JPH1174191A - 一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置 - Google Patents

一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置

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JPH1174191A
JPH1174191A JP10092061A JP9206198A JPH1174191A JP H1174191 A JPH1174191 A JP H1174191A JP 10092061 A JP10092061 A JP 10092061A JP 9206198 A JP9206198 A JP 9206198A JP H1174191 A JPH1174191 A JP H1174191A
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stepper
photolithography
coating
steppers
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JP10092061A
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Taishin Boku
泰信 朴
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のフォトリソグラフィ装置において生じ
るボトルネック現象を抑えてリソグラフィ工程の速かな
処理が可能となるようなフォトリソグラフィ装置を提供
する。 【解決手段】 一台の塗布及び現像を行なう装置ＣＤ
と、この一台の塗布及び現像を行なう装置ＣＤに並列に
結ばれた複数のステッパーＳＴとを含む。本発明に係る
フォトリソグラフィ装置は、一台の半導体ウェーハの処
理される速度が速い塗布及び現像を行なう装置ＣＤに、
幾つかの半導体ウェーハの処理される速度が遅いステッ
パーＳＴ１，ＳＴ２が並列に結ばれている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
のためのフォトリソグラフィ工程（photolithographic
process）に使用される装置に係り、更に詳しくは、一
台の塗布及び現像を行なう装置（coaster＆developer）
に複数のステッパーが並列に結ばれて（in-line）ある
フォトリソグラフィ装置（photolithographic apparatu
s）に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置は、数多くの工程を
経て製造される。かかる数多くの工程中、半導体ウェー
ハに微細パターンを転写するためのフォトリソグラフィ
工程は、半導体装置の製造に際して必ず要求されてい
る。
【０００３】かかるフォトリソグラフィ工程は、塗布工
程（coating process）と露光工程（exposure proces
s）及び現像工程（development process）からなる。こ
こで、塗布工程とは、半導体ウェーハ上にフォトレジス
ト膜を形成する工程をいい、露光工程とは、前記フォト
レジスト膜の形成された半導体ウェーハと、転写しよう
とする微細パターンが形成されたフォトマスクとを互い
に整列した後、紫外線などの光が前記フォトマスクを介
して半導体ウェーハ上のフォトレジスト膜に照射される
ようにする工程を言う。また、現像工程とは、露光工程
の済んだ半導体ウェーハのフォトレジスト膜を現像し、
所望のフォトレジストパターンを形成する工程である。
【０００４】ところが、以上で述べたフォトリソグラフ
ィ工程を行う装備を配するシステムは、以下の二種類に
大別できる。その一方は、塗布装置、ステッパー、及び
現像装置を連結せず、それぞれ独立的に使用するシステ
ム（stand-alone system）である。もう一方は、塗布及
び現像を施す装置一台とステッパー一台とが直列に結ば
れたシステム（in-line system）である。
【０００５】前記独立的に使用するシステムにおいて
は、半導体ウェーハのフローを自動化できないことか
ら、作業者が塗布装置、ステッパー、及び現像装置の間
