JP3377909B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板に所定の処理液（フ
ォトレジスト液や現像液、リンス液など）を供給してそ
の基板に所定の基板処理（フォトレジストの塗布処理や
現像処理など）を施す基板処理装置に係り、特には、所
定の処理液を基板に供給してその基板に所定の基板処理
を施す基板処理部と、基板処理部に処理液を供給する１
または複数個の処理液供給機構とを備えた基板処理装置
であって、処理液供給機構は、基板処理部に供給する処
理液を貯留する処理液貯留槽や、処理液貯留槽内にガス
を供給して加圧する加圧手段、処理液貯留槽内の圧力を
開放する圧力開放手段、処理液貯留槽から基板処理部へ
の処理液の供給／停止を切り替える処理液供給／停止切
替え手段などを含み、いわゆるガス圧による圧送方式で
処理液を基板処理部に供給するように構成された基板処
理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置では、いわゆるガ
ス圧による圧送方式で基板処理部に処理液を供給するた
めに、処理液貯留槽や、加圧機構、圧力開放機構、処理
液供給／停止切替え弁（開閉弁）など含む処理液供給機
構を備えている。

【０００３】処理液貯留槽には、密閉された状態で処理
液が貯留されている。また、加圧機構は、一端側がガス
供給源に連通接続され、他端側が処理液貯留槽内に連通
接続された管や、その管の管路中に設けられた開閉弁な
どで構成され、処理液貯留槽内にガスを供給して加圧す
る状態と、処理液貯留槽内へのガスの供給を停止する状
態とを切替え可能に構成されている。

【０００４】圧力開放機構は、一端側が大気に連通接続
され、他端側が処理液貯留槽内に連通接続された管や、
その管の管路中に設けられた開閉弁などで構成され、処
理液貯留槽内と大気とを連通させ処理液貯留槽内の圧力
を開放する状態と、処理液貯留槽内と大気との連通を遮
断する状態とを切替え可能に構成されている。

【０００５】従来の基板処理装置では、装置の電源がＯ
Ｎされると、圧力開放機構の開閉弁が閉にされるととも
に、加圧機構の開閉弁が開にされ、処理液貯留槽内が加
圧状態にされ、処理液貯留槽から基板処理部への処理液
の供給をいつでも行なえる状態にしている。そして、基
板処理部に基板が搬入され、その基板に基板処理を施す
際には、処理液供給／停止切替え弁を開にして処理液貯
留槽から基板処理部へ処理液を供給し、所定量の処理液
の供給が行なわれると、処理液供給／停止切替え弁を閉
にして処理液貯留槽から基板処理部への処理液の供給を
停止する。以後、装置の電源がＯＮされている間、上述
したように、基板処理部で基板処理される際に処理液供
給／停止切替え弁の開閉が行なわれ、処理液貯留槽から
基板処理部への処理液の供給と停止の切替えが繰り返さ
れる。そして、装置の電源がＯＦＦされると、圧力開放
機構の開閉弁が開にされるとともに、加圧機構の開閉弁
が閉にされ、処理液貯留槽内の加圧が解除され圧力が開
放される。

【０００６】また、複数個の処理液供給機構を備えた従
来装置においては、全ての処理液供給機構に対して上記
と同様の制御がなされる。すなわち、装置の電源がＯＮ
されると、全ての処理液供給機構の処理液貯留槽内が加
圧状態にされ、装置の電源がＯＮされている間、基板処
理時には任意の処理液供給機構から処理液の供給が行わ
れ、装置の電源がＯＦＦされると、全ての処理液供給機
構の処理液貯留槽内の加圧が解除され圧力が開放され
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。上述したように、従来装置では、装置の電源がＯ
Ｎされている間、装置に備えられている全ての処理液供
給機構の処理液貯留槽内は常に加圧状態にされている
が、この種の装置は、通常、電源は朝にＯＮされ、夜に
ＯＦＦされるので、装置の電源は半日近くＯＮされたま
まになっている。また、操業状況などによっては、装置
の電源が１日中ＯＮされたままになったり、数日間ＯＮ
されたままになることもある。すなわち、従来装置で
は、通常でも半日以上という長時間にわたって、処理液
貯留槽内は加圧された状態が継続されることになる。

【０００８】ところで、処理液貯留槽内を加圧するため
のガスは、通常、低コストの窒素（Ｎ₂ ）ガスが用いら
れるが、Ｎ₂ ガスは処理液に溶解し易い性質がある。そ
のため、上述したように処理液貯留槽内の加圧状態が長
時間継続されると、処理液へのガス（Ｎ₂ ガス）の溶解
が極めて起き易い。ガスが処理液に溶解されると、処理
液貯留槽から基板処理部へ処理液を供給する際の圧力の
開放でガスが気化され、基板に処理液を安定して供給し
難く、また、気泡の破裂などによって処理液を供給する
基板上の目標位置以外の位置にも処理液が飛散され、基
板に欠陥を発生させることにもなる。さらに、例えば、
フォトレジスト液の塗布においては、気泡が溶解された
フォトレジスト液（処理液）の薄膜が基板に塗布された
後、いわゆる脱ガスが起き、その部分にピンホールが起
こることにもなる。

【０００９】なお、処理液貯留槽内を加圧するためのガ
スとしてヘリウムガス等を用いると、処理液へのガスの
溶解は幾分減少するが、ヘリウムガス等は高価であるの
で、ランニングコストが嵩むという別異の問題がある。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、ランニングコスト高を招かずに、処理
液へのガスの溶解を軽減することができる基板処理装置
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、所定の処理液を基板に供
給して前記基板に所定の基板処理を施す基板処理部と、
前記基板処理部に処理液を供給する１または複数個の処
理液供給機構と、を備え、前記処理液供給機構は、前記
基板処理部に供給する処理液を貯留する処理液貯留槽
と、前記処理液貯留槽内にガスを供給して加圧する加圧
手段と、前記処理液貯留槽内の圧力を開放する圧力開放
手段と、前記処理液貯留槽から前記基板処理部への処理
液の供給／停止を切り替える処理液供給／停止切替え手
段と、を含む基板処理装置において、本基板処理装置で
同一の処理液を供給して連続して基板処理される一ロッ
ト内の最初の基板に対してその処理液の供給が開始され
る所定時間前にその処理液を供給する処理液供給機構の
処理液貯留槽内の加圧を開始するとともに、そのロット
内の最後の基板へのその処理液の供給が停止されるタイ
ミング、または、それより若干後の所定のタイミングに
基づきその処理液を供給する処理液供給機構の処理液貯
留槽内の圧力を開放する制御を前記一ロットごとに行な
う制御手段を備えたことを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項２に記載の発明は、上記請求
項１に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、
前記一ロット内の最初の基板に対する処理液の供給の開
始に先立ち、その処理液を供給する処理液供給機構の処
理液貯留槽内の加圧を開始してから、その処理液貯留槽
より前記基板処理部への処理液の供給が行なえるような
圧力でその処理液貯留槽内が加圧された状態になるまで
に要する時間前か、それよりも若干長い時間前にその処
理液貯留槽内の加圧を開始するとともに、そのロット内
の最後の基板への処理液の供給が停止されるタイミング
に基づきその処理液貯留槽内の圧力を開放する制御を前
記一ロットごとに行なうように構成する。

