JPH07142332A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH07142332A JPH07142332A JP15848293A JP15848293A JPH07142332A JP H07142332 A JPH07142332 A JP H07142332A JP 15848293 A JP15848293 A JP 15848293A JP 15848293 A JP15848293 A JP 15848293A JP H07142332 A JPH07142332 A JP H07142332A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- nozzle mechanism
- peripheral edge
- nozzle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上に形成された薬剤膜の周辺部を溶
解除去するノズル機構に、半導体基板周端部を検知する
センサと駆動機構制御システムを備える事により、周辺
部除去幅のばらつきをおさえ、製品歩留低下を防止す
る。 【構成】半導体基板１上に形成された薬剤膜６の周辺部
を溶解除去する薬液８を叶出するノズル機構７を駆動機
構９により半導体基板１に平行に微小移動できるように
する。さらにノズル機構７にセンサ１２を取りつけ、半
導体基板１の周端部を検知させる。センサ１２が周端部
を検知した時のノズル機構７の位置を起点として制御シ
ステム１１があらかじめ登録されているノズル機構移動
量だけさらにノズル機構７を移動される事により、薬剤
膜周端部除去幅のばらつきを抑える。この事から、調整
に関わる人手をはぶき、調整時間の大幅短縮が可能とな
り、さらには半導体装置上に形成された薬剤膜をも除去
してしまう事がなくなり歩留り低下を防止する。
解除去するノズル機構に、半導体基板周端部を検知する
センサと駆動機構制御システムを備える事により、周辺
部除去幅のばらつきをおさえ、製品歩留低下を防止す
る。 【構成】半導体基板１上に形成された薬剤膜６の周辺部
を溶解除去する薬液８を叶出するノズル機構７を駆動機
構９により半導体基板１に平行に微小移動できるように
する。さらにノズル機構７にセンサ１２を取りつけ、半
導体基板１の周端部を検知させる。センサ１２が周端部
を検知した時のノズル機構７の位置を起点として制御シ
ステム１１があらかじめ登録されているノズル機構移動
量だけさらにノズル機構７を移動される事により、薬剤
膜周端部除去幅のばらつきを抑える。この事から、調整
に関わる人手をはぶき、調整時間の大幅短縮が可能とな
り、さらには半導体装置上に形成された薬剤膜をも除去
してしまう事がなくなり歩留り低下を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特に半導体基板上に種々の薬剤を滴下し、薄膜
を形成する半導体装置の製造装置に関する。
に関し、特に半導体基板上に種々の薬剤を滴下し、薄膜
を形成する半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体装置の製造装置では、図
４ａに示す様に、半導体基板１を真空吸着支持し、パル
スモーター２により回転する基板３と、半導体基板の表
面に種々薬剤４を滴下する為の薬剤叶出機構５を有し、
半導体基板周辺端部に形成された薬剤膜６を溶解除去す
るノズル機構７を有している。
４ａに示す様に、半導体基板１を真空吸着支持し、パル
スモーター２により回転する基板３と、半導体基板の表
面に種々薬剤４を滴下する為の薬剤叶出機構５を有し、
半導体基板周辺端部に形成された薬剤膜６を溶解除去す
るノズル機構７を有している。
【０００３】ノズル機構７はある原点に待機しており、
半導体基板１に薬剤４が滴下され、基板３と半導体基板
１の回転により、薬剤膜６が形成された後、あるいは形
成途中に、半導体基板１の周辺部に形成された薬剤膜６
を除去する為、ノズル機構７が所定の位置まで接続され
た駆動機構９により、移動した後、ノズルから溶解薬液
８を叶出して形成された薬剤膜の半導体基板の周辺部を
除去する。
半導体基板１に薬剤４が滴下され、基板３と半導体基板
