JPH0582431A - 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置 - Google Patents
半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0582431A JPH0582431A JP23852291A JP23852291A JPH0582431A JP H0582431 A JPH0582431 A JP H0582431A JP 23852291 A JP23852291 A JP 23852291A JP 23852291 A JP23852291 A JP 23852291A JP H0582431 A JPH0582431 A JP H0582431A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nozzle
- wafer
- section
- suck back
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】少なくともレジストノズル１の先端におけるノ
ズル内のレジストの液面の位置を検出する機構と液面の
位置を調整する機構とを有する。 【効果】レジストノズル先端のサックバック量を測定
し、最適とされるサックバック量となるようレジスト液
面を自動的に調整する為サックバック量が安定した状態
でウェーハを処理することができる。その結果、フォト
レジスト膜厚のばらつきを低減することができる。
ズル内のレジストの液面の位置を検出する機構と液面の
位置を調整する機構とを有する。 【効果】レジストノズル先端のサックバック量を測定
し、最適とされるサックバック量となるようレジスト液
面を自動的に調整する為サックバック量が安定した状態
でウェーハを処理することができる。その結果、フォト
レジスト膜厚のばらつきを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの製造
装置にかかり、特にフォトレジスト（以降端にレジスト
と称す）を半導体ウェーハ（以降、単にウェーハと称
す）に塗布するフォトレジスト塗布装置（以降、単にレ
ジスト塗布装置と称す）に関する。
装置にかかり、特にフォトレジスト（以降端にレジスト
と称す）を半導体ウェーハ（以降、単にウェーハと称
す）に塗布するフォトレジスト塗布装置（以降、単にレ
ジスト塗布装置と称す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のレジスト塗布装置につい
て図３を用いて、その動作を順を追って説明する。
て図３を用いて、その動作を順を追って説明する。
【０００３】定量ポンプ１１によってレジストが一定量
ポンプ内に吸引される。次にストップバルブ７を開き、
同時に定量ポンプ１１から一定量のレジストを送り出
す。これによってレジストはチャック３に吸着されたウ
ェーハ４上にレジストノズル１から滴下される。この
時、サックバック部９内のダイヤフラム８は点線のよう
に押し出されている。設定時間後、ストップバルブ７を
閉じ定量ポンプ１１はレジストを再び吸引する。同時に
ダイヤフラム８が実線の状態に戻り、レジストノズル１
のレジストは約２ｍｍ程度引き戻される。この引き戻し
動作は、以下の理由により必要である。
ポンプ内に吸引される。次にストップバルブ７を開き、
同時に定量ポンプ１１から一定量のレジストを送り出
す。これによってレジストはチャック３に吸着されたウ
ェーハ４上にレジストノズル１から滴下される。この
時、サックバック部９内のダイヤフラム８は点線のよう
に押し出されている。設定時間後、ストップバルブ７を
閉じ定量ポンプ１１はレジストを再び吸引する。同時に
ダイヤフラム８が実線の状態に戻り、レジストノズル１
のレジストは約２ｍｍ程度引き戻される。この引き戻し
動作は、以下の理由により必要である。
【０００４】通常、使用されるレジストの粘度は１０〜
１５０ｃｐの範囲である。そのうち、特に低粘度１０〜
５０ｃｐを使用すると、レジストノズル先端がウェーハ
４面に垂直に取り付けられている為、滴下後重力によっ
てウェーハ４上にたれ落ちが生じる場合がある。このた
れ落ちを防ぐ為、上記の引き戻し動作は必ず行なわなけ
ればならない。
１５０ｃｐの範囲である。そのうち、特に低粘度１０〜
５０ｃｐを使用すると、レジストノズル先端がウェーハ
４面に垂直に取り付けられている為、滴下後重力によっ
てウェーハ４上にたれ落ちが生じる場合がある。このた
れ落ちを防ぐ為、上記の引き戻し動作は必ず行なわなけ
ればならない。
【０００５】またレジストの粘度は必要とするレジスト
膜厚の微妙な制御（例えば、１μｍに対し約±５０オン
グストローム）の為、粘度の調整中が非常に狭い（例、
１０〜５０ｃｐで０．１ｃｐ）。それに対してレジスト
ノズル下部にあるカップ排気は１〜３ｍ／ｓｅｃと風速
が大きいことと、元々レジスト中の溶剤は揮発性が高い
ことの相乗効果により、レジストノズル先端のレジスト
は乾燥し、粘度が変化してしまう。よって単にレジスト
のたれ落ちを防ぐ以上にこのレジストの乾燥を防ぐ為、
レジストノズル先端でのレジスト液面の位置を決める引
き戻し動作は、極めて重要である。そこで、従来のレジ
スト塗布装置では、レジストノズル先端からのレジスト
引き戻し（以降、サックバックと称す）量が最適がどう
かは目視にて行い適正値以外の時、サックバック部９中
のストローク調整部１０を手動にて調整してダイヤフラ
ム８のサックバック量を可変させている。
膜厚の微妙な制御（例えば、１μｍに対し約±５０オン
グストローム）の為、粘度の調整中が非常に狭い（例、
１０〜５０ｃｐで０．１ｃｐ）。それに対してレジスト
ノズル下部にあるカップ排気は１〜３ｍ／ｓｅｃと風速
が大きいことと、元々レジスト中の溶剤は揮発性が高い
ことの相乗効果により、レジストノズル先端のレジスト
は乾燥し、粘度が変化してしまう。よって単にレジスト
のたれ落ちを防ぐ以上にこのレジストの乾燥を防ぐ為、
レジストノズル先端でのレジスト液面の位置を決める引
き戻し動作は、極めて重要である。そこで、従来のレジ
スト塗布装置では、レジストノズル先端からのレジスト
引き戻し（以降、サックバックと称す）量が最適がどう
かは目視にて行い適正値以外の時、サックバック部９中
のストローク調整部１０を手動にて調整してダイヤフラ
