KR102404963B1 - 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 동일한 기판의 액 처리 중에 에칭 선택비를 변경하는 것을 과제로 한다.
기판 처리 장치는, 액 처리부(39)에 마련된 처리조(34) 내에 인산 수용액을 저류하고, 저류된 인산 수용액 중에 기판을 침지함으로써 그 기판을 처리한다. 처리조 내의 인산 수용액 중에 기판이 침지되어 있는 제1 기간에, 인산 수용액 배출부(43)에 의해 액 처리부(39)로부터 제1 배출 유량으로 인산 수용액이 배출되며, 인산 수용액 공급부(40)에 의해 액 처리부에 인산 수용액이 공급된다. 별도의 제2 기간에, 인산 수용액 배출부에 의해 액 처리부로부터 제1 배출 유량과 상이한 제2 배출 유량으로 인산 수용액이 배출되며, 인산 수용액 공급부액 처리부에 인산 수용액이 공급된다.

Description

기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 처리액을 이용하여 기판을 액 처리하는 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 처리조에 저류한 인산 수용액 중에 반도체 웨이퍼 등의 기판을 침지하여, 기판의 표면에 형성한 실리콘 질화막을 웨트 에칭하는 실리콘 질화막 에칭 공정이 포함된다.
에칭 중에, 인산 수용액 중에는 실리콘 질화막 유래의 실리콘이 용출된다. 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 에칭 선택비(실리콘 산화물의 에칭률에 대한 실리콘 질화물의 에칭률의 비)를 높이기 위해서, 및 용출 실리콘 유래의 파티클을 저감시키기 위해서, 등의 이유에 의해 인산 수용액 중의 용출 실리콘 농도는 소정의 범위 내로 유지할 필요가 있다.
특허문헌 1에는, 기판이 처리조 내의 인산 수용액 중에 침지되어 있는 동안, 계속적으로, 처리조 내에 있는 인산 수용액을 미리 정해진 일정한 배출 유량으로 배출하며 처리조에 실리콘을 포함하지 않는 인산 수용액(혹은 저실리콘 농도의 인산 수용액)을 상기 배출 유량과 동일한 일정 유량(배출 유량)으로 공급하고, 이에 의해, 기판이 처리조 내의 인산 수용액 중에 침지되어 있는 동안에, 처리조 내의 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 점증하도록 하고 있다.
특허문헌 2에는, 처리조에 접속된 순환 라인에 실리콘, 예컨대 콜로이달 실리콘을 주입하는 실리콘 주입 장치를 구비하고, 실리콘 농도 모니터에 의해 검출된 인산 수용액 중의 실리콘 농도에 기초하여, 실리콘 주입 장치에 의해 실리콘을 주입하고, 이에 의해 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 원하는 범위 내로 제어하는 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 상기 구성에 더하여, 순환 라인으로부터 사용 중의 인산 수용액을 배출하는 드레인과, 순환 라인에 새로운 인산 수용액을 첨가하는 인산 첨가관을 마련하는 것이 기재되어 있다. 실리콘의 주입, 사용 중의 인산 수용액의 배출 및 새로운 인산 수용액의 첨가에 의해, 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 원하는 범위 내로 유지된다. 특허문헌 2에는, 하나의 처리 로트의 기판의 처리 중에, 인산 수용액 중의 실리콘량을, 상이한 2개 이상의 목표값 사이에서 변화시키는 것은 기재되어 있지 않다.
특허문헌 3에는, 농도 검출 센서에 의해 검출된 처리조 내의 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 미리 정해진 임계값에 달하면, 어느 하나의 처리 로트의 기판의 처리와 다음의 처리 로트의 기판의 처리 사이에, 처리조 내의 인산 수용액을 일부 배출하며 새로운 인산 수용액을 처리조에 보충함으로써, 처리조 내의 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 소정 범위 내로 유지하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 3에는, 하나의 처리 로트의 기판의 처리 중에, 처리조로부터 사용 중의 인산 수용액을 배출하며 새로운 인산 수용액을 보충하는 것은 기재되어 있지 않다.
특허문헌 1∼3의 기술에서는, 하나의 처리 로트의 기판의 처리 중에, 제어된 상이한 에칭 레이트로의 에칭을 행할 수는 없다.
일본 특허 공개 제2015-070080호 공보 일본 특허 공개 평성9-275091호 공보 일본 특허 공개 제2001-023952호 공보
본 발명은 동일한 기판의 액 처리 중에 에칭 선택비를 변경할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 일실시형태에 따르면, 인산 수용액을 저류하고, 저류된 인산 수용액 중에 기판을 침지함으로써 상기 기판을 처리하는 처리조를 포함하는 액 처리부와, 상기 액 처리부에 제어된 유량으로 인산 수용액을 공급할 수 있는 인산 수용액 공급부와, 상기 액 처리부 내에 있는 인산 수용액을 제어된 유량으로 배출할 수 있는 인산 수용액 배출부와, 상기 인산 수용액 공급부 및 상기 인산 수용액 배출부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제1 기간에, 상기 인산 수용액 배출부에 상기 액 처리부로부터 제1 배출 유량으로 인산 수용액을 배출시키며, 상기 인산 수용액 공급부에 의해 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급시키고, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제2 기간에, 상기 인산 수용액 배출부에 상기 액 처리부로부터 상기 제1 배출 유량과 상이한 제2 배출 유량으로 인산 수용액을 배출시키며, 상기 인산 수용액 공급부에 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급시키는 기판 액 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 액 처리부에 마련된 처리조 내에 인산 수용액을 저류하고, 저류된 인산 수용액 중에 기판을 침지함으로써 상기 기판을 처리하는 단계와, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제1 기간에, 상기 액 처리부로부터 제1 배출 유량으로 인산 수용액을 배출하며, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급하는 단계와, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제2 기간에, 상기 액 처리부로부터 상기 제1 배출 유량과 상이한 제2 배출 유량으로 인산 수용액을 배출하며, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 액 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 액 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액 처리 장치를 제어하여 상기 기판 액 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체가 제공된다.
상기 본 발명의 실시형태에 따르면, 기판의 처리를 행하고 있는 도중에 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 변화시킴으로써, 에칭의 진행 상황에 따른 최적의 에칭 선택비로 에칭을 행할 수 있다.
도 1은 기판 액 처리 시스템의 전체 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 기판 액 처리 시스템에 편입된 에칭 장치의 구성을 나타내는 계통도이다.
도 3은 에칭 장치의 처리조 내에서 기판이 유지되고 있는 상황을 나타내는 평면도이다.
도 4는 하나의 처리 로트의 기판의 처리 중에 있어서의 인산 수용액 중의 실리콘 농도의 변화의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 5는 에칭 장치에 의해 처리되는 기판의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 에칭 장치에 의해 처리된 후의 기판의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 하나의 처리 로트의 기판의 처리 중에 있어서의 인산 수용액 중의 실리콘 농도의 변화의 다른 예를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 먼저 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 액 처리 장치(1)가 편입된 기판 액 처리 시스템(1A) 전체에 대해서 서술한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액 처리 시스템(1A)은, 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 갖는다.
이 중 캐리어 반입출부(2)는, 복수매(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입출부(2)에는, 복수개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부에 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수매(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한, 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다.
이 로트 형성부(3)에는, 복수매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는, 복수매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에서 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에서 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 가지고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 옮겨 붙는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에서 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에서 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 복수매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 마련되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 1 로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(기판 액 처리 장치)(1)가 배열되어 마련되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 마련된 기판 승강 기구(28)를 갖는다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)를 가지고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있게 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 가지고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 마련하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(1)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 가지고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 마련되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는, 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. 전술한 바와 같이, 에칭 처리 장치(1)는 본 발명에 따른 기판 액 처리 장치로 되어 있다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(1)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(기판 액 처리 장치)(1)에 대해서 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는, 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 에칭 처리 장치(1)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(1)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
제어부(7)는, 기판 액 처리 시스템(1A)의 각 부[캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어한다.
이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 구비한다. 기억 매체(38)에는, 기판 액 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
전술한 바와 같이 에칭 처리 장치(1)의 처리조(34)에서는, 소정 농도의 약제(인산)의 수용액(인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액 처리(에칭 처리)한다.
다음에, 에칭 처리 장치(기판 액 처리 장치)(1)의 구성에 대해서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
에칭 처리 장치(1)는, 처리액으로서 소정 농도의 인산 수용액을 저류하는 전술한 처리조(34)를 가지고 있다. 처리조(34)는, 상부를 개방시킨 내부조(34A)와, 내부조(34A)의 상부 주위에 마련되며 상부를 개방시킨 외부조(34B)를 갖는다. 외부조(34B)에는, 내부조(34A)로부터 오버 플로우된 인산 수용액이 유입된다.
외부조(34B)의 바닥부에는, 순환 라인(50)의 일단이 접속되어 있다. 순환 라인(50)의 타단은, 내부조(34A) 내에 마련된 처리액 공급 노즐(49)에 접속되어 있다. 순환 라인(50)에는, 상류측으로부터 순서대로, 펌프(51), 히터(52) 및 필터(53)가 개재되어 있다. 펌프(51)를 구동시킴으로써, 외부조(34B)로부터 순환 라인(50) 및 처리액 공급 노즐(49)을 거쳐 내부조(34A) 내에 보내져 재차 외부조(34B)에 유출되는, 인산 수용액의 순환류가 형성된다.
처리조(34), 순환 라인(50) 및 순환 라인(50) 내의 기기(51, 52, 53 등)에 의해 액 처리부(39)가 형성된다. 또한, 처리조(34) 및 순환 라인(50)에 의해 순환계가 구성된다.
처리조(34)에는, 전술한 기판 승강 기구(36)가 부설되어 있다. 기판 승강 기구(36)는, 복수의 기판(8)을 수직으로 기립한 자세로 수평 방향으로 간격을 두고 배열시킨 상태로 유지할 수 있고, 또한, 이 상태로 승강할 수 있다.
에칭 처리 장치(1)는, 액 처리부(39)에 인산 수용액을 공급하는 인산 수용액 공급부(40)와, 액 처리부(39)에 순수를 공급하는 순수 공급부(41)와, 액 처리부(39)에 실리콘 용액을 공급하는 실리콘 공급부(42)와, 액 처리부(39)로부터 인산 수용액을 배출하는 인산 수용액 배출부를 갖는다.
인산 수용액 공급부(40)는, 처리조(34) 및 순환 라인(50)으로 이루어지는 순환계 내, 즉 액 처리부(39) 내 중 어느 하나의 부위, 바람직하게는 도시한 바와 같이 외부조(34B)에 소정 농도의 인산 수용액을 공급한다. 인산 수용액 공급부(40)는, 인산 수용액을 저류하는 탱크로 이루어지는 인산 수용액 공급원(40A)과, 인산 수용액 공급원(40A)과 외부조(34B)를 접속하는 인산 수용액 공급 라인(40B)과, 인산 수용액 공급 라인(40B)에 상류측으로부터 순서대로 개재된 유량계(40C), 유량 제어 밸브(40D) 및 개폐 밸브(40E)를 가지고 있다. 인산 수용액 공급부(40)는, 유량계(40C) 및 유량 제어 밸브(40D)를 통해, 제어된 유량으로, 인산 수용액을 외부조(34B)에 공급할 수 있다.
순수 공급부(41)는, 인산 수용액을 가열함으로써 증발한 수분을 보급하기 위해 순수를 공급한다. 이 순수 공급부(41)는, 소정 온도의 순수를 공급하는 순수 공급원(41A)를 포함하고, 이 순수 공급원(41A)은 외부조(34B)에 유량 조절기(41B)를 통해 접속되어 있다. 유량 조절기(41B)는, 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성할 수 있다.
실리콘 공급부(42)는, 실리콘 용액 예컨대 콜로이달 실리콘을 분산시킨 액을 저류하는 탱크로 이루어지는 실리콘 공급원(42A)과, 유량 조절기(42B)를 가지고 있다. 유량 조절기(42B)는, 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성할 수 있다.
인산 수용액 배출부(43)는, 액 처리부(39) 및 순환 라인(50)으로 이루어지는 순환계 내, 즉 액 처리부(39) 내에 있는 인산 수용액을 배출하기 위해 마련된다. 인산 수용액 배출부(43)는, 순환 라인(50)으로부터 분기되는 배출 라인(43A)과, 배출 라인(43A)에 상류측으로부터 순차 마련된 유량계(43B), 유량 제어 밸브(43C), 개폐 밸브(43D) 및 냉각 탱크(43E)를 갖는다. 인산 수용액 배출부(43)는, 유량계(43B) 및 유량 제어 밸브(43C)를 통해, 제어된 유량으로, 인산 수용액을 배출할 수 있다.
냉각 탱크(43E)는, 배출 라인(43A)을 흘러 온 인산 수용액을 일시적으로 저류하며 냉각한다. 냉각 탱크(43E)로부터 유출된 인산 수용액(부호 43F를 참조)은, 공장 폐액계(도시하지 않음)에 폐기하여도 좋고, 그 인산 수용액 중에 포함되는 실리콘을 재생 장치(도시하지 않음)에 의해 제거한 후에, 인산 수용액 공급원(40A)에 보내어 재이용하여도 좋다.
도시예에서는, 배출 라인(43A)은, 순환 라인(50)(도면에서는 필터 드레인의 위치)에 접속되어 있지만, 이것에는 한정되지 않고, 순환계 내의 다른 부위, 예컨대 내부조(34A)의 바닥부에 접속되어 있어도 좋다.
배출 라인(43A)에는, 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 측정하는 실리콘 농도계(43G)가 마련되어 있다. 또한, 순환 라인(50)으로부터 분기되어 외부조(34B)에 접속된 분기 라인(55A)에, 인산 수용액 중의 인산 농도를 측정하는 인산 농도계(55B)가 개재되어 있다. 외부조(34B)에는, 외부조(34B) 내의 액위를 검출하는 액위계(44)가 마련되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 노즐(49)은, 복수매의 기판(8)의 배열 방향으로 연장되는 통형체로 이루어진다. 처리액 공급 노즐(49)은, 그 둘레면에 천공된 복수의 토출구(49a)로부터, 기판 승강 기구(36)에 유지된 기판(8)을 향하여 처리액을 토출한다.
기판 액 처리 장치(1)는, 기억 매체(38)에 기억된 프로세스 레시피에 따라 제어부(7)에서 각 부[캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다. 에칭 처리 장치(1)의 동작 부품(개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 펌프, 히터 등)은 제어부(7)로부터 송신되는 동작 지령 신호에 기초하여 동작한다. 또한, 센서류(43G, 55B, 44 등)로부터 검출 결과를 나타내는 신호가 제어부(7)에 보내지고, 제어부(7)는 검출 결과를 동작 부품의 제어에 이용한다.
다음에 상기 에칭 처리 장치(1)의 작용 즉 기판 액 처리 방법에 대해서 설명한다. 먼저, 인산 수용액 공급부(40)가 인산 수용액을 액 처리부(39)의 외부조(34B)에 공급한다. 인산 수용액의 공급 개시 후에 소정 시간이 경과하면, 순환 라인(50)의 펌프(51)가 작동하여, 전술한 순환계 내를 순환하는 순환류가 형성된다.
또한, 순환 라인(50)의 히터(52)가 작동하여, 내부조(34A) 내의 인산 수용액이 소정 온도(예컨대 160℃)가 되도록 인산 수용액을 가열한다. 160℃의 인산 수용액은 비등 상태에 있기 때문에 수분이 증발하고, 시간 경과와 함께 인산 수용액 중의 인산의 농도가 증가한다. 인산 농도계(55B)에 의해 측정된 인산 농도가 미리 정해진 관리 상한값을 넘은 경우, 순수 공급부(41)로부터 순수가 공급된다. 인산 농도의 조절을 위한 순수 공급은, 기판(8)이 처리액 중에 침지되어 있을 때(즉 기판의 액 처리 중)의 임의의 타이밍에 행할 수 있다. 인산 농도의 조절을 위한 순수 공급은, 기판(8)이 처리액 중에 침지되어 있지 않을 때에 행하여도 좋다.
인산 수용액 중의 실리콘 농도는, 기판(8) 상에 형성된 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 에칭 선택비에 영향을 끼친다. 적합한 에칭 선택비를 얻을 수 있도록, 기판(8)을 내부조(34A) 내의 인산 수용액 중에 투입하기 전에, 초기 실리콘 농도의 조절을 행한다.
초기 실리콘 농도의 조절은, 복수매의 더미 실리콘 기판을 기판 승강 기구(36)에 의해 내부조(34A)에 저류된 인산 수용액 중에 침지함으로써 행할 수 있다. 이러한 처리는, 시즈닝이라고 불린다. 이 대신에, 실리콘 공급부(42)에 의해, 외부조(34B)에 실리콘 용액을 공급함으로써 초기 실리콘 농도의 조절을 행하여도 좋다.
예비 시험에 의해, 원하는 초기 실리콘 농도를 달성하기 위한 시즈닝 조건을 파악해 두고, 그 조건에 따라 시즈닝을 행할 수 있다. 실리콘 공급부(42)로부터의 실리콘 용액의 공급에 의해 실리콘 농도를 조정하는 경우에는, 예비 시험에 의해, 원하는 초기 실리콘 농도를 달성하기 위한 실리콘 용액의 공급량을 미리 파악해 두면 좋다.
예비 시험의 결과에 기초하여 정해진 조건에 따라 시즈닝 또는 실리콘 용액의 공급을 행함으로써, 원하는 초기 실리콘 농도를 달성하는 것은 용이하다. 순환계 내에 존재하는 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 미리 정해진 범위 내에 있는 것을 확인하기 위해, 배출 라인(43A)에 인산 수용액을 흐르게 하고, 실리콘 농도계(43G)에 의해 실리콘 농도를 측정하여도 좋다.