でウェーハのフローを連結することが余儀なくされてい
る。これにより、前記独立システムは、かなりの手間が
かかると共に、半導体ウェーハの処理速度が遅く、か
つ、パーチクルにより半導体ウェーハが汚れるといった
不具合が生じる。
【０００６】その結果、今は、一台の塗布及び現像を施
す装置と一台のステッパーとを組み合わせたシステムを
使用することが一般化している。図1は、一台の塗布及
び現像を行なう装置10と一台のステッパー20とが直列に
結ばれた従来のフォトリソグラフィ装置を表す。図1を
参照すれば、塗布及び現像を行なう装置10では、塗布工
程及び現像工程が進まれる一方、ステッパー20では露光
工程が進まれる。図2は、上の図1に示した従来のフォト
リソグラフィ装置がクリーンルーム内に配された一例を
示すレイアウトである。
【０００７】図2を参照すれば、クリーンルーム内に
は、第1フォトリソグラフィ装置から第24フォトリソグ
ラフィ装置までが配されている。ここで、第1フォトリ
ソグラフィ装置は、第1の塗布及び現像を行なう装置CD1
と第1のステッパーST1とが直列に結ばれたものであり、
第2のフォトリソグラフィ装置は、第2の塗布及び現像を
行なう装置CD2と第2のステッパーST2とが直列に結ばれ
たものである。同様に、第24のフォトリソグラフィ装置
は、第24の塗布及び現像を行なう装置CD24と第24のステ
ッパーST1ないしST24とが直列に連結されたものであ
る。
【０００８】この際、第1及び第2のウェーハ供給装置5
0、60はそれぞれ第1及び第2の軌道70、80上で動く第1及
び第2の自動誘導装置（Automatic Guide Vehicle；30、
40）に半導体ウェーハを供給する。次いで、第1の自動
誘導装置30は、第1ないし第12の塗布及び現像を行なう
装置CD1から装置CD12までの中のいずれか一つを介して
第1ないし第12のフォトリソグラフィ装置中いずれか一
つに半導体ウェーハを供給する。同様に、第2の自動誘
導装置40は、第13から第24までの塗布及び現像を行なう
装置CD13からCD24までの中のいずれか一つを介して第13
から第24までのフォトリソグラフィ装置中のいずれか一
つに半導体ウェーハを供給する。次に、第1から第24ま
でのフォトリソグラフィ装置は、供給された半導体ウェ
ーハを露光及び現像した後、第1もしくは第2の自動誘導
装置30、40を介して第1もしくは第2のウェーハ供給装置
50、60に送出する。この時、第1の軌道70及び第2の軌道
80上の半導体ウェーハのフローはそれぞれ第1及び第2の
セルコントロールルーム90、100によって調節される。
ここで、番号110は隣接する軌道（図示せず）における
半導体ウェーハのフローを調節する第3のセルコントロ
ールルームを表す。
【０００９】しかし、前記図1及び図2に示す従来のフォ
トリソグラフィ装置には以下のような問題点がある。第
一に、一台のステッパーごとに塗布及び現像を行なう装
置がそれぞれ一台ずつ必要になるために、クリーンルー
ムの空間を効率よく活用するのが不可能である。第二
に、上記したように一台のステッパーごとに塗布及び現
像を行なう装置が一台ずつ必要になるために、多くの設
備費用がかかる。
【００１０】第三に、フォトリソグラフィ装置において
ウェーハが処理される全体的な速度が低下する。ステッ
パーで半導体ウェーハが処理される速度が塗布及び現像
を行なう装置で半導体ウェーハが処理される速度よりも
遅いために、ボトルネック現象が生じる。第四に、ステ
ッパーまたは塗布及び現像を行なう装置中何れか一つさ
え故障したり、あるいは、定期的な予防整備などによっ
て該稼動が止まってしまった場合は、フォトリソグラフ
ィ装置の全体の稼動が止まることになる。これは、一台
のステッパーと塗布及び現像を行なう一台の装置とがそ
れぞれ直列に連結されているからである。これにより、
設備の稼動率が低下する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点に鑑みて成されたものであり、フォトリソグラフィ工
程を効率よく行なえるフォトリソグラフィ装置を提供す
ることをその目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は一台の塗布及び現像を行なう装置と、前記
一台の塗布及び現像を行なう装置に並列に結ばれた複数
