JPH06168871A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPH06168871A JPH06168871A JP32085892A JP32085892A JPH06168871A JP H06168871 A JPH06168871 A JP H06168871A JP 32085892 A JP32085892 A JP 32085892A JP 32085892 A JP32085892 A JP 32085892A JP H06168871 A JPH06168871 A JP H06168871A
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- JP
- Japan
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- substrate
- temperature
- rotary table
- gas
- contact space
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板外周部の温度低下の影響によって、基板
表面で形成されるレジスト膜の不均一をなくす。 【構成】 回転テーブルと基板に囲まれる非接触空間４
に送気管５から気体（窒素ガス，ヘリウム等）を送気
し、前記部分を陽圧にすることにより、レジストの基板
１への裏面回り込みを防止しながら、基板の表面にホト
レジスト膜を形成させる。このとき、回転テーブル２上
部に設けた温度センサー６は、非接触空間４の温度を監
視し、温度制御回路７により、所定の設定温度になるよ
う温調器８を制御する。温調器８により温度制御された
気体は送気管５を介して、非接触空間４に送気される。
この気体の温度制御によって、基板の温度分布は均一と
なる。従って、基板表面のホトレジスト膜形成時に膜厚
を均一にすることができる。
表面で形成されるレジスト膜の不均一をなくす。 【構成】 回転テーブルと基板に囲まれる非接触空間４
に送気管５から気体（窒素ガス，ヘリウム等）を送気
し、前記部分を陽圧にすることにより、レジストの基板
１への裏面回り込みを防止しながら、基板の表面にホト
レジスト膜を形成させる。このとき、回転テーブル２上
部に設けた温度センサー６は、非接触空間４の温度を監
視し、温度制御回路７により、所定の設定温度になるよ
う温調器８を制御する。温調器８により温度制御された
気体は送気管５を介して、非接触空間４に送気される。
この気体の温度制御によって、基板の温度分布は均一と
なる。従って、基板表面のホトレジスト膜形成時に膜厚
を均一にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、塗布装置、特に半導体
製造における、基板へのホトレジスト塗布処理工程のホ
トレジスト塗布装置に関する。
製造における、基板へのホトレジスト塗布処理工程のホ
トレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を図３を用いて説明する。
【０００３】図３に示すホトレジスト塗布処理部（特開
平１−２１５３７４号公報）では、ホトレジスト塗布前
の基板１を回転テーブル２の支持部３に真空保持し、ホ
トレジストを滴下した後、回転テーブル２を回転させ
る。
平１−２１５３７４号公報）では、ホトレジスト塗布前
の基板１を回転テーブル２の支持部３に真空保持し、ホ
トレジストを滴下した後、回転テーブル２を回転させ
る。
【０００４】次に回転テーブル２と基板１に囲まれる非
接触空間４に送気管５から気体（窒素ガス，ヘリウム
等）を送気し、非接触空間４を陽圧にすることにより、
ホトレジストの基板１への裏面回り込みを防止しなが
ら、基板の表面にホトレジスト膜を形成させる。
接触空間４に送気管５から気体（窒素ガス，ヘリウム
等）を送気し、非接触空間４を陽圧にすることにより、
ホトレジストの基板１への裏面回り込みを防止しなが
ら、基板の表面にホトレジスト膜を形成させる。
【０００５】このとき、形成されるホトレジスト膜は、
送気される気体の温度の影響を受けて膜厚が変化し、次
工程の露光処理において、パターン形成の不良を発生さ
せていた。
送気される気体の温度の影響を受けて膜厚が変化し、次
工程の露光処理において、パターン形成の不良を発生さ
せていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のホトレ
ジスト塗布装置では、以下の問題がある。
ジスト塗布装置では、以下の問題がある。
【０００７】従来の技術では、温度管理されていない気
体の送気と基板の回転により、基板の温度は中心付近よ
り外周部の温度が低下することが知られている。また、
基板表面に形成されるホトレジスト膜は、ホトレジスト
の温度が数℃高くなると、数％厚くなることが知られて
いる。
体の送気と基板の回転により、基板の温度は中心付近よ
り外周部の温度が低下することが知られている。また、
基板表面に形成されるホトレジスト膜は、ホトレジスト
の温度が数℃高くなると、数％厚くなることが知られて
いる。
【０００８】従って、基板外周部の温度低下により、基
板表面で形成されるホトレジスト膜は、基板外周部で厚
くなる。本現象により、次工程の露光工程の処理のパタ
ーン形成時に基板外周部と中心付近では、パターン形状
が異なってしまい、歩留りを低下させるという問題があ
る。
板表面で形成されるホトレジスト膜は、基板外周部で厚
くなる。本現象により、次工程の露光工程の処理のパタ
ーン形成時に基板外周部と中心付近では、パターン形状
が異なってしまい、歩留りを低下させるという問題があ
る。
【０００９】この問題は、特に大口径（例えば８イン
チ）半導体基板の塗布装置で顕著となる。
チ）半導体基板の塗布装置で顕著となる。
【００１０】本発明の目的は、パターン形状の不良によ
る歩留りの低下を防止した塗布装置を提供することにあ
る。
る歩留りの低下を防止した塗布装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る塗布装置は、回転テーブルと、送気管
と、温調部とを有し、回転テーブル上の基板表面に塗布
液を滴下し、基板を回転させて遠心力により基板表面に
塗布液を塗布する塗布装置であって、回転テーブルは、
基板裏面を真空吸着する支持部と、基板裏面と回転テー
ブルとにより取囲まれた非接触空間とを有するものであ
り、送気管は、回転テーブルの非接触空間内に気体を送
り込み、該非接触空間内を陽圧にして、基板裏面への塗
布液の廻り込みを阻止するものであり、温調部は、非接
触空間内の温度をセンサーで監視し、その検知出力に基
づいて温調された気体を送気管に供給するものである。
め、本発明に係る塗布装置は、回転テーブルと、送気管
と、温調部とを有し、回転テーブル上の基板表面に塗布
液を滴下し、基板を回転させて遠心力により基板表面に