【００１３】なお、本発明における一ロットとは、本基
板処理装置で同一の処理液を供給して連続して基板処理
される基板の集まりを意味し、例えば、一枚の基板が単
独で本基板処理装置で基板処理される場合にはその一枚
の基板が一ロットを構成し、また、複数枚の基板が本基
板処理装置で同一の処理液を供給されて基板処理される
場合であって、それら複数枚の基板が本基板処理装置で
連続して基板処理される場合には、それら複数枚の基板
が一ロットを構成する。

【００１４】なお、「連続して基板処理される」とは、
時間的に連続して基板処理されることを意味する。従っ
て、例えば、同一の処理液を供給して（ｍ＋ｎ）枚
（ｍ、ｎはそれぞれ１以上の自然数）の基板が基板処理
される場合であって、ｍ枚の基板が基板処理された後、
一時基板処理を休止し、休止後にｎ枚の基板が基板処理
されるようなときには、ｍ枚の基板、ｎ枚の基板がそれ
ぞれ一ロットを構成することになる。

【００１５】また、異なる処理液を基板処理部に個別に
供給する複数個の処理液供給機構が備えられた基板処理
装置においては、制御手段は、各処理液供給機構ごとに
加圧開始や圧力の開放の制御を一ロットごとに行う。

【００１６】このとき、各処理液供給機構に対する一ロ
ットが同じ基板の集まりを指すこともあるし、異なる基
板の集まりを指すこともある。

【００１７】例えば、処理液ａを供給する処理液供給機
構Ａと、処理液ｂを供給する処理液供給機構Ｂとが備え
られ、基板処理部では基板に処理液ａを供給して基板処
理するとともに、基板に処理液ｂを供給して基板処理
し、そのような基板処理が行われるｍ枚の基板が本基板
処理装置で連続して基板処理されるような場合には、処
理液供給機構Ａ、Ｂに対応する一ロットは共にｍ枚の基
板の集まりを指す。

【００１８】なお、この場合、処理液供給機構Ａの加圧
開始のタイミングは、そのロット内の最初の基板への処
理液ａの供給の開始などを基準に決められ、処理液供給
機構Ａの圧力の開放のタイミングは、そのロット内の最
後の基板への処理液ａの供給の停止のタイミングなどを
基準に決められる。一方、処理液供給機構Ｂの加圧開始
のタイミングは、そのロット内の最初の基板への処理液
ｂの供給の開始などを基準に決められ、処理液供給機構
Ｂの圧力の開放のタイミングは、そのロット内の最後の
基板への処理液ｂの供給の停止のタイミングなどを基準
に決められる。

【００１９】また、例えば、処理液ａを供給する処理液
供給機構Ａと、処理液ｂを供給する処理液供給機構Ｂと
が備えられ、（ｍ＋ｎ）枚の基板が本基板処理装置で連
続して基板処理され、最初のｍ枚の基板に対しては基板
処理部で処理液ａを供給して基板処理し、後のｎ枚の基
板に対しては基板処理部で処理液ｂを供給して基板処理
するような場合には、処理液供給機構Ａの指す一ロット
は最初のｍ枚の基板の集まりであり、処理液供給機構Ｂ
の指す一ロットは後のｎ枚の基板の集まりである。

【００２０】なお、この場合も、処理液供給機構Ａ、Ｂ
の加圧開始のタイミングは、各ロット内の最初の基板へ
の処理液ａ、ｂの供給の開始などを基準に決められ、処
理液供給機構Ａ、Ｂの圧力の開放のタイミングは、各ロ
ット内の最後の基板への処理液ａ、ｂの供給の停止のタ
イミングなどを基準に決められる。従って、この場合に
は、処理液供給機構Ａ、Ｂの処理液貯留槽内は時間的に
ずれて加圧状態にされ、基本的には、処理液供給機構Ａ
の処理液貯留槽内が加圧状態にされている間、処理液供
給機構Ｂの処理液貯留槽内の圧力は開放され、処理液供
給機構Ｂの処理液貯留槽内が加圧状態にされている間、
処理液供給機構Ａの処理液貯留槽内の圧力は開放させる
こともできる。

【００２１】また、例えば、処理液ａを供給する処理液
供給機構Ａと、処理液ｂを供給する処理液供給機構Ｂ
と、処理液ｃを供給する処理液供給機構Ｃとが備えら
れ、（ｍ＋ｎ）枚の基板が本基板処理装置で連続して基
板処理され、最初のｍ枚の基板に対しては基板処理部で
処理液ａを供給して基板処理するとともに、基板に処理
液ｃを供給して基板処理し、後のｎ枚の基板に対しては
基板処理部で処理液ｂを供給して基板処理するととも
に、基板に処理液ｃを供給して基板処理するような場合
には、処理液供給機構Ａの指す一ロットは最初のｍ枚の
基板の集まり、処理液供給機構Ｂの指す一ロットは後の
ｎ枚の基板の集まり、処理液供給機構Ｃの指す一ロット
は（ｍ＋ｎ）枚の全て基板の集まりになる。

【００２２】

【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
制御手段は、本基板処理装置で同一の処理液を供給して
連続して基板処理される一ロット内の最初の基板に対し
てその処理液の供給が開始される所定時間前にその処理
液を供給する処理液供給機構の処理液貯留槽内の加圧を
開始するようにその処理液供給機構の加圧手段と圧力開
放手段を制御する。なお、前記所定時間は、その処理液
貯留槽内の加圧を開始してから、その処理液貯留槽より
基板処理部への処理液の供給が行なえるような圧力でそ
の処理液貯留槽内が加圧された状態になるまでに要する
時間か、それよりも若干長い時間である。

【００２３】上記制御により、一ロット内の最初の基板
に対してその処理液の供給を開始する時には、その処理
液貯留槽から基板処理部への処理液の供給が可能な状態
になっているから、その最初の基板への処理液の供給は
その処理液供給機構の処理液供給／停止切替え手段を切
り替えることで行なえる。以後同様に、その処理液供給
／停止切替え手段を切り替えて、その一ロット内の基板
に順次処理液が供給されて基板処理が施される。

【００２４】そして、制御手段は、その一ロット内の最
後の基板への処理液の供給が停止されるタイミング、ま
たは、それより若干後の所定のタイミングに基づきその
処理液を供給する処理液供給機構の処理液貯留槽内の圧
力を開放するようにその処理液供給機構の加圧手段と圧
力開放手段を制御する。なお、処理液の停止タイミング
より若干後の所定のタイミングとしては、基板処理部で
の前記最後の基板に対する基板処理が終了したタイミン
グや、前記最後の基板が本基板処理装置から搬出される
タイミングなどである。また、処理液貯留槽内の圧力の
開放を、一ロット内の最後の基板への処理液の供給が停
止されるタイミングに基づいて行なえば、その処理液供
給機構の処理液貯留槽内を加圧する時間が短縮される。

【００２５】制御手段は、上述したような加圧手段と圧
力開放手段に対する制御を一ロットごとに繰り返して行
なう。

【００２６】なお、異なる処理液を基板処理部に個別に
供給する複数個の処理液供給機構が備えられた基板処理
装置においては、制御手段は、各処理液供給機構ごとに
加圧開始や圧力の開放の制御を、各処理液供給機構が指
す一ロットごとに行う。

【００２７】また、同一の処理液を基板処理部に個別に
供給する複数個の処理液供給機構が備えられた基板処理
装置においては、制御手段は、いずれか１個の処理液供
給機構を選択し、その処理液供給機構に対して加圧開始
や圧力の開放の制御を一ロットごとに行う。

【００２８】本基板処理装置の電源がＯＮされてからＯ
ＦＦされるまでの間に、本基板処理装置では基板処理が
行なわれない、いわゆる非処理時間が存在するが、本発
明では、上述したように加圧手段と圧力開放手段をこま
めに制御して、少なくともそのような非処理時間の間、
処理液貯留槽内の圧力を開放させ、処理液貯留槽内での
処理液へのガスの溶解を軽減させるようにしている。ま
た、異なる処理液を基板処理部に個別に供給する複数個
の処理液供給機構が備えられた基板処理装置では、各処
理液供給機構ごとに非処理時間が異なることもあるが、
本発明では、各処理液供給機構の処理液貯留槽を必要な
時だけ加圧状態にするようにしている。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１、図２
を参照して説明する。なお、図１は、本発明の実施の形
態の概略構成を示す図であり、図２は、制御部での制御
タイミングなどを説明するための図である。

【００３０】図１に示すように、この基板処理装置１
は、１台または複数台（図１では１台のみ図示してい
る）の基板処理部２や、処理液供給機構３、本発明にお
ける制御手段を構成する制御部４などを備えている。ま
た、処理液供給機構３は、処理液貯留槽５（５ａ、５
ｂ）、加圧機構（加圧手段）６（６ａ、６ｂ）、圧力開
放機構（圧力開放手段）７（７ａ、７ｂ）、処理液供給
管８（８ａ、８ｂ）、処理液供給／停止切替え手段とし
ての開閉弁９（９ａ、９ｂ）、処理液補充機構１０（１
０ａ、１０ｂ）などを備えている。

【００３１】基板処理部２では、所定の処理液（フォト
レジスト液や現像液、あるいは、エッジリンスやバック
リンス用のリンス液（溶剤）など）を基板Ｗに供給して
その基板Ｗに所定の基板処理（フォトレジスト液の塗布
処理や現像処理、エッジリンスやバックリンスなど）を
施す。この種の基板処理は、基板Ｗを水平姿勢に保持し
て、鉛直軸周りに回転しながら行なわれる。そのため、
基板処理部２には、スピンチャック２ａを備えている。
また、スピンチャック２ａに保持された基板Ｗに処理液
を供給するノズル２ｂや、基板処理時に回転されている
基板Ｗの周囲に処理液が飛散するのを防止する飛散防止
カップ２ｃなども備えている。

【００３２】図１に示す処理液供給機構３は、処理液貯
留槽５に貯留される処理液が所定値以下になってその処
理液貯留槽５に処理液を補充する際にも、基板処理部２
への処理液の供給を中断することがないように、処理液
貯留槽５ａ、加圧機構６ａ、圧力開放機構７ａ、処理液
供給管８ａ、開閉弁９ａ、処理液補充機構１０ａなどで
構成される第１の処理液供給機構３ａと、処理液貯留槽
５ｂ、加圧機構６ｂ、圧力開放機構７ｂ、処理液供給管
８ｂ、開閉弁９ｂ、処理液補充機構１０ｂなどで構成さ
れる第２の処理液供給機構３ｂとを備えている。すなわ
ち、一方の処理液供給機構３（例えば、第１の処理液供
給機構３ａ）によって処理液の供給を行い（他方の処理
液供給機構３（第２の処理液供給機構３ｂ）は待機して
いる）、その第１の処理液供給機構３ａの処理液貯留槽
５ａに貯留される処理液が所定値以下になると、その第
１の処理液供給機構３ａの処理液貯留槽５ａへの処理液
の補充を行なうとともに、他方の処理液供給機構３（第
２の処理液供給機構３ｂ）による処理液の供給を行なう
ように切り替える。なお、第１の処理液供給機構３ａの
処理液貯留槽５ａへの処理液の補充が完了すると、第１
の処理液供給機構３ａは待機状態になる。そして、第２
の処理液供給機構３ｂの処理液貯留槽５ｂに貯留される
処理液が所定値以下になると、その第２の処理液供給機
構３ｂの処理液貯留槽５ｂへの処理液の補充を行なうと
ともに、第１の処理液供給機構３ａによる処理液の供給
を行なうように切り替える。以下、同様に第１の処理液
供給機構３ａと第２の処理液供給機構３ｂとが順次切替
えられて、基板処理部２への処理液の供給が行なわれ、
常に処理液の供給を行なえるようにしている。

【００３３】このような第１の処理液供給機構３ａと第
２の処理液供給機構３ｂとの切替え制御は制御部４によ
って行なわれる。なお、処理液貯留槽５ａ、５ｂには、
貯留されている処理液が所定値以下になったか否かを検
知するためのセンサ（静電容量センサなどで構成され
る）１１ａ、１１ｂが設けられている。

【００３４】各処理液貯留槽５ａ、５ｂには、密閉状態
で処理液が貯留される。

【００３５】加圧機構６は、一端側がガス供給源１２に
連通接続された管６ｃと、管６ｃの他端側から分岐さ
れ、端部が処理液貯留槽５ａ、５ｂ内に連通接続された
管６ｄ、６ｅと、管６ｄ、６ｅの管路中に各々設けられ
た開閉弁６ｆ、６ｇで構成されている。なお、ガス供給
源１２、管６ｃ、６ｄ、開閉弁６ｆが加圧機構６ａを構
成し、ガス供給源１２、管６ｃ、６ｅ、開閉弁６ｇが加
圧機構６ｂを構成する。

【００３６】圧力開放機構７は、一端側が上記管６ｄに
連通接続され、他端側が大気に連通接続された管７ｃ
と、一端側が上記管６ｅに連通接続され、他端側が大気
に連通接続された管７ｄと、管７ｃ、７ｄの管路中に各
々設けられた開閉弁７ｅ、７ｆで構成されている。な
お、管７ｃ、開閉弁７ｅ（、管６ｄ）が圧力開放機構７
ａを構成し、管７ｄ、開閉弁７ｆ（、管６ｅ）が圧力開
放機構７ｂを構成する。

【００３７】処理液貯留槽５ａ、５ｂ内の処理液内に臨
んだ処理液供給管８ａ、８ｂは、一端側が基板処理部２
のノズル２ｂに連通接続された管１３に連通接続されて
いて、処理液供給管８ａ、８ｂの管路中に各々開閉弁９
ａ、９ｂが設けられている。なお、処理液供給管８ａ、
８ｂは、管１３の他端側から分岐されている。

【００３８】処理液貯留槽５ａ（５ｂ）を加圧状態にす
る場合には、開閉弁７ｅ（７ｆ）を閉にするとともに、
開閉弁６ｆ（６ｇ）を開にすることにより行なわれる。
そして、処理液貯留槽５ａ（５ｂ）内が所定の加圧状態
になっている状態で、開閉弁９ａ（９ｂ）を閉から開に
切り替えることで処理液貯留槽５ａ（５ｂ）から基板処
理部２（ノズル２ｂ）への処理液の供給が行なわれ、開
閉弁９ａ（９ｂ）を開から閉に切り替えることで処理液
貯留槽５ａ（５ｂ）から基板処理部２（ノズル２ｂ）へ
の処理液の供給が停止される。また、開閉弁６ｆ（６
ｇ）を閉にするとともに、開閉弁７ｅ（７ｆ）を開にす
ることにより処理液貯留槽５ａ（５ｂ）内の加圧が解除
され圧力が開放される。

【００３９】処理液補充機構１０は、一端側が処理液供
給源１４に連通接続された管１０ｃと、管１０ｃの他端
側から分岐され、端部が処理液貯留槽５ａ、５ｂに連通
接続された管１０ｄ、１０ｅと、管１０ｄ、１０ｅの管
路中に各々設けられた開閉弁１０ｆ、１０ｇで構成され
ている。なお、処理液供給源１４、管１０ｃ、１０ｄ、
開閉弁１０ｆが処理液補充機構１０ａを構成し、処理液
供給源１４、管１０ｃ、１０ｅ、開閉弁１０ｇが処理液
補充機構１０ｂを構成する。

【００４０】処理液貯留槽５ａ（５ｂ）に処理液を補充
する場合には、開閉弁６ｆ（６ｇ）を閉にするととも
に、開閉弁７ｅ（７ｆ）を開にして処理液貯留槽５ａ
（５ｂ）内の圧力を開放させ、その状態で、開閉弁１０
ｆ（１０ｇ）を閉から開に切替えることで行なわれる。
なお、処理液貯留槽５ａ、５ｂには、処理液が所定量貯
留された状態を検知するセンサ（静電容量センサなどで
構成される）１５ａ、１５ｂが設けられていて、処理液
が所定量貯留された状態が検知されると、開閉弁１０ｆ
（１０ｇ）を開から閉に切り替えて処理液の補充を完了
する。

【００４１】制御部４は、上述した第１、第２の処理液
供給機構３ａ、３ｂによる基板処理部２への処理液の供
給の切替え制御（処理液の補充制御を含む）を行なうと
ともに、第１、第２の処理液供給機構３ａ、３ｂによる
基板処理部２への処理液の供給制御を一ロット単位で以
下のように行なう。これを図２を参照して説明する。

【００４２】図２中の「ＯＮ」は本基板処理装置１の電
源がＯＮされたタイミングを示し、「ＯＦＦ」は本基板
処理装置１の電源がＯＦＦされたタイミングを示す。通
常、装置１の電源がＯＮされると、装置１のイニシャル
処理（ＩＮＴで示す）が行なわれて後、装置１が動作状
態になる。この装置１の動作状態において、装置１に対
する基板Ｗの搬入／搬出や装置１内での基板Ｗの搬送、
基板処理部２での基板処理などが可能になる。

【００４３】装置１の電源がＯＮされ、動作状態になっ
ている間に、多数枚の基板Ｗがロット単位に本装置１に
搬入されて基板処理され装置１から搬出される。なお、
先にも説明したが、本発明における一ロットとは、本基
板処理装置１で同一の処理液を供給して連続して基板処
理される基板Ｗの集まりを意味し、一枚の基板Ｗが一ロ
ットを構成することもあるし、複数枚の基板Ｗが一ロッ
トを構成することもある。

【００４４】制御部４は、本基板処理装置１で連続して
基板処理される一ロット（図では、ロットＡ、Ｂ、…、
Ｎで示す）内の最初の基板Ｗに対して処理液の供給が開
始される所定時間ｔｃ前（ＳＴ）に処理液貯留槽５（５
ａまたは５ｂのうち、現在処理液の供給に用いられてい
る方の処理液貯留槽）内の加圧を開始するように加圧機
構６（６ａまたは６ｂ）と圧力開放機構７（７ａまたは
７ｂ）を制御する。なお、図２中のＫＳＴは一ロット内
の最初の基板Ｗに対して処理液の供給が開始されるタイ
ミングを示す。

【００４５】また、前記所定時間ｔｃは、処理液貯留槽
５内の加圧を開始してから、処理液貯留槽５より基板処
理部２への処理液の供給が行なえるような圧力で処理液
貯留槽５内が加圧された状態になるまでに要する時間
か、それよりも若干長い時間である。処理液貯留槽５内
の加圧を開始してから、処理液貯留槽５より基板処理部
２への処理液の供給が行なえるような圧力で処理液貯留
槽５内が加圧された状態になるまでに要する時間は、処
理液貯留槽５の容量や、ガス供給源１２からの単位時間
当たりのガスの供給量などによって決まり、予め実験的
に求めておくことができる。なお、処理液貯留槽５に残
留している処理液の量によって上記時間は変動するの
で、処理液貯留槽５に残留している処理液の量を検知し
て、その処理液残留量に応じて上記時間を調整するよう
に構成してもよいが、制御を簡単にするために、処理液
貯留槽５に残留している処理液の量にかかわらず、処理
液貯留槽５自体の容量に応じて上記時間を決めておいて
もよい。

【００４６】上記制御により、一ロット内の最初の基板
Ｗに対して処理液の供給を開始する時（ＫＳＴの時点）
には、処理液貯留槽５から基板処理部２への処理液の供
給が可能な状態になっているから、その最初の基板Ｗへ
の処理液の供給は開閉弁９（９ａまたは９ｂ）を切り替
えることで行なえる。以後同様に、開閉弁９（９ａまた
は９ｂ）を切り替えて、その一ロット内の基板Ｗに順次
処理液が供給されて基板処理が施される。

【００４７】そして、制御部４は、その一ロット内の最
後の基板Ｗへの処理液の供給が停止されるタイミング
（ＫＥＴ）、または、それより若干後の所定のタイミン
グ（ＮＴ）に基づいて処理液貯留槽５内の圧力を開放す
るように加圧機構６（６ａまたは６ｂ）と圧力開放機構
７（７ａまたは７ｂ）を制御する。なお、処理液の停止
タイミングＫＥＴより若干後の所定のタイミングＮＴと
しては、基板処理部２での前記最後の基板Ｗに対する基
板処理が終了したタイミングや、前記最後の基板Ｗが本
基板処理装置１から搬出されるタイミングなどである。
また、処理液貯留槽５内の圧力の開放を、一ロット内の
最後の基板Ｗへの処理液の供給が停止されるタイミング
ＫＥＴに基づいて行なえば、処理液貯留槽５内を加圧す
る時間が短縮される。

【００４８】なお、一ロット内の基板Ｗが１枚であれ
ば、上述したその一ロット内の最初の基板Ｗと最後の基
板Ｗとは同じ基板Ｗになる。

【００４９】制御部４は、上述したような加圧機構６と
圧力開放機構７に対する制御を一ロット（ロットＡ、
Ｂ、…、Ｎ）ごとに繰り返して行なう。

【００５０】また、異なる処理液を基板処理部２に個別
の供給する複数個の処理液供給機構３が備えられた基板
処理装置１では、各処理液供給機構３ごとに図２のよう
な加圧開始と圧力開放の制御がなされることになる。な
お、この場合のロットＡ、Ｂ、…、Ｎは、先にも説明し
たように、各処理液供給機構３で同じ基板Ｗの集まりを
指すこともあるし、異なる基板Ｗの集まりを指すことも
あるが、制御部４は、作業者などから設定された処理条
件などに基づき、各処理液供給機構３の指すロットに応
じて各処理液供給機構３ごとに加圧開始と圧力開放の制
御を行う。

【００５１】図２からも明らかなように、本基板処理装
置１の電源がＯＮされてからＯＦＦされるまでの間に、
本基板処理装置１では基板処理が行なわれない、いわゆ
る非処理時間ＮＳＴが存在するが、本発明では、上述し
たように加圧機構６と圧力開放機構７をこまめに制御し
て、そのような非処理時間ＮＳＴの間はもちろん、処理
液貯留槽５内の加圧が必要ない間、処理液貯留槽５内の
圧力をできるだけ開放させるようにしている。すなわ
ち、本発明によれば、図２のＯＫＴの間、処理液貯留槽
５内が加圧状態にされ、ＮＫＴの間は圧力が開放される
ことになる。従って、従来装置に比べて処理液貯留槽５
内での処理液へのガスの溶解を軽減することができるよ
うになった。

【００５２】また、異なる処理液を基板処理部に個別の
供給する複数個の処理液供給機構が備えられた従来装置
の場合、全ての処理液供給機構の処理液貯留槽は装置の
電源がＯＮされている間、加圧状態にされるが、本発明
によれば、各処理液供給機構３の処理液貯留槽５を必要
な時だけ加圧状態にするので、各処理液供給機構３の処
理液貯留槽５での処理液へのガスの溶解が軽減される。

【００５３】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参
照して説明する。

【００５４】

【実施例】図３は、本発明の一実施例に係る基板処理装
置の全体構成を示す平面図であり、図４は、本実施例装
置の処理液供給系の概略構成を示す図、図５は、本実施
例装置の制御系の概略構成を示す図、図６は、本実施例
装置での処理手順を示すフローチャートである。

【００５５】この実施例装置１は、本装置１に対する基
板Ｗの搬入／搬出を行なうインデクサ２０と、基板処理
部としてのスピンコーター２、基板Ｗに対する加熱処理
や冷却処理を行なう熱処理部２１、本装置１内での基板
Ｗの搬送を行なう基板搬送ロボット２２、処理液供給
系、制御系などを備えて構成されている。

【００５６】インデクサ２０は、複数枚の基板Ｗが水平
姿勢で図３の紙面に垂直な方向に積層して収納できるキ
ャリアＣを載置するキャリア載置テーブル２０ａや、キ
ャリアＣと基板搬送ロボット２２との間で基板Ｗの受渡
しを行い、本装置１に対する基板Ｗの搬入／搬出を行な
う基板搬入出ロボット２０ｂ、スタート指示やレシピ
（処理条件等）などを設定するスイッチ部２０ｃなどか
らなる。

【００５７】キャリア載置テーブル２０ａには、複数個
（図では４個）のキャリア載置部２０ｄが設けられてい
る。スイッチ部２０ｃは各キャリア載置部２０ｄごとに
設けられていて、対応するキャリア載置部２０ｄに載置
されているキャリアＣに収納されている基板Ｗに対する
レシピを設定したり、そのキャリアＣに収納されている
基板Ｗに対する処理の開始（スタート指示）などを行な
うようになっている。各キャリア載置部２０ｄに対する
キャリアＣの載置や取り出しは、図示しないキャリアの
自動搬送装置（Auto Guided Vehicle)や人手により行な
われ、スイッチ部２０ｃからのレシピの設定やスタート
指示は人手により行なわれる。

【００５８】スタートが指示されると、基板搬入出ロボ
ット２０ｂは、対応するキャリア載置部２０ｄに載置さ
れているキャリアＣに収納されている基板Ｗを１枚ずつ
取り出し、順次基板搬送ロボット２２に引き渡していき
基板Ｗの搬入を行なう。また、基板搬入出ロボット２０
ｂは、所定の基板処理が施された基板Ｗが基板搬送ロボ
ット２２から引き渡されると、その基板Ｗを元のキャリ
アＣの元の収納場所に順次収納していき基板Ｗの搬出を
行なう。

【００５９】基板搬送ロボット２２は、基板搬入出ロボ
ット２０ｂから基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを所定
の処理手順に従って熱処理部２１やスピンコーター２に
順次搬送し、所定の基板処理が終了すると、基板搬入出
ロボット２０ｂに基板Ｗを順次引き渡していく。

【００６０】スピンコーター２は、基板Ｗを回転させな
がら基板Ｗにフォトレジストの薄膜を塗布するためのも
ので、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転させるスピンチ
ャック２ａや、スピンチャック２ａに保持された基板Ｗ
に処理液（フォトレジスト液）を供給するレジスト供給
ノズル２ｂ、基板処理時に回転されている基板Ｗの周囲
にフォトレジスト液などの処理液が飛散するのを防止す
る飛散防止カップ２ｃなどを備えている。なお、このス
ピンコーター２には、基板Ｗを回転しながら基板Ｗの外
周端縁付近にリンス液を供給してエッジリンスを行なう
ためのエッジリンスノズル２ｄや、基板Ｗを回転しなが
ら基板Ｗの裏面にリンス液を供給してバックリンスを行
なうためのバックリンスノズル２ｅ（図４参照）も備え
られている。

【００６１】熱処理部２１は、基板Ｗを所定温度に加熱
するためのホットプレートなどを備えた基板加熱処理部
や、基板加熱処理部で加熱された基板Ｗを常温付近の所
定温度に冷却するためのクールプレートなどを備えた基
板冷却処理部（いずれも図示せず）などが複数個備えら
れて構成されている。

【００６２】本実施例装置１の処理液供給系は、図４に
示すように、レジスト塗布ノズル２ｂ、エッジリンスノ
ズル２ｄ、バックリンスノズル２ｅそれぞれに、図１で
説明した処理液供給機構３が付設されている。各ノズル
２ｂ、２ｄ、２ｅからの処理液の供給／停止や、処理液
貯留槽５内の加圧と圧力開放の切替えなどの制御は、各
処理液供給機構３ごとに個別に制御部４により行なわれ
る。なお、レジスト供給ノズル２ｂに付設されている処
理液供給機構３内の処理液貯留槽５には、フォトレジス
ト液が貯留され、エッジリンスノズル２ｄやバックリン
スノズル２ｅに付設されている処理液供給機構３内の処
理液貯留槽５には、各々エッジリンス用のリンス液やバ
ックリンス用のリンス液が貯留される。

【００６３】本実施例装置１の制御部４は、処理液供給
系以外にも装置１全体の制御も行なう。すなわち、図５
に示すように、制御部４は、インデクサ２０や、スピン
コーター２、熱処理部２１、基板搬送ロボット２２、処
理液供給系（各処理液供給機構３）などと接続されてい
て、各部から必要な情報が与えられるとともに、その情
報などに基づき各部の制御を行なう。

【００６４】上記構成の実施例装置１において基板Ｗが
搬入されてから搬出されるまでの処理の流れを１個のキ
ャリアＣについて図６のフローチャートを参照して説明
する。

【００６５】キャリアＣがキャリア載置部２０ｄに載置
される（ステップＳ１）。次に、そのキャリアＣが載置
されたキャリア載置部２０ｄに対応するスイッチ部２０
ｃからそのキャリアＣに収納されている基板Ｗに対する
レシピが設定される（ステップＳ２）。設定されたレシ
ピは、制御部４に与えられて、そのレシピに従って以降
の基板処理が行なわれるように熱処理部２１やスピンコ
ーター２などが制御部４によって制御される。

【００６６】そして、上記レシピを設定したスイッチ部
２０ｃからスタート指示を与えると、そのキャリアＣに
収納されている基板Ｗに対する基板処理が開始される
（ステップＳ３）。すなわち、まず、制御部４に制御さ
れて基板搬入出ロボット２０ｂが、そのキャリアＣから
基板Ｗを１枚ずつ取り出し、順次基板搬送ロボット２２
に引き渡して基板Ｗの搬入が行なわれる（ステップＳ
４）。搬入された基板Ｗは、制御部４に制御されて基板
搬送ロボット２２により熱処理部２１の基板加熱処理部
に搬送され、制御部４に制御されてそこで加熱処理が施
され（ステップＳ５）、次に、基板搬送ロボット２２に
より基板加熱処理部から基板冷却処理部に搬送され、制
御部４に制御されてそこで冷却処理が施される（ステッ
プＳ６）。そして、基板搬送ロボット２２により基板冷
却処理部からスピンコーター２に搬送され、制御部４に
制御されてそこでフォトレジストの塗布処理（エッジリ
ンスやバックリンスを含む）が施される（ステップＳ
７）。次に、基板搬送ロボット２２により基板加熱処理
部、基板冷却処理部の順に基板Ｗが搬送され、制御部４
に制御されてそこで加熱処理、冷却処理がその順で施さ
れる（ステップＳ８、Ｓ９）。なお、上記ステップＳ４
〜Ｓ１０までの各処理は、例えば、最初の基板Ｗがスピ
ンコーター２で基板処理されているとき、２番目の基板
Ｗが基板冷却処理部で冷却処理され、３番目の基板Ｗが
基板加熱処理部で加熱処理され、４番目の基板Ｗが搬入
されているというように、複数の基板Ｗに対して同時並
行的に行なわれる。

【００６７】上記ステップＳ５〜Ｓ９の一連の基板処理
が終了した基板Ｗは、基板搬送ロボット２２から基板搬
入出ロボット２０ｂに引き渡され、元のキャリアＣの元
の収納場所に順次収納され、基板Ｗの搬出が行なわれる
（ステップＳ１０）。そして、そのキャリアＣに収納さ
れている全ての基板Ｗに対して上記ステップＳ５〜Ｓ９
の基板処理が終了し、そのキャリアＣに収納されると、
そのキャリアＣはキャリア載置部２０ｄから取り出され
る（ステップＳ１１）。

【００６８】なお、各々の基板Ｗには識別用のＩＤが付
されていて、上記基板Ｗの搬入、各基板処理、装置１内
の搬送、基板Ｗの搬出などは、そのＩＤで管理されて行
なわれる。

【００６９】また、制御部４は、各々のキャリア載置部
２０ｄごとに処理中か否かを認識するための処理状態を
記憶している。例えば、あるキャリア載置部２０ｄに対
応するスイッチ部２０ｃからスタート指示が与えられる
と、制御部４はそのキャリア載置部２０ｄに対応する前
記処理状態を「処理中」に更新する。そして、そのキャ
リア載置部２０ｄに載置されているキャリアＣ内の最後
の基板Ｗ（ＩＤによって知ることができる）が上記各基
板処理を終了し再びそのキャリアＣの元の収納場所に収
納されると、上記処理状態を「非処理中」に更新する。
また、複数のキャリア載置部２０ｄに対応する各スイッ
チ部２０ｃからスタート指示が与えられると、スタート
指示が与えられた全てのキャリア載置部２０ｄに対応す
る処理状態が「処理中」に更新される。このとき、スタ
ート指示が与えられた順に上記図６の処理が実行され
る。１個のキャリアＣ内の全ての基板Ｗに対する処理が
終了すると、制御部４はそのキャリアＣ（キャリア載置
部２０ｄ）に対応する処理状態を「非処理中」に更新
し、他に「処理中」のキャリア載置部２０ｄがないか否
かを調べ、あればそのうちの最先にスタート指示が与え
られたキャリアＣ内の基板Ｗに対して続けて上記図６の
処理を実行する。以後同様にして、全てのキャリア載置
部２０ｄに対する処理状態が「非処理中」になるまで図
６の処理を続けて行なう。

【００７０】このようにこの実施例装置１では、１個の
キャリアＣ内の基板Ｗに対する処理が連続的に行なわれ
ることもあるし、複数個のキャリアＣ内の基板Ｗに対す
る処理が連続的に行なわれることもある。従って、この
装置１では連続的に処理される１個または複数個のキャ
リアＣ内の基板Ｗが本発明の一ロットを構成する。な
お、１個のキャリアＣ内の基板Ｗに対する処理が連続的
に行なわれる場合であって、そのキャリアＣに基板Ｗが
１枚だけ収納されているときには、その１枚の基板Ｗが
一ロットを構成する。

【００７１】次に、本実施例装置１における処理液供給
系の制御について説明する。本実施例では、スタート指
示が与えられると、各処理液供給機構３の処理液貯留槽
５の加圧を開始する。

【００７２】先にも説明したように、スタート指示が与
えられると各基板Ｗに対して図６のステップＳ４〜Ｓ１
０の処理が順次実行される。すなわち、スタート指示が
与えられてから（各処理液供給機構３の処理液貯留槽５
の加圧を開始してから）、一ロットの最初の基板Ｗ（最
初に搬入された基板Ｗ）がスピンコーター２に搬送さ
れ、フォトレジスト液の供給が開始されるまでの間には
充分な時間が経過しているので、その最初の基板Ｗにフ
ォトレジスト液を供給する際には、各処理液貯留槽５内
は、各液の供給が行なえる程度に加圧されている。従っ
て、最初の基板Ｗを含む全ての基板Ｗに対してフォトレ
ジスト液を供給する際には、制御部４はフォトレジスト
液を供給する処理液供給機構３の開閉弁９を開にし、所
定量のフォトレジスト液の供給が終了するとその開閉弁
９を閉にしてフォトレジスト液の供給を停止させる。エ
ッジリンス液やバックリンス液の供給／停止も同様に各
処理液供給機構３の開閉弁９の開閉の切替えで行なわれ
る。

【００７３】以後、各基板Ｗがスピンコーター２に搬送
されると上述と同様に、フォトレジスト液やエッジリン
ス液、バックリンス液の供給が行なわれる。

【００７４】そして、最後の基板Ｗ（最後に搬入される
基板Ｗ）がスピンコーター２に搬送され、その基板Ｗに
対するフォトレジスト液の供給が停止されると、そのタ
イミングで、フォトレジスト液を供給する処理液供給機
構３の処理液貯留槽５内の加圧を解除し圧力を開放させ
る。また、同様に、最後の基板Ｗに対するエッジリンス
液やバックリンス液の供給が停止されると、それぞれの
停止タイミングで、エッジリンス液やバックリンス液を
供給する各処理液供給機構３の処理液貯留槽５内の加圧
を解除し圧力を開放させる。なお、各液の供給の開始／
停止のタイミングは制御部４で認識している。

【００７５】これにより、図２で説明したように、各処
理液貯留槽５内を加圧する時間を従来装置よりも短縮す
ることができるようになった。

【００７６】ところで、この種の基板処理装置１には、
スピンコーター２に複数種類のフォトレジスト液を基板
Ｗに供給する複数個のレジスト供給ノズル２ｂが備えら
れることもある。このような場合には、各ノズル２ｂに
各々処理液供給機構３が付設されることになる。そし
て、キャリアＣに収納される基板Ｗ個々で使用するフォ
トレジスト液の種類を違えて塗布処理されることがあ
る。

【００７７】例えば、キャリアＣに複数枚の基板Ｗ１〜
Ｗｋが収納されていて、基板Ｗ１〜Ｗｉはフォトレジス
ト液Ａの塗布処理を行い、基板Ｗ（ｉ＋１）〜Ｗｊはフ
ォトレジスト液Ｂの塗布処理を行い、基板Ｗ（ｊ＋１）
〜Ｗｋはフォトレジスト液Ｃの塗布処理を行うような場
合（ｉ＜ｊ＜ｋ）である。なお、エッジリンスやバック
リンスは、全ての基板Ｗ１〜Ｗｋに対して行われる。

【００７８】上記において、スタート指示が与えられる
と、基板Ｗ１〜Ｗｋが連続して装置１内に搬入されて基
板処理されるとすると、エッジリンスやバックリンス用
の各リンス液を供給する処理液供給機構３に対しては基
板Ｗ１〜Ｗｋが一ロットを構成し、フォトレジスト液Ａ
を供給する処理液供給機構３に対しては基板Ｗ１〜Ｗｉ
が一ロットを構成し、フォトレジスト液Ｂを供給する処
理液供給機構３に対しては基板Ｗ（ｉ＋１）〜Ｗｊが一
ロットを構成し、フォトレジスト液Ｃを供給する処理液
供給機構３に対しては基板Ｗ（ｊ＋１）〜Ｗｋが一ロッ
トを構成することになる。

【００７９】このような場合、例えば、全ての処理液供
給機構３の加圧の開始や圧力の開放を同じタイミングで
行ってもよいが、各処理液供給機構３に対するロット単
位に、各処理液供給機構３ごとに加圧の開始や圧力の開
放を制御してもよい。例えば、スタート指示が与えられ
たタイミングで、エッジリンスやバックリンス用の各リ
ンス液を供給する処理液供給機構３と、フォトレジスト
液Ａを供給する処理液供給機構３の加圧を開始し、基板
Ｗｉへのフォトレジスト液Ａの供給が停止したタイミン
グでフォトレジスト液Ａを供給する処理液供給機構３の
圧力を開放し、基板Ｗ（ｉ＋１）が装置１に搬入された
タイミングでフォトレジスト液Ｂを供給する処理液供給
機構３の加圧を開始し、基板Ｗｊへのフォトレジスト液
Ｂの供給が停止したタイミングでフォトレジスト液Ｂを
供給する処理液供給機構３の圧力を開放し、基板Ｗ（ｊ
＋１）が装置１に搬入されたタイミングでフォトレジス
ト液Ｃを供給する処理液供給機構３の加圧を開始し、基
板Ｗｋへのフォトレジスト液Ｃの供給が停止したタイミ
ング、エッジリンス用のリンス液の供給の停止のタイミ
ング、バックリンス用のリンス液の供給の停止のタイミ
ングでフォトレジスト液Ｃを供給する処理液供給機構
３、エッジリンスやバックリンス用の各リンス液を供給
する処理液供給機構３の圧力を開放する。このように各
処理液供給機構３の加圧の開始と圧力の開放をこまめに
制御することで、各処理液供給機構３の処理液貯留槽５
での処理液へのガスの溶解を一層軽減できる。

【００８０】なお、上述したような場合を考慮すれば、
処理液供給機構３によっては、装置１で連続して基板処
理される１個のキャリアＣ内に収納される複数枚の基板
Ｗが複数ロット（ただし、収納されている基板Ｗの枚数
と同じかそれより少ないロット数）として扱われること
もある。また、同様に、例えば、キャリアＣに基板Ｗが
２５枚収納されていて、それら基板Ｗが２５ロットとし
て扱われる場合もある。

【００８１】上述の説明では、各処理液貯留槽５内の加
圧を開始するタイミングをスタート指示の時にし、加圧
を解除して圧力を開放するタイミングを各液の供給を停
止するタイミングにしたが、これら加圧開始と圧力開放
はそれ以外にも以下のようなタイミングで行なってもよ
い。

【００８２】＜加圧開始のタイミング＞加圧の開始は、
一ロット内の最初の基板Ｗに対する処理液の供給の開始
に先立ち、少なくとも処理液貯留槽５内の加圧を開始し
てから、処理液貯留槽５よりスピンコーター２への処理
液の供給が行なえるような圧力で処理液貯留槽５内が加
圧された状態になるまでに要する時間（ｔｓとする）前
に行なわれる必要がある。従って、そのような条件を満
たすのであれば、以下の(S-1) 〜(S-7) のタイミングを
加圧開始のタイミングにすることができる。

【００８３】(S-1) 図６のステップＳ４において、最初
の基板Ｗが本装置１に搬入されるタイミング。 (S-2) 図６のステップＳ５において、最初の基板Ｗが基
板加熱処理部に搬送されたタイミング。 (S-3) 図６のステップＳ５において、最初の基板Ｗに対
する基板加熱処理部での加熱処理が終了したタイミン
グ。 (S-4) 図６のステップＳ５において、最初の基板Ｗが加
熱処理の終了後、基板加熱処理部から取り出されるタイ
ミング。 (S-5) 図６のステップＳ６において、最初の基板Ｗが基
板冷却処理部に搬送されたタイミング。 (S-6) 図６のステップＳ６において、最初の基板Ｗに対
する基板冷却処理部での冷却処理が終了したタイミン
グ。 (S-7) 図６のステップＳ６において、最初の基板Ｗが冷
却処理の終了後、基板冷却処理部から取り出されるタイ
ミング。

【００８４】なお、上記各タイミングの際には、それぞ
れ熱処理部２１や基板搬送ロボット２２などからタイミ
ング信号が制御部４に出されたり、制御部４が熱処理部
２１や基板搬送ロボット２２などにタイミング信号を出
しているので、上記各タイミングは制御部４で認識する
ことができる。

【００８５】また、加圧開始のタイミングは、最初の基
板Ｗに処理液の供給を開始させるよりも上記ｔｓ時間前
のタイミングか、それよりも若干長い時間（上記ｔｓ＋
α）前であって最初の基板Ｗに処理液の供給を開始させ
るよりも上記ｔｓ時間前に最も近いタイミングであるこ
とが処理液貯留槽５内の加圧時間の短縮化に好適であ
る。

【００８６】＜圧力開放のタイミング＞各処理液貯留槽
５内の加圧時間の短縮化には、上述したように最後の基
板Ｗに対する各液の処理液供給の停止タイミングに基づ
き圧力開放を行なうのが好適であるが、それ以外にも以
下の(E-1) 〜(E-11)などのタイミングで圧力開放を行な
ってもよい。

【００８７】(E-1) 図６のステップＳ７において、最後
の基板Ｗに対するスピンコーター２での基板処理を終了
したタイミング。 (E-2) 図６のステップＳ７において、最後の基板Ｗがス
ピンコーター２での基板処理の終了後、スピンコーター
２から取り出されるタイミング。 (E-3) 図６のステップＳ８において、最後の基板Ｗが基
板加熱処理部に搬送されたタイミング。 (E-4) 図６のステップＳ８において、最後の基板Ｗに対
する基板加熱処理部での加熱処理が終了したタイミン
グ。 (E-5) 図６のステップＳ８において、最後の基板Ｗが加
熱処理の終了後、基板加熱処理部から取り出されるタイ
ミング。 (E-6) 図６のステップＳ９において、最後の基板Ｗが基
板冷却処理部に搬送されたタイミング。 (E-7) 図６のステップＳ９において、最後の基板Ｗに対
する基板冷却処理部での冷却処理が終了したタイミン
グ。 (E-8) 図６のステップＳ９において、最後の基板Ｗが冷
却処理の終了後、基板冷却処理部から取り出されるタイ
ミング。 (E-9) 図６のステップＳ１０において、最後の基板Ｗが
基板搬送ロボット２２から基板搬入出ロボット２０ｂに
引き渡されたタイミング。 (E-10) 図６のステップＳ１０において、最後の基板Ｗ
がキャリアＣに収納されたタイミング。 (E-11) 図６のステップＳ１１において、キャリアＣが
キャリア載置部２０ｄから取り出されるタイミング。

【００８８】なお、上記各タイミングの際には、それぞ
れインデクサ２０やスピンコーター２、熱処理部２１、
基板搬送ロボット２２などからタイミング信号が制御部
４に出されたり、制御部４がインデクサ２０やスピンコ
ーター２、熱処理部２１、基板搬送ロボット２２などに
タイミング信号を出しているので、上記各タイミングは
制御部４で認識することができる。

【００８９】上述した実施例では、スピンコーター２を
備えた基板処理装置を例に採り説明したが、現像液が上
記処理液供給機構３で供給される、現像処理用のスピン
デベロッパーを備えた基板処理装置や、スピンコーター
とスピンデベロッパーの双方を備えた基板処理装置な
ど、ガス圧による圧送方式で処理液を基板に供給して所
定の基板処理が施される基板処理装置にも本発明は同様
に適用することができる。

【００９０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、加圧手段による処理液貯留槽内の加圧と、圧
力開放手段による処理液貯留槽内の圧力の開放とを、本
基板処理装置で同一の処理液を供給して連続して基板処
理される一ロットごとに行なうように加圧手段と圧力開
放手段をこまめに制御するように構成したので、本基板
処理装置の電源がＯＮされてからＯＦＦされるまでの間
において、本基板処理装置では基板処理が行なわれな
い、いわゆる非処理時間などの間、処理液貯留槽内の圧
力を開放させることができ、それだけ、従来装置に比べ
て処理液貯留槽内が加圧される時間を短縮できる。従っ
て、従来装置と同じ低コストのガスを用いて処理液貯留
槽内を加圧しても、処理液貯留槽内での処理液へのガス
の溶解を軽減させることができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の概略構成を示す図であ
る。

【図２】制御部での制御タイミングなどを説明するため
の図である。

【図３】本発明の一実施例に係る基板処理装置の全体構
成を示す平面図である。

【図４】本実施例装置の処理液供給系の概略構成を示す
図である。

【図５】本実施例装置の制御系の概略構成を示す図であ
る。

【図６】本実施例装置での処理手順を示すフローチャー
トである。

【符号の説明】

１ … 基板処理装置 ２ … 基板処理部 ３ … 処理液供給機構 ４ … 制御部（制御手段） ５ … 処理液貯留槽 ６ … 加圧機構（加圧手段） ７ … 圧力開放機構（圧力開放手段） ９ … 開閉弁（処理液供給／停止切替え手段） Ｗ … 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−171124（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−74414（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−153671（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−5644（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08 B05C 11/10

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の処理液を基板に供給して前記基板
   に所定の基板処理を施す基板処理部と、 前記基板処理部に処理液を供給する１または複数個の処
   理液供給機構と、 を備え、 前記処理液供給機構は、 前記基板処理部に供給する処理液を貯留する処理液貯留
   槽と、 前記処理液貯留槽内にガスを供給して加圧する加圧手段
   と、 前記処理液貯留槽内の圧力を開放する圧力開放手段と、 前記処理液貯留槽から前記基板処理部への処理液の供給
   ／停止を切り替える処理液供給／停止切替え手段と、 を含む基板処理装置において、 本基板処理装置で同一の処理液を供給して連続して基板
   処理される一ロット内の最初の基板に対してその処理液
   の供給が開始される所定時間前にその処理液を供給する
   処理液供給機構の処理液貯留槽内の加圧を開始するとと
   もに、そのロット内の最後の基板へのその処理液の供給
   が停止されるタイミング、または、それより若干後の所
   定のタイミングに基づきその処理液を供給する処理液供
   給機構の処理液貯留槽内の圧力を開放する制御を前記一
   ロットごとに行なう制御手段を備えたことを特徴とする
   基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記制御手段は、前記一ロット内の最初の基板に対する
   処理液の供給の開始に先立ち、その処理液を供給する処
   理液供給機構の処理液貯留槽内の加圧を開始してから、
   その処理液貯留槽より前記基板処理部への処理液の供給
   が行なえるような圧力でその処理液貯留槽内が加圧され
   た状態になるまでに要する時間前か、それよりも若干長
   い時間前にその処理液貯留槽内の加圧を開始するととも
   に、そのロット内の最後の基板への処理液の供給が停止
   されるタイミングに基づきその処理液貯留槽内の圧力を
   開放する制御を前記一ロットごとに行なうものである基
   板処理装置。