JP3277278B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、角形状の被処理
基板に塗布液を塗布する処理装置及び処理方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。

【０００３】例えば、被処理基板である矩形状のＬＣＤ
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
膜すなわち感光膜を塗布形成する。その後、フォトレジ
ストを加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施し
た後、露光装置にて所定のパターンを露光する。そし
て、露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布し
て現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像
処理を完了する。

【０００４】上記のような処理を行う場合、例えば、レ
ジスト膜の形成方法として、角形のＬＣＤ基板（以下に
基板という）を、処理容器内に配設される保持手段例え
ばスピンチャック上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器とスピンチャックを
回転させ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光
性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液
を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部
に向けて放射状に拡散させて塗布する回転カップ式の塗
布膜形成方法が知られている。

【０００５】この塗布処理の際、塗布直後における膜厚
は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくな
った後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板周縁部
でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また、レジ
スト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が
形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に
不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン
等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されず
に残存することになり、その後の基板の搬送工程中にそ
の残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因
となる。

【０００６】そこで、従来では、基板の表面にレジスト
液等を塗布した後、基板の周縁部の不要な塗布膜を除去
する処理が行われている。この塗布膜除去工程によって
塗布膜形成工程の後の基板の周縁部に溶剤等の除去液を
噴射して基板の周縁部の不要な塗布膜を除去することが
できる。

【０００７】また、塗布・現像処理システムに専用の塗
布膜除去装置を組込むことによって、基板の塗布処理と
基板の周縁部の不要塗布膜除去を連続的に行うことがで
きる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布・
現像処理システムに専用の塗布膜除去装置を組込むこと
によって設備が大型となるばかりか、塗布処理及び不要
塗布膜除去処理の他に、基板の塗布機構への搬入、塗布
機構から塗布膜除去機構への搬送及び塗布膜除去機構か
らの搬出するなどの工程を要するために、スループット
の低下を招くという問題があった。

【０００９】また、従来の回転カップ式の塗布膜形成方
法においては、レジスト液が基板の中心位置から周縁部
に向けて拡散していく過程において、レジスト液中の溶
剤が蒸発するため、拡散する方向でレジスト液の粘度が
異なり、中心部と周辺部とでは形成されたレジスト膜の
厚さが異なる。また、基板は、中心位置よりも外周部で
周速がはるかに増加するので、飛散する量も多い。すな
わち、均一な塗布に限界があった。これを解決するため
に、例えば、レジスト液の温度調整あるいはレジスト
膜形成雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ
溶剤を充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する
方法や、レジスト液塗布前にレジスト液の溶剤を基板
表面にて滴下する方法が考えられる。

【００１０】しかし、前者すなわちレジスト液の温度
調整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使
用されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の
溶剤の蒸発を抑制する方法では、レジスト液の使用量が
多くなり、例えば、レジスト液の塗布量の、数％しか実
際のレジスト膜の形成に寄与していない。しかも、レジ
スト液の量が多いため、基板角部裏面への廻り込みが生
じ、基板角部裏面に付着したレジスト液が乾燥し、パー
ティクルの発生原因となるという問題もあった。

【００１１】また、後者すなわちレジスト液塗布前に
レジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基
板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。また、この方法においても、特に基板が矩
形状の角形の場合には、基板全面にレジスト膜を形成す
るには余分にレジスト液を使用しなければならないとい
う不都合があり、上記の方法と同様に基板角部裏面へ
の塗布液の廻り込みが生じ、その後乾燥してパーティク
ルが発生し、歩留まりの低下を招くという問題があっ
た。

【００１２】また、基板が矩形状等の方形状をなしてい
るため、レジスト液等の塗布液を塗布した後に基板を高
速回転して塗布液を振り切る際に、遠心力によって基板
の周辺から外方へ飛散する塗布液が回転する基板の角部
裏面に再付着することがあり、この付着した塗布液が乾
燥して、パーティクルの発生原因となるという問題もあ
った。

【００１３】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板の塗布・現像処理のスループットの向上
及び基板周縁部の不要塗布膜の除去による製品歩留まり
の向上を図り、かつ、装置の小型化を図れるようにした
処理装置及び処理方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、角形の被処理基板の一面を
上に向けて保持して回転する保持手段と、この保持手段
を包囲するカップ状をなす処理容器と、この処理容器の
開口部を閉止する蓋体及び上記被処理基板に塗布液を供
給する塗布液供給手段とを有する塗布機構と、 上記塗
布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲
気領域内に配設され、上記塗布液の塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去
する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理基板の
搬入と上記縁部除去機構からの被処理基板の搬出を行う
第１の搬送機構と、 上記同一雰囲気領域内に配設さ
れ、上記塗布機構から縁部除去機構へ被処理基板を搬送
する第２の搬送機構と、を具備することを特徴とするも
のである（請求項１）。

【００１５】この発明の処理装置において、上記塗布機
構は、上記被処理基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供
給手段を更に有する方が好ましい（請求項２）。

【００１６】また、上記保持手段を水平回転及び垂直移
動可能に形成する方が好ましく（請求項３）、また、上
記処理容器を保持手段と共に回転可能に形成する方が好
ましい（請求項４）。また、上記縁部除去機構を、被処
理基板を保持する載置手段と、被処理基板の辺に沿って
移動すると共に、被処理基板の縁部に除去液を噴射する
ノズルとで構成する方が好ましい（請求項５）。また、
上記縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液を
噴射する補助洗浄ノズルを更に具備する方が好ましい
（請求項６）。また、上記載置手段を水平回転可能に形
成する方が好ましい（請求項７）。

【００１７】また、上記第１の搬送機構又は第２の搬送
機構のうちの少なくとも第２の搬送機構を、被処理基板
の周辺部下面を吸着保持するアームにて形成するか、あ
るいは、上記第１の搬送機構を、被処理基板の周囲を保
持する保持爪を有するアームにて形成し、第２の搬送機
構を、被処理基板の周辺部下面を吸着保持するアームに
て形成する方が好ましい（請求項８，９）。また、上記
第１の搬送機構又は第２の搬送機構のうちの少なくとも
第２の搬送機構を被処理基板の辺部を真空吸着により保
持するアームにて形成し、このアームの基板保持面に、
真空吸引手段に接続する吸引孔を設けると共に、この吸
引孔に連通しアームに対して垂直方向に変位可能なパッ
ド部材を設ける方が好ましい（請求項１０）。

【００１８】一方、この発明の第１の処理方法は、塗布
機構を構成する処理容器内の保持手段上に保持させるべ
く角形の被処理基板を搬入する工程と、 上記被処理基
板に塗布液を供給し、回転させて被処理基板の一面に拡
散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被
処理基板を処理容器内に封入する工程と、 上記蓋体が
閉止された処理容器内の被処理基板を回転させて、塗布
膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被
処理基板を、上記塗布機構の側方に隣接されると共に、
塗布機構と同一雰囲気領域内に配設される縁部除去機構
へ同一雰囲気領域内で搬送する工程と、 上記被処理基
板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する工
程と、 上記縁部除去機構から被処理基板を搬出する工
程と、を有することを特徴とするものである（請求項１
１）。

【００１９】また、この発明の第２の処理方法は、上記
第１の処理方法において、上記被処理基板に塗布液を供
給する前に、上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤を
供給する工程を更に有することを特徴とするものである
（請求項１２）。

【００２０】この発明の処理方法において、上記塗布膜
の膜厚を整える工程において、蓋体が閉止された処理容
器と共に被処理基板を回転させる方が好ましい（請求項
１３）。

【００２１】また、上記塗布膜を除去する工程は、塗布
膜が形成された被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁
部の塗布膜を除去する方法であれば、その除去方法は任
意でよいが、好ましくは塗布膜を除去する工程は、塗布
膜が形成された被処理基板の第１の辺の縁部に除去液を
噴射して塗布膜を除去する第１の除去工程と、被処理基
板の第２の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を
除去する第２の除去工程とを有する方法である方がよい
（請求項１４）。この場合、被処理基板の角部裏面に除
去液を噴射して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補
助除去工程を更に有する方が好ましい（請求項１５）。

【００２２】また、上記被処理基板を塗布機構から縁部
除去機構へ搬送する工程において、上記被処理基板の周
辺部下面を吸着保持しつつ搬送する方が好ましい（請求
項１６）。

【００２３】請求項１，３，４及び１１，１３記載の発
明によれば、塗布機構に搬入された角形の被処理基板の
一面上に処理液を供給し、回転させて、被処理基板の一
面に拡散させ、そして、処理容器に蓋体を閉止して、被
処理基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された
処理容器内の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を
整えることができる。次いで、塗布機構の側方に隣接す
ると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内の縁部除去機構
に搬送された被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部
の塗布膜を除去した後、縁部除去機構から被処理基板を
搬出することができる。

【００２４】請求項２〜４及び１２，１３記載の発明に
よれば、塗布機構に搬入された被処理基板の一面上に処
理液の溶剤を塗布して拡散させた後、被処理基板上に処
理液を供給し、回転させて、被処理基板の一面に拡散さ
せ、そして、処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を
処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処理容器内
の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整えること
で、塗布液の少量化を図ることができる。次いで、縁部
除去機構に搬送された被処理基板の縁部に除去液を噴射
して縁部の塗布膜を除去した後、縁部除去機構から被処
理基板を搬出することができる。

【００２５】また、請求項５，７及び１４記載の発明に
よれば、載置手段によって保持された被処理基板の一辺
の縁部の塗布膜を除去した後、被処理基板の他の辺の縁
部の塗布膜を除去することができる。

【００２６】また、請求項６，７及び１５記載の発明に
よれば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去
液を噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処
理基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去することがで
きる。

【００２７】また、請求項８〜１０，１６記載の発明に
よれば、第１の搬送機構又は第２の搬送機構のうちの少
なくとも第２の搬送機構を、被処理基板の周辺部下面を
吸着保持するアームにて形成するか、あるいは、被処理
基板の辺部を真空吸着により保持するアームにて形成
し、このアームの基板保持面に、真空吸引手段に接続す
る吸引孔を設けると共に、この吸引孔に連通しアームに
対して垂直方向に変位可能なパッド部材を設けることに
より、被処理基板の搬送を確実に行うことができると共
に、搬送時における被処理基板の接触部のパーティクル
の発生や損傷等を抑制することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理
装置を、ＬＣＤ基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明する。

