KR19980071336A - 냉각장치, 냉각방법 및 처리장치 - Google Patents

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Abstract

온도가 높여진 피처리기판에 냉각매체를 직접 접촉시킴으로써 피처리기판을 급냉하여 온도레벨까지 온도를 급격히 강하시킨다. 그리고 그 피처리기판을 냉각소자 및 냉각수를 이용하여 냉각한다. 이에 따라 정확한 냉각온도제어가 가능하고, 효율좋게 피처리기판을 냉각할 수 있다.

Description

냉각장치, 냉각방법 및 처리장치
본 발명은, LCD기판이나 실리콘기판등의 피처리기판을 냉각하는 냉각방법, 냉각장치 및 그와 같은 냉각장치를 가지는 처리장치에 관한 것이다.
반도체디바이스나 액정디스플레이(LCD)의 제조에 있어서는, 기판인 반도체웨이퍼나 LCD기판에 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하며, 이것을 현상처리하는, 이른바 포토리소그래피 기술에 의해 회로패턴이 형성된다.
이와 같은 도포·현상처리에 있어서는, 레지스트막을 형성할 때, 포토레지스트의 안정화를 위한 프리베이크, 노광후의 포스트엑스포저베이크, 및 현상후의 포스트베이크 등의 열처리가 실시된다. 또 이들 열처리후의 온도가 높여진 기판을 냉각하기 위한 냉각공정이 행해진다.
종래에, 열처리후의 온도가 높여진 기판을 냉각할 경우, 기판을 지지하는 지지체인 쿨링플레이트 상에서 열교환을 행하고 있다. 구체적으로는 예를들어 냉각수를 순환시키기 위한 관로(管路)를 설치한 쿨링플레이트 상에 온도가 높여진 기판을 올려 놓고, 냉각수와 기판 사이에서 열교환을 행하여 기판의 온도를 저하시키고 있다.
그러나, 상기한 기판의 냉각방법에 있어서, 택트타임을 짧게 하기 위해서는, 효율좋게 기판을 냉각할 필요가 있고, 이를 위해서는 쿨링플레이트에 기판의 전체면을 직접 접촉시킬 필요가 있다. 이 경우 기판냉각후에 기판을 쿨링플레이트에서 이탈시킬 때 정전기가 발생하고, 기판이 대전(帶電)하여 버린다는 문제가 있다.
또, 쿨링플레이트에서의 열교환에 있어서는, 냉각수를 순화시키는 방식이라면, 온도조절의 제어 응답성이 나쁘고 부정확하게 되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 효율좋게 피처리기판을 냉각할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 피처리기판을 정확한 온도로 냉각할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은, 피처리기판의 정전파괴를 방지할 수 있는 냉각방법, 냉각장치 및 처리장치를 제공함에 있다.
도1은 본 발명의 일실시예에 관한 도포·현상장치의 사시도,
도2는 도1의 평면도,
도3은 도1 및 도2에 나타낸 냉각유니트의 제1 정면도,
도4는 도1 및 도2에 나타낸 냉각유니트의 제2 정면도,
도5는 또 다른 실시예에 관한 쿨링플레이트를 나타낸 사시도,
도6은 도5의 종단면도,
도7은 본 발명의 기판냉각방법에서의 냉각속도를 설명하기 위한 기판온도와 시간과의 관계를 나타낸 특성도,
도8은 다른 실시예에 관한 냉각유니트의 정면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도포·현상장치 2 : 카세트
3 : 메인아암 4,5 : 보조아암
6 : 익스텐션부 7 : 버퍼유니트
8 : 중계부 31 : 쿨링플레이트
32 : 챔버 33 : 확산판
34 : 지지부 35 : 프로미터
41a : 상부플레이트 41b : 하부플레이트
42a,42b : 관로 43 : 펠체소자
상기 목적을 달성하기 위해, 제1 본 발명은, 피처리기판을 냉각하는 냉각장치로서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체를 냉각하는 냉각수단과, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판으로 냉각매체를 공급하는 수단을 구비한다.
제2 본 발명은, 피처리기판을 냉각하는 냉각장치로서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 부착된 냉각소자와, 상기 지지체내에서 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 구비한다.
제3 본 발명은, 피처리기판에 액체를 공급하여 소정처리를 행하는 처리장치로서, 상기 기판의 온도를 높이는 열처리부와, 상기 온도가 높여진 기판을 냉각하는 냉각부를 구비하며, 상기 냉각부는 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체를 냉각하는 냉각수단과, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판으로 냉각매체를 공급하는 수단을 구비한다.
제4 본 발명은, 피처리기판에 액체를 공급하여 소정처리를 행하는 처리장치로서, 상기 기판의 온도를 높이는 열처리부와, 상기 온도가 높여진 기판을 냉각하는 냉각부를 구비하며, 상기 냉각부는 상기 피처리기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 부착된 냉각소자와, 상기 지지체내에서 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 구비한다.
제5 본 발명은, 피처리기판을 냉각하는 냉각방법에 있어서, 상기 피처리기판을 제1 냉각속도로 급냉하는 공정과, 상기 급냉된 상기 피처리기판을 상기 제1 냉각속도보다도 느린 제2 냉각속도로 냉각하는 공정을 구비한다.
본 발명에 따르면, 온도가 높여진 피처리기판을 급냉한 후에 급냉시의 냉각속도(제1 냉각속도)보다도 느린 냉각속도(제2 냉각속도)로 냉각한다. 즉 급냉에 의해 정밀도가 거친 정도까지 급격하게 온도를 강하시키고, 그 후에 소망하는 온도까지의 냉각을 행한다. 따라서 처음부터 냉각소자만, 또는 냉각수만으로 냉각할 경우에 비해 효율좋게 냉각을 행할 수 있고, 냉각공정에서의 택트타임의 단축을 도모할 수 있다.
또, 피처리기판을 급냉하는 냉각매체의 공급량을 제어함으로써, 급냉공정에서 어느 온도레벨까지 기판을 급냉시킬지, 즉 제1 급냉속도를 제어할 수 있다.
또, 냉각수단으로서 냉각소자와 냉각수 관로를 조합하여 이용함으로써, 간편한 구성으로, 비용이 저렴해 지고, 정밀한 온도제어하에서의 냉각을 행할 수 있다. 즉 본 발명에서는, 냉매순환의 냉각능력의 크기와 펠체소자등의 냉각소자의 정밀도의 크기를 효율적으로 교체하여 효과적인 냉각을 행할 수 있다.
더우기, 지지체의 냉각수단으로서, 냉각소자와 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 조합하여 구비하고 있으므로, 고가인 냉각소자의 수를 적게 할 수 있으며, 그에 따라 냉각소자의 드라이버(IC)의 수를 적게 할 수 있다. 따라서 간편한 구성으로, 비용이 저렴해 지고, 정밀한 온도제어하에서의 냉각을 행할 수 있다.
또, 피처리기판에 냉각매체를 접촉시키기 위한 냉각매체공급수단을 구비하고 있으므로, 냉각매체가 기판에 직접 접촉하여 급냉을 행할 수 있다. 이에 따라 처음부터 냉각소자만, 또는 냉각수만으로 냉각할 경우에 비해 효율좋게 기판냉각을 행할 수 있고, 기판냉각공정에서의 택트타임의 단축을 도모할 수 있다.
기판에 냉각매체를 접촉시기키 위한 냉각매체공급수단을 구비하고, 지지체의 냉각수단으로서, 냉각소자와 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 조합시켜 구비한 경우에는, 간편한 구성으로, 비용이 높아지지 않고, 정밀한 온도제어하에서의 기판냉각을 행할 수 있음과 동시에, 기판냉각공정에서의 택트타임의 단축을 도모할 수 있다.
또, 기판을 밀폐분위기하에 놓기 위한 개폐가능한 챔버를 구비함으로써, 냉각매체의 온도를 높이지 않고 기판에 냉각매체를 부여할 수 있어, 기판의 급냉을 효율좋게 행할 수 있다. 또 개폐가능하므로, 기판의 반입반출에는 지장이 없다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 따라 설명한다.
도1은 본 발명의 일실시예에 관한 도포·현상장치의 사시도이고, 도2는 그의 평면도이다.
도포·현상장치(1)는, 그 일끝단쪽에 카세트스테이션(C/S)을 구비하고 있다. 또 도포·현상장치(1)의 다른끝단쪽에는, 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 유리기판(G)의 주고받음을 행하기 위한 인터페이스유니트(I/F)가 배치되어 있다.
이 카세트스테이션(C/S)에는 LCD용 기판등의 기판(G)을 수용하는 복수, 예를들면 4조의 카세트(2)가 재치되어 있다. 카세트스테이션(C/S)의 카세트(2)의 정면측에는, 피처리기판인 기판(G)의 반송 및 위치결정을 행함과 동시에, 기판(G)을 유지하여 메인아암(3)과의 사이에서 주고받기를 행하기 위한 보조아암(4)이 설치되어 있다.
인터페이스유니트(I/F)에는, 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하는 보조아암(5)이 설치되어 있다. 또 인터페이스유니트(I/F)에는, 메인아암(3)과의 사이에서 기판(G)의 주고받음을 행하기 위한 익스텐션부(6) 및 기판(G)을 일단 대기시키는 버퍼유니트(7)가 배치되어 있다.
메인아암(3)은, 도포·현상장치(1)의 중앙부를 길이방향으로 이동가능하도록 2기가 직렬로 배치되어 있으며, 각 메인아암(3)의 반송로 양측에는 각각 제1 처리유니트군(A), 제2 처리유니트군(B)이 배치되어 있다. 제1 처리유니트군(A)과 제2 처리유니트군(B)과의 사이에는, 기판(G)을 일단 유지함과 동시에 냉각하는 중계부(8)가 배치되어 있다.
제1 처리유니트군(A)에서는, 카세트스테이션(C/S)의 옆쪽에 기판(G)을 세정하는 세정유니트(SCR)와 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)가 병설되어 있다. 또, 메인아암(3)의 반송로를 끼워 세정유니트(SCR) 및 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)의 반대쪽에는, 상하로 2단으로 배치된 2조의 열처리유니트(HP)와, 상하로 2단 배치된 UV처리유니트(UV) 및 냉각유니트(COL)가 서로 이웃하도록 배치되어 있다.
제2 처리유니트군(B)에서는, 레지스트도포처리 및 엣지 리무브처리를 행하는 도포처리유니트(COT)가 배치되어 있다. 또 메인아암(3)의 반송로를 사이에 두고 도포처리유니트(COT)의 반대쪽에는, 상하 2단으로 배치된 기판(G)을 소수처리하는 어드히전유니트(AD) 및 냉각유니트(COL)와, 상하 2단으로 배치된 2조의 열처리유니트(HP)가 서로 이웃하도록 배치되어 있다. 열처리유니트(HP)와 냉각유니트(COL)를 상하로 2단 배치할 경우, 열처리유니트(HP)를 위에 냉각유니트(COL)를 아래에 배치함으로써, 상호 열적간섭을 피하고 있다. 이에 따라 보다 정확한 온도제어가 가능하게 된다.
메인아암(3)은 X축구동기구, Y축구동기구 및 Z축구동기구를 구비하고 있으며, Z축을 중심으로 회전하는 회전구동기구를 각각 구비하고 있다. 이 메임아암(3)이 도포·현상장치(1)의 중앙통로를 따라 적절히 주행하고, 각 처리유니트간에서 기판(G)을 반송한다. 그리고 메인아암(3)은 각 처리유니트내에 처리전 인 기판(G)을 반입하고, 또한 각 처리유니트내에서 처리완료된 기판(G)을 반출한다.
본 실시예의 도포·현상장치(1)에서는, 이와 같이 각 처리유니트를 집약하여 일체화함으로써, 스페이스를 줄이는 것 및 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
이와 같이 구성되는 도포·현상장치(1)에 있어서는, 우선 카세트(2)내의 기판(G)이, 보조아암(4) 및 메인아암(3)을 통하여 세정처리유니트( SCR)로 반송되어 세정처리된다.
다음에, 메인아암(3), 중계부(8) 및 메임아암(3)을 통하여 어드히전유니트(AD)로 반송되어 소수화처리된다. 이에 따라 레지스트의 정착성이 높아진다.
다음에, 메인아암(3)을 통하여 냉각유니트(COL)로 반송되어 냉각된다. 그 후 메인아암(3)을 통하여 도포처리유니트(COT)로 반송되어 레지스트가 도포된다.
다음에, 기판(G)은 메인아암(3)을 통하여 가열처리유니트(HP)로 반송되어 프리베이크처리된다. 그리고 메인아암(3)을 통하여 냉각유니트(COL)로 반송되어 냉각된 후, 메인아암(3) 및 인터페이스부(I/F)를 통하여 노광장치로 반송되어 여기에서 소정의 패턴이 노광된다.
그리고, 다시 노광된 기판(G)은, 인터페이스부(I/F)를 통하여 장치(1)내로 반입되고, 메인아암(3)을 통하여 가열처리유니트(HP)로 반송되어 포스트엑스포저 베이크처리가 실시된다.
그 후, 기판(G)은 메인아암(3), 중계부(8) 및 메인아암(3)을 통하여 냉각유니트(HP)로 반입되어 냉각된다. 그리고 기판(G)은 메인아암(3)을 통하여 현상처리유니트(DEV)로 반입되어 현상처리되고, 소정의 회로패턴이 형성된다. 현상처리된 기판(G)은 메인아암(3)을 통하여 UV처리유니트(UV)로 반입되어 UV처리된다.
그리고, UV처리된 기판(G)은 메임아암(3) 및 보조아암(4)을 통하여 카세트스테이션(C/S)상의 소정의 카세트(2)에 수용된다.
도3 및 도4는 도포·현상장치(1)에서의 냉각유니트(COL)의 구성을 나타낸 정면도이다.
도면중에서, (31)은 기판(G)의 지지체인 쿨링플레이트를 나타낸다. 쿨링플레이트(31) 상에는, 기판(G)을 소정량 띄워진 상태에서 기판(G)의 가장자리부를 지지하는 수지나 고무등으로 이루어진 지지부(34)가 설치되어 있다. 이 지지부(34)는 복수개, 예컨대 4개가 설치되어 있으며, 그들의 측면에서 기판(G)의 가장자리부를 지지하는 것이다. 그리고 기판(G)을 지지하는 수단으로써는, 그 측면에서 기판(G)의 가장자리부를 지지하는 상기 지지부(34) 이외에, 기판(G)의 내면을 지지하는 고정핀이나, 기판(G)이 냉각유니트(COL)로 반입되어 지지될 때에 쿨링플레이트(31)에서 돌출하여 기판(G)을 지지하는 프록시미티핀이라도 좋다. 이들 지지부를 이용함으로써, 기판(G)의 전체면이 쿨링플레이트(31)에 접촉하지 않으므로, 기판(G)의 착탈시에 발생하는 정전기에 의한 기판(G)으로의 대전을 방지할 수 있다.
쿨링플레이트(31)는 기판(G)을 밀폐분위기하에 놓이도록, 챔버(32)로 덮여 있다. 이 챔버(32)는 도시하지 않은 승강수단에 의해 승강가능하고, 도3 및 도4에 나타낸 바와 같이 개폐가능하게 구성되어 있다. 챔버(32)의 정수리부에는 냉각매체, 바람직하게는 불활성매체, 예컨대 액체질소, 질소가스 등을 챔버(32)내에 도입하기 위한 냉각매체공급관(32a)이 설치되어 있고, 이 냉각매체공급관(32a)에는 프로미터(35)가 부착되어 있다. 그리고 챔버(32) 내에는, 도입된 냉각매체를 기판(G)의 표면으로 균등하게 공급하기 위한 확산판(33)이 부착되어 있다. 냉각매체로서는 드라이계통의 예컨대 액체질소를 이용함으로써, 기판(G) 표면에서의 정전기 발생을 보다 억제할 수 있다.
도5는 쿨링플레이트(31)의 구성을 나타낸 사시도, 도6은 도5의 단면도이다.
쿨링플레이트(31)는 상부플레이트(41a)와 하부플레이트(41b)의 일층구조로 되어 있고, 상부플레이트(41a)에는, 펠체소자(43) 및 기판(G)을 냉각시키기 위한 냉각수용 관로(42a)가 매설되어 있으며, 하부(41b)에는 냉각소자인 펠체소자(43)를 냉각시키기 위한 냉각수용 관로(42b)가 매설되어 있다.
도5에서 실선으로 나타낸 화살표는 쿨링플레이트(31) 및 기판(G)을 냉각시키기 위한 냉각수용 관로(42a)를 나타내고 있다. 또한 쿨링플레이트(31)의 상부플레이트(41a)에는, 복수의 펠체소자(43)가 정열하여 설치되어 있다.
이와 같이 쿨링플레이트(31)의 냉각수단으로서 펠체소자(43)와 냉각수 관로(42a)를 조합시켜 이용함으로써, 고가인 냉각소자의 수를 적게 할 수 있고, 그에 따라 냉각소자의 드라이버(IC)의 수를 적게 할 수 있다. 구체적으로는 예를들면 2000kcal/h의 열교환을 행할 경우, 펠체소자만으로는 약 66매 필요하고(펠체소자 1매의 열교환능력을 30kcal/h로 함), 그 펠체소자의 드라이버(IC)가 다수 필요하게 되지만, 도5 및 도6에 나타낸 구성에 의해, 2000kcal/h의 열교환을 행할 경우에, 펠체소자는 약 30매로 좋고, 그에 따라 드라이버(IC)의 수도 적게 완료된다. 또 펠체소자을 이용하고 있으므로, 온도응답성은 높고, 정밀한 기판냉각을 행할 수 있다.
다음에, 상기 구성을 가지는 냉각유니트(COL)의 작용을 설명한다.
우선, 포토레지스트의 안정화를 위한 프리베이크, 노광후의 포스트엑스포저베이크, 및 현상후의 포스트베이크 등의 열처리가 실시된 기판(G)을 냉각유니트(COL) 내로 반입한다. 반입된 기판(G)을 쿨링플레이트(31)의 지지부(34)에 의해 쿨링플레이트(31)의 상면에서 뜬 상태로 지지한다.
이어서, 도3에 나타낸 바와 같이, 승강수단에 의해 챔버(32)가 하강하여 기판(G)을 밀폐 혹은 반밀폐 분위기하로 유지한다. 반밀폐인 경우는 가스의 배기용 유로를 확보해 놓는다.
그리고, 밀폐인 경우, 챔버(32)에 구비된 도시하지 않은 배기수단에 의해 챔버(32)내를 가스퍼지한다.
그 후, 냉각매체공급관(32a)을 통하여 냉각매체를 챔버(32) 내로 도입한다. 도입된 냉각매체는 챔버(32) 내의 확산판(33)을 통과함으로써, 정류(整流)되어 균등하게 기판(G)의 표면에 도달한다. 냉각능력의 콘트롤은, 공급하는 가스의 유량(플로우레이트)이나 시간으로 행한다.
또한, 이 때 냉각수 관로(42a)에 냉각수를 흐르게 하고, 기판(G)의 내면에서도 냉각을 촉진한다.
이와 같이, 냉각매체가 기판(G) 표면에 직접 접촉함과 동시에 기판(G)을 냉각수에 의해 냉각함으로써, 기판(G)의 온도는 급냉에 의해 급격히 강하한다.
상기 조작에 있어서, 냉각매체도입시, 냉각매체의 공급량을 프로미터(35)로 조절함으로써, 기판(G)의 온도를 어느 레벨까지 급냉할지, 즉 급냉시의 냉각속도를 제어할 수 있다.
그리고, 냉각매체를 도입하는 시간을 조절하여 기판(G)의 온도를 어느 레벨까지 급냉하는지를 제어해도 좋다. 또 챔버(32)에 의해 밀폐분위기하에서 급냉매체를 기판(G)에 공급하므로, 단열효과에 의해 냉각매체의 온도를 상승시키지 않고 기판(G)으로 공급할 수 있다. 이에 따라 효율좋게 기판의 급냉을 행할 수 있다.
그리고, 도4에 나타낸 바와 같이, 승강수단으로 챔버(32)를 상승시켜 냉각유니트(COL) 내에서 기판(G)을 개방상태로 한다. 그 때 쿨링플레이트(31)의 펠체소자(43)로서 정밀한 기판냉각을 행한다.
상기한 기판냉각방법에 있어서는, 기판온도와 시간과의 관계는 도7에 나타낸 바와 같이 된다. 즉 급냉에 있어서는 도면에서 X로 나타낸 바와 같은 냉각속도(제1 냉각속도)로 기판온도가 강하하고, 통상의 냉각에 있어서는 도면에서 Y로 나타낸 바와 같은 냉각속도(제2 냉각속도)로 기판온도가 강하한다.
도7에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 기판냉각방법에서는, 급냉에 의해 거친 온도강하시킨 후에 정밀한 온도강하를 행하므로, 소망하는 기판온도로 냉각할 경우에 종래보다도 Z분 만큼 짧게 할 수 있다. 따라서 기판냉각공정에서의 택트타임을 단축시킬 수 있다.
또, 이와 같이 효율좋은 기판냉각을 행할 수 있으므로, 기판의 전체면을 쿨링플레이트에 접촉시키지 않아도 좋고, 도3 및 도4에 나타낸 바와 같은 지지구성을 채용할 수 있다. 따라서 기판(G)의 탈착시에 발생하는 정전기에 의한 기판(G)으로의 대전을 방지할 수 있다.
또, 도5 및 도6에 나타낸 구성의 쿨링플레이트(31)를 이용함으로써, 냉각매체나 냉각수로 기판의 심한 열을 제거하여 펠체소자로서 정밀한 기판의 온도조정을 행할 수 있으므로, 간편한 구성으로, 비용도 저렴하게, 정밀한 온도제어하에서의 기판냉각을 행할 수 있다.
그리고, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 여러 가지 변형이 가능하다.
예를들면, 상술한 실시예에서는, 도3 및 도4에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 표면에서 냉각매체를 공급하고 있지만, 도8에 나타낸 바와 같이 기판(G)의 내면에서 냉각매체를 공급하도록 구성해도 좋다. 도8에 나타낸 바와 같이 쿨링플레이트(51)에 그 내면으로부터 표면으로 관통하는 구멍(52)을 복수로 형성한다. 쿨링플레이트(51)의 내면을 챔버(53)로 덮어 씌우고, 챔버(53)의 바닥부에 냉각매체를 도입하기 위한 냉각매체공급관(54)을 설치하고, 이 냉각매체공급관(54)에 프로미터(55)를 설치한다. 이 경우 도3 및 도4에 나타낸 냉각유니트에 비해, 챔버(53)를 상하로 움직이게 하는 기구 및 정류판이 불필요하게 된다.
또, 예를들면 상기 실시예에서는, 본 발명의 기판냉각장치를 레지스트도포·현상장치에 적용한 예를 나타내었지만, 이에 한정되지 않고 다른 처리에 적용해도 좋다.
그리고, 상기 실시예에서는, 기판으로서 LCD기판을 이용한 경우에 대하여 나타내었지만, 이에 한정되지 않고 반도체웨이퍼 등 다른 기판의 처리인 경우에도 적용가능한 것은 말할 것도 없다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 온도가 높여진 피처리기판을 급냉한 후에 급냉시의 냉각속도보다도 느린 냉각속도로 냉각하는 것이므로, 처음부터 냉각소자만, 또는 냉각수만으로 냉각할 경우에 비해 효율좋게 냉각을 행할 수 있고, 냉각공정에서의 택트타임의 단축을 도모할 수 있다.
