KR101909188B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고, 기판을 회전시킬 수 있게 제공되는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 프리 웨트액을 공급하는 프리 웨트액 노즐과; 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 프리 웨트 단계;를 수행하고, 이후에, 상기 처리액을 상기 기판으로 공급하고, 도중에 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 처리액 공급 단계;를 수행하도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 감광액 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서 감광액 도포 공정은 기판의 표면에 포토 레지스트(PR: Photo-resist) 등의 감광액을 도포하는 공정이다.
또한, 반도체 제조 공정 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask) 공정이 사용된다. 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask) 공정은 기판의 중심에 캐미칼(Chemical)을 공급하여 액막을 형성하는 공정이다.
이러한 감광액 도포 공정 또는 캐미칼 공급 공정의 경우, 기판 상에서 감광액 또는 캐미칼 등의 처리액의 확산을 용이하게 하여 비교적 적은 양의 처리액으로 기판을 처리하기 위해, 처리액을 공급하기 전에 신너(Thinner) 등의 프리 웨트액을 기판 상에 공급하는 프리 웨트(Pre-Wet) 공정을 수행한다.
일반적으로 처리액 및 프리 웨트액은 회전되는 기판의 중심에 공급된다. 따라서, 그러나, 프리 웨트 공정 수행 후, 처리액이 기판 상에 공급되는 동안 기판의 가장자리 영역의 프리 웨트 액이 건조되어 도포된 처리액의 막에 찢김 현상이 발생될 수 있다. 또한, 이러한 찢김 현상을 방지하기 위해 보다 많은 양의 처리액을 공급이 요구되는 문제점이 있다.
본 발명은 기판 상에 도포된 처리액의 막의 찢김 현상을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 처리액의 사용량을 절감할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고 기판을 회전시킬 수 있게 제공되는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 프리 웨트액을 공급하는 프리 웨트액 노즐과; 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 프리 웨트 단계;를 수행하고, 이후에, 상기 처리액을 상기 기판으로 공급하고, 도중에 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 처리액 공급 단계;를 수행하도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어한다.
상기 제어기는, 상기 처리액 공급 단계에서, 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액이 상기 프리 웨트액이 공급되는 기판 상의 지점에 도달하기 전에 멈추도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어한다.
상기 제어기는, 상기 처리액 공급 단계에서 상기 처리액과 상기 프리 웨트액의 공급 시기는 서로 동일하도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액이 상기 처리액보다 먼저 기판에 공급되도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어할 수 있다.
상기 제어기는, 상기 처리액 공급 단계에서, 상기 기판 상에 상기 프리 웨트액이 공급되는 위치는 상기 기판 상에 상기 처리액이 공급되는 위치보다 상기 기판의 중심에서 더 먼 위치가 되도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어한다.
상기 프리 웨트액 노즐은, 상기 프리 웨트 단계에서, 기판으로 상기 프리 웨트액을 공급하는 제 1 프리 웨트액 노즐; 및 상기 처리액 공급 단계에서, 기판으로 상기 프리 웨트액을 공급하는 제 2 프리 웨트액 노즐을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리 웨트액 노즐 및 처리액 노즐은 제 1 노즐 아암에 설치될 수 있다.
상기 제 2 프리 웨트액 노즐은 제 2 노즐 아암에 설치되고, 상기 제 1 노즐 아암 및 상기 제 2 노즐 아암은 서로 독립적으로 이동되도록 제공될 수 있다.
상기 처리액 노즐은 복수개로 제공되고, 상기 제 2 프리 웨트액 노즐은 상기 처리액 노즐 사이에 제공될 수 있다.
상기 제 2 프리 웨트액 노즐은 상기 제 1 노즐 아암에 설치될 수 있다.
상기 처리액 노즐은 복수개로 제공되고, 상기 처리액 노즐의 일부는 상기 제 1 프리 웨트액 노즐 및 상기 제 2 프리 웨트액 노즐 사이에 제공되고, 상기 처리액 노즐의 다른 일부는 상기 제 1 프리 웨트액 노즐을 기준으로 상기 제 2 프리 웨트액 노즐이 설치된 위치와 반대 위치에 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 프리 웨트액을 기판으로 공급하는 프리 웨트 단계; 및 이 후에, 처리액을 기판으로 공급하고, 도중에 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 처리액 공급 단계;를 포함한다.
상기 처리액 공급 단계에서, 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액이 상기 프리 웨트액이 공급되는 기판 상의 지점에 도달하기 전에 멈춘다.
상기 처리액 공급 단계에서 상기 처리액과 상기 프리 웨트액의 공급 시기는 서로 동일할 수 있다.
상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액이 상기 처리액보다 먼저 기판에 공급될 수 있다.
상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액의 공급보다 먼저 완료될 수 있다.
상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액의 공급 및 상기 처리액의 공급은 동시에 완료될 수 있다.
상기 처리액 공급 단계에서, 상기 기판 상에 상기 프리 웨트액이 공급되는 위치는 상기 기판 상에 상기 처리액이 공급되는 위치보다 상기 기판의 중심에서 더 먼 위치이다.
상기 처리액 공급 단계에서, 상기 처리액은 상기 기판의 중앙 영역에 공급하고, 상기 프리 웨트액은 상기 기판의 가장자리 영역에 공급할 수 있다.
상기 프리 웨트 단계에서, 상기 프리 웨트액은 상기 기판의 상기 중앙 영역에 공급할 수 있다.
상기 처리액은 감광액으로 제공되고, 상기 프리 웨트액은 신너로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 기판 상에 도포된 처리액의 막의 찢김 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 처리액의 사용량을 절감할 수 있다.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 처리액 노즐 및 프리 웨트액 노즐을 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 각각 다른 실시 예들에 따른 처리액 노즐 및 프리 웨트액 노즐을 보여주는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 10은 도 9의 프리 웨트 단계를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 9의 처리액 공급 단계를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시 예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 반송 챔버(430), 그리고 베이크 챔버(420)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리를 수행하는 기판 처리 장치로 제공된다. 도 4는 도 1의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(850), 지지 유닛(810), 승강 유닛(880), 처리액 노즐(910), 프리 웨트액 노즐(920) 그리고 제어기(900)를 포함한다.
하우징(850)은 내부에 도포 공정이 수행되는 처리 공간을 가진다. 하우징(850)은 그 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하우징(850)은 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 회수통(860)과 안내벽(870)의 사이공간은 처리액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공한다. 회수통(860)의 저면에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 처리액을 외부로 배출한다. 배출된 처리액은 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 지면과 수직하게 연장된다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 지지 유닛(810)의 중심축을 향하는 방향으로 수평하게 연장된다.
안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862) 각각의 상단은 상하방향으로 일치되게 제공된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다.
지지 유닛(810)은 상기 하우징(850) 내에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(820) 및 구동 부재(830)를 포함한다. 지지 플레이트(820)의 상면에는 기판을 지지하는 핀 부재들(822, 824)이 결합된다. 지지핀들(822)은 기판의 저면을 지지하고, 척핀들(824)은 기판의 측면을 지지한다. 지지 플레이트(820)는 구동 부재(830)에 의해 회전 가능하다. 구동 부재(830)는 구동축(832) 및 구동기(834)를 포함한다. 구동축(834)은 지지 플레이트(820)의 저면에 결합된다. 구동기(834)는 구동축(832)에 회전력을 제공한다. 예컨대, 구동기(834)는 모터일 수 있다.
승강 유닛(880)은 하우징(850)을 상하 방향으로 승강시키며, 하우징(850)과 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 하우징(850)의 경사벽에 고정 설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(884)이 고정 결합된다.
도 5는 도 4의 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 보여주는 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 처리액 노즐(910)은 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
프리 웨트액 노즐(920)은 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상으로 프리 웨트액을 공급한다. 프리 웨트액은 신너(Thinner)로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프리 웨트액 노즐(920)은 제 1 프리 웨트액 노즐(921) 및 제 2 프리 웨트액 노즐(922)을 포함한다.
제 1 프리 웨트액 노즐(921)은 이 후 설명될 기판 처리 방법 중 프리 웨트 단계(S10)에서 기판(W)으로 프리 웨트액을 공급한다. 제 2 프리 웨트액 노즐(922)은 이 후 설명될 기판 처리 방법 중 처리액 공급 단계(S20)에서 기판(W)으로 프리 웨트액을 공급한다.
제 1 프리 웨트액 노즐(921) 및 처리액 노즐(910)은 제 1 노즐 아암(930)에 설치되고, 제 2 프리 웨트액 노즐(922)은 제 2 노즐 아암(940)에 설치될 수 있다. 제 1 노즐 아암(930) 및 제 2 노즐 아암(940)은 서로 독립적으로 이동되도록 제공된다. 처리액 노즐(910)은 복수개로 제공된다. 제 1 프리 웨트액 노즐(921)은 처리액 노즐 사이에 제공될 수 있다. 처리액 노즐(910)이 복수개로 제공된 경우, 기판(W) 상에 처리액 공급 시 복수개의 처리액 노즐(910) 중 하나로부터 처리액이 토출된다. 이와 달리, 처리액 노즐 및 프리 웨트액 노즐은 다양한 형태로 제공될 수 있다.
예를 들면, 도 6 내지 도 8은 각각 다른 실시 예들에 따른 처리액 노즐 및 프리 웨트액 노즐을 보여주는 도면들이다.
도 6을 참조하면, 도 5의 경우와 달리, 제 1 노즐 아암(1930)에는 하나의 처리액 노즐(1910)이 설치된다. 이 경우, 처리액 노즐(1910)은 제 1 노즐 아암(1930)으로부터 탈부착 가능하게 제공된다. 따라서, 제 1 노즐 아암(1930)에 부착된 처리액 노즐(1910) 외의 처리액 노즐(1910)은 처리액 노즐(1910)이 대기하고, 처리액 노즐(1910)에 대해 세정 및 정전기 제거가 수행되는 홈포트(미도시)에 대기된다. 그러므로 제 1 노즐 아암(1930)에 부착된 처리액 노즐(1910)은 필요에 따라, 홈포트에 대기 중인 처리액 노즐(1910)과 교체될 수 있다.
도 7을 참조하면, 도 5 및 도 6의 경우와 달리, 처리액 노즐(2910), 제 1 프리 웨트액 노즐(2921) 및 제 2 프리 웨트액 노즐(2922)은 제 1 노즐 아암(2930)에 설치된다. 이 경우, 복수개로 제공된 처리액 노즐(2910)의 일부는 제 1 프리 웨트액 노즐(2921) 및 제 2 프리 웨트액 노즐(2922) 사이에 제공된다. 그리고, 처리액 노즐(2910)의 다른 일부는 제 1 프리 웨트액 노즐(2921)을 기준으로 제 2 프리 웨트액 노즐(2922)이 설치된 위치와 반대 위치에 제공된다. 그 외의 기판 처리 장치의 구성, 기능 및 구조는 도 5의 경우와 동일 또는 유사하다.
도 8을 참조하면, 도 5 내지 도 7의 경우와 달리, 하나의 프리 웨트액(3920) 노즐이 제공된다. 이 경우, 처리액 노즐(3910)은 제 1 노즐 아암(3930)에 설치되고, 프리 웨트액 노즐(3920)은 제 2 노즐 아암(3940)에 설치된다. 따라서, 프리 웨트 단계(S10) 및 처리액 공급 단계(S20)에서 프리 웨트액은 하나의 프리 웨트액 노즐(3920)로부터 공급된다. 그 외의 기판 처리 장치의 구성, 기능 및 구조는 도 5의 경우와 동일 또는 유사하다.
다시 도 4를 참조하면, 제어기(900)는 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어한다. 제어기(900)가 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어하는 실시 예는 이 후, 상세히 설명한다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 반송 챔버(480), 그리고 베이크 챔버(470)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
이 하, 설명의 편의를 위해, 도 4의 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 4 및 도 9를 참조하면, 기판 처리 방법은 프리 웨트액 및 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 방법이다. 기판 처리 방법은 프리 웨트 단계(S10) 및 처리액 공급 단계(S20)를 포함한다. 예를 들면, 제어기(900)는 프리 웨트 단계(S10) 및 처리액 공급 단계(S20)를 순차적으로 수행하도록 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어한다.
도 10은 도 9의 프리 웨트 단계(S10)를 나타낸 도면이다. 도 10을 참조하면, 프리 웨트 단계(S10)에서는 프리 웨트액을 지지 유닛(810)에 놓인 기판(W)으로 공급한다. 프리 웨트액은 이 후, 기판(W)에 공급될 처리액이 기판(W)의 표면에 용이하게 확산되도록 작용한다. 예를 들면, 제어기(900)는 프리 웨트액이 회전되는 기판(W)의 중앙 영역, 바람직하게는 기판(W)의 중심에 공급되도록 제 1 노즐 아암(930)을 이동시킨다. 이 후, 제어기(900)는 프리 웨트액이 회전되는 기판(W) 상에 공급되도록 제 1 프리 웨트액 노즐(921)을 제어한다.
도 11은 도 9의 처리액 공급 단계(S20)를 나타낸 도면이다. 도 11을 참조하면, 처리액 공급 단계(S20)는 프리 웨트 단계(S10)가 완료된 후 수행된다. 처리액 공급 단계(S20)에서는 처리액을 지지 유닛(810)에 놓인 기판(W)으로 공급하고, 도중에 프리 웨트액을 지지 유닛(810)에 놓인 기판(W)으로 공급한다. 기판(W) 상에 프리 웨트액이 공급되는 위치는 기판(W) 상에 처리액이 공급되는 위치보다 기판(W)의 중심에서 더 먼 위치이다. 예를 들면, 제어기(900)는 처리액 공급 단계(S20)에서 처리액은 회전되는 기판의 중앙 영역, 바람직하게는 기판(W)의 중심에 공급하고, 상기 프리 웨트액은 회전되는 기판의 가장자리 영역에 공급하도록 제 1 노즐 아암(930), 제 2 노즐 아암(940), 처리액 노즐(910), 제 1 프리 웨트액 노즐(921) 및 제 2 프리 웨트액 노즐(922)을 제어한다.
일 실시 예에 따르면, 제어기(900)는 처리액 공급 단계(S20)에서 프리 웨트액의 공급은 처리액이 프리 웨트액이 공급되는 기판(W) 상의 지점에 도달하기 전에 멈추도록 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어한다. 이는 공급된 처리액 상으로 프리 웨트액이 공급되는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 이러한 조건을 만족하는 경우, 선택적으로, 제어기(900)는 처리액 공급 단계(S20)에서 처리액과 프리 웨트액의 공급 시기는 서로 동일하도록 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어할 수 있다. 또는 제어기(900)는 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액이 상기 처리액보다 먼저 기판에 공급되고, 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액의 공급보다 먼저 완료되도록 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어기(900)는 처리액 공급 단계(S20)에서 프리 웨트액의 공급 및 처리액의 공급은 동시에 완료되도록 처리액 노즐(910) 및 프리 웨트액 노즐(920)을 제어할 수 있다.
본발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 도 4의 기판 처리 장치를 이용해 수행된 것으로 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 도 6 내지 도 8의 처리액 노즐, 프리 웨트액 노즐, 제 1 노즐 아암 및/또는 제 2 노즐 아암이 제공된 기판 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 따라서, 각각의 경우, 제어기는 상술한 기판 처리 방법의 처리액 및 프리 웨트액을 토출하는 순서, 시간 및 위치에 따라 각 장치의 처리액 노즐, 프리 웨트액 노즐, 제 1 노즐 아암 및/또는 제 2 노즐 아암을 제어한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 본 발명의 기판 처리 장치 및 방법은 기판(W) 상에 처리액 공급 도중에 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급함으로써, 처리액 공급 도중에 기판(W) 상에서 프리 웨트액이 건조되는 것을 방지하여, 기판 상에 도포된 처리액의 막의 찢김 현상을 방지할 수 있다. 또한, 막의 찢김 현상을 방지하기 위해 많은 양의 처리액을 공급하는 것이 요구되지 않으므로, 처리액의 사용량을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서는 감광액을 도포하는 공정 및 장치에 대해 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 캐미칼(Chemical)을 공급하여 기판에 막을 형성하는 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On hard mask) 공정 등 프리 웨트를 한 후 처리액을 공급하는 모든 공정 및 장치에 적용 가능하다.
20: 카세트 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 도포 및 현상 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 700: 인터페이스 모듈
810: 지지 유닛 850: 하우징
900: 제어기 910: 처리액 노즐
920: 프리 웨트액 노즐 921: 제 1 프리 웨트액 노즐
922: 제 2 프리 웨트액 노즐

Claims (22)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하고, 기판을 회전시킬 수 있게 제공되는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 프리 웨트액을 공급하는 프리 웨트액 노즐과;
    상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 프리 웨트 단계;를 수행하고, 상기 처리액을 상기 기판으로 공급하고, 상기 프리 웨트액을 상기 기판으로 공급하는 처리액 공급 단계;를 수행하도록 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트액 노즐을 제어하되,
    상기 프리 웨트 단계에서는,
    상기 기판의 중심 영역에 상기 프리 웨트액이 공급되고,
    상기 처리액 공급 단계에서는,
    상기 기판의 중심 영역에 처리액이 공급되고, 상기 기판의 가장자리 영역에 상기 프리 웨트액이 공급되고,
    상기 프리 웨트액 노즐은,
    상기 프리 웨트 단계에서, 상기 기판으로 상기 프리 웨트 액을 공급하는 제 1 프리 웨트액 노즐; 및
    상기 처리액 공급 단계에서, 상기 기판으로 상기 프리 웨트 액을 공급하는 제 2 프리 웨트액 노즐을 포함하고,
    상기 제 1 프리 웨트액 노즐 및 상기 처리액 노즐은 제 1 노즐 아암에 설치되고,
    상기 제 2 프리 웨트액 노즐은 제 2 노즐 아암에 설치되고,
    상기 제 1 노즐 아암 및 상기 제 2 노즐 아암은 서로 독립적으로 이동되도록 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액이 상기 처리액보다 먼저 상기 기판에 공급되도록 상기 처리액 노즐 및 상기 제 2 프리 웨트액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 단계에서, 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액이 상기 프리 웨트액이 공급되는 기판 상의 지점에 도달하기 전에 멈추도록 상기 처리액 노즐 및 상기 제2프리 웨트액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 처리액 공급 단계에서, 상기 기판 상에 상기 프리 웨트액이 공급되는 위치는 상기 기판 상에 상기 처리액이 공급되는 위치보다 상기 기판의 중심에서 더 먼 위치가 되도록 상기 처리액 노즐 및 상기 제2프리 웨트액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 복수개로 제공되고,
    상기 제 1 프리 웨트액 노즐은 상기 처리액 노즐 사이에 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    프리 웨트액을 기판의 중심영역으로 공급하는 프리 웨트 단계; 및
    처리액을 기판의 중심영역으로 공급하고, 상기 프리 웨트액을 상기 기판의 가장자리 영역으로 공급하는 처리액 공급 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 단계에서, 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액이 상기 프리 웨트액이 공급되는 기판 상의 지점에 도달하기 전에 멈추는 기판 처리 방법.
  14. 삭제
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액이 상기 처리액보다 먼저 기판에 공급되는 기판 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액의 공급은 상기 처리액의 공급보다 먼저 완료되는 기판 처리 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 단계에서 상기 프리 웨트액의 공급 및 상기 처리액의 공급은 동시에 완료되는 기판 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제 12 항 내지 제 13 항 및 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액으로 제공되는 기판 처리 방법.
  22. 제 12 항 내지 제 13 항 및 제 15항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프리 웨트액은 신너로 제공되는 기판 처리 방법.
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