【００２９】この発明に係る処理装置は、図１に示すよ
うに、角形状の被処理基板例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇ
（以下に基板という）の表面に塗布液供給ノズル４２か
ら塗布液例えばレジスト液を供給してレジスト液を塗布
する塗布機構１と、基板Ｇの周縁部に塗布形成された不
要な塗布膜を除去する縁部除去機構２とを側方に隣接し
て例えば一体的に同一雰囲気領域内に配設してなり、塗
布機構１への基板Ｇの搬入及び縁部除去機構２からの基
板Ｇの搬出を行う第１の搬送機構３と、塗布機構１によ
って塗布された基板Ｇを縁部除去機構２に搬送する第２
の搬送機構４とを具備してなる。

【００３０】上記塗布機構１は、図２に示すように、基
板Ｇを水平状態に真空によって吸着保持する保持手段例
えばスピンチャック１０と、このスピンチャック１０の
上部及び外周部を包囲する処理室１１を有する上方部が
開口したカップ状の処理容器１２（以下に回転カップと
いう）と、回転カップ１２の開口部１２ａに閉止可能に
被着（着脱）される蓋体１６と、この蓋体１６の下方に
水平状に垂設され基板Ｇの外周縁より外方へ突出する平
板状の整流板１３と、処理容器１２の外周側を包囲する
上方が開口したカップ状の固定容器１４（以下にドレン
カップという）と、このドレンカップ１４の開口部に閉
止可能に被着（着脱）される固定蓋体１５と、蓋体１６
と固定蓋体１５を閉止位置と待機位置に移動するロボッ
トアーム２０と、スピンチャック１０と回転カップ１２
を回転する駆動モータ２１と、上記スピンチャック１０
の上方位置に移動可能に構成される溶剤例えば塗布液の
溶剤（溶媒）Ａの供給ノズル４０（溶剤供給手段）と塗
布液例えばレジスト液Ｂの供給ノズル４２（塗布液供給
手段）とを近接させて一体に取り付けた噴頭３９と、こ
の噴頭３９を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で
移動させる移動手段であるノズル移動機構３７とを有す
る。

【００３１】この場合、ノズル４０，４２からの溶剤供
給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる
溶剤Ａ及びレジスト液Ｂを予め設定された温度（例えば
２３℃）に設定するための温度調整液Ｃを循環供給する
温度調整機構４５が設けられている。また、上記スピン
チャック１０の下方近傍位置にはスピンチャック１０と
の間にベアリング３４ａを介してスピンチャック１０と
共に昇降可能な取付部材３４が取り付けられており、こ
の取付部材３４に、回転カップ１２の洗浄ノズル３５
（容器洗浄手段）と、不活性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガ
スの供給ノズル３６（不活性ガス供給手段）が取り付け
られている。

【００３２】上記スピンチャック１０は例えばポリエー
テル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）製の耐熱性を有す
る合成樹脂製部材にて形成され、予め設定されたプログ
ラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆動モータ
２１の駆動によって回転される回転軸２２を介して水平
方向に回転（自転）可能になっており、また回転軸２２
に連結される昇降シリンダ２３の駆動によって上下（垂
直）方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸２２は、固定カラー２４の内周面にベアリング２５
ａを介して回転可能に装着される回転内筒２６ａの内周
面に嵌着されるスプライン軸受２７に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受２７には従動プーリ２８ａが
装着されており、従動プーリ２８ａには駆動モータ２１
の駆動軸２１ａに装着された駆動プーリ２１ｂとの間に
ベルト２９ａが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ２１の駆動によってベルト２９ａを介して回転軸２
２が回転してスピンチャック１０が回転される。また、
回転軸２２の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸２２はバキュームシール部３
０を介して昇降シリンダ２３に連結され、昇降シリンダ
２３の駆動によって回転軸２２が上下方向に移動し得る
ように構成されている。

【００３３】上記回転カップ１２は例えばステンレス鋼
製部材にて形成され、上記固定カラー２４の外周面にベ
アリング２５ｂを介して装着される回転外筒２６ｂの上
端部に固定される連結筒３１を介して取付けられてお
り、回転カップ１２の底部１２ｂとスピンチャック１０
の下面との間にはシール用のＯリング３２が介在されて
スピンチャック１０が下降してＯリング３２と当接した
状態で気密が保持されるようになっている。また、回転
外筒２６ｂに装着される従動プーリ２８ｂと上記駆動モ
ータ２１に装着される駆動プーリ２１ｂに掛け渡される
ベルト２９ｂによって駆動モータ２１からの駆動が回転
カップ１２に伝達されて回転カップ１２が回転されるよ
うに構成されている。この場合、従動プーリ２８ｂの直
径は上記回転軸２２に装着された従動プーリ２８ａの直
径と同一に形成され、同一の駆動モータ２１にベルト２
９ａ，２９ｂが掛け渡されているので、回転カップ１２
とスピンチャック１０は同一回転する。なお、固定カラ
ー２４と回転内筒２６ａ及び回転外筒２６ｂとの対向面
にはラビリンスシール部３３が形成されて回転処理時に
下部の駆動系から回転カップ１２内にごみが進入するの
を防止している（図３参照）。

【００３４】また、回転カップ１２は、側壁１２ｃの内
面が上側に向って縮径されたテーパ面１２ｅを形成して
なり、下部周辺部すなわち側壁１２ｃの下部側の周方向
の適宜位置には複数の排気孔１２ｄが穿設されている。

【００３５】回転カップ１２の開口１２ａを閉止する蓋
体１６の周辺下面には、回転カップ１２との金属同士の
接触を避けるために例えばデルリン（商品名）製の当接
リング１６ａが固着されており、また、蓋体１６の中央
部にはベアリング１６ｂを介して上記ロボットアーム２
０にて支持される支持円柱１９が取り付けられ、支持円
柱１６の中央に空気導入口１６ｃが設けられている。

【００３６】このように蓋体１６に空気導入口１６ｃを
設け、回転カップ１２に排気孔１２ｄを設けて排気する
ことにより、回転カップ１２の回転時に処理室１１内が
負圧となって空気導入口１６ｃから回転カップ１２内に
空気が流れ、この空気が整流板１３によって回転カップ
１２の内側壁に沿って排気孔１２ｄから排出されるの
で、飛散したレジスト液のミストがこの空気の流れによ
って排出されるため基板Ｇに再付着するのを防止するこ
とができ、かつ、回転カップ１２の回転時に処理室１１
内が過剰な負圧になるのを防止することができる。

【００３７】一方、上記ドレンカップ１４の底部の外周
側には複数の排液口１４ａが同心円上に設けられ、この
排液口１４ａの内周側の適宜箇所（例えば周方向の４箇
所）には図示しない排気装置に接続する排気口１４ｂが
設けられている。この場合、排液口１４ａは基板Ｇ及び
回転カップ１２の回転方向（例えば時計方向）の接線方
向に開口されている。例えば、底部１２ｂに対して排液
口１４ａ内部の空間部の中心軸線が直角より小さい角度
で傾斜しているように形成されている。このように排液
口１４ａを基板Ｇ及び回転カップ１２の回転方向の接線
方向に設けた理由は、基板Ｇ及び回転カップ１２の回転
に伴って飛散されるレジスト液のミストを速やかに外部
に排出するようにしたためである。

【００３８】また、固定蓋体１５は支持円柱１９に支持
されるステンレス鋼製部材にて形成されており、この固
定蓋体１５の外周下面には、ドレンカップ１４との金属
同士の接触を避けるためにデルリン（商品名）製のリン
グ状の当接部材１５ａが固着されている。また、固定蓋
体１５の中心側の同心円上には複数の空気供給孔１５ｂ
が設けられている。

【００３９】このように、固定蓋体１５の中心側の同心
円上に複数の空気供給孔１５ｂを設け、ドレンカップ１
４の底部に排気口１４ｂを設けることにより、回転カッ
プ１２の回転時に空気供給孔１５ｂからドレンカップ１
４内に流れた空気が回転カップ１２の外側壁に沿って流
れるので、回転処理時に処理室１１内で遠心力により飛
散し排気孔１２ｄを通ってドレンカップ１４内に流れ込
んだミストが回転カップ１２の上部側へ舞い上がるのを
防止して、排気口１４ｂから外部に排出することができ
る。

【００４０】上記蓋体１６は回転処理時には回転カップ
１２の開口部１２ａに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図４に示すように当接リング１６ａの
下面に嵌合凹所１７ｂを設け、この嵌合凹所１７ｂを回
転カップ１２の上部に突出する固定ピン１７ａに嵌合さ
せて蓋体１６を回転カップ１２に固定している。この場
合、固定ピン１７ａの頂部を球面状に形成することによ
り、嵌合凹所１７ｂとの接触によって発生するごみを少
なくしている。なお、固定ピン１７ａは必ずしも回転カ
ップ側に突出する必要はなく、蓋体側に固定ピン１７ａ
を突出させ、回転カップ側に嵌合凹所１７ｂを設けても
よい。また、嵌合凹所１７ｂ内、固定ピン１７ａの周辺
を図示しない吸引手段に接続させて固定ピン１７ａと嵌
合凹所１７ｂとの接触によって発生するごみを外部に排
出させるようにしてもよい。

【００４１】上記蓋体１６を開閉する場合には、図２に
想像線で示すように、蓋体１６の上面に突設された膨隆
頭部１８の下にロボットアーム２０を挿入し、膨隆頭部
１８に設けられた係止溝１８ａにロボットアーム２０か
ら突出する係止ピン２０ａを係合させた後、ロボットア
ーム２０を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体１６を開放するときの膨隆頭部１８の係
止溝１８ａとロボットアーム２０の係止ピン２０ａとの
位置合せ、及び蓋体１６を閉じるときの固定ピン１７ａ
と嵌合凹所１７ｂの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ２１の回転角を制御することによっ
て行うことができる。

【００４２】上記実施例では、蓋体１６と回転カップ１
２との固定を固定ピン１７ａと嵌合凹所１７ｂの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体１６
を回転カップ１２に固定すれば、蓋体１６の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体１６のガタツキ等を防止す
ることができる。なお、上記固定蓋体１５は蓋体１６を
回転自在に支持する支持円柱１９に固定されているの
で、蓋体１６の開閉移動に伴って上下移動してドレンカ
ップ１４の開口部を開閉することができる。

【００４３】また、上記Ｎ₂ガス供給ノズル３６は、ド
ーナツ状の中空円環状のパイプの外周面に適宜間隔をお
いて多数の小孔を穿設してなる環状ノズルにて形成され
ている。このように構成されるＮ₂ガス供給ノズル３６
は、上記スピンチャツク１０と共に昇降する取付部材３
４に取り付けられ、固定カラー２４を貫通するＮ₂ガス
供給チューブ３６ｃを介して図示しないＮ₂ガス供給源
に接続されている。そして、回転処理後のスピンチャッ
ク１０の上昇と共に上昇して回転カップ１２の処理室１
１内に位置（露呈）した際に、Ｎ₂ガス供給源から供給
されるＮ₂ガスを処理室１１内に放射状に噴射して、処
理室１１内をＮ₂パージすると共に、処理室１１内の負
圧（減圧）状態を解除して、以後の蓋体１６の開放を容
易に行えるようにしてある。

【００４４】また、上記Ｎ₂ガス供給ノズル３６と共に
取付部材３４に取り付けられる洗浄ノズル３５は、図３
に示すように、回転カップ１２の底面に向って傾斜する
底面洗浄ノズル体３５ａと、回転カップ１２の内側面に
向って水平状に突出する側面洗浄ノズル体３５ｂと、蓋
体１６の下面に向って傾斜する蓋体洗浄ノズル体３５ｃ
とで構成されている。これら、ノズル体３５ａ〜３５ｃ
は、固定カラー２４を貫通する洗浄液供給チューブ３６
ｄを介して図示しない洗浄液供給源に接続されている。
この洗浄ノズル３５によって回転カップ１２の洗浄を行
う場合には、まず、回転処理後にスピンチャック１０の
上昇と共に上昇して各ノズル体３５ａ〜３５ｃを回転カ
ップ１２の処理室１１内に位置（露呈）させ、次に、洗
浄液供給源から供給される洗浄液を各ノズル体３５ａ〜
３５ｃから回転する回転カップ１２の底面、内側面及び
蓋体１６の下面（具体的には、蓋体１６と回転カップ１
２の当接部及びその付近の蓋体下面）に向って噴射させ
て、回転カップ１２及び蓋体１６に付着するレジスト液
やパーティクル等を洗浄し除去することができる。この
洗浄処理は所定枚数の基板Ｇの処理を行った後、定期的
に行えばよい。

【００４５】一方、上記溶剤供給ノズル４０は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ４１ａと開閉バルブ４１ｂを
介して溶剤タンク４１ｃに接続されており、溶剤タンク
４１ｃ内に供給される窒素（Ｎ₂ ）ガスの加圧を制御す
ることによって溶剤タンク４１ｃ内の溶剤Ａが基板Ｇ上
に所定時間中所定量の溶剤Ａの供給が可能となってい
る。

【００４６】レジスト液供給ノズル４２は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ４４ａを介してレ
ジスト液Ｂを収容するレジスト液タンク４４ｂに連通さ
れている。このチューブ４４ａには、サックバックバル
ブ４４ｃ、エアーオペレーションバルブ４４ｄ、レジス
ト液Ｂ中の気泡を分離除去するための気泡除去機構４４
ｅ、フィルタ４４ｆ及びベローズポンプ４４ｇが順次設
けられている。このベローズポンプ４４ｇは、駆動部に
より制御された状態で伸縮可能となっており、所定量の
レジスト液Ｂをレジスト液供給ノズル４２を介して基板
Ｇの中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来の
レジスト液Ｂの供給量より少量のレジスト液Ｂの供給量
制御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズ
ポンプの一端に吸着されたねじと、このねじにボールを
介して螺合されるナットとからなるボールねじ４４ｈ
と、このナットを回転させることによりねじを直線動さ
せるステッピングモータ４４ｉとにより構成されてい
る。

【００４７】レジスト液供給ノズル４２の口径は、具体
的には、５００×６００ｍｍの基板用の場合には、内径
がφ０．５〜φ５ｍｍ、好ましくはφ３ｍｍに設定され
ている。このように、ノズルの径を基板の寸法に応じて
設定することにより、なるべく少量のレジスト液Ｂをな
るべく長い時間をかけて供給できるようになっている。
供給時間が短いと膜厚の均一性が良くなく、また長すぎ
るとレジスト液が基板の周縁部までいかなくなる。ここ
でなるべく少量とは、上記ノズルの口径そしてレジスト
液供給圧力に依存する。

【００４８】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ４４
ｇのステッピングモータ４４ｉの駆動時間によって制御
（制御精度：±２ｍｓｅｃ）されるようになっている。
また、レジスト液の吐出量はベローズポンプ４４ｇの駆
動動作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液
供給路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ４
４ｄの開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）によって設定され
るようになっている。上記ベローズポンプ４４ｇの駆動
時間の設定及びエアーオペレーションバルブ４４ｄのＯ
Ｎ−ＯＦＦ動作は、予め設定されたプログラムに基いて
コンピュータの作用で自動的に制御される。

【００４９】レジスト液Ｂの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル４２に設けた可変オリフィス（図示せず）
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ４４ｇを用いずにレジスト液タンク４４ｂへ
のＮ₂ ガスの加圧によってレジスト液Ｂの供給を行うこ
とも可能であり、この場合のレジスト液Ｂの吐出時間制
御はＮ₂ ガスの加圧量の調整によって行うことができ
る。

【００５０】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ４４ｃは、レジスト液供給ノズル４２から
のレジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル４２先端内
壁部に表面張力によって残留しているレジスト液Ｂをレ
ジスト液供給ノズル４２内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Ｂを吐出す
るレジスト液供給ノズル４２において、通常通りサック
バックバルブ４４ｃの負圧作用によってレジスト液Ｂを
レジスト液供給ノズル４２内に引き戻すと、ノズル４２
先端付近の空気も一緒にノズル４２内に巻き込まれてし
まい、ノズル４２先端に付着したレジスト液Ｂの残滓が
ノズル４２内に入り、ノズル４２の目詰まりを起こすば
かりか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Ｇ
が汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞
れがある。

【００５１】この問題を解決するために、図５（ａ）に
示すように、レジスト液供給ノズル４２のノズル孔４２
ａに比較して、開口部近くの部分の肉厚４２ｂを厚くし
ている。すなわち、このノズル４２は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図５（ｂ）に示すように、レジスト液供
給ノズル４２の筒状の先端部又は開口部に外フランジ４
２ｃを設けることにより、サックバックの際にノズル４
２先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図５（ｃ）に示すように、レジスト液供給ノズル
４２の垂直に延びた円筒状の先端に横Ｓ字状に延びた細
径の屈曲部４２ｄを形成し、この屈曲部４２ｄの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。

【００５２】上記温度調整機構４５（温度調整手段）
は、図６に示すように、溶剤供給チューブ４１ａ及びレ
ジスト供給チューブ４４ａの外周をそれぞれ包囲するよ
うに設けられる温度調整液供給路４６ａと、この温度調
整液供給路４６ａの両側の端部に両端がそれぞれ接続さ
れた循環路４６ｂと、循環路４６ｂのそれぞれに設けら
れた循環ポンプ４６ｃと、循環路４６ｂの途中に接続さ
れた温度調整液Ｃ（例えば恒温水）を一定温度に維持す
るサーモモジュール４６ｄとにより構成されている。こ
のように構成された温度調整機構４５により、溶剤供給
チューブ４１ａ内を流れる溶剤Ａとレジスト供給チュー
ブ４４ａ内を流れるレジスト液Ｂを所定温度（例えば、
約２３℃）に維持することができる。

【００５３】図６上では、溶剤供給ノズル４０と溶剤供
給チューブ４１ａとが、また、レジスト液供給ノズル４
２とレジスト液供給チューブ４４ａとが、それぞれ一体
に形成されているが、図７を参照して以下に詳述するよ
うに、別体として形成することも好ましい。

【００５４】上記噴頭３９は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭３９の上面には迂回通路４７ａの一部をなすＵ字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭３９の下
面まで延出した垂直貫通孔４７ｂが形成されている。各
貫通孔４７ｂは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部４７ｃと、大径の下部４７ｄとを有し、この下部４
７ｄの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭３９に、ノズル４０，４２を装着する場合に
は、貫通孔４７ｂ中に、円筒状のノズル４０，４２をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
４０，４２が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材４７ｆを傾斜中部４７ｃ
に詰め、ノズル４０，４２が貫通可能な垂直貫通孔を有
する取付けねじ部材４７ｇをねじ付け下部４７ｄ中に捩
じ込むことにより、シール部材４７ｆを傾斜中部４７ｃ
の傾斜内周面に押圧させている。このようにして、ノズ
ル４０，４２は噴頭３９に液密に装着されている。この
場合、傾斜中部４７ｃの上端とシール部材４７ｆの上面
との間に図示のようにＯリング４７ｈを介在させること
により、迂回通路４７ａとノズル４０，４２との間の水
密維持を更に確実にすることができる。

【００５５】上記噴頭３９は、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）
の回転及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能な移動アーム
３７ａの先端に装着されている。移動アーム３７ａは、
図１に示すように、ドレンカップ１４の外側方に配設さ
れ、図示しないステッピングモータ等の駆動手段によっ
て溶剤供給ノズル４０及びレジスト液供給ノズル４２を
それぞれ基板Ｇの中心部上方の作動位置とノズル待機部
３８上方の待機位置との間に選択的に移動されるように
なっている。すなわち、待機位置から溶剤供給ノズル４
０が基板Ｇの中心位置へ移動され、所定時間経過後、次
にレジスト液供給ノズル４２が基板Ｇの中心位置へ移動
された後、両ノズル４０，４２は待機部３８へ移動され
るようになっている。上記噴頭３９すなわち溶剤供給ノ
ズル４０及びレジスト液供給ノズル４２の移動機構は必
しも上述の回転する移動アーム３７ａによる必要はな
く、例えばリニア式のスキャン機構を用いてもよい。

【００５６】なお、上記実施形態においては、溶剤供給
ノズル４０を噴頭３９にレジスト液供給ノズル４２と一
体的に備えた構成について説明したが、これに限定され
るものではなく、リンス液供給ノズルを有する噴頭と一
体的に設けて溶剤を供給してもよい。あるいは、例えば
レジスト液供給ノズル４２の外周にこれと同軸的に溶剤
供給ノズル４０を配置するなど適宜変更することができ
る。