のステッパーとを有することを特徴とするフォトリソグ
ラフィ装置を提供する。本発明において、前記複数のス
テッパーの台数は2ないし5であるのが好ましい。本発明
に係るフォトリソグラフィ装置によると、クリーンルー
ム空間を効率よく活用でき、塗布及び現像を行なう装置
が減った分だけそれにかかる設備費用が節減され、か
つ、半導体ウェーハが処理される全体速度が向上すると
共に、装置稼動率を極大化できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図3に基づき、本発明の第1の実施
の形態として示した一台の塗布及び現像を行なう装置に
二台のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ
装置の構成を説明する。図3を参照すれば、"ST1"及び"S
T2"はそれぞれ第1及び第2のステッパーを、"L/U"は半導
体ウェーハを受け入れると共に、フォトリソグラフィ工
程の済んだ半導体ウェーハを送出するローダー及びアン
ローダーを、"AD1"から"AD4"までは、それぞれ半導体ウ
ェーハとフォトレジスト膜との接着力を強めるために、
ヘキサメチルジシラン（hexamethyldisilane；HMDS）も
しくはジクロロジメチルシラン（dichlorodimethylsila
ne；DCDMS）などの表面処理剤を用いて塗布する第1ない
し第4のアドヒージョンユニット（adhesion unit）を表
す。
【００１４】また、"CP1"から"CP8"までは、それぞれ、
半導体ウェーハを冷却させるための第1ないし第8の冷却
プレート（cooling plate）を、"SC1"から"SC4"まで
は、それぞれ表面処理の済んだ半導体ウェーハ上にフォ
トレジスト膜を塗布する第1から第4までのスピンコート
器（spin coater）を、"HP1"から"HP14"までは、それぞ
れフォトレジスト膜をソフトべークまたはハードべーク
するための第1から第14までのホットプレートを表す。
また、"I／F1"及び"I／F2"は、それぞれ半導体ウェーハ
の処理速度を制御するために、半導体ウェーハを一時待
機させる第1及び第2のインタフェースユニットを、"EE
1"及び"EE2"はそれぞれ半導体ウェーハの縁部に塗布さ
れているフォトレジスト膜を除去するために、ウェーハ
の縁部だけ露光させる第1及び第2のエッジ露光装置を表
す。
【００１５】"SD1"ないし"SD4"は、それぞれ、第1また
は第2のステッパーST1またはST2において露光を済ま
せ、第1または第2のエッジ露光装置においてエッジ露光
を済ませた半導体ウェーハを現像する第1から第4までの
スピン現像器を示す。"RA"は、前記アドヒージョンユニ
ットAD1からAD4までの、前記スピンコート器SC1からSC4
までの、前記ホットプレートHP1からHP14までの、前記
スピン現像器SD1からSD4までの、それぞれの間で半導体
ウェーハを移動させるロボットアームを表す。
【００１６】図4に基づき、図3に示した本発明の第1の
実施の形態によるフォトリソグラフィ装置内において半
導体ウェーハが処理される過程を説明する。図4を参照
すれば、ローダー／アンローダー（図3中L／U）を介し
て本発明の第1の実施の形態によるフォトリソグラフィ
装置に供給された半導体ウェーハは、第1から第４まで
のアドヒージョンユニット（図3中AD1ないしAD4）中、
いずれか１つにおいて約100℃程度の高温でHMDSに表面
処理される（ステップ1）。
【００１７】次いで、前記半導体ウェーハは、第1から
第8までの冷却プレート（図3中CP1ないしCP8）中の何れ
か１つにおいて常温に1次冷却される（ステップ2）。次
に、前記半導体ウェーハは、第1から第4までのスピンコ
ーター（図3中SC1ないしSC4）の中から何れか一つにお
いてフォトレジストで塗布される（ステップ3）。前記
フォトレジストで塗布された半導体ウェーハは、第1か
ら第14までのホットプレート（図3中、HP1からHP14ま
で）の中からいずれか一つにおいて約100℃以下の温度
で1次ソフトべークされる（ステップ4）。
【００１８】次いで、前記半導体ウェーハは、第1から
第8までの冷却プレート（図3中CP1からCP8まで）の中か
ら何れか一つにおいて再び常温に２次冷却される（ステ
ップ5）。次に、前記半導体ウェーハは、第1もしくは第
2のインタフェースユニット（図3中I／F1もしくはI／F
2）を介して第1もしくは第2のステッパー（図3中ST1も
しくはST2）に入り込む。この時、第1のインタフェース
ユニット（図3中I／F1）に入り込まれた半導体ウェーハ
は、第1のステッパー（図3中ST1）において露光され
（ステップ6a）、第2のインタフェースユニット（図3中
I／F2）に入り込まれた半導体ウェーハは、第2のステッ
パー（図3中ST2）において露光される（ステップ6b）。
第1または第2のステッパー（図3中ST1またはST2）で露
光された半導体ウェーハは、第1または第2のインタフェ
ースユニット（図3中I／F1またはI／F2）を介して第1ま
たは第2のエッジ露光装置（図3中EE1またはEE2）に送ら
れた後、ここでエッジ露光される。
【００１９】この時、第1ステッパー（図3中ST1）にお
いて露光された半導体ウェーハは、第1エッジ露光装置
（図3中EE1）においてエッジ露光され（ステップ7a）、
第2のステッパー（図3中ST2）において露光された半導
体ウェーハは、第2のエッジ露光装置（図3中EE2）にお
いてエッジ露光される（ステップ7b）。続いて、第1ま
たは第2のエッジ露光装置（図3中EE1またはEE2）を通じ
た半導体ウェーハは、第1から第14のホットプレート
（図3中HP1ないしHP14）の中からいずれか一つにおいて
約100℃以下の温度で２次ソフトべークされる（ステッ
プ8）。
【００２０】次いで、前記半導体ウェーハは、第1から
第8までの冷却プレート（図3中CP1ないしCP8）の中から
いずれか一つにおいて常温に3次冷却される（ステップ
9）。その後、前記半導体ウェーハは、第1から第4まで
のスピンディベロッパー（図3中SD1ないしSD4）の中か
ら何れか一つにおいて現像される（ステップ10）。
【００２１】次に、前記半導体ウェーハは、第1から第1
4までのホットプレート（図3中HP1ないしHP14）の中か
らいずれか一つにおいて約110℃以上の温度でハードべ
ークされる（ステップ11）。それから、前記半導体ウェ
ーハは、第1から第8までの冷却プレート（図3中CP1から
CP8まで）の中からいずれか一つにおいて常温に4次冷却
された後（ステップ12）、前記ローダー／アンローダー
（図3中L／U）を介して本発明の第1の実施の形態による
フォトリソグラフィ装置から離れる。
【００２２】図5は、図3に示す本発明の第1の実施形態
によるフォトリソグラフィ装置をクリーンルーム内に配
した一例を示すレイアウトである。図5を参照すれば、
クリーンルーム内には、本発明の第1の実施の形態とし
て示した第1のフォトリソグラフィ装置から第12のフォ
トリソグラフィ装置までが配されている。ここで、第1
のフォトリソグラフィ装置は、第1の塗布及び現像を行
なう装置CD1に第1のステッパーST1及び第2のステッパー
ST2と並列に結んであり、第2のフォトリソグラフィ装置
は第2の塗布及び現像を行なう装置CD2に第3のステッパ
ーST3及び第4のステッパーST4と並列に結んである。
【００２３】同様に、第12のフォトリソグラフィ装置
は、第12の塗布及び現像を行なう装置CD12に第23のステ
ッパーST23及び第24のステッパーST24と並列に結んであ
る。一方、第1から第12までの塗布及び現像を行なう装
置CD1からCD12までの構成は図3に示してある。
【００２４】 この時、第1及び第2のウェーハ供給装置140、150はそれ
ぞれ第1及び第2の軌道160、170上で動く第1及び第2の自
動誘導装置120、130に半導体ウェーハを供給する。次い
で、第1の自動誘導装置120は第1から第6までの塗布及び
現像を行なう装置CD1からCD6までの中の何れか一つを介
して、第1から第6までのフォトリソグラフィ装置中の何
れか一つに半導体ウェーハを供給する。同じく、第2の
自動誘導装置130は、第7から第12までの塗布及び現像を
行なう装置CD7からCD12までの中のいずれか一つを介し
て、第7から第12までのフォトリソグラフィ装置中のい
ずれか一つに半導体ウェーハを供給する。
【００２５】次いで、第1から第12までのフォトリソグ
ラフィ装置は、送られてきた半導体ウェーハを露光及び
現像した後、第1または第2の自動誘導装置120、130を介
して第1または第2のウェーハ供給装置140、150に送出す