１の回転により、薬剤膜６が形成された後、あるいは形
成途中に、半導体基板１の周辺部に形成された薬剤膜６
を除去する為、ノズル機構７が所定の位置まで接続され
た駆動機構９により、移動した後、ノズルから溶解薬液
８を叶出して形成された薬剤膜の半導体基板の周辺部を
除去する。
【０００４】図４ａに示す様な従来のノズル機構７は駆
動機構９によって移動できる様になっている。しかしこ
の駆動機構９によるノズル機構７の移動は原点およびノ
ズルからの薬剤膜溶解薬液８の叶出位置に停止するよう
に設置されたセンサあるいは機構的なストッパーによる
制御すなわち、原点と叶出位置の間の単純な往復移動の
みあった。
動機構９によって移動できる様になっている。しかしこ
の駆動機構９によるノズル機構７の移動は原点およびノ
ズルからの薬剤膜溶解薬液８の叶出位置に停止するよう
に設置されたセンサあるいは機構的なストッパーによる
制御すなわち、原点と叶出位置の間の単純な往復移動の
みあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術は図４ａの
様にノズル機構７の移動は原点と、叶出位置の単純往復
運動であるので、目的の薬剤膜除去幅を得るためには図
４ｂに示す様にノズル機構７を駆動機構９に固定してい
るねじ１０をゆるめノズル機構をスライドさせ最終的な
溶解薬液叶出位置を調整する必要があった。
様にノズル機構７の移動は原点と、叶出位置の単純往復
運動であるので、目的の薬剤膜除去幅を得るためには図
４ｂに示す様にノズル機構７を駆動機構９に固定してい
るねじ１０をゆるめノズル機構をスライドさせ最終的な
溶解薬液叶出位置を調整する必要があった。
【０００６】このノズル機構７の調整は人手によるもの
である為、１ｍｍ程度の微調整しかできず、ノズル機構
７の位置のばらつきにより、薬剤膜除去幅が変動し、最
悪の場合、半導体基板１上の半導体装置上に形成された
薬剤膜までも除去してしまう場合あり、歩留りを低下さ
せる要因になっていた。又、１ｍｍ以下の調整の人手で
行う為多大な労力と時間を要するという問題もあった。
である為、１ｍｍ程度の微調整しかできず、ノズル機構
７の位置のばらつきにより、薬剤膜除去幅が変動し、最
悪の場合、半導体基板１上の半導体装置上に形成された
薬剤膜までも除去してしまう場合あり、歩留りを低下さ
せる要因になっていた。又、１ｍｍ以下の調整の人手で
行う為多大な労力と時間を要するという問題もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、搬送部から送られてきた半導体基板を真空吸
着支持し回転する基体と、半導体基板の表面に種々の薬
剤を滴下する為の薬剤叶出機構を有し、半導体基板周辺
端部に形成さた薬剤膜を溶解除去するノズル機構とを有
する半導体装置の製造装置において、薬液叶出機構を往
復微動移動が可能な駆動機構と、半導体基板周辺端部を
検知するセンサと、検知された信号を元に薬剤膜の周辺
部を所望の幅で溶解除去できる様にノズルの位置を移動
させる制御システムとを有している。
造装置は、搬送部から送られてきた半導体基板を真空吸
着支持し回転する基体と、半導体基板の表面に種々の薬
剤を滴下する為の薬剤叶出機構を有し、半導体基板周辺
端部に形成さた薬剤膜を溶解除去するノズル機構とを有
する半導体装置の製造装置において、薬液叶出機構を往
復微動移動が可能な駆動機構と、半導体基板周辺端部を
検知するセンサと、検知された信号を元に薬剤膜の周辺
部を所望の幅で溶解除去できる様にノズルの位置を移動
させる制御システムとを有している。
【０００８】センサからの半導体基板周辺端部検知信号
を元に薬剤膜を溶解除去するノズル機構の移動量を制御
し、半導体基板の端部に対して常に一定にノズル機構を
移動させて薬剤膜除去幅を一定に保つことができ、除去
幅のバラツキが低減する。そうする事で、半導体装置の
歩留低下が防止でき、又人手による調整が不要の為、労
力と時間の削減も図ることができる。
を元に薬剤膜を溶解除去するノズル機構の移動量を制御
し、半導体基板の端部に対して常に一定にノズル機構を
移動させて薬剤膜除去幅を一定に保つことができ、除去
幅のバラツキが低減する。そうする事で、半導体装置の
歩留低下が防止でき、又人手による調整が不要の為、労
力と時間の削減も図ることができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の
断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の
断面図である。
【００１０】ここで本発明の装置は搬送部より送られた
半導体基板１を真空吸着支持し、パルスモーター２にて
回転させる基板３と、薬剤４を滴下する薬剤叶出機構５
残った薬剤４を受けるカップ１７から構成され、ノズル
機構７を半導体基板１に対して、平行に移動する様に駆
動機構９を設置している。センサ１２と駆動機構９は制
御システム１１に接続されている。センサ１２は反射型
光ファイバセンサの用い、ノズル機構７内に取りつけら
れており、図２に示す様に、発光部１３より、発光光１
６を出す。平行移動によって発光光１６が半導体１の周
辺端部で反射し受光部１４に入射すると、変換器１５が
入射発光光を電気信号に変換し、半導体基板１の周辺端
部の検知信号が制御システム１１に送られる。
半導体基板１を真空吸着支持し、パルスモーター２にて
回転させる基板３と、薬剤４を滴下する薬剤叶出機構５
残った薬剤４を受けるカップ１７から構成され、ノズル
機構７を半導体基板１に対して、平行に移動する様に駆
動機構９を設置している。センサ１２と駆動機構９は制
御システム１１に接続されている。センサ１２は反射型
光ファイバセンサの用い、ノズル機構７内に取りつけら
れており、図２に示す様に、発光部１３より、発光光１
６を出す。平行移動によって発光光１６が半導体１の周
辺端部で反射し受光部１４に入射すると、変換器１５が
入射発光光を電気信号に変換し、半導体基板１の周辺端
部の検知信号が制御システム１１に送られる。
【００１１】次に本発明の薬剤膜周辺除去幅の調整動作
原理について説明する。図１においてまず半導体基板１
に基体３、パルスモーター２、薬剤叶出機構５による公
知の方法で薬剤膜６を形成する。その後、ノズル機構７
が半導体基板１に向って移動を開始する。それと同時に
センサ１２が半導体基板１の周辺端部を検知する。セン
サ１２からの半導体基板１の周辺端部の検知を制御シス
テム１１が受けると、その時点でのノズル機構の位置を
起点として、あらかじめ制御システムに登録されている
ノズル機構移動量だけさらに移動し、ノズルから溶解薬
液８を叶出し、薬剤膜６を除去する。次に処理の終わっ
た半導体基板の薬剤膜周辺除去幅を測定し、所望の値で
なかった場合は、制御システム１１に登録されている半
導体基板周辺端部を起点とするノズル機構の移動量の値
を適切な値に変更し登録する。
原理について説明する。図１においてまず半導体基板１
に基体３、パルスモーター２、薬剤叶出機構５による公
知の方法で薬剤膜６を形成する。その後、ノズル機構７
が半導体基板１に向って移動を開始する。それと同時に
センサ１２が半導体基板１の周辺端部を検知する。セン
サ１２からの半導体基板１の周辺端部の検知を制御シス
テム１１が受けると、その時点でのノズル機構の位置を
起点として、あらかじめ制御システムに登録されている
ノズル機構移動量だけさらに移動し、ノズルから溶解薬
液８を叶出し、薬剤膜６を除去する。次に処理の終わっ
た半導体基板の薬剤膜周辺除去幅を測定し、所望の値で
なかった場合は、制御システム１１に登録されている半
導体基板周辺端部を起点とするノズル機構の移動量の値
を適切な値に変更し登録する。
【００１２】以上の様な本発明を用いてノズル機構の位
置調整を実施する事で、有効チップの薬剤膜まで除去す
ることによる歩留りの低下を防止する事ができ、又調整
にかかる人手と時間の大幅な削減を達成した。
置調整を実施する事で、有効チップの薬剤膜まで除去す
ることによる歩留りの低下を防止する事ができ、又調整
にかかる人手と時間の大幅な削減を達成した。
【００１３】実際の量産用な半導体基板を連続作業で処
理する場合は、ノズル機構を待機位置から薬液叶出位置
の間を制御システム１１によりコントロールしながら、
往復移動させても良いが、さらにセンサが半導体基板の
周辺端部を検知し、その信号から制御システムおよび駆
動機構がノズル機構を適切な位置に移動させるという本
発明の一連の動作を連続処理時におのおのの半導体基板
