CN101718954B - 供给化学液体的单元及使用该单元处理衬底的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于供给化学液体的单元以及利用所述单元处理衬底的装置和方法。预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴体上。因此与各个喷嘴被安装在各自喷嘴臂上的情况相比,能够节省设备安装空间,由此能够更好地利用用于安装设备的空间。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2008年10月9日递交的韩国专利申请No.2008-0099229的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文描述的本发明涉及一种用于供给化学液体的单元以及使用该单元处理衬底的装置和方法,尤其是涉及一种用于供给光致抗蚀剂涂覆工艺中使用的化学液体的单元,以及使用该单元处理衬底的装置和方法。
背景技术
通常,半导体衬底是通过将形成预定电路图案的薄膜层叠在硅片上来制成的。为了形成和层叠薄膜,需重复执行诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等多个单元工艺。
所述单元工艺中的光刻工艺用于在晶片上形成图案。光刻工艺包括光致抗蚀剂涂覆工艺,曝光工艺,显影工艺等。
光致抗蚀剂沉积工艺用于将对光敏感的光致抗蚀剂均匀地施加到晶片表面。曝光工艺用于曝光其上形成有光致抗蚀剂的电路图案,所述曝光是通过利用分档器(stepper)使光穿过掩膜上的相应电路图案来进行的。显影工艺用于利用显影剂选择性地显影通过曝光工艺曝光或没有曝光的晶片的光致抗蚀剂层部分。
通过沉积、曝光和显影工艺在晶片上形成图案,且利用晶片上的图案蚀刻该晶片的最上层,由此形成具有图案的器件。
发明内容
本发明提供一种用于供给化学液体的单元,其通过在单个喷嘴臂上安装用于喷洒液体(有机溶剂,光致抗蚀剂,边珠去除剂等)的喷嘴,能够更好地利用用于安装设备的空间。本发明提供使用该单元处理衬底的装置和方法。
本发明的实施例提供处理液体供给单元,包括:光致抗蚀剂喷嘴,用于将光致抗蚀剂供给到衬底上;以及边珠去除喷嘴,用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在衬底边缘的边珠,其中,光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。
在一些实施例中,处理液体供给单元可以进一步包括:预湿喷嘴,用于将有机溶剂供给到衬底上以提高从光致抗蚀剂喷嘴供给到衬底上的光致抗蚀剂的湿度,其中,预湿喷嘴可以被安装在该喷嘴臂上。
在另一些实施例中,预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴可以沿着与喷嘴臂长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部。
在另一些实施例中,光致抗蚀剂喷嘴可以设置在喷嘴臂的第一端的中心,且预湿喷嘴和边珠去除喷嘴可以被分别设置在光致抗蚀剂喷嘴的两侧。
在另一些实施例中,处理液体供给单元可以进一步包括:光致抗蚀剂供给源、将光致抗蚀剂供给源连接到光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路、边珠去除液体供给源、将边珠去除液体供给源连接到边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路、有机溶剂供给源、以及将有机溶剂供给源连接到预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。
在本发明的另一些实施例中,衬底处理装置包括:衬底支撑部件,用于支撑衬底;以及处理液体供给单元,用于执行关于衬底支撑部件上所支撑的衬底的光致抗蚀剂沉积工艺。其中,该处理液体供给单元包括:光致抗蚀剂喷嘴,用于将光致抗蚀剂供给到衬底上;以及边珠去除喷嘴,用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在衬底边缘的边珠,其中,光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。
在一些实施例中,处理液体供给单元可以进一步包括:预湿喷嘴,用于将有机溶剂供给到衬底上以提高从光致抗蚀剂喷嘴供给到衬底上的光致抗蚀剂的湿度,其中,预湿喷嘴可以被安装在该喷嘴臂上。
在另一些实施例中,预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴可以沿着与喷嘴臂长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部。
在另一些实施例中,光致抗蚀剂喷嘴可以设置在喷嘴臂的第一端的中心,且预湿喷嘴和边珠去除喷嘴可以被分别设置在光致抗蚀剂喷嘴的两侧。
在另一些实施例中,喷嘴臂可以设置在衬底支撑部件的一侧,从而预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴的布置方向能够穿过衬底支撑部件上的衬底的中心。
在另一些实施例中,衬底处理装置可以进一步包括:驱动部件,用于线性地移动喷嘴臂以将预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴移动到设置在衬底支撑部件上的衬底上的加工位置,其中,驱动部件可以包括:喷嘴臂支撑部件,用于支撑喷嘴臂;驱动单元,用于往复移动喷嘴臂支撑部件;以及导引部件,用于导引喷嘴臂支撑部件线性运动。
在另一些实施例中,处理液体供给单元可以进一步包括:光致抗蚀剂供给源、将光致抗蚀剂供给源连接到光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路、边珠去除液体供给源、将边珠去除液体供给源连接到边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路、有机溶剂供给源、以及将有机溶剂供给源连接到预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。
在本发明的另一些实施例中,用于利用上述衬底处理装置执行关于衬底的光致抗蚀剂沉积工艺的方法包括:通过移动喷嘴臂将预湿喷嘴定位到衬底中心上方,将有机溶剂供给到衬底的中心;通过移动喷嘴臂将光致抗蚀剂喷嘴定位到衬底中心上方,将光致抗蚀剂供给到衬底的中心;通过移动喷嘴臂将边珠去除喷嘴定位到衬底边缘的上方,将边珠去除液体供给到衬底的边缘,其中,在旋转衬底的同时供给有机溶剂、光致抗蚀剂和边珠去除液体。
在一些实施例中,预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与喷嘴臂的长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部;并且在各喷嘴的布置方向上移动喷嘴臂的同时将有机溶剂和光致抗蚀剂顺序地供给到衬底中心,然后将边珠去除液体供给到衬底的边缘。
附图说明
附图用于更好地理解本发明,且并入本说明书作为说明书的一部分。附图示出了本发明的示例性实施例,且与说明书描述一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明实施例的具有衬底处理装置的半导体制造设备的俯视图;
图2是图1所示半导体制造设备的侧视图;
图3是示出图1所示半导体制造设备的工艺处理单元的视图;
图4是各处理模块中用于沉积工艺的处理模块的俯视图;
图5是图4所示处理模块的侧视截面图;
图6是图4所示部分A的正视图;以及
图7A至图7C是示出根据实施例的衬底处理装置的各操作状态的视图。
具体实施方式
下面参考附图更加详细地描述本发明的优选实施例。然而,本发明可以以不同的形式实施且不能解释为局限于本文所述的实施例。相反地,这些实施例提供用于使得本公开充分、完整,并且使本领域的技术人员能完全知晓本发明的范围。在附图中,为了图示清楚,元件的形状被夸大。
图1是根据本发明实施例的具有衬底处理装置的半导体制造设备的俯视图;图2是图1所示半导体制造设备的侧视图;图3是示出了图1所示半导体制造设备的工艺处理单元的视图。
参照图1至图3,半导体制造设备10包括定位器(index)20、工艺处理单元30和接口(interface)50。定位器20、工艺处理单元30和接口50被布置在沿第一方向12延伸的直线上。在沿着第一方向12延伸的直线上,定位器20被设置成与工艺处理单元30的前端相邻。在沿着第一方向12延伸的直线上,接口50被设置成与工艺处理单元30的后端相邻。定位器20和接口50具有在与第一方向12垂直的第二方向14上延伸的长度。工艺处理单元30在上下方向上具有双层结构。第一处理单元32a设置在下层且第二处理单元32b设置在上层。定位器20和接口50将衬底送入工艺处理单元30或从工艺处理单元30取出。
第一处理单元32a包括第一传送路径34a、第一主机器人36a和处理模块40。第一传送路径34a在第一方向12上从邻近定位器20的位置延伸到邻近接口50的位置。处理模块40沿第一传送路径34a布置在第一传送路径34a的两侧。第一主机器人36a安装在第一传送路径34a上。第一主机器人36a在定位器20、处理模块40和接口50之间传送衬底。
第二处理单元32b包括第二传送路径34b、第二主机器人36b和处理模块40。第二传送路径34b在第一方向12上从邻近定位器20的位置延伸到邻近接口50的位置。处理模块40沿第二传送路径34b布置在第二传送路径34b的两侧。第二主机器人36b安装在第二传送路径34b上。第二主机器人36b在定位器20、处理模块40和接口50之间传送衬底。
第一处理单元32a可以包括用于沉积工艺的模块。第二处理单元32b可以包括用于显影工艺的模块。可替选地,第一处理单元32a可以包括用于显影工艺的模块。第二处理单元32b可以包括用于沉积工艺的模块。可替选地,第一处理单元32a和第二处理单元32b中的每一个包括用于沉积工艺和显影工艺两者的模块。
用于沉积工艺的模块例如包括:用于粘结工艺的模块、用于冷却工艺的模块、用于光致抗蚀剂沉积工艺的模块和用于软烤(soft bake)工艺的模块。用于显影工艺的模块例如包括:用于将曝光的衬底加热到预定温度的模块、用于冷却衬底的模块、用于通过供给显影溶液来去除衬底的曝光的或未曝光的区域的模块和用于硬烤(hard bake)工艺的模块。
定位器20安装在工艺处理单元30的前端。定位器20包括装载端口22a、22b、22c和22d以及定位器机器人100a,在装载端口22a、22b、22c和22d上设置有容纳衬底的盒C。装载端口22a、22b、22c和22d沿着在第二方向14上延伸的直线连续设置。定位器机器人100a位于工艺处理单元30与装载端口22a、22b、22c和22d之间。容纳衬底的盒C通过传送单元(未示出)被传送到装载端口22a、22b、22c和22d上,传送单元例如为高架式传送机、高架式输送机或自动导引车辆。封闭式盒,诸如前端开口统一片盒(FOUP,Front Open UnifiedPod),可以用作盒C。机器人100a在设置在装载端口22a、22b、22c和22d上的盒C与工艺处理单元30之间传送衬底。
接口50安装在工艺处理单元30的后端,以相对于工艺处理单元30与定位器20对称。接口50具有接口机器人100b。接口机器人100b在与接口50的后端相连的曝光处理单元和工艺处理单元30之间传送衬底。
定位器机器人100a包括水平导引部110、竖直导引部120和机器人臂130。机器人臂130能够在第一方向12上线性移动以及绕Z轴旋转。水平导引部110导引机器人臂130在第二方向14上线性运动。竖直机器人导引部120导引机器人臂130在第三方向16上线性运动。机器人臂130在第二方向14上沿水平导引部110线性移动、绕Z轴旋转以及在第三方向上移动。接口机器人110b具有与定位器机器人110a相同的结构。
下面描述具有上述结构的半导体制造设备10的操作。盒C由操作者或传送单元(未示出)传送到定位器20的装载端口22a。定位器机器人100a取出盒C内的衬底并且将衬底移交给第一处理单元32a的第一主机器人36a。第一主机器人36a沿第一传送路径34a移动并且将衬底装载到处理模块40上,此后执行沉积工艺。衬底在处理模块40上被处理之后,处理后的衬底从处理模块40卸载。卸载的衬底由第一主机器人36a传送到接口机器人100b。接口机器人100b将衬底传送到曝光处理单元60。在曝光处理单元60内处理过的衬底由接口机器人100b传送到第二处理单元32b。衬底由第二主机器人36b传送到处理模块40,此后执行显影工艺。显影后的衬底被传送到定位器20。
图4是各处理模块40中用于沉积工艺的处理模块40a的俯视图,图5是图4中的处理模块40a的侧视截面图,图6是图4所示部分A的正视图。
