KR100348939B1 - 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치 - Google Patents

포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100348939B1
KR100348939B1 KR1019990054996A KR19990054996A KR100348939B1 KR 100348939 B1 KR100348939 B1 KR 100348939B1 KR 1019990054996 A KR1019990054996 A KR 1019990054996A KR 19990054996 A KR19990054996 A KR 19990054996A KR 100348939 B1 KR100348939 B1 KR 100348939B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
transfer path
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
module
Prior art date
Application number
KR1019990054996A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010054262A (ko
Inventor
최진영
남건우
여영구
Original Assignee
한국디엔에스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국디엔에스 주식회사 filed Critical 한국디엔에스 주식회사
Priority to KR1019990054996A priority Critical patent/KR100348939B1/ko
Priority to JP2000245091A priority patent/JP3665959B2/ja
Priority to TW089119208A priority patent/TW451300B/zh
Priority to US09/693,372 priority patent/US6576873B1/en
Publication of KR20010054262A publication Critical patent/KR20010054262A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100348939B1 publication Critical patent/KR100348939B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 도포 공정과 현상 공정을 갖는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 제공한다. 이 반도체 제조장치는 제 1 로딩/언로딩 포트, 제 2 인터페이스 포트, 도포 모듈, 노광 시스템, 현상 모듈 그리고 제 1 기판 이송로와 제 2 기판 이송로를 포함한다. 제 1 로딩/언로딩 포트와 제 2 인터페이스 포트는 기판이 출입하는 출입구이며, 제 2 인터페이스 포트는 제 1 로딩/언로딩 포트로부터 일정한 거리에 배치된다. 상기 제 1 기판 이송로와 상기 제 2 기판 이송로는 중간벽을 사이에 두고 나란히 배치된다. 제 1 기판 이송로를 따라 도포 모듈이 배치되며, 제 2 기판 이송로를 따라 현상 모듈이 배치된다. 이와 같은 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치에 의하면, 설비의 가동율을 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 종래 반도체 제조장치에 비하여 상대적으로 좁은 면적에 설치할 수 있다.

Description

포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS FOR PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조 공정 중에서 도포 공정과 현상 공정을 갖는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 다양한 방법이 적용되는 공정들을 사용하여 반도체 기판(semiconductor substrate), 유리 기판(glass substrate) 또는 액정 패널(liquid crystal panel) 등과 같은 기판(substrate) 상에 원하는 전자 회로를 형성한다. 반도체 제조공정에서 포토리소그라피 공정(photolithography)은 크게 감광액 도포 공정, 노광 공정 그리고 현상 공정으로 이루어진다. 감광액 도포 공정은 빛에 민감한 물질인 감광액(photo resist; PR)을 기판 표면에 고르게 도포시키는 공정이다. 노광 공정은 스텝퍼(stepper)를 사용하여 마스크(mask)에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 기판 위에 회로 패턴을 노광(exposure)하는 공정이다. 현상 공정은 노광 공정을 통하여 기판의 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상(development)시키는 공정이다.
도 1은 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치의 일례를 설명하기 위한 블록 다이어그램이고, 도 2는 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치의 다른 예를 설명하기 위한 블록 다이어그램이다.
도 1을 참조하면, 종래 일례의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치(200)는 일반적으로 기판이 로딩되고 언로딩되는 포트(port)(210)와, 기판에 감광액을 도포하기 위한 도포기(spin coater; SCW)(220), 기판의 현상 공정을 위한 현상기(spin developer; SDW)(230), 기판을 가열하기 위한 베이크 유니트(bake unit; BAKE)(240) 그리고 기판의 원주 부위에 불필요한 감광액을 노광시키기 위한 WEEW(wide expose edge wafer)(250) 등의 각 유니트들이 공정의 흐름에 맞추어 횡렬로 배치되어 있다. 그리고, 이와 같은 유니트들은 중심의 통로(260)의 양측에 나뉘어져 배치된다. 통로(260)에는 기판의 이송을 위하여 캐리어(carrier)로 하나의 로봇(270)이 사용되며, 이 로봇(270)은 기판을 포트(210), 인터페이스부(280) 또는 각 공정 유니트로 기판을 이송한다. 상기 인터페이스부(280)는 노광 시스템(300)과 기판의 출입이 이루어지는 포트이다.