る。この時、第1の軌道160及び第2の軌道170上の半導体
ウェーハのフローは、それぞれ第1及び第2のセルコント
ロールルーム180、190によって調節される。番号200
は、隣接する軌道（図示せず）における半導体ウェーハ
のフローを調節する第3のセルコントロールルームを表
す。
【００２６】図6に基づき、本発明の第2の実施の形態と
して示した一台の塗布及び現像が行なわれる装置に四台
のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置
の構成を説明する。図3において述べた符号と同一の符
号で示した各部は、同一の構成要素を示しているため、
これについての詳細な説明は省略する。例えば、符号"C
P10"は、第10冷却プレートを、"HP18"は第18ホットプレ
ートを、"EE4"は第4エッジ露光装置をそれぞれ表す。
【００２７】一方、図3において存在しない符号"WT1"か
ら"WT4"までは、ロボットアームRAと第1から第4までの
インタフェースユニットI／F1からI／F4までの間で半導
体ウェーハのフローを連結する第1から第4までのウェー
ハ伝送ユニットWT1からWT4を示すが、前記ウェーハ伝送
ユニットWT1からWT4までは、半導体ウェーハを冷却させ
る機能を兼ね得る。
【００２８】図7に基づき、図6に示した本発明の第2の
実施の形態として示したフォトリソグラフィ装置内にお
いて半導体ウェーハが処理される過程を説明する。図7
を参照すれば、ローダー／アンローダー（図6中L／U）
を介して本発明の第2の実施の形態として示したフォト
リソグラフィ装置に送られた半導体ウェーハは、第1か
ら第4までのアドヒージョンユニット（図6中、AD1からA
D4まで）の中から何れか一つにおいて約100℃程度の高
温でHMDSに表面処理される（ステップ1）。次いで、前
記半導体ウェーハは、第1から第10までの冷却プレート
（図6中、CP1からCP10まで）の中から何れか一つにおい
て常温で1次冷却される（ステップ2）。次に、前記半導
体ウェーハは、第1から第4までのスピンコーター（図6
中SC1ないしSC4）の中から何れか一つにおいてフォトレ
ジストで塗布される（ステップ3）。
【００２９】次いで、前記フォトレジストで塗布された
半導体ウェーハは、第1から第18までのホットプレート
（図6中HP1からHP18）の中から何れか一つにおいて約10
0℃以下の温度で1次ソフトべークされる（ステップ
4）。続いて、前記半導体ウェーハは、第1から第4まで
のウェーハ伝送ユニット（図6中、WT1からWT4）の中か
ら何れか一つに伝送され、ここで再び常温に２次冷却さ
れる（ステップ5aからステップ5dまで）。
【００３０】この時、第1のウェーハ伝送ユニット（図6
中WT1）に送られた半導体ウェーハは、第1のインタフェ
ースユニット（図6中I／F1）を介して第1のステッパー
（図6中ST1）に伝送されて露光され（ステップ5a）、第
2のウェーハ伝送ユニット（図6中WT2）に送られた半導
体ウェーハは、第2のインタフェースユニット（図6中I
／F2）を介して第2のステッパー（図6中、ST2）に伝送
されて露光され（ステップ5b）、第3のウェーハ伝送ユ
ニット（図6中、WT3）に送られた半導体ウェーハは、第
3のインタフェースユニット（図6中I／F3）を介して第3
のステッパー（図6中ST3）に伝送されて露光され（ステ
ップ5c）、第4のウェーハ伝送ユニット（図6中WT4）に
送られた半導体ウェーハは、第4のインタフェースユニ
ット（図6中I／F4）を介して第4のステッパー（図6中ST
4）に伝送され露光される（ステップ5d）。
【００３１】続いて、第1のステッパー（図6中ST1）に
おいて露光された半導体ウェーハは、第1のインタフェ
ースユニット（図6中、I／F1）を介して第1のウェーハ
伝送ユニット（図6中、WT1）に伝送された後、ここで3
次冷却され、且つ、第1のエッジ露光装置（図6中EE1）に
おいてエッジ露光される（ステップ6a）。第2のステッ
パー（図6中ST2）、第3のステッパー（図6中ST3）、ま
たは第4のステッパー（図6中ST4）において露光された
半導体ウェーハも前記方式と同様にしてそれぞれ第2の
エッジ露光装置（図6中EE2）、第3のエッジ露光装置
（図6中EE3）、または第4のエッジ露光装置（図6中EE
