基本プログラムを記憶している。ＲＡＭは、各種情報を記憶する揮発性の主記憶装置である。固定ディスクは、ＣＰＵが実行することが可能なプログラムまたはデータなどを記憶する補助記憶装置である。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、および固定ディスクは、バスラインで接続されている。
制御部には、画像を表示する表示部、およびキーボードまたはマウスなどを含む操作部が接続される。表示部は、タッチパネルで構成されていてもよく、この場合、表示部は操作部としても機能する。制御部のバスラインには、読取装置および通信部が接続されてもよい。読取装置は、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスクなどのコンピュータ読み取り可能な非一過性の記録媒体から情報の読み取りを行う。通信部は、制御部７と他のコンピュータ（サーバーなど）との間で情報通信を可能にする。プログラムが記録された記録媒体を読取装置で読み取ることにより、当該プログラムが制御部７に提供される。なお、プログラムは、通信部を介して制御部７に提供されてもよい。
図２は、エッチング処理装置１の構成を模式的に示す図である。エッチング処理装置１は、処理液として所定濃度のリン酸水溶液を貯留する前述した処理槽３４を有している。処理槽３４は、内槽３４１および外槽３４３を有している。内槽３４１は、上部の縁で構成される第１開口３４１Ｐを有する有底筒状に形成されている。外槽３４３は、内槽３４１の外周部に設けられ、上部の縁で構成される第２開口３４３Ｐを有する有底筒状に形成されている。また、外槽３４３は、内槽３４１の外周部全体を取り囲むループ状に形成されている。内槽３４１がリン酸水溶液で満タンになると、余剰のリン酸水溶液が第１開口３４１Ｐからあふれる。そして、あふれたリン酸水溶液が、第２開口３４３Ｐを通じて外槽３４３の内部に流入する。
外槽３４３の内部には、第１配管５０の一端が接続されている。本例では、第１配管５０の一端は、外槽３４３の上方から、第２開口３４３Ｐを通って下方に延びて、外槽３４３の内部に延在している。すなわち、第１配管５０の一端の開口は、第２開口３４３Ｐよりも下方に設けられている。第１配管５０の他端は、内槽３４１の内部に接続されている。本例では、第１配管５０の他端は、内槽３４１の底部３４１Ｂ（内槽３４１の深さ方向の底面）に接続されている。第１配管５０には、上流側（外槽３４３側）から順に、濃度検出器５０１、ポンプ５１、開閉バルブ５１１、ヒーター５２、フィルター５３、および開閉バルブ５１３が設けられている。
濃度検出器５０１は、第１配管５０を通過するリン酸水溶液中におけるリン酸濃度を検出する。濃度検出器５０１は、例えばリン酸水溶液の特定波長の光の吸光度を測定することによって、リン酸水溶液中のリン酸濃度を検出する。濃度検出器５０１は、外槽３４３から排出されたリン酸水溶液中におけるリン酸濃度を検出する。濃度検出器５０１は、制御部７に接続されており、検出されたリン酸濃度に応じた検出信号を制御部７に送信する。
ポンプ５１は、第１配管５０を通じて、外槽３４３の内部からリン酸水溶液を排出し、当該リン酸水溶液を内槽３４１の内部に送る。ヒーター５２は、第１配管５０を通過するリン酸水溶液を加熱する。フィルター５３は、第１配管５０を通過するリン酸水溶液を濾過する。ポンプ５１の駆動によって、外槽３４３から排出されたリン酸水溶液が、内槽３４１へ移動する。そして、内槽３４１でオーバーフローしたリン酸水溶液が、再び外槽３４３へ流出する。このようにして、エッチング処理装置１において、リン酸水溶液の循環流が形成される。
