JPH0555134A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555134A JPH0555134A JP21335491A JP21335491A JPH0555134A JP H0555134 A JPH0555134 A JP H0555134A JP 21335491 A JP21335491 A JP 21335491A JP 21335491 A JP21335491 A JP 21335491A JP H0555134 A JPH0555134 A JP H0555134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- coating
- nozzles
- dropped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大口径ウエハにフォトレジストなどの薬剤を
均一性よく塗布できる半導体素子の製造方法を得ること
を目的とする。 【構成】 薬剤吐出口18a 〜18c を有するノズル17a 〜
17c を設け、このノズル17a 〜17c を介してウエハ１に
フォトレジスト12を同時にまたは順次滴下させてウエハ
１を高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ１の全面
に回転塗布する。 【効果】 ウエハ１の複数点にフォトレジスト12を同時
に滴下できるので、塗布むらのないウエハ１が得られ
る。
均一性よく塗布できる半導体素子の製造方法を得ること
を目的とする。 【構成】 薬剤吐出口18a 〜18c を有するノズル17a 〜
17c を設け、このノズル17a 〜17c を介してウエハ１に
フォトレジスト12を同時にまたは順次滴下させてウエハ
１を高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ１の全面
に回転塗布する。 【効果】 ウエハ１の複数点にフォトレジスト12を同時
に滴下できるので、塗布むらのないウエハ１が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板上にフォ
トレジストなどの薬剤を塗布する際に用いられる半導体
素子の製造方法に関するものである。
トレジストなどの薬剤を塗布する際に用いられる半導体
素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のフォトレジスト塗布装置
を示す概略図である。図において、１は半導体基板であ
るウエハ、２はウエハ１を収納したキヤリア３からウエ
ハ１を１枚ずつ順に次工程に送り出すウエハローダー
部、４はウエハ１を加熱して脱水処理する高温ベーク
部、５はウエハ１に薬剤の塗布を行う回転塗布部、６は
薬剤を供給するノズル、７はウエハ１に回転を与えるモ
ータ、８はウエハ１に塗布した薬剤に含まれる溶剤を揮
発させるプリベーク部、９は薬剤の塗布が完了したウエ
ハ１をキヤリア３に収納するレシーバ部、10はウエハ１
を次工程に運ぶ搬送部である。
を示す概略図である。図において、１は半導体基板であ
るウエハ、２はウエハ１を収納したキヤリア３からウエ
ハ１を１枚ずつ順に次工程に送り出すウエハローダー
部、４はウエハ１を加熱して脱水処理する高温ベーク
部、５はウエハ１に薬剤の塗布を行う回転塗布部、６は
薬剤を供給するノズル、７はウエハ１に回転を与えるモ
ータ、８はウエハ１に塗布した薬剤に含まれる溶剤を揮
発させるプリベーク部、９は薬剤の塗布が完了したウエ
ハ１をキヤリア３に収納するレシーバ部、10はウエハ１
を次工程に運ぶ搬送部である。
【０００３】次に動作について説明する。キヤリア３に
収納されているウエハ１が１枚ずつ下から順に、高温ベ
ーク部４に送られ、加熱されて脱水処理される。次に、
ウエハ１は回転塗布部５に運ばれて、モータ８の駆動軸
に連結された支持台に真空吸着で固定され、回転または
静止している状態で、図６に示すようにノズル６の薬剤
吐出口11からフォトレジスト12がウエハ１の中心付近に
所定量滴下される。次に、ウエハ１をモータ８により所
定時間高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ１の回
転による円心力でウエハ１全域に広がらせて均一に塗布
させることになる。その後ウエハ１はプリベーク部８で
フォトレジスト12に含まれる溶剤を揮発処理して、レシ
ーバ部９に運ばれ、キヤリア３に収納されて次工程へ運
ばれる。
収納されているウエハ１が１枚ずつ下から順に、高温ベ
ーク部４に送られ、加熱されて脱水処理される。次に、
ウエハ１は回転塗布部５に運ばれて、モータ８の駆動軸
に連結された支持台に真空吸着で固定され、回転または
静止している状態で、図６に示すようにノズル６の薬剤
吐出口11からフォトレジスト12がウエハ１の中心付近に
所定量滴下される。次に、ウエハ１をモータ８により所
定時間高速回転させ、フォトレジスト12をウエハ１の回
転による円心力でウエハ１全域に広がらせて均一に塗布
させることになる。その後ウエハ１はプリベーク部８で
フォトレジスト12に含まれる溶剤を揮発処理して、レシ
ーバ部９に運ばれ、キヤリア３に収納されて次工程へ運
ばれる。
【０００４】ところで、ウエハ１の口径が８インチ以上
に大口径化した場合、ウエハ１の全面にフォトレジスト
12を均一に塗布することが難しくなるため、図７に示す
ように、回転しているウエハ１にフォトレジスト12を滴
下しながらノズル６を矢印13のように機械的にスキャン
させる方法やウエハ１の面積に比してフォトレジスト12
を過剰に滴下する方法がある。
に大口径化した場合、ウエハ１の全面にフォトレジスト
12を均一に塗布することが難しくなるため、図７に示す
ように、回転しているウエハ１にフォトレジスト12を滴
下しながらノズル６を矢印13のように機械的にスキャン
させる方法やウエハ１の面積に比してフォトレジスト12
を過剰に滴下する方法がある。
