KR20080048405A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

Abstract

피처리 기판에 처리액을 도포하여 막 형성할 때에, 포토리소그래피 공정에 있어서의 생산성을 향상시키는 동시에, 풋프린트 및 코스트의 증대를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.

기판(G)을 반송로(45) 상에서 위를 향한 자세로 하여 반송하는 반송 수단과, 반송로(45)의 도중에 반송 방향을 따라 순서대로 설치되고, 기판(G)에 대하여 처리액(R)의 도포 처리를 행하기 위한 제1 처리 스테이지(102) 및 제2 처리 스테이지(103)와, 상기 반송 수단에 의해 각 처리 스테이지 상을 이동하는 기판(G)에 대하여 처리액(R)을 도포하는 제1 노즐(104) 및 제2 노즐(111)과, 상기 반송 수단 및 상기 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 순차 반송되는 복수의 기판(G)을 제1 처리 스테이지(102)와 제2 처리 스테이지(103)에 교대로 할당하여, 제1 노즐(104) 및 제2 노즐(111)에 의해 각각 대응하는 기판(G)에의 도포 처리를 실행시킨다.

제어 수단, 반송 수단, 노즐, 기판, 처리 스테이지

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은, 포토리소그래피 공정에 있어서 피처리 기판에 소정의 막을 성막하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.

예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조에 있어서는, 피처리 기판인 LCD 기판에 소정의 막을 성막한 후, 처리액인 포토레지스트(이하, 레지스트라고 부름)를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상 처리하는, 소위 포토리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성한다.

종래, 이러한 처리에 있어서는, 각 처리를 행하는 처리 유닛이, 반송로의 양측에 처리순을 의식한 형태로 배치되어 있다. 그리고, 각 처리 유닛으로의 LCD 기판의 반출입은, 반송로를 주행 가능한 중앙 반송 장치에 의해 행해지고 있다. 이러한 처리 시스템은, 기본적으로 랜덤 액세스이기 때문에 처리의 자유도가 매우 높다.

이러한 처리 시스템에서，LCD 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 방법으로서, 레지스트액을 띠 모양으로 도포하는 레지스트 공급 노즐과 LCD 기판을, 노즐 토출구의 길이 방향과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시켜 도포하는 방법이 있다.

이 방법을 이용한 종래의 레지스트 도포 장치에 대하여, 도9를 이용하여 간단히 설명한다. 도9에 도시하는 레지스트 도포 장치는, 기판(G)을 적재하는 스테이지(200)와, 이 스테이지(200)의 상방에 배치되는 레지스트 공급 노즐(201)과, 이 노즐(201)을 이동시키는 노즐 이동 수단(202)을 구비하고 있다.

레지스트 공급 노즐(201)에는, 기판의 폭 방향으로 연장되는 미소한 간극을 갖는 슬릿 모양 토출구(201a)가 형성되고, 레지스트 액체 공급원(203)으로부터 공급된 레지스트액(R)을 토출구로부터 토출하도록 이루어져 있다. 또한, 노즐 길이 방향의 양측에는, 흡인 펌프(204, 205)가 설치되고, 슬릿 모양의 토출구(201a)로부터 균일하게 레지스트액(R)을 토출하기 위해, 토출압이 제어되도록 구성되어 있다.

또한, 슬릿 모양의 토출구(201a)는, 미소한 간극에 의해 형성되어 있기 때문에, 대기 중에서 노즐 선단의 메인터넌스 처리를 실시하지 않으면, 레지스트액의 건조 등에 의해 눈 막힘이 생겨, 토출구(201a)로부터 균일하게 레지스트액(R)을 토출할 수 없을 우려가 있다. 이로 인해, 스테이지(200)에 인접하고, 노즐(201)의 대기 시에, 노즐 선단에 부착된 레지스트액(R)을 균일화하기(프라이밍 처리라고 함) 위한 회전 가능한 프라이밍 롤러(206)를 구비한 대기부(207)가 설치되어 있다.

이 구성에서, 노즐(201)을 노즐 이동 수단(202)에 의해 수평 이동시키면서, 슬릿 모양 토출구로부터 레지스트액(R)을 기판의 표면 전체에 띠 모양으로 토출함 으로써, 레지스트액의 도포 처리가 이루어진다.

이 구성을 이용한 방법에 의하면, 기판 일변으로부터 타변에 걸쳐 레지스트액을 띠 모양으로 토출(공급)하기 때문에, 레지스트액을 낭비하지 않고, 각형의 기판의 전체면에 레지스트막을 형성할 수 있다.

또한, 이러한 레지스트액 등의 도포막 형성 방법을 채용한 도포막 형성 장치에 관해서는 특허 문헌1에 개시되어 있다.

<특허 문헌1> 일본 특개평10-156255호 공보

그런데, 상기한 바와 같이, 노즐(201)의 대기 시에 있어서는, 노즐(201)은, 대기부(207)에 있어서 프라이밍 롤러(206)에 의한 프라이밍 처리를 받는다(도11의 타이밍도 참조). 그리고, 기판(G)에의 도포 처리 개시 시에, 도10의 화살표로 도시한 바와 같이 도포 처리를 위한 수평 이동(M1)을 행하고, 도포 처리 후에는, 수직 상승 이동(M2), 대기부 상방으로의 수평 이동(M3), 프라이밍 롤러(206)로의 수직 하강 이동(M4)에 의해, 다시 대기 상태로 된다.

또한, 이 예에서는, 대기부(206)로부터의 이동 개시 후, 즉각 도포 처리를 실시하는 구성을 나타냈지만, 화살표(M4)부터 화살표(M1)까지 반대 방향으로 노즐을 이동시켜 도포 처리를 실시하는 구성도 있을 수 있다.

그러나, 이러한 구성에 의해 연속적으로 복수의 기판(G)을 처리하는 경우, 도10에 화살표(M1)로 나타내는 도포 처리시 이외의 노즐 이동 동작(M2, M3, M4)에 크게 시간을 필요로 하기 때문에(도11의 부호 t1 기간), 도11에 도시한 바와 같이 도포 처리 종료 후부터 다음 기판(G)의 도포 처리 개시까지의 기간(T1)이 커진다.

그 결과, 도포 처리 전에 복수의 기판이 체류되어, 포토리소그래피 공정에 있어서의 생산성이 크게 저하된다는 과제가 있었다.

또한, 생산성 향상을 위해, 도9에 도시한 장치의 수를 증가시키면, 설비 코스트, 풋프린트가 증가하는 과제가 있었다.

본 발명은, 상기한 바와 같은 사정 하에 이루어진 것이며, 피처리 기판에 처리액을 도포하여 막 형성할 때에, 포토 리소그래피 공정에 있어서의 생산성을 향상시키는 동시에, 풋프린트 및 코스트의 증대를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

전기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하여, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송로의 도중에 반송 방향을 따라 순서대로 설치되고, 상기 기판에 대하여 상기 처리액의 도포 처리를 행하기 위한 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지와, 상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지에 각각 대응하여 설치되고, 상기 반송 수단에 의해 상기 각 처리 스테이지 상을 이동하는 기판에 대하여 상기 처리액을 도포하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 반송 수단 및 상기 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상 기 반송 수단에 의해 순차 반송되는 복수의 기판을 상기 제1 처리 스테이지와 상기 제2 처리 스테이지에 교대로 할당하여, 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 각각 대응하는 기판으로의 도포 처리를 실행시키는 것을 특징으로 한다.

혹은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하여, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송로의 도중에 설치되고, 상기 기판에 대하여 상기 처리액의 도포 처리를 행하기 위한 처리 스테이지와, 상기 반송 수단에 의해 상기 처리 스테이지 상을 이동하는 기판에 대하여 상기 처리액을 도포하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 반송 수단 및 상기 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 반송 수단에 의해 상기 처리 스테이지 상을 순차 반송되는 기판에의 도포 처리를, 상기 제1 노즐과 제2 노즐에 교대로 실시시키는 것을 특징으로 한다.

이렇게 구성함으로써, 순차 연속하여 반송되는 기판을 도포 처리 전에 체류시키지 않고 연속적으로 도포 처리할 수 있기 때문에, 도포 처리의 스루풋이 상승하여, 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 처리 스테이지의 반송 방향에 있어서의 길이 치수는, 피처리 기판의 반송 방향의 길이 치수보다도 짧게 형성되어 있는 것이 바람직하다.

즉, 반송되어 있는 기판에 대하여 노즐로부터 처리액을 토출하기 위해, 도포 처리 시에는 노즐 위치를 고정하는 구성으로 할 수 있다. 따라서, 기판에의 처리액의 착액 시에 필요해지는 고정밀도 스테이지(처리 스테이지)의 면적을 작게 할 수 있어, 풋 프린트 축소 및 저비용화를 도모할 수 있다.

또한, 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 토출구에 대하여 메인터넌스 처리를 실시하는 노즐 대기부와, 상기 노즐 대기부와 상기 기판에의 도포 처리 위치 사이에 있어서 상기 제1 노즐 및 제2 노즐을 각각 이동시키는 노즐 이동 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 제1 노즐과 제2 노즐 중, 한 쪽의 노즐을 이용한 도포 처리를 행할 때, 상기 노즐 이동 수단에 의해 도포 처리에 이용하는 노즐을 상기 도포 처리 위치로 이동시키는 동시에, 도포 처리를 행하지 않는 다른 쪽의 노즐을 상기 노즐 대기부로 이동시키는 것이 바람직하다.

또한, 상기 노즐 대기부는, 상기 제1 노즐에 대응하는 제1 노즐 대기부와, 상기 제2 노즐에 대응하는 제2 노즐 대기부로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 노즐 이동 수단에 의해 이동 제어가 이루어지는 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 이동 경로는 각각, 상기 노즐 대기부와 상기 도포 처리 위치를 연결하는 직선 모양으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1 노즐의 도포 처리 위치와 상기 제2 노즐의 도포 처리 위치는 동일 위치이며, 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 직선 모양의 이동에 의해 그려지는 궤적은 전체적으로 V자형인 것이 바람직하다.

이렇게 구성함으로써, 순차 연속하여 반송되는 기판을 도포 처리 전에 체류시키지 않고 연속적으로 도포 처리할 수 있으며, 또한 노즐 이동 시간을 단축시킬 수 있기 때문에, 노즐 토출구의 메인터넌스 처리도 충분히 행할 수 있다.

또한，상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 피 처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 방법이며, 상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 스텝과, 상기 반송로의 도중에 반송 방향을 따라 순서대로 설치된 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지 상을 이동하는 피처리 기판에 대하여, 상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지에 각각 대응하는 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 상기 처리액을 도포하는 스텝을 실행하고, 상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지 상에서 처리액을 도포하는 스텝에서, 상기 반송로 상을 순차 반송되는 복수의 기판을 상기 제1 처리 스테이지와 상기 제2 처리 스테이지에 교대로 할당하여, 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 각각 대응하는 기판에의 도포 처리를 실행시키는 것을 특징으로 한다.

혹은, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 방법이며, 상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 스텝과, 상기 반송로 상에 설치된 처리 스테이지 상을 순차 반송되는 기판에의 도포 처리를, 제1 노즐과 제2 노즐에 교대로 실시시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 한다.

이러한 방법에 의하면, 순차 연속하여 반송되는 기판을 도포 처리 전에 체류시키지 않고 연속적으로 도포 처리할 수 있기 때문에, 도포 처리의 스루풋이 상승되어, 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 처리 스테이지 상에서 상기 피처리 기판에의 도포 처리를 실시시키는 스텝에서, 상기 제1 노즐과 제2 노즐 중, 한 쪽의 노즐을 이용한 도포 처리를 행할 때, 도포 처리에 이용하는 노즐을 도포 처리 위치로 이동시키는 동시에, 도포 처리를 행하지 않는 다른 쪽의 노즐을 노즐 대기부로 이동시키는 것이 바람직하다.

이렇게 함으로써, 순차 연속하여 반송되는 기판을 도포 처리 전에 체류시키지 않고 연속적으로 도포 처리할 수 있으며, 또한 노즐 이동 시간을 단축시킬 수 있기 때문에, 노즐 토출구의 메인터넌스 처리도 충분히 행할 수 있다.

본 발명에 따르면, 피처리 기판에 처리액을 도포하여 막 형성할 때에, 포토리소그래피 공정에 있어서의 생산성을 향상시키는 동시에, 풋프린트 및 코스트의 증대를 억제시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 실시 형태에 대하여, 도면에 기초하여 설명한다. 도1은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 도포 현상 처리 시스템의 평면도이다.

이 도포 현상 처리 시스템(10)은, 클린룸 내에 설치되고, 예를 들어 LCD용의 글래스 기판을 피처리 기판으로 하여 LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이킹, 현상 및 포스트 베이킹 등의 일련의 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는, 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(12)에서 행해진다.

도포 현상 처리 시스템(10)은, 중심부에 가로로 긴 프로세스 스테이션(P/S)(16)을 배치하고, 그 길이 방향(X 방향) 양단부에 카세트 스테이 션(C/S)(14)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)을 배치하고 있다.

카세트 스테이션(C/S)(14)은, 기판(G)을 다단으로 겹쳐 쌓도록 하여 복수매 수용한 카세트(C)를 반출입하는 포트이며, 수평한 일 방향(Y 방향)으로 4개까지 배열하여 적재 가능한 카세트 스테이지(20)와, 이 스테이지(20) 상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)의 출납을 행하는 반송 기구(22)를 구비하고 있다. 반송 기구(22)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를 들어 반송 아암(22a)을 갖고，X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하여, 인접하는 프로세스 스테이션(P/S)(16)측과 기판(G)의 교환을 행할 수 있게 되어 있다.

프로세스 스테이션(P/S)(16)은, 수평한 시스템 길이 방향(X 방향)으로 연장하는 평행 또한 역방향의 한 쌍의 라인(A, B)에 각 처리부를 프로세스 플로우 또는 공정의 순서대로 배치하고 있다.

보다 상세하게는, 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측을 향하는 상류부의 프로세스 라인(A)에는, 세정 프로세스부(24), 제1 열적 처리부(26), 도포 프로세스부(28) 및 제2 열적 처리부(30)를 일렬로 배치하고 있다. 여기서, 세정 프로세스부(24)는, 제1 평류 반송로(32)를 따라 상류측부터 순서대로 엑시머(UV) 조사 유닛(e-UV)(34) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)을 설치하고 있다. 제1 열적 처리부(26)는, 제1 평류 반송로(32)를 따라 상류측부터 순서대로 어드히전 유닛(AD)(40) 및 냉각 유닛(COL)(42)이 설치되어 있다.

도포 프로세스부(28)는, 제2 평류 반송로(45)를 따라, 상류측부터 순서대로, 본 발명이 적용되는 레지스트 도포 유닛(CT)(44) 및 감압 건조 유닛(VD)(46)이 설 치되어 있다.

또한, 제2 열적 처리부(30)는, 제3 평류 반송로(48)를 따라 상류측부터 순서대로 프리베이킹(PREBAKE)(50) 및 냉각 유닛(COL)(52)이 설치되어 있다.

한편，인터페이스 스테이션(I/F)(18)측으로부터 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로 향하는 하류부의 프로세스 라인(B)에는, 현상 유닛(DEV)(54), i선 UV 조사 유닛(i-UV)(56), 포스트 베이킹 유닛(POBAKE)(58), 냉각 유닛(COL)(60) 및 검사 유닛(AP)(62)을 일렬로 배치하고 있다. 이들 유닛(54, 56, 58, 60, 62)은 제4 평류 반송로(64)를 따라 상류측부터 이 순서로 설치되어 있다.

또한，포스트 베이킹 유닛(POBAKE)(58) 및 냉각 유닛(COL)(60)은 제3 열적 처리부(59)를 구성한다.

양 프로세스 라인(A, B) 사이에는 보조 반송 공간(66)이 마련되어 있고, 기판(G)을 1매단위로 수평하게 적재 가능한 셔틀(68)이 도시하지 않은 구동 기구에 의해 프로세스 라인 방향(X 방향)에서 쌍방향으로 이동할 수 있게 되어 있다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)은, 상기 제2 및 제3 평류 반송로(48, 64)와 기판(G)의 교환을 행하기 위한 반송 장치(70)와, 인접하는 노광 장치(12)와 기판(G)의 교환을 행하기 위한 반송 장치(72)를 갖고, 그들 주위에 버퍼 스테이지(BUF)(74), 익스텐션 쿨링 스테이지(EXT·COL)(76) 및 주변 장치(78)를 배치하고 있다.

버퍼 스테이지(BUF)(74)에는 정치형의 버퍼 카세트(도시하지 않음)가 놓인다. 익스텐션 쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)는, 냉각 기능을 갖춘 기판 교환용의 스테이지이며, 양 반송 장치(70, 72) 사이에서 기판(G)을 교환할 때에 이용된다. 주변 장치(78)는, 예를 들어 타이틀러(TITLER)와 주변 노광 장치(EE)를 상하로 겹쳐 쌓은 구성이면 된다. 각 반송 장치(70, 72)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 반송 아암(70a, 72a)을 갖고, 기판(G)의 교환을 위해 인접하는 각 부에 액세스할 수 있게 되어 있다.

도2에, 이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서의 1매의 기판(G)에 대한 처리의 수순을 도시한다. 우선, 카세트 스테이션(C/S)(14)에 있어서, 반송 기구(22)가, 스테이지(20) 상의 어느 1개의 카세트(C)로부터 기판(G)을 1매 취출하고, 그 취출한 기판(G)을 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인(A)측의 반입부, 즉 제1 평류 반송로(32)의 시점에 위를 향한 자세로(기판의 피처리면을 위로 하여) 반입한다(도2의 스텝 S1).

이렇게 해서, 기판(G)은, 제1 평류 반송로(32) 상을 위를 향한 자세로 프로세스 라인(A)의 하류측을 향하여 반송된다. 처음 단계인 세정 프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(34) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에 의해 자외선 세정 처리 및 스크러빙 세정 처리를 순차 실시된다(스텝 S2, S3).

스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에서는, 평류 반송로(32) 상을 이동하는 기판(G)에 대하여, 브러싱 세정이나 블로 세정을 실시함으로써 기판 표면으로부터 입자 모양의 오물(이물질)을 제거하고, 그 후에 린스 처리를 실시하여, 마지막으로 에어 나이프 등을 이용하여 기판(G)을 건조시킨다.

스크러버 세정 유닛(SCR)(36)에 있어서의 일련의 세정 처리를 끝내면, 기판(G)은 그대로 제1 평류 반송로(32)를 내려 제1 열적 처리부(26)를 통과한다.

제1 열적 처리부(26)에 있어서, 기판(G)은 어드히전 유닛(AD)(40)으로 반입되면 우선 가열의 탈수 베이킹 처리를 받아, 수분을 제거한다. 다음에 기판(G)은, 증기 모양의 HMDS를 이용하는 어드히전 처리를 실시하여, 피처리면을 소수화한다(스텝 S4). 이 어드히전 처리의 종료 후에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(42)에서 소정의 기판 온도까지 냉각시킨다(스텝 S5). 이 후, 기판(G)은 제1 평류 반송로(32)의 종점(반출부)으로부터 도포 프로세스부(28) 내의 평류 반송로(45)로 전달된다.

도포 프로세스부(28)에서는, 최초로 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 있어서, 반송로(45) 상을 수평 방향으로 흐르는 기판(G)은 기판 상면(피처리면)에 대하여 레지스트액이 도포되어, 레지스트막의 형성 처리가 이루어진다.

또한, 이 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 있어서, 본 발명을 적합하게 이용할 수 있기 때문에, 그 구성 및 작용 효과에 대해서는 상세하게 후술한다.

또한, 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 있어서 레지스트막이 형성된 기판(G)은, 직후에 하류측 이웃한 감압 건조 유닛(VD)(46)에서 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S6).

이 후, 기판(G)은, 도포 프로세스부(28)의 평류 반송부(45)로부터 제3 평류 반송로(48)의 시점(반입부)에 전송된다. 기판(G)은, 제3 평류 반송로(48) 상에서도 위를 향한 자세로 프로세스 라인(A)의 하류측으로 반송되어, 제2 열적 처리부(30)를 통과한다.

제2 열적 처리부(30)에 있어서, 기판(G)은, 최초로 프리 베이킹(PREBAKE)(50)에서 레지스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리 베이킹을 받는다(스텝 S7). 이 프리 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막 내에 잔류하고 있었던 용제가 증발 제거되어, 기판에 대한 레지스트막의 밀착성도 강화된다.

다음에 기판(G)은, 냉각 유닛(COL)(52)에서 소정의 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S8). 그러한 후, 기판(G)은, 제3 평류 반송로(48)의 종점(반출부)으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)의 반송 장치(70)에 인수된다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은, 익스텐션 쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)로부터 주변 장치(78)의 주변 노광 장치(EE)로 반입되어, 거기에서 기판(G)의 주변부에 부착되는 레지스트를 현상 시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 이웃한 노광 장치(12)로 보내어진다(스텝 S9).

노광 장치(12)에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고, 패턴 노광을 끝낸 기판(G)은, 노광 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)으로 복귀되면, 우선 주변 장치(78)의 타이틀러(TITLER)로 반입되어, 거기에서 기판 상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기록된다(스텝 S10).

그러한 후, 기판(G)은 익스텐션 쿨링 스테이지(EXT·COL)(76)로 복귀된다. 인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서의 기판(G)의 반송 및 노광 장치(12)의 기판(G)의 교환은 반송 장치(70, 72)에 의해 행해진다. 마지막으로, 기판(G)은, 반송 장치(70)로부터 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인(B)측에 부설되어 있는 제4 평류 반송로(64)의 시점(반입부)에 반입된다.

이렇게 해서, 기판(G)은, 이번은 제4 평류 반송로(64) 상을 위를 향한 자세로 프로세스 라인(B)의 하류측을 향하여 반송된다. 최초의 현상 유닛(DEV)(54)에 있어서, 기판(G)은, 평류에서 반송되는 동안에 현상, 린스, 건조의 일련의 현상 처리를 실시한다(스텝 S11).

현상 유닛(DEV)(54)에서 일련의 현상 처리를 끝낸 기판(G)은, 그대로 제4 평류 반송로(64)에 실린 채 하류측 이웃한 i선 조사 유닛(i-UV)(56)을 통하여, 거기에서 i선 조사에 의한 탈색 처리를 받는다(스텝 S12). 그 후도, 기판(G)은 제4 평류 반송로(64)에 실린 채 제3 열적 처리부(59) 및 검사 유닛(AP)(62)을 순차 통과한다.

제3 열적 처리부(59)에 있어서, 기판(G)은, 최초로 포스트 베이킹 유닛(POBAKE)(58)에서 현상 처리 후의 열처리로서 포스트 베이킹을 받는다(스텝 S13). 이 포스트 베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류하고 있었던 현상액이나 세정액이 증발 제거되어, 기판에 대한 레지스트 패턴의 밀착성도 강화된다.

다음에 기판(G)은, 냉각 유닛(COL)(60)에서 소정의 기판 온도로 냉각된다(스텝 S14). 검사 유닛(AP)(62)에서는, 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대하여 비접촉의 선폭 검사나 막질·막 두께 검사 등이 이루어진다(스텝 S15).

그리고 카세트 스테이션(C/S)(14)측에서는, 반송 기구(22)가, 제4 평류 반송로(64)의 종점(단출부)로부터 도포 현상 처리의 전체 공정을 끝낸 기판(G)을 수취 하고, 수취한 기판(G)을 어느 하나(통상은 원래)의 카세트(C)에 수용한다(스텝 S1로 복귀함).

이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서는, 상기한 바와 같이, 도포 프로세스부(28)에 설치된 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 본 발명을 적용할 수 있다.

이하, 도3에 기초하여, 본 발명의 한 실시예에 있어서의 레지스트 도포 유닛(CT)(44)의 구성에 대하여 설명한다. 도3은, 레지스트 도포 유닛(CT)(44)의 개략적인 구성을 도시하는 사시도이다.

도3에 도시한 바와 같이 레지스트 도포 유닛(CT)(44)은, 수평 방향(X 방향)으로 연장되는 제2 평류 반송로(45)를 따라, 상류측부터 순서대로 제1 서브유닛(101A), 제2 서브유닛(101B)이 설치되어 있다.

각 서브유닛(101A, 101B)에는, 기판(G)에 레지스트액을 토출(송출) 공급하기 위한 레지스트 공급 노즐(104)(제1 노즐), 노즐(111)(제2 노즐)이 반송로(45)의 상방에 배치되어 있다. 각 노즐(104, 111)은, 기판(G)의 폭 방향으로 연장되는 슬릿 모양의 토출구(104a, 111a)와, 이들 토출구(104a, 111a)에 연통하는 레지스트액 수용실(도시하지 않음)을 갖고 있으며, 이 레지스트액 수용실에 접속하는 레지스트액 공급 튜브(105, 112)를 통하여 레지스트액 공급원(135)이 접속되어 있다.

또한, 토출구(104a, 111a)의 길이 방향의 양측에는, 이 토출구로부터 토출되는 레지스트액(R)의 토출압을 저감하는 막 두께 제어 수단(106, 113)이 각각 설치되어 있다. 이 막 두께 제어 수단(106, 113)은, 토출구(104a, 111a)의 길이 방향의 양측에 연통하는 연통로(107, 114)에 각각 접속하는 흡인관(108, 115)과, 흡인 관(108, 115)에 설치된, 예를 들어 다이어프램 펌프와 같은 흡인 펌프(109, 116)로 구성되어 있고, 흡인 펌프(109, 116)의 구동에 의해 토출구(104a, 111a)의 양측의 토출압이 저감되도록 이루어져 있다.

또한, 흡인관(108, 115)에 있어서의 흡인 펌프(109, 116)의 흡인측, 즉 노즐(104, 111)측에는, 개폐 밸브(110, 117)가 각각 개재하여 설치되어 있다.

또한, 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 있어서의 반송로(45)는, 기판(G)을 위를 향한 상태로 반송 방향(A)을 따라 반송하는, 예를 들어 반송 벨트(45a, 45b, 45c)(반송 수단)가 순서대로 부설되어 있다. 반송 벨트(45a, 45b) 사이에는 서브 유닛(101A)에 대응하는 고정밀도 스테이지(102)(제1 스테이지)가 설치되고, 반송 벨트(45b, 45c) 사이에는 서브유닛(101B)에 대응하는 고정밀도 스테이지(103)(제2 스테이지)가 설치되어 있다. 즉, 반송로(45)의 도중에 고정밀도 스테이지(102, 103)가 소정 간격을 두고 설치되어 있다.

또한, 도시한 바와 같이 고정밀도 스테이지(102, 103)의 반송 방향의 길이 치수(L1)는, 기판 길이 치수(L2) 보다도 짧게 형성되어 있다.

따라서, 제1 열적 처리부(26)로부터 레지스트 도포 유닛(CT)(44)에 반송되어 온 기판(G)은, 반송 벨트(45a, 45b)에 의한 반송에 의해 고정밀도 스테이지(102) 상을 통과하고, 반송 벨트(45b, 45c)에 의한 반송에 의해 고정밀도 스테이지(103) 상을 통과하도록 이루어져 있다.

고정밀도 스테이지(102, 103)는, 그 상면이 평탄 정밀도에 있어서 고정밀도를 필요로 하고 있다. 또한, 이 고정밀도 스테이지 상에서 도포되는 기판이 스테 이지로부터 20 내지 100㎛의 설정 거리와 ±20㎛ 내의 정밀도로, 수 밀리 휜 1.1mm두께 이하의 기판도 교정 유지된다. 그 때문에, 일례로서, 기판을 부상시키기 위한 에어 분출 구멍과, 기판을 흡착시키기 위한 탈기 구멍을 스테이지 내에 갖고, 이 양자의 분출과 흡인 밸런스의 조정으로, 상기 정밀도를 달성하는 구조이다.

기판(G)에의 도포 처리는, 이들 고정밀도 스테이지(102, 103) 상에서 행해진다. 즉, 노즐(104)에 의해 기판(G)에의 도포 처리를 행할 때에는, 노즐(104)은 스테이지(102)의 직상부에 배치되고, 노즐(111)에 의해 기판(G)에의 도포 처리를 행할 때에는, 노즐(111)은 스테이지(103)의 직상부에 배치된다. 그리고, 각 노즐에 있어서는, 스테이지 위로 반송되어 온 기판(G)에 대하여도 착액하여, 도포 처리를 행하도록 구성되어 있다.

보다 구체적으로는, 제2 반송로(45) 및 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단으로서의 콘트롤러(도시하지 않음)가, 순차 반송되는 복수의 기판(G)을 스테이지(102)와 스테이지(103)에 교대로 할당하여, 노즐(104, 111)에 의해 각각 대응하는 기판(G)에의 도포 처리를 실행시키도록 이루어져 있다.

또한, 각 서브유닛(101A, 101B)에 있어서, 반송로(45)의 상방에는, 각 레지스트 공급 노즐(104, 111)에 대하여 토출구의 메인터넌스 처리를 행하는 노즐 대기부(120)(제1 노즐 대기부), 노즐 대기부(125)(제2 노즐 대기부)가 설치되어 있다. 이들 노즐 대기부(120, 125)는, 대기 시에 노즐(104, 111)의 선단에 부착된 레지스트액(R)을 균일화하기 위한 회전 가능한 프라이밍 롤러(121, 126)와, 이들 롤러(121, 126)를 세정하기 위하여 시너에 침지하는 용기(127, 128)를 구비한다. 또 한, 도면에는 나타내지 않았지만, 이 외에, 노즐 선단의 건조를 억제하기 위한 보습부를 설치하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 레지스트 공급 노즐(104, 111)에는, 각각 노즐 이동 수단(136, 137)이 접속되어 있고, 기판(G)에의 레지스트(R)의 토출 위치와 노즐 대기부(120, 125) 사이에서 이동 제어가 이루어지도록 구성되어 있다.

계속해서, 이 노즐 이동 수단(136, 137)을 이용한 노즐 이동 제어에 대하여 도4, 도5에 기초하여 설명한다.

도4는, 노즐 이동 수단(136, 137)의 개략적인 구성도이고, 도5는, 레지스트 공급 노즐(104, 111) 각각의 이동 동작의 대응 관계를 도시하는 도면이다.

도4에 도시한 바와 같이 노즐(104, 111)은, 직선 모양으로 경사진 가이드 부재(130)를 따라 이동하도록 구성되어 있다.

이 가이드 부재(130)는, 노즐(104, 111)이 가이드 부재(130)를 따라 최하단까지 강하 이동했을 때의 노즐 위치가, 각각 고정밀도 스테이지(102, 103)의 직상부로 되고, 가이드 부재(130)를 따라 최상단까지 상승 이동했을 때의 노즐 위치가 노즐 대기부(120, 125)의 위치로 되도록 배치되어 있다.

즉, 각 노즐(104, 111)의 이동 경로[각각 대응하는 가이드 부재(130)]는 각각, 그 노즐의 노즐 대기부와, 그 노즐의 도포 처리 위치를 연결하는 직선 모양으로 형성되어 있다. 따라서, 종래와 같이 수평 이동 및 수직 이동의 조합으로 이동 제어를 행하는 것보다도, 노즐 이동 시간이 단축된다.

가이드 부재(130)는, 볼 나사 구조의 볼 나사축으로서 형성되고, 노즐(104, 111)의 측부에 설치된 가동 지지 부재(131)가 볼 나사 구조의 너트로서 가이드 부재(130)에 나사 결합하고 있다.

또한, 가이드 부재(130)의 상단에는, 노즐 이동 제어에 따라 구동하는, 예를 들어 스테핑 모터로 이루어지는 구동부(132)가 접속되어 있고, 이 가이드 부재(130)를 축 둘레로 회전시키도록 구성되어 있다. 또한, 구동부(132)는 가이드 부재(130)의 회전 방향을 변경하는 것이 가능하여, 이에 따라 가동 지지 부재(131)의 상하 이동 동작이 제어된다.

즉, 노즐(104, 111)의 상하 이동은, 가이드 부재(130)의 회전 방향을 구동부(132)에 의해 제어함으로써 이루어진다.

이 구성에서, 각 노즐(104, 111)의 이동 제어를 포함시킨 레지스트액(R)의 도포 처리는, 도5의 노즐 이동 관계도, 및 도6의 타이밍도에 따라 이루어진다.

즉, 노즐(104)이 고정밀도 스테이지(102) 상에서 도포 처리 동안에는, 노즐(111)이 노즐 대기부(125)에 위치하도록 이동 제어가 이루어지고, 노즐(111)이 고정밀도 스테이지(103) 상에서 도포 처리 동안에는, 노즐(104)이 노즐 대기부(120)에 위치하도록 이동 제어가 이루어진다.

또한, 상기한 바와 같이, 각 노즐(104, 111)의 이동 경로는 각각 그 노즐의 노즐 대기부와, 그 노즐의 도포 처리 위치를 연결하는 직선 모양으로 형성되어 있기 때문에, 도6의 타이밍도에 도시한 바와 같이 노즐 이동 시간(t2, t3)은 종래보다도 크게 단축된다.

이에 의해, 반송로(45) 상을 순차 흐르는 기판(G)을 체류시키지 않고, 연속 적으로 도포 처리를 행할 수 있어, 도11의 타이밍도에 도시한 바와 같이, 종래 필요로 하였던 도포 처리 종료 후부터 다음 기판의 도포 처리 개시까지의 기간(T1)을, 도6에 도시한 바와 같이 보다 짧은 시간 간격(T2)으로 할 수 있다. 그 결과, 종래보다도 대폭 스루풋이 향상된다.

이상과 같이 본 발명의 기판 처리 장치에 관한 실시 형태에 의하면, 평류 반송로 상을 위를 향한 상태에서 순차 반송되는 복수의 기판(G)에 대하여, 교대로 처리 스테이지[고정밀도 스테이지(102, 103)]를 할당할 수 있어, 각 처리 스테이지에 있어서 도포 처리가 행해진다.

또한, 노즐 토출구의 메인터넌스 처리를 행하는 노즐 대기부(120, 125)와, 기판(G)에의 레지스트액(R)을 토출하는 도포 처리 위치 사이에 형성되는 노즐 이동 경로[가이드 부재(130)]는, 그 양 위치를 연결하는 직선 모양으로 설치되고, 노즐 이동 시간이 종래보다도 단축된다. 그리고, 한 쪽의 노즐이 도포 처리 위치에 있을 때는, 다른 쪽의 노즐은 노즐 대기부에 위치하도록 제어가 이루어진다.

이에 의해, 순차 연속하여 반송되는 기판(G)을 도포 처리 전에 체류시키지 않고 연속적으로 도포 처리할 수 있으며, 또한 노즐 토출구의 메인터넌스 처리도 충분히 행할 수 있다. 따라서, 도포 처리의 스루풋이 상승되어, 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 노즐 이동 경로로 되는 가이드 부재(130)는, 도5에 도시한 바와 같이 직선 모양으로 경사져 설치되어 있기 때문에, 서브유닛(101B)의 고정밀도 스테이지(103)의 직상부 부근에 서브유닛(101A)의 노즐 대기부(120)가 배치되어 있어도 되고, 이에 의해 도포 처리 기구를 2대 설치하는 것에 의한 풋 프린트 증대를 억제시킬 수 있다.

또한, 종래는, 도7에 도시한 바와 같이 기판 면적보다도 큰 고정밀도 스테이지를 이용하여 도포 처리를 행하였지만, 도포 처리 위치를 고정함으로써, 고정밀도 스테이지의 면적을 작게 할 수 있어, 풋 프린트 축소 및 저비용화를 도모할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 노즐(104, 111)에 각각 대응하는 2개의 노즐 대기부(120, 125)를 설치한 구성으로 했지만, 이에 한정하지 않고, 1개의 노즐 대기부에서 2개의 노즐(104, 111)에 대응시키는 구성으로 하여도 된다.

또한, 상기 실시 형태에서 도3 내지 도6을 이용하여 설명한 레지스트 도포 유닛(CT)(44)의 구성에서는, 2개의 노즐과, 각 노즐에 대응하는 고정밀도 스테이지를 각각 설치한 구성예를 나타냈지만, 본 발명에서는, 그 구성에 한정되는 것은 아니다.

예를 들어, 도7의 사시도에 도시한 바와 같이 2개의 노즐에 대하여, 1개의 고정밀도 스테이지를 대응시키는 구성으로 하여도 된다.

이 경우, 도8에 도시한 바와 같이 한 쪽의 노즐(제1 노즐)이 고정밀도 스테이지(103) 상에서 도포 처리를 행하고 있을 때[도시에서는 노즐(111)], 다른 쪽의 노즐(제2 노즐)은 노즐 대기부(120)에서 대기하고 있는 상태로 된다[도시에서는 노즐(104)]. 즉, 2개의 노즐의 직선 모양의 이동에 의해 그려지는 궤적은 전체적으로 V자형으로 된다.

이렇게 구성함으로써, 도3의 구성의 경우와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있고, 게다가 도3에 도시한 구성보다도 장치 구성, 풋프린트 등을 축소하여, 더욱 코스트를 저감시킬 수 있다.

또한, 본 발명에서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한하는 것은 아니며, 플랫 패널 디스플레이용의 각종 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD 기판, 글래스 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다.

본 발명은, LCD 기판 등에 대하여 세정 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 적용할 수 있어, 반도체 제조 업계, 전자 디바이스 제조 업계 등에 있어서 적합하게 이용할 수 있다.

도1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 도포 현상 처리 시스템의 평면도.

도2는 도1의 도포 현상 처리 시스템의 기판 처리의 흐름을 설명하는 흐름도.

도3은 도1의 도포 현상 처리 시스템이 갖는 레지스트 도포 유닛의 한 실시예를 도시하는 사시도.

도4는 도3의 레지스트 도포 유닛이 갖는 노즐 이동 수단의 개략적인 구성도.

도5는 도3의 레지스트 도포 유닛이 갖는 2개의 레지스트 공급 노즐의 각각의 이동 동작의 대응 관계를 도시하는 도면.

도6은 도5의 동작에 대응한 타이밍도.

도7은 도1의 도포 현상 처리 시스템이 갖는 레지스트 도포 유닛의 다른 형태를 도시하는 사시도.

도8은 도7의 레지스트 도포 유닛이 갖는 2개의 레지스트 공급 노즐 각각의 이동 동작의 대응 관계를 도시하는 도면.

도9는 종래의 레지스트 도포 장치의 개략적인 구성을 도시하는 사시도.

도10은 도9의 레지스트 도포 장치에 있어서의 노즐 이동 동작을 도시하는 도면.

도11은 도9의 레지스트 도포 장치에 있어서의 동작 타이밍도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 도포 현상 처리 시스템(기판 처리 장치)

44 : 레지스트 도포 유닛

45 : 제2 평류 반송로(반송로)

45a, 45b, 45c : 반송 벨트(반송 수단)

1O1A : 제1 서브유닛

101B : 제2 서브유닛

102 : 고정밀도 스테이지(제1 처리 스테이지)

103 : 고정밀도 스테이지(제2 처리 스테이지)

104 : 레지스트 도포 노즐(제1 노즐)

111 : 레지스트 도포 노즐(제2 노즐)

120, 125 : 노즐 대기부

130 : 가이드 부재

131 : 가동 지지부

132 : 구동부

135 : 레지스트액 공급원

136, 137 : 노즐 이동 수단

G : LCD 기판(피처리 기판)

R : 레지스트액

Claims (10)

1. 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,

   상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송로의 도중에 반송 방향을 따라 순서대로 설치되고, 상기 기판에 대하여 상기 처리액의 도포 처리를 행하기 위한 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지와, 상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지에 각각 대응하여 설치되고, 상기 반송 수단에 의해 상기 각 처리 스테이지 상을 이동하는 기판에 대하여 상기 처리액을 도포하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 반송 수단 및 상기 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단을 구비하고,

   상기 제어 수단은, 상기 반송 수단에 의해 순차 반송되는 복수의 기판을 상기 제1 처리 스테이지와 상기 제2 처리 스테이지에 교대로 할당하여, 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 각각 대응하는 기판에의 도포 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,

   상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송로의 도중에 설치되고, 상기 기판에 대하여 상기 처리액의 도포 처리를 행하기 위한 처리 스테이지와, 상기 반송 수단에 의해 상기 처리 스테이지 상을 이동하는 기판에 대하여 상기 처리액을 도포하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 반송 수단 및 상기 노즐의 동작 제어를 행하는 제어 수단을 구비하고,

   상기 제어 수단은, 상기 반송 수단에 의해 상기 처리 스테이지 상을 순차 반송되는 기판에의 도포 처리를, 상기 제1 노즐과 제2 노즐에 교대로 실시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 스테이지의 반송 방향에 있어서의 길이 치수는, 피처리 기판의 반송 방향의 길이 치수보다도 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 토출구에 대하여 메인터넌스 처리를 실시하는 노즐 대기부와, 상기 노즐 대기부와 상기 기판에의 도포 처리 위치 사이에 있어서 상기 제1 노즐 및 제2 노즐을 각각 이동시키는 노즐 이동 수단을 구비하고,

   상기 제어 수단은, 상기 제1 노즐과 제2 노즐 중, 한 쪽의 노즐을 이용한 도포 처리를 행할 때, 상기 노즐 이동 수단에 의해 도포 처리에 이용하는 노즐을 상기 도포 처리 위치로 이동시키는 동시에, 도포 처리를 행하지 않는 다른 쪽의 노즐을 상기 노즐 대기부로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 노즐 대기부는,

   상기 제1 노즐에 대응하는 제1 노즐 대기부와,

   상기 제2 노즐에 대응하는 제2 노즐 대기부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제4항에 있어서, 상기 노즐 이동 수단에 의해 이동 제어가 이루어지는 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 이동 경로는 각각, 상기 노즐 대기부와 상기도포 처리 위치를 연결하는 직선 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 제1 노즐의 도포 처리 위치와 상기 제2 노즐의 도포 처리 위치는 동일 위치이며,

   상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 직선 모양의 이동에 의해 그려지는 궤적은 전체적으로 V자형인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
8. 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 방법이며,

   상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 스텝과,

   상기 반송로의 도중에 반송 방향을 따라 순서대로 설치된 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지 상을 이동하는 피처리 기판에 대하여, 상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지에 각각 대응하는 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 상기 처리액을 도포하는 스텝을 실행하고,

   상기 제1 처리 스테이지 및 제2 처리 스테이지 상에서 처리액을 도포하는 스텝에서, 상기 반송로 상을 순차 반송되는 복수의 기판을 상기 제1 처리 스테이지와 상기 제2 처리 스테이지에 교대로 할당하여, 제1 노즐 및 제2 노즐에 의해 각각 대응하는 기판에의 도포 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
9. 피처리 기판의 표면에 처리액을 도포하고, 상기 처리액의 막을 형성하는 기판 처리 방법이며,

   상기 피처리 기판을 반송로 상에서 위를 향한 자세로 하여, 소정 방향으로 반송하는 스텝과,

   상기 반송로 상에 설치된 처리 스테이지 상을 순차 반송되는 기판으로의 도포 처리를, 제1 노즐과 제2 노즐에 교대로 실시시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 처리 스테이지 상에서 상기 피처리 기판에의 도포 처리를 실시시키는 스텝에서,

    상기 제1 노즐과 제2 노즐 중, 한 쪽의 노즐을 이용한 도포 처리를 행할 때, 도포 처리에 이용하는 노즐을 도포 처리 위치로 이동시키는 동시에, 도포 처리를 행하지 않는 다른 쪽의 노즐을 노즐 대기부로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

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