開閉バルブ５１１，５１３は、例えば電動式または電磁式のバルブであって、第１配管５０における処理液の流通をオンオフ制御する。「流通をオンオフ制御する」とは、配管内における処理液の流通を、流通可能な状態と流通不能な状態との２つの状態間で制御することをいう。開閉バルブ５１１，５１３は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉動作が制御される。
図２に示すように、基板昇降機構３６は、複数の基板Ｗを垂直に起立した姿勢で水平方向に間隔をあけて配列させた状態で保持する保持具（不図示）を備えている。また、基板昇降機構３６は、当該保持具で各基板Ｗを保持した状態で、上位置Ｐｏｓ１と下位置Ｐｏｓ２の間で昇降する昇降モーター（不図示）を備えている。
第１配管５０は、バイパス配管５５を有している。本例では、バイパス配管５５の一端は、第１配管５０におけるフィルター５３と開閉バルブ５１３（第１配管用バルブ）との間の配管部の分岐部５３１に接続されている。また、バイパス配管５５の他端は、第１配管５０における開閉バルブ５１３と内槽３４１との間の接続部５３３に接続されている。すなわち、バイパス配管５５は、第１配管５０におけるヒーター５２と開閉バルブ５１３との間の分岐部５３１から分岐して、内槽３４１につながっている。なお、バイパス配管５５の他端は、直に内槽３４１（例えば、底部３４１Ｂ）に接続されていてもよい。
第１配管５０のバイパス配管５５には、上流側（分岐部５３１側）から順に、開閉バルブ５７、流量制御バルブ５８、および流量検出器５９が設けられている。開閉バルブ５７および流量制御バルブ５８は、制御部７に接続されており、制御部７からの制御信号に応じて動作する。開閉バルブ５７は、バイパス配管５５を流通するリン酸水溶液の流通をオンオフ制御し、流量制御バルブ５８は、バイパス配管５５を流通するリン酸水溶液の流量を調整する。「流量を調整する」とは、少なくとも処理液を流通させる状態において、その流量を変更することをいう。流量制御バルブ５８として、例えば電動式のニードル弁を採用してもよい。流量検出器５９は、バイパス配管５５を流通するリン酸水溶液の流量を検出する。流量検出器５９は、制御部７に接続されており、検出された流量に応じた検出信号を制御部７に送信する。流量検出器５９として、例えば配管の外側から超音波を用いて配管内の流量を検出する超音波流量計を採用してもよい。
エッチング処理装置１は、第２配管６０を備えている。第２配管６０は、第１配管５０と外槽３４３とを接続する配管経路を構成している。本例では、第２配管６０の一端は、第１配管５０の一部であるバイパス配管５５の経路途中に接続されている。より具体的には、第２配管６０の一端は、第１配管５０のバイパス配管５５における開閉バルブ５７との間の配管部に接続部６０１を介して接続されている。第２配管６０の他端は、外槽３４３の内部に接続されている。本例では、第２配管６０の他端は、外槽３４３の上方から第２開口３４３Ｐを通って下方に延びて外槽３４３の内部に延びている。
第２配管６０の経路途中には、開閉バルブ６１が設けられている。開閉バルブ６１は、制御部７に接続されており、制御部７からの制御信号に応じて、第２配管６０におけるリン酸水溶液の流通をオンオフ制御する。
本例では、制御部７は、開閉バルブ５１１，５１３を開放し、開閉バルブ５７，６１を閉鎖する第１循環制御処理を行う。この第１循環制御処理では、外槽３４３から排出されるリン酸水溶液と等量のリン酸水溶液が内槽３４１に戻される。
また、本例では、制御部７は、開閉バルブ５１１，５７，６１を開放し、開閉バルブ５１３を閉鎖する第２循環制御処理を行う。この第２循環制御処理では、外槽３４３から排出されるリン酸水溶液のうち、一部が第１配管５０のバイパス配管５５を介して内槽３４１戻されるとともに、残りが第２配管６０を介して外槽３４３に戻される。より詳細には、第１配管５０を介して外槽３４３から排出されたリン酸処理液は、開閉バルブ５１３が閉鎖されていることによって、分岐部５３１を通じてバイパス配管５５に導かれる。バイパス配管５５に導かれたリン酸水溶液のうち、一部はバイパス配管５５から接続部６０１を介して第２配管６０に流入し、外槽３４３に導かれる。また、残りのリン酸水溶液は、バイパス配管５５および接続部５３３を介して、内槽３４１に導かれる。