参考图4至图6,处理模块40a包括处理腔室400、衬底支撑部件410和处理液体供给单元430。处理腔室400提供执行衬底处理工艺的空间。开口402a被形成为穿过处理腔室400的侧壁,从而衬底W能够通过开口402a进出处理腔室400。衬底支撑部件410设置在处理腔室400的中心部分。衬底支撑部件410支撑衬底W并且旋转衬底W。处理液体供给单元将处理液体供给到衬底支撑部件410上的衬底W上以处理衬底W。
在工艺期间,衬底支撑部件410支撑衬底W并且通过旋转驱动部件412(如电动机)旋转。衬底支撑部件410包括具有圆形顶面的支撑板414。支撑衬底W的针部件416安装在支撑板414的顶面上。在衬底支撑部件410通过旋转驱动部件412旋转时,由针部件416支撑的衬底W也旋转。
容器420围绕衬底支撑部件410设置。容器420大体形成为圆柱形状且在其下壁422处设有排放孔424。排放管426与排放孔424相连。排放部件428(如泵)与排放管426相连。向排放部件428施加负压,从而能够排放流体,包括由容器420内的衬底W的旋转而飞散的液体。
处理液体供给单元430将处理液体供给到衬底支撑部件410上的衬底W的顶面上。处理液体供给单元430包括位于衬底支撑部件410一侧的喷嘴臂432。多个喷嘴434、436和438可以安装在喷嘴臂432的端部。喷嘴434、436和438可以沿着与喷嘴臂432的长度方向垂直的直线连续布置在喷嘴臂432的该端部。光致抗蚀剂喷嘴434安装在喷嘴臂432的该端部的中心。预湿喷嘴436和边珠去除喷嘴438可以分别安装在喷嘴臂432的该端部的两侧。在衬底支撑部件410的一侧,喷嘴臂432可以被设置成使得喷嘴434、436和438的布置方向能够穿过衬底支撑部件410上的衬底W的中心。
光致抗蚀剂喷嘴434将光致抗蚀剂供给到衬底W上。预湿喷嘴436在光致抗蚀剂被提供到衬底W上之前将有机溶剂供给到衬底W上,从而提高该光致抗蚀剂的湿度。当有机溶剂在光致抗蚀剂被提供到衬底上之前被提供到衬底上时,该光致抗蚀剂被均匀分布以在衬底上均匀地形成光致抗蚀剂层。
边珠去除喷嘴438将边珠去除液体供给到衬底W的边缘,以去除衬底W的边缘的边珠。因为光致抗蚀剂具有流动性,所以当衬底W高速旋转时,光致抗蚀剂由于离心力而被迫流到衬底W的顶面的边缘。被引到衬底W的边缘的光致抗蚀剂因为比其它部分更膨大而形成边珠。边珠例如可能在后续的工艺处理中粘附到盒上成为污染物质。因此,在施加光致抗蚀剂之后必须去除边珠。边珠去除喷嘴438供应边珠去除液体以去除边珠。
光致抗蚀剂喷嘴434通过光致抗蚀剂供给管路435-1与光致抗蚀剂供给源435-2相连。用于选择性地打开或关闭光致抗蚀剂供给管路435-1的阀435-3可以安装在光致抗蚀剂供给管路435-1上。边珠去除喷嘴438通过边珠去除液体供给管路439-1与边珠去除液体供给源439-2相连。用于选择性地打开或关闭边珠去除液体供给管路439-1的阀439-3可以安装在边珠去除供给管路439-1上。
例如,稀释剂可以用作从预湿喷嘴436供给到衬底的有机溶剂和从边珠去除喷嘴438供给到衬底的边珠去除液体。
安装有喷嘴434、436和438的喷嘴臂432可以通过驱动部件440按照喷嘴434、436和438的布置方向线性地移动。驱动部件440包括喷嘴臂支撑部件442、导引部件444和驱动单元446。喷嘴臂支撑部件442与喷嘴臂432的另一端耦合。喷嘴臂支撑部件442可以设置成移动杆的形式,该移动杆垂直地向下布置以保持与喷嘴臂432成直角。喷嘴臂支撑部件442的下端与导引部件444相连。在图4中的俯视布置结构中,导引部件444被设置在衬底支撑部件410的一侧以与喷嘴臂432的长度方向垂直。导引部件444可以设置成导轨的形式以导引喷嘴臂支撑部件442线性运动。此外,用于喷嘴臂支撑部件442的线性运动的驱动单元446与喷嘴臂支撑部件442相连。线性往复运动机构(诸如汽缸)可以用作驱动单元446。可替选地,电动机和齿轮的组合也可以用作驱动单元446。喷嘴臂支撑部件442可以在竖直方向上通过驱动部件(未示出)线性地运动。
处理液体供给单元430通过驱动部件440线性地移动,以定位到加工位置(预湿有机溶剂/光致抗蚀剂供给位置,边珠去除液体供给位置)和设置在衬底支撑部件410一侧的加工等待位置。预湿有机溶剂供给位置是预湿喷嘴436与衬底的中心部分对齐的位置。光致抗蚀剂供给位置是光致抗蚀剂喷嘴434与衬底的中心部分对齐的位置。此外,边珠去除液体供给位置是边珠去除喷嘴438与衬底的边缘对齐的位置。
下面描述根据一个实施例使用上述衬底处理装置来处理衬底的方法。
图7A至图7C是示出根据一个实施例的衬底处理装置的操作状态的视图。
首先,衬底W穿过处理腔室400的开口402a被传送到处理腔室400内并且被设置在衬底支撑部件410上。接着,与喷嘴臂432耦合的喷嘴臂支撑部件442通过导引部件444的导引而线性地移动,因此喷嘴臂432移动到衬底上的预湿有机溶剂供给位置。预湿有机溶剂供给位置是预湿喷嘴436与衬底的中心部分对齐的位置。这里,衬底的中心部分是在衬底的直径方向上延伸的虚线C1和C2的交点。喷嘴臂支撑部件442通过驱动部件(未示出)在竖直方向上移动,因此安装在喷嘴臂432上的预湿喷嘴436与衬底支撑部件410上的衬底保持预定间隙。
预湿喷嘴436将有机溶剂倾倒到衬底上,且旋转驱动部件412(见图5)转动衬底支撑部件410以转动衬底W。由于衬底W旋转而飞散的有机溶剂通过容器420的排放管426被排放到外侧(见图7A)。
当完成将有机溶剂供给到衬底W上的预湿工艺时,与喷嘴臂432耦合的喷嘴臂支撑部件442由导引部件444导引以线性地移动。由此,喷嘴臂432移动到光致抗蚀剂供给位置。光致抗蚀剂供给位置是光致抗蚀剂喷嘴434与衬底的中心部分对齐的位置。接下来,安装到喷嘴臂432上的光致抗蚀剂喷嘴434将光致抗蚀剂倾倒到衬底W上。此时,衬底W不停旋转(见图7B)。
当完成将光致抗蚀剂供给到衬底W上的光致抗蚀剂沉积工艺时,与喷嘴臂432耦合的喷嘴臂支撑部件442由导引部件444导引以线性地移动。由此,喷嘴臂432移动到衬底上的边珠去除液体供给位置。边珠去除液体供给位置是边珠去除喷嘴438与衬底的边缘对齐的位置。接下来,安装在喷嘴臂432上的边珠去除喷嘴438将边珠去除液体(有机溶剂)倾倒到衬底W的边缘。此时,衬底W不停旋转(见图7C)。
当边珠去除工艺完成时,与喷嘴臂432耦合的喷嘴臂支撑部件442由导引部件444导引以便线性地移动。由此,喷嘴臂432移动到衬底支撑部件410一侧的加工等待位置。
根据本实施例的上述衬底处理装置的特征是预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。
根据上述特征,与所述喷嘴被安装在各自的喷嘴臂上的情况相比,能够节省设备安装空间,由此使得能够更好地利用用于安装设备的空间。
此外,当预湿工艺、光致抗蚀剂供给工艺和边珠去除工艺顺序执行时,能够减少用于喷嘴选择的加工时间。
尽管本实施例仅仅将能够仅执行沉积和显影工艺的局部旋转器设备描述为具有衬底处理装置的半导体制造设备10,但是本发明并不限于此。即,本发明的衬底处理装置能够与曝光系统关联,使其能够应用于可以顺序执行沉积、曝光和显影工艺的直列式旋转器设备。
上述主题应理解为是示例性而非限制性的,且所附权利要求旨在覆盖落在本发明真正精神和范围内的所有这些修改、改进和其它实施例。由此,在法律允许的最大程度上,本发明的范围应由所附权利要求及其等同内容的最宽的可允许的解释来确定,而不能由上述详细描述来限制或限定。
Claims (14)
1.一种处理液体供给单元,包括:
光致抗蚀剂喷嘴,用于将光致抗蚀剂供给到衬底上;
光致抗蚀剂供给源;
将所述光致抗蚀剂供给源连接到所述光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路;
边珠去除喷嘴,用于将边珠去除液体供给到衬底的边缘以去除形成在所述衬底的边缘的边珠;
边珠去除液体供给源;以及
将边珠去除液体供给源连接到所述边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路,
其中,光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。
2.根据权利要求1所述的处理液体供给单元,进一步包括:
预湿喷嘴,用于将有机溶剂供给到所述衬底以提高从所述光致抗蚀剂喷嘴供给到所述衬底的光致抗蚀剂的湿度。
3.根据权利要求2所述的处理液体供给单元,其中,所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与所述喷嘴臂的长度方向垂直的直线成行地布置在所述喷嘴臂的端部。
