JP2001196302A - 加熱処理方法及び加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理方法及び加熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の塗布膜のパターン露光後に行われる加
熱処理において，加熱処理により成長する基板表面の膜
厚の段差を測定し，その測定値に基づき即座に加熱温度
を調節して，パターンの線幅のばらつきを事前に防止す
る。 【解決手段】 ポストエクスポージャーベーキング装置
４４内に，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚の段差を測
定するためのセンサ部６４を移動自在に設け，ウェハＷ
の加熱処理中に前記段差を測定する。予め求められてい
る前記段差と一連の基板処理後の最終線幅との相関関係
から，前記段差が所定の範囲内に納まるように，熱板６
１に内蔵されているヒータ６２の設定温度を調節する。
熱処理において，加熱処理により成長する基板表面の膜
厚の段差を測定し，その測定値に基づき即座に加熱温度
を調節して，パターンの線幅のばらつきを事前に防止す
る。 【解決手段】 ポストエクスポージャーベーキング装置
４４内に，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚の段差を測
定するためのセンサ部６４を移動自在に設け，ウェハＷ
の加熱処理中に前記段差を測定する。予め求められてい
る前記段差と一連の基板処理後の最終線幅との相関関係
から，前記段差が所定の範囲内に納まるように，熱板６
１に内蔵されているヒータ６２の設定温度を調節する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の加熱処理方
法と加熱処理装置に関する。
法と加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトグラフィー工程では，ウェハ表面にレジス
ト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを
照射して露光する露光処理，露光後パターン形状を向上
させるためウェハを加熱する加熱処理，その後ウェハに
対して現像を行う現像処理等が行われる。これらの処理
を行う各処理装置は，露光処理装置をのぞき，一つのシ
ステムとしてまとめられ，塗布現像処理システムを構成
している。
おけるフォトグラフィー工程では，ウェハ表面にレジス
ト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを
照射して露光する露光処理，露光後パターン形状を向上
させるためウェハを加熱する加熱処理，その後ウェハに
対して現像を行う現像処理等が行われる。これらの処理
を行う各処理装置は，露光処理装置をのぞき，一つのシ
ステムとしてまとめられ，塗布現像処理システムを構成
している。
【０００３】ここで，上記塗布現像処理システムにより
所定のウェハが製造されているか否かは，一連の処理後
にウェハ表面に形成された回路パターンの線幅を検査，
測定することにより行われていた。また，この線幅を測
定する線幅測定機は，上記塗布現像処理システム外に個
別に設けられており，作業員が製造されたウェハを前記
線幅測定機まで運搬して，前記線幅測定を行っていた。
所定のウェハが製造されているか否かは，一連の処理後
にウェハ表面に形成された回路パターンの線幅を検査，
測定することにより行われていた。また，この線幅を測
定する線幅測定機は，上記塗布現像処理システム外に個
別に設けられており，作業員が製造されたウェハを前記
線幅測定機まで運搬して，前記線幅測定を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ウェハ
の線幅測定は，一連の処理後に行われ，さらに作業員が
ウェハを塗布現像処理システム中から線幅測定機に搬送
して行われているため，ウェハの線幅に異常が発生して
も，例えば露光処理後の加熱時間を補正するまでに時間
がかかっていた。そして，その間に多くのウェハが製造
されるので，所定の線幅のスペックをはずされた不良品
が多く製造されていた。
の線幅測定は，一連の処理後に行われ，さらに作業員が
ウェハを塗布現像処理システム中から線幅測定機に搬送
して行われているため，ウェハの線幅に異常が発生して
も，例えば露光処理後の加熱時間を補正するまでに時間
がかかっていた。そして，その間に多くのウェハが製造
されるので，所定の線幅のスペックをはずされた不良品
が多く製造されていた。
【０００５】発明者の知見によれば，上記露光処理後の
加熱処理中，ウェハ表面の塗布膜の膜厚には，露光され
た露光部と露光されない未露光部との間に段差が形成さ
れるが，この段差と上述した一連の処理後のウェハの線
幅には，一貫した相関関係があることが分かった。
加熱処理中，ウェハ表面の塗布膜の膜厚には，露光され
た露光部と露光されない未露光部との間に段差が形成さ
れるが，この段差と上述した一連の処理後のウェハの線
幅には，一貫した相関関係があることが分かった。
【０００６】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，露光処理後の加熱処理中に，一連の処理後の線
幅と相関関係のあるウェハ表面の塗布膜の膜厚の段差を
測定し，前記段差が所定の範囲に収まるように即座に加
熱温度又は加熱時間を補正することができる加熱処理装
置及び加熱処理方法を提供して，前記問題の解決を図る
ことをその目的とする。
であり，露光処理後の加熱処理中に，一連の処理後の線
幅と相関関係のあるウェハ表面の塗布膜の膜厚の段差を
測定し，前記段差が所定の範囲に収まるように即座に加
熱温度又は加熱時間を補正することができる加熱処理装
置及び加熱処理方法を提供して，前記問題の解決を図る
ことをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，塗布
膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を加熱処理
する加熱処理方法において，前記基板の加熱処理中に少
なくとも１回，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定する工程を有することを特徴とする加熱処理方法が提
供される。
膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を加熱処理
する加熱処理方法において，前記基板の加熱処理中に少
なくとも１回，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定する工程を有することを特徴とする加熱処理方法が提
供される。
【０００８】この請求項１の加熱処理方法によれば，前
記基板の加熱処理中に，前記基板表面の塗布膜の膜厚の
段差を測定するため，例えば一連の基板処理により形成
されたパターンの線幅と相関関係のある前記段差の測定
値に基づき，加熱時間等を補正し，前記段差を所定の範
囲内に保つことができる。
記基板の加熱処理中に，前記基板表面の塗布膜の膜厚の
段差を測定するため，例えば一連の基板処理により形成
されたパターンの線幅と相関関係のある前記段差の測定
値に基づき，加熱時間等を補正し，前記段差を所定の範
囲内に保つことができる。
【０００９】請求項２の発明は，請求項１の加熱処理方
法において，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定
した後，前記段差の測定値に基づき，前記基板の加熱温
度を制御することを特徴とする加熱処理方法が提供され
る。
法において，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定
した後，前記段差の測定値に基づき，前記基板の加熱温
度を制御することを特徴とする加熱処理方法が提供され
る。
【００１０】この請求項２の加熱処理方法によれば，前
記段差の測定値に基づき，前記基板の加熱温度を制御す
るため，加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保た
れ，その結果，前記段差と相関関係のある前記基板の一
連の処理後における最終線幅が所定の範囲に抑えられ
る。
記段差の測定値に基づき，前記基板の加熱温度を制御す
るため，加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保た
れ，その結果，前記段差と相関関係のある前記基板の一
連の処理後における最終線幅が所定の範囲に抑えられ
る。
【００１１】かかる請求項２の発明において，請求項３
のように，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値
に基づき，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間を制
御しても良い。これにより，加熱処理により生じる前記
段差が所定の範囲内に保たれ，その結果，一連の基板処
理後の最終線幅が所定の範囲内に抑えられる。
のように，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値
に基づき，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間を制
御しても良い。これにより，加熱処理により生じる前記
段差が所定の範囲内に保たれ，その結果，一連の基板処
理後の最終線幅が所定の範囲内に抑えられる。
【００１２】請求項４の発明は，前記測定値が予め設定
された許容値の範囲内にない場合にのみ、請求項２又は
３の前記制御を行う加熱処理方法である。
された許容値の範囲内にない場合にのみ、請求項２又は
３の前記制御を行う加熱処理方法である。
【００１３】したがって，前記測定値に対して過敏に基
板の加熱温度や加熱時間を制御することなく，必要に応
じて制御することができる。
板の加熱温度や加熱時間を制御することなく，必要に応
じて制御することができる。
【００１４】請求項５の発明においては，塗布膜を有す
る基板を露光処理した後，当該基板を区画された領域毎
に加熱可能な加熱処理装置によって加熱処理する加熱処
理方法において，前記加熱処理中に少なくとも１回，前
記区画された領域ごとに，前記基板表面の塗布膜の膜厚
の段差を測定する工程を有することを特徴とする加熱処
理方法が提供される。
る基板を露光処理した後，当該基板を区画された領域毎
に加熱可能な加熱処理装置によって加熱処理する加熱処
理方法において，前記加熱処理中に少なくとも１回，前
記区画された領域ごとに，前記基板表面の塗布膜の膜厚
の段差を測定する工程を有することを特徴とする加熱処
理方法が提供される。
【００１５】この請求項５の加熱処理方法によれば，前
記熱板の領域毎に前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を
測定できる。従って，例えば一連の基板処理の最終線幅
と相関関係のある前記段差の測定値に基づき，各領域毎
に加熱時間等を補正し，前記段差を所定の範囲内に保つ
ことができる。
記熱板の領域毎に前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を
測定できる。従って，例えば一連の基板処理の最終線幅
と相関関係のある前記段差の測定値に基づき，各領域毎
に加熱時間等を補正し，前記段差を所定の範囲内に保つ
ことができる。
【００１６】請求項６の発明では，請求項５の加熱処理
方法おいて，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定
した後，前記段差の測定値に基づき，前記熱板が区画さ
れた領域毎に，前記基板の加熱温度を制御することを特
徴とする加熱処理方法が提供される。
方法おいて，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定
した後，前記段差の測定値に基づき，前記熱板が区画さ
れた領域毎に，前記基板の加熱温度を制御することを特
徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１７】この請求項６の加熱処理方法によれば，前
記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前
記熱板の領域毎に前記基板の加熱温度を制御するため，
加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保たれ，その結
果，一連の基板処理後の最終線幅が所定の範囲内に抑え
られる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のば
らつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均一性
が向上する。
記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前
記熱板の領域毎に前記基板の加熱温度を制御するため，
加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保たれ，その結
果，一連の基板処理後の最終線幅が所定の範囲内に抑え
られる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のば
らつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均一性
が向上する。
【００１８】かかる請求項６の発明において，請求項７
のように，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間を制
御しても良い。これにより，請求項６と同様に，加熱処
理により生じる前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を所
定の範囲内の保つことができ，その結果，前記基板の一
連の処理後における最終戦幅が所定の範囲内に保たれ
る。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のばらつ
きも修正されるので，基板面内の線幅の均一性が向上す
る。
のように，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間を制
御しても良い。これにより，請求項６と同様に，加熱処
理により生じる前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を所
定の範囲内の保つことができ，その結果，前記基板の一
連の処理後における最終戦幅が所定の範囲内に保たれ
る。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のばらつ
きも修正されるので，基板面内の線幅の均一性が向上す
る。
【００１９】請求項８の発明は，前記測定値が予め設定
された許容値の範囲内にない場合にのみ、請求項６又は
７の前記制御を行う加熱処理方法である。
された許容値の範囲内にない場合にのみ、請求項６又は
７の前記制御を行う加熱処理方法である。
【００２０】したがって，前記測定値に対して過敏に基
板の加熱温度や加熱時間を制御することなく，必要に応
じて制御することができる。
板の加熱温度や加熱時間を制御することなく，必要に応
じて制御することができる。
【００２１】請求項９の発明は，塗布膜を有する基板を
露光処理した後，当該基板を加熱手段によって加熱する
加熱処理装置であって，加熱処理中に前記基板表面の塗
布膜の膜厚の段差を測定する段差測定手段を有すること
としている。
露光処理した後，当該基板を加熱手段によって加熱する
加熱処理装置であって，加熱処理中に前記基板表面の塗
布膜の膜厚の段差を測定する段差測定手段を有すること
としている。
【００２２】この請求項９の加熱処理装置では，前記加
熱処理装置が，前記段差測定装置を有することにより，
加熱処理中に，前記段差を測定できるため，例えば一連
の基板処理の最終的なパターンの線幅と相関関係のある
前記段差の測定値に基づいて，加熱時間等を修正し，前
記段差を所定の範囲内に保つことができる。
熱処理装置が，前記段差測定装置を有することにより，
加熱処理中に，前記段差を測定できるため，例えば一連
の基板処理の最終的なパターンの線幅と相関関係のある
前記段差の測定値に基づいて，加熱時間等を修正し，前
記段差を所定の範囲内に保つことができる。
【００２３】請求項１０の発明は，請求項９の加熱処理
装置において，前記段差測定手段は，前記段差を測定す
るためのセンサ部を有し，前記センサ部が前記基板上を
移動自在であることとしている。
装置において，前記段差測定手段は，前記段差を測定す
るためのセンサ部を有し，前記センサ部が前記基板上を
移動自在であることとしている。
【００２４】この請求項１０の加熱処理装置では，前記
段差測定手段のセンサ部が，前記基板上を移動自在であ
ることにより，前記センサ部が，前記基板表面の塗布膜
の膜厚の段差を測定しやすい位置まで移動し測定できる
ので，パターンの異なる基板に対しても対応できる。
段差測定手段のセンサ部が，前記基板上を移動自在であ
ることにより，前記センサ部が，前記基板表面の塗布膜
の膜厚の段差を測定しやすい位置まで移動し測定できる
ので，パターンの異なる基板に対しても対応できる。
【００２５】かかる請求項１０の発明において，請求項
１１のように，前記センサ部に，前記センサ部を覆う保
護部材を有するようにしても良い。これにより，前記セ
ンサ部が使用されていないときに，加熱処理において蒸
発した溶剤等が前記センサ部に付着し，前記センサ部が
汚染されることを防止できる。
１１のように，前記センサ部に，前記センサ部を覆う保
護部材を有するようにしても良い。これにより，前記セ
ンサ部が使用されていないときに，加熱処理において蒸
発した溶剤等が前記センサ部に付着し，前記センサ部が
汚染されることを防止できる。
【００２６】請求項１２の発明によれば，請求項９，１
０，１１の加熱処理装置において，前記加熱処理装置内
を排気するための排気口を有し，前記排気口が，前記基
板よりも下方に配置されることとしている。
０，１１の加熱処理装置において，前記加熱処理装置内
を排気するための排気口を有し，前記排気口が，前記基
板よりも下方に配置されることとしている。
【００２７】この請求項１２の加熱処理装置は，前記排
気口が，前記基板の下方に設けられることにより，加熱
処理中に蒸発した溶剤等が，前記基板の下方から排気さ
れるので，前記基板の上方に設けられた前記センサ部の
汚染を防止できる。
気口が，前記基板の下方に設けられることにより，加熱
処理中に蒸発した溶剤等が，前記基板の下方から排気さ
れるので，前記基板の上方に設けられた前記センサ部の
汚染を防止できる。
【００２８】請求項１３の発明は，前記加熱手段は，前
記基板を載置し加熱する熱板を有し，前記熱板は区画さ
れた領域毎に個別に温度調節可能であることを特徴とす
る，請求項９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の
基板の加熱処理装置が提供される。
記基板を載置し加熱する熱板を有し，前記熱板は区画さ
れた領域毎に個別に温度調節可能であることを特徴とす
る，請求項９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の
基板の加熱処理装置が提供される。
【００２９】この請求項１３の加熱処理装置は，前記基
板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記熱
板の領域毎に前記基板の加熱温度を調節することができ
るので，加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保た
れ，その結果，一連の基板処理後の最終線幅が所定の範
囲内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記
段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅
の均一性が向上する。
板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記熱
板の領域毎に前記基板の加熱温度を調節することができ
るので，加熱処理中の前記段差が所定の範囲内に保た
れ，その結果，一連の基板処理後の最終線幅が所定の範
囲内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記
段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅
の均一性が向上する。
【００３０】かかる請求項１３の発明において，請求項
１４のように，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間
を調節可能としても良い。これにより，請求項１３と同
様に，加熱処理により生じる前記基板表面の塗布膜の膜
厚の段差が所定の範囲内の保つことができ，その結果，
前記基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲
内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段
差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の
均一性が向上する。
１４のように，前記基板の加熱温度の代わりに加熱時間
を調節可能としても良い。これにより，請求項１３と同
様に，加熱処理により生じる前記基板表面の塗布膜の膜
厚の段差が所定の範囲内の保つことができ，その結果，
前記基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲
内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段
差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の
均一性が向上する。
【００３１】かかる請求項１３，１４の発明では，請求
項１５のように，前記熱板が同心円状に区画されていて
も良い。また請求項１６のように，放射状の区画されて
いても良い。さらにまた，両者を組み合わせてより細分
化されて区画されていてもよい。
項１５のように，前記熱板が同心円状に区画されていて
も良い。また請求項１６のように，放射状の区画されて
いても良い。さらにまた，両者を組み合わせてより細分
化されて区画されていてもよい。
【００３２】このように，前記熱板を同心円状に区画す
ることにより，前記熱板の同心円状に区画された領域間
に生じる前記段差のばらつきを修正することができ，同
一基板面内の線幅の均一性が向上する。
ることにより，前記熱板の同心円状に区画された領域間
に生じる前記段差のばらつきを修正することができ，同
一基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は，本実施の形態にかかる加
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，
図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，
図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００３４】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている露光装置５２との間でウェハＷの受け渡しを
するインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有
している。
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている露光装置５２との間でウェハＷの受け渡しを
するインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有
している。
【００３５】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００３６】ウェハ搬送体７は，後述するように処理ス
テーション３側の第３の処理装置群G３に属するアライ
メント装置３２とエクステンション装置３３に対しても
アクセスできるように構成されている。
テーション３側の第３の処理装置群G３に属するアライ
メント装置３２とエクステンション装置３３に対しても
アクセスできるように構成されている。
【００３７】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，４つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及
び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面
側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステー
ション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，
インターフェイス部４に隣接して配置されている。さら
にオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を
背面側に別途配置可能となっている。
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，４つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及
び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面
側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステー
ション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，
インターフェイス部４に隣接して配置されている。さら
にオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を
背面側に別途配置可能となっている。
【００３８】第１の処理装置群G1では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置
１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装
置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像
処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置
１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装
置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像
