JP3346716B2 - 基板冷却方法および基板冷却装置 - Google Patents
基板冷却方法および基板冷却装置Info
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- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
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- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
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- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
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- F25D3/00—Devices using other cold materials; Devices using cold-storage bodies
- F25D3/10—Devices using other cold materials; Devices using cold-storage bodies using liquefied gases, e.g. liquid air
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して行われる処理において
温度が高められた状態の基板を冷却する方法および装置
に関する。
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して行われる処理において
温度が高められた状態の基板を冷却する方法および装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ）の製造においては、基板である半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、こ
れを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ
ー技術により回路パターンが形成される。
ＣＤ）の製造においては、基板である半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、こ
れを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ
ー技術により回路パターンが形成される。
【０００３】このような塗布・現像処理においては、レ
ジスト膜を形成する際に、フォトレジストの安定化のた
めのプリベーク、露光後のポストエクスポージャーベー
ク、および現像後のポストベーク等の熱処理が施され
る。また、これらの熱処理後の温度が高められた基板を
冷却するための冷却工程が行われる。
ジスト膜を形成する際に、フォトレジストの安定化のた
めのプリベーク、露光後のポストエクスポージャーベー
ク、および現像後のポストベーク等の熱処理が施され
る。また、これらの熱処理後の温度が高められた基板を
冷却するための冷却工程が行われる。
【０００４】従来、熱処理後の温度が高められた基板を
冷却する場合、基板を支持する支持体であるクーリング
プレート上において熱交換を行っている。具体的には、
冷却素子であるペルチェ素子を取り付けたクーリングプ
レートや、冷却水を循環させるための管路を設けたクー
リングプレート上に温度が高められた基板を載置し、ペ
ルチェ素子や冷却水と基板との間で熱交換を行い基板の
温度を低下させている。
冷却する場合、基板を支持する支持体であるクーリング
プレート上において熱交換を行っている。具体的には、
冷却素子であるペルチェ素子を取り付けたクーリングプ
レートや、冷却水を循環させるための管路を設けたクー
リングプレート上に温度が高められた基板を載置し、ペ
ルチェ素子や冷却水と基板との間で熱交換を行い基板の
温度を低下させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記基
板冷却方法において、タクトタイムを短くするために
は、効率良く基板を冷却する必要があり、このために
は、クーリングプレートに基板全面を直接接触させる必
要がある。この場合、基板冷却後に基板をクーリングプ
レートから脱離させるときに静電気が発生し、基板が帯
電してしまうという問題がある。
板冷却方法において、タクトタイムを短くするために
は、効率良く基板を冷却する必要があり、このために
は、クーリングプレートに基板全面を直接接触させる必
要がある。この場合、基板冷却後に基板をクーリングプ
レートから脱離させるときに静電気が発生し、基板が帯
電してしまうという問題がある。
【０００６】また、クーリングプレートにおける熱交換
においては、冷却水を循環させる方式であると、温度調
節の制御の応答性が悪く不正確となり、ペルチェ素子の
みを用いるとコストが高くなり過ぎるという問題があ
る。
においては、冷却水を循環させる方式であると、温度調
節の制御の応答性が悪く不正確となり、ペルチェ素子の
みを用いるとコストが高くなり過ぎるという問題があ
る。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、正確な制御が可能であり、しかも効率良く基板
を冷却することができる基板冷却方法および基板冷却装
置を提供することを目的とする。
であり、正確な制御が可能であり、しかも効率良く基板
を冷却することができる基板冷却方法および基板冷却装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点では、温度が高められた基板を
密閉雰囲気下で基板に冷却媒体を直接接触させることに
より第１の冷却速度で急冷する第１の冷却工程と、前記
第１の冷却工程後の基板を開放状態で前記第１の冷却速
度よりも小さい第２の冷却速度で冷却する第２の冷却工
程とを具備することを特徴とする基板冷却方法を提供す
る。
に、本発明の第１の観点では、温度が高められた基板を
密閉雰囲気下で基板に冷却媒体を直接接触させることに
より第１の冷却速度で急冷する第１の冷却工程と、前記
第１の冷却工程後の基板を開放状態で前記第１の冷却速
度よりも小さい第２の冷却速度で冷却する第２の冷却工
程とを具備することを特徴とする基板冷却方法を提供す
る。
【０００９】本発明の第２の観点では、支持体に支持さ
れた温度が高められた基板を密閉雰囲気に置く工程と、
密閉雰囲気にある基板に冷却媒体を直接接触させること
により前記基板を急冷する第１の冷却工程と、前記第１
の冷却工程後の基板を開放状態で前記支持体に備えられ
た冷却手段で冷却する第２の冷却工程とを具備すること
を特徴とする基板冷却方法を提供する。
れた温度が高められた基板を密閉雰囲気に置く工程と、
密閉雰囲気にある基板に冷却媒体を直接接触させること
により前記基板を急冷する第１の冷却工程と、前記第１
の冷却工程後の基板を開放状態で前記支持体に備えられ
た冷却手段で冷却する第２の冷却工程とを具備すること
を特徴とする基板冷却方法を提供する。
【００１０】本発明の第３の観点では、温度が高められ
た基板を冷却する基板冷却装置であって、基板を支持す
る支持体と、前記基板に冷却媒体を接触させるための冷
却媒体供給手段と、前記支持体に設けられ、支持された
基板を冷却する冷却手段と、前記支持体上の基板の存在
雰囲気を密閉雰囲気とすることが可能な開閉可能なチャ
ンバとを具備し、前記チャンバで密閉雰囲気を形成した
状態で前記冷却媒体供給手段からの冷却媒体を基板に接
触させて基板を急冷し、前記チャンバを開放した状態で
前記冷却手段により基板を冷却することを特徴とする基
板冷却装置を提供する。
た基板を冷却する基板冷却装置であって、基板を支持す
る支持体と、前記基板に冷却媒体を接触させるための冷
却媒体供給手段と、前記支持体に設けられ、支持された
基板を冷却する冷却手段と、前記支持体上の基板の存在
雰囲気を密閉雰囲気とすることが可能な開閉可能なチャ
ンバとを具備し、前記チャンバで密閉雰囲気を形成した
状態で前記冷却媒体供給手段からの冷却媒体を基板に接
触させて基板を急冷し、前記チャンバを開放した状態で
前記冷却手段により基板を冷却することを特徴とする基
板冷却装置を提供する。
【００１１】本発明の第４の観点では、基板に液体を供
給して所定の処理を行う液処理部と、液処理後の基板に
対して熱処理が行われ、基板の温度が高められる熱処理
部と、温度が高められた基板を冷却する冷却部とを具備
し、前記冷却部は、基板を支持する支持体と、前記基板
に冷却媒体を接触させるための冷却媒体供給手段と、前
記支持体に設けられ、支持された基板を冷却する冷却手
段と、前記支持体上の基板の存在雰囲気を密閉雰囲気と
することが可能な開閉可能なチャンバとを含み、前記チ
ャンバで密閉雰囲気を形成した状態で前記冷却媒体供給
手段からの冷却媒体を基板に接触させて基板を急冷し、
前記チャンバを開放した状態で前記冷却手段により基板
を冷却することを特徴とする処理装置を提供する。
給して所定の処理を行う液処理部と、液処理後の基板に
対して熱処理が行われ、基板の温度が高められる熱処理
部と、温度が高められた基板を冷却する冷却部とを具備
し、前記冷却部は、基板を支持する支持体と、前記基板
に冷却媒体を接触させるための冷却媒体供給手段と、前
記支持体に設けられ、支持された基板を冷却する冷却手
段と、前記支持体上の基板の存在雰囲気を密閉雰囲気と
することが可能な開閉可能なチャンバとを含み、前記チ
ャンバで密閉雰囲気を形成した状態で前記冷却媒体供給
手段からの冷却媒体を基板に接触させて基板を急冷し、
前記チャンバを開放した状態で前記冷却手段により基板
を冷却することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１２】上記第１の観点および第２の観点によれ
ば、温度が高められた基板を密閉状態で冷却媒体を直接
接触させることにより急冷した後に、基板を開放状態で
急冷の際の冷却速度（第１の冷却速度）よりも小さい冷
却速度（第２の冷却速度）で冷却する。すなわち、密閉
雰囲気下で冷却することにより効率良く基板をラフな精
度である程度まで急激に温度降下させ、その後に開放状
態で所望の温度までの高精度の冷却を行う。したがっ
て、はじめから冷却素子のみ、または冷却水のみで冷却
する場合に比べて効率良く基板冷却を行うことができ、
基板冷却工程におけるタクトタイム短縮を図ることがで
きる。また、このように効率の良い冷却を行うことがで
きるので、基板全面を支持体上に接触させることなく基
板冷却を行うことができ、静電気発生による基板への帯
電を防止することができる。
ば、温度が高められた基板を密閉状態で冷却媒体を直接
接触させることにより急冷した後に、基板を開放状態で
急冷の際の冷却速度（第１の冷却速度）よりも小さい冷
却速度（第２の冷却速度）で冷却する。すなわち、密閉
雰囲気下で冷却することにより効率良く基板をラフな精
度である程度まで急激に温度降下させ、その後に開放状
態で所望の温度までの高精度の冷却を行う。したがっ
て、はじめから冷却素子のみ、または冷却水のみで冷却
する場合に比べて効率良く基板冷却を行うことができ、
基板冷却工程におけるタクトタイム短縮を図ることがで
きる。また、このように効率の良い冷却を行うことがで
きるので、基板全面を支持体上に接触させることなく基
板冷却を行うことができ、静電気発生による基板への帯
電を防止することができる。
【００１３】上記第２の観点の冷却方法において、前記
冷却媒体の供給量および／または供給時間を調節して急
冷の際の冷却速度を制御することが好ましい。これによ
り第１の冷却工程においてどの温度レベルまで基板を急
冷するか、すなわち第１の冷却速度を制御することがで
きる。また、前記冷却媒体は、基板に対し、整流された
状態で略均等に供給されることが好ましい。さらに、基
板を密閉雰囲気に置いた後、その密閉雰囲気を排気する
工程をさらに具備し、その後、基板に冷却媒体を直接接
触させることが好ましい。さらにまた、前記冷却手段は
冷却素子および冷却水管路であり、前記冷却工程におけ
る冷却が前記冷却素子および前記冷却水管路を通流する
冷却水で行われることが好ましい。これにより、簡易な
構成で、しかもコストが高くならずに、精密な温度制御
下における基板冷却を行うことができる。
冷却媒体の供給量および／または供給時間を調節して急
冷の際の冷却速度を制御することが好ましい。これによ
り第１の冷却工程においてどの温度レベルまで基板を急
冷するか、すなわち第１の冷却速度を制御することがで
きる。また、前記冷却媒体は、基板に対し、整流された
状態で略均等に供給されることが好ましい。さらに、基
板を密閉雰囲気に置いた後、その密閉雰囲気を排気する
工程をさらに具備し、その後、基板に冷却媒体を直接接
触させることが好ましい。さらにまた、前記冷却手段は
冷却素子および冷却水管路であり、前記冷却工程におけ
る冷却が前記冷却素子および前記冷却水管路を通流する
冷却水で行われることが好ましい。これにより、簡易な
構成で、しかもコストが高くならずに、精密な温度制御
下における基板冷却を行うことができる。
【００１４】上記第３の観点および第４の観点によれ
ば、基板に冷却媒体を接触させるための冷却媒体供給手
段と、前記支持体に設けられ、支持された基板を冷却す
る基板冷却手段と、前記支持体上の基板の存在雰囲気を
密閉雰囲気とすることが可能な開閉可能なチャンバとを
具備し、チャンバで密閉雰囲気を形成した状態で冷却媒
体供給手段からの冷却媒体を基板に接触させて基板を急
冷し、チャンバを開放した状態で支持体の冷却手段によ
り基板を冷却するので、冷却媒体の温度を高めることな
く基板に冷却媒体を与えることができ、基板の急冷を効
率良く行うことができる。また、開放状態で支持体の冷
却手段により高精度の冷却を行うことができる。
ば、基板に冷却媒体を接触させるための冷却媒体供給手
段と、前記支持体に設けられ、支持された基板を冷却す
る基板冷却手段と、前記支持体上の基板の存在雰囲気を
密閉雰囲気とすることが可能な開閉可能なチャンバとを
具備し、チャンバで密閉雰囲気を形成した状態で冷却媒
体供給手段からの冷却媒体を基板に接触させて基板を急
冷し、チャンバを開放した状態で支持体の冷却手段によ
り基板を冷却するので、冷却媒体の温度を高めることな
く基板に冷却媒体を与えることができ、基板の急冷を効
率良く行うことができる。また、開放状態で支持体の冷
却手段により高精度の冷却を行うことができる。
【００１５】また、上記第３の観点において、前記冷却
手段は、前記支持体に取り付けられた冷却素子と、前記
冷却板に設けられた、冷却水が通流される冷却水管路と
を具備することが好ましい。また、前記冷却手段は、前
記支持体内の上部に設けられた冷却素子と、前記支持体
内の前記冷却素子の周囲に設けられ、前記支持体および
基板を冷却する冷却水が通流される第１の冷却水管路
と、前記支持体内の下部に設けられ、前記冷却素子を冷
却する冷却水を通流する第２の冷却水管路とを具備する
ことが好ましい。これらのように冷却手段を構成するこ
とにより、高価な冷却素子の数を少なくすることがで
き、それに伴い冷却素子のドライバーＩＣの数を少なく
することができる。したがって、簡易な構成で、しかも
コストが高くならずに、精密な温度制御下における基板
冷却を行うことができる。
手段は、前記支持体に取り付けられた冷却素子と、前記
冷却板に設けられた、冷却水が通流される冷却水管路と
を具備することが好ましい。また、前記冷却手段は、前
記支持体内の上部に設けられた冷却素子と、前記支持体
内の前記冷却素子の周囲に設けられ、前記支持体および
基板を冷却する冷却水が通流される第１の冷却水管路
と、前記支持体内の下部に設けられ、前記冷却素子を冷
却する冷却水を通流する第２の冷却水管路とを具備する
ことが好ましい。これらのように冷却手段を構成するこ
とにより、高価な冷却素子の数を少なくすることがで
き、それに伴い冷却素子のドライバーＩＣの数を少なく
することができる。したがって、簡易な構成で、しかも
コストが高くならずに、精密な温度制御下における基板
冷却を行うことができる。
【００１６】上記第３の観点において、前記チャンバ内
に供給する冷却媒体の供給量を調整する供給量調整手段
をさらに具備することが好ましい。また、前記冷却媒体
を整流して均等に基板に供給する拡散板をさらに具備す
ることが好ましい。
に供給する冷却媒体の供給量を調整する供給量調整手段
をさらに具備することが好ましい。また、前記冷却媒体
を整流して均等に基板に供給する拡散板をさらに具備す
ることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを
示す斜視図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを
示す斜視図である。
【００１８】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で半導体ウエハの搬送を行うための搬送機構３
とを備えている。そして、カセットステーション１にお
いてシステムへのカセットＣの搬入およびシステムから
のカセットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカ
セットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移
動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１に
よりカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行わ
れる。
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で半導体ウエハの搬送を行うための搬送機構３
とを備えている。そして、カセットステーション１にお
いてシステムへのカセットＣの搬入およびシステムから
のカセットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカ
セットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移
動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１に
よりカセットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行わ
れる。
【００１９】処理部２は、前段部分２ａと後段部分２ｂ
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
【００２０】前段部２ａは、通路１５に沿って移動可能
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
【００２１】上記メインアーム１８は、搬送機構３のア
ーム１１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うとと
もに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬
入・搬出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。また、メインアーム１９は
中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、
後段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの
受け渡しを行う機能を有している。このように各処理ユ
ニットを集約して一体化することにより、省スペース化
および処理の効率化を図ることができる。
ーム１１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うとと
もに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬
入・搬出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。また、メインアーム１９は
中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、
後段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの
受け渡しを行う機能を有している。このように各処理ユ
ニットを集約して一体化することにより、省スペース化
および処理の効率化を図ることができる。
【００２２】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
【００２３】図２は上記塗布・現像処理システムにおけ
る冷却ユニット２７内に設けられたの本発明の基板冷却
装置の一実施形態を示す正面図である。図中３１は基板
Ｓの支持体であるクーリングプレートを示す。クーリン
グプレート３１内には、冷却手段として、冷却素子であ
るペルチェ素子が複数取り付けられるか、冷却水管路が
埋設されている。クーリングプレート３１上には、基板
Ｓを所定量浮かせた状態で基板Ｓの周縁部を支持する樹
脂やゴム等からなる支持部３４が設けられている。この
支持部３４は複数、例えば４個設けられており、それら
の側面で基板Ｓの周縁部を支持するものである。なお、
基板Ｓ支持する手段としては、その側面で基板Ｓの周縁
部を支持する上記支持部３４の他に、基板Ｓの裏面を支
持する固定ピンや、基板Ｓが冷却ユニットに搬入されて
支持される時にクーリングプレートから突出して基板Ｓ
を支持するプロキシミティーピンでも良い。これらの支
持部を用いることにより、基板Ｓの全面がクーリングプ
レートに接触することが無いので、基板Ｓの脱着の際に
発生する静電気による基板Ｓへの帯電を防止することが
できる。
る冷却ユニット２７内に設けられたの本発明の基板冷却
装置の一実施形態を示す正面図である。図中３１は基板
Ｓの支持体であるクーリングプレートを示す。クーリン
グプレート３１内には、冷却手段として、冷却素子であ
るペルチェ素子が複数取り付けられるか、冷却水管路が
埋設されている。クーリングプレート３１上には、基板
Ｓを所定量浮かせた状態で基板Ｓの周縁部を支持する樹
脂やゴム等からなる支持部３４が設けられている。この
支持部３４は複数、例えば４個設けられており、それら
の側面で基板Ｓの周縁部を支持するものである。なお、
基板Ｓ支持する手段としては、その側面で基板Ｓの周縁
部を支持する上記支持部３４の他に、基板Ｓの裏面を支
持する固定ピンや、基板Ｓが冷却ユニットに搬入されて
支持される時にクーリングプレートから突出して基板Ｓ
を支持するプロキシミティーピンでも良い。これらの支
持部を用いることにより、基板Ｓの全面がクーリングプ
レートに接触することが無いので、基板Ｓの脱着の際に
発生する静電気による基板Ｓへの帯電を防止することが
できる。
【００２４】クーリングプレート３１は、基板Ｓを密閉
雰囲気下に置くように、チャンバ３２で覆われている。
このチャンバ３２は、図示しない昇降手段により昇降可
能であり、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように開
閉可能に構成されている。チャンバ３２の頂部には、冷
却媒体、例えば液体窒素等の流体をチャンバ３２内に導
入するための冷却媒体供給管３２ａが設けられており、
この冷却媒体供給管３２ａには、フローメータ３５が取
り付けられている。さらに、チャンバ３２内には、導入
された冷却媒体を基板Ｓ表面に均等に供給するための拡
散板３３が取り付けられている。
雰囲気下に置くように、チャンバ３２で覆われている。
このチャンバ３２は、図示しない昇降手段により昇降可
能であり、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように開
閉可能に構成されている。チャンバ３２の頂部には、冷
却媒体、例えば液体窒素等の流体をチャンバ３２内に導
入するための冷却媒体供給管３２ａが設けられており、
この冷却媒体供給管３２ａには、フローメータ３５が取
り付けられている。さらに、チャンバ３２内には、導入
された冷却媒体を基板Ｓ表面に均等に供給するための拡
散板３３が取り付けられている。
【００２５】次に、上記構成を有する基板冷却装置を用
いて温度が高められた基板を冷却する方法について説明
する。まず、フォトレジストの安定化のためのプリベー
ク、露光後のポストエクスポージャーベーク、および現
像後のポストベーク等の熱処理が施された基板Ｓを冷却
ユニット２７内に搬入する。搬入された基板Ｓをクーリ
ングプレート３１の支持部３４によりクーリングプレー
ト３１の上面から浮いた状態で支持する。次いで、図２
（Ａ）に示すように、昇降手段によりチャンバ３２が降
下して基板Ｓを密閉雰囲気下に置く。次いで、チャンバ
３２に備えられた図示しない排気手段によりチャンバ３
２内をガスパージする。その後、冷却媒体供給管３２ａ
を通じて冷却媒体をチャンバ３２内に導入する。導入さ
れた冷却媒体は、チャンバ３２内の拡散板３３を通過す
ることにより、整流されて均等に基板Ｓの表面に到達す
る。このように、冷却媒体が基板Ｓ表面に直接接触する
ことにより、基板Ｓの温度は急冷により急激に降下す
る。
いて温度が高められた基板を冷却する方法について説明
する。まず、フォトレジストの安定化のためのプリベー
ク、露光後のポストエクスポージャーベーク、および現
像後のポストベーク等の熱処理が施された基板Ｓを冷却
ユニット２７内に搬入する。搬入された基板Ｓをクーリ
ングプレート３１の支持部３４によりクーリングプレー
ト３１の上面から浮いた状態で支持する。次いで、図２
（Ａ）に示すように、昇降手段によりチャンバ３２が降
下して基板Ｓを密閉雰囲気下に置く。次いで、チャンバ
３２に備えられた図示しない排気手段によりチャンバ３
２内をガスパージする。その後、冷却媒体供給管３２ａ
を通じて冷却媒体をチャンバ３２内に導入する。導入さ
れた冷却媒体は、チャンバ３２内の拡散板３３を通過す
ることにより、整流されて均等に基板Ｓの表面に到達す
る。このように、冷却媒体が基板Ｓ表面に直接接触する
ことにより、基板Ｓの温度は急冷により急激に降下す
る。
【００２６】上記操作において、冷却媒体導入の際、冷
却媒体の供給量をフローメータ３５で調節することによ
り、基板Ｓの温度をどのレベルまで急冷するか、すなわ
ち急冷の際の冷却速度を制御することができる。なお、
冷却媒体を導入する時間を調節して基板Ｓの温度をどの
レベルまで急冷するかを制御しても良い。また、チャン
バ３２により密閉雰囲気下で冷却媒体を基板Ｓに供給す
るので、断熱効果により冷却媒体を温度上昇させずに基
板Ｓに供給することができる。これにより、効率良く基
板急冷を行うことができる。
却媒体の供給量をフローメータ３５で調節することによ
り、基板Ｓの温度をどのレベルまで急冷するか、すなわ
ち急冷の際の冷却速度を制御することができる。なお、
冷却媒体を導入する時間を調節して基板Ｓの温度をどの
レベルまで急冷するかを制御しても良い。また、チャン
バ３２により密閉雰囲気下で冷却媒体を基板Ｓに供給す
るので、断熱効果により冷却媒体を温度上昇させずに基
板Ｓに供給することができる。これにより、効率良く基
板急冷を行うことができる。
【００２７】次いで、図２（Ｂ）に示すように、昇降手
段でチャンバ３２を上昇させて冷却ユニット２７内で基
板Ｓを開放状態にする。その後、クーリングプレート３
１の冷却素子または冷却水で従来と同様な精密な基板冷
却を行う。
段でチャンバ３２を上昇させて冷却ユニット２７内で基
板Ｓを開放状態にする。その後、クーリングプレート３
１の冷却素子または冷却水で従来と同様な精密な基板冷
却を行う。
【００２８】上記の基板冷却方法においては、基板温度
と時間との関係は図３に示すようになる。すなわち、急
冷においては図中Ｘに示すような冷却速度（第１の冷却
速度）で基板温度が降下し、通常の冷却においては図中
Ｙに示すような冷却速度（第２の冷却速度）で基板温度
が降下する。図３から分かるように、本発明の基板冷却
方法では、急冷によりラフな温度降下させた後で精密な
温度降下を行うので、所望の基板温度に冷却する場合に
従来よりもＺ分だけ短くすることができる。したがっ
て、基板冷却工程におけるタクトタイムを短縮すること
ができる。また、このように効率良い基板冷却を行うこ
とができるので、基板全面をクーリングプレートに接触
させなくても良く、図２に示すような支持構成を採るこ
とができる。したがって、基板Ｓの脱着の際に発生する
静電気による基板Ｓへの帯電を防止することができる。
と時間との関係は図３に示すようになる。すなわち、急
冷においては図中Ｘに示すような冷却速度（第１の冷却
速度）で基板温度が降下し、通常の冷却においては図中
Ｙに示すような冷却速度（第２の冷却速度）で基板温度
が降下する。図３から分かるように、本発明の基板冷却
方法では、急冷によりラフな温度降下させた後で精密な
温度降下を行うので、所望の基板温度に冷却する場合に
従来よりもＺ分だけ短くすることができる。したがっ
て、基板冷却工程におけるタクトタイムを短縮すること
ができる。また、このように効率良い基板冷却を行うこ
とができるので、基板全面をクーリングプレートに接触
させなくても良く、図２に示すような支持構成を採るこ
とができる。したがって、基板Ｓの脱着の際に発生する
静電気による基板Ｓへの帯電を防止することができる。
【００２９】図４は本発明の基板冷却装置の他の実施形
態におけるクーリングプレートを示す斜視図である。図
中４１はクーリングプレートを示す。このクーリングプ
レート４１は、上部プレート４１ａと下部プレート４１
ｂとの二層構造となっており、上部４１ａプレートに
は、クーリングプレート４１および基板Ｓを冷却するた
めの冷却水用の管路４２ａが埋設されており、下部４１
ｂには、冷却素子であるペルチェ素子４３を冷却するた
めの冷却水用の管路４２ｂが埋設されている。図中の実
線矢印はクーリングプレート４１および基板Ｓを冷却す
るための冷却水用の管路４２ａを示している。また、ク
ーリングプレート４１の上部プレート４１ａには、複数
のペルチェ素子４３が整列して設置されている。
態におけるクーリングプレートを示す斜視図である。図
中４１はクーリングプレートを示す。このクーリングプ
レート４１は、上部プレート４１ａと下部プレート４１
ｂとの二層構造となっており、上部４１ａプレートに
は、クーリングプレート４１および基板Ｓを冷却するた
めの冷却水用の管路４２ａが埋設されており、下部４１
ｂには、冷却素子であるペルチェ素子４３を冷却するた
めの冷却水用の管路４２ｂが埋設されている。図中の実
線矢印はクーリングプレート４１および基板Ｓを冷却す
るための冷却水用の管路４２ａを示している。また、ク
ーリングプレート４１の上部プレート４１ａには、複数
のペルチェ素子４３が整列して設置されている。
【００３０】このようにクーリングプレート４１の冷却
手段としてペルチェ素子４３と冷却水管路４２ａとを組
み合わせて用いることにより、高価な冷却素子を数を少
なくすることができ、それに伴い冷却素子のドライバー
ＩＣの数を少なくすることができる。具体的には、例え
ば２０００ｋｃａｌ／ｈの熱交換を行う場合、ペルチェ
素子のみでは約６６枚必要であり（ペルチェ素子１枚の
熱交換能を３０ｋｃａｌ／ｈとする）、そのペルチェ素
子のドライバーＩＣの多数必要となるが、図４に示す構
成により、２０００ｋｃａｌ／ｈの熱交換を行う場合、
ペルチェ素子は約３０枚で良く、それに伴いドライバー
ＩＣの数も少なくて済む。また、ペルチェ素子を用いて
いるので、温度応答性は高く、精密な基板冷却を行うこ
とができる。
手段としてペルチェ素子４３と冷却水管路４２ａとを組
み合わせて用いることにより、高価な冷却素子を数を少
なくすることができ、それに伴い冷却素子のドライバー
ＩＣの数を少なくすることができる。具体的には、例え
ば２０００ｋｃａｌ／ｈの熱交換を行う場合、ペルチェ
素子のみでは約６６枚必要であり（ペルチェ素子１枚の
熱交換能を３０ｋｃａｌ／ｈとする）、そのペルチェ素
子のドライバーＩＣの多数必要となるが、図４に示す構
成により、２０００ｋｃａｌ／ｈの熱交換を行う場合、
ペルチェ素子は約３０枚で良く、それに伴いドライバー
ＩＣの数も少なくて済む。また、ペルチェ素子を用いて
いるので、温度応答性は高く、精密な基板冷却を行うこ
とができる。
【００３１】このように、図４に示す構成のクーリング
プレート４１を用いることにより、冷却水管路で基板の
荒熱を除去してペルチェ素子で精密な基板温度調整を行
うことができるので、簡易な構成で、しかもコストが高
くならずに、精密な温度制御下における基板冷却を行う
ことができる。
プレート４１を用いることにより、冷却水管路で基板の
荒熱を除去してペルチェ素子で精密な基板温度調整を行
うことができるので、簡易な構成で、しかもコストが高
くならずに、精密な温度制御下における基板冷却を行う
ことができる。
【００３２】また、図２に示す構成において、クーリン
グプレート３１の代わりに図４に示すクーリングプレー
ト４１を用いることにより、両者の効果を発揮すること
ができる、すなわち簡易な構成で、しかもコストが高く
ならずに、精密な温度制御下における基板冷却を行うこ
とができると共に、基板冷却工程におけるタクトタイム
短縮を図ることができる。
グプレート３１の代わりに図４に示すクーリングプレー
ト４１を用いることにより、両者の効果を発揮すること
ができる、すなわち簡易な構成で、しかもコストが高く
ならずに、精密な温度制御下における基板冷却を行うこ
とができると共に、基板冷却工程におけるタクトタイム
短縮を図ることができる。
【００３３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明の基板冷却装置をレジスト塗布・現像ユニ
ットに適用した例を示したが、これに限らず他の処理に
適用しても良い。また、上記実施形態においては、基板
としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これ
に限らず半導体ウエハ等他の基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明の基板冷却装置をレジスト塗布・現像ユニ
ットに適用した例を示したが、これに限らず他の処理に
適用しても良い。また、上記実施形態においては、基板
としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これ
に限らず半導体ウエハ等他の基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板冷却方
法および基板冷却装置は、基板に冷却媒体を直接接触さ
せることにより温度が高められた基板を急冷した後に、
この急冷の際の冷却速度よりも小さい冷却速度で冷却す
るので、はじめから冷却素子のみ、または冷却水のみで
冷却する場合に比べて効率良く基板冷却を行うことがで
き、基板冷却工程におけるタクトタイム短縮を図ること
ができる。また、このように効率の良い冷却を行うこと
ができるので、基板全面を支持体上に接触させることな
く基板冷却を行うことができ、静電気発生による基板へ
の帯電を防止することができる。
法および基板冷却装置は、基板に冷却媒体を直接接触さ
せることにより温度が高められた基板を急冷した後に、
この急冷の際の冷却速度よりも小さい冷却速度で冷却す
るので、はじめから冷却素子のみ、または冷却水のみで
冷却する場合に比べて効率良く基板冷却を行うことがで
き、基板冷却工程におけるタクトタイム短縮を図ること
ができる。また、このように効率の良い冷却を行うこと
ができるので、基板全面を支持体上に接触させることな
く基板冷却を行うことができ、静電気発生による基板へ
の帯電を防止することができる。
【００３５】また、支持体の冷却手段として、冷却素子
と冷却水を通流する冷却水管路とを組み合わせて備える
ことにより、高価な冷却素子の数や冷却素子のドライバ
ーＩＣの数を少なくすることができる。したがって、簡
易な構成で、しかもコストが高くならずに、精密な温度
制御下における基板冷却を行うことができる。
と冷却水を通流する冷却水管路とを組み合わせて備える
ことにより、高価な冷却素子の数や冷却素子のドライバ
ーＩＣの数を少なくすることができる。したがって、簡
易な構成で、しかもコストが高くならずに、精密な温度
制御下における基板冷却を行うことができる。
【図１】本発明の対象となる基板冷却装置が適用される
レジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
レジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は本発明の基板冷却装置の
一実施形態を示す正面図。
一実施形態を示す正面図。
【図３】本発明の基板冷却方法における冷却速度を説明
するための基板温度と時間との間の関係を示す特性図。
するための基板温度と時間との間の関係を示す特性図。
【図４】本発明の基板冷却装置の他の実施形態における
クーリングプレートを示す斜視図。
クーリングプレートを示す斜視図。
【符号の説明】 ３１，４１…クーリングプレート ３２…チャンバ ３２ａ…冷却媒体供給管 ３３…拡散板 ３４…支持部 ３５…フローメータ ４１ａ…上部プレート ４１ｂ…下部プレート ４２ａ…プレート冷却水用管路 ４２ｂ…ペルチェ素子冷却水用管路 ４３…ペルチェ素子 Ｓ…基板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−273993（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−63236（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−244095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59915（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259064（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−263431（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−55130（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (12)
- 【請求項１】 温度が高められた基板を密閉雰囲気下で
基板に冷却媒体を直接接触させることにより第１の冷却
速度で急冷する第１の冷却工程と、前記第１の冷却工程
後の基板を開放状態で前記第１の冷却速度よりも小さい
第２の冷却速度で冷却する第２の冷却工程とを具備する
ことを特徴とする基板冷却方法。 - 【請求項２】 支持体に支持された温度が高められた基
板を密閉雰囲気に置く工程と、密閉雰囲気にある基板に
冷却媒体を直接接触させることにより前記基板を急冷す
る第１の冷却工程と、前記第１の冷却工程後の基板を開
放状態で前記支持体に備えられた冷却手段で冷却する第
２の冷却工程とを具備することを特徴とする基板冷却方
法。 - 【請求項３】 前記冷却媒体の供給量および／または供
給時間を調節して急冷の際の冷却速度を制御することを
特徴とする請求項２に記載の基板冷却方法。 - 【請求項４】 前記冷却媒体は、基板に対し、整流され
た状態で均等に供給されることを特徴とする請求項２ま
たは請求項３に記載の基板冷却方法。 - 【請求項５】 基板を密閉雰囲気に置いた後、その密閉
雰囲気を排気する工程をさらに具備し、その後、基板に
冷却媒体を直接接触させることを特徴とする請求項２か
ら請求項４のいずれか１項に記載の基板冷却方法。 - 【請求項６】 前記冷却手段は冷却素子および冷却水管
路であり、前記冷却工程における冷却が前記冷却素子お
よび前記冷却水管路を通流する冷却水で行われる請求項
２に記載の基板冷却方法。 - 【請求項７】 温度が高められた基板を冷却する基板冷
却装置であって、基板を支持する支持体と、前記基板に
冷却媒体を接触させるための冷却媒体供給手段と、前記
支持体に設けられ、支持された基板を冷却する冷却手段
と、前記支持体上の基板の存在雰囲気を密閉雰囲気とす
ることが可能な開閉可能なチャンバとを具備し、前記チ
ャンバで密閉雰囲気を形成した状態で前記冷却媒体供給
手段からの冷却媒体を基板に接触させて基板を急冷し、
前記チャンバを開放した状態で前記冷却手段により基板
を冷却することを特徴とする基板冷却装置。 - 【請求項８】 前記冷却手段は、前記支持体に取り付け
られた冷却素子と、前記支持体に設けられた、冷却水が
通流される冷却水管路とを具備することを特徴とする請
求項７に記載の基板冷却装置。 - 【請求項９】 前記冷却手段は、前記支持体内の上部に
設けられた冷却素子と、前記支持体内の前記冷却素子の
周囲に設けられ、前記支持体および基板を冷却する冷却
水が通流される第１の冷却水管路と、前記支持体内の下
部に設けられ、前記冷却素子を冷却する冷却水を通流す
る第２の冷却水管路とを具備することを特徴とする請求
項７に記載の基板冷却装置。 - 【請求項１０】 前記チャンバ内に供給する冷却媒体の
供給量を調整する供給量調整手段をさらに具備すること
を特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記
載の基板冷却装置。 - 【請求項１１】 前記冷却媒体を整流して均等に基板に
供給する拡散板をさらに具備することを特徴とする請求
項７から請求項１０のいずれか１項に記載の基板冷却装
置。 - 【請求項１２】 基板に液体を供給して所定の処理を行
う液処理部と、液処理後の基板に対して熱処理が行わ
れ、基板の温度が高められる熱処理部と、温度が高めら
れた基板を冷却する冷却部とを具備し、前記冷却部は、
基板を支持する支持体と、前記基板に冷却媒体を接触さ
せるための冷却媒体供給手段と、前記支持体に設けら
れ、支持された基板を冷却する冷却手段と、前記支持体
上の基板の存在雰囲気を密閉雰囲気とすることが可能な
開閉可能なチャンバとを含み、前記チャンバで密閉雰囲
気を形成した状態で前記冷却媒体供給手段からの冷却媒
体を基板に接触させて基板を急冷し、前記チャンバを開
放した状態で前記冷却手段により基板を冷却することを
特徴とする処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04486797A JP3346716B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 基板冷却方法および基板冷却装置 |
| TW087100872A TW460939B (en) | 1997-02-14 | 1998-01-22 | Cooling device, cooling method and processing device |
| US09/023,211 US5943880A (en) | 1997-02-14 | 1998-02-13 | Cooling apparatus, cooling method, and processing apparatus |
| KR10-1998-0004326A KR100352690B1 (ko) | 1997-02-14 | 1998-02-13 | 냉각장치,냉각방법및처리장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04486797A JP3346716B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 基板冷却方法および基板冷却装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002162869A Division JP4104909B2 (ja) | 2002-06-04 | 2002-06-04 | 基板冷却装置および処理装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH10229037A JPH10229037A (ja) | 1998-08-25 |
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Family
ID=12703457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04486797A Expired - Fee Related JP3346716B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 基板冷却方法および基板冷却装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3346716B2 (ja) |
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| TW (1) | TW460939B (ja) |
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| JP3684325B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2005-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4256031B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置およびその温度制御方法 |
| JP3702194B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2005-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置 |
| US6732446B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Cooling device for wafer machine |
| DE102004044176A1 (de) * | 2004-09-13 | 2006-03-30 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Trocknungsverfahren für ein Haushaltsgerät und Haushaltsgerät zur Durchführung des Trocknungsverfahren |
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| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| JP4356936B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
| JP4414909B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4414921B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
| KR100626395B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 노광 후 베이크 장치 및 노광 후 베이크 방법, 그리고 상기장치를 가지는 포토 리소그래피 시스템 |
| JP4519037B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置 |
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| US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
| US7950407B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
| CN109269141B (zh) * | 2018-11-06 | 2022-12-30 | 广西钦州市奇福保温冷冻设备有限公司 | 铝型材管路板式制冷制热系统 |
Family Cites Families (6)
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