について実行させた結果、薬剤膜周辺除去幅のばらつき
が従来±１ｍｍであったのが、±０．５ｍｍまで低減で
き、大幅に均一性が向上できた。次に第二の実施例を図
３を参照して説明する。第二の実施例では先に説明した
第一の実施例に加え、半導体基板１上に形成された薬剤
膜除去部分を、撮影するカメラ１８が備えてある。カメ
ラ１８によって撮影された薬剤膜除去部分の映像を、画
像処理システム１９により画像処理し、薬剤膜除去部の
幅を算出する。算出された薬剤膜除去幅の情報は、制御
システム１１に送られ、その情報を元に制御システム１
１は、次の半導体基板を処理する時にノズル移動量を所
望の薬剤膜除去幅に近づける用に自動的に校正する。以
上の様な第二の実施例を実施する事により、薬剤膜周辺
除去幅のばらつきが±０．３ｍｍ以下まで低減できた。
理する場合は、ノズル機構を待機位置から薬液叶出位置
の間を制御システム１１によりコントロールしながら、
往復移動させても良いが、さらにセンサが半導体基板の
周辺端部を検知し、その信号から制御システムおよび駆
動機構がノズル機構を適切な位置に移動させるという本
発明の一連の動作を連続処理時におのおのの半導体基板
について実行させた結果、薬剤膜周辺除去幅のばらつき
が従来±１ｍｍであったのが、±０．５ｍｍまで低減で
き、大幅に均一性が向上できた。次に第二の実施例を図
３を参照して説明する。第二の実施例では先に説明した
第一の実施例に加え、半導体基板１上に形成された薬剤
膜除去部分を、撮影するカメラ１８が備えてある。カメ
ラ１８によって撮影された薬剤膜除去部分の映像を、画
像処理システム１９により画像処理し、薬剤膜除去部の
幅を算出する。算出された薬剤膜除去幅の情報は、制御
システム１１に送られ、その情報を元に制御システム１
１は、次の半導体基板を処理する時にノズル移動量を所
望の薬剤膜除去幅に近づける用に自動的に校正する。以
上の様な第二の実施例を実施する事により、薬剤膜周辺
除去幅のばらつきが±０．３ｍｍ以下まで低減できた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した様に本発明はセンサからの
半導体基板周端部の検知信号からノズル機構の位置を制
御している為、半導体基板周端部に対して常に一定の位
置にノズル機構を移動させる事ができ、人手による調整
をはぶき、なおかつ調整にかかる時間を大幅に短縮する
ことが可能となる。又、ノズル機構の位置が半導体基板
周端部に対し、一定な為大幅な薬剤膜除去幅の均一性の
向上が可能となり、除去幅のばらつきによる半導体装置
上の薬剤膜の除去による歩留り低下も防止する事ができ
る。
半導体基板周端部の検知信号からノズル機構の位置を制
御している為、半導体基板周端部に対して常に一定の位
置にノズル機構を移動させる事ができ、人手による調整
をはぶき、なおかつ調整にかかる時間を大幅に短縮する
ことが可能となる。又、ノズル機構の位置が半導体基板
周端部に対し、一定な為大幅な薬剤膜除去幅の均一性の
向上が可能となり、除去幅のばらつきによる半導体装置
上の薬剤膜の除去による歩留り低下も防止する事ができ
る。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】図１に示した実施例の特にセンサ部の詳細を示
した断面図。
した断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図。
【図４】図４ａは従来の技術の断面図。図４ｂはノズル
機構７を移動させ薬剤膜除去幅を調整した時の図。
機構７を移動させ薬剤膜除去幅を調整した時の図。
１ 半導体基板 ２ パルスモーター ３ 基体 ４ 薬剤 ５ 薬剤叶出機構 ６ 薬剤膜 ７ ノズル機構 ８ 溶解薬液 ９ 駆動機構 １０ ねじ １１ 制御システム １２ センサ １３ 発行部 １４ 受光部 １５ 変換器 １６ 発光光 １７ カップ １８ カメラ １９ 画像処理システム
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を真空吸着支持し回転する基
体と、半導体基板の表面に種々の薬剤を滴下する為の薬
剤叶出機構と、半導体基板周辺端部に形成さた薬剤膜を
溶解除去するノズル機構とