JPH0555134A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555134A JPH0555134A JP21335491A JP21335491A JPH0555134A JP H0555134 A JPH0555134 A JP H0555134A JP 21335491 A JP21335491 A JP 21335491A JP 21335491 A JP21335491 A JP 21335491A JP H0555134 A JPH0555134 A JP H0555134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- coating
- nozzles
- dropped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大口径ウエハにフォトレジストなどの薬剤を
均一性よく塗布できる半導体素子の製造方法を得ること
を目的とする。 【構成】 薬剤吐出口18a 〜18c を有するノズル17a 〜
17c を設け、このノズル17a 〜17c を介してウエハ1に
フォトレジスト12を同時にまたは順次滴下させてウエハ
1を高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ1の全面
に回転塗布する。 【効果】 ウエハ1の複数点にフォトレジスト12を同時
に滴下できるので、塗布むらのないウエハ1が得られ
る。
均一性よく塗布できる半導体素子の製造方法を得ること
を目的とする。 【構成】 薬剤吐出口18a 〜18c を有するノズル17a 〜
17c を設け、このノズル17a 〜17c を介してウエハ1に
フォトレジスト12を同時にまたは順次滴下させてウエハ
1を高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ1の全面
に回転塗布する。 【効果】 ウエハ1の複数点にフォトレジスト12を同時
に滴下できるので、塗布むらのないウエハ1が得られ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板上にフォ
トレジストなどの薬剤を塗布する際に用いられる半導体
素子の製造方法に関するものである。
トレジストなどの薬剤を塗布する際に用いられる半導体
素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来のフォトレジスト塗布装置
を示す概略図である。図において、1は半導体基板であ
るウエハ、2はウエハ1を収納したキヤリア3からウエ
ハ1を1枚ずつ順に次工程に送り出すウエハローダー
部、4はウエハ1を加熱して脱水処理する高温ベーク
部、5はウエハ1に薬剤の塗布を行う回転塗布部、6は
薬剤を供給するノズル、7はウエハ1に回転を与えるモ
ータ、8はウエハ1に塗布した薬剤に含まれる溶剤を揮
発させるプリベーク部、9は薬剤の塗布が完了したウエ
ハ1をキヤリア3に収納するレシーバ部、10はウエハ1
を次工程に運ぶ搬送部である。
を示す概略図である。図において、1は半導体基板であ
るウエハ、2はウエハ1を収納したキヤリア3からウエ
ハ1を1枚ずつ順に次工程に送り出すウエハローダー
部、4はウエハ1を加熱して脱水処理する高温ベーク
部、5はウエハ1に薬剤の塗布を行う回転塗布部、6は
薬剤を供給するノズル、7はウエハ1に回転を与えるモ
ータ、8はウエハ1に塗布した薬剤に含まれる溶剤を揮
発させるプリベーク部、9は薬剤の塗布が完了したウエ
ハ1をキヤリア3に収納するレシーバ部、10はウエハ1
を次工程に運ぶ搬送部である。
【0003】次に動作について説明する。キヤリア3に
収納されているウエハ1が1枚ずつ下から順に、高温ベ
ーク部4に送られ、加熱されて脱水処理される。次に、
ウエハ1は回転塗布部5に運ばれて、モータ8の駆動軸
に連結された支持台に真空吸着で固定され、回転または
静止している状態で、図6に示すようにノズル6の薬剤
吐出口11からフォトレジスト12がウエハ1の中心付近に
所定量滴下される。次に、ウエハ1をモータ8により所
定時間高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ1の回
転による円心力でウエハ1全域に広がらせて均一に塗布
させることになる。その後ウエハ1はプリベーク部8で
フォトレジスト12に含まれる溶剤を揮発処理して、レシ
ーバ部9に運ばれ、キヤリア3に収納されて次工程へ運
ばれる。
収納されているウエハ1が1枚ずつ下から順に、高温ベ
ーク部4に送られ、加熱されて脱水処理される。次に、
ウエハ1は回転塗布部5に運ばれて、モータ8の駆動軸
に連結された支持台に真空吸着で固定され、回転または
静止している状態で、図6に示すようにノズル6の薬剤
吐出口11からフォトレジスト12がウエハ1の中心付近に
所定量滴下される。次に、ウエハ1をモータ8により所
定時間高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ1の回
転による円心力でウエハ1全域に広がらせて均一に塗布
させることになる。その後ウエハ1はプリベーク部8で
フォトレジスト12に含まれる溶剤を揮発処理して、レシ
ーバ部9に運ばれ、キヤリア3に収納されて次工程へ運
ばれる。
【0004】ところで、ウエハ1の口径が8インチ以上
に大口径化した場合、ウエハ1の全面にフォトレジスト
12を均一に塗布することが難しくなるため、図7に示す
ように、回転しているウエハ1にフォトレジスト12を滴
下しながらノズル6を矢印13のように機械的にスキャン
させる方法やウエハ1の面積に比してフォトレジスト12
を過剰に滴下する方法がある。
に大口径化した場合、ウエハ1の全面にフォトレジスト
12を均一に塗布することが難しくなるため、図7に示す
ように、回転しているウエハ1にフォトレジスト12を滴
下しながらノズル6を矢印13のように機械的にスキャン
させる方法やウエハ1の面積に比してフォトレジスト12
を過剰に滴下する方法がある。
【0005】また、フォトレジスト12が滴下時に撥ねる
様な表面をもつウエハ1に塗布する場合、図8に示すよ
うに、特にウエハ1に形成されるチップ14のチップサイ
ズが大きくなると、ウエハ1表面のぬれ性が悪くなるた
め、個々のチップ14の境界を示すダイシングライン15に
沿って、滴下されたフォトレジスト12が偏って広がり、
その結果、ウエハ1を高速回転させても均一に塗布でき
ず、例えば図9に示すように、ウエハ1周辺部に塗布さ
れない領域16ができ、塗布むらが発生することになる。
これを防止するためウエハあたりのフォトジレスト12の
滴下量を過剰にして塗布する等の対策が必要となる。
様な表面をもつウエハ1に塗布する場合、図8に示すよ
うに、特にウエハ1に形成されるチップ14のチップサイ
ズが大きくなると、ウエハ1表面のぬれ性が悪くなるた
め、個々のチップ14の境界を示すダイシングライン15に
沿って、滴下されたフォトレジスト12が偏って広がり、
その結果、ウエハ1を高速回転させても均一に塗布でき
ず、例えば図9に示すように、ウエハ1周辺部に塗布さ
れない領域16ができ、塗布むらが発生することになる。
これを防止するためウエハあたりのフォトジレスト12の
滴下量を過剰にして塗布する等の対策が必要となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子の製
造方法は以上のように構成されているので、大口径ウエ
ハ1や薬剤を撥ねる様な表面のウエハ1にフォトレジス
ト12を均一に塗布するためには、微妙な条件を必要とす
るフォトレジスト滴下プロセスに動作安定性を欠くスキ
ャンノズルといった機械的動作が必要であり、また、ウ
エハあたりの滴下量を多量に使用するなどの問題点があ
った。
造方法は以上のように構成されているので、大口径ウエ
ハ1や薬剤を撥ねる様な表面のウエハ1にフォトレジス
ト12を均一に塗布するためには、微妙な条件を必要とす
るフォトレジスト滴下プロセスに動作安定性を欠くスキ
ャンノズルといった機械的動作が必要であり、また、ウ
エハあたりの滴下量を多量に使用するなどの問題点があ
った。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、大口径ウエハや薬剤を撥ねる様
な表面のウエハに薬剤を均一に塗布できる半導体素子の
製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、大口径ウエハや薬剤を撥ねる様
な表面のウエハに薬剤を均一に塗布できる半導体素子の
製造方法を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体素
子の製造方法は、半導体基板上に、複数の吐出口より薬
剤を同時にまたは順次滴下し、この半導体基板を回転さ
せることにより、薬剤を半導体基板の全面に塗布するよ
うに構成したものである。
子の製造方法は、半導体基板上に、複数の吐出口より薬
剤を同時にまたは順次滴下し、この半導体基板を回転さ
せることにより、薬剤を半導体基板の全面に塗布するよ
うに構成したものである。
【0009】
【作用】この発明における半導体素子の製造方法は、半
導体基板上に複数の吐出口により複数の位置で薬剤を同
時にまたは順次滴下し、その後、半導体基板を回転させ
る。
導体基板上に複数の吐出口により複数の位置で薬剤を同
時にまたは順次滴下し、その後、半導体基板を回転させ
る。
【0010】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1はフォトレジスト塗布装置におけ
る塗布状態を示す状態図である。図において、17a ,17
b ,17c は薬剤を供給するノズル、18a ,18b ,18c は
ノズル17a ,17b ,17c の薬剤吐出口で、ウエハ1の口
径数等の制約から最も膜厚均一性の良くなる滴下口数と
その配置された状態である。図2は、図1のノズル17a
〜17c をウエハ1側より見た、ノズル17a 〜17c の配置
を示す図で、それぞれ等間隔に配置されて正三角形をな
している。
ついて説明する。図1はフォトレジスト塗布装置におけ
る塗布状態を示す状態図である。図において、17a ,17
b ,17c は薬剤を供給するノズル、18a ,18b ,18c は
ノズル17a ,17b ,17c の薬剤吐出口で、ウエハ1の口
径数等の制約から最も膜厚均一性の良くなる滴下口数と
その配置された状態である。図2は、図1のノズル17a
〜17c をウエハ1側より見た、ノズル17a 〜17c の配置
を示す図で、それぞれ等間隔に配置されて正三角形をな
している。
【0011】なお、その他の構成は図5、及び図6に示
した従来のものと同様なので、その説明は省略する。
した従来のものと同様なので、その説明は省略する。
【0012】このように構成されたフォトレジスト塗布
装置においては、従来と同様に、ウエハ1を回転塗布部
5に運び、支持台に固定する。その状態で、複数の薬剤
吐出口18a 〜18c からフォトレジスト12がウエハ1上に
同時にあるいは順次滴下され、その後、モータにより高
速回転されてフォトレジスト12をウエハ1上に均一に塗
布されることになる。
装置においては、従来と同様に、ウエハ1を回転塗布部
5に運び、支持台に固定する。その状態で、複数の薬剤
吐出口18a 〜18c からフォトレジスト12がウエハ1上に
同時にあるいは順次滴下され、その後、モータにより高
速回転されてフォトレジスト12をウエハ1上に均一に塗
布されることになる。
【0013】このように、ノズルが複数配置されている
ため、一本一本のノズルから滴下される薬剤はウエハ1
の複数の位置で同時に広がり始めるので、ウエハ1面内
で薬剤が広がり易くなる。また、フォトレジストを撥じ
く様な表面のウエハに塗布を行なう場合にも、広範囲の
領域に複数のノズルの吐出口18a 〜18c より同時にフォ
トレジスト12を滴下できるため、塗布むらのない、薬剤
が均一に塗布されたウエハ1が得られる。さらに、ノズ
ルを固定式としたので、スキャン方式のノズルに比べ機
械精度の劣化による塗布均一性への悪影響がなく、塗布
均一性のよいウエハ1が得られる。
ため、一本一本のノズルから滴下される薬剤はウエハ1
の複数の位置で同時に広がり始めるので、ウエハ1面内
で薬剤が広がり易くなる。また、フォトレジストを撥じ
く様な表面のウエハに塗布を行なう場合にも、広範囲の
領域に複数のノズルの吐出口18a 〜18c より同時にフォ
トレジスト12を滴下できるため、塗布むらのない、薬剤
が均一に塗布されたウエハ1が得られる。さらに、ノズ
ルを固定式としたので、スキャン方式のノズルに比べ機
械精度の劣化による塗布均一性への悪影響がなく、塗布
均一性のよいウエハ1が得られる。
【0014】実施例2.図3は、この発明の他の実施例
の塗布状態を示す図で、上記実施例では3本のノズル17
a 〜17c を用いたが、本実施例では3ヶ所の吐出口をも
つ1本のノズル19としたものであり、ノズルの構成が簡
単になる。
の塗布状態を示す図で、上記実施例では3本のノズル17
a 〜17c を用いたが、本実施例では3ヶ所の吐出口をも
つ1本のノズル19としたものであり、ノズルの構成が簡
単になる。
【0015】実施例3.図4は、この発明のさらに他の
実施例の塗布状態を示す図で、各ノズル20a 〜20c をウ
エハ1に向かって広がるように配置し、より広い領域へ
の薬剤滴下を可能としたものである。
実施例の塗布状態を示す図で、各ノズル20a 〜20c をウ
エハ1に向かって広がるように配置し、より広い領域へ
の薬剤滴下を可能としたものである。
【0016】実施例4.また、上記実施例では、3本の
ノズル、3ヶ所の吐出口の配置が等間隔である場合につ
いて示したが、塗布条件に合わせて最適な位置に配置す
ればよい。
ノズル、3ヶ所の吐出口の配置が等間隔である場合につ
いて示したが、塗布条件に合わせて最適な位置に配置す
ればよい。
【0017】さらに、上記実施例ではフォトレジスト塗
布方法について説明したが、チップの保護膜に用いられ
るポリイミド等の他の薬剤の塗布方法であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
布方法について説明したが、チップの保護膜に用いられ
るポリイミド等の他の薬剤の塗布方法であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
【0018】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば複数の
薬剤吐出口より薬剤を滴下するように構成したため、薬
剤の塗布むらのない半導体基板を得ることが可能とな
る。
薬剤吐出口より薬剤を滴下するように構成したため、薬
剤の塗布むらのない半導体基板を得ることが可能とな
る。
【図1】この発明の実施例1による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図2】図1の要部を示す下面図。
【図3】この発明の実施例2による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図4】この発明の実施例3による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図5】従来のフォトレジスト塗布装置を示す概略図。
【図6】従来のフォトレジスト塗布方法を示す状態図。
【図7】従来の他のフォトレジスト塗布方法を示す状態
図。
図。
【図8】従来のさらに他のフォトレジスト塗布方法を示
す状態図。
す状態図。
【図9】塗布むらの発生したウエハを示す図。
1 ウエハ 5 回転塗布部 7 モータ 12 フォトレジスト 17a ,17b ,17c ノズル 18a ,18b ,18c 薬剤吐出口
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上に、複数の吐出口より薬剤
を同時にまたは順次滴下し、前記半導体基板を回転させ
ることにより、前記薬剤を前記半導体基板の全面に塗布
することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21335491A JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21335491A JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555134A true JPH0555134A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16637782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21335491A Pending JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0555134A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
JPH1157582A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21335491A patent/JPH0555134A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
JPH1157582A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
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