JP4979079B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、請求項2記載の発明は、上記処理室、冷却手段及び加熱手段を外気と区画してなり、 上記処理室と、上記冷却手段及び加熱手段を収容する熱処理室と、を被処理基板の搬入出口を介して連設すると共に、搬入出口にシャッタを開閉可能に配設し、かつ、上記処理室又は熱処理室のいずれかに、これら処理室と熱処理室間で被処理基板を受け渡しする搬送アームを配設し、 上記処理室は、空気より動粘性係数の高いガスの供給源を有するガス供給機構に接続され、上記ガスの所定濃度に維持され、 上記熱処理室に、この熱処理室内を真空状態にする真空機構と、熱処理室内を空気より動粘性係数の高いガスの雰囲気に置換するガス供給源を有するガス供給機構と、を接続し、少なくとも被処理基板を処理室から熱処理室に搬送する際、又は、被処理基板を熱処理室から処理室に搬送する際に、処理室と熱処理室のガス濃度を同じに維持するようにした、ことを特徴とする。
図5は、この発明に係る基板処理装置の第1実施形態を示す概略断面図、図6は、図5の概略縦断面図である。
図7は、この発明に係る基板処理装置の第2実施形態を示す概略断面図である。
図8は、この発明に係る基板処理装置の第3実施形態を示す概略断面図である。
図9は、この発明に係る基板処理装置の第4実施形態を示す概略断面図である。
なお、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、この発明に係る基板処理装置は、LCDガラス基板のレジスト塗布・現像処理システムにも適用可能である。
A4 メインアーム(搬送手段)
B4 第4の単位ブロック(COT層)
S2 処理ブロック
R4 搬送領域
32,32A〜32C 塗布ユニット(処理ユニット)
40 処理室
41 前処理室
42 後処理室
43a〜43d 搬入出口
44a〜44d シャッタ
45a〜45d 搬送アーム(搬送手段)
49 熱処理室
50 スピンチャック(保持手段)
52 塗布液供給ノズル
53 シンナーノズル
56,56A 冷却プレート(冷却手段)
58 加熱プレート(加熱手段)
60 ガス供給機構
61 ガス供給口
62 排出口
63 循環管路
64 ガス温度・湿度調整器
65 ガス濃度センサ
66 気液分離器
68a Heガス補充管路
68b Heガス供給源
70 制御部
71 コントローラ
72A〜72D 真空機構
72a〜72d 排気管路
73a〜73d 排気ポンプ
90 独立筐体
100 基板収容室
V1〜V5 開閉弁
Va〜Vd 切換弁
Claims (5)
- 被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、この保持手段によって保持された被処理基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、上記保持手段と塗布液供給ノズルを収容する処理室と、被処理基板に塗布液を供給する前の被処理基板を所定の温度に冷却する冷却手段と、塗布液が塗布された被処理基板を所定温度に加熱する加熱手段と、上記処理室、冷却手段及び加熱手段との間で被処理基板を搬送する搬送手段と、を具備する基板処理装置において、
上記処理室、冷却手段及び加熱手段を外気と区画してなり、
上記処理室と、上記冷却手段を収容する前処理室と、上記加熱手段を収容する後処理室と、を被処理基板の搬入出口を介して連設すると共に、搬入出口にシャッタを開閉可能に配設し、かつ、上記処理室、前処理室又は後処理室のいずれかに、これら処理室、前処理室及び後処理室間で被処理基板を受け渡しする搬送アームを配設し、
上記処理室は、空気より動粘性係数の高いガスの供給源を有するガス供給機構に接続され、上記ガスの所定濃度に維持され、
上記前処理室に、この前処理室内を真空状態にする真空機構と、前処理室内を空気より動粘性係数の高いガスの雰囲気に置換するガス供給源を有するガス供給機構と、を接続し、少なくとも被処理基板を前処理室から処理室に搬送する際に、前処理室と処理室のガス濃度を同じに維持するようにし、
上記後処理室に、この後処理室内を真空状態にする真空機構と、後処理室内を空気より動粘性係数の高いガスの雰囲気に置換するガス供給源を有するガス供給機構と、を接続し、少なくとも被処理基板を処理室から後処理室に搬送する際に、処理室と後処理室のガス濃度を同じに維持するようにした、ことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、この保持手段によって保持された被処理基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、上記保持手段と塗布液供給ノズルを収容する処理室と、被処理基板に塗布液を供給する前の被処理基板を所定の温度に冷却する冷却手段と、塗布液が塗布された被処理基板を所定温度に加熱する加熱手段と、上記処理室、冷却手段及び加熱手段との間で被処理基板を搬送する搬送手段と、を具備する基板処理装置において、
上記処理室、冷却手段及び加熱手段を外気と区画してなり、
上記処理室と、上記冷却手段及び加熱手段を収容する熱処理室と、を被処理基板の搬入出口を介して連設すると共に、搬入出口にシャッタを開閉可能に配設し、かつ、上記処理室又は熱処理室のいずれかに、これら処理室と熱処理室間で被処理基板を受け渡しする搬送アームを配設し、
上記処理室は、空気より動粘性係数の高いガスの供給源を有するガス供給機構に接続され、上記ガスの所定濃度に維持され、
上記熱処理室に、この熱処理室内を真空状態にする真空機構と、熱処理室内を空気より動粘性係数の高いガスの雰囲気に置換するガス供給源を有するガス供給機構と、を接続し、少なくとも被処理基板を処理室から熱処理室に搬送する際、又は、被処理基板を熱処理室から処理室に搬送する際に、処理室と熱処理室のガス濃度を同じに維持するようにした、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載の基板処理装置において、
上記ガスがヘリウム(He)ガスであり、所定濃度が90%以上である、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記ガス供給機構は、処理室内にガスを供給するガス供給口と、処理室内のガスを排出する排出口と、を接続する循環管路を具備し、この循環管路に、ガスの温度及び湿度を調整するガス温度・湿度調整器、ガス濃度センサ、及び上記排出口から排出されたガスを気液分離し、ガスのみを循環管路内に戻す気液分離器とを具備すると共に、上記ガス濃度センサからの検出信号に基づいて循環管路中にガスを補充するガス供給源を具備する、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1、3又は4に記載の基板処理装置において、
上記前処理室の上部に後処理室を配設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
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