処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
【００３９】第３の処理装置群G3では，図３に示すよう
に，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジ
スト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージ
ョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装
置３３，レジスト塗布後のシンナー溶剤の乾燥処理を行
うプリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱
処理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から
順に例えば８段に重ねられている。
に，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジ
スト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージ
ョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装
置３３，レジスト塗布後のシンナー溶剤の乾燥処理を行
うプリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱
処理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から
順に例えば８段に重ねられている。
【００４０】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行う本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４
７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行う本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４
７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００４１】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び破線で示し
た露光装置５２に対してアクセスできるように構成され
ている。
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び破線で示し
た露光装置５２に対してアクセスできるように構成され
ている。
【００４２】次に，本実施の形態にかかるポストエクス
ポージャーベーキング装置４４の構成について説明す
る。
ポージャーベーキング装置４４の構成について説明す
る。
【００４３】ポストエクスポージャーベーキング装置４
４内には，図４に示すように，ウェハＷを載置し加熱す
る，厚みのある円盤状の熱板６１が設けられている。こ
の熱板６１には，加熱の際の熱源となるヒーター６２が
内蔵されており，このヒータ６２は，ヒーター制御装置
６３により加熱温度が制御される。
４内には，図４に示すように，ウェハＷを載置し加熱す
る，厚みのある円盤状の熱板６１が設けられている。こ
の熱板６１には，加熱の際の熱源となるヒーター６２が
内蔵されており，このヒータ６２は，ヒーター制御装置
６３により加熱温度が制御される。
【００４４】一方，ウェハＷの上方には，ウェハＷ表面
の段差を測定する２つのセンサ部６４がアーム６６に支
持されている。このセンサ部６４は，ウェハＷ表面のレ
ジスト膜の膜厚をＬＥＤ光によって検知できるように構
成されており，２つのセンサ部６４によって測定された
膜厚の差が，ウェハＷ表面の膜厚の段差として認識され
る。
の段差を測定する２つのセンサ部６４がアーム６６に支
持されている。このセンサ部６４は，ウェハＷ表面のレ
ジスト膜の膜厚をＬＥＤ光によって検知できるように構
成されており，２つのセンサ部６４によって測定された
膜厚の差が，ウェハＷ表面の膜厚の段差として認識され
る。
【００４５】また，センサ部６４が支持されているアー
ム６６は，図５に示すように，Ｙ方向（図５において上
下方向）に伸びるレール６７に取り付けられており，こ
のレール６７上を移動自在となっている。さらにレール
６７は，ケーシング６０の壁に沿って設けられている２
本のレール６８に取り付けられており，Ｘ方向（図５に
おいて左右方向）に移動自在となっている。従って，ア
ーム６６に取り付けられたセンサ部６４は，Ｘ，Ｙ方向
に移動自在となっている。
ム６６は，図５に示すように，Ｙ方向（図５において上
下方向）に伸びるレール６７に取り付けられており，こ
のレール６７上を移動自在となっている。さらにレール
６７は，ケーシング６０の壁に沿って設けられている２
本のレール６８に取り付けられており，Ｘ方向（図５に
おいて左右方向）に移動自在となっている。従って，ア
ーム６６に取り付けられたセンサ部６４は，Ｘ，Ｙ方向
に移動自在となっている。
【００４６】上述したセンサ部６４で測定されたウェハ
Ｗ表面の膜厚の段差の測定値は，図４に示したようにセ
ンサ部６４と接続されている主制御装置６９に送られ
る。この主制御装置６９には，予め所定の加熱温度と所
定のタイミング（例えば，加熱開始から２０秒後）にお
けるウェハＷ表面の段差の許容値とを記憶させてある。
そして，前記段差の測定値が許容値の範囲内にない場合
には，接続されているヒーター制御装置６３を制御する
ように構成されている。さらにケーシング６０下面に
は，ケーシング６０内を排気するための排気口７０が設
けられている。一方，ケーシング６０の上面には供給口
７１が設けられており，供給項７１から所定のガス，た
とえば，清浄空気や窒素ガスが供給されると，ケーシン
グ６０内にはダウンフローが形成される。
Ｗ表面の膜厚の段差の測定値は，図４に示したようにセ
ンサ部６４と接続されている主制御装置６９に送られ
る。この主制御装置６９には，予め所定の加熱温度と所
定のタイミング（例えば，加熱開始から２０秒後）にお
けるウェハＷ表面の段差の許容値とを記憶させてある。
そして，前記段差の測定値が許容値の範囲内にない場合
には，接続されているヒーター制御装置６３を制御する
ように構成されている。さらにケーシング６０下面に
は，ケーシング６０内を排気するための排気口７０が設
けられている。一方，ケーシング６０の上面には供給口
７１が設けられており，供給項７１から所定のガス，た
とえば，清浄空気や窒素ガスが供給されると，ケーシン
グ６０内にはダウンフローが形成される。
【００４７】また，ポストエクスポージャーベーキング
装置４４には，ウェハＷを搬入出する際に，ウェハＷを
支持し，昇降させる昇降ピン７２が設けられており，熱
板６１に設けられた貫通孔７３を貫通して出没自在とな
っている。また熱板６１上には，加熱処理中ウェハＷを
支持するためのプロキシミティピン７４が，同一円周上
で３ヶ所に設けられている。
装置４４には，ウェハＷを搬入出する際に，ウェハＷを
支持し，昇降させる昇降ピン７２が設けられており，熱
板６１に設けられた貫通孔７３を貫通して出没自在とな
っている。また熱板６１上には，加熱処理中ウェハＷを
支持するためのプロキシミティピン７４が，同一円周上
で３ヶ所に設けられている。
【００４８】次に以上のように構成された加熱処理装置
としてのポストエクスポージャーベーキング装置４４の
作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの
塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
としてのポストエクスポージャーベーキング装置４４の
作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの
塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
【００４９】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１
７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，
所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステ
ンション・クーリング装置４１に搬送される。
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１
７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，
所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステ
ンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００５０】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置５２に
搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬
送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された
後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハ
Ｗはポストエクスポージャーベーキング装置４４又は４
５に搬送される。
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置５２に
搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬
送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された
後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハ
Ｗはポストエクスポージャーベーキング装置４４又は４
５に搬送される。
【００５１】次にポストエクスポージャーベーキング装
置４４におけるウェハＷの作用を図６のフローに従って
説明する。
置４４におけるウェハＷの作用を図６のフローに従って
説明する。
【００５２】先ず，前処理が終了したウェハＷが，搬送
体５０によって，ポストエクスポージャーベーキング装
置４４内に搬入され，予め上昇して待機していた昇降ピ
ン７２に受け渡される。そして，昇降ピン７２の下降に
伴い，ウェハＷが下降し，熱板６１上の支持ピン７４に
支持される。この時，予め所定の温度に加熱された熱板
６１によって，ウェハＷの加熱が開始される。また，加
熱処理中は，ウェハ表面から発生した溶剤等を排気する
ため常に，ケーシング６０内には既述したダウンフロー
が形成されている。
体５０によって，ポストエクスポージャーベーキング装
置４４内に搬入され，予め上昇して待機していた昇降ピ
ン７２に受け渡される。そして，昇降ピン７２の下降に
伴い，ウェハＷが下降し，熱板６１上の支持ピン７４に
支持される。この時，予め所定の温度に加熱された熱板
６１によって，ウェハＷの加熱が開始される。また，加
熱処理中は，ウェハ表面から発生した溶剤等を排気する
ため常に，ケーシング６０内には既述したダウンフロー
が形成されている。
【００５３】次に，２つのセンサ部６４が，アーム６６
によって，ウェハＷ上の所定の位置に移動し，待機す
る。そして，これらのセンサ部６４は，所定のタイミン
グ，例えば，加熱開始から２０秒で，ウェハ表面にＬＥ
Ｄ光を照射し，図７示すようなウェハＷ表面のレジスト
膜に形成される露光部と未露光部との膜厚の段差ｄを測
定する。その測定値は，主制御装置６９に送られ，予め
主記憶装置６９に記憶されているウェハ表面の段差の許
容値と比較される。ここで，ウェハＷ表面の段差の許容
値は，実験等により求められた加熱処理中のウェハＷ表
面の段差と最終線幅との相関関係から決定される。この
相関関係として例えば，図８に示すように，段差が小さ
くなるにつれ，最終線幅も小さくなるような関係があ
る。そして，最終線幅の許容範囲のボーダーの値に対応
する段差の値を前記段差の許容値とし，予め主制御装置
６９に記憶しておく。
によって，ウェハＷ上の所定の位置に移動し，待機す
る。そして，これらのセンサ部６４は，所定のタイミン
グ，例えば，加熱開始から２０秒で，ウェハ表面にＬＥ
Ｄ光を照射し，図７示すようなウェハＷ表面のレジスト
膜に形成される露光部と未露光部との膜厚の段差ｄを測
定する。その測定値は，主制御装置６９に送られ，予め
主記憶装置６９に記憶されているウェハ表面の段差の許
容値と比較される。ここで，ウェハＷ表面の段差の許容
値は，実験等により求められた加熱処理中のウェハＷ表
面の段差と最終線幅との相関関係から決定される。この
相関関係として例えば，図８に示すように，段差が小さ
くなるにつれ，最終線幅も小さくなるような関係があ
る。そして，最終線幅の許容範囲のボーダーの値に対応
する段差の値を前記段差の許容値とし，予め主制御装置
６９に記憶しておく。
【００５４】そこで，主制御装置６９は，段差の測定値
が予め記憶されている段差の許容値の範囲内にない場合
は，ヒーター制御装置６３にそのデータを送り，ヒータ
制御装置６３は，送られたデータに基づきヒータ６２の
設定温度を調節する。例えば，段差の測定値が，段差の
許容値の範囲よりも大きい場合は，ヒーター６２の設定
温度を下げて，逆に段差の許容値の範囲よりも小さい場
合は，ヒータ６２の設定温度を上げる。一方，段差の測
定値が，段差の許容値の範囲内である場合は，ヒータ制
御装置６３にデータは送られず，ヒータ６２の設定温度
は，そのまま保たれる。
が予め記憶されている段差の許容値の範囲内にない場合
は，ヒーター制御装置６３にそのデータを送り，ヒータ
制御装置６３は，送られたデータに基づきヒータ６２の
設定温度を調節する。例えば，段差の測定値が，段差の
許容値の範囲よりも大きい場合は，ヒーター６２の設定
温度を下げて，逆に段差の許容値の範囲よりも小さい場
合は，ヒータ６２の設定温度を上げる。一方，段差の測
定値が，段差の許容値の範囲内である場合は，ヒータ制
御装置６３にデータは送られず，ヒータ６２の設定温度
は，そのまま保たれる。
【００５５】その後，段差測定の終了したセンサ部６４
は，再びアーム６６によってウェハＷ上面から所定の位
置に退避する。そして，ウェハＷは，適切な温度で所定
時間加熱される。
は，再びアーム６６によってウェハＷ上面から所定の位
置に退避する。そして，ウェハＷは，適切な温度で所定
時間加熱される。
【００５６】加熱処理の終了したウェハＷは，再び昇降
ピン７２に支持され上昇し，ウェハ搬送体７に受け渡さ
れた後，ポストエクスポージャーベーキング装置４４か
ら搬出される。
ピン７２に支持され上昇し，ウェハ搬送体７に受け渡さ
れた後，ポストエクスポージャーベーキング装置４４か
ら搬出される。
【００５７】以上の実施の形態によれば，ポストエクス
ポージャーベーキング装置４４の加熱処理中に，センサ
部６４によって，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚の段
差を測定し，即座にヒータ６２の設定温度を適切な温度
に補正するため，ウェハＷのいわゆる不良品を減少させ
歩留まりの向上が図られる。また，測定された段差が，
予め設定されている許容値の範囲内にない場合にのみヒ
ータ６２の設定温度を変更することにより，必要最小限
の制御に抑えられるため，作業効率が向上する。
ポージャーベーキング装置４４の加熱処理中に，センサ
部６４によって，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚の段
差を測定し，即座にヒータ６２の設定温度を適切な温度
に補正するため，ウェハＷのいわゆる不良品を減少させ
歩留まりの向上が図られる。また，測定された段差が，
予め設定されている許容値の範囲内にない場合にのみヒ
ータ６２の設定温度を変更することにより，必要最小限
の制御に抑えられるため，作業効率が向上する。
【００５８】また，センサ部６４がアーム６６によって
移動自在に設けられているので，段差測定に適した位置
に移動して段差を測定できる。さらに，ケーシング６０
内にダウンフローを形成させておくので，ウェハＷから
発生する溶剤等によってセンサ部６４が汚染されること
を防止できる。
移動自在に設けられているので，段差測定に適した位置
に移動して段差を測定できる。さらに，ケーシング６０
内にダウンフローを形成させておくので，ウェハＷから
発生する溶剤等によってセンサ部６４が汚染されること
を防止できる。
【００５９】次に，第２の実施の形態として区画された
熱板を有するポストエクスポージャーベーキング装置４
４について説明する。この第２の実施の形態におけるポ
ストエクスポージャーベーキング装置４４の熱板８１
は，図９に示すように同心円状に区画され，その区画さ
れたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にヒータ８２ａ，
８２ｂ，８２ｃがそれぞれ内蔵されている。これらの各
ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃは，ヒータ制御装置８３
ａ，８３ｂ，８３ｃによって個別に制御されるように構
成されている。さらに各ヒータ制御装置８３ａ，８３
ｂ，８３ｃは，一の主制御装置６９に接続されており，
この主制御装置６９は，センサ部６４で測定した段差に
基づき各ヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃを制御
するように構成されている。
熱板を有するポストエクスポージャーベーキング装置４
４について説明する。この第２の実施の形態におけるポ
ストエクスポージャーベーキング装置４４の熱板８１
は，図９に示すように同心円状に区画され，その区画さ
れたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にヒータ８２ａ，
８２ｂ，８２ｃがそれぞれ内蔵されている。これらの各
ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃは，ヒータ制御装置８３
ａ，８３ｂ，８３ｃによって個別に制御されるように構
成されている。さらに各ヒータ制御装置８３ａ，８３
ｂ，８３ｃは，一の主制御装置６９に接続されており，
この主制御装置６９は，センサ部６４で測定した段差に
基づき各ヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃを制御
するように構成されている。
【００６０】第２の実施の形態にかかるポストエクスポ
ージャーベーキング装置４４は，第１の実施の形態にか
かるポストエクスポージャーベーキング装置４４と同様
にして，ウェハＷが搬送体５０によって搬入され，熱板
８１上の支持ピン７４に載置された後，各エリア毎のヒ
ータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃによって加熱処理される。
加熱処理中，各エリアにおいて，異なるタイミング，例
えば，加熱開始から，８１ａでは２０秒後，８１ｂでは
３０秒後，８１ｃでは４０秒後にセンサ部６４によって
ウェハＷ表面の段差が測定される。それらの測定値は，
主制御装置６９に送られ，その主制御装置６９におい
て，各エリア毎に予め記憶されている段差の許容値と比
較される。そして，第１の実施の形態同様，各エリアの
段差の測定値が，許容値の範囲内にない場合にのみ，そ
れぞれのヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃにデー
タが送られ，ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃの設定温度
が各エリア毎に調節される。
ージャーベーキング装置４４は，第１の実施の形態にか
かるポストエクスポージャーベーキング装置４４と同様
にして，ウェハＷが搬送体５０によって搬入され，熱板
８１上の支持ピン７４に載置された後，各エリア毎のヒ
ータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃによって加熱処理される。
加熱処理中，各エリアにおいて，異なるタイミング，例
えば，加熱開始から，８１ａでは２０秒後，８１ｂでは
３０秒後，８１ｃでは４０秒後にセンサ部６４によって
ウェハＷ表面の段差が測定される。それらの測定値は，
主制御装置６９に送られ，その主制御装置６９におい
て，各エリア毎に予め記憶されている段差の許容値と比
較される。そして，第１の実施の形態同様，各エリアの
段差の測定値が，許容値の範囲内にない場合にのみ，そ
れぞれのヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃにデー
タが送られ，ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃの設定温度
が各エリア毎に調節される。
【００６１】この第２の実施の形態によれば，熱板８１
の区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にウェハ
Ｗ表面に形成される段差を測定し，各エリア毎に加熱温
度を調節するので，同一ウェハＷ内の最終線幅のばらつ
きが抑えられ，ウェハＷ面内の均一性が保たれる。
の区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にウェハ
Ｗ表面に形成される段差を測定し，各エリア毎に加熱温
度を調節するので，同一ウェハＷ内の最終線幅のばらつ
きが抑えられ，ウェハＷ面内の均一性が保たれる。
【００６２】前記実施の形態では，熱板８１は，同心円
状に区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃを有して
いたが，図１１に示したように，熱板８１が放射状に区
画されたエリア８１ｄを有していても本発明は適用され
る。さらにまた図１２に示したように，同心円状と放射
状とを組み合わせてより細分化されたエリア８１ｅ，８
１ｆに対して，個別に加熱温度や加熱時間を制御するよ
うにすれば，より微細な調整を行うことが可能である。
状に区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃを有して
いたが，図１１に示したように，熱板８１が放射状に区
画されたエリア８１ｄを有していても本発明は適用され
る。さらにまた図１２に示したように，同心円状と放射
状とを組み合わせてより細分化されたエリア８１ｅ，８
１ｆに対して，個別に加熱温度や加熱時間を制御するよ
うにすれば，より微細な調整を行うことが可能である。
【００６３】さらに以上の段差測定にあたっては，テス
ト用のパターンが形成されている専用のテスト用ウエハ
や基板を使用することで，より精度の高い測定が実施で
きる。このようなテスト用のウエハの段差測定に基づく
制御は，ウエハのロットの切れ目や，所定の枚数の生産
用ウエハに対して処理した後に行うことが好ましい。
ト用のパターンが形成されている専用のテスト用ウエハ
や基板を使用することで，より精度の高い測定が実施で
きる。このようなテスト用のウエハの段差測定に基づく
制御は，ウエハのロットの切れ目や，所定の枚数の生産
用ウエハに対して処理した後に行うことが好ましい。
【００６４】さらに前記実施の形態では，段差を測定し
た際のデータに基づいて，露光後の加熱処理の際の加熱
温度，加熱時間を制御するようにしていたが，これに代
えて，後処理である現像処理の現像時間を制御するよう
にしてもよい。
た際のデータに基づいて，露光後の加熱処理の際の加熱
温度，加熱時間を制御するようにしていたが，これに代
えて，後処理である現像処理の現像時間を制御するよう
にしてもよい。
【００６５】ここで上述した実施の形態において，加熱
処理が終了する際にもう一度段差を測定し，最終線幅と
の相関関係から適切な段差を形成しているか否か確認し
ても良い。また，段差の測定値に基づき，ヒータの設定
温度を調節したが，その代わりに加熱時間を調節しても
良い。
処理が終了する際にもう一度段差を測定し，最終線幅と
の相関関係から適切な段差を形成しているか否か確認し
ても良い。また，段差の測定値に基づき，ヒータの設定
温度を調節したが，その代わりに加熱時間を調節しても
良い。
【００６６】また上述した実施の形態では，センサ部６
４がウェハＷから蒸発する溶剤等によって汚染されない
ように，ダウンフローを形成していたが，さらに図１０
に示すように，センサ部６４を覆う保護部材９０を設け
てもよい。
４がウェハＷから蒸発する溶剤等によって汚染されない
ように，ダウンフローを形成していたが，さらに図１０
に示すように，センサ部６４を覆う保護部材９０を設け
てもよい。
【００６７】先に説明した実施の形態は，半導体ウェハ
デバイス製造プロセスのリソグラフィー工程におけるウ
ェハの処理システムについてであったが，半導体ウェハ
以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理システムにおいても
応用できる。
デバイス製造プロセスのリソグラフィー工程におけるウ
ェハの処理システムについてであったが，半導体ウェハ
以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理システムにおいても
応用できる。
【００６８】
【発明の効果】請求項１の発明によれば，基板の加熱処
理中に，基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定するの
で，前記段差を測定するために，基板の処理を中断する
必要がなくなる。そして，その結果に基づいて，基板の
加熱処理温度や加熱時間を処理中に制御することができ
るので，不良品が減少し，歩留まりの向上が図られる。
理中に，基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定するの
で，前記段差を測定するために，基板の処理を中断する
必要がなくなる。そして，その結果に基づいて，基板の
加熱処理温度や加熱時間を処理中に制御することができ
るので，不良品が減少し，歩留まりの向上が図られる。
【００６９】請求項２又は請求項３の発明によれば，基
板表面の段差の測定値に基づき，加熱温度又は加熱時間
を制御することで，加熱処理中の基板表面の塗布膜の膜
厚の段差が所定の範囲内に保たれる。その結果，前記段
差と相関関係のある基板の最終線幅が所定の範囲内に保
たれることにより，不良品が減少し，歩留まりの向上が
図られる。
板表面の段差の測定値に基づき，加熱温度又は加熱時間
を制御することで，加熱処理中の基板表面の塗布膜の膜
厚の段差が所定の範囲内に保たれる。その結果，前記段
差と相関関係のある基板の最終線幅が所定の範囲内に保
たれることにより，不良品が減少し，歩留まりの向上が
図られる。
【００７０】請求項４の発明によれば，基板表面の塗布
膜の膜厚の段差の測定値が予め設定された許容値を超え
た場合にのみ、基板の加熱温度又は，加熱時間を制御す
