JPH04164314A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH04164314A JPH04164314A JP29158290A JP29158290A JPH04164314A JP H04164314 A JPH04164314 A JP H04164314A JP 29158290 A JP29158290 A JP 29158290A JP 29158290 A JP29158290 A JP 29158290A JP H04164314 A JPH04164314 A JP H04164314A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- film thickness
- film
- thickness
- resist coating
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- Pending
Links
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 26
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程の一つであるフォトリソ
グラフィ工程における半導体基板（以下ウェーハと呼ぶ
）の表面にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置
に関する。
グラフィ工程における半導体基板（以下ウェーハと呼ぶ
）の表面にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置
に関する。
第３図は従来のレジスト塗布装置の一例における概略を
示す図である。従来、この種のレジスト塗布装置は、例
えば、第３図に示すように、ウェーハを載置するチャッ
ク２と、チャック２を高速回転させる回転機構３と、ウ
ェーハ１にフォトレジスト液を滴下するノズル４と、こ
のノズル４にフォトレジスト液を供給するフォトレジス
ト供給部５とを有していた。
示す図である。従来、この種のレジスト塗布装置は、例
えば、第３図に示すように、ウェーハを載置するチャッ
ク２と、チャック２を高速回転させる回転機構３と、ウ
ェーハ１にフォトレジスト液を滴下するノズル４と、こ
のノズル４にフォトレジスト液を供給するフォトレジス
ト供給部５とを有していた。
次に、このレジスト塗布装置の動作を説明する。まず、
チャック２にウェーハ１を載１する。
チャック２にウェーハ１を載１する。
次に、数百〜数千回転／分程度にチャック２を回転する
６次に、ノズル４よりフォトレジスト液を滴下する。こ
のことにより、フォトレジスト液は遠心力で外側に広が
り数μｍの膜厚′のフ才トレジスト膜６が得られる。ま
た、このレジスト塗布装置では、あらかじめフォトレジ
スト膜の膜厚が所定の寸法に得られるように、ウェーハ
の回転数及びフォトレジスト滴下量を決定し、これらを
条件値として、レジスト塗布装置でウェーハ面にフォト
レジスト膜を形成していた。
６次に、ノズル４よりフォトレジスト液を滴下する。こ
のことにより、フォトレジスト液は遠心力で外側に広が
り数μｍの膜厚′のフ才トレジスト膜６が得られる。ま
た、このレジスト塗布装置では、あらかじめフォトレジ
スト膜の膜厚が所定の寸法に得られるように、ウェーハ
の回転数及びフォトレジスト滴下量を決定し、これらを
条件値として、レジスト塗布装置でウェーハ面にフォト
レジスト膜を形成していた。
上述した従来のレジスト塗布装置では、ウェーハ表面に
塗布されたフォトレジスト膜の膜厚を監視する機構が特
に設けられていないので、塗布されたフォトレジスト膜
の塗布状態がどのようになっているのか一枚ずつ監視す
るのが困難であり、突発的に発生する塗布不良に対して
対処できなかった。また、フォトレジスト膜を所望の膜
厚に保つためには、一定時間ごとに、別装置により膜厚
を測定し、回転機構及びレジスト滴下量などを変えてい
かなくてはならなかった。
塗布されたフォトレジスト膜の膜厚を監視する機構が特
に設けられていないので、塗布されたフォトレジスト膜
の塗布状態がどのようになっているのか一枚ずつ監視す
るのが困難であり、突発的に発生する塗布不良に対して
対処できなかった。また、フォトレジスト膜を所望の膜
厚に保つためには、一定時間ごとに、別装置により膜厚
を測定し、回転機構及びレジスト滴下量などを変えてい
かなくてはならなかった。
本発明の目的は、かかる問題を解消すべき、膜厚を監視
する手段を設け、常に安定した膜厚をもつフォトレジス
ト膜を形成するレジスト塗布装置を提供することである
。
する手段を設け、常に安定した膜厚をもつフォトレジス
ト膜を形成するレジスト塗布装置を提供することである
。
本発明のレジスト塗布装置は、半導体基板を載置するチ
ャックと、チャックを回転する回転機構と、前記半導体
基板にフォトレジスト液を滴下するノズルと、ノズルに
前記フォトレジスト液を供給するフォトレジスト供給部
とを有するレジスト塗布装置において、フォトレジスト
膜に感光しない波長光をもつ光を照射し、その反射光で
膜厚を測定する膜厚測定部と、この膜厚測定部の膜厚測
定寸法に対応する信号を入力し、前記フォトレジスト供
給部の前記フォトレジスト液の供給量及び前記チャック
の回転数を制御する制御部とを備え構成される。
ャックと、チャックを回転する回転機構と、前記半導体
基板にフォトレジスト液を滴下するノズルと、ノズルに
前記フォトレジスト液を供給するフォトレジスト供給部
とを有するレジスト塗布装置において、フォトレジスト
膜に感光しない波長光をもつ光を照射し、その反射光で
膜厚を測定する膜厚測定部と、この膜厚測定部の膜厚測
定寸法に対応する信号を入力し、前記フォトレジスト供
給部の前記フォトレジスト液の供給量及び前記チャック
の回転数を制御する制御部とを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明のレジスト塗布装置の一実施例における概略を
示す図である。このレジスト塗布装置は、同図に示すよ
うに、フォトレジスト膜６の膜厚を測定する膜厚測定部
７と、この膜厚測定部７の膜厚信号を入力し、回転機構
３の回転数及びフォトレジスト供給部５のフォトレジス
ト液の供給量を制御する制御部１１とを設けたことであ
る。
は本発明のレジスト塗布装置の一実施例における概略を
示す図である。このレジスト塗布装置は、同図に示すよ
うに、フォトレジスト膜６の膜厚を測定する膜厚測定部
７と、この膜厚測定部７の膜厚信号を入力し、回転機構
３の回転数及びフォトレジスト供給部５のフォトレジス
ト液の供給量を制御する制御部１１とを設けたことであ
る。
また、膜厚測定部７は、フォトレジスト膜６を感光させ
ない波長をもつ光を投光する光源８と、フォトレジスト
膜６及びウェーハ面からの反射光を反射させるとともに
光源８からの光を透過するハーフミラ−９と反射光を受
光し、膜厚を計測する受光部１０とで構成されている。
ない波長をもつ光を投光する光源８と、フォトレジスト
膜６及びウェーハ面からの反射光を反射させるとともに
光源８からの光を透過するハーフミラ−９と反射光を受
光し、膜厚を計測する受光部１０とで構成されている。
次に、このレジスト塗布装置の動作を説明する。まず、
従来例と同様にウェーハにフォトレジスト液を滴下し、
所定の寸法１より薄い膜厚からフォトレジスト膜を形成
する。これと同時に、フォトレジスト膜６の厚さを測定
しながら、膜厚寸法信号により制御部１１は、フォトレ
ジスト供給部に定量ずつノズル４にフォトレジスト液を
供給し、回転機構３の回転数を増加させる０次に、膜厚
が所定寸法に近づいたら、制御部１１はフォトレジスト
供給部５のフォトレジスト供給液を止め、回転機構３の
回転数を一定にし、所定の時間経過後、回転機構３の回
転停止させる。
従来例と同様にウェーハにフォトレジスト液を滴下し、
所定の寸法１より薄い膜厚からフォトレジスト膜を形成
する。これと同時に、フォトレジスト膜６の厚さを測定
しながら、膜厚寸法信号により制御部１１は、フォトレ
ジスト供給部に定量ずつノズル４にフォトレジスト液を
供給し、回転機構３の回転数を増加させる０次に、膜厚
が所定寸法に近づいたら、制御部１１はフォトレジスト
供給部５のフォトレジスト供給液を止め、回転機構３の
回転数を一定にし、所定の時間経過後、回転機構３の回
転停止させる。
このように、回転塗布中に矯に膜厚を監視し、回転機構
及びフォトレジスト供給部を制御する制御部に膜厚信号
を入力すれば、自動的に所望の膜厚のばらつきを約２％
から０．５％程度に低減することが可能となり、安定し
た膜厚を得ることができる。
及びフォトレジスト供給部を制御する制御部に膜厚信号
を入力すれば、自動的に所望の膜厚のばらつきを約２％
から０．５％程度に低減することが可能となり、安定し
た膜厚を得ることができる。
第２図は本発明のレジスト塗布装置の他の実施例におけ
る概略を示す図である。このレジスト塗布装置は、膜厚
測定部７をウェーハ１の直径方向すなわち矢印に示す方
向に移動させる移動機構（図示せず）を設けたことであ
る。この膜圧測定部７を移動させることにより、任意の
点の膜厚を測定することができる。この実施例は、前述
の実施例に比べ、面内の膜厚がより均一に出来るという
利点がある。
る概略を示す図である。このレジスト塗布装置は、膜厚
測定部７をウェーハ１の直径方向すなわち矢印に示す方
向に移動させる移動機構（図示せず）を設けたことであ
る。この膜圧測定部７を移動させることにより、任意の
点の膜厚を測定することができる。この実施例は、前述
の実施例に比べ、面内の膜厚がより均一に出来るという
利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ウェーハ表面に塗布され
るフォトレジスト膜の膜厚を常に監視する膜厚測定部と
この膜厚測定部の膜厚寸法に対応する信号データ１を入
力し、フォトレジスト供給部のフォトレジスト液の供給
量と、ウェーハを回転する回転数を制御する制御部とを
設けることによって、面内の膜厚を均一にし、かつ安定
した膜厚のフォトレジスト膜を形成することの出来るレ
ジスト塗布装置が得られるという効果がある。
るフォトレジスト膜の膜厚を常に監視する膜厚測定部と
この膜厚測定部の膜厚寸法に対応する信号データ１を入
力し、フォトレジスト供給部のフォトレジスト液の供給
量と、ウェーハを回転する回転数を制御する制御部とを
設けることによって、面内の膜厚を均一にし、かつ安定
した膜厚のフォトレジスト膜を形成することの出来るレ
ジスト塗布装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明のレジスト塗布装置の一実施例における
概略を示す図、第２図は本発明のレジスト塗布装置の他
の実施例における概略を示す図、第３図は従来のレジス
ト塗布装置の一例における概略を示す図である。 １・・・ウェーハ、２・・・チャック、３・・・回転機
構、４・・・ノズル、５・・・フォトレジスト供給部、
６・・・フォトレジスト膜、７・・・膜厚測定部、８・
・・光源、９・・・ハーフミラ−１１０・・・受光部、
１１・・・制御部。
概略を示す図、第２図は本発明のレジスト塗布装置の他
の実施例における概略を示す図、第３図は従来のレジス
ト塗布装置の一例における概略を示す図である。 １・・・ウェーハ、２・・・チャック、３・・・回転機
構、４・・・ノズル、５・・・フォトレジスト供給部、
６・・・フォトレジスト膜、７・・・膜厚測定部、８・
・・光源、９・・・ハーフミラ−１１０・・・受光部、
１１・・・制御部。
Claims (1)
- 半導体基板を載置するチャックと、チャックを回転す
る回転機構と、前記半導体基板にフォトレジスト液を滴
下するノズルと、ノズルに前記フォトレジスト液を供給
するフォトレジスト供給部とを有するレジスト塗布装置
において、フォトレジスト膜に感光しない波長光をもつ
光を照射し、その反射光で膜厚を測定する膜厚測定部と
、この膜厚測定部の膜厚測定寸法に対応する信号を入力
し、前記フォトレジスト供給部の前記フォトレジスト液
の供給量及び前記チャックの回転数を制御する制御部と
を備えることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29158290A JPH04164314A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29158290A JPH04164314A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164314A true JPH04164314A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17770800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29158290A Pending JPH04164314A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164314A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595749A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| US6004047A (en) * | 1997-03-05 | 1999-12-21 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method |
| KR100294014B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2001-10-26 | 윤종용 | 웨이퍼도포용감광액토출제어장치및제어방법 |
| JP2003151893A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2007258658A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 塗布液の吐出検知方法及びその装置並びに塗布液の吐出検知用プログラム |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29158290A patent/JPH04164314A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595749A2 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| EP0595749A3 (en) * | 1992-10-30 | 1994-07-13 | Ibm | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| US6004047A (en) * | 1997-03-05 | 1999-12-21 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for processing photoresist, method of evaluating photoresist film, and processing apparatus using the evaluation method |
| KR100294014B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2001-10-26 | 윤종용 | 웨이퍼도포용감광액토출제어장치및제어방법 |
| JP2003151893A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2007258658A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 塗布液の吐出検知方法及びその装置並びに塗布液の吐出検知用プログラム |
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