ム８のサックバック量を可変させている。
【０００６】以上のサックバック動作後、スピンモータ
６によってウェーハ４を高速回転させ、不要なレジスト
をカップ５の内壁に飛散させつつ、ウェーハ４上のレジ
スト膜厚の均一化を行う方法が一般的である。
６によってウェーハ４を高速回転させ、不要なレジスト
をカップ５の内壁に飛散させつつ、ウェーハ４上のレジ
スト膜厚の均一化を行う方法が一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレジス
ト塗布装置は、レジスト中の微量の気泡の混入や送液機
構の変動等によって生じるレジストノズル先端でのレジ
スト液面の位置の変動がある。この変動が生じると、例
えばサックバック量が不足でレジストノズル先端より、
レジスト液面が０．５〜１ｍｍ程度突出してしまう場
合、レジストの溶剤の蒸発が早まり、粘度の変化を来た
し、次のウェーハを処理するとレジスト膜厚のばらつき
がひどくなる。逆にサックバック量が過剰である場合、
レジストノズル内に空気が捕捉されてしまい、次のウェ
ーハ処理時、この気泡がレジストの加算を妨たげ、レジ
スト膜厚のばらつきが顕著になる。
ト塗布装置は、レジスト中の微量の気泡の混入や送液機
構の変動等によって生じるレジストノズル先端でのレジ
スト液面の位置の変動がある。この変動が生じると、例
えばサックバック量が不足でレジストノズル先端より、
レジスト液面が０．５〜１ｍｍ程度突出してしまう場
合、レジストの溶剤の蒸発が早まり、粘度の変化を来た
し、次のウェーハを処理するとレジスト膜厚のばらつき
がひどくなる。逆にサックバック量が過剰である場合、
レジストノズル内に空気が捕捉されてしまい、次のウェ
ーハ処理時、この気泡がレジストの加算を妨たげ、レジ
スト膜厚のばらつきが顕著になる。
【０００８】以上のようにサックバック量を適正に制御
しない場合、塗布不良を発生させる。しかも現象は発生
し始めると連続的に発生し、ウェーハのフォトリソグラ
フィー工程での歩留りや品質を大幅に低下させてしまう
という問題があった。
しない場合、塗布不良を発生させる。しかも現象は発生
し始めると連続的に発生し、ウェーハのフォトリソグラ
フィー工程での歩留りや品質を大幅に低下させてしまう
という問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、レジストノズル先端におけるノズル内のレジスト
の液面の位置を検出する機構と液面の位置を調整する機
構とを備えている。
置は、レジストノズル先端におけるノズル内のレジスト
の液面の位置を検出する機構と液面の位置を調整する機
構とを備えている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は、本発明の一実施例の構成図であ
る。また図２は図１の実施例におけるフローチャート図
である。
る。また図２は図１の実施例におけるフローチャート図
である。
【００１２】本実施例では、レジストノズル１は先端を
観察できるように石英とし、ＣＣＤカメラ２をその周辺
に設置する。サックバック部９中のダイヤフラム８のス
トローク調整部１０には、モータ駆動部１４により駆動
されるステップモータ１４が連結され、モータ駆動部１
４は、ＣＣＤカメラ２からの画像信号に基づき、制御部
１５で制御される。
観察できるように石英とし、ＣＣＤカメラ２をその周辺
に設置する。サックバック部９中のダイヤフラム８のス
トローク調整部１０には、モータ駆動部１４により駆動
されるステップモータ１４が連結され、モータ駆動部１
４は、ＣＣＤカメラ２からの画像信号に基づき、制御部
１５で制御される。
【００１３】次に図１，図２を参照しながら、本実施例
の動作を説明する。
の動作を説明する。
【００１４】ウェーハ４をチャック３に搬送後、レジス
トを滴下させる。その後、ＣＣＤカメラ２によってサッ
クバック量をモニターしながら、ウェーハ４は回転シー
ケンスに入り、終了後、チャック３より搬出する。ＣＣ
Ｄカメラ２からの画像信号を画像処理部１６により画像
処理し、レジスト液面の位置を計測し、この画像計測値
と、あらかじめ入力した設定値とを比較し、ある偏差値
に達すると、サックバック量は適正でないと判断し、以
下の動作を行う。
トを滴下させる。その後、ＣＣＤカメラ２によってサッ
クバック量をモニターしながら、ウェーハ４は回転シー
ケンスに入り、終了後、チャック３より搬出する。ＣＣ
Ｄカメラ２からの画像信号を画像処理部１６により画像
処理し、レジスト液面の位置を計測し、この画像計測値
と、あらかじめ入力した設定値とを比較し、ある偏差値
に達すると、サックバック量は適正でないと判断し、以
下の動作を行う。
【００１５】まずレジストノズル１をドレインホース１
２上へ移動させる。次に制御部１５は、モータ駆動部１
４に出力信号を出す。するとモータ駆動部１４はステッ
プモータ１３を駆動させ、このステップモータ１３と連
結され、サックバック部９内にあるストローク調整部１
０の位置を自動的に調整する。一の調整量が適正かどう
かは、再度、レジストを滴下後、ＣＣＤカメラ２でサッ
クバック量をモニターしながら行う。上記の制御をウェ
ーハ毎に繰り返して行う。
２上へ移動させる。次に制御部１５は、モータ駆動部１
４に出力信号を出す。するとモータ駆動部１４はステッ
プモータ１３を駆動させ、このステップモータ１３と連
結され、サックバック部９内にあるストローク調整部１
０の位置を自動的に調整する。一の調整量が適正かどう
かは、再度、レジストを滴下後、ＣＣＤカメラ２でサッ
クバック量をモニターしながら行う。上記の制御をウェ
ーハ毎に繰り返して行う。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レジスト
ノズル先端のサックバック量を測定し、最適とされるサ
ックバック量となるようレジスト液面の位置を自動的に
調整する為、サックバック量が安定した状態でウェーハ
を処理することができる。従って、サックバック量の変
動に伴うレジスト膜厚のばらつきの低減を実現できる
為、それに起因する半導体装置の回路パターン寸法の変
動から生ずる不良を防止でき、製品の歩留り及び信頼性
の向上に大きな効果がある。
ノズル先端のサックバック量を測定し、最適とされるサ
ックバック量となるようレジスト液面の位置を自動的に
調整する為、サックバック量が安定した状態でウェーハ
を処理することができる。従って、サックバック量の変
動に伴うレジスト膜厚のばらつきの低減を実現できる
為、それに起因する半導体装置の回路パターン寸法の変
動から生ずる不良を防止でき、製品の歩留り及び信頼性
の向上に大きな効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す構成図である。
【図２】図１の実施例のフローチャート図である。
【図３】従来技術の構成図である。
１ レジストノズル ２ ＣＣＤカメラ ３ チャック ４ ウェーハ ５ カップ ６ スピンモータ ７ ストップバルブ ８ ダイヤフラム ９ サックバック部 １０ ストローク調整部 １１ 定量ポンプ １２ ドレインホース １３ ステップモータ １４ モータ駆動部 １５ 制御部 １６ 画像処理部
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトレジストを滴下して半導体ウェー
ハ上に塗布するフォトレジスト塗布装置において、少な
くともフォトレジストノズル先端におけるノズル内のフ
ォトレジストの液面の位置を検出する機構と、液面の位
置を調整する機構とを有することを特徴とする半導体ウ
ェーハのフォトレジスト塗布装置。 - 【請求項２】 前記フォトレジストノズルは透明材料で
形成されている請求項１記載のフォトレジスト塗布装
置。 - 【請求項３】 前記位置を検出する機構にはテレビカメ
ラを有し、前記液面の位置を調整する機構にはレジスト
ノズル先端からのレジスト引き戻し量を調整する手段を
有する請求項１もしくは請求項２に記載のフォトレジス
ト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852291A JPH0582431A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852291A JPH0582431A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582431A true JPH0582431A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17031508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23852291A Pending JPH0582431A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582431A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476862B1 (ko) * | 1997-06-23 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼코팅설비의포토레지스트분사상태체크장치 |
| JP2008161741A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Chugai Ro Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP2009181982A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2009531853A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-03 | ナノエフエイ株式会社 | ノズルモニタリング部を有するフォトレジスト塗布装置及びこれを利用したフォトレジストの塗布方法 |
| KR20190023044A (ko) | 2017-02-08 | 2019-03-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6421924A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | Resist dropping apparatus |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23852291A patent/JPH0582431A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6421924A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | Resist dropping apparatus |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476862B1 (ko) * | 1997-06-23 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼코팅설비의포토레지스트분사상태체크장치 |
| JP2009531853A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-03 | ナノエフエイ株式会社 | ノズルモニタリング部を有するフォトレジスト塗布装置及びこれを利用したフォトレジストの塗布方法 |
| JP2008161741A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Chugai Ro Co Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
| JP2009181982A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| KR101411138B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2014-06-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리장치 |
| KR20190023044A (ko) | 2017-02-08 | 2019-03-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980331 |