더우기, 지지체의 냉각수단으로서, 냉각소자와 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 조합하여 구비하고 있기 때문에, 고가인 냉각소자의 수를 적게 할 수 있으며, 그에 따라 냉각소자의 드라이버의 수를 적게 할 수 있으므로, 간편한 구성으로, 비용이 저렴해 지고, 정밀한 온도제어하에서의 냉각을 행할 수 있다.
또한, 피처리기판에 냉각매체를 접촉시키기 위한 냉각매체공급수단을 구비하고 있으므로, 냉각매체가 기판에 직접 접촉하여 급냉을 행할 수 있고, 기판을 밀폐분위기하에 놓기 위한 개폐가능한 챔버를 구비함으로써, 냉각매체의 온도를 높이지 않고 기판으로 냉각매체를 부여할 수 있어, 기판의 급냉을 효율좋게 행할 수 있다.

Claims (20)

  1. 피처리기판을 냉각하는 냉각장치로서,
    상기 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체를 냉각하는 냉각수단과,
    상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판으로 냉각매체를 공급하는 수단을 구비하는 냉각장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지체가, 상기 지지체로써 상기 피처리기판을 부상하도록 상기 피처리기판의 가장자리부를 유지하는 유지부재를 가지는 냉각장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단이, 상기 지지체에 부착된 냉각소자인 냉각장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 냉각소자가, 펠체소자인 냉각장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수단이, 상기 지지체에 부착된 냉각소자 및 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로인 냉각장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 냉각소자가, 펠체소자인 냉각장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각매체공급수단이, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판의 상면에서 상기 냉각매체를 공급하는 냉각장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판을 밀폐분위기하로 유지하기 위한 개폐가능한 챔버를 더욱 구비하는 냉각장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 냉각매체의 공급량을 콘트롤하는 수단을 더욱 구비하는 냉각장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각매체공급수단이, 상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판의 아래면에서 상기 냉각매체를 공급하는 냉각장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 냉각매체의 공급량을 콘트롤하는 수단을 더욱 구비하는 냉각장치.
  12. 피처리기판을 냉각하는 냉각장치로서,
    상기 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 부착된 냉각소자와,
    상기 지지체내에서 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 구비하는 냉각장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 지지체가, 상기 지지체로써 상기 피처리기판이 부상하도록 상기 피처리기판의 가장자리부를 유지하는 유지부재를 가지며, 상기 냉각수단이, 상기 지지체에 부착된 냉각소자인 냉각장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 냉각소자가, 펠체소자인 냉각장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 냉각수단이, 상기 냉각소자 및 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로가 동일한 평면내에 설치되어 있는 냉각장치.
  16. 피처리기판에 액체를 공급하여 소정처리를 행하는 처리장치로서,
    상기 기판의 온도를 높이는 열처리부와,
    상기 온도가 높여진 기판을 냉각하는 냉각부를 구비하고,
    상기 냉각부는,
    상기 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체를 냉각하는 냉각수단과,
    상기 지지체에 의해 지지된 상기 피처리기판으로 냉각매체를 공급하는 수단을 구비하는 처리장치.
  17. 피처리기판에 액체를 공급하여 소정처리를 행하는 처리장치로서,
    상기 기판의 온도를 높이는 열처리부와,
    상기 온도가 높여진 기판을 냉각하는 냉각부를 구비하고,
    상기 냉각부는,
    상기 피처리기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 부착된 냉각소자와,
    상기 지지체내에서 냉각수를 흘러 통하게 하는 냉각수 관로를 구비하는 처리장치.
  18. 피처리기판을 냉각하는 냉각방법에 있어서,
    (a) 상기 피처리기판을 제1 냉각속도로 급냉하는 공정과,
    (b) 상기 급냉된 상기 피처리기판을 상기 제1 냉각속도보다 느린 제2 냉각속도로 냉각하는 공정을 구비하는 냉각방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    (a) 공정에서, 상기 피처리기판에 냉각매체를 직접 접촉시키는 것에 의해 급냉하고,
    (b) 공정에서, 상기 피처리기판을 지지하는 지지체를 급냉하는 냉각방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 냉각매체의 공급량을 제어하는 냉각방법.
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