るので，必要のない制御が抑制され作業効率が向上す
る。
膜の膜厚の段差の測定値が予め設定された許容値を超え
た場合にのみ、基板の加熱温度又は，加熱時間を制御す
るので，必要のない制御が抑制され作業効率が向上す
る。
【００７１】請求項５の発明によれば，区画された熱板
の領域毎に基板表面の塗布膜の膜厚の段差が測定される
ため，基板上のより細かい範囲の段差が測定できる。
の領域毎に基板表面の塗布膜の膜厚の段差が測定される
ため，基板上のより細かい範囲の段差が測定できる。
【００７２】請求項６の発明によれば，基板表面の段差
の測定値に基づき，熱板の領域毎に基板の加熱温度を制
御することができるので，加熱処理中の前記段差が所定
の範囲内に保たれ，その結果，一連の基板処理後の最終
線幅が所定の範囲内に保たれ歩留まりが向上する。また
熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正される
ので，同一基板面内の線幅の均一性が向上する。
の測定値に基づき，熱板の領域毎に基板の加熱温度を制
御することができるので，加熱処理中の前記段差が所定
の範囲内に保たれ，その結果，一連の基板処理後の最終
線幅が所定の範囲内に保たれ歩留まりが向上する。また
熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正される
ので，同一基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００７３】請求項７の発明によれば，基板表面の塗布
膜の膜厚の段差の測定値に基づき，熱板の領域毎に，基
板の加熱時間を制御することで，加熱処理により生じる
前記段差を所定の範囲内の保つことができ，その結果，
前記基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲
内に保たれ，歩留まりが向上する。また熱板の領域間に
生じる前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板
面内の線幅の均一性が向上する。
膜の膜厚の段差の測定値に基づき，熱板の領域毎に，基
板の加熱時間を制御することで，加熱処理により生じる
前記段差を所定の範囲内の保つことができ，その結果，
前記基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲
内に保たれ，歩留まりが向上する。また熱板の領域間に
生じる前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板
面内の線幅の均一性が向上する。
【００７４】請求項８の発明によれば，基板表面の塗布
膜の膜厚の段差の測定値が予め設定された許容値を超え
た場合にのみ、基板の加熱温度や加熱時間を制御するの
で，余計な制御が抑制され作業効率が向上する。
膜の膜厚の段差の測定値が予め設定された許容値を超え
た場合にのみ、基板の加熱温度や加熱時間を制御するの
で，余計な制御が抑制され作業効率が向上する。
【００７５】請求項９の発明によれば，加熱処理装置
が，段差測定装置を有するので，個別に前記段差を測定
する装置を設ける必要がなく，コストダウンできる。ま
た加熱処理中に，前記段差の測定値に基づき例えば，加
熱温度等を制御し補正できるので，段差測定装置を個別
に設けたときに比べ，不良品が減少し，歩留まりが向上
する。
が，段差測定装置を有するので，個別に前記段差を測定
する装置を設ける必要がなく，コストダウンできる。ま
た加熱処理中に，前記段差の測定値に基づき例えば，加
熱温度等を制御し補正できるので，段差測定装置を個別
に設けたときに比べ，不良品が減少し，歩留まりが向上
する。
【００７６】請求項１０の発明によれば，段差測定手段
のセンサ部が，基板上を移動自在であるため，センサ部
が，基板上の適した位置で前記基板表面の塗布膜の膜厚
の段差を測定できる。
のセンサ部が，基板上を移動自在であるため，センサ部
が，基板上の適した位置で前記基板表面の塗布膜の膜厚
の段差を測定できる。
【００７７】請求項１１の発明によれば，センサ部を覆
う保護部材を有することでセンサ部の汚染を防止し，セ
ンサ部の保護環境が向上する。
う保護部材を有することでセンサ部の汚染を防止し，セ
ンサ部の保護環境が向上する。
【００７８】請求項１２の発明によれば，排気手段が，
基板の下方に設けられており，加熱処理中に蒸発した溶
剤等が，基板の下方から排気されるので，基板の上方に
設けられたセンサ部の汚染を防止できる。
基板の下方に設けられており，加熱処理中に蒸発した溶
剤等が，基板の下方から排気されるので，基板の上方に
設けられたセンサ部の汚染を防止できる。
【００７９】請求項１３の発明によれば，基板表面の塗
布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記熱板の領域毎
に基板の加熱温度を調節することができるので，加熱処
理中の前記段差が所定の範囲内に保たれ，その結果，一
連の基板処理後の最終線幅が所定の範囲内に保たれ歩留
まりが向上する。また，熱板の領域間に生じる前記段差
のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均
一性が改善され，歩留まりの向上が図られる。
布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記熱板の領域毎
に基板の加熱温度を調節することができるので，加熱処
理中の前記段差が所定の範囲内に保たれ，その結果，一
連の基板処理後の最終線幅が所定の範囲内に保たれ歩留
まりが向上する。また，熱板の領域間に生じる前記段差
のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均
一性が改善され，歩留まりの向上が図られる。
【００８０】請求項１４の発明によれば，基板の加熱時
間を制御することで，加熱処理により生じる前記基板表
面の段差が所定の範囲内の保つことができ，その結果，
基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲内に
保たれ歩留まりが向上する。また，熱板の領域間に生じ
る前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内
の線幅の均一性が向上し，歩留まりの向上が図られる。
間を制御することで，加熱処理により生じる前記基板表
面の段差が所定の範囲内の保つことができ，その結果，
基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲内に
保たれ歩留まりが向上する。また，熱板の領域間に生じ
る前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内
の線幅の均一性が向上し，歩留まりの向上が図られる。
【００８１】請求項１５の発明によれば，熱板の同心円
状に区画された領域間に生じる基板表面の塗布膜の膜厚
の段差のばらつきを修正することができ，同一基板面内
の線幅の均一性が向上する。請求項１６では，さらによ
り細かい領域間のばらつきを修正できる。
状に区画された領域間に生じる基板表面の塗布膜の膜厚
の段差のばらつきを修正することができ，同一基板面内
の線幅の均一性が向上する。請求項１６では，さらによ
り細かい領域間のばらつきを修正できる。
【図１】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置を備えた塗布現像処理システムの外
観を示す平面図である。
ャーベーキング装置を備えた塗布現像処理システムの外
観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置の縦断面の説明図である。
ャーベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図５】第１に実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置の横断面の説明図である。
ャーベーキング装置の横断面の説明図である。
【図６】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置で行われる加熱処理のプロセスを現
したフロー図である。
ャーベーキング装置で行われる加熱処理のプロセスを現
したフロー図である。
【図７】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置で行われる加熱処理により生じたウ
ェハ表面のレジスト膜の膜厚の段差の説明図である。
ャーベーキング装置で行われる加熱処理により生じたウ
ェハ表面のレジスト膜の膜厚の段差の説明図である。
【図８】ウェハ表面に形成された段差と最終線幅との相
関関係の一例を示した説明図である。
関関係の一例を示した説明図である。
【図９】第２の実施の形態にかかるポストエクスポージ
ャーベーキング装置の区画された熱板の説明図である。
ャーベーキング装置の区画された熱板の説明図である。
【図１０】第１の実施の形態におけるポストエクスポー
ジャーベーキング装置のウェハ表面の段差を測定するセ
ンサ部に保護部材を取り付けた場合の説明図である。
ジャーベーキング装置のウェハ表面の段差を測定するセ
ンサ部に保護部材を取り付けた場合の説明図である。
【図１１】放射状に区画されたエリアを有する熱板の平
面図である。
面図である。
【図１２】同心円状かつ放射状に区画されたエリアを有
する熱板の平面図である。
する熱板の平面図である。
１ 塗布現像処理システム ４４，４５ ポストエクスポージャーベーキング装置 ６１，８１ 熱板 ６４ センサ部 ６９ 主制御装置 Ｗ ウェハ
Claims (16)
- 【請求項１】 塗布膜を有する基板を露光処理した後，
当該基板を加熱処理する加熱処理方法において，前記基
板の加熱処理中に少なくとも１回，前記基板表面の塗布
膜の膜厚の段差を測定する工程を有することを特徴とす
る，加熱処理方法。 - 【請求項２】 前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定した後，前記塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，
前記基板の加熱温度を制御することを特徴とする，請求
項１に記載の加熱処理方法。 - 【請求項３】 前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定した後，前記塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，
前記基板の加熱時間を制御することを特徴とする，請求
項１に記載の加熱処理方法。 - 【請求項４】 前記測定値が予め設定された許容値の範
囲内にない場合にのみ、前記制御を行うことを特徴とす
る、請求項２又は３のいずれかに記載の加熱処理方法。 - 【請求項５】 塗布膜を有する基板を露光処理した後，
当該基板を区画された領域毎に加熱可能な加熱処理装置
によって加熱処理する加熱処理方法において，前記加熱
処理中に少なくとも１回，前記区画された領域ごとに，
前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する工程を有
することを特徴とする，加熱処理方法。 - 【請求項６】 前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定した後，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値
に基づき，前記区画された領域毎に，前記基板の加熱温
度を制御することを特徴とする，請求項５に記載の加熱
処理方法。 - 【請求項７】 前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測
定した後，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値
に基づき，前記区画された領域毎に，前記基板の加熱時
間を制御することを特徴とする，請求項５に記載の加熱
処理方法。 - 【請求項８】 前記測定値が予め設定された許容値を超
えた場合にのみ、前記区画された領域毎に，前記制御を
行うことを特徴とする、請求項６又は７のいずれかに記
載の加熱処理方法。 - 【請求項９】 塗布膜を有する基板を露光処理した後，
当該基板を加熱手段によって加熱する加熱処理装置であ
って，加熱処理中に前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差
を測定する段差測定手段を有することを特徴とする，加
熱処理装置。 - 【請求項１０】 前記段差測定手段は，前記塗布膜の膜
厚の段差を測定するためのセンサ部を有し，前記センサ
部が前記基板上を移動自在であることを特徴とする，請
求項９に記載の加熱処理装置。 - 【請求項１１】 前記センサ部を覆う保護部材を有する
ことを特徴とする，請求項１０に記載の加熱処理装置。 - 【請求項１２】 前記加熱処理装置内を排気するための
排気口を有し，前記排気口が，前記基板よりも下方に配
置されていることを特徴とする請求項９，１０又は１１
のいずれかに記載の加熱処理装置。 - 【請求項１３】 前記加熱手段は，前記基板を載置し加
熱する熱板を有し，前記熱板は区画された領域毎に個別
に温度調節可能であることを特徴とする，請求項９，１
０，１１又は１２のいずれかに記載の加熱処理装置。 - 【請求項１４】 前記加熱手段は，前記基板を載置し加
熱する熱板を有し，前記熱板は区画された領域毎に個別
に加熱時間の調節が可能であることを特徴とする，請求
項９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の加熱処理
装置。 - 【請求項１５】 前記熱板が同心円状に区画されている
ことを特徴とする，請求項１３又は１４のいずれかに記
載の加熱処理装置。 - 【請求項１６】 前記熱板は，放射状に区画されている
ことを特徴とする，請求項１３，１４又は１５のいずれ
かに記載の加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329937A JP3587777B2 (ja) | 1999-11-02 | 2000-10-30 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31228699 | 1999-11-02 | ||
| JP11-312286 | 1999-11-02 | ||
| JP2000329937A JP3587777B2 (ja) | 1999-11-02 | 2000-10-30 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196302A true JP2001196302A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3587777B2 JP3587777B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=26567091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000329937A Expired - Fee Related JP3587777B2 (ja) | 1999-11-02 | 2000-10-30 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3587777B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003203837A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| JP2008172111A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Tokyo Electron Ltd | リフロー処理装置およびリフロー処理方法 |
| JP2008219055A (ja) * | 1998-07-02 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 加熱装置の評価方法とパターン形成方法及び加熱装置の制御方法 |
| JP2021509535A (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-25 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板検査装置及び基板検査方法 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000329937A patent/JP3587777B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003203837A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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| JP7295861B2 (ja) | 2017-12-27 | 2023-06-21 | ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| US11726134B2 (en) | 2017-12-27 | 2023-08-15 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate inspection device and substrate inspection method |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3587777B2 (ja) | 2004-11-10 |
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