도 2를 참조하면, 종래 다른 예의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치(300)는 도 1에서 보인 반도체 제조장치(200)와 동일하게 포트(310), 도포기(320), 현상기(330), 베이크 유니트(340) 그리고 WEEW(350) 등의 각 공정 유니트들이 공정의 흐름에 맞추어 횡렬로 배치되어 있다. 그리고, 이와 같은 공정유니트들은 중심 통로(360,380)의 양측에 나뉘어져 배치된다. 이때, 이 반도체 제조장치(300)는 전술한 반도체 제조장치(200)보다 가동율을 증대시키기 위하여 기판을 이송시키기 위한 캐리어로 두 개의 로봇(370,390)을 사용하고 있다. 그리고, 도포 공정을 위한 유니트들과 현상 공정을 위한 유니트들은 횡렬로 나누어 배치하여 각각 하나의 로봇을 배치하였으며, 그 사이에는 제 1 인터페이스부(400)를 설치하였다. 이 반도체 제조장치(300)에서 도포 공정 영역에 있는 로봇(370)은 기판을 포트(310), 제 1 인터페이스부(400) 또는 도포 공정 영역의 각 공정 유니트로 기판을 이송하고, 현상 공정 영역에 있는 로봇(390)은 기판을 제 1 인터페이스(400), 제 2 인터페이스(410) 또는 현상 공정의 각 공정 유니트로 기판을 이송한다. 상기 제 2 인터페이스부(410)는 노광 시스템(300)과 기판의 입출력이 이루어지는 포트이다.
한편, Wu에 의한 U.S. Pat. NO. 5,399,531에서는 전술한 반도체 제조장치와 관련하여 참조할 수 있는 반도체 제조장치를 구성하는 기본적인 다양한 기술적 사항들을 개시하고 있다.
그러나, 이와 같은 구성은 설비의 가동율을 증대시키는데 한계를 가지고 있다. 왜냐하면, 이와 같은 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치들(200,300)은 기판을 로딩/언로딩해주는 포트가 도포 공정 영역에만 직접 연결되는 배치 구조로 인해, 기판의 이동이 포트-도포공정-현상공정영역 경유-노광 공정-현상공정-도포공정영역 경유-포트로 이루어지기 때문이다. 예컨대, 도2에 도시된 반도체 장치(300)을 참고하면, 포토리소그라피 공정에서 현상 공정만 진행하고자 하는 경우, 기판은 반드시 도포 공정 영역과 제1인터페이스부(400)를 경유하는 불합리적인 이송경로를 갖고 있다. 마찬가지로, 현상 공정이 끝난 기판은 상기 포트(310)로 바로 언로딩되지 못하고, 반드시 제1인터페이스부(400)와 도포 공정 영역을 경유하여 언로딩되는 이송 경로의 불합리적인 문제를 갖고 있다. 여기서, 상기 제1로봇(360)은 기판을 상기 포트(310)로부터 로딩하여 각 도포 유니트에 반입 또는 반출시키는 본연의 주업무가 있기 때문에, 상기 제2로봇(390)에서 나오는 현상 공정을 마친 기판을 상기 포트(310)로 즉시 언로딩해주지 못함으로써 현상 또는 노광 공정에서의 정체를 유발시킨다. 반대로, 상기 제1로봇(360)이 현상 공정을 마친 기판을 포트(310)에 언로딩하는 불필요한 시간동안 상기 도포 공정 영역에서의 공정 진행이 정체되는 또 다른 문제점이 발생된다.결국, 상술한 가동률 저하의 문제점들은 포토리소그라피 공정을 위한 기판의 이동 경로가 포트-도포공정-현상공정영역 경유-노광공정-현상공정-도포공정영역 경유-포트로 이루어지는 왕복 이동 경로에 그 원인이 있는 것이다. 한편, 가동율을 증가시키기 위하여 도 2의 반도체 제조 장치(300)에 유니트들을 더 추가할 경우에는 설비의 면적이 증가되는 문제점이 발생되며, 이와 같은 경우에도 실제의 가동율이 증가되는 것은 아니며 공정을 처리하는 유니트의 증가로 가동율이 상승될 뿐이다.
본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 기판 이송 경로가 합리적으로 이루어지도록 함으로써, 설비의 가동율을 극대화시킬 수 있는 새로운 형태의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치보다 비교적 작은 면적으로 설치할 수 있고, 신규 공정의 도입시 용이하게 적용시킬 수 있는 새로운 형태의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치의 일례를 설명하기 위한 블록 다이어그램;
도 2는 종래 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치의 다른 예를 설명하기 위한 블록 다이어그램;
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 설명하기 위한 블록 다이어그램;
도 4는 도 3의 반도체 제조장치의 개략적인 투시도;
도 5는 도 3의 반도체 제조장치에 사용되는 베이크 유니트의 일례를 개략적으로 보여주는 사시도;
도 6은 도 3의 반도체 제조장치에 사용되는 도포 모듈의 일례를 개략적으로 보여주는 사시도;
도 7은 도 3의 반도체 제조장치에 사용되는 현상 모듈의 일례를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 반도체 제조장치 20 : 로딩/언로딩 포트
30 : 인터페이스 포트 40 : 도포 모듈
42 : 도포기 50 : 베이크 유니트
60 : 제 1 기판 이송로 62 : 제 1 로봇
70 : 현상 모듈 72 : 현상기
80 : 제 2 기판 이송로 82 : 제 2 로봇
150 : 노광시스템
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 본 발명은 도포 공정과 현상 공정을 갖는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 제공한다. 이 반도체 제조장치는 이 반도체 제조장치는 포토리소그라피 공정이 진행되는 순서대로 도포, 노광, 현상 모듈이 제 1 기판 이송로와 인터페이스 포트 그리고 제 2 기판 이송로를 따라 배치된다.상기 제 1 및 제 2 기판 이송로들은 상기 로딩/언로딩 포트와 인터페이스 포트와 직접 연결되며, 이 기판 이송로들은 중각벽을 사이에 두고 나란하게 배치된다. 상기 도포 모듈은 제 1 기판 이송로를 따라 배치되고, 상기 현상 모듈은 제 2 기판 이송로를 따라 배치된다.이와 같은 본 발명의 반도체 제조 장치는 그 바람직한 실시예에서 상기 도포 모듈은 상기 제 2 인터페이스 포트는 노광 시스템과 연결되어 설치될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치는 그 바람직한 실시예에서 상기 제 1 기판 이송로는 상기 도포 모듈의 내측에 배치되고, 상기 제 2 기판 이송로는 상기 현상 모듈의 내측에 배치될 수 있다. 또, 상기 제 1 기판 이송로와 제 2 기판 이송로는 중간벽에 의해서 서로 격리될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치는 그 바람직한 실시예에서 상기 도포 모듈은 감광액을 기판 상에 도포시키기 위한 도포기와 기판을 가열하기 위한 베이크 유니트를 포함하되, 상기 도포기와 베이크 유니트는 적층되어 설치될 수 있다. 또, 상기 현상 모듈은 현상액을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성시키기 위한 현상기와 기판을 가열하기 위한 베이크 유니트를 포함하되, 상기 현상기와 베이크 유니트는 적층되어 설치될 수 있다. 이때, 상기 베이크 유니트는 기판을 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 플레이트 및; 상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각시키기 위한 적어도 하나의 냉각 플레이트를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치에 의하면, 도포 공정과 현상 공정이 완전히 분리되어 진행되므로 공정의 적체가 거의 발생되지 않는다. 특히, 포토리소그라피 공정이 진행되는 순서대로 도포, 노광, 현상 모듈이 제1기판 이송로, 인터페이스 포트, 제2기판 이송로를 따라 배치됨으로써, 최적의 기판 이송 경로를 갖을 수 있고, 따라서 설비의 가동율을 향상시킬 수 있다. 특히, 기판의 이송 경로가 로딩/언로딩 포트로부터 시작하여 이송로를 따라 일방향으로만 진행되어 출발지인 로딩/언로딩 포트로 되돌아 오는 루프 모양의 이송 경로를 갖음으로써, 기판이 왕복 직선이동 경로에 의해 발생되는 적체현상을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한 각각의 기판 이송로에 배치된 도포 및 현상 모듈에서 독립적으로 도포와 현상 공정을 동시에 진행할 수 있어, 각 유니트들의 활용을 최대한 높일 수 있다. 따라서, 설비의 가동율을 안정적으로 유지할 수 있다.이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도 1 내지 도 7에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 부여한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치를 설명하기 위한 블록 다이어그램이고, 도 4는 도 3의 반도체 제조장치의 투시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치(10)는 도포 공정을 수행하는 유니트들을 도포 모듈(40)로 구성하고, 현상 공정을 수행하는 유니트들을 현상 모듈(70)로 구성하여 각각 별개의 영역에 배치되도록 한다. 그리고, 각 모듈(40,70)에는 도포 공정과 현상 공정이 별개로 이루어질 수 있도록 기판의 이송을 위한 통로와 캐리어를 별도로 구성한다. 즉, 상기 도포 모듈(40)을 통하여 기판을 이송시키기 위한 제 1 기판 이송로(60)가 상기 도포 모듈(40)을 따라 배치되고, 상기 현상 모듈(70)을 통하여 기판을 이송시키기 위한 제 2 기판 이송로(80)가 상기 현상 모듈(70)을 따라 배치된다. 상기 현상 모듈(70)와 제 1 기판 이송로(60)에 대하여 상기 도포 모듈(40)과 제 2 기판 이송로(80)의 배치는 다양한 방법으로 구성할 수 있을 것이다. 본 실시예에서 상기 제 1 기판 이송로(60)는 상기 도포 모듈(40)의 내측에 배치되도록 하였고, 상기 제 2 기판 이송로(80)는 상기 현상 모듈(70)의 내측에 배치되도록 하였으며, 상기 제 1 기판 이송로(60)와 상기 제 2 기판 이송로(80)는 중간벽(100)에 의해서 서로 격리되도록 하였다. 상기 제 1 기판 이송로(60)를 이동하면서 기판을 이송시키기 위한 캐리어인 제 1 로봇(62)이 상기 제 1 기판 이송로(60) 상에 위치되고, 상기 제 2 기판 이송로(80)를 이동하면서 기판을 이송시키기 위한 캐리어인 제 2 로봇(82)이 상기 제 2 기판 이송로(80) 상에 위치된다. 상기 제1기판 이송로(60)에 배치된 제1로봇(62)는 상기 로딩/언로딩 포트(20)로부터 로딩하는 그리고 상기 기판을 도포 모듈(40)로/로부터 반입/반출시키는 그리고 상기 인터페이스 포트(30)로 기판을 언로딩하는 기능을 수행한다. 상기 제2기판 이송로에 배치된 제2로봇(82)은 기판을 상기 인터페이스 포트(30)로부터 로딩하는 그리고 현상 모듈(70)로/로부터 반입 또는 반출시키는 그리고 상기 로딩/언로딩 포트(20)로/로부터 기판을 로딩/언로딩하는 기능을 수행한다. 이처럼, 상기 제1로봇(62)와 제2로봇(82)은 종래와 비교해보면 처리하는 스케줄 알로리즘이 단순화되었음을 알 수 있다. 로봇의 알고리즘의 단수화는 로봇의 운동 부하 및 동작 시간을 줄일 수 있다.한편, 본 발명에서는, 상기 제1로봇(62)과 제2로봇(82)간의 직접적인 기판 인계는 이루어지지 않는다. 따라서, 로봇들간의 기판 인계시 필요한 버퍼 공간을 별도로 두지 않음으로써, 설비의 사용효율성 증가 및 설비 면적 증가 요인을 줄일 수 있다.이와 같은 구성을 통하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조장치(10)는 기판이 로딩/언로딩(loading/unloading)되는 포트(20)와, 노광 시스템(150)과 기판을 주고받기 위한 인터페이스 포트(30) 사이에서 기판을 자유롭게 이송시킬 수 있다.