4）に伝送される（ステップ6bないしステップ6d）。
【００３２】続いて、第1から第4までのエッジ露光装置
（図6中EE1ないしEE4）の中から何れか一つにおいてエ
ッジ露光された半導体ウェーハは、第1から第18までの
ホットプレート（図6中HP1ないしHP18）の中から何れか
一つにおいて約100℃程度の温度で２次ソフトべークさ
れる（ステップ7）。次いで、前記半導体ウェーハは、
第1から第10までの冷却プレート（図6中CP1からCP10ま
で）の中から何れか一つにおいて常温に4次冷却される
（ステップ8）。その後、前記半導体ウェーハは、第1か
ら第4までのスピンディベロッパー（図6中SD1からSD4ま
で）の中から何れか一つにおいて現像される（ステップ
9）。
【００３３】次いで、前記半導体ウェーハは、第1から
第18までのホットプレート（図6中HP1からHP18まで）の
中から何れか一つにおいて約110℃以上の温度でハード
べークされる（ステップ10）。次に、前記半導体ウェー
ハは、第1から第10までの冷却プレート（図6中CP1からC
P10まで）の中から何れか一つにおいて常温に5次冷却さ
れた後（ステップ11）、ローダー／アンローダー（図6
中L／U）を介して本発明の第2の実施の形態によるフォ
トリソグラフィ装置から送出される。
【００３４】図8は、図6に示した本発明の第2の実施の
形態によるフォトリソグラフィ装置をクリーンルーム内
に配した一例を示すレイアウトである。図8を参照すれ
ば、クリーンルーム内には、本発明の第2の実施の形態
による第1から第9までのフォトリソグラフィ装置が配さ
れている。ここで、第1のフォトリソグラフィ装置は、
第1の塗布及び現像を行なう装置CD1に、第1から第4まで
のステッパーST1からST4までが並列に結んであり、第2
のフォトリソグラフィ装置は、第2の塗布及び現像を行
なう装置CD2に、第5から第8までのステッパーST5からST
8までが並列に結んである。
【００３５】同様に、第9のフォトリソグラフィ装置
は、第9の塗布及び現像を行なう装置CD9に、第33から第
36までのステッパーST33からST36までと並列に結ばれた
ものである。一方、第1から第9までの塗布及び現像を行
なう装置CD1からCD9までの構成は、図6に示してある。
【００３６】この時、第1及び第2のウェーハ供給装置23
0、240は、それぞれ第1及び第2の軌道250、260上で動く
第1及び第2の自動誘導装置210、220に半導体ウェーハを
供給する。次いで、第1の自動誘導装置210は、第1から
第6までの塗布及び現像を行なう装置CD1からCD6までの
中の何れか一つを介して第1から第6までのフォトリソグ
ラフィ装置中の何れか一つに半導体ウェーハを供給す
る。同じく、第2の自動誘導装置220は、第4から第9まで
の塗布及び現像を行なう装置CD4からCD9までの中の何れ
か一つを介して、第4から第9までのフォトリソグラフィ
装置中の何れか一つに半導体ウェーハを供給する。
【００３７】次いで、第1から第9までのフォトリソグラ
フィ装置は、送られてきた半導体ウェーハを露光及び現
像した後、第1から第2までの自動誘導装置210、220を介
して第1または第2のウェーハ供給装置230、240に送出す
る。この時、第1の軌道250及び第2の軌道260上の半導体
ウェーハのフローはそれぞれ第1及び第2のセルコントロ
ールルーム270、280によって調節される。番号290は隣
接する軌道（図示せず）における半導体ウェーハのフロ
ーを調節する第3のセルコントロールルームを表す。
【００３８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるフォト
リソグラフィ装置は以下のような効果を奏でる。先ず、
本発明によるフォトリソグラフィ装置では、一台のステ
ッパーに必要な塗布及び現像を行なう装置が一台以下
（例えば、一台の塗布及び現像を行なう装置と二台のス
テッパーとが結ばれた場合には0．5台、一台の塗布及び
現像を行なう装置と四台のステッパーとが結ばれた場合
には0．25台）に減ったことから、クリーンルームの空
間を効率よく活用でき、更には、塗布及び現像を行なう
装置が減った分だけそれにかかる設備費用が節減され
る。
【００３９】第二に、一台の半導体ウェーハの処理され
る速度の速い塗布及び現像を行なう装置に、幾つかの半
導体ウェーハの処理される速度が遅いステッパーが並列