【０００５】また、フォトレジスト12が滴下時に撥ねる
様な表面をもつウエハ１に塗布する場合、図８に示すよ
うに、特にウエハ１に形成されるチップ14のチップサイ
ズが大きくなると、ウエハ１表面のぬれ性が悪くなるた
め、個々のチップ14の境界を示すダイシングライン15に
沿って、滴下されたフォトレジスト12が偏って広がり、
その結果、ウエハ１を高速回転させても均一に塗布でき
ず、例えば図９に示すように、ウエハ１周辺部に塗布さ
れない領域16ができ、塗布むらが発生することになる。
これを防止するためウエハあたりのフォトジレスト12の
滴下量を過剰にして塗布する等の対策が必要となる。
様な表面をもつウエハ１に塗布する場合、図８に示すよ
うに、特にウエハ１に形成されるチップ14のチップサイ
ズが大きくなると、ウエハ１表面のぬれ性が悪くなるた
め、個々のチップ14の境界を示すダイシングライン15に
沿って、滴下されたフォトレジスト12が偏って広がり、
その結果、ウエハ１を高速回転させても均一に塗布でき
ず、例えば図９に示すように、ウエハ１周辺部に塗布さ
れない領域16ができ、塗布むらが発生することになる。
これを防止するためウエハあたりのフォトジレスト12の
滴下量を過剰にして塗布する等の対策が必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子の製
造方法は以上のように構成されているので、大口径ウエ
ハ１や薬剤を撥ねる様な表面のウエハ１にフォトレジス
ト12を均一に塗布するためには、微妙な条件を必要とす
るフォトレジスト滴下プロセスに動作安定性を欠くスキ
ャンノズルといった機械的動作が必要であり、また、ウ
エハあたりの滴下量を多量に使用するなどの問題点があ
った。
造方法は以上のように構成されているので、大口径ウエ
ハ１や薬剤を撥ねる様な表面のウエハ１にフォトレジス
ト12を均一に塗布するためには、微妙な条件を必要とす
るフォトレジスト滴下プロセスに動作安定性を欠くスキ
ャンノズルといった機械的動作が必要であり、また、ウ
エハあたりの滴下量を多量に使用するなどの問題点があ
った。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、大口径ウエハや薬剤を撥ねる様
な表面のウエハに薬剤を均一に塗布できる半導体素子の
製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、大口径ウエハや薬剤を撥ねる様
な表面のウエハに薬剤を均一に塗布できる半導体素子の
製造方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体素
子の製造方法は、半導体基板上に、複数の吐出口より薬
剤を同時にまたは順次滴下し、この半導体基板を回転さ
せることにより、薬剤を半導体基板の全面に塗布するよ
うに構成したものである。
子の製造方法は、半導体基板上に、複数の吐出口より薬
剤を同時にまたは順次滴下し、この半導体基板を回転さ
せることにより、薬剤を半導体基板の全面に塗布するよ
うに構成したものである。
【０００９】
【作用】この発明における半導体素子の製造方法は、半
導体基板上に複数の吐出口により複数の位置で薬剤を同
時にまたは順次滴下し、その後、半導体基板を回転させ
る。
導体基板上に複数の吐出口により複数の位置で薬剤を同
時にまたは順次滴下し、その後、半導体基板を回転させ
る。
【００１０】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はフォトレジスト塗布装置におけ
る塗布状態を示す状態図である。図において、17a ，17
b ，17c は薬剤を供給するノズル、18a ，18b ，18c は
ノズル17a ，17b ，17c の薬剤吐出口で、ウエハ１の口
径数等の制約から最も膜厚均一性の良くなる滴下口数と
その配置された状態である。図２は、図１のノズル17a
〜17c をウエハ１側より見た、ノズル17a 〜17c の配置
を示す図で、それぞれ等間隔に配置されて正三角形をな
している。
ついて説明する。図１はフォトレジスト塗布装置におけ
る塗布状態を示す状態図である。図において、17a ，17
b ，17c は薬剤を供給するノズル、18a ，18b ，18c は
ノズル17a ，17b ，17c の薬剤吐出口で、ウエハ１の口
径数等の制約から最も膜厚均一性の良くなる滴下口数と
その配置された状態である。図２は、図１のノズル17a
〜17c をウエハ１側より見た、ノズル17a 〜17c の配置
を示す図で、それぞれ等間隔に配置されて正三角形をな
している。
【００１１】なお、その他の構成は図５、及び図６に示
した従来のものと同様なので、その説明は省略する。
した従来のものと同様なので、その説明は省略する。
【００１２】このように構成されたフォトレジスト塗布
装置においては、従来と同様に、ウエハ１を回転塗布部
５に運び、支持台に固定する。その状態で、複数の薬剤
吐出口18a 〜18c からフォトレジスト12がウエハ１上に
同時にあるいは順次滴下され、その後、モータにより高
速回転されてフォトレジスト12をウエハ１上に均一に塗
布されることになる。
装置においては、従来と同様に、ウエハ１を回転塗布部
５に運び、支持台に固定する。その状態で、複数の薬剤
吐出口18a 〜18c からフォトレジスト12がウエハ１上に
同時にあるいは順次滴下され、その後、モータにより高
速回転されてフォトレジスト12をウエハ１上に均一に塗
布されることになる。
【００１３】このように、ノズルが複数配置されている
ため、一本一本のノズルから滴下される薬剤はウエハ１
の複数の位置で同時に広がり始めるので、ウエハ１面内
で薬剤が広がり易くなる。また、フォトレジストを撥じ
く様な表面のウエハに塗布を行なう場合にも、広範囲の
領域に複数のノズルの吐出口18a 〜18c より同時にフォ
トレジスト12を滴下できるため、塗布むらのない、薬剤
が均一に塗布されたウエハ１が得られる。さらに、ノズ
ルを固定式としたので、スキャン方式のノズルに比べ機
械精度の劣化による塗布均一性への悪影響がなく、塗布
均一性のよいウエハ１が得られる。
ため、一本一本のノズルから滴下される薬剤はウエハ１
の複数の位置で同時に広がり始めるので、ウエハ１面内
で薬剤が広がり易くなる。また、フォトレジストを撥じ
く様な表面のウエハに塗布を行なう場合にも、広範囲の
領域に複数のノズルの吐出口18a 〜18c より同時にフォ
トレジスト12を滴下できるため、塗布むらのない、薬剤
が均一に塗布されたウエハ１が得られる。さらに、ノズ
ルを固定式としたので、スキャン方式のノズルに比べ機
械精度の劣化による塗布均一性への悪影響がなく、塗布
均一性のよいウエハ１が得られる。
【００１４】実施例２．図３は、この発明の他の実施例
の塗布状態を示す図で、上記実施例では３本のノズル17
a 〜17c を用いたが、本実施例では３ヶ所の吐出口をも
つ１本のノズル19としたものであり、ノズルの構成が簡
単になる。
の塗布状態を示す図で、上記実施例では３本のノズル17
a 〜17c を用いたが、本実施例では３ヶ所の吐出口をも
つ１本のノズル19としたものであり、ノズルの構成が簡
単になる。
【００１５】実施例３．図４は、この発明のさらに他の
実施例の塗布状態を示す図で、各ノズル20a 〜20c をウ
エハ１に向かって広がるように配置し、より広い領域へ
の薬剤滴下を可能としたものである。
実施例の塗布状態を示す図で、各ノズル20a 〜20c をウ
エハ１に向かって広がるように配置し、より広い領域へ
の薬剤滴下を可能としたものである。
【００１６】実施例４．また、上記実施例では、３本の
ノズル、３ヶ所の吐出口の配置が等間隔である場合につ
いて示したが、塗布条件に合わせて最適な位置に配置す
ればよい。
ノズル、３ヶ所の吐出口の配置が等間隔である場合につ
いて示したが、塗布条件に合わせて最適な位置に配置す
ればよい。
【００１７】さらに、上記実施例ではフォトレジスト塗
布方法について説明したが、チップの保護膜に用いられ
るポリイミド等の他の薬剤の塗布方法であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
布方法について説明したが、チップの保護膜に用いられ
るポリイミド等の他の薬剤の塗布方法であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば複数の
薬剤吐出口より薬剤を滴下するように構成したため、薬
剤の塗布むらのない半導体基板を得ることが可能とな
る。
薬剤吐出口より薬剤を滴下するように構成したため、薬
剤の塗布むらのない半導体基板を得ることが可能とな
る。
【図１】この発明の実施例１による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図２】図１の要部を示す下面図。
【図３】この発明の実施例２による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図４】この発明の実施例３による半導体素子の製造方
法を示す状態図。
法を示す状態図。
【図５】従来のフォトレジスト塗布装置を示す概略図。
【図６】従来のフォトレジスト塗布方法を示す状態図。
【図７】従来の他のフォトレジスト塗布方法を示す状態
図。
図。
【図８】従来のさらに他のフォトレジスト塗布方法を示
す状態図。
す状態図。
【図９】塗布むらの発生したウエハを示す図。
１ ウエハ ５ 回転塗布部 ７ モータ 12 フォトレジスト 17a ，17b ，17c ノズル 18a ，18b ，18c 薬剤吐出口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、複数の吐出口より薬剤
を同時にまたは順次滴下し、前記半導体基板を回転させ
ることにより、前記薬剤を前記半導体基板の全面に塗布
することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335491A JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21335491A JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555134A true JPH0555134A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16637782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21335491A Pending JPH0555134A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
| JPH1157582A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
| WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21335491A patent/JPH0555134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641869U (ja) * | 1992-06-30 | 1994-06-03 | 株式会社シーテック | 液体塗布用ノズル |
| JPH1157582A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
| WO2001008814A1 (fr) * | 1999-07-29 | 2001-02-08 | Chugai Ro Co., Ltd. | Procede de formation d'une couche mince circulaire ou annulaire |
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