【００５７】なお、上記実施形態では、回転カップ１２
の蓋体１６をロボットアーム２０で移動させて開放し、
溶剤Ａの供給ノズル４０，レジスト液Ｂの供給ノズル４
２などを、移動機構３７で基板Ｇの中心部上方に移動し
て、溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下する構成について説明
したが、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉
止した状態で滴下するように構成してもよい。例えば、
図８に示すように、蓋体１６の膨隆頭部１８部分を中空
状に形成し、また、この上端部を蓋１８Ａで閉止可能に
構成する。そして、蓋１８Ａを開け、移動機構３７によ
り上記ノズルを膨隆頭部１８の中空上方すなわち基板Ｇ
の中心部上方に移動させ、溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下
するようにしてもよい。また、図９に示すように、膨隆
頭部１８の内側にノズル取付部材１８Ｂをベアリング１
８Ｃなどにより、蓋体１６を回転可能に取付ける。そし
て、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉止し
た状態で、ノズル取付部材１８Ｂに取着したノズル４
０，４２から溶剤Ａ，レジスト液Ｂを基板Ｇの中心部に
滴下するように構成してもよい。

【００５８】上記したように、蓋体１６で開口部１２ａ
を閉止した状態で溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下すること
により、移動機構３７による移動式に比べて処理スルー
プットの短縮化、密閉状態下での溶剤Ａの滴下から塗布
処理終了までの処理プロセスを実現することが可能とな
る。例えば、溶剤Ａの供給後、レジスト液Ｂを供給しな
がら回転カップ１２を回転し、次にレジスト液Ｂの供給
を停止して、回転カップ１２を回転するというようなプ
ロセスも実現できる。

【００５９】また、上記実施形態では、溶剤供給ノズル
４０から基板Ｇの中心に溶剤Ａを滴下した後、レジスト
液Ｂを基板Ｇ上に滴下してレジスト膜を形成する場合に
ついて説明したが、溶剤とフォトレジストとからなるレ
ジスト液を使用する場合には、溶剤供給ノズルを用いず
にレジスト液供給ノズルからレジスト液Ｂを基板Ｇ上に
滴下させてレジスト液Ｂ自身の溶剤を利用してレジスト
膜を形成する塗布機構１を用いることも可能である。

【００６０】一方、上記縁部除去機構２は、図１及び図
１２示すように、図示しない真空装置によって基板Ｇを
吸着保持すると共に水平方向に９０度以上回転可能な載
置手段である載置台５０と、この載置台５０によって保
持される基板Ｇの対向する２辺の縁部の上下面にレジス
トの除去液例えばレジストの溶剤を噴射する一対の除去
ノズル５１とで主要部が構成されている。

【００６１】上記載置台５０は、図示しないモータ等の
回転機構と昇降シリンダやボールねじ等の昇降機構を具
備する駆動装置５２によって水平方向に９０度以上回転
すると共に、昇降可能に構成されている。このように構
成される載置台５０は、昇降によって基板Ｇの受渡し位
置及び塗布膜の除去処理位置と、待機位置とに切換えら
れ、水平方向に９０度回転することによって基板Ｇの２
組の対向する２辺を除去ノズル５１側に切換え移動する
ことができる。

【００６２】上記除去ノズル５１は、図１３及び図１４
に示すように、基板Ｇの縁部の上下両面及び側面を覆う
断面略コ字状の噴頭５３の上部水平片５３ａと下部水平
片５３ｂにそれぞれ設けられた表面のレジスト除去用の
溶剤供給路５３ｃと裏面のレジスト除去用の溶剤供給路
５３ｄに接続する注射針のように細い針状の表面洗浄用
のノズル５１ａと裏面洗浄用のノズル５１ｂにて形成さ
れている。この場合、ノズル５１ａは噴口を下方に向け
て垂下され、ノズル５１ｂは噴口を上部に向けて垂設さ
れ、そして、ノズル５１ａの噴口とノズル５１ｂの噴口
は噴射された除去液が各ノズルの近傍で互いに干渉しな
い位置にずらして配設されている。このようにノズル５
１ａの噴口とノズル５１ｂの噴口をずらして設ける理由
は、ノズル５１ａ，５１ｂから噴射される溶剤がノズル
近傍で衝突すると、この衝突によって飛散される溶剤が
基板Ｇの表面部のレジスト膜に付着してレジスト膜の膜
厚を不均一にするなどの悪影響を及ぼすのを防止するた
めである。

【００６３】なお、除去ノズル５１の噴頭５３内部のノ
ズル側の垂直部５３ｅには排気口５３ｆが設けられ、こ
の排気口５３ｆに図示しない排気装置に接続する排気管
５４が接続されており、除去ノズル５１から噴射されて
レジスト膜の除去に供された溶剤が排気管５４を介して
外部に排出されるようになっている。

【００６４】上記実施形態では、ノズル５１ａを直状に
垂下した場合について説明したが、必ずしもこのような
形状とする必要はなく、図１３に想像線で示すように、
ノズル５１ａの噴口を基板Ｇの内方から外方側に向けて
傾斜状に折曲してもよい。このように折曲させることに
より、ノズル５１ａから噴射された除去液は基板Ｇの周
辺方向に向うので、中心側のレジスト膜に付着するのを
防止することもできる。また、同様にノズル５１ｂの噴
口を基板Ｇの内方から外方側に向けて傾斜状に折曲して
もよい。

【００６５】また、上記のように構成される一対の除去
ノズル５１は、図１２に示すように、位置調整機構５５
によって基板Ｇの対向する第１の辺例えば長辺側及び第
２の辺例えば短辺側の２辺に位置調整可能に配置され、
上下移動機構５６によって基板Ｇの縁部のレジスト膜除
去位置と待機位置とに上下移動されると共に、左右移動
機構５７によって基板Ｇの縁部に沿って移動し得るよう
に構成されている。この場合、除去ノズル５１を移動方
向に複数対適宜間隔を開けて設けることも可能であり、
更に除去性能の向上を図ることができる。

【００６６】この場合、上記位置調整機構５５は、対向
する一方の除去ノズル５１の噴頭５３に取付部材５８ａ
を介して連結するシリンダ体５９ａと、このシリンダ体
５９ａに摺動自在に装着され、他方の除去ノズル５１の
噴頭５３に取付部材５８ｂを介して連結される伸縮ロッ
ド５９ｂとからなるエアーシリンダ５９と、このエアー
シリンダ５９の伸縮ロッド５９ｂが伸長した際に両取付
部材５８ａ，５８ｂが衝突して除去ノズル５１の基板Ｇ
長辺側の除去位置を位置決めする外側ストッパ６０ａ
と、エアーシリンダ５９の伸縮ロッド５９ｂが収縮した
際に両取付部材５８ａ，５８ｂが衝突して除去ノズル５
１の基板Ｇ短辺側の除去位置を位置決めする内側ストッ
パ６０ｂとで構成されている。なお、両除去ノズル５１
はエアーシリンダ５９のシリンダ体５９ａを取付ける支
持部材６１によって支持されている。

【００６７】また、上下移動機構５６は、支持部材６１
の一端の下面側に取付けられ、後述する水平方向（Ｙ方
向）に移動可能な走行板６２に設けられた昇降用ガイド
レール６３に沿って昇降可能な昇降部材６４と、この昇
降部材６４に取付けられるシリンダ体６５ａと、このシ
リンダ体６５ａに摺動可能に装着され、走行板６２に取
付けられる伸縮ロッド６５ｂとで構成されている。ま
た、ベース板６６から起立された起立壁６７の側面に水
平に配設された互いに平行な上下２本の走行用ガイドレ
ール６８に上記走行板６２を走行可能に取付け、起立壁
６７に装着されたプーリ６９と図示しない駆動モータの
駆動軸に装着される駆動プーリ（図示せず）に掛け渡さ
れるタイミングベルト６９ａを走行板６２に締結して上
記左右移動機構５７が構成されている。

【００６８】また、載置台５０の下部には、基板Ｇの角
部裏面に付着するレジスト膜を除去するための補助洗浄
ノズル５１Ａが配設されている（図１２参照）。この補
助洗浄ノズル５１Ａは、図１５に示すように、載置台５
０の対角線位置に１個ずつ支持部材４ａによって噴射方
向が調節可能に取付けられており、この補助洗浄ノズル
５１Ａと溶剤としてのシンナーＴを収容するタンク４ｂ
が溶剤供給チューブ４ｃを介して接続されている。な
お、補助洗浄ノズル５１Ａから基板Ｇの角部裏面に付着
したレジスト膜を除去するには、例えば窒素（Ｎ₂）ガ
ス供給源４ｄからタンク４ｂ内に圧送用ガスを供給する
と共に、溶剤供給チューブ４ｃに介設されたバルブ４ｅ
を開放して、補助洗浄ノズル５１ＡからシンナーＴを基
板Ｇの角部裏面に向って噴射する。なおこの場合、図１
５に想像線で示すように、溶剤供給チューブ４ｃに三方
切換バルブ４ｆを介してタンク４ｂとＮ₂ガス供給源４
ｄとを接続することにより、補助洗浄ノズル５１Ａから
溶剤を噴射して基板Ｇの角部裏面に付着するレジスト膜
を除去した後、三方切換バルブ４ｆを切り換えて補助洗
浄ノズル５１ＡからＮ₂ガスを噴射（供給）して角部裏
面の乾燥を促進させることができる。

【００６９】この場合、基板Ｇが矩形状（例えば長方
形）のときは、図１６（ａ）に示すように、スピンチャ
ック１０の回転によって基板Ｇの表面に塗布されたレジ
スト液を振り切る際、遠心力によって基板Ｇの長辺側に
付着したレジスト液は基板Ｇの外方に飛散されるが、基
板Ｇの短辺側に付着したレジスト液は基板Ｇの辺部から
外方に飛散された後、隣接する角部に衝突して、基板Ｇ
の対角位置の角部裏面に再付着する。この付着量は基板
Ｇの回転速度が速い程、また基板Ｇの寸法が大きい程、
短辺と長辺の比率が大きい程、また、塗布されたレジス
ト液の量が多い程多くなる。したがって、レジスト液が
付着する基板Ｇの対角位置の角部に対応する載置台５０
の対角位置の下部側に補助洗浄ノズル５１Ａを配設して
おけば、補助洗浄ノズル５１Ａから噴射されるシンナー
によって基板Ｇの角部裏面に付着したレジスト膜を容易
に除去することができる。

【００７０】なお、基板Ｇの形状が正方形の場合には、
長方形の場合と比較して、もともと再付着量は減少する
が、図１６（ｂ）に示すように、スピンチャック１０の
回転によって基板Ｇの表面に塗布されたレジスト液を振
り切る際、基板Ｇの各辺部から飛散されるレジスト液が
隣接する各角部裏面に再付着し除去が必要とされる場合
には、載置台５０の各角部下部側にそれぞれ補助洗浄ノ
ズル５１Ａを合計４個配設しておけばよい。

【００７１】上記補助洗浄ノズル５１Ａを設ける代わり
に、上述した除去ノズル５１を改良した構造のものを用
いることもできる。すなわち、図１７（ａ）に示すよう
に、除去ノズル５１の噴頭５３の下部水平辺５３ｂを外
方（基板Ｇ側）に延長させ、そして、裏面洗浄ノズル５
１ｂの外側に適宜間隔をおいて針状の第１ないし第４の
補助洗浄ノズル５１ｃ，５１ｄ，５１ｅ，５１ｆを起立
状に延在させて、除去ノズル５１が基板Ｇの角部に位置
したときに、表面洗浄ノズル５１ａ及び裏面洗浄ノズル
５１ｂと第１ないし第４の補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１
ｆから溶剤例えばシンナーを噴射して基板Ｇの角部の表
裏面に付着したレジスト膜を除去する。除去ノズル５１
が基板Ｇの各辺の角部を外れた中央部を移動するとき
は、第１ないし第４の補助ノズル５１ｃ〜５１ｆからの
シンナーの噴射を停止して、ノズル５１ａと５１ｂから
のみシンナーを噴射して基板Ｇの縁部両面に付着するレ
ジスト膜を除去する。

【００７２】なお、裏面洗浄ノズル５１ｂの溶剤供給路
５３ｂとは別に補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆの溶剤供
給路５３ｃが設けられている。また、溶剤供給路５３ｃ
の各補助洗浄ノズル間にそれぞれバルブ（図示せず）を
介設して、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆを順次開放あ
るいは閉鎖させて補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴
射される溶剤を徐々に増加あるいは減少させることもで
きる。

【００７３】上記のように構成される補助洗浄ノズル５
１ｃ〜５１ｆは裏面洗浄ノズル５１ｂの外方側（基板Ｇ
側）に配設されていれば、その配設位置は任意でよい
が、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴射された溶剤
が噴水状に噴射されて周囲に飛散する虞れがあるので、
図１８に示すように、上記噴頭５３を、表面洗浄ノズル
５１ａと裏面洗浄ノズル５１ｂを配設した断面略コ字状
の噴頭本体５３Ａと、この噴頭本体５３Ａの側面に連な
りかつ噴頭本体５３Ａより外方側へ突出する断面略コ字
状の補助噴頭５３Ｂとで構成し、補助噴頭５３Ｂの下部
水平片５３ｇに補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆを配設し
て、補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆから噴射された溶剤
を補助噴頭５３Ｂの上部水平片５３ｈで受け止めるよう
にする方が好ましい。なお、補助噴頭５３Ｂの上部及び
下部水平片５３ｇ，５３ｈの対向面を断面円弧状面とす
ることにより、噴射された溶剤の周囲の飛散を更に確実
に防止することができる。

【００７４】一方、上記塗布機構１から縁部除去機構２
へ基板Ｇを搬送する第２の搬送機構４は、図１０に示す
ように、基板Ｇの対向する２辺の周辺部下面を吸着保持
する一対の搬送アーム７０を具備し、これら搬送アーム
７０は、リニアガイド７１によってガイドされ、タンミ
ングベルト７２、プーリ７３、シャフト７４によって伝
達されるアーム駆動モータ７５の駆動力によって図示矢
印Ｘ方向に移動可能に構成されている。この場合、搬送
アーム７０とタイミングベルト７２とは、締結部材７６
によって締結されている。また、アーム駆動モータ７５
は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）等にて形成された制御
装置７７によって制御され、所望により搬送方向に往復
運動を繰り返して、所定時間基板Ｇの塗布処理、塗布膜
除去処理を実施することができるように構成されてい
る。

【００７５】また、上記搬送アーム７０の基板保持面に
は、図１１に示すように、吸引通路７０ｂを介して図示
しない真空吸引手段に接続する吸引孔７０ａが設けられ
ており、この吸引孔７０ａに連通する吸引孔を有するパ
ッド部材７０ｃが搬送アーム７０に対して垂直方向に変
位可能に設けられている。この場合、パッド部材７０ｃ
は、内向きフランジ７０ｄを有する逆冠形の耐蝕性を有
する例えばデルリン（商品名）製の部材にて形成されて
いる。そして、搬送アーム７０の吸引孔７０ａの周囲に
押えねじ７０ｅによって立設固定される可撓性を有する
合成ゴム製の筒状のリップシール７０ｆの上端に拡開状
に突出する係止部７０ｇに内向きフランジ７０ｄを係合
して垂直方向に変位可能に取付けられる。このように取
付けられるパッド部材７０ｃは各搬送アーム７０にそれ
ぞれ２個ずつ設けられており、基板Ｇを搬送する際、リ
ップシール７０ｆが弾性変形することによりパッド部材
７０ｃが垂直方向に変形すなわち基板Ｇの平面に追従し
て基板Ｇの姿勢を水平状態に保持したまま搬送すること
ができるようになっている。また、基板Ｇを受取る際の
衝撃をリップシール７０ｆの弾性変形によって吸収する
ことができるので、基板Ｇの損傷等を防止することがで
きる。なお、この場合、パッド部材７０ｃを２個設けて
いるが、１個あるいは３個等任意の数設けてもよい。

【００７６】また、上記塗布機構１への基板Ｇの搬入、
縁部除去機構２からの基板Ｇの搬出を行う第１の搬送機
構３は、図２１及び図２２に示すように、メインアーム
８０にて形成されている。この場合、メインアーム８０
は、上下２段のコ字状アーム体８１ａ，８１ｂがそれぞ
れ独立して水平方向に進退移動可能な二重構造となっい
てる。すなわち、対向して配置される外側リニアガイド
８２に沿って摺動可能な一対の外側フレーム８３によっ
て上部アーム体８１ａの両側を支持し、第１の駆動モー
タ８４に伝達プーリ８５ａを介して駆動される外側プー
リ８５に掛け渡されるタイミングベルト（図示せず）と
外側フレーム８３とを締結して、第１の駆動モータ８４
の正逆回転によって上部アーム体８１ａを進退移動可能
に構成し、また、外側リニアガイド８２の内側に配設さ
れる一対の内側リニアガイド８６に沿って移動可能な内
側フレーム８７にて下部アーム体８１ｂを支持し、第２
の駆動モータ８８に伝達プーリ８９ａを介して駆動され
る内側プーリ８９に掛け渡されるタイミングベルト（図
示せず）と内側フレーム８７とを締結して、第２の駆動
モータ８８の正逆回転によって下部アーム体８１ｂを進
退移動可能に構成してある。

【００７７】このように構成されるメインアーム８０
は、図１に示すように水平のＸ，Ｙ方向及び回転（θ）
可能に形成されると共に、垂直方向（Ｚ方向）に移動可
能に形成されている。なお、上記アーム体８１ａ，８１
ｂには基板Ｇの周囲を保持する保持爪８１ｃが立設され
ている（図２１参照）。また、メインアーム８０のアー
ム体８１ａ，８１ｂ上に載置される基板Ｇの有無はセン
サ１５０によって検出できるように構成されている（図
２２参照）。なお、この場合、アーム体８１ａ，８１ｂ
に保持爪８１ｃを設ける代わりに、上記搬送アーム７０
と同様に吸引孔７０ａを設けると共に、パッド部材７０
ｃを設けて真空吸着によって基板Ｇを保持するようにし
てもよい。

【００７８】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置を用いて基板Ｇ上へのレジスト塗布及び辺部の
不要なレジスト膜の除去手順の一例について図２３及び
図２４を参照して説明する。

【００７９】まず、回転カップ１２の蓋体１６及びドレ
ンカップ１４の固定蓋体１５を開放し、そして、基板Ｇ
をメインアーム８０によって保持して静止したスピンチ
ャック１０上に移動させ、基板Ｇを真空吸着によってス
ピンチャック１０が保持し基板Ｇを支持する（ステップ
［Ａ］）。次に、スピンチャック１０の回転駆動により
基板Ｇを処理時の定常回転より低速に回転（回転数：例
えば２００〜８００ｒｐｍ，加速度：３００〜５００ｒ
ｐｍ／ｓｅｃ）させると共に、回転カップ１２を同じ速
度で回転させる。この回転中に、移動機構３７の移動ア
ーム３７ａが待機位置３８から回転して基板Ｇの中心部
上方に移動させられ、噴頭３９の溶剤供給ノズル４０か
ら基板表面に処理液の溶剤Ａとして例えばエチルセロソ
ルブアセテート（ＥＣＡ）を例えば２０秒（ｓｅｃ）間
で例えば２６．７ｃｃ供給例えば滴下する（ステップ
［Ｂ］）。また、基板Ｇを回転させずに静止した状態で
溶剤Ａを滴下し、その後回転してもよい。このようにし
て溶剤Ａを２０ｓｅｃ間供給した後、スピンチャック１
０及び回転カップ１２の回転数を上記低速回転数による
回転状態で溶剤Ａの供給を停止する（ステツプ
［Ｃ］）。このとき、溶剤Ａは基板Ｇの全面に拡散され
塗布される。

【００８０】次に、スピンチャック１０を、高速回転
（第１の回転数：５００から１５００ｒｐｍ程度の範囲
例えば１０００ｒｐｍ，加速度：３００〜６００ｒｐｍ
／ｓｅｃ）させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル４２から処
理液例えばレジスト液Ｂを例えば５ｓｅｃ間供給例えば
８ｃｃ滴下する（ステップ［Ｄ］）。このときの溶剤Ａ
が乾燥する時期は、予め実験により求めることができ
る。例えば、基板Ｇの表面を目視し、光の干渉縞が見え
ている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えな
くなるので、その時期を知ることができる。この場合５
ｓｅｃ間の供給時期には、上記したベローズポンプ４４
ｇの駆動時間を制御でき、レジスト液Ｂの供給量を正確
にかつ微妙に制御できるように構成されている。このよ
うにしてレジスト液Ｂを５ｓｅｃ供給（滴下）した後、
レジスト液Ｂの供給を停止すると同時に、スピンチャッ
ク１０及び回転カップ１２の回転を停止する（ステップ
［Ｅ］）。この状態では、レジスト液Ｂは基板Ｇの角部
Ｇａを残した略同心円内に塗布される。このとき、レジ
スト液Ｂを基板Ｇの角部Ｇａを含む全域に供給すると、
レジスト液Ｂの無駄が生じるばかりでなく、レジスト液
Ｂのミストが飛散して回転カップ１２及び基板Ｇの裏面
に付着する虞れが生じるという問題がある。したがっ
て、レジスト液Ｂの量は、所定の膜厚で基板Ｇの全域に
供給される必要最小限の量に設定されることが望まし
い。

【００８１】次に、レジスト液Ｂの供給を停止し、レジ
スト液供給ノズル５０を待機位置に移動した後、ロボッ
トアーム２０によって固定蓋体１５及び蓋体１６をドレ
ンカップ１４及び回転カップ１２の上方開口部１２ａに
閉止し、回転カップ１２内に基板Ｇを封入する（ステッ
プ［Ｆ］）。

【００８２】このようにしてドレンカップ１４の開口部
を固定蓋体１５で閉止すると共に、回転カップ１２の開
口部１２ａを蓋体１６で閉止し密閉した状態で、スピン
チャック１０及び回転カップ１２を例えば１５ｓｅｃ
間、上記第１の回転数より高速に回転（第２の回転数：
１０００〜３０００ｒｐｍ程度の範囲例えば１４００ｒ
ｐｍ，加速度：５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）させると、レジ
スト液Ｂは基板Ｇの全面に行き渡りレジスト膜の膜厚が
整えられる（ステップ［Ｇ］，図２４（ａ）参照）。こ
の時のレジスト液Ｂの吐出量と時間でレジスト膜の膜厚
が決定する。なお、この状態では溶剤Ａ及びレジスト膜
は乾燥されていないウエットな状態である。

【００８３】次に、第２の搬送機構４の搬送アーム７０
によって基板Ｇを、塗布機構１の側方に隣接する塗布機
構１と同一雰囲気領域内の縁部除去機構２の載置台５０
上に搬送し、載置台５０にて基板を吸着保持する（ステ
ップ［Ｈ］，図２４（ｂ）参照）。基板Ｇを搬送した第
２の搬送機構４の搬送アーム７０は待機位置へ後退した
後、縁部除去機構２の除去ノズル５１が基板Ｇの長辺側
の両縁部にセットされ、長辺に沿って移動しながら除去
液例えばレジストの溶剤（例：シンナー）を基板Ｇの縁
部両面に噴射して基板Ｇの長辺の不要なレジスト膜を端
部から幅約５ｍｍ程度、溶解して除去する（ステップ
［Ｉ］，第１の除去工程；図２４（ｃ）参照）。なお、
基板Ｇの縁部側面に付着しているレジストも同時に除去
される。この際、塗布機構１に次の基板Ｇを搬入して塗
布処理を行う。基板Ｇの長辺の不要なレジスト膜を除去
した後、載置台５０を例えば時計回りに９０度回転させ
て基板Ｇの短辺側を除去ノズル５１側に位置させる。な
お、９０度回転の他に、９０度の奇数倍例えば２７０
度，４５０度，…，また、反時計回りに、回転させても
よい。このとき、位置調整機構５５のエアーシリンダ５
９を伸長して除去ノズル５１を基板Ｇの短辺側にセット
する（図２４（ｄ）参照）。そして、除去ノズル５１を
基板Ｇの短辺に沿って移動しながら溶剤を基板Ｇの短辺
の縁部両面に噴射して基板Ｇの短辺の不要なレジスト膜
を除去して、基板Ｇのレジスト塗布及び短辺の不要なレ
ジスト膜の除去作業は完了する（第２の除去工程；図２
４（ｅ）参照）。この後、基板Ｇを搬出し、次の工程へ
搬送する（ステップ［Ｊ］）。上記のように、レジスト
膜を塗布形成後、直ちに基板Ｇを搬送して周縁部レジス
トを除去できる。

【００８４】なお、第１又は第２の除去工程中、あるい
はこれらの除去工程の前後のいずれかの時点で、補助洗
浄ノズル５１Ａ；５１ｃ〜５１ｆからシンナーを噴射さ
せることによって基板Ｇの角部裏面に付着したレジスト
膜を容易に除去することができる（ステップ［Ｉ］）。
例えば図１７（ｂ）に示すように、基板Ｇの各部裏面に
付着したレジスト液Ｒ1，Ｒ2を除去する場合、次のよう
に補助洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆの噴射を制御する。

【００８５】左右の除去ノズル５１を最初に矢印で示す
方向に移動させると仮定し、まず、右の除去ノズル５１
について説明する。

【００８６】レジスト液Ｒ1が、短辺Ｇs側に距離ＬS1ま
で、長辺ＧL側に距離ＬL1までと三角形状の領域に付着
している場合、ノズルが短辺ＧSの縁付近に位置する時
には距離ＬS1まで十分洗浄可能なように表面洗浄ノズル
５１ａ、裏面洗浄ノズル５１ｂと共に補助洗浄ノズル５
１ｃ〜５１ｆ全部から溶剤を噴射させる。

【００８７】そして、除去ノズル５１が矢印方向に移動
するのに連れレジスト液Ｒ1の付着幅はＬS1より狭くな
るので、順次、補助洗浄ノズル５１ｆ，５１ｅ，５１ｄ
の溶剤噴射を停止させる。ノズルが長辺ＧLに沿って距
離ＬL1付近まで移動すると、レジスト液Ｒ1の裏面付着
はなくなるので、補助洗浄ノズル５１ｃの溶剤噴射も停
止させ、この後、裏面側は裏面洗浄ノズル５１ｂのみ溶
剤を噴射させた状態で、除去ノズル５１は長辺ＧLに沿
って移動する。

【００８８】一方、左の除去ノズル５１は、図１７
（ｂ）に示すように、移動し始めの時、角部裏面にはレ
ジスト液は付着していないので、表面洗浄ノズル５１ａ
と裏面洗浄ノズル５１ｂとから溶剤を噴射させ、補助洗
浄ノズル５１ｃ〜５１ｆからの溶剤噴射は停止してお
く。

【００８９】除去ノズル５１が更に移動して角部裏面に
付着したレジスト液Ｒ2に近づき、短辺ＧSより距離ＬL2
付近になると、補助洗浄ノズル５１ｃからまず溶剤を噴
射させる。レジスト液Ｒ1同様、レジスト液Ｒ2も三角形
状の領域に付着している場合、順次、補助洗浄ノズル５
１ｄ，５１ｅ，５１ｆから溶剤を噴射させ距離ＬS2の部
分まで溶解除去する。

【００９０】そして、左右の除去ノズル５１により長辺
ＧL側のレジスト除去が終了すると、各ノズルからの溶
剤噴射を停止して、左右の除去ノズル５１を基板Ｇの回
転に支障を与えないように退避させる。次に、基板Ｇを
左又は右廻りに９０°回転させ、短辺ＧS側のレジスト
液除去に移る。この場合、角部裏面に付着したレジスト
液Ｒ1，Ｒ2は既に除去されているため、表面洗浄ノズル
５１ａ及び裏面洗浄ノズル５１ｂから溶剤を噴射させる
だけでよい。

【００９１】このように、裏面側に付着したレジスト液
の付着場所・領域に対応して予め決められた範囲で補助
洗浄ノズル５１ｃ〜５１ｆの溶剤噴射を制御することに
より、必要最小限の溶剤使用量により、不要レジストを
溶解除去することが可能となる。また、溶剤の温度や蒸
発により基板Ｇの温度が大きく変化し、表面のレジスト
膜の膜厚が必要以上に変動しないようにするためでもあ
る。

【００９２】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は単独の装置として使用できることは勿論であるが、
以下に説明するＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムに
組込んで使用することができる。

【００９３】上記塗布・現像処理システムは、図２５に
示すように、基板Ｇを搬入・搬出するローダ部９０と、
基板Ｇの第１処理部９１と、中継部９３を介して第１処
理部９１に連設される第２処理部９２とで主に構成され
ている。なお、第２処理部９２には受渡し部９４を介し
てレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置９５が連設可能になっている。

【００９４】上記ローダ部９０は、未処理の基板Ｇを収
容するカセット９６と、処理済みの基板Ｇを収容するカ
セット９７を載置するカセット載置台９８と、このカセ
ット載置台９８上のカセット９６，９７との間で基板Ｇ
の搬出入を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方
向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９
９とで構成されている。

【００９５】上記第１処理部９１は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能な上記メインアーム８０の搬送路１
０２の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄
装置１２０と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェ
ット水洗浄装置１３０と、基板Ｇの表面を疎水化処理す
るアドヒージョン処理装置１０５と、基板Ｇを所定温度
に冷却する冷却処理装置１０６とを配置し、搬送路１０
２の他方の側に、この発明の処理装置を構成するレジス
ト塗布機構１と縁部除去機構２を具備する塗布処理装置
１０７及び塗布膜除去装置１０８を配置してなる。

【００９６】一方、上記第２処理部９２は、第１処理部
９１と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム８０ａを有し、このメインアーム８０ａの
搬送路１０２ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置１０９を配置し、搬送路１０２ａの他方の側
に、現像装置１１０を配置している。

【００９７】上記のように構成される第１処理部９１及
び第２処理部９２の上方はカバーによって覆われてお
り、処理部内に清浄化された空気が供給されるようにな
っている。

【００９８】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット９６内に収容された未処理の
基板Ｇはローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって
取出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１２０内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１２０内にてブラシ洗浄された
基板Ｇは引続いてジェット水洗浄装置１３０内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アド
ヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置１０６にて冷却された後、この発明に係るレ
ジスト塗布装置１０７の塗布機構１に搬入されて上述し
た手順でフォトレジストすなわち感光膜が塗布形成さ
れ、第２の搬送機構４の搬送アーム７０によってこの発
明に係る塗布膜除去装置１０８の縁部除去機構２に搬送
されて基板Ｇの辺部の不要なレジスト膜が除去される。
そして、メインアーム８０によって縁部除去機構２から
搬出される。この際、縁部のレジスト膜は除去されてい
るので、メインアーム８０にレジストが付着することも
ない。

【００９９】その後、フォトレジストが加熱処理装置１
０９にて加熱されてベーキング処理が施された後、露光
装置９５にて所定のパターンが露光される。そして、露
光後の基板Ｇは現像装置１１０内へ搬送され、現像液に
より現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、
現像処理を完了する。

【０１００】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部９０のカセット９７内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。

【０１０１】上記実施形態では、この発明に係る塗布機
構１を具備する塗布処理装置１０７と、この発明に係る
縁部除去機構２を具備する塗布膜除去装置１０８とを１
組設けたＬＣＤ基板の塗布・現像システムについて説明
したが、塗布処理装置１０７と塗布膜除去装置１０８を
２組以上設けることも可能である。この場合、塗布処理
装置１０７と塗布膜除去装置１０８とを並設してもよい
が、設置スペースを少なくるためには、塗布処理装置１
０７と塗布膜除去装置１０８とを積層させた構造として
もよい。このように塗布処理装置１０７と塗布膜除去装
置１０８を積層させる構造においては、メインアーム８
０，８０ａを上段の各装置１０７，１０８まで上昇可能
にする以外は、上記実施形態と同じにすればよい。

【０１０２】なお、上記実施形態では、左右一対の除去
ノズル５１により、最初に基板Ｇの長辺側の不要な端部
のレジスト膜を溶解して除去し、次に、基板Ｇを９０°
回転させて短辺側の不要なレジスト膜を溶解して除去す
る例について説明したが、除去ノズルを例えば４個設
け、基板Ｇの四辺の不要なレジスト膜を、同時に溶解し
て除去するように構成してもよい。

【０１０３】例えば、図１９に示すように、除去ノズル
１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄを設ける。な
お、この４個の除去ノズルの構成、移動機構等は同一構
成のため、ここでは除去ノズル１５１Ａ部分についての
み説明し、他の詳細な説明は省略する。

【０１０４】除去ノズル１５１Ａは、図のＹ方向に延在
するごとく設けられたガイドレール１５２Ａに摺動可能
に取付けられたスライド部材１５３Ａに取着されてい
る。このスライド部材１５３Ａは、ワイヤー，チェー
ン，ベルト，ボールねじやステッピングモータ，エアー
シリンダー，超音波モーター，超電導リニアモーター等
を使用した移動機構（図示せず）により、Ｙ方向に往復
移動可能に構成されている。

【０１０５】また、除去ノズル１５１Ａは、図２０に示
すように、図１３に示した除去ノズル５１と概ね同じ構
成であるので、ここでは異なる部分を主として説明す
る。表面洗浄用のノズル１５１ａ、裏面洗浄用のノズル
１５１ｂの他に、基板Ｇの端面（側面）部を洗浄するた
めの端面洗浄用のノズル１５１ｇが内部に設けられてお
り、各ノズルは溶剤の各供給路に挿入された開閉バルブ
（図示せず）により、独立して溶剤供給の断続、供給量
が制御可能に構成されている。

【０１０６】更に、噴頭１５３の基板Ｇ側端部の前方位
置には、基板Ｇ上面側にガス噴射ノズル１５４が、基板
Ｇ下面側にはガス噴射ノズル１５５が、その噴射方向が
噴頭１５３方向、すなわち基板Ｇの周辺外側方向になる
ように配置されている。そして、噴射されたガスは、噴
頭１５３内を通り、排気管１５６から排気される。

【０１０７】更に、図１９に示すように、除去ノズル１
５１Ａの両側方には、基板Ｇの長辺Ａの基板Ｇ中心方向
から上面周辺部に向ってガスを噴射する乾燥用ガス噴射
ノズル１５７Ａ，１５８Ａが、例えば除去ノズル１５１
Ａと共にＹ方向に移動可能なように取付部材（図示せ
ず）により設けられている。なお、図１９では上記乾燥
用ガスノズル１５７Ａ，１５８Ａは基板Ｇの外側に示さ
れているが、基板Ｇの搬入・搬出に支障をきたさない任
意の位置に配置する。

【０１０８】他の除去ノズル１５１Ｂ，１５１Ｃ，１５
１Ｄについては、除去ノズル１５１Ａと構成は同じであ
り、除去ノズル１５１Ａの各部に対応させて符号を付し
ている。なお、上記各ノズルは、それぞれ基板Ｇの短辺
Ｂ，長辺Ｃ，短辺Ｄの縁部の不要なレジストを溶解して
除去するためのノズルである。

【０１０９】次に、上記のように構成された縁部除去機
構２Ａの不要レジストの除去手順等について説明する。
図１に示す塗布機構１によって上面にレジスト膜が塗布
形成された基板Ｇを搬送アーム７０によって上記縁部除
去機構２Ａの載置台１５９に、長辺がＹ方向、短辺がＸ
方向と平行となるように載置し、吸着保持する。

【０１１０】搬送アーム７０が待機位置へ後退した後、
縁部除去機構２Ａの各除去ノズル１５１Ａ，１５１Ｂ，
１５１Ｃ，１５１Ｄが四辺の縁部にセットされ、各辺に
沿って同時に移動しながらレジスト溶剤を縁部に噴射し
て不要なレジスト膜を溶解して除去する。

【０１１１】この除去に際し、洗浄用の各ノズルからの
溶剤の噴射は、基板Ｇの端部のレジスト付着状況に対応
して制御してもよい。例えば、基板Ｇの端面及び裏面周
辺部にレジストの付着が無く、溶解除去する必要がない
場合には、表面洗浄用のノズル１５１ａのみ溶剤を噴射
させる。

【０１１２】端面にもレジストが付着している場合に
は、端面洗浄用のノズル１５１ｇからも溶剤を噴射さ
せ、更に、裏面周辺部にもレジストが付着している場合
には、裏面洗浄用のノズル１５１ｂからも溶剤を噴射さ
せる。

【０１１３】また、基板Ｇの端面、裏面周辺部に付着し
ているレジスト膜の付着場所が予め分っている場合に
は、除去ノズル１５１Ａがこの場所付近を移動する際
に、端面洗浄用ノズル１５１ｇや裏面洗浄用のノズル１
５１ｂから溶剤を噴射するように制御してもよい。これ
により、溶剤の消費量を低減させることが可能となる。
また、上述したように、表面のレジスト膜厚の変動を防
止することも可能となる。

【０１１４】更に、上記溶解除去中に、ガス噴射ノズル
１５４，１５５から例えば窒素（Ｎ₂）ガスを噴射させ
ると、基板Ｇ周辺に向い噴頭１５３内に吸引されるＮ₂
ガスの流れが存在するため、表面洗浄用のノズル１５１
ａ、端面洗浄用のノズル１５１ｇ、裏面洗浄用のノズル
１５１ｂから噴射された溶剤や発生した気泡等が基板Ｇ
の中心側に飛散しようとしても、上記Ｎ₂ガスの流れに
よって噴頭側に向って排出され、基板Ｇ面に飛来付着す
るのを防止することができる。

【０１１５】また、乾燥用ガスノズル１５７Ａから例え
ば加熱したＮ₂ガスを、除去ノズル１５１Ａでの溶剤に
よる溶解除去に先立って、基板Ｇ周辺部のレジスト膜に
向って噴射し、乾燥させておくことにより、溶解除去後
のレジスト膜のエッジ部分でのレジストの盛り上りの発
生を抑制することも可能となる。

【０１１６】更に、乾燥用ガスノズル１５８Ａから例え
ば加熱したＮ₂ガスを、レジスト膜が溶解除去された後
の基板Ｇの周辺部分に噴射させることにより、基板Ｇ及
びレジスト膜を乾燥する。この乾燥により、溶剤は直ち
に蒸発し、レジスト膜のエッジ部分が乾燥するため、不
必要な溶解もなく、エッジ部分のレジスト膜も安定す
る。

【０１１７】上記説明では、除去ノズル１５１Ａについ
てのみ説明したが、他の除去ノズル１５１Ｂ，１５１
Ｃ，１５１Ｄについても同様のことが言えるので、説明
を省略する。

【０１１８】また、各除去ノズル１５１Ａ，１５１Ｂ，
１５１Ｃ，１５１Ｄの移動機構として、独立した移動機
構を設けた例について説明したが、四辺を同時に溶解除
去できるものであれば他の機構でもよく、例えば除去ノ
ズル１５１Ａと１５１Ｃ，１５１Ｂと１５１Ｄとをそれ
ぞれ共通の機構に取着し、２つの移動機構で移動可能に
構成してもよい。更に、除去ノズル１５１Ａ，１５１
Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄの全部を共通の１つの移動機構
で移動可能に構成してもよい。

【０１１９】なお、上記独立した移動機構の場合、各移
動速度は各辺のレジストの付着状況等により、独立して
設定制御してもよい。

【０１２０】更に、図１９では、基板Ｇの長辺をＹ方向
と平行になるように保持しているが、短辺をＹ方向と平
行になるように保持し、各除去ノズル１５１Ａ，１５１
Ｂ，１５１Ｃ，１５１Ｄをそれに対応して配置してもよ
い。例えば、各除去ノズルをエアーシリンダー等を使用
あるいはストローク調整可能な構造にすることにより、
伸縮させて対応する。

【０１２１】更に、基板Ｇ、溶剤、Ｎ₂ガスを溶解に最
適な温度に温調して、レジスト膜の溶解除去を促進させ
てもよい。基板Ｇの温調としては、例えば、基板Ｇの周
囲を温調した雰囲気にしたり、基板Ｇ上面に温調したク
リーンエアーやＮ₂ガスを供給したり、基板Ｇ裏面に温
調したクリーンエアーやＮ₂ガスを供給したり、載置台
１５９により温調したり、赤外線、マイクロ波等により
温調する。

【０１２２】更に、上記実施形態では、基板Ｇの一辺に
対して１個の除去ノズルを設けた例について説明した
が、複数個例えば２個設けて移動距離を短くしたり、２
回溶解除去するように構成してもよい。この場合、溶剤
の種類を異ならせてもよい。また、溶解除去位置を異な
らせてもよい。

【０１２３】更に、上記実施形態では、基板Ｇは固定し
て各除去ノズルを移動させる構成の例について説明した
が、基板Ｇを回転させ、それに対応して各除去ノズルを
伸縮、Ｘ，Ｙ方向に移動させつつ四辺同時に溶解除去す
るように構成してもよい。

【０１２４】また、上記実施形態では、この発明の処理
装置及び処理方法をＬＣＤ基板の塗布処理に適用した場
合について説明したが、ＬＣＤ基板以外の角形状被処理
基板に塗布液を塗布し、塗布された被処理基板の縁部の
不要な塗布膜を除去する方法及び装置にも適用できるこ
とは勿論である。

【０１２５】

【発明の効果】１）請求項１，３，４及び１１，１３記
載の発明によれば、塗布機構に搬入された角形の被処理
基板の一面上に処理液を供給し拡散させ、処理容器に蓋
体を閉止して被処理基板を処理容器内に封入した後、蓋
体が閉止された処理容器内の被処理基板を回転させて、
塗布膜を形成し、その後、塗布機構の側方に隣接される
と共に、塗布機構と同一雰囲気領域内の縁部除去機構に
搬送して被処理基板の縁部の塗布膜を除去することがで
きるので、塗布膜の均一処理を行うことができると共
に、製品歩留まりの向上を図ることができる。また、第
１の搬送機構によって基板を塗布機構へ搬送すると共に
縁部除去機構から搬出し、塗布機構から縁部除去機構へ
の搬送を第２の搬送機構にて行うので、構成部材の削減
が図れると共に、装置の小型化が図れ、かつ、スループ
ットの向上を図ることができる。

【０１２６】２）請求項２〜４及び１２，１３記載の発
明によれば、塗布機構に搬入された被処理基板の一面上
に処理液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板上に処理
液を供給し拡散させ、処理容器に蓋体を閉止して、被処
理基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処
理容器内の被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整
えるので、上記１）に加えて塗布液の少量化を図ること
ができる。

【０１２７】３）請求項５，７及び１４記載の発明によ
れば、載置手段によって保持された被処理基板の一辺の
縁部の塗布膜を除去した後、被処理基板の他の辺の縁部
の塗布膜を除去することができるので、被処理基板の縁
部の不要な塗布膜を迅速かつ確実に除去することがで
き、製品歩留まりの向上を図ることができる。

【０１２８】４）請求項６，７及び１５記載の発明によ
れば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液
を噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処理
基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去することができ
るので、上記３）に加えて基板の角部裏面に付着した塗
布膜を除去することができ、塗布膜の除去を更に確実に
することができる。

【０１２９】５）請求項８〜１０，１６記載の発明によ
れば、第１の搬送機構又は第２の搬送機構のうちの少な
くとも第２の搬送機構を、被処理基板の周辺部下面を吸
着保持するアームにて形成するか、あるいは、基板の辺
部を真空吸着により保持するアームにて形成し、このア
ームの基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔を
設けると共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂直
方向に変位可能な耐蝕性を有するパッド部材を設けるの
で、基板の搬送を確実に行うことができると共に、搬送
時における基板の接触部のパーティクルの発生や損傷等
を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置の概略平面図である。

【図２】この発明における塗布機構の断面図である。

【図３】図２の要部拡大断面図である。

【図４】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。

【図５】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。

【図６】処理装置に使用されている噴頭を拡大して示す
斜視図である。

【図７】噴頭の断面図である。

【図８】処理液の滴下方法の他の一例を示す概略断面図
である。

【図９】処理液の滴下方法の更に他の一例を示す概略断
面図である。

【図１０】この発明における第２の搬送機構を示す概略
斜視図である。

【図１１】第２の搬送機構の要部平面図及びその断面図
である。

【図１２】この発明における縁部除去機構を示す側面図
である。

【図１３】この発明における除去ノズルの一部を断面で
示す側面図である。

【図１４】除去ノズルの概略斜視図である。

【図１５】この発明における補助洗浄ノズルの取付状態
を示す斜視図である。

【図１６】補助洗浄ノズルの異なる取付状態を示す概略
平面図である。

【図１７】補助洗浄ノズルの別の形態の一部を断面で示
す側面図及び洗浄の具体例の説明図である。

【図１８】補助洗浄ノズルの更に別の形態を示す斜視図
である。

【図１９】縁部除去機構の別の実施形態を示す概略平面
図である。

【図２０】除去ノズルの別の形態を断面で示す側面図で
ある。

【図２１】この発明における第１の搬送機構のメインア
ームの要部を示す斜視図である。

【図２２】メインアームの駆動機構を示す側面図であ
る。

【図２３】この発明の処理方法の手順を示すフローチャ
ートである。

【図２４】この発明の縁部塗布膜の除去方法の手順を示
す説明図である。

【図２５】この発明の処理装置を適用したＬＣＤ基板の
塗布・現像システムの一例を示す斜視図である。

【符号の説明】

Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板） １ 塗布機構 ２，２Ａ 縁部除去機構 ３ 第１の搬送機構 ４ 第２の搬送機構 １０ スピンチャック（保持手段） １２ 回転カップ（処理容器） １６ 蓋体 ４０ 溶剤供給ノズル（溶剤供給手段） ４２ レジスト液供給ノズル（塗布液供給手段） ５０ 載置台（載置手段） ５１ 除去ノズル ５１ａ ノズル（表面洗浄ノズル） ５１ｂ ノズル（裏面洗浄ノズル） ５１Ａ，５１ｃ〜５１ｆ 補助洗浄ノズル ７０ 搬送アーム ７０ａ 吸引孔 ７０ｃ パッド部材 ８０ メインアーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ 21/68 21/30 ５６４Ｃ ５６４Ｄ (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272の４ 東京エレクトロン九州株式会 社 大津事業所内 (56)参考文献 特開 平５−114555（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−258148（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132840（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−107678（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259052（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−76109（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175117（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B05C 11/08,13/02 B05D 1/40,3/12 G03F 7/16 G03F 7/42 H01L 21/027 H01L 21/68

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 角形の被処理基板の一面を上に向けて保
   持して回転する保持手段と、この保持手段を包囲するカ
   ップ状をなす処理容器と、この処理容器の開口部を閉止
   する蓋体及び上記被処理基板に塗布液を供給する塗布液
   供給手段とを有する塗布機構と、 上記塗布機構の側方に隣接されると共に、塗布機構と同
   一雰囲気領域内に配設され、上記塗布液の塗布膜が形成
   された上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して塗布膜
   を除去する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理基板の搬入と上記縁部除去機構
   からの被処理基板の搬出を行う第１の搬送機構と、上記同一雰囲気領域内に配設され、 上記塗布機構から縁
   部除去機構へ被処理基板を搬送する第２の搬送機構と、 を具備することを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 上記塗布機構は、上記被処理基板に塗布
   液の溶剤を供給する溶剤供給手段を、更に有することを
   特徴とする請求項１記載の処理装置。
3. 【請求項３】 上記保持手段を水平回転及び垂直移動可
   能に形成してなることを特徴とする請求項１又は２記載
   の処理装置。
4. 【請求項４】 上記処理容器を保持手段と共に回転可能
   に形成してなることを特徴とする請求項１ないし３のい
   ずれかに記載の処理装置。
5. 【請求項５】 縁部除去機構を、被処理基板を保持する
   載置手段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に、
   被処理基板の縁部に除去液を噴射するノズルとで構成し
   たことを特徴とする請求項１又は２記載の処理装置。
6. 【請求項６】 被処理基板の角部裏面に除去液を噴射す
   る補助洗浄ノズルを更に具備してなることを特徴とする
   請求項５記載の処理装置。
7. 【請求項７】 上記載置手段を水平回転可能に形成して
   なることを特徴とする請求項５又は６記載の処理装置。
8. 【請求項８】 上記第１の搬送機構又は第２の搬送機構
   のうちの少なくとも 第２の搬送機構を、被処理基板の周
   辺部下面を吸着保持するアームにて形成してなることを
   特徴とする請求項１又は２記載の処理装置。
9. 【請求項９】 上記第１の搬送機構を、被処理基板の周
   囲を保持する保持爪を有するアームにて形成し、第２の
   搬送機構を、被処理基板の周辺部下面を吸着保持するア
   ームにて形成してなることを特徴とする請求項１又は２
   記載の処理装置。
10. 【請求項１０】 上記第１の搬送機構又は第２の搬送機
    構のうちの少なくとも第２の搬送機構を被処理基板の辺
    部を真空吸着により保持するアームにて形成し、このア
    ームの基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔を
    設けると共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂直
    方向に変位可能なパッド部材を設けたことを特徴とする
    請求項１又は２記載の処理装置。
11. 【請求項１１】 塗布機構を構成する処理容器内の保持
    手段上に保持させるべく角形の被処理基板を搬入する工
    程と、 上記被処理基板に塗布液を供給し、回転させて被処理基
    板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器
    内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器内の被処理基板を回転さ
    せて、塗布膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被処理基板を、上記塗布機構の
    側方に隣接されると共に、塗布機構と同一雰囲気領域内
    に配設される縁部除去機構へ同一雰囲気領域内で搬送す
    る工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜
    を除去する工程と、 上記縁部除去機構から被処理基板を搬出する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。
12. 【請求項１２】 上記被処理基板に塗布液を供給する前
    に、上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤を供給する
    工程を更に有することを特徴とする請求項１１記載の処
    理方法。
13. 【請求項１３】 上記塗布膜の膜厚を整える工程におい
    て、蓋体が閉止された処理容器と共に被処理基板を回転
    させることを特徴とする請求項１１又は１２記載の処理
    方法。
14. 【請求項１４】 塗布膜を除去する工程が、塗布膜が形
    成された被処理基板の第１の辺の縁部に除去液を噴射し
    て塗布膜を除去する第１の除去工程と、被処理基板の第
    ２の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去す
    る第２の除去工程とを有することを特徴とする請求項１
    １ないし１３のいずれかに記載の処理方法。
15. 【請求項１５】 被処理基板の角部裏面に除去液を噴射
    して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補助除去工程
    を更に有することを特徴とする請求項１４記載の処理方
    法。
16. 【請求項１６】 上記被処理基板を塗布機構から縁部除
    去機構へ搬送する工程において、上記被処理基板の周辺
    部下面を吸着保持しつつ搬送することを特徴とする請求
    項１１記載の処理方法。