に結ばれていることから、従来のフォトリソグラフィ装
置において生じたボトルネック現象を抑えることができ
る。これにより、半導体ウェーハが処理される全体的な
速度が向上する。
【００４０】第三に、一台の塗布及び現像を行なう装置
に相対的に故障が頻繁で、しかも定期的な予防整備の周
期が短いステッパーが幾つか並列に結ばれていることか
ら、たとえ前記ステッパー中の何れか一台が故障した
り、あるいは定期的な予防整備のために稼動が止るとし
ても、本発明によるフォトリソグラフィ装置は、残りの
正常に稼動されるステッパーを用いて正常に稼動するこ
とができる。これにより、設備稼動率の極大化を図るこ
とが可能になる。
【００４１】以上、本発明につき具体的な実施の形態と
して説明したが、詳細に説明したが、本発明はこれに限
定されることなく、本発明の技術的思想内で、且つ、当
分野での通常の知識を有した者に取って様々な変形が可
能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 一台の塗布及び現像を行なう装置と一台のス
テッパーとが直列に結ばれた従来のフォトリソグラフィ
装置を示す構成図である。
【図２】 図1に示した従来のフォトリソグラフィ装置
をクリーンルーム内に配したことを示すレイアウトであ
る。
【図３】 本発明の第1の実施の形態として示した一台
の塗布及び現像を行なう装置に二台のステッパーが並列
に結ばれたフォトリソグラフィ装置を説明するための構
成図である。
【図４】 図3に示した本発明の第1の実施の形態による
フォトリソグラフィ装置内において半導体ウェーハが処
理される過程を説明するためのフローチャートである。
【図５】 図3に示した本発明の第1の実施の形態による
フォトリソグラフィ装置をクリーンルーム内に配した一
例を示すレイアウトである。
【図６】 本発明の第2の実施の形態として示した一台
の塗布及び現像を行なう装置に四台のステッパーが並列
に結ばれたフォトリソグラフィ装置を説明するための構
成図である。
【図７】 図6に示した本発明の第2の実施の形態による
フォトリソグラフィ装置内において半導体ウェーハが処
理される過程を説明するためのフローチャートである。
【図８】 図6に示した本発明の第2の実施の形態による
フォトリソグラフィ装置をクリーンルーム内に配した一
例を示すレイアウトである。
【符号の説明】
ＳＴ ステッパー Ｌ／Ｕ ローダー及びアンローダー ＡＤ アドヒージョンユニット ＳＣ スピンコート器 ＨＰ ホットプレート ＥＥ エッジ露光装置 ＳＤ スピン現像器 ＲＡ ロボットアーム ＳＴ ステッパー ＣＤ 塗布及び現像器 ＷＴ ウェーハ伝送ユニット １２０，１３０ 自動誘導装置 １４０，１５０ ウェーハ供給装置 １６０，１７０ 自動誘導装置 １８０，１９０ セルフコントロールルーム ２００ コントロールルーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一台の塗布及び現像を行なう装置と、 前記一台の塗布及び現像を行なう装置に並列に結ばれた
    複数のステッパーとを含むことを特徴とするフォトリソ
    グラフィ装置。
  2. 【請求項２】 前記複数のステッパーの台数は2から５
    までのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載
    のフォトリソグラフィ装置。
JP10092061A 1997-08-20 1998-04-03 一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置 Pending JPH1174191A (ja)

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KR199739657 1997-08-20

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JP10092061A Pending JPH1174191A (ja) 1997-08-20 1998-04-03 一台の塗布及び現像を行なう装置に複数のステッパーが並列に結ばれたフォトリソグラフィ装置

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