다시, 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조장치(10)는 기판이 출입되는 두 개의 포트를 갖는다. 이들 중 한 포트는 포토리소그라피 공정을 진행하거나 상기 반도체 제조장치(10)에서 어느 특정한 공정을 진행하고자 하는 기판이 로딩/언로딩되는 로딩/언로딩 포트(20)이다. 그리고, 다른 한 포트는 상기 포트(20)로부터 일정한 거리에 배치되어 기판이 출입되는 포트인 인터페이스 포트(30)이다. 상기 로딩/언로딩 포트(20)에는 포트 구동부(22)가 설치되고, 상기 인터페이스 포트(30)에는 인터페이스 구동부(32)가 각각 설치되어 기판이 원활히 이송되도록 한다. 한편, 본 실시예에서 상기 도포 모듈(40), 제 1 기판 이송로(60) 그리고 제 1 로봇(62)은 상기 로딩/언로딩 포트(20)와 상기 인터페이스 포트(30) 사이를 연결되도록 배치되어 설치되고, 상기 로딩/언로딩 포트(20)와 상기 인터페이스 포트(30) 사이에서 기판을 이송시키며, 도포 공정을 수행하기 위한 도포 수단이다. 그리고, 상기 현상 모듈(70), 제 2 기판 이송로(80) 그리고 제 2 로봇(82)은 상기 도포 수단과 반대 측에 나란히 위치되어 그리고 상기 로딩/언로딩 포트(20)와 상기 인터페이스 포트(30) 사이를 연결하도록 배치되어 설치되고, 상기 로딩/언로딩 포트(20)와 상기 인터페이스 포트(30) 사이에서 기판을 이송시키며, 현상 공정을 수행하기 위한 현상 수단이다.이러한 구조적인 특징을 갖는 본 발명에서의 기판 이송 경로를 살펴보면 다음과같다. 기판은 우성 로딩/언로딩 포트(20)에서 제 1 기판 이송로(60)로 이송된다. 기판은 상기 제 1 기판 이송로(20)를 따라 배치된 모포 모듈(40)에서 도포 공정을 수행한다. 도포 공정을 마친 기판은 다른 곳을 경유하지 않고 곧바로 상기 인터페이스 포트(30)을 통해 상기 노광 시스템(150)으로 이송된다. 상기 노광 시스템(150)에서 노광을 마친 기판은 다시 인터페이스 포트(30)를 통해 상기 제 2 기판 이송로(80)로 이송된다. 기판은 상기 제 2 기판 이송로(80)를 따라 배치된 현상 모듈(70)에서 현상 공정을 수행한다. 현상 공정을 마친 기판은 상기 제 2 기판 이송로(80)와 연결된 상기 로딩/언로딩 포트(20)로 되돌아오는 루프 모양의 이송 경로를 갖는다. 이처럼, 본 발명의 반도체 제조장치는 기판의 불필요한 이송 경로에 따른 거리 및 시간을 줄일 수 있기 때문에, 설비의 가동율을 향상시킬 수 있다.이와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치는 도포 공정과 현상 공정을 별개로 처리할 수 있다. 따라서, 현상 공정만을 진행하고자 할 경우에도 종래와 같이 반드시 도포 공정이 수행되는 영역을 통하여 현상 공정의 영역에 이송되는 문제점을 해결할 수 있으므로, 공정의 효율성을 극대화시킬 수 있다.
도 5 내지 도 7은 도 3의 반도체 제조장치를 구성하는 유니트들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조장치(10)는 상술한 바와 같은 구성을 가짐과 동시에, 도 4에서 보인 바와 같이, 도포 모듈(40)과 현상 모듈(70)을 구성하는 유니트들이 적층으로 설치되도록 한다. 도 6에서 보인 바와 같이, 상기 도포 모듈(40)은 하층에 베이크 유니트(50)를 배치하고, 그 상층에 도포기(42)를 배치하여 적층되도록 한다. 그리고, 도 7에서 보인 바와 같이, 상기 현상 모듈(70)은 하층에 베이크 유니트(50)를 배치하고, 그 상층에 현상기(72)를 배치한다. 또한, 상기 도포 모듈(40)과 상기 현상 모듈(70)을 구성하는 유니트들은 기판의 크기에 적합하게 조절될 수 있을 것이다. 예컨대, 웨이퍼의 경우 6인치, 8인치, 12인치, 15인치 그리고 16인치 등의 다양한 직경이 적용되고 있으며, 그 크기는 점점 증대되고 있는 추세이다. 따라서, 상기 도포 모듈(40)과 상기 현상 모듈(70)은 공정에 직접 적용되는 기판을 참조하여 구성하여야 할 것이다.
이와 같은 구성을 통하여 본 발명의 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치(10)는 설치면적을 줄이면서, 신규 공정을 위하여 유니트를 설치할 때 반도체 제조장치의 다른 유니트들을 변경하지 않고도 용이하게 적용할 수 있도록 한다. 한편, 상기 베이크 유니트(50)는 기판을 가열하기 위한 가열 플레이트(hot plate; H/P)(52)와 상기 가열 플레이트(52)에서 가열된 기판을 일정한 온도로 냉각시키기 위한 냉각 플레이트(cooling plate;C/P)(54)을 다수개 구비한다. 그리고, 상기 가열 플레이트(52)와 냉각 플레이트(54)는, 도 5에서 보인 바와 같이, 적층되는 형태로 구성하거나, 도 6 및 도 7에서 보인 바와 같이, 상기 가열 플레이트(52)와 냉각 플레이트(54)가 한쌍씩 적층되도록 구성한다. 예컨대, 상기 가열 플레이트(52)와 냉각 플레이트(54)를 2행 2단 내지 2행 5단의 형태로 구성할 수 있을 것이다.
이와 같은 본 발명을 적용하면, 첫째, 기판이 로딩/어로딩 포트로부터 시작하여 제1기판 이송로, 제2기판 이송로를 따라 순회하면서 도포,노광,현상 공정을 순서대로 수행한 후 출발지인 로딩/언로딩 포트로 되돌아오는 루프 모양의 기판 이송 경로를 제공함으로써, 종래 불필요한 이송에 따른 문제점을 최소화할 수 있다. 따라서, 공정의 적체현상을 예방하고 설비의 가동율을 향상시킬 수 있다. 둘째, 도포 공정과 현상 공정이 각각의 기판 이송로에서 독립적으로 진행될 수 있어, 각 유니트들의 활용을 최대한 높일 수 있다. 따라서, 설비의 가동율을 안정적으로 유지할 수 있다. 셋째, 기판 이송로 각각에 설치된 로봇들간의 기판 인계시 사용되는 버퍼 공간을 별도로 두지 않음으로써, 설비의 사용효율성 증가 및 설비 면적 증가 요인을 줄일 수 있다. 넷째, 각 유니트들이 적층되어 설치되므로, 종래 반도체 제조장치에 비하여 상대적으로 좁은 면적에 설치할 수 있으며, 신규 공정 또는 추가 공정이 발생될 때 용이하게 적용시킬 수 있다. 다섯째, 로봇들이 처리하는 스케줄 알고리즘을 단수화시킴으로써, 로봇의 운동 부하를 줄일 수 있다.

Claims (8)

  1. 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 반도체 제조 장치 내로 또는 그것으로부터 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 로딩/언로딩 포트;
    상기 기판에 대한 도포 공정을 수행하기 위한 도포 모듈;
    상기 도포 공정 처리된 기판에 대한 노광 공정을 수행하기 위한 노광 시스템;
    상기 노광 공정 처리된 기판에 대한 현상 공정을 수행하기 위한 현상 모듈; 그리고
    상기 도포 모듈에서 상기 노광 시스템으로 또는 노광 시스템에서 상기 현상 시스템으로의 기판 이송을 위한 인터페이스 포트를 포함하되;
    상기 로딩/언로딩 포트와 상기 인터페이스 포트를 연결하는 제1기판 이송로와;
    상기 제1기판 이송로와는 나란하게 배치되는 그리고 상기 로딩/언로딩 포트와 상기 인터페이스 포트를 연결하는 제2기판 이송로를 구비하고,
    상기 도포 모듈은 상기 제1기판 이송로를 따라 배치되고, 상기 현상 모듈은 상기 제2기판 이송로를 따라 배치되어, 상기 기판이 상기 로딩/언로딩 포트로부터 상기 제1기판 이송로를 따라 배치된 상기 도포 모듈 그리고 상기 인터페이스 포트와 연결된 노광 시스템 그리고 상기 제2기판 이송로를 따라 배치된 현상모듈을 거펴 상기 로딩/언로딩 포트로 되돌아 오는 루프 모양의 이동 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공정을 위한 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1기판 이송로는
    상기 도포 모듈에서의 공정 수행을 위해 상기 기판을 반송하는 제1로봇을 구비하고,
    상기 제2기판 이송로는
    상기 현상 모듈에서의 공정수행을 위해 상기 기판을 반송하는 제2로봇을 구비하여;
    상기 로딩/언로딩 포트에서의 기판 로딩/언로딩이 상기 제1기판 이송로와 상기 제2기판 이송로에서 각각 동시에 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 이송로는 상기 도포 모듈의 내측에 배치되고, 상기 제 2 기판 이송로는 상기 현상 모듈의 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 이송로와 제 2 기판 이송로는 중간벽에 의해서 서로 격리되는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도포 모듈은 감광액을 기판 상에 도포시키기 위한 도포기와 기판을 가열하기 위한 베이크 유니트를 포함하되, 상기 도포기와 베이크 유니트는 적층되어 설치되는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 현상 모듈은 현상액을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성시키기 위한 현상기와 기판을 가열하기 위한 베이크 유니트를 포함하되, 상기 현상기와 베이크 유니트는 적층되어 설치되는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 베이크 유니트는 기판을 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 플레이트 및;
    상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각시키기 위한 적어도 하나의 냉각 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라픽 공정을 위한 반도체 제조장치.