초기 실리콘 농도의 조정이 종료하였다면, 내부조(34A) 내에 저류된 소정 농도 및 소정 온도의 인산 수용액 중에, 기판 승강 기구(36)에 유지된 복수매, 즉 하나의 로트(처리 로트 또는 배치라고도 불림)를 형성하는 예컨대 50장의 기판(8)을 침지시켜, 인산 수용액에 의해 기판(8)을 에칭 처리(액 처리)한다. 이때, 수분이 증발하여 생긴 기포가 내부조(34A) 내의 인산 수용액 중을 상승하고, 상승하는 기포에 의해 인산 수용액이 내부조(34A) 내를 순환하기 때문에, 인산 수용액에 의한 에칭 처리가 촉진된다.
기판(8)의 처리 중, 기판(8) 상의 실리콘 질화막이 에칭됨으로써, 인산 수용액 중에 실리콘 질화막 유래의 실리콘이 용출되고, 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 시간의 경과와 함께 서서히 상승해 간다. 실리콘 농도가 지나치게 높아지면, 파티클 레벨의 악화, 필터의 눈 막힘 등의 문제가 생긴다. 또한, 어느 정도 실리콘 산화막을 깎고자 하는 경우도 있고, 이 경우, 실리콘 농도가 지나치게 높아지면, 실리콘 산화막을 깎을 수 없게 된다. 어느 쪽이든, 실리콘 농도는 요구되는 프로세스 결과를 실현할 수 있는 범위 내로 유지되어야 한다.
이 목적을 위해, 기판(8)을 침지한 후, 인산 수용액 배출부(43)에 의해 제1 배출 유량으로 액 처리부[처리조(34), 순환 라인(50) 및 순환 라인(50) 내의 기기(51, 52, 53 등)로 이루어짐] 내 즉 순환계 내에 있는 인산 수용액(이것에는 비교적 많은 실리콘이 포함됨]을 배출하면서, 인산 수용액 공급부(40)에 의해 제1 공급 유량으로 액 처리부에 실리콘을 포함하지 않거나 포함하여도 소량밖에 포함하지 않는 인산 수용액(이하, 간편하게 「저Si 인산 수용액」이라고도 부름)을 공급한다.
인산 수용액 공급부(40)로부터 공급되는 저Si 인산 수용액은, 실리콘을 포함하지 않는 새로운(미사용의) 인산 수용액이어도 좋고, 사용 후, 실리콘 등의 불순물을 제거한 재생 인산 수용액(소량의 실리콘이 포함될 수 있음)이어도 좋다.
액 처리부(39) 내에 있는 인산 수용액의 총량, 바꾸어 말하면 처리조(34) 및 순환 라인(50)으로 이루어지는 순환계 내에 있는 인산 수용액의 총량은, 실질적으로 동일하게 유지된다. 따라서, 제1 배출 유량과 제1 공급 유량은 통상은 동일하다. 예외로서, 예컨대, 인산 농도 조정을 위해 순수 공급부(41)로부터 순수가 공급되고 있을 때에는, 인산 수용액 공급부(40)로부터 공급되는 인산 수용액의 공급 유량을 공급되고 있는 순수의 분량만큼 저감하여도 좋다.
제1 배출 유량 및 제1 공급 유량의 설정을 변경함으로써, 실리콘 질화막의 용출에 따른 인산 수용액 중의 실리콘 농도의 상승의 억제 정도를 변화시킬 수 있다.
제1 배출 유량 및 제1 공급 유량을 크게 설정함으로써, 실리콘 농도의 상승률을 작게 할 수 있다. 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량을 더욱 크게 설정함으로써, 실리콘 농도의 상승률을 마이너스로 하는 것도 가능하다. 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량을 작게 설정함으로써, 실리콘 농도의 상승률을 크게 할 수 있다.
이를 이용하여, 이하와 같은 처리 형태를 실현시킬 수 있다. 예컨대, 초기 실리콘 농도를 비교적 높게 설정하고, 또한, 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량을 비교적 높게 설정함으로써, 실리콘 농도를 거의 일정하게 유지하고, 에칭 선택비를 거의 일정하게 유지하면서 하나의 처리 로트의 기판(8)[배치를 형성하는 예컨대 50장의 기판(8)의 셋트를 의미함]의 에칭을 행할 수 있다. 또한 예컨대, 초기 실리콘 농도를 비교적 낮게 설정하고, 또한, 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량을 비교적 낮게 설정함으로써, 실리콘 농도를 시간의 경과와 함께 서서히 상승시키도록 하고, 이에 의해 에칭 선택비를 서서히 높이면서 하나의 처리 로트의 기판(8)의 에칭을 행할 수 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이 하나의 처리 로트의 기판(8)의 처리 중의 제1 기간(T1)에 있어서의 실리콘 농도가 제2 기간(T2)에 있어서의 실리콘 농도와 상이하게 하기 위해, 제1 기간(T1)에 있어서의 배출 유량 및 공급 유량을, 상기 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량으로 설정하고, 제2 기간(T2)에 있어서의 배출 유량 및 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량과는 상이한 제2 배출 유량 및 제2 공급 유량으로 설정하여도 좋다. 또한, 제1 기간(T1)과 제2 기간(T2) 사이에 제3 기간(T3)을 마련하고, 제3 기간(T3)에 있어서의 배출 유량 및 공급 유량을, 제3 배출 유량 및 제3 공급 유량으로 하여도 좋다. 이와 같이 함으로써, 에칭의 진행 정도에 따라, 에칭 선택비를 변화시킬 수 있다.
적합한 일실시형태에 있어서, 각 기간(T1, T2) 내에 있어서의 인산 수용액 배출부(43)에 의한 인산 수용액의 배출 유량 및 인산 수용액 공급부(40)로부터의 인산 수용액의 공급 유량은, 예비 시험에 의해, 미리 일정값(일기간을 통하여 변화하지 않는 일정한 값)으로서 결정된다. 이들 일정값은 프로세스 레시피의 일부를 이루는 목표값으로서 기억 매체(38)에 기억된다. 제어부(7)는, 배출 유량 및 배출 유량이 프로세스 레시피에 정의되어 있는 값이 되도록, 인산 수용액 배출부(43) 및 인산 수용액 공급부(40)를 제어한다. 이에 의해, 각 기간 내에 있어서의 순환계 내의 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 원하는 범위 내로 유지할 수 있다. 이 경우, 인산 수용액 배출부(43)에 마련된 실리콘 농도계(43G)에 의해, 실리콘 농도가 목표값을 중심으로 하는 허용 범위 내로 유지되고 있는지를 확인(감시)할 수 있다.
어느 하나의 기간으로부터 다음의 기간으로 이행할 때에, 실리콘 농도를 신속하게 상승시키고 싶다면, 실리콘 공급부(42)에 의해 실리콘 용액을 순환계 내에 있는 인산 수용액에 첨가하여도 좋다.
하나의 로트의 기판(8)의 처리가 종료하였다면, 기판(8)을 처리조(34)로부터 반출한다. 그리고 다음 로트의 기판(8)을 처리조(34)에 투입하기 전에, 다음의 처리 로트의 기판(8)의 처리에 알맞은 초기 실리콘 농도가 달성되도록, 인산 수용액 배출부(43)로부터의 인산 수용액의 배출 및 인산 수용액 공급부(40)로부터의 인산 수용액의 공급을 행하고, 경우에 따라서는 실리콘 공급부(42)로부터의 실리콘 용액의 공급을 행한다.
상기한 바와 같이 하나의 처리 로트의 기판(8)의 처리 중에 있어서 기간마다 배출 유량 및 공급 유량을 변경하는 조작의 적합한 일례에 대해서 이하에 설명한다.
도 5에 개략적으로 나타내는 바와 같이, 다층 구조(3차원 적층 구조)를 갖는 기판(8)에 있어서, 질화 실리콘층(SiN)을 완전히 제거하고, 그 아래의 산화물층(Oxide)을 완전히 노출시키는 것을 목적으로 하는 처리가 있다. 이 경우, 각 질화 실리콘층의 에칭의 진행의 불균일에 의해, 모든 질화 실리콘층이 완전히 제거되지 않고, 도 5의 우측란의 최하부에 나타내는 바와 같이 질화 실리콘층이 약간 잔존할 가능성이 있다. 에칭의 진행의 불균일은, 예컨대, 각 질화 실리콘층의 허용 범위 내의 막질의 불균일에 의해 생길 수 있다.
이러한 사태가 생길 가능성을 완전히 배제하기 위해, 에칭 소요 시간의 불균일을 통계학적으로 고려하여, 처리 시간에 안전 마진을 설정하고 있다. 즉, 처리 시간은, 모든 질화 실리콘층을 완전히 제거하는 데 통상 필요로 되는 시간보다 길게 설정되어 있다.
질화 실리콘층의 전체가 완전히 제거된 후는, 그 이상의 질화 실리콘층 유래의 실리콘의 용출이 생기지 않게 된다. 또한, 복수 있는 질화 실리콘층의 대부분이 완전히 제거되고, 일부의 질화 실리콘층만이 잔존하고 있을 때에도, 실리콘의 용출은 거의 생기지 않는다. 이 상태로, 그때까지의 배출 유량으로 인산 수용액 배출부(43)를 통해 인산 수용액의 배출을 계속하고, 또한, 그때까지의 공급 유량으로 인산 수용액 공급부(40)로부터의 인산 수용액의 공급을 그대로 계속하면, 내부조(34A) 내의 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 저하해 간다. 실리콘 농도가 저하하면, 산화 실리콘층(SiO2)의 에칭률이 상승하기 때문에, 예컨대 도 6에 나타내는 바와 같이, 산화 실리콘층의 각을 의도한 것보다 여분으로 깎이는 등의 현상이 생길 수 있다.
이러한 현상을 방지하기 위해서는, 질화 실리콘층의 전체가 완전히 제거되는 것이 예측되는 시점(t0)(도 7 참조)(예컨대, 처리 종료 시점으로부터 전술한 안전 마진에 상당하는 시간만큼 이전의 시점)에서, 인산 수용액 배출부(43)를 통한 인산 수용액의 배출을 정지하고(배출 유량을 제로로 함), 또한, 인산 수용액 공급부(40)로부터의 인산 수용액의 공급을 정지한다(공급 유량을 제로로 함). 질화 실리콘층의 전체가 완전히 제거되는 것이 예측되는 시점보다 이전의 기간을 제1 기간(T1), 이후의 기간을 제2 기간(T2)(이것은 처리의 최종 기간임)으로 한 경우, 제1 기간에 있어서의 인산 수용액의 배출 유량 및 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량으로 하고, 제2 기간에 있어서의 인산 수용액의 배출 유량 및 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량보다 작은 제2 배출 유량 및 제2 공급 유량(본 예에서는 함께 제로임)으로 한다. 그렇게 함으로써, 질화 실리콘층의 전체가 실제로 제거된 후에, 도 7의 화살표(C2)로 나타내는 바와 같은 원하지 않은 실리콘 농도의 저하가 생기는 일은 없고, 도 7의 화살표(C1)에 나타내는 바와 같이 실리콘 농도는 대략 일정하게 유지된다.
만약, 인산 수용액의 배출 및 인산 수용액의 공급을 정지한 시점에 있어서 질화 실리콘층의 일부가 약간 남아 있었다고 해도, 이 잔류 질화 실리콘층의 용출에 의한 실리콘 농도의 상승은 근소하며, 처리 결과에 영향을 미치는 일은 없다.
제2 기간(T2)에 있어서의 제2 배출 유량 및 제2 공급 유량을 제로로 하는 것 대신에, 제로가 아닌 작은 값으로 감소시켜도 좋다.
또한 만약, 도 6에 나타내는 바와 같이 산화 실리콘층의 각이 깎인 상태를 의도적으로 만들고자 한다면, 제2 배출 유량 및 제2 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량보다 크게 하여도 좋다. 또는, 제1 기간(T1)과 제2 기간(T2) 사이에 제3 기간(T3)을 마련하고, 제3 기간(T3)에 있어서의 제3 배출 유량 및 제3 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량보다 크게 하여도 좋다. 혹은, 제2 기간(T2) 후에 제3 기간(T3)을 마련하고, 제3 기간(T3)에 있어서의 제3 배출 유량 및 제3 공급 유량을 제1 배출 유량 및 제1 공급 유량보다 크게 하여도 좋다.
상기 실시형태에 따르면, 하나의 로트의 기판(8)의 액 처리를 행하고 있을 때에, 인산 수용액 중의 실리콘 농도를 적어도 1회 변화시킴으로써, 에칭의 진행 상황에 따른 최적의 에칭 선택비로 에칭을 행할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 인산 수용액 배출부(43)에 의한 인산 수용액의 배출 유량 및 인산 수용액 공급부(40)에 의한 인산 수용액의 공급 유량은, 미리 결정된 값이 되도록 제어되고 있지만, 이것에는 한정되지 않는다. 예컨대, 프로세스 레시피에서 각 기간에 있어서의 목표 실리콘 농도를 설정해 두고, 이 목표 실리콘 농도가 실현되도록, 실리콘 농도계(43G)의 검출값에 기초하여 인산 수용액 배출부(43)에 의한 인산 수용액의 배출 유량 및 인산 수용액 공급부(40)에 의한 인산 수용액의 공급 유량을 피드백 제어하여도 좋다.
7 제어부
34 처리조
38 기억 매체
39 액 처리부
40 인산 수용액 공급부
43 인산 수용액 배출부
50 순환 라인

Claims (11)

  1. 기판 액 처리 장치에 있어서,
    인산 수용액을 저류하고, 저류된 인산 수용액 중에 기판을 침지함으로써 상기 기판을 처리하는 처리조를 포함하는 액 처리부와,
    상기 액 처리부에 제어된 유량으로 인산 수용액을 공급할 수 있는 인산 수용액 공급부와,
    상기 액 처리부 내에 있는 인산 수용액을 제어된 유량으로 배출할 수 있는 인산 수용액 배출부와,
    미리 정해진 프로세스 레시피에 따라 상기 기판 액 처리 장치의 동작을 제어하도록 구성되는 제어부로서, 상기 인산 수용액 공급부 및 상기 인산 수용액 배출부의 동작을 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제1 기간에, 상기 인산 수용액 배출부에 상기 액 처리부로부터 제1 배출 유량으로 인산 수용액을 배출시키며, 상기 인산 수용액 공급부에 의해, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급시키고, 상기 제1 기간에 상기 처리조 내의 제1의 실리콘 농도를 갖는 인산 수용액에 상기 기판이 침지되도록 하고,
    상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제2 기간에, 상기 인산 수용액 배출부에 상기 액 처리부로부터 상기 제1 배출 유량과 상이한 제2 배출 유량으로 인산 수용액을 배출시키며, 상기 인산 수용액 공급부에 의해, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급시키고, 상기 제2 기간에 상기 처리조 내의 제2의 실리콘 농도를 갖는 인산 수용액에 상기 기판이 침지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 액 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기간은, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 기간 중 최종 기간이고, 상기 제1 기간은 상기 제2 기간 직전의 기간이고, 상기 제2 배출 유량은 상기 제1 배출 유량보다 적은 것인, 기판 액 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 상기 제1 기간과 상기 제2 기간 사이의 제3 기간에, 상기 인산 수용액 배출부에 상기 액 처리부로부터 제3 배출 유량으로 인산 수용액을 배출시키며, 상기 인산 수용액 공급부에 의해 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급시키는 것인, 기판 액 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액 처리부는, 상기 처리조와, 상기 처리조로부터 유출된 인산 수용액을 상기 처리조에 복귀시키는 순환 라인을 가지고,
    상기 인산 수용액 공급부는, 상기 처리조에 인산 수용액을 공급하고,
    상기 인산 수용액 배출부는, 상기 순환 라인으로부터 인산 수용액을 배출하는 것인, 기판 액 처리 장치.
  5. 기판 액 처리 방법에 있어서,
    액 처리부에 마련된 처리조 내에 인산 수용액을 저류하고, 저류된 인산 수용액 중에 기판을 침지함으로써 상기 기판을 처리하는 단계와,
    상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제1 기간에, 상기 액 처리부로부터 제1 배출 유량으로 인산 수용액을 배출하며, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급하고, 상기 제1 기간에 상기 처리조 내의 제1의 실리콘 농도를 갖는 인산 수용액에 상기 기판이 침지되도록 하는 단계와,
    상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 제2 기간에, 상기 액 처리부로부터 상기 제1 배출 유량과 상이한 제2 배출 유량으로 인산 수용액을 배출하며, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급하고, 상기 제2 기간에 상기 처리조 내의 제2의 실리콘 농도를 갖는 인산 수용액에 상기 기판이 침지되도록 하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 기간은, 상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 기간 중 최종 기간이고, 상기 제1 기간은 상기 제2 기간 직전의 기간이고, 상기 제2 배출 유량은 상기 제1 배출 유량보다 적은 것인, 기판 액 처리 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 기판은, 산화 실리콘층과, 질화 실리콘층을 가지고 있고, 상기 제1 기간의 종료 시점은, 에칭 대상인 상기 질화 실리콘층의 전체가 제거되는 것이 예상되는 시점이고, 상기 제2 기간의 종료 시점은, 상기 질화 실리콘층의 에칭의 진행의 불균일을 고려하여도 상기 질화 실리콘층의 전체가 확실하게 제거되는 시점인 것인, 기판 액 처리 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 처리조 내의 인산 수용액 중에 상기 기판이 침지되어 있는 상기 제1 기간과 상기 제2 기간 사이의 제3 기간에 있어서, 상기 액 처리부로부터 제3 배출 유량으로 인산 수용액을 배출하며, 상기 액 처리부에 인산 수용액을 공급하는 단계를 더 포함하는, 기판 액 처리 방법.
  9. 기판 액 처리 장치의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 상기 컴퓨터가 상기 기판 액 처리 장치를 제어하여 제5항 또는 제6항에 기재된 기판 액 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체.
  10. 삭제
  11. 삭제
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