このように、制御部７による第１または第２循環制御処理において、開閉バルブ５１３は、第１配管５０を通過する処理液の流量を変更する第１配管用バルブとして機能する。また、開閉バルブ６１は、第２配管６０を通過する処理液の流量を変更する第２配管用バルブとして機能する。さらに、開閉バルブ５７または流量制御バルブ５８は、バイパス配管５５を流通する処理液の流量を変更するバイパス配管用バルブとして機能する。なお、「流量を変更する」とは、開閉バルブによって液体の流通をオンオフ制御する場合のほか、流量調整バルブによって流量を調整する場合も含む概念である。
制御部７が、第２循環制御処理を行うときに、流量検出器５９の検出結果に応じて流量制御バルブ５８を制御することによって、内槽３４１に戻されるリン酸水溶液の流量を調整することができる。すなわち、流量制御バルブ５８の開口を大きくすることで内槽３４１に戻されるリン酸水溶液の流量を増加でき、流量制御バルブ５８の開口を小さくすることで内槽３４１に戻されるリン酸水溶液の流量を低下できる。
なお、流量制御バルブ５８によって、バイパス配管５５におけるリン酸水溶液の流通がオンオフ制御されてもよい。この場合、開閉バルブ５７は省略してもよい。また、流量制御バルブ５８を設けることは必須ではない。流量制御バルブ５８を省略する場合、バイパス配管５５を流れるリン酸水溶液の流量を調整せず、開閉バルブ５７によってリン酸水溶液の流通がオンオフ制御される。さらに、バイパス配管５５を設けることは必須ではなく、省略してもよい。バイパス配管５５を省略する場合、第２配管６０の一端（接続部６０１）を、例えば第１配管５０におけるヒーター５２と内槽３４１との間（例えば、分岐部５３１の位置）に直に接続してもよい。この場合、第１配管５０において循環流が形成されているときに、開閉バルブ６１が開放されることによって、第１配管５０のリン酸水溶液の一部が、第２配管６０に流れ込み、外槽３４３へ送られる。これにより、第１配管５０を通って内槽３４１に戻されるリン酸水溶液の量を低減できる。
エッチング処理装置１は、リン酸水溶液供給部４０を備えている。リン酸水溶液供給部４０は、外槽３４３に所定濃度のリン酸水溶液を供給する。なお、リン酸水溶液供給部４０は、内槽３４１または第１配管５０の所定部位にリン酸水溶液を供給してもよい。リン酸水溶液供給部４０は、リン酸水溶液を貯留するタンクなどを含む供給源、および当該供給源と外槽３４３とを接続する供給配管４０１を含む。供給配管４０１には、上流側（供給源側）から順に、流量検出器４０３、流量制御バルブ４０５、および開閉バルブ４０７が設けられている。流量検出器４０３は、供給配管４０１を流れるリン酸水溶液の流量を検出する。流量制御バルブ４０５は、供給配管４０１を流れるリン酸水溶液の流量を調整する。開閉バルブ４１７は、供給配管４０１におけるリン酸水溶液の流通をオンオフ制御する。
流量検出器４０３、流量制御バルブ４０５および開閉バルブ４０７は制御部７に接続されている。制御部７は、流量検出器４０３から送信された流量を示す信号に基づいて、流量制御バルブ４０５を制御する。これにより、リン酸水溶液供給部４０は、リン酸水溶液を制御された流量で外槽３４３に供給する。
基板液処理装置１００は、純水供給部４１を備えている。純水供給部４１は、純水を外槽３４３に供給する。なお、純水供給部４１は、内槽３４１または第１配管５０の所定部位に純水を供給してもよい。純水は、例えばリン酸水溶液を加熱することにより蒸発した水分を補給するために供給される。純水供給部４１は、所定温度の純水を供給する供給源、および当該供給源と外槽３４３とを接続する供給配管４１１を含む。供給配管４１１には、上流側（供給源側）から順に、流量検出器４１３、流量制御バルブ４１５、および開閉バルブ４１７が設けられている。流量検出器４１３は、供給配管４１１を流れる純水の流量を検出する。流量制御バルブ４１５は、供給配管４１１を流れる純水の流量を調整する。開閉バルブ４１７は、供給配管４１１における純水の流通をオンオフ制御する。