KR1019990054996A 1999-12-04 1999-12-04 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치 KR100348939B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990054996A KR100348939B1 (ko) 1999-12-04 1999-12-04 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
JP2000245091A JP3665959B2 (ja) 1999-12-04 2000-08-11 半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置
TW089119208A TW451300B (en) 1999-12-04 2000-09-19 Semiconductor manufacturing apparatus for photolithographic process
US09/693,372 US6576873B1 (en) 1999-12-04 2000-10-19 Semiconductor manufacturing apparatus for photolithographic process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990054996A KR100348939B1 (ko) 1999-12-04 1999-12-04 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010054262A KR20010054262A (ko) 2001-07-02
KR100348939B1 true KR100348939B1 (ko) 2002-08-14

Family

ID=19623617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990054996A KR100348939B1 (ko) 1999-12-04 1999-12-04 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6576873B1 (ko)
JP (1) JP3665959B2 (ko)
KR (1) KR100348939B1 (ko)
TW (1) TW451300B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
KR101344496B1 (ko) 2007-10-18 2013-12-24 세메스 주식회사 기판 성형 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100663343B1 (ko) * 2004-03-11 2007-01-02 삼성전자주식회사 독립형 시스템을 채택하는 포토리쏘그라피 장비를 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 사진공정
US20100192844A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP6058999B2 (ja) 2012-12-11 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
JP6404303B2 (ja) * 2016-12-08 2018-10-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
CN117311095B (zh) * 2023-09-27 2024-08-06 合肥开悦半导体科技有限公司 一种涂胶显影机

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176590A (ja) * 1993-12-13 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH09330971A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19990015818A (ko) * 1997-08-11 1999-03-05 윤종용 포토 설비의 레이아웃
JPH1174191A (ja) * 1997-08-20 1999-03-16 Samsung Electron Co Ltd 一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6291800B1 (en) * 1998-02-20 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and substrate processing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176590A (ja) * 1993-12-13 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH09330971A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19990015818A (ko) * 1997-08-11 1999-03-05 윤종용 포토 설비의 레이아웃
JPH1174191A (ja) * 1997-08-20 1999-03-16 Samsung Electron Co Ltd 一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101344496B1 (ko) 2007-10-18 2013-12-24 세메스 주식회사 기판 성형 장치
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
US9059224B2 (en) 2009-01-30 2015-06-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP3665959B2 (ja) 2005-06-29
TW451300B (en) 2001-08-21
US6576873B1 (en) 2003-06-10
KR20010054262A (ko) 2001-07-02
JP2001168020A (ja) 2001-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100348938B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
US7880859B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101114787B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
KR20020032339A (ko) 기판 처리장치
KR100427163B1 (ko) 처리시스템
US6168667B1 (en) Resist-processing apparatus
KR100480668B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR19980071336A (ko) 냉각장치, 냉각방법 및 처리장치
KR100348939B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101087463B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR100515740B1 (ko) 기판처리장치
WO2005057648A1 (ja) 基板処理装置
KR100387418B1 (ko) 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2000058438A (ja) 処理装置
KR20190053340A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100666354B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
KR100540505B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
KR20060033423A (ko) 반도체 기판 제조에 사용되는 포토 리소그래피 장치
JPH10335220A (ja) 処理装置
JP3568301B2 (ja) 基板処理装置
KR100590711B1 (ko) 처리시스템
JP3347560B2 (ja) 基板処理装置
KR19990024864A (ko) 반도체 웨이퍼용 감광액 도포 및 현상설비의 콤팩트화 시스템
KR19990074102A (ko) 포토 설비의 레이아웃

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130802

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140804

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee