KR20160117835A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판 상에 액을 도포하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판 처리 방법으로는 기판을 회전시키면서 기판에 액막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 액 공급 단계 및 상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판에 토출된 처리액을 확산시키는 액 확산 단계를 포함하되, 상기 액 확산 단계는 상기 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 1차 확산 단계 및 상기 1차 확산 단계 이후에 상기 기판을 제2확산 속도로 회전시키는 2차 확산 단계를 포함하며, 상기 제2확산 속도는 상기 제1확산 속도보다 높다. 이로 인해 제2확산 단계를 수행하여 처리액을 기판에 재도포하고, 감광막의 두께를 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판에 액을 공급하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 액을 도포하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
일반적으로 도포 공정은 기판 상에 균일한 두께를 가지는 감광막을 요구한다. 이에 따라 기판을 회전시키고, 기판의 중심 위치에 감광액을 공급한다. 기판의 중심에 공급된 감광액은 원심력에 의해 기판의 전체 영역으로 확산된다.
그러나 기판 상에 형성된 감광막은 영역 별로 상이한 두께를 가진다. 특히 감광막은 기판의 중심에서 가장자리로 갈수록 그 두께가 얇아지며, 이는 도포 공정의 불량을 야기할 수 있다.
본 발명은 기판 상에 형성되는 감광막이 영역 별 균일한 두께를 가질 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판의 가장 자리 영역까지 감광막이 충분이 공급될 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판 상에 액을 도포하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판 처리 방법으로는 기판을 회전시키면서 기판에 액막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 액 공급 단계 및 상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판에 토출된 처리액을 확산시키는 액 확산 단계를 포함하되, 상기 액 확산 단계는 상기 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 1차 확산 단계 및 상기 1차 확산 단계 이후에 상기 기판을 제2확산 속도로 회전시키는 2차 확산 단계를 포함하며, 상기 제2확산 속도는 상기 제1확산 속도보다 높다.
상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고, 상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다. 상기 액 확산 단계는 상기 1차 확산 단계와 상기 2차 확산 단계 사이에 기판을 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계를 더 포함하되, 상기 리플로우 단계에서 상기 기판의 회전 속도는 상기 제1확산 속도보다 낮을 수 있다. 상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고, 상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되며, 상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시킬 수 있다. 상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 처리액의 공급을 중지하는 중간 단계를 더 포함하되, 상기 중간 단계에는 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시킬 수 있다.
상기 액 공급 단계는 상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계 및 상기 기판을 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하되, 상기 제2공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮을 수 있다. 상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고, 상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되며, 상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다. 상기 제1확산 속도 및 상기 제2확산 속도 각각은 상기 제2공급 속도에 비해 높을 수 있다.
상기 액 공급 단계는 상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계 및 상기 기판을 상기 제1공급 속도보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하고, 상기 액 확산 단계는 상기 1차 확산 단계와 상기 2차 확산 단계 사이에는 상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 낮은 속도로 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계를 더 포함하며, 상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 처리액의 공급을 중지하며 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시키는 중간 단계를 더 포함하되, 상기 제1확산 속도 및 상기 제2확산 속도 각각은 상기 제2공급 속도에 비해 높게 제공되고, 상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되며, 상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되고, 상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되며, 상기 제3공급 속도는 0 알피엠(RPM) 내지 200 알피엠(RPM)으로 제공되고, 상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시킬 수 있다.
상기 제1공급 단계에는 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 상기 기판의 중심으로 이동시키며 상기 처리액을 공급하고, 상기 제2공급 단계에는 상기 기판의 중심에 상기 처리액을 공급할 수 있다. 상기 처리액은 감광액을 포함할 수 있다.
기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 회전되는 기판 상에 액막을 형성하기 액을 공급하는 액 공급 공정 및 기판에 토출된 액을 확산시키는 액 확산 공정을 순차적으로 진행하되, 상기 액 확산 공정에서는 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 제1확산 공정 및 기판을 상기 제1확산 속도보다 높은 제2확산 속도로 회전시키는 제2확산 공정이 순차적으로 진행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어한다.
상기 제어기는 상기 제1확산 공정 및 상기 제2확산 공정 사이에 기판을 상기 제1확산 속도보다 느린 속도로 회전시켜 액을 리플로우시키는 리플로우 공정이 수행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 액 공급 공정에서 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제1공급 공정 및 기판을 상기 제1공급 속도보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제2공급 공정이 순차적으로 진행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어할 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 아암, 상기 아암에 의해 지지되며, 처리액을 공급하는 처리액 노즐, 상기 아암에 의해 지지되며, 프리 웨트액을 공급하는 프리 웨트 노즐, 그리고 상기 아암을 이동시키는 가이드 부재를 포함하되, 상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 아암이 이동되는 방향과 평행한 방향으로 배열되고, 상기 제어기는 상기 제1공급 공정의 처리액 공급 위치가 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 기판의 중심으로 이동되는 위치로 제공되고, 상기 제2공급 공정의 처리액 공급 위치가 기판의 중심으로 제공되도록 상기 가이드 부재를 제어할 수 있다.
기판의 액 처리 방법으로는 기판을 회전시키면서 기판에 감광막을 형성하기 위한 감광액을 공급하는 액 공급 단계, 및 상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판에 토출된 감광액을 확산시키는 액 확산 단계를 포함하되, 상기 액 확산 단계는 상기 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 1차 확산 단계, 상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 낮은 속도로 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계, 그리고 상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 높은 제2확산 속도로 회전시키는 2차 확산 단계를 포함한다.
상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시킬 수 있다. 상기 액 공급 단계는 상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 감광액을 공급하는 제1공급 단계 및 상기 기판을 상기 제1공급 속도, 상기 제1확산 속도, 그리고 상기 제2확산 속도 각각보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 감광액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하고, 상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 감광액의 공급을 중지하며 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시키는 중간 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되며, 상기 제3공급 속도는 0 알피엠(RPM) 내지 200 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다. 상기 제1공급 단계에는 상기 감광액의 공급 위치를 상기 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 상기 기판의 중심으로 이동시키며 상기 감광액을 공급하고, 상기 제2공급 단계에는 상기 기판의 중심에 상기 감광액을 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 처리액을 확산 단계에는 기판을 제1확산 속도로 회전시키고, 이후에 제1확산 속도보다 높은 제2확산 속도로 회전시킨다. 제2확산 속도에 의해 처리액은 제1확산 속도일 때보다 큰 궤도로 확산되어 기판의 가장자리 영역까지 다량 공급될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1확산 단계 이후에는 리플로우 단계를 수행하여 처리액을 기판의 중심을 향하도록 이동시킨다. 이후 제2확산 단계를 수행하여 처리액을 기판에 재도포하고, 감광막의 두께를 조절할 수 있다.
도 1은 일반적인 도포 공정에 의해 형성된 감광막을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8 내지 도 14는 기판에 처리액을 도포하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 15는 도 8 내지 도 14에서 처리액을 도포하는 과정에 따라 가변되는 기판의 회전 속도를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 15를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5은 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(880)를 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 프리 웨트액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 가이드 부재(846), 아암(848), 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 가이드 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(846)을 포함한다. 가이드 레일(846)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 가이드 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 가이드 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)은 가이드 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다.
프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 처리액을 희석시키는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 프리 웨트 노즐(842)은 프리 웨트액 공급 라인으로부터 프리 웨트액을 공급받는다. 프리 웨트액 공급 라인에는 제1밸브가 설치되며, 제1밸브는 프리 웨트액 공급 라인을 개폐한다. 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인으로부터 처리액을 공급받는다. 처리액 공급 라인에는 제2밸브가 설치되며, 제2밸브는 처리액 공급 라인을 개폐한다.
프리 웨트 노즐(842)은 중앙 위치에 프리 웨트액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 편심 위치에서 중앙 위치 간에 처리액을 공급한다. 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844) 각각은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 여기서 중앙 위치는 액의 공급 위치가 기판(W)의 중심에 대응되는 위치이고, 편심 위치는 액의 공급 위치가 기판(W)의 중심으로부터 이격된 위치이다. 선택적으로 프리 웨트 노즐(842)의 토출구는 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
제어기(880)는 구동기(836), 가이드 부재(846), 제1밸브, 그리고 제2밸브를 각각 제어한다. 제어기(880)는 프리 웨트 공정, 액 공급 공정, 그리고 액 확산 공정이 순차적으로 진행되도록 가이드 부재(846), 제1밸브, 그리고 제2밸브를 제어한다. 일 예에 의하면, 액 공급 공정은 제1공급 공정 및 제2공급 공정을 포함하고, 액 확산 공정은 제1확산 공정, 리플로우 공정, 그리고 제2확산 공정을 포함할 수 있다. 또한 제어기(880)는 각 공정에 따라 기판(W)의 회전 속도가 가변되도록 구동기를 제어한다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)에 액을 도포하는 방법을 설명한다. 도 8 내지 도 14는 기판에 처리액을 도포하는 과정을 보여주는 단면도들이고, 도 15 도 8 내지 도 14에서 처리액을 도포하는 과정에 따라 가변되는 기판의 회전 속도를 보여주는 도면이다.도 8 내지 도 15를 참조하면, 기판(W)의 액 도포 방법은 크게 프리 웨트 단계, 액 공급 단계, 중간 단계, 그리고 액 확산 단계를 포함한다. 프리 웨트 단계, 액 공급 단계, 중간 단계, 그리고 액 확산 단계는 순차적으로 수행된다.
프리 웨트 단계에는 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급한다. 프리 웨트 단계가 진행되면, 기판(W)은 회전되고, 프리 웨트 노즐(842)은 중심 위치에 프리 웨트액이 공급되도록 이동된다. 프리 웨트 노즐(842)은 기판(W)의 중심과 대향되게 위치될 수 있다. 프리 웨트 노즐(842)은 기판(W)의 중심으로 프리 웨트액을 토출하여 기판(W)의 상면을 젖음 상태로 전환시킨다. 예컨대, 프리 웨트 단계에서 기판(W)의 회전 속도는 액 공급 단계보다 낮게 제공될 수 있다.
액 공급 단계에는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 단계는 제1공급 단계, 제2공급 단계, 그리고 제3공급 단계를 포함한다. 제1공급 단계, 제2공급 단계, 제3공급 단계는 순차적으로 진행된다. 제1공급 단계 및 제2공급 단계는 서로 간에 액의 공급 위치가 상이하게 제공된다. 또한 제1공급 단계, 제2공급 단계, 제3공급 단계는 서로 간에 기판(W)의 회전 속도가 상이하게 제공된다. 제1공급 단계가 진행되면, 처리 노즐(844)은 처리액의 공급 위치가 편심 위치에서 중심 위치로 변경되도록 처리액을 토출하는 중에 이동된다. 기판(W)은 제1공급 속도로 회전된다. 처리 노즐(844)은 프리 웨트 단계에서 기판(W)의 편심 위치에 대향되게 위치되었으므로, 처리액을 편심 위치에 토출하기 위한 처리 노즐(844)의 이동은 불필요하다. 그러나 처리액이 토출되는 편심 위치는 기판(W)의 사이즈, 토출 유량, 그리고 주변 환경에 따라 변경가능하다. 따라서 제1공급 단계가 진행되면, 처리 노즐(844)은 처리액을 편심 위치로 토출하기 위해 이동될 수 있다. 처리액의 공급 위치가 편심 위치에서 중심 위치에 도달하면, 제2공급 단계가 진행된다.
제2공급 단계에는 처리 노즐(844)의 공급 위치가 중심 위치로 제공되며, 기판(W)은 제1공급 속도에서 제2공급 속도로 회전된다. 제2공급 단계가 완료되면, 제3공급 단계가 진행된다. 제3공급 단계에는 기판(W)의 회전 속도가 제3공급 속도로 회전된다. 일 예에 의하면, 제2공급 속도는 제1공급 속도보다 낮게 제공되며, 제3공급 속도는 제2공급 속도보다 낮게 제공될 수 있다. 제1공급 단계에서 제2공급 단계로 넘어가는 과정 및 제2공급 단계에서 제3공급 단계로 넘어가는 과정 각각에는 처리액이 계속적으로 토출될 수 있다. 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되고, 제3공급 속도는 0 알피엠(RPM) 내지 200 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다.
제3공급 단계가 완료되면, 중간 단계가 진행된다. 중간 단계는 액 공급 단계에서 액 확산 단계로 넘어가기 위한 대기 단계로 제공된다. 중간 단계가 진행되면, 처리 노즐(844)은 처리액의 토출을 중지하고, 기판(W)의 회전 속도를 제3공급 속도로 유지한다.
액 확산 단계는 기판(W) 상에 토출된 처리액을 확산시킨다. 액 확산 단계에는 처리액막의 영역 별 두께가 서로 균일하도록 조절한다. 또한 액 확산 단계에는 처리액막의 전체 두께를 조절한다. 액 확산 단계는 제1확산 단계, 리플로우 단계, 그리고 제2확산 단계를 포함한다. 제1확산 단계, 리플로우 단계, 그리고 제2확산 단계는 순차적으로 진행된다. 제1확산 단계가 진행되면, 기판(W)을 제1확산 속도로 회전시킨다. 일 예에 의하면, 제1확산 속도는 제2공급 속도에 비해 높게 제공된다. 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다. 이에 따라 처리액은 제2공급 단계에서 보다 큰 궤도로 확산되어 기판(W)의 가장자리 영역까지 확산된다.
제1확산 단계가 완료되면, 리플로우 단계가 진행된다. 리플로우 단계에는 기판(W)을 제1확산 속도보다 낮은 속도로 회전시킨다. 일 예에 의하면, 리플로우 단계에는 기판(W)을 제2공급 속도에 비해 낮게 회전시킬 수 있다. 리플로우 단계에는 기판(W)을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시킬 수 있다. 이에 따라 처리액의 이동 방향은 기판(W)의 중심을 향하도록 제공될 수 있다.
리플로우 단계가 완료되면, 제2확산 단계가 진행된다. 제2확산 단계에는 기판(W)을 제2확산 속도로 회전시킨다. 일 예에 의하면, 제2확산 속도는 제1확산 속도에 비해 높게 제공된다. 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공될 수 있다. 이에 따라 처리액은 제1확산 단계에서 보다 큰 궤도로 확산되고, 기판(W)의 가장자리 영역까지 재도포될 수 있다.
본 실시예에는 액 확산 단계가 제1확산 단계, 리플로우 단계, 그리고 제2확산 단계를 포함하며 처리액을 2 회 확산시키는 것으로 설명하였다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 처리액을 3회 이상 확산시킬 수 있다. 이 경우 확산 단계들 사이에는 리플로우 단계가 제공될 수 있다. 예컨대, 확산 단계는 N(N은 2 이상의 자연수) 회로 제공되고, 리플로우 단계는 (N-1)회로 제공될 수 있다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.
웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 기판(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.
스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.
이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다.
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 기판(W)을 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.
836: 구동기 842: 프리 웨트 노즐
844: 처리 노즐 880: 제어기

Claims (20)

  1. 기판을 회전시키면서 기판에 액막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 액 공급 단계와;
    상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판에 토출된 처리액을 확산시키는 액 확산 단계를 포함하되,
    상기 액 확산 단계는,
    상기 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 1차 확산 단계와;
    상기 1차 확산 단계 이후에 상기 기판을 제2확산 속도로 회전시키는 2차 확산 단계를 포함하며,
    상기 제2확산 속도는 상기 제1확산 속도보다 높은 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되는 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액 확산 단계는,
    상기 1차 확산 단계와 상기 2차 확산 단계 사이에 기판을 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계를 더 포함하되,
    상기 리플로우 단계에서 상기 기판의 회전 속도는 상기 제1확산 속도보다 낮은 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시키는 기판 처리 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 처리액의 공급을 중지하는 중간 단계를 더 포함하되,
    상기 중간 단계에는 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시키는 기판 처리 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액 공급 단계는,
    상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계와;
    상기 기판을 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하되,
    상기 제2공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮은 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1확산 속도 및 상기 제2확산 속도 각각은 상기 제2공급 속도에 비해 높은 기판 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 액 공급 단계는,
    상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계와;
    상기 기판을 상기 제1공급 속도보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하고,
    상기 액 확산 단계는,
    상기 1차 확산 단계와 상기 2차 확산 단계 사이에는 상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 낮은 속도로 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계를 더 포함하며,