流量検出器４１３、流量制御バルブ４１５および開閉バルブ４１７は制御部７に接続されている。制御部７は、流量検出器４１３から送信された流量を示す信号に基づいて、流量制御バルブ４１５を制御する。これにより、純水供給部４１は、純水を制御された流量で外槽３４３に供給する。
エッチング処理装置１は、シリコン供給部４２を備えている。シリコン供給部４２は、シリコン水溶液（例えば、ヘキサフルオロケイ酸水溶液（Ｈ２ＳｉＦ６＋Ｈ２Ｏ））を外槽３４３に供給する。なお、シリコン供給部４２は、内槽３４１または第１配管５０の所定部位にシリコン水溶液を供給してもよい。シリコン供給部４２は、シリコン水溶液を供給する供給源、および当該供給源と外槽３４３とを接続する供給配管４２１を含む。供給配管４２１には、上流側（供給側）から順に、流量検出器４２３、流量制御バルブ４２５、および開閉バルブ４２７が設けられている。流量検出器４２３は、供給配管４２１を流れるシリコン水溶液の流量を検出する。流量制御バルブ４２５は、供給配管４２１を流れるシリコン水溶液の流量を調整する。開閉バルブ４２７は供給配管４２１におけるシリコン水溶液の流通をオンオフ制御する。
流量検出器４２３、流量制御バルブ４２５および開閉バルブ４２７は制御部７に接続されている。制御部７は、流量検出器４２３から送信された流量を示す信号に基づいて、流量制御バルブ４２５を制御する。これにより、シリコン供給部４２は、シリコンを制御された流量で外槽３４３に供給する。
第１配管５０における、ヒーター５２とフィルター５３とを接続する配管部には、廃棄配管９０が接続されている。廃棄配管９０は、処理槽３４のリン酸水溶液を基板液処理装置１００の外部に廃棄する際に使用される配管経路である。廃棄配管９０には、上流側（第１配管５０側）から順に、濃度検出器９０１、廃棄バルブ９１、冷却タンク９３、および廃棄バルブ９５が設けられている。
濃度検出器９０１は、廃棄配管９０を通過するリン酸水溶液中におけるシリコン濃度を検出する。濃度検出器９０１は、例えばリン酸水溶液における特定波長の光の吸光度を測定することによって、シリコン濃度を検出する。濃度検出器９０１は、制御部７に接続されており、検出されたシリコン濃度に応じた検出信号を制御部７に送信する。
冷却タンク９３は、処理槽３４から排出された比較的高温のリン酸水溶液を一時的に貯留して外部に廃棄可能な温度にまで冷却する。冷却タンク９３よりも上流側に設けられた廃棄バルブ９１は、第１配管５０から冷却タンク９３にリン酸水溶液を流入させるときに開放される。また、冷却タンク９３よりも下流側に設けられた廃棄バルブ９５は、リン酸水溶液を冷却タンク９３から排出するときに開放される。廃棄バルブ９１，９５は、制御部７に接続されており、制御部７によって開閉制御される。
第１配管５０を通過するリン酸水溶液は、適宜のタイミングで廃棄配管９０に送られる。これにより、そのリン酸水溶液中のシリコン濃度が濃度検出器９０１によって検出される。シリコン濃度が既定よりも高い場合には、純水供給部４１からの純水、またはリン酸水溶液供給部４０からのリン酸水溶液が適宜供給されることによって、循環系のリン酸水溶液におけるシリコン濃度の低下が図られる。
＜リン酸水溶液の循環流の形成について＞
処理槽３４において基板Ｗを処理する場合、処理槽３４および第１配管５０におけるリン酸水溶液の循環流が形成される。この循環流の形成のため、まず、処理槽３４にリン酸水溶液が貯留される。具体的には、リン酸水溶液供給部４０が液処理部３９の外槽３４３にリン酸水溶液を供給するとともに、第１配管５０のポンプ５１が外槽３４３から内槽３４１に向けてリン酸水溶液を送る。内槽３４１の内部がリン酸水溶液で満たされると、内槽３４１の第１開口３４１Ｐからあふれたリン酸水溶液が外槽３４３に移動し始める。第１配管５０の一端が、外槽３４３に貯留されたリン酸水溶液に到達すると、第１配管５０を通じて外槽３４３のリン酸水溶液が排出され始める。このようにして、処理槽３４および第１配管５０の循環系において、リン酸水溶液が循環する循環流が形成される。
循環流が形成される前、あるいは形成された後の適宜のタイミングで、内槽３４１のリン酸水溶液が所定温度（例えば８０℃）となるように、ヒーター５２が第１配管５０を流通するリン酸水溶液を加熱する。リン酸水溶液が高温状態である場合、水分が蒸発するため、時間経過とともにリン酸水溶液中のリン酸濃度が増加する可能性がある。制御部７は、濃度検出器５０１によって検出されたリン酸濃度が予め定められた管理上限値を超えた場合、純水供給部４１から純水を供給する。リン酸濃度の調節のための純水供給は、基板Ｗがリン酸水溶液中に浸漬されているとき（つまり基板Ｗの液処理中）の任意のタイミングで行われてもよいし、基板Ｗが処理液中に浸漬されていないときに行われてもよい。
図３は、エッチング処理装置１におけるエッチング処理時の各要素の動作状況を説明するためのタイミングチャートである。図３において、横軸は時間を示しており、縦方向において上から順に基板昇降機構３６、開閉バルブ５１３、開閉バルブ５７、および開閉バルブ６１の各動作を示している。なお、基板昇降機構３６については、処理槽３４よりも上方の上位置Ｐｏｓ１にある状態を示す「上」と、処理槽３４の内部である下位置Ｐｏｓ２にある状態を示す「下」との間の状態変化を示している（図２参照）。基板昇降機構３６がロット（基板Ｗ）を保持した状態で下位置Ｐｏｓ２に移動することによって、ロットがエッチング処理される。また、開閉バルブ５１３，５７，６１については、開状態を示す「開」と閉状態を示す「閉」との間の状態変化を示している。また、図３に示す「内槽へ戻る量」は、ポンプ５１の作動によって、第１配管５０を通じて内槽３４１に流入するリン酸水量液の量を示している。
図３では、エッチング処理装置１の処理槽３４において、複数の基板Ｗを含む１つのロットをエッチング処理する１サイクルのタイミングチャートを示している。このエッチング処理は、搬入工程Ｓ１１と、浸漬工程Ｓ１２と、搬出工程Ｓ１３とを含む。
搬入工程Ｓ１１は、上位置Ｐｏｓ１にある基板昇降機構３６が、ロット搬送機構１９からロットを受け取る処理を含む。浸漬工程Ｓ１２は、基板昇降機構３６が上位置Ｐｏｓ１から下位置Ｐｏｓ２に下降することによって、ロットを内槽３４１に貯留されたリン酸水溶液に浸漬させる処理を含む。この浸漬工程Ｓ１２が行われることによって、基板Ｗがエッチング処理される。搬出工程Ｓ１３は、基板昇降機構３６が下位置Ｐｏｓ２から上位置Ｐｏｓ１に上昇することによって、ロットを内槽３４１に貯留されたリン酸水溶液から引き上げる処理、およびロット搬送機構１９が上位置Ｐｏｓ１の基板昇降機構３６からロットを受け取る処理を含む。ロット搬送機構１９に渡されたロットは、処理槽３５においてリンス液で処理される。
また、処理槽３４におけるエッチング処理の１サイクルには、順に、通常循環期間Ｔ１，バイパス循環期間Ｔ２、および通常循環期間Ｔ３が含まれる。通常循環期間Ｔ１，Ｔ３は、ポンプ５１の作動によって、外槽３４３から排出されたリン酸水溶液と等量のリン酸水溶液が第１配管５０を通じて内槽３４１に戻される循環が行われる期間である。以下、通常循環期間Ｔ１，Ｔ３で行われる循環を「通常循環」と称する場合がある。バイパス循環期間Ｔ２は、ポンプ５１の作動によって、外槽３４３から排出されたリン酸水溶液のうち、一部がバイパス配管５５を通じて内槽３４１に戻され、残りが第２配管６０を通じて外槽３４３に戻される循環が行われる期間である。以下、バイパス循環期間Ｔ２で行われる循環を「バイパス循環」と称する場合がある。
通常循環期間Ｔ１，Ｔ３の通常循環では、制御部７が上述の第１循環制御処理を行う。すなわち、通常循環期間Ｔ１，Ｔ３では、第１配管５０の開閉バルブ５１１，５１３が開放され、第１配管５０のバイパス配管５５の開閉バルブ５７および第２配管６０の開閉バルブ６１が閉状態とされる。この通常循環では、第１配管５０を介して外槽３４３から排出されたリン酸水溶液は、そのまま第１配管５０を通って内槽３４１に導かれる。このため、通常循環期間Ｔ１，Ｔ３では、外槽３４３からのリン酸水溶液の全てが、内槽３４１に戻される。すなわち、外槽３４３から排出されるリン酸水溶液と等量のリン酸水溶液が内槽３４１に戻される。
これに対して、バイパス循環期間Ｔ２のバイパス循環では、制御部７が上述の第２循環制御処理を行う。すなわち、第１配管５０の開閉バルブ５１３が閉状態とされ、バイパス配管５５の開閉バルブ５７および第２配管６０の開閉バルブ６１が開状態とされる。バイパス循環では、外槽３４３から第１配管５０を介して排出されたリン酸水溶液は、分岐部５３１において、バイパス配管５５の側に移動する。さらに、接続部６０１において、リン酸水溶液のうち、一部は第２配管６０を通過して外槽３４３に導かれ、残りはバイパス配管５５を通過して接続部５３３を介して第１配管５０に移動した後、内槽３４１に導かれる。バイパス循環においても、ヒーター５２によって加熱されたリン酸水溶液を内槽３４１に戻すことができる。このため、内槽３４１のリン酸水溶液の温度の低下を抑制できる。
ここで、ポンプ５１の作動によって外槽３４３から排出されるリン酸水溶液の総量をＶとする。すると、リン酸水溶液の内槽３４１への流量は、通常循環期間Ｔ１，Ｔ３のときの流量Ｖ１は総量Ｖと略等しくなるが、バイパス循環期間Ｔ２では流量Ｖ１よりも小さい流量Ｖ２となる。これは、バイパス循環期間Ｔ２では第２配管６０が通過可能となるため、一部のリン酸水溶液が第２配管６０を通じて外槽３４３に導かれるためである。すなわち、外槽３４３に導かれるリン酸水溶液の量は、Ｖ−Ｖ２で表される。
バイパス循環期間Ｔ２では、流量検出器５９が、バイパス配管５５を通じて内槽３４１に導かれる流量が検出される。流量検出器５９によって検出される流量は、内槽３４１への流量と等しい。そこで、バイパス循環期間Ｔ２では、制御部７は、流量検出器５９の検出信号が予め定められた流量Ｖ２に近づくように流量制御バルブ５８を制御する。これによって、バイパス循環期間Ｔ２における内槽３４１への流量を適正に調整できる。なお、制御部７は、Ｖ２の大きさの変更を、操作部を介して受け付けてもよい。
図３の例では、浸漬工程Ｓ１２の前の搬入工程Ｓ１１は通常循環期間Ｔ１に含まれている。このため、搬入工程Ｓ１１においては通常循環が行われる。この場合、浸漬工程Ｓ１２の開始前に、ヒーター５２によって加熱されたリン酸水溶液の全量が内槽３４１の内部に供給されるため、内槽３４１のリン酸水溶液の温度を迅速に所望温度に到達させることができる。また、先のロットのエッチング処理の後、リン酸またはシリコン濃度の調整のために各供給部４１〜４３から液体が処理槽３４に供給された場合、搬入工程Ｓ１１において通常循環を行うことによって、浸漬工程Ｓ１２の前に内槽３４１のリン酸水溶液におけるリン酸濃度およびシリコン濃度の調整を迅速に行うことができる。
図３の例では、浸漬工程Ｓ１２が行われる期間のうち、一部がバイパス循環期間Ｔ２とされている。具体的には、浸漬工程Ｓ１２の途中で、一時的にバイパス循環が行われる。バイパス循環を行うことによって、通常循環のときよも、内槽３４１におけるリン酸水溶液の流れの発生を軽減できる。すなわち、内槽３４１におけるリン酸水溶液の流動のばらつきを軽減できるため、基板Ｗにおけるエッチング量の面内ばらつきを低減できる。
図３の例では、浸漬工程Ｓ１２の初期は、通常循環期間Ｔ１に含まれている。すなわち、浸漬工程Ｓ１２においては、最初に通常循環が一定時間行われる。浸漬工程Ｓ１２の開始直後は、内槽３４１のリン酸処理液にロットが浸漬されるため、リン酸水溶液の温度が比較的低下しやすい。そこで、浸漬工程Ｓ１２の開始直後に、通常循環が行われることによって、ヒーター５２で加熱されたリン酸水溶液の全てを内槽３４１に戻すことができる。これにより、内槽３４１のリン酸水溶液の温度低下を軽減できる。
図３の例では、浸漬工程Ｓ１２の後期は、通常循環期間Ｔ３に含まれている。すなわち、浸漬工程Ｓ１２の後期にバイパス循環から通常循環に移行して、搬出工程Ｓ１３が行われる。一般に、浸漬工程Ｓ１２では、各基板Ｗからシリコンがリン酸水溶液に溶出するため、内槽３４１のリン酸水溶液中のシリコン濃度が高くなりやすい。そこで、浸漬工程Ｓ１２が完結前に通常循環を行うことで、内槽３４１のリン酸水溶液を迅速に外槽３４３に移動させることが望ましい。リン酸水溶液の濃度が基準値よりも大きい場合には、純水供給部４１またはリン酸水溶液排出部４３からの純水またはリン酸水溶液の供給によって、適宜循環系のリン酸水溶液中のシリコン濃度が低下される。したがって、通常循環により、内槽３４１の内部におけるリン酸水溶液中のシリコン濃度を迅速に適正化できる。
図３の例では、浸漬工程Ｓ１２の後の搬出工程Ｓ１３においても、通常循環が行われる。この場合、浸漬工程Ｓ１２の途中または完結後に各供給部４１〜４３から各処理液が供給されることによって、次のエッチング処理サイクルが開始されるまでの間に、内槽３４１におけるリン酸水溶液中のリン酸濃度およびシリコン濃度を迅速に適正化できる。また、浸漬工程Ｓ１２において、バイパス循環が行われた場合、内槽３４１のリン酸水溶液の温度低下が起こる可能性がある。これに対して、浸漬工程Ｓ１２の後の搬出工程Ｓ１３において、通常循環が行われることにより、内槽３４１のリン酸水溶液の温度を迅速に高めることができる。
なお、図３の例では、浸漬工程Ｓ１２の一部のみでバイパス循環が行われるように設定されている。しかしながら、浸漬工程Ｓ１２の全部でバイパス循環が行われてもよい。また、搬入工程Ｓ１１または搬出工程Ｓ１３の一部または全部で、バイパス循環が行われてもよい。
また、バイパス循環は、全てのエッチング処理のサイクルで行われることは必須ではない。例えば、制御部７は、エッチング処理のサイクル毎に、バイパス循環を行うか否かの変更を、操作部を介して受け付けてもよい。また、各サイクルにおいて、バイパス循環を実行するタイミングの設定または変更を、操作部を介して受け付けてもよい。また、制御部７は、所定要件の成立または不成立に応じて、自動でバイパス循環を実行するようにしてもよい。この場合、制御部７は、所定要件を満たすか否かを閾値に基づいて判定する判定部を備えていてもよい。また、所定要件として、例えば、基板Ｗのエッチング量、および循環系のリン酸水溶液の温度、リン酸濃度またはシリコン濃度などが設定されてもよい。
また、エッチング処理装置１に備えられた各開閉バルブおよび各流量制御バルブは、制御部７によって制御されるものとして説明したが、オペレータが手動で操作できるようにしてもよい。そして、オペレータが手動で操作することによって、通常循環とバイパス循環との切り替えが行われるようにしてもよい。
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
１ エッチング処理装置
１００ 基板液処理装置
３４ 処理槽
３４１ 内槽
３４１Ｂ 底部
３４１Ｐ 第１開口
３４３ 外槽
３４３Ｐ 第２開口
３６ 基板昇降機構
５０ 第１配管
５０１ 濃度検出器
５１ ポンプ
５１１，５１３，５７，６１ 開閉バルブ
５２ ヒーター
５３１ 分岐部
５５ バイパス配管
５８ 流量制御バルブ
５９ 流量検出器
６０ 第２配管
６１ 開閉バルブ
７ 制御部
Ｓ１１ 搬入工程
Ｓ１２ 浸漬工程
Ｓ１３ 搬出工程
Ｔ１，Ｔ３ 通常循環期間
Ｔ２ バイパス循環期間
Ｗ 基板

Claims (8)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    上部に第１開口を有する有底筒状の内槽と、
    前記内槽の外周部に設けられ、上部に第２開口を有する有底筒状の外槽と、
    前記内槽の内部と前記外槽の内部とを接続する第１配管と、
    前記第１配管に設けられ、前記外槽から前記内槽へ向けて処理液を送るポンプと、
    前記第１配管に設けられ、前記第１配管を通過する前記処理液を加熱するヒーターと、
    前記第１配管における前記ヒーターと前記内槽との間の配管部、および前記外槽とを接続する第２配管と、
    前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通過する前記処理液の流量を変更する第２配管用バルブと、
    を備える、基板処理装置。
  2. 請求項１の基板処理装置であって、
    前記第１配管の一端が前記内槽の底部に接続されている、基板処理装置。
  3. 請求項１または請求項２の基板処理装置であって、
    前記第１配管における前記ヒーターと前記内槽との間に設けられ、前記第１配管を通過する前記処理液の流量を変更する第１配管用バルブ、
    をさらに備え、
    前記第１配管用バルブが、
    前記第１配管における前記第２配管につながる部分と前記内槽との間に設けられている、基板処理装置。
  4. 請求項３の基板処理装置であって、
    前記第１配管用バルブおよび前記第２配管用バルブに接続され、前記第１配管用バルブおよび前記第２配管用バルブを制御する制御部、
    をさらに備える、基板処理装置。
  5. 請求項４の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記第１配管用バルブを開放し、かつ前記第２配管用バルブを閉鎖する第１循環制御処理と、
    前記第１配管用バルブ、および前記第２配管用バルブを開放する第２循環制御処理と、
    を実行する、基板処理装置。
  6. 請求項３から請求項５のいずれか１項の基板処理装置であって、
    前記第１配管は、前記第１配管における前記ヒーターと前記第１配管用バルブとの間の分岐部から分岐して前記内槽につながるバイパス配管、を含み、
    前記バイパス配管に設けられ、前記バイパス配管を通過する前記処理液の流量を変更するバイパス配管用バルブ、をさらに備え、
    前記第２配管が、前記バイパス配管における前記分岐部と前記バイパス配管用バルブとの間に接続されている、基板処理装置。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか１項の基板処理装置であって、
    前記第２配管が前記第２開口を通って前記外槽の内部に接続されている、基板処理装置。
  8. 請求項１から請求項７のいずれか１項の基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、
    ａ） 基板を前記内槽に貯留された前記処理液に浸漬すること、
    ｂ） 前記工程ａ）において、前記第１配管を通過する前記処理液を前記内槽に戻すとともに、前記第１配管を通過する前記処理液を前記第２配管を通じて前記外槽に戻すこと、
    ｃ） 前記工程ｂ）において、前記第１配管を通過する前記処理液を加熱すること、
    を含む、基板処理方法。
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