JP3093523B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JP3093523B2 JP05158482A JP15848293A JP3093523B2 JP 3093523 B2 JP3093523 B2 JP 3093523B2 JP 05158482 A JP05158482 A JP 05158482A JP 15848293 A JP15848293 A JP 15848293A JP 3093523 B2 JP3093523 B2 JP 3093523B2
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忠久 福島
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広島日本電気株式会社
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Spray Control Apparatus (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特に半導体基板上に種々の薬剤を滴下し、薄膜
を形成する半導体装置の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の半導体装置の製造装置では、図
4aに示す様に、半導体基板1を真空吸着支持し、パル
スモーター2により回転する基板3と、半導体基板の表
面に種々薬剤4を滴下する為の薬剤吐出機構5を有し、
半導体基板周辺端部に形成された薬剤膜6を溶解除去す
るノズル機構7を有している。
【0003】ノズル機構7はある原点に待機しており、
半導体基板1に薬剤4が滴下され、基板3と半導体基板
1の回転により、薬剤膜6が形成された後、あるいは形
成途中に、半導体基板1の周辺部に形成された薬剤膜6
を除去する為、ノズル機構7が所定の位置まで接続され
た駆動機構9により、移動した後、ノズルから溶解薬液
8を吐出して形成された薬剤膜の半導体基板の周辺部を
除去する。
【0004】図4aに示す様な従来のノズル機構7は駆
動機構9によって移動できる様になっている。しかしこ
の駆動機構9によるノズル機構7の移動は原点およびノ
ズルからの薬剤膜溶解薬液8の吐出位置に停止するよう
に設置されたセンサあるいは機構的なストッパーによる
制御すなわち、原点と吐出位置の間の単純な往復移動の
みあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術は図4aの
様にノズル機構7の移動は原点と、吐出位置の単純往復
運動であるので、目的の薬剤膜除去幅を得るためには図
4bに示す様にノズル機構7を駆動機構9に固定してい
るねじ10をゆるめノズル機構をスライドさせ最終的な
溶解薬液吐出位置を調整する必要があった。
【0006】このノズル機構7の調整は人手によるもの
である為、1mm程度の微調整しかできず、ノズル機構
7の位置のばらつきにより、薬剤膜除去幅が変動し、最
悪の場合、半導体基板1上の半導体装置上に形成された
薬剤膜までも除去してしまう場合あり、歩留りを低下さ
せる要因になっていた。又、1mm以下の調整の人手で
行う為多大な労力と時間を要するという問題もあった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、半導体基板を支持し回転する基体と、前記基
体に支持された前記半導体基板の表面に薬剤を滴下する
薬剤吐出機構と、前記半導体基板の表面に塗布された前
記薬剤を除去するノズル及び前記半導体基板の周辺端部
を検出するセンサーからなる除去機構と、前記センサー
により検出された前記半導体基板の前記周辺端部から前
記半導体基板の所定の周辺部に亘って前記除去機構を移
動させる移動手段と、前記半導体基板の表面を撮影する
撮影機構と、前記撮影機構からの情報に基づき前記移動
手段による前記除去機構の移動量を自動的に調節する手
とを有している。
【0008】センサからの半導体基板周辺端部検知信号
を元に薬剤膜を溶解除去するノズル機構の移動量を制御
し、半導体基板の端部に対して常に一定にノズル機構を
移動させて薬剤膜除去幅を一定に保つことができ、除去
幅のバラツキが低減する。そうする事で、半導体装置の
歩留低下が防止でき、又人手による調整が不要の為、労
力と時間の削減も図ることができる。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の参考例の半導体装置の製造装置の断
面図である。
【0010】ここで参考例の装置は搬送部より送られた
半導体基板1を真空吸着支持し、パルスモーター2にて
回転させる基板3と、薬剤4を滴下する薬剤吐出機構5
残った薬剤4を受けるカップ17から構成され、ノズル
機構7を半導体基板1に対して、平行に移動する様に駆
動機構9を設置している。センサ12と駆動機構9は制
御システム11に接続されている。センサ12は反射型
光ファイバセンサの用い、ノズル機構7内に取りつけら
れており、図2に示す様に、発光部13より、発光光1
6を出す。平行移動によって発光光16が半導体1の周
辺端部で反射し受光部14に入射すると、変換器15が
入射発光光を電気信号に変換し、半導体基板1の周辺端
部の検知信号が制御システム11に送られる。
【0011】次に参考例の薬剤膜周辺除去幅の調整動作
原理について説明する。図1においてまず半導体基板1
に基体3、パルスモーター2、薬剤吐出機構5による公
知の方法で薬剤膜6を形成する。その後、ノズル機構7
が半導体基板1に向って移動を開始する。それと同時に
センサ12が半導体基板1の周辺端部を検知する。セン
サ12からの半導体基板1の周辺端部の検知を制御シス
テム11が受けると、その時点でのノズル機構の位置を
起点として、あらかじめ制御システムに登録されている
ノズル機構移動量だけさらに移動し、ノズルから溶解薬
液8を吐出し、薬剤膜6を除去する。次に処理の終わっ
た半導体基板の薬剤膜周辺除去幅を測定し、所望の値で
なかった場合は、制御システム11に登録されている半
導体基板周辺端部を起点とするノズル機構の移動量の値
を適切な値に変更し登録する。
【0012】以上の様な参考例を用いてノズル機構の位
置調整を実施する事で、有効チップの薬剤膜まで除去す
ることによる歩留りの低下を防止する事ができ、又調整
にかかる人手と時間の大幅な削減を達成した。
【0013】実際の量産用な半導体基板を連続作業で処
理する場合は、ノズル機構を待機位置から薬液吐出位置
の間を制御システム11によりコントロールしながら、
往復移動させても良いが、さらにセンサが半導体基板の
周辺端部を検知し、その信号から制御システムおよび駆
動機構がノズル機構を適切な位置に移動させるという
考例の一連の動作を連続処理時におのおのの半導体基板
について実行させた結果、薬剤膜周辺除去幅のばらつき
が従来±1mmであったのが、±0.5mmまで低減で
き、大幅に均一性が向上できた。次に本発明の実施例を
図3を参照して説明する。本発明の実施例では先に説明
した参考例に加え、半導体基板1上に形成された薬剤膜
除去部分を、撮影するカメラ18が備えてある。カメラ
18によって撮影された薬剤膜除去部分の映像を、画像
処理システム19により画像処理し、薬剤膜除去部の幅
を算出する。算出された薬剤膜除去幅の情報は、制御シ
ステム11に送られ、その情報を元に制御システム11
は、次の半導体基板を処理する時にノズル移動量を所望
の薬剤膜除去幅に近づける用に自動的に校正する。以上
の様な本発明の実施例を実施する事により、薬剤膜周辺
除去幅のばらつきが±0.3mm以下まで低減できた。
【0014】
【発明の効果】以上説明した様に本発明はセンサからの
半導体基板周端部の検知信号からノズル機構の位置を制
御している為、半導体基板周端部に対して常に一定の位
置にノズル機構を移動させる事ができ、人手による調整
をはぶき、なおかつ調整にかかる時間を大幅に短縮する
ことが可能となる。又、ノズル機構の位置が半導体基板
周端部に対し、一定な為大幅な薬剤膜除去幅の均一性の
向上が可能となり、除去幅のばらつきによる半導体装置
上の薬剤膜の除去による歩留り低下も防止する事ができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考例の断面図。
【図2】図1に示した参考例の特にセンサ部の詳細を示
した断面図。
【図3】本発明の実施例の断面図。
【図4】図4aは従来の技術の断面図。図4bはノズル
機構7を移動させ薬剤膜除去幅を調整した時の図。
【符号の説明】 1 半導体基板 2 パルスモーター 3 基体 4 薬剤 5 薬剤叶出機構 6 薬剤膜 7 ノズル機構 8 溶解薬液 9 駆動機構 10 ねじ 11 制御システム 12 センサ 13 発行部 14 受光部 15 変換器 16 発光光 17 カップ 18 カメラ 19 画像処理システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/16 502

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板を支持し回転する基体と、前
    記基体に支持された前記半導体基板の表面に薬剤を滴下
    する薬剤吐出機構と、前記半導体基板の表面に塗布され
    た前記薬剤を除去するノズル及び前記半導体基板の周辺
    端部を検出するセンサーからなる除去機構と、前記セン
    サーにより検出された前記半導体基板の前記周辺端部か
    ら前記半導体基板の所定の周辺部に亘って前記除去機構
    を移動させる移動手段と、前記半導体基板の表面を撮影
    する撮影機構と、前記撮影機構からの情報に基づき前記
    移動手段による前記除去機構の移動量を自動的に調節す
    る手段とを備える半導体装置の製造装置。
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CN113439235B (zh) * 2019-02-28 2024-06-14 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质

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