塗布液を塗布する塗布装置であって、回転テーブルは、
基板裏面を真空吸着する支持部と、基板裏面と回転テー
ブルとにより取囲まれた非接触空間とを有するものであ
り、送気管は、回転テーブルの非接触空間内に気体を送
り込み、該非接触空間内を陽圧にして、基板裏面への塗
布液の廻り込みを阻止するものであり、温調部は、非接
触空間内の温度をセンサーで監視し、その検知出力に基
づいて温調された気体を送気管に供給するものである。
【００１２】また、回転テーブルと、送気管と、温調部
とを有し、回転テーブル上の基板表面に塗布液を滴下
し、基板を回転させて遠心力により基板表面に塗布液を
塗布する塗布装置であって、回転テーブルは、基板裏面
を真空吸着する支持部と、基板裏面と回転テーブルとに
より取囲まれた非接触空間と、非接触空間に沿って設け
られた温調配管とを有するものであり、送気管は、回転
テーブルの非接触空間内に気体を送り込み、該非接触空
間内を陽圧にして、基板裏面への塗布液の廻り込みを阻
止するものであり、温調部は、非接触空間内の温度をセ
ンサーで監視し、その検知出力に基づいて温調された気
体を前記温調配管に送り込んで送気管からの気体を温調
するものである。
とを有し、回転テーブル上の基板表面に塗布液を滴下
し、基板を回転させて遠心力により基板表面に塗布液を
塗布する塗布装置であって、回転テーブルは、基板裏面
を真空吸着する支持部と、基板裏面と回転テーブルとに
より取囲まれた非接触空間と、非接触空間に沿って設け
られた温調配管とを有するものであり、送気管は、回転
テーブルの非接触空間内に気体を送り込み、該非接触空
間内を陽圧にして、基板裏面への塗布液の廻り込みを阻
止するものであり、温調部は、非接触空間内の温度をセ
ンサーで監視し、その検知出力に基づいて温調された気
体を前記温調配管に送り込んで送気管からの気体を温調
するものである。
【００１３】
【作用】温調器と温度制御回路により回転テーブルと基
板の裏面に囲まれる非接触空間の温度を制御する。これ
により、基板周辺部の温度低下を抑えてレジスト膜厚の
均一化を図る。
板の裏面に囲まれる非接触空間の温度を制御する。これ
により、基板周辺部の温度低下を抑えてレジスト膜厚の
均一化を図る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す構成図である。
示す構成図である。
【００１６】図１において、回転テーブル２，支持部
３，送気管５の構成は、従来のものと同じである。
３，送気管５の構成は、従来のものと同じである。
【００１７】本発明では、送気管５に温調器８を接続
し、温調器８で温調された気体を送気管５に送り込むよ
うにしたものである。
し、温調器８で温調された気体を送気管５に送り込むよ
うにしたものである。
【００１８】さらに、温調器８に温調制御回路７を設
け、温度センサー６を非接触空間４内に設置し、温度セ
ンサー６の検知出力を温調制御回路７に出力する。
け、温度センサー６を非接触空間４内に設置し、温度セ
ンサー６の検知出力を温調制御回路７に出力する。
【００１９】回転テーブル２上に設けた温度センサー６
は、非接触空間４の温度を監視し、その監視信号を温度
制御回路７に出力する。温度制御回路７は、温度センサ
ー６の出力により、所定の設定温度になるよう温調器８
を制御する。
は、非接触空間４の温度を監視し、その監視信号を温度
制御回路７に出力する。温度制御回路７は、温度センサ
ー６の出力により、所定の設定温度になるよう温調器８
を制御する。
【００２０】温調器８により温度制御された気体は、送
気管５を介して非接触空間４に送気される。
気管５を介して非接触空間４に送気される。
【００２１】この気体の温度制御によって、基板の温度
分布は均一となる。従って、基板表面のホトレジスト膜
形成時に膜厚を均一にすることができる。
分布は均一となる。従って、基板表面のホトレジスト膜
形成時に膜厚を均一にすることができる。
【００２２】（実施例２）実施例１との相違点を記述す
る。実施例２は、回転テーブル２内に温調配管９を非接
触空間４に添わせて設け、温調器８で温調された媒体を
温調配管９内に流動させることにより、送気管５から非
接触空間４に送気される気体を基板裏面近辺で温調す
る。これより温度制御精度の向上が図れる。尚、本実施
例においても、温度センサー６で非接触空間４内を監視
し、その出力で温度制御回路７により温調器８を制御す
る点は、実施例１と同じである。
る。実施例２は、回転テーブル２内に温調配管９を非接
触空間４に添わせて設け、温調器８で温調された媒体を
温調配管９内に流動させることにより、送気管５から非
接触空間４に送気される気体を基板裏面近辺で温調す
る。これより温度制御精度の向上が図れる。尚、本実施
例においても、温度センサー６で非接触空間４内を監視
し、その出力で温度制御回路７により温調器８を制御す
る点は、実施例１と同じである。
【００２３】実施例１と比べ、温度制御精度が向上する
ため、さらに、ホトレジストの膜厚を均一にすることが
可能である。
ため、さらに、ホトレジストの膜厚を均一にすることが
可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、非接触空
間に送気される気体の温度制御をすることにより、基板
周辺部の温度の低下を抑えることができ、結果的にレジ
ストの膜厚が均一になり、製品の歩留りを向上させる効
果を有する。
間に送気される気体の温度制御をすることにより、基板
周辺部の温度の低下を抑えることができ、結果的にレジ
ストの膜厚が均一になり、製品の歩留りを向上させる効
果を有する。
【００２５】一方、このような構造は、有機膜の膜厚均
一性を重要視する光ディスク塗布装置や液晶塗布装置に
も適用することができるため、同様に歩留り向上の効果
を有する。
一性を重要視する光ディスク塗布装置や液晶塗布装置に
も適用することができるため、同様に歩留り向上の効果
を有する。
【図１】本発明の塗布装置における実施例１を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明の塗布装置における実施例２を示す構成
図である。
図である。
【図３】従来の塗布装置を示す構成図である。
１ 基板 ２ 回転テーブル ３ 支持部 ４ 非接触空間 ５ 送気管 ６ 温度センサー ７ 温度制御回路 ８ 温調器 ９ 温調配管
Claims (2)
- 【請求項１】 回転テーブルと、送気管と、温調部とを
有し、回転テーブル上の基板表面に塗布液を滴下し、基
板を回転させて遠心力により基板表面に塗布液を塗布す
る塗布装置であって、 回転テーブルは、基板裏面を真空吸着する支持部と、基
板裏面と回転テーブルとにより取囲まれた非接触空間と
を有するものであり、 送気管は、回転テーブルの非接触空間内に気体を送り込
み、該非接触空間内を陽圧にして、基板裏面への塗布液
の廻り込みを阻止するものであり、 温調部は、非接触空間内の温度をセンサーで監視し、そ
の検知出力に基づいて温調された気体を送気管に供給す
