JPH03230518A - 薬液塗布装置 - Google Patents
薬液塗布装置Info
- Publication number
- JPH03230518A JPH03230518A JP2672690A JP2672690A JPH03230518A JP H03230518 A JPH03230518 A JP H03230518A JP 2672690 A JP2672690 A JP 2672690A JP 2672690 A JP2672690 A JP 2672690A JP H03230518 A JPH03230518 A JP H03230518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- solvent
- chemical liquid
- coating
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薬液塗布装置に関し、特に半導体基板上に薬液
を回転塗布する薬液塗布装置に関する。
を回転塗布する薬液塗布装置に関する。
従来、この種の薬液塗布装置では、半導体基板面内にお
ける薬液塗布膜厚の均一性向上をはかる為、薬液の温調
や塗布処理部の形状を変更することにより最適化を行っ
ていた。
ける薬液塗布膜厚の均一性向上をはかる為、薬液の温調
や塗布処理部の形状を変更することにより最適化を行っ
ていた。
上述した従来の方法では、塗布膜厚の均一性の向上には
効果があるものの、塗布処理部の排気量を上げると、第
３図Ｂに示ずように、半導体基板外周付近の膜厚が基板
半径の約１／３の領域で厚くなるという現象を効果的に
抑制できないという欠点があった。
効果があるものの、塗布処理部の排気量を上げると、第
３図Ｂに示ずように、半導体基板外周付近の膜厚が基板
半径の約１／３の領域で厚くなるという現象を効果的に
抑制できないという欠点があった。
塗布処理部の排気は、処理部内の薬液のはね返りや薬液
が乾燥して形成した塵埃の舞い上りによる半導体基板表
面の汚染を防ぐ上で重要である。
が乾燥して形成した塵埃の舞い上りによる半導体基板表
面の汚染を防ぐ上で重要である。
しかしながら、排気量を上げると上述した現象が起こっ
てしまうので排気量を最低限に絞って塗布処理を行って
いるというのが現状である。従って、塗布処理部の排気
の変動が直ちに半導体基板の汚染につながり安いという
欠点もあげられる。
てしまうので排気量を最低限に絞って塗布処理を行って
いるというのが現状である。従って、塗布処理部の排気
の変動が直ちに半導体基板の汚染につながり安いという
欠点もあげられる。
なお、排気により半導体基板外周付近の膜厚が厚くなる
という現象は、排気により半導体基板外周付近に速い空
気の流れが起こり、薬液的溶剤の揮発を促進する為に起
こるものである。また、回転塗布では、基板の外周部の
周速が最も速くなる為、薬液的溶剤の揮発速度も速くな
るので、基板外周部の膜厚が厚くなり易いという傾向が
ある。
という現象は、排気により半導体基板外周付近に速い空
気の流れが起こり、薬液的溶剤の揮発を促進する為に起
こるものである。また、回転塗布では、基板の外周部の
周速が最も速くなる為、薬液的溶剤の揮発速度も速くな
るので、基板外周部の膜厚が厚くなり易いという傾向が
ある。
本発明の目的は、半導体基板の塗布膜厚が均一で、汚染
がなく、製品歩留りの高い薬液塗布装置を提供すること
にある。
がなく、製品歩留りの高い薬液塗布装置を提供すること
にある。
本発明は、塗布処理部と、該塗布処理部の中央部に設け
られ半導体基板を載置周定し回転する回転チャックと、
前記半導体基板の中心部の上部に設けられ薬液を滴下す
る薬液ノズルと、前記塗布処理部に接続する排気・排液
管を有する薬液塗布装置において、前記半導体基板の周
辺部の位置に該半導体基板の裏面に溶剤を吐出する温調
溶剤ノズルか設けられている。
られ半導体基板を載置周定し回転する回転チャックと、
前記半導体基板の中心部の上部に設けられ薬液を滴下す
る薬液ノズルと、前記塗布処理部に接続する排気・排液
管を有する薬液塗布装置において、前記半導体基板の周
辺部の位置に該半導体基板の裏面に溶剤を吐出する温調
溶剤ノズルか設けられている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の側面図である。
第１の実施例は、第１図に示すように、半導体基板１は
、真空吸着で固定する回転チャック２干に載置固定され
、塗布処理部３内にて薬液５が回転塗布される。薬液５
は、薬液ノズル４がら半導体基板１上に滴下される。塗
布処理部３の下部に伸びる排気・廃液管６は、塗布処理
部３内の排気及び薬液の廃液を行う為の配管である。
、真空吸着で固定する回転チャック２干に載置固定され
、塗布処理部３内にて薬液５が回転塗布される。薬液５
は、薬液ノズル４がら半導体基板１上に滴下される。塗
布処理部３の下部に伸びる排気・廃液管６は、塗布処理
部３内の排気及び薬液の廃液を行う為の配管である。
半導体基板１の周辺部の位置の直下で塗布処理部３内に
ある温調溶剤ノズル７がらは、温調された溶剤８が半導
体基板１の裏面に吐出される。溶剤８の吐出は、薬液ノ
ズル４より薬液５を半導体基板１上に滴下した後、半導
体基板１を高速回転させる過程において任意のタイミン
グで行う。この過程は、半導体基板】上で薬液５内溶剤
の揮発により、塗布膜を形成せしめるもので、通常、振
り切りと呼ばれている。この振り切り中に、前述の温調
溶剤ノズル７より溶剤８を吐出すると、溶剤８の蒸発潜
熱と温調温度の兼ね合いにより半導体基板１外周付近の
温度低下が起こり、半導体基板１外周付近の薬液５内の
溶剤の揮発が抑制され、結果的に塗布膜厚か相対的に薄
くなる。
ある温調溶剤ノズル７がらは、温調された溶剤８が半導
体基板１の裏面に吐出される。溶剤８の吐出は、薬液ノ
ズル４より薬液５を半導体基板１上に滴下した後、半導
体基板１を高速回転させる過程において任意のタイミン
グで行う。この過程は、半導体基板】上で薬液５内溶剤
の揮発により、塗布膜を形成せしめるもので、通常、振
り切りと呼ばれている。この振り切り中に、前述の温調
溶剤ノズル７より溶剤８を吐出すると、溶剤８の蒸発潜
熱と温調温度の兼ね合いにより半導体基板１外周付近の
温度低下が起こり、半導体基板１外周付近の薬液５内の
溶剤の揮発が抑制され、結果的に塗布膜厚か相対的に薄
くなる。
従って、上述の容量で溶剤８の流量、温調温度及び吐出
タイミングの最適化を行えば、第３図Ａに示すように、
半導体基板１外周付近の塗布膜は中心付近の膜厚に近づ
き、膜厚の均一化をはかることかできる。
タイミングの最適化を行えば、第３図Ａに示すように、
半導体基板１外周付近の塗布膜は中心付近の膜厚に近づ
き、膜厚の均一化をはかることかできる。
第２図は本発明の第２の実施例の側面図である。
第２の実施例は、第２図に示すように、第１の実施例と
異なる点は、温調溶剤ノズル７が複数で半導体基板１の
直径方向に直列に並んでいることである。溶剤８の吐出
の手順、動作は、第１の実施例と同様で各温調溶剤ノズ
ル７の溶剤８の流量の調整が可能である。
異なる点は、温調溶剤ノズル７が複数で半導体基板１の
直径方向に直列に並んでいることである。溶剤８の吐出
の手順、動作は、第１の実施例と同様で各温調溶剤ノズ
ル７の溶剤８の流量の調整が可能である。
この実施例の場合、各温調溶剤ノズル７の溶剤８の流量
の調整により、半導体基板１外周付近の温度低下の程度
と範囲が選べるので、塗布膜厚をより均一化できるとい
う利点がある。
の調整により、半導体基板１外周付近の温度低下の程度
と範囲が選べるので、塗布膜厚をより均一化できるとい
う利点がある。
以上説明したように本発明は、塗布処理部の半導体基板
の周辺部の位置に温調溶剤ノズルを設けることにより、
塗布処理部の排気による半導体基板外周付近の塗布膜を
均一化するとともに、結果的に排気量が十分とれ、半導
体基板表面の汚染を防ぐことができるので、半導体製造
における製品の歩留りを向上させることができる効果が
ある。
の周辺部の位置に温調溶剤ノズルを設けることにより、
塗布処理部の排気による半導体基板外周付近の塗布膜を
均一化するとともに、結果的に排気量が十分とれ、半導
体基板表面の汚染を防ぐことができるので、半導体製造
における製品の歩留りを向上させることができる効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の側面図、第２図は本発
明の第２の実施例の側面図、第３図は半導体基板上の塗
布膜厚分布を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２・・・回転チャック、３・・・
塗布処理部、４・・・薬液ノズル、５・・・薬液、６・
・・排気・廃液管、 ７・・温調溶剤ノズル、 溶剤。
明の第２の実施例の側面図、第３図は半導体基板上の塗
布膜厚分布を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２・・・回転チャック、３・・・
塗布処理部、４・・・薬液ノズル、５・・・薬液、６・
・・排気・廃液管、 ７・・温調溶剤ノズル、 溶剤。
Claims (1)
- 塗布処理部と、該塗布処理部の中央部に設けられ半導体
基板を載置固定し回転する回転チャックと、前記半導体
基板の中心部の上部に設けられ薬液を滴下する薬液ノズ
ルと、前記塗布処理部に接続する排気・排液管を有する
薬液塗布装置において、前記半導体基板の周辺部の位置
に該半導体基板の裏面に溶剤を吐出する温調溶剤ノズル
を設けたことを特徴とする薬液塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2672690A JPH03230518A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 薬液塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2672690A JPH03230518A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 薬液塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230518A true JPH03230518A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12201327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2672690A Pending JPH03230518A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 薬液塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230518A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168871A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 塗布装置 |
| US6548111B1 (en) * | 1999-06-08 | 2003-04-15 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling a temperature of a microelectronic substrate |
| WO2006048287A1 (de) | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Süss Micro Tec Lithography GmbH | Drehbare vorrichtung zum halten eines substrats |
| JP2015023257A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び、基板処理装置 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2672690A patent/JPH03230518A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168871A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 塗布装置 |
| US6548111B1 (en) * | 1999-06-08 | 2003-04-15 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling a temperature of a microelectronic substrate |
| US6830619B2 (en) | 1999-06-08 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling a temperature of a microelectronic substrate |
| WO2006048287A1 (de) | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Süss Micro Tec Lithography GmbH | Drehbare vorrichtung zum halten eines substrats |
| JP2008518767A (ja) * | 2004-11-03 | 2008-06-05 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を保持する回転式装置 |
| US7950347B2 (en) | 2004-11-03 | 2011-05-31 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Rotatable device for holding a substrate |
| JP4836958B2 (ja) * | 2004-11-03 | 2011-12-14 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を保持する回転式装置 |
| JP2015023257A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び、基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4510176A (en) | Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer | |
| US20040040940A1 (en) | Asymmetrical focus ring | |
| KR920003877B1 (ko) | 드라이 에칭장치 및 방법 | |
| JPH03230518A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| US20030211232A1 (en) | Method and apparatus for controlling air over a spinning microelectronic substrate | |
| JPH04174848A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS6129125A (ja) | 塗布装置 | |
| JP2001110714A (ja) | 薬液塗布装置および薬液塗布方法 | |
| JPH01207164A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP2715775B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2895671B2 (ja) | 塗布方法および塗布装置 | |
| JP2649156B2 (ja) | レジスト塗布装置と方法 | |
| JP2001093804A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0555134A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH11276972A (ja) | レジストコーティング装置 | |
| US6395086B1 (en) | Shield for wafer station | |
| JP2001307986A (ja) | 半導体基板固定保持装置 | |
| JPH0927444A (ja) | 回転式基板塗布装置 | |
| JP2658710B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH07302745A (ja) | 塗布方法および装置 | |
| JPH02134813A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| JP2643656B2 (ja) | ウェハ現像処理装置 | |
| JP2005000726A (ja) | 回転塗布装置および回転塗布方法 |