4.根据权利要求3所述的处理液体供给单元,其中,所述光致抗蚀剂喷嘴被设置在所述喷嘴臂的第一端的中心;且
所述预湿喷嘴和边珠去除喷嘴分别被设置在所述光致抗蚀剂喷嘴的两侧。
5.根据权利要求2所述的处理液体供给单元,进一步包括:
有机溶剂供给源;以及
将所述有机溶剂供给源连接到所述预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。
6.一种衬底处理装置,包括:
衬底支撑部件,用于支撑衬底;以及
处理液体供给单元,用于执行关于所述衬底支撑部件上所支撑的衬底的光致抗蚀剂沉积工艺,
其中,所述处理液体供给单元包括:
光致抗蚀剂喷嘴,用于将光致抗蚀剂供给到所述衬底上;
光致抗蚀剂供给源;
将所述光致抗蚀剂供给源连接到所述光致抗蚀剂喷嘴的光致抗蚀剂供给管路;
边珠去除喷嘴,用于将边珠去除液体供给到所述衬底的边缘以去除形成在所述衬底的边缘的边珠;
边珠去除液体供给源;以及
将所述边珠去除液体供给源连接到所述边珠去除喷嘴的边珠去除液体供给管路,其中,所述光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴被安装在单个喷嘴臂上。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其中,所述处理液体供给单元进一步包括:
预湿喷嘴,用于将有机溶剂供给到所述衬底以提高从所述光致抗蚀剂喷嘴供给到所述衬底的光致抗蚀剂的湿度。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中,所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与所述喷嘴臂的长度方向垂直的直线成行地布置在所述喷嘴臂的端部。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中,所述光致抗蚀剂喷嘴被设置在所述喷嘴臂的第一端的中心;且
所述预湿喷嘴和边珠去除喷嘴被分别设置在所述光致抗蚀剂喷嘴的两侧。
10.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中,所述喷嘴臂被设置在所述衬底支撑部件的一侧,从而所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴的布置方向能够穿过所述衬底支撑部件上的衬底的中心。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置,进一步包括:
驱动部件,用于线性地移动喷嘴臂以将所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴移动到被设置在所述衬底支撑部件上的衬底上的加工位置,
其中,所述驱动部件包括:
支撑所述喷嘴臂的喷嘴臂支撑部件;
驱动单元,用于往复移动所述喷嘴臂支撑部件;以及
导引部件,用于导引所述喷嘴臂支撑部件线性运动。
12.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中,所述处理液体供给单元进一步包括:
有机溶剂供给源;以及
将有机溶剂供给源连接到预湿喷嘴的有机溶剂供给管路。
13.一种利用权利要求7所述的装置执行关于衬底的光致抗蚀剂沉积工艺的方法,包括:
通过移动所述喷嘴臂将预湿喷嘴定位到衬底中心上方,将有机溶剂供给到衬底中心;
通过移动所述喷嘴臂将光致抗蚀剂喷嘴定位到衬底中心上方,将光致抗蚀剂供给到衬底中心;
通过移动所述喷嘴臂将边珠去除喷嘴定位到衬底边缘上方,将边珠去除液体供给到衬底边缘;
其中,在旋转所述衬底的同时供给有机溶剂、光致抗蚀剂和边珠去除液体。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述预湿喷嘴、光致抗蚀剂喷嘴和边珠去除喷嘴沿着与喷嘴臂的长度方向垂直的直线成行地布置在喷嘴臂的端部;且
在所述各喷嘴的布置方向上移动喷嘴臂的同时,将有机溶剂和光致抗蚀剂顺序地供给到衬底中心,然后将边珠去除液体供给到衬底边缘。
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