JP3416031B2 - 塗布膜形成装置 - Google Patents

塗布膜形成装置

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JP3416031B2 JP23895397A JP23895397A JP3416031B2 JP 3416031 B2 JP3416031 B2 JP 3416031B2 JP 23895397 A JP23895397 A JP 23895397A JP 23895397 A JP23895397 A JP 23895397A JP 3416031 B2 JP3416031 B2 JP 3416031B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示用
の角型の基板に例えばレジスト膜を形成するための塗布
膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD用のガラス基板
上に例えばITO(Indium Tin Oxid
e)の薄膜や電極パタ−ン等を形成するために、半導体
製造工程において用いられるものと同様なフォトリソグ
ラフィ技術を用いて回路パタ−ン等を縮小してフォトレ
ジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施さ
れる。
【0003】この処理では、先ず矩形状のLCD基板を
洗浄し、この後疎水化処理してから冷却する。続いてL
CD基板上にフォトレジスト膜即ち感光膜を塗布形成
し、このフォトレジストを加熱してベ−キング処理を施
した後、所定のパタ−ンを露光する。そして露光後のL
CD基板に現像液を塗布して現像した後、リンス液によ
り現像液を洗い流し、現像処理を完了する。
【0004】ここで上述のレジスト塗布は、例えばスピ
ンコ−ティング法により行われる。図17はこのような
塗布処理を行う装置の従来例を示しており、例えばこの
装置は、LCD基板(以下基板Gという)の表面にレジ
スト液を供給してレジスト膜を塗布する塗布機構1A
と、基板Gの周縁部の不要な塗布膜を除去する縁部除去
機構1Bとを同一雰囲気内に備えている。
【0005】上記塗布機構1Aについて、図17及び図
18参照して説明すると、塗布機構1Aでは、基板Gを
回転カップ11内に配設されるスピンチャック10上に
吸着保持させて、例えばこの基板上面の中心部に溶剤と
レジスト液とを夫々供給ノズル12a,12bより滴下
した後(図18(a))、回転カップ11の開口部を蓋
体13で閉止して、回転カップ11とスピンチャック1
0とを回転させることにより(図18(b))、例えば
図19(a)に示すように、レジスト液を基板の回転力
と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて放射状
に拡散させて塗布している。
【0006】この際レジスト液を供給した後、例えばス
ピンチャック10を回転数500〜1500rpmで数
秒間、低速で回転させてレジスト液を拡散させ、次いで
回転数を1000〜3000rpmを上げ、十数秒間高
速で回転させることにより、レジストの膜厚を均一に調
整している。
【0007】このような塗布処理の際、塗布直後におけ
る膜厚は均一であっても、回転が停止して遠心力が働か
なくなった後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板
周縁部でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また
レジスト液が基板Gの下面周縁部にまで回り込んで不要
な膜が形成される現象が発生する。このように基板Gの
周縁部に不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路
パタ−ン等の現像時に周縁部のレジストが完全には除去
されずに残存することになり、その後の基板Gの搬送工
程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティクル発
生の原因となる。
【0008】そこで従来では基板Gの表面にレジスト液
等を塗布した後、搬送ア−ム14により縁部除去機構2
に搬送し、この縁部除去機構2において基板Gの周縁部
の不要な塗布膜を除去する処理が行われている。この処
理の方法としては、水平方向に回転可能な載置台15上
に基板Gを吸着保持させ、当該基板Gの対向する2片の
縁部に、一対の除去ノズル16(16a,16b)によ
りレジストを除去するための溶剤が噴射される。
【0009】上記除去ノズル16は例えば略コ字状に形
成されて、図18(c)に示すように、基板Gの上下か
ら溶剤を噴射するようになっており、溶解されたレジス
トと溶剤とは外部に排出される。このような除去ノズル
16は基板Gの縁部に沿って移動するように構成されて
おり、例えば基板Gの長辺側に沿って不要なレジストを
除去した後、載置台15を回転させて基板Gの短辺側に
除去ノズル16を合わせ、短辺側の不要なレジスト膜を
除去している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のスピン
コ−ティング法によるレジスト液の塗布の際は、基板G
は矩形状なので、基板G全体にレジスト液を塗布しよう
とすると、図19(b)に示すように基板Gの4方の角
部を覆う円を描くようにレジスト液を拡散させることが
必要となるが、この際図中斜線の領域のレジスト液は遠
心力により飛散させることとなるのでレジスト液に無駄
が生じる。
【0011】その上前記膜厚を調整する工程でレジスト
液を基板G全面に行き渡らせて、膜厚を均一にしている
が、基板Gの角部にはレジスト液が行き渡りにくく、こ
の領域にレジスト液が行き渡るまでに時間がかかってし
まうので、スル−プットが悪化するおそれがある。この
ためスル−プットを向上させるために、レジスト液を多
めにして基板Gの角部まで行き渡る時間を短くする方法
が採られているが、この方法ではレジスト液を必要量よ
りもかなり多めに供給しなければならないので、レジス
ト液の90%程度が飛散する結果となっている。このよ
うに飛散させる量が多いと、レジスト液は高価であるの
でコストな問題がある。
【0012】さらに上述のレジスト塗布装置では、塗布
機構1Aと縁部除去機構1Bとが必要であり、しかも基
板Gは大型であるため、レジスト塗布装置自体が大型化
してしまうという問題や、塗布機構1Aから縁部除去機
構1bへの搬送工程を要するために、スル−プットの低
下を招いてしまうという問題があった。
【0013】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、スル−プットの低下を抑えなが
ら、塗布液の量を低減させることができる塗布膜形成装
置を提供することにある。また他の目的は、装置の小型
化を図ることができる塗布膜形成装置を提供することに
ある。
【0014】
【課題を解決するための手段】このため本発明の塗布膜
形成装置は、角形の基板を水平状態で保持すると共に、
水平方向に回転可能な基板保持部と、この基板保持部に
保持された基板表面の回転中心部に塗布膜を形成するた
めの塗布液を供給するように、当該回転中心部の上方に
配置されるノズルと、基板の各角部近傍の位置に前記塗
布液を供給するように当該各角部近傍の位置の上方に夫
々配置されるノズルと各ノズル毎に塗布液の量を制御
する調整部と、を備え、前記基板を回転させて、前記回
転中心部に供給された塗布液を遠心力により基板表面に
拡散させると共に、この拡散による塗布液の不足領域
を、前記角部近傍の位置に供給された塗布液の拡散によ
り補充し、 前記回転中心部に供給される塗布液の供給量
が最も多く、前記角部近傍の位置に供給される塗布液の
供給量は前記不足領域を塗布するために必要な量に設定
されることを特徴とする。この際前記基板の回転中心部
以外の他の位置は、基板の回転中心部と基板の角部とを
結ぶ線に対して、基板の回転方向に少し離れた位置であ
ることが望ましい。
【0015】
【0016】前記塗布膜形成装置には、基板の一辺に対
応する長さに形成され、塗布膜の溶剤を基板表面の縁部
に吐出するための溶剤吐出口を有し、前記基板保持部に
保持された基板の縁部に対向して位置するように設けら
れた塗布膜除去部を備えるように構成してもよく、この
場合には前記表面に塗布膜が形成された基板に溶剤を吹
き付けることにより、基板の縁部の不要な塗布膜が除去
される。さらに塗布液供給部に、基板に塗布液を供給す
る前に溶剤を供給するための溶剤吐出口を設け、この溶
剤吐出口と塗布膜除去部の溶剤吐出口とを、共通の溶剤
供給路に連通するように構成してもよいし、塗布膜除去
部は、前記塗布膜の溶剤を、基板表面の縁部にほぼ全周
に亘って供給するための溶剤吐出口を有するように構成
してもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る塗布膜形成装
置をレジスト塗布装置に適用した場合について説明す
る。図1はレジスト塗布装置の一実施の形態を示す平面
図であり、図2はレジスト塗布装置の断面図である。図
中2は、基板G例えば角型のLCD基板の表面にレジス
ト液を塗布するための塗布機構であり、この塗布機構2
は、基板Gの下面を真空吸着して当該基板Gを水平(本
願でいう水平とはほぼ水平も含む)に保持するための基
板保持部をなすスピンチャック20を備えている。この
スピンチャック20は例えば円板状に形成されており、
その直径は基板Gの短辺より小さく設定されていると共
に、鉛直軸の回りに回動可能、昇降可能に構成されてい
る。
【0018】スピンチャック20の外周囲には、スピン
チャック20を間隙を介して包囲するように、スピンチ
ャック20と共に水平方向に回転可能な回転カップ3が
設けられている。この回転カップ3は上方部が開口する
有底開口円筒状に形成されており、開口部には蓋体31
が着脱自在に設けられている。この回転カップ3内に
は、スピンチャック20の上部側の位置に、スピンチャ
ック20と対向するように基板Gよりも大きい整流板3
2が設けられている。また回転カップ3の底面とスピン
チャック20の裏面との間にはシ−ル用のOリング33
が介在されていて、スピンチャック20が下降すると、
Oリング33と当接して気密が保持されるようになって
いる。
【0019】回転カップ21の外周囲には、回転カップ
21を間隙を介して包囲するように、上方部が開口する
有底開口円筒状のドレンカップ4が設けられており、開
口部には蓋体41が着脱自在に設けられている。前記整
流板32、蓋体31、41はロボットア−ム42の昇降
により、蓋体31、41の閉止位置と、閉止位置の上方
側の待機位置との間で昇降されるように構成されてい
る。
【0020】前記蓋体31、41には、支持軸43の近
傍に夫々空気孔34a、44aが形成されると共に、回
転カップ3の底面の周縁側には排気孔34bが形成され
ている。またドレンカップ4の底面の周縁側には複数の
排液口45aが設けられており、この排液口45aの内
周側には図示しない排気装置に接続された排気口45b
が設けられている。
【0021】前記スピンチャック20は、基板下方に配
置した駆動モ−タMの駆動によって回転されると共に、
昇降シリンダ21の駆動によって昇降する回転軸22の
頂部に設けられている。こうしてスピンチャック20
は、水平方向に回動自在に構成されると共に、スピンチ
ャック20の表面がドレンカップ4の上方側に位置する
基板の移載位置と、基板に回転処理を行う処理位置との
間を昇降自在に構成される。また前記スピンチャック2
0は回転軸22の内部、バキュ−ムシ−ル部23を介し
て図示しない真空装置により吸引されるようになってい
る。
【0022】前記回転カップ3は、回転筒34の頂部に
連結筒35を介して設けられており、前記回転軸34及
び回転筒35の外周には、夫々同一径の従動プ−リ36
a,36bが設けられている。これらには共通の駆動モ
−タMに設けられた駆動プ−リPにより駆動されるベル
ト37a,37bが夫々掛け渡されており、こうしてス
ピンチャック20と回転カップ3とは前記駆動モ−タM
により同速度で回転することになる。
【0023】またドレンカップ4の外側方には塗布液供
給手段5が設けられている。この塗布液供給手段5は、
例えば図3に示すように、塗布液例えばレジスト液を供
給するための例えば5本のノズル51(51a〜51
e)と、レジスト液の溶剤を供給するためのノズル52
とを一体に取り付けたノズル基体50を移動ア−ム53
の先端に装着することにより構成されており、ノズル5
1の先端が塗布液供給口を形成している。
【0024】前記レジスト液供給用のノズル51のうち
ノズル51aは、例えば図4の基板Gへのレジスト液の
滴下位置を示す図において、基板Gの回転中心部にレジ
スト液Raを供給するようにノズル基体50のほぼ中央
に取り付けられており、残りのノズル51b〜51e
は、例えば図中点線Sで示す前記レジスト液Raの同心
円の外側の領域である、基板Gの角部の近傍領域(レジ
スト液Raの不足領域)であって、かつ図中1点鎖線L
1,L2で示す基板Gの対角線よりも、回転方向(図中
矢印で示す時計回り方向)に少し離れた位置に夫々レジ
スト液Rb〜Reを供給するようにノズル基体50に取
り付けられている。
【0025】また溶剤供給用のノズル52は、例えばノ
ズル51aに隣接してノズル基体50に取り付けられて
いる。前記移動ア−ム53は、駆動機構54により水平
方向に回転自在、昇降自在に構成されており、こうして
ノズル基体50は、基板Gの上方側の供給位置と、ドレ
ンカップ4の外側方の待機位置との間で移動可能に構成
されている。
【0026】レジスト液供給用のノズル51a〜51e
は、夫々レジスト液供給チュ−ブ55a〜55eを介し
てレジスト液を貯留するレジスト液タンク56に連通さ
れている。レジスト液供給チュ−ブ55a〜55eの各
々には、図2中ノズル51aを代表して示すように、ノ
ズル51からレジスト液を吐出させた後、ノズル51先
端の内壁部に表面張力によって残留しているレジスト液
をノズル51内に引き戻すためのサックバックバルブV
1と、レジスト液供給チュ−ブ55a〜55eを開閉す
るためのエアオペレ−ションバルブV2と、レジスト液
中の気泡を分離除去するための気泡除去機構57と、フ
ィルタF及びベロ−ズポンプ58とが上流側から順次設
けられている。
【0027】前記ベロ−ズポンプ58は、駆動部59に
より制御された状態で伸縮できるように構成されてお
り、こうして各ノズル51から所定量のレジスト液を基
板G上に供給できるようになっている。つまりレジスト
液の供給量は、ベロ−ズポンプ58の駆動動作、例えば
駆動時間並びに駆動速度とエアオペレ−ションバルブV
2の開閉動作により制御され、このベロ−ズポンプ58
と駆動部59との組み合わせにより本発明の調整部が構
成されている。なおベロ−ズポンプ58を用いずに、レ
ジスト液供給タンク56へのN2 ガスの加圧によってレ
ジスト液の供給を行うこともでき、この場合にはレジス
ト液の供給量はN2 ガスの加圧量により制御される。
【0028】前記溶剤供給用のノズル52は、溶剤供給
路をなす溶剤供給チュ−ブ52aと開閉バルブ52bを
介して溶剤タンク52cに接続されており、溶剤タンク
52c内に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御す
ることによって所定量の溶剤を基板G上に供給できるよ
うになっている。
【0029】さらにドレンカップ4の外側方には塗布膜
除去部6が設けられている。この塗布膜除去部6は、例
えば図5及び図6に示すように、基板Gの縁部(端縁か
ら多少中央に寄った位置までの領域)を基板Gに対して
間隔を取った状態で上下両面から挟むように設けられ、
断面がコ字状の基体60を備えている。基体60の両端
部にはア−ム61a,61bが取り付けられており、こ
のア−ム61aが駆動機構62によって水平方向に移動
することにより、ア−ム61bもガイドレ−ル63に沿
って水平方向に移動し、こうして基体60が基板Gに対
して進退するように構成されている。
【0030】基体60は基板Gの長辺が収まる長さに作
られており、両端には端板64a,64bが設けられて
いる。基体60の上面には、基板上面の例えば端縁から
少し中央に寄った位置に溶剤を吹き付けるためのスリッ
ト状の溶剤吐出部66が基体60を貫通して内側に突出
し、かつ基体60の長さ方向に伸びるように設けられて
いる。この溶剤吐出部66の出口側が溶剤吐出口に相当
する。
【0031】また基体60の上側には塗布膜の溶剤を収
納する石英製の溶剤タンク65が設けられており、この
溶剤タンク65は、例えば前記溶剤タンク52cと溶剤
供給チュ−ブ52aから分岐するフレキシルな溶剤供給
チュ−ブ52dで接続され、常時満液の状態になってい
る。さらに溶剤タンク65の底面には、前記溶剤吐出部
66と適合するようにスリット65aが長さ方向に形成
されている。
【0032】一方前記基体60の下面側には、レジスト
塗布時に基板Gの裏面側に回り込んだレジスト膜を除去
するために、基板Gの端縁に近い位置に溶剤を吹き付け
るように、基体60の長さ方向に伸びるスリット状の溶
剤吐出部67が設けられている。また基体60の側面に
は、吸引排出路をなす複数の吸引管68が間隔をおいて
接続されており、図示しない吸引ポンプによって吸引管
68を通じて基板Gのレジスト膜の溶解物及び溶剤を吸
引排出するようになっている。
【0033】続いて上述の塗布装置の作用について図7
及び図8に基づいて説明する。先ず回転カップ3の蓋体
31、整流板32、ドレンカップ4の蓋体41を待機位
置にて待機させている状態で、図7(a)に示すよう
に、スピンチャック20を回転軸22により移載位置ま
で上昇させ、スピンチャック20上に基板Gを吸引保持
させる。例えばこの移載位置は、塗布膜除去部6が回転
カップ3やドレンカップ4と干渉せずに、スピンチャッ
ク20に保持されている基板Gの縁部領域まで進入でき
る位置に設定される。
【0034】次いで図7(b)に示すように、基板G上
にレジスト液の溶剤とレジスト液とを供給する。この際
例えば図8(a)に示すように、先ずスピンチャック2
0を処理位置まで下降させてから回転させて、例えば基
板Gを、塗布膜除去部6に対して斜めになるように、レ
ジスト液供給の際の所定位置に位置させ、スピンチャッ
ク20と回転カップ3とを例えば200〜800rpm
の回転数で回転させる。この回転中に、塗布液供給手段
5のノズル基体50を駆動機構54により移動ア−ム5
3を介して処理位置まで移動させて、溶剤供給用のノズ
ル52を基板Gのほぼ中央と対向するように位置させ
る。そしてノズル52から溶剤として例えばエチルセロ
ソルブアセテ−ト(ECA)を供給して、当該溶剤を基
板G上に拡散させて塗布する。
【0035】続いてレジスト液供給用のノズル51aを
基板Gのほぼ中央と対向するように位置させて、スピン
チャック20を例えば500〜1500rpmの回転数
で回転させながら、各ノズル51a〜51eからレジス
ト液を基板G上の所定位置に夫々供給した後、スピンチ
ャック20と回転カップ3の回転を停止する。この際ノ
ズル51aからのレジスト液Raの供給量が最も多く、
ノズル51b〜51eからのレジスト液Rb〜Reの供
給量は、前記レジスト液Raの不足領域を4分割して塗
布するために必要な量に設定される。この状態ではレジ
スト液は基板Gのほぼ全面に行き渡っている。
【0036】ここでレジスト液が拡散する様子を、図9
の模式図に基づいて説明すると、レジスト液Raは基板
Gの回転の遠心力により基板上を同心円状に拡散してい
く。一方基板Gの角部の近傍領域では、レジスト液Rb
〜Reが、基板Gの回転時の加速度により回転方向と反
対側に慣性力により流れながら遠心力により拡散して行
き、こうして拡散によるレジスト液Raの不足領域がレ
ジスト液Rb〜Reの拡散により補充されて、レジスト
液が基板Gのほぼ全面に行き渡る。
【0037】次いでノズル基体50を待機位置まで移動
させた後、図7(c)に示すように、回転カップ3の蓋
体31とドレンカップ4の蓋体41とを閉止位置まで移
動させ、基板Gを回転カップ3内に封入した状態で、ス
ピンチャック20と回転カップ3とを1000〜300
0rpmの回転数で回転させる。これによりレジスト液
が基板Gの全面に完全に行き渡ると共に、レジスト膜の
膜厚が均一に整えられる。
【0038】この際回転カップ3の回転により、空気孔
34aから導入された空気が排気孔34bから排気さ
れ、これにより飛散したレジスト液のミストが空気と共
に回転カップ3から排出される。また回転カップ3の回
転により、空気孔44aからドレンカップ4内に入り込
んだ空気が排気口45bから排気され、これにより回転
カップ3の回転時に排気孔34bを介してドレンカップ
4内に流れ込んだレジスト液のミストは排気口45bか
ら排出される。
【0039】こうしてレジスト膜を形成した後、図7
(d)に示すように、蓋体31、41を待機位置まで移
動させて、スピンチャック20を移載位置まで上昇させ
る。そして図8(b)に示すように、スピンチャック2
0の回転により、基板Gを、例えば基板Gの長辺が塗布
膜除去部6の長さ方向と対向するように位置させてか
ら、塗布膜除去部6を駆動機構62によりア−ム61
a,61bを介して、基体60が基板Gの縁部領域を挟
み込むように進入させる。
【0040】そして溶剤タンク65内の溶剤であるEC
Aを、溶剤の自重により、溶剤吐出部66を通じて基板
Gの表面における端縁から少し中央に寄った位置に吹き
付けると共に、吸引管68に設けられた図示しないバル
ブを開いて吸引を行う。この際溶剤の吹き付けの開始及
び停止は、例えば溶剤タンク65と図示しないタンクと
の間にバルブを設けて、そのバルブを開閉することによ
り行うことができる。また基板Gの下方側の溶剤吐出部
67からも基板Gの裏面における端縁に近い位置に吹き
付ける。
【0041】このようにして溶剤を吹き付けると、先ず
溶剤吐出部66の真下付近のレジスト膜が溶解して切り
込まれ、基板Gの表面の縁部の内側からレジスト膜が順
次溶解して、その溶解物と溶剤とが溶剤の吹き付け力と
吸引管68による吸引力とにより端縁に向かって移動
し、吸引管68により吸引されて除去される。
【0042】続いて塗布膜除去部6を一旦待機位置まで
移動させてから、図8(c)に示すように、スピンチャ
ック20を例えば90度回転させる。こうして基板G
を、基板Gの短辺が塗布膜除去部6の長さ方向と対向す
るように位置させてから、塗布膜除去部6を基板Gの縁
部領域まで進入させて、基板Gの短辺の縁部領域のレジ
スト膜を除去し、この後同様にして基板Gの残りの長辺
と短辺の縁部領域のレジスト膜を除去する。
【0043】このようなレジスト塗布装置では、レジス
ト液を基板G上の回転中心部とこの回転中心部以外の他
の位置とに供給しているので、レジスト液を基板Gの回
転中心部のみ供給する場合よりも、ト−タルのレジスト
液量を少なくすることができる。つまりレジスト液を回
転中心部のみに供給する場合には、「発明が解決しよう
とする課題」の欄で既述したように、レジスト液が基板
Gの角部まで行き渡りにくいため、スル−プットを高め
るためには実際に必要な量よりもかなり多い量のレジス
ト液を供給することが必要となる。
【0044】一方本実施の形態では、レジスト液Raを
回転中心部に供給すると共に、レジスト液Raが行き渡
りにくい角部の近傍領域に予めレジスト液Rb〜Reを
供給し、レジスト液Raの不足領域をレジストRb〜R
eの拡散により塗布するようにしている。つまりレジス
ト液Raによる塗布をレジストRb〜Reにより補充す
るようにしているので、レジスト液が基板Gの角部にま
で行き渡りやすい。
【0045】このためスル−プットを従来と同じにする
とすれば、それ程レジスト液の量を多くしなくても基板
G全体にレジスト液を行き渡らせることができる。従っ
て本実施の形態のように、各ノズル51からのレジスト
液の供給量を制御し、各ノズル51からレジスト液を適
切な量で供給するようにすれば、飛散するレジスト液の
量が少なくなるので、レジスト液の供給量を従来よりも
少なくすることができる。
【0046】また上述の例では、レジスト液Rb〜Re
は、基板Gの対角線よりも回転方向側の近傍に供給され
ているので、これらレジスト液は既述のように、礫基板
Gの回転の加速度により回転方向と反対側に行き渡り、
これによりレジスト液Raの不足領域により行き渡りや
すくなる。
【0047】さらに本実施の形態では、塗布機構2と塗
布膜除去部6を組み合わせて設けるようにしたので、従
来塗布機構とは別個に設けられていた縁部除去のための
機構や塗布機構と縁部除去機構との間で基板Gを搬送す
るためのア−ム等が不要となり、レジスト塗布装置自体
を小形化することができて、スペ−ス的に有利になる。
また塗布機構から縁部除去機構までの基板Gの搬送も不
要となるので、スル−プットを向上させることができ
る。さらにまた塗布膜除去部6と溶剤供給用のノズル5
2とは、共通の溶剤供給路である溶剤供給チュ−ブ52
aに連通されているので、溶剤タンク52c等の溶剤供
給系を共通化することができて便利になると共に、スペ
−ス的にも有利になる。
【0048】以上において上述の実施の形態では、基板
Gへのレジスト液の供給を、図10に示すように行うよ
うにしてもよい。図10(a)は、基板Gの回転中心部
にレジスト液Rfを供給すると共に、レジスト液Rfの
不足領域のレジスト液Rfを挟んでほぼ対象な位置に、
レジスト液Rg,Rhを夫々供給する例であり、また図
10(b)は、基板Gの回転中心部にレジスト液Riを
供給すると共に、レジスト液Riの不足領域の対角線L
1,L2上にレジスト液Rj,Rk,Rl,Rmを夫々
供給する例である。
【0049】さらに図10(c)は、基板Gの回転中心
部にレジスト液Rnを供給すると共に、レジスト液R
o,Rp,Rq,Rrを、例えば基板Gの回転中心部と
基板の角部とを結ぶ線に対して、回転方向前方に膨らみ
ながら基板の回転中心部から基板の端縁に亘って線状に
結ぶように夫々供給する例であり、これらの例ではレジ
スト液Rf,Ri,Rnは基板G上を同心円状に拡散し
て行き、レジスト液Rg,Rh,Rj〜Rm,Ro〜R
rは図中矢印で示す回転方向の反対側に流れながら拡散
して行く。なお図10(c)の例では帯の数は4本とし
たが、これには限られない。
【0050】さらにまた図10(d)は、基板Gの回転
中心部にレジスト液Rsを供給すると共に、このレジス
ト液Rsの不足領域、つまり基板の回転中心部から同心
円状に離れた位置に、レジスト液Ptを円形の帯状に供
給する例である。この例ではレジスト液Rsは、レジス
ト液Rtは夫々同心円状に拡散しながら流れて行く。こ
こで上述の図10(c)や図10(d)の場合、例えば
塗布膜供給部5のノズル基体50に前記形状に適応する
形状のスリット部を形成することにより、上述のように
レジスト液を供給することができる。なおこれらの例に
おいても、各レジスト液の供給量は夫々の場合に応じて
設定される。
【0051】続いて本発明の他の実施の形態について図
11〜図13に基づいて説明する。この実施の形態が上
述の実施の形態と異なる点は、塗布液供給部と塗布膜除
去部とを共通の駆動機構により移動させるように構成し
たことである。例えばこの例では、塗布膜除去部71は
ノズル基体70の一辺の先端部に取り付けられており、
ノズル基体70の他の一辺には移動ア−ム72が取り付
けられている。そしてこの移動ア−ム72が駆動機構7
3によりガイドレ−ル74に沿って水平方向に移動する
ことにより、前記ノズル基体70は基板Gの上方側の処
理位置と、ドレンカップ4の外側方の待機位置との間で
移動可能に構成されている。
【0052】前記塗布膜除去部71は例えば基板Gの長
辺が治まる長さに構成されており、例えば溶剤を収納す
るための溶剤タンクの下面に多数の溶剤供給口71a
を、基板Gの縁部に溶剤を吹き付けるように、塗布膜除
去部7の長さ方向に沿って形成することにより構成され
ている。またノズル基体70には上述のノズル基体50
と同様にレジスト液供給用のノズル51a〜51eと溶
剤供給用のノズル52とが設けられており、ノズル52
に溶剤を供給するための溶剤供給チュ−ブ52aは、途
中で分岐して塗布膜除去部71に溶剤を供給するように
構成されている。その他の構成は上述の実施の形態と同
様である。
【0053】このようなレジスト塗布装置では、基板G
にレジスト液を塗布する際には、ノズル基体70を基板
Gの上方側に位置させ、上述の実施の形態と同様に基板
G上にレジスト液を供給して、基板G表面にレジスト膜
を塗布する。そして基板Gの縁部のレジスト膜を除去す
る際には、回転カップ3の蓋体31を上方位置に待機さ
せている状態で、再びノズル基体70を基板Gの上方側
に位置させ、溶剤吐出口71aを基板Gの縁部に対応す
るように位置させてから、例えば図13に示すように、
溶剤を当該溶剤の自重により基板Gの縁部に吹き付け
る。
【0054】このようにするとこの溶剤の吹き付け力に
よりレジスト膜が溶解し、その溶解物が溶剤と共に下方
側に流れて行って、回転カップ3の排気孔34b、ドレ
ンカップ4の排気口45bを介して除去される。こうし
て基板Gの長辺の一辺のレジスト膜を除去した後、基板
Gをスピンチャック20により90度回転させ、基板G
の短辺の一辺を塗布膜除去部7と対応させて当該短辺の
レジスト膜を除去し、この後同様にして残りの長辺と短
辺のレジスト膜の除去を行う。
【0055】本実施の形態では、ノズル基体70に塗布
膜除去部71を取り付けて、駆動機構73を共通化して
いるので駆動機構が1つで済み、さらに装置の小形化を
図ることができる。またノズル基体70に塗布膜除去部
71を取り付けているので、溶剤供給用のノズル52と
塗布膜除去部71とを共通の溶剤供給路(溶剤供給チュ
−ブ52a)に連通させる際に、溶剤供給路を短くする
ことができる。
【0056】続いて本発明の他の実施の形態について図
14〜図17に基づいて説明する。この実施の形態が上
述の実施の形態が異なる点は、塗布膜除去部8(8a〜
8d)を回転カップ3の蓋体31に取り付けたことであ
る。この塗布膜除去部8は、例えば図12に示すよう
に、例えば整流板32の長辺が治まる長さに構成された
2つの塗布膜除去部8a,8cと、整流板32の短辺の
残りの部分が治まる長さに構成された2つの塗布膜除去
部8b,8dとを備えており、これら塗布膜除去部8の
内端側は保持基体81の周縁部に取り付けられ、外端側
は回転カップ3の蓋体31に取り付けられている。
【0057】各塗布膜除去部8は、例えば図13に示す
ように、整流板32の縁部の上方側に設けられた板状の
基体80を備えており、この基体80の両端には端板8
0aが設けられている。基体80には、整流板上面の例
えば端縁に溶剤を吹き付けるためのスリット状の溶剤吐
出部82が基体80を貫通して内側に突出し、かつ基体
80の長さ方向に伸びるように設けられている。また基
体80の上側には溶剤を収納するための、上述の溶剤タ
ンク65と同様に構成された溶剤タンク83が設けられ
ている。
【0058】前記保持基体81の内部には、各溶剤タン
ク83に溶剤を供給するための溶剤供給路84(84a
〜84d)が形成されており、この溶剤供給路84は例
えば支持軸43の内部を介して設けられた溶剤供給管8
5に接続されていて、この溶剤供給管85の他端側は例
えば図示しない溶剤供給チュ−ブ52aに接続されてい
る。また保持基体81には空気孔34aに相当する図示
しない空気孔が形成されている。その他の構成は上述の
実施の形態と同様である。
【0059】このようなレジスト塗布装置では、基板G
にレジスト液を塗布する際には、塗布膜除去部8は蓋体
31の一部として作用し、回転カップ3と蓋体31とは
一体になって回転する。そして基板Gの縁部のレジスト
膜を除去する際には、回転カップ3内に基板Gを封止し
た状態で、塗布膜除去部8の溶剤吐出部82から、溶剤
を、当該溶剤の自重により整流板32の表面の各辺の端
縁近傍にほぼ全周に亘って吹き付ける。
【0060】このようにすると、図13に示すように、
溶剤の流れの方向が整流板32の端縁により変えられ
て、整流板32の下方側から内方に向けて流れるように
なり、こうして基板Gの縁部に溶剤が吹き付けられる。
そしてこの溶剤の吹き付け力によりレジスト膜が溶解
し、その溶解物が溶剤と共に下方側に流れて行って、回
転カップ3の排気孔34b、ドレンカップ4の排気口4
5bを介して除去される。
【0061】本実施の形態では、蓋体31に塗布膜除去
部8が取り付けられているので、塗布膜除去部8の駆動
機構を蓋体31の駆動機構と共通化できて、塗布膜除去
部8専用の駆動機構が不要となり、さらに装置の小型化
を図ることができる。またレジスト液の塗布処理を行っ
た後、回転カップ3内に基板Gを閉止した状態で、その
まま連続してレジスト膜の除去処理を行うことができる
ため、レジスト液の塗布処理からレジスト膜の除去処理
に移行する時間が短縮される。しかも基板Gの各辺に対
応して塗布膜除去部8が設けられているので、基板Gの
縁部の薄膜除去を一斉に行うことができ、これによりス
ル−プットを向上させることができる。
【0062】この際蓋体31は回転カップ3と共に回転
するため、レジスト液の塗布処理の際、各塗布膜除去部
8を整流板32(基板G)の各辺に対して対応するよう
に位置させておけば、当該処理中に塗布膜除去部8と整
流板32との位置がずれるおそれはない。このように予
め位置を合わせておけば、レジスト液の塗布処理を行っ
た後、位置調整をすることなく、そのまま連続してレジ
スト膜の除去処理を行うことができ、さらにスル−プッ
トの向上が図れる。
【0063】以上において、本発明では塗布膜除去部
6、71、8はいずれも、溶剤吐出口をスリット状に形
成しても、孔状に形成してもよい。また図14に示す実
施の形態においては、整流板32を介してではなく、基
板G表面の縁部に直接溶剤を供給するように、溶剤吐出
部82を設けるようにしてもよい。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、角型の基板Gに塗布液
を拡散させて薄膜を形成にあたり、スル−プットの低下
を抑えながら、塗布液の量を低減させることができる。
また本発明の他の発明によれば、装置の小型化を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の塗布膜形成装置の一実施の形態を示す
平面図である。
【図2】本発明の塗布膜形成装置の一実施の形態を示す
断面図である。
【図3】前記塗布膜形成装置に設けられた塗布液供給部
の一例を示す斜視図である。
【図4】基板表面上のレジスト液の供給位置を模式的に
示す平面図である。
【図5】前記塗布膜形成装置に設けられた塗布膜除去部
の一例を示す斜視図である。
【図6】塗布膜除去部の一例を示す平面図である。
【図7】前記塗布膜形成装置の作用を説明するための工
程図である。
【図8】前記塗布膜形成装置の作用を説明するための工
程図である。
【図9】基板に供給されたレジスト液が拡散する様子を
模式的に示す平面図である。
【図10】基板表面上のレジスト液の供給位置の他の例
を模式的に示す平面図である。
【図11】本発明の塗布膜形成装置の他の実施の形態を
示す平面図である。
【図12】前記塗布膜形成装置を示す断面図である。
【図13】前記塗布膜形成装置に設けられた塗布膜除去
部を示す断面図である。
【図14】本発明の塗布膜形成装置のさらに他の実施の
形態を示す断面図である。
【図15】前記塗布膜形成装置に設けられた回転カップ
の蓋体を示す断面図である。
【図16】前記蓋体に設けられた塗布膜除去部を示す断
面図である。
【図17】従来のレジスト塗布装置を示す平面図であ
る。
【図18】従来のレジスト塗布処理を説明するための工
程図である。
【図19】基板に供給されたレジスト液が拡散する様子
を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
2 塗布機構 20 スピンチャック 3 回転カップ 4 ドレンカップ 5 塗布液供給部 51 レジスト液供給用のノズル 52 溶剤供給用のノズル 6、7、8 塗布膜除去部 60、80 基体 66、82 溶剤吐出部 68 吸引管 71a 溶剤吐出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−320999(JP,A) 特開 平6−15224(JP,A) 特開 平5−55134(JP,A) 特開 平6−210230(JP,A) 特開 平9−75825(JP,A) 特開 平6−349729(JP,A) 特開 平9−162099(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B05C 11/08 B05D 1/40 G03F 7/16 H01L 21/027

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 角形の基板を水平状態で保持すると共
    に、水平方向に回転可能な基板保持部と、 この基板保持部に保持された基板表面の回転中心部に塗
    布膜を形成するための塗布液を供給するように、当該回
    転中心部の上方に配置されるノズルと、 基板の各角部近傍の位置に前記塗布液を供給するように
    当該各角部近傍の位置の上方に夫々配置されるノズル
    各ノズル毎に塗布液の量を制御する調整部と、 を備え、 前記基板を回転させて、前記回転中心部に供給された塗
    布液を遠心力により基板表面に拡散させると共に、この
    拡散による塗布液の不足領域を、前記角部近傍の位置
    供給された塗布液の拡散により補充し、 前記回転中心部に供給される塗布液の供給量が最も多
    く、前記角部近傍の位置に供給される塗布液の供給量は
    前記不足領域を塗布するために必要な量に設定される
    とを特徴とする塗布膜形成装置。
  2. 【請求項2】 前記角部近傍の位置は、基板の回転中心
    部と基板の角部とを結ぶ線に対して、基板の回転方向前
    方に少し離れた位置であることを特徴とする請求項1記
    載の塗布膜形成装置。
  3. 【請求項3】 基板の一辺に対応する長さに形成され、
    塗布膜の溶剤を基板表面の縁部に吐出するための溶剤吐
    出口を有し、前記基板保持部に保持された基板の縁部に
    対向して位置するように設けられた塗布膜除去部を備
    え、前記表面に塗布膜が形成された基板に溶剤を吹き付
    けることにより、基板の縁部の不要な塗布膜を除去する
    ことを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成装
    置。
  4. 【請求項4】 塗布液供給部は、基板に塗布液を供給す
    る前に溶剤を供給するための溶剤吐出口を有し、この溶
    剤吐出口と塗布膜除去部の溶剤吐出口とは、共通の溶剤
    供給路に連通されていることを特徴とする請求項記載
    の塗布膜形成装置。
  5. 【請求項5】 前記塗布膜除去部は、前記塗布膜の溶剤
    を、基板表面の縁部にほぼ全周に亘って供給するための
    溶剤吐出口を有することを特徴とする請求項3又は4
    載の塗布膜形成装置。
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