    상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 처리액의 공급을 중지하며 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시키는 중간 단계를 더 포함하되,
    상기 제1확산 속도 및 상기 제2확산 속도 각각은 상기 제2공급 속도에 비해 높게 제공되고,
    상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 제3공급 속도는 0 알피엠(RPM) 내지 200 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시키는 기판 처리 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1공급 단계에는 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 상기 기판의 중심으로 이동시키며 상기 처리액을 공급하고,
    상기 제2공급 단계에는 상기 기판의 중심에 상기 처리액을 공급하는 기판 처리 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
    상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재와;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 회전되는 기판 상에 액막을 형성하기 액을 공급하는 액 공급 공정 및 기판에 토출된 액을 확산시키는 액 확산 공정을 순차적으로 진행하되, 상기 액 확산 공정에서는 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 제1확산 공정 및 기판을 상기 제1확산 속도보다 높은 제2확산 속도로 회전시키는 제2확산 공정이 순차적으로 진행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제1확산 공정 및 상기 제2확산 공정 사이에 기판을 상기 제1확산 속도보다 느린 속도로 회전시켜 액을 리플로우시키는 리플로우 공정이 수행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 액 공급 공정에서 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제1공급 공정 및 기판을 상기 제1공급 속도보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제2공급 공정이 순차적으로 진행되도록 상기 회전 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    아암과;
    상기 아암에 의해 지지되며, 처리액을 공급하는 처리액 노즐과;
    상기 아암에 의해 지지되며, 프리 웨트액을 공급하는 프리 웨트 노즐과;
    상기 아암을 이동시키는 가이드 부재를 포함하되,
    상기 처리액 노즐 및 상기 프리 웨트 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 아암이 이동되는 방향과 평행한 방향으로 배열되고,
    상기 제어기는 상기 제1공급 공정의 처리액 공급 위치가 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 기판의 중심으로 이동되는 위치로 제공되고, 상기 제2공급 공정의 처리액 공급 위치가 기판의 중심으로 제공되도록 상기 가이드 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 기판을 회전시키면서 기판에 감광막을 형성하기 위한 감광액을 공급하는 액 공급 단계와;
    상기 액 공급 단계 이후에, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판에 토출된 감광액을 확산시키는 액 확산 단계를 포함하되,
    상기 액 확산 단계는,
    상기 기판을 제1확산 속도로 회전시키는 1차 확산 단계와;
    상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 낮은 속도로 회전시켜 상기 처리액을 리플로우시키는 리플로우 단계와;
    상기 기판을 상기 제1확산 속도보다 높은 제2확산 속도로 회전시키는 2차 확산 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1확산 속도는 500 알피엠(RPM) 내지 2000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 제2확산 속도는 900 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)으로 제공되고,
    상기 리플로우 단계에는 상기 기판을 0 알피엠(RPM) 내지 500 알피엠(RPM)으로 회전시키는 기판 처리 방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 액 공급 단계는,
    상기 기판을 제1공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 감광액을 공급하는 제1공급 단계와;
    상기 기판을 상기 제1공급 속도, 상기 제1확산 속도, 그리고 상기 제2확산 속도 각각보다 낮은 제2공급 속도로 회전시키면서 상기 기판에 상기 감광액을 공급하는 제2공급 단계를 포함하고,
    상기 액 공급 단계와 상기 액 확산 단계 사이에는 상기 감광액의 공급을 중지하며 상기 기판을 상기 제2공급 속도보다 낮은 제3공급 속도로 회전시키는 중간 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2공급 속도는 50 알피엠(RPM) 내지 1000 알피엠(RPM)으로 제공되며,
    상기 제3공급 속도는 0 알피엠(RPM) 내지 200 알피엠(RPM)으로 제공되는 기판 처리 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1공급 단계에는 상기 감광액의 공급 위치를 상기 기판의 중심으로부터 이격된 편심 위치에서 상기 기판의 중심으로 이동시키며 상기 감광액을 공급하고,
    상기 제2공급 단계에는 상기 기판의 중심에 상기 감광액을 공급하는 기판 처리 방법.










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