るものであることを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 回転テーブルと、送気管と、温調部とを
有し、回転テーブル上の基板表面に塗布液を滴下し、基
板を回転させて遠心力により基板表面に塗布液を塗布す
る塗布装置であって、 回転テーブルは、基板裏面を真空吸着する支持部と、基
板裏面と回転テーブルとにより取囲まれた非接触空間
と、非接触空間に沿って設けられた温調配管とを有する
ものであり、 送気管は、回転テーブルの非接触空間内に気体を送り込
み、該非接触空間内を陽圧にして、基板裏面への塗布液
の廻り込みを阻止するものであり、 温調部は、非接触空間内の温度をセンサーで監視し、そ
の検知出力に基づいて温調された気体を前記温調配管に
送り込んで送気管からの気体を温調するものであること
を特徴とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320858A JP2546111B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320858A JP2546111B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168871A true JPH06168871A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2546111B2 JP2546111B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18126042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4320858A Expired - Fee Related JP2546111B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546111B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1057877A (ja) * | 1996-05-07 | 1998-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR20210004820A (ko) * | 2019-07-04 | 2021-01-13 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160171A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Rohm Co Ltd | 樹脂の塗布方法 |
| JPS62188226A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-17 | Rohm Co Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH01200623A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH01262968A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Daicel Chem Ind Ltd | スピンコータ |
| JPH02241571A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-26 | Fujitsu Ltd | スピンナー |
| JPH03230518A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Nec Corp | 薬液塗布装置 |
| JPH0453224A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | スピンコータ |
| JPH04253320A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Nippon Steel Corp | 回転塗布装置 |
| JPH04262552A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4320858A patent/JP2546111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160171A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Rohm Co Ltd | 樹脂の塗布方法 |
| JPS62188226A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-17 | Rohm Co Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH01200623A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH01262968A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Daicel Chem Ind Ltd | スピンコータ |
| JPH02241571A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-26 | Fujitsu Ltd | スピンナー |
| JPH03230518A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Nec Corp | 薬液塗布装置 |
| JPH0453224A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | スピンコータ |
| JPH04253320A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Nippon Steel Corp | 回転塗布装置 |
| JPH04262552A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1057877A (ja) * | 1996-05-07 | 1998-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR20210004820A (ko) * | 2019-07-04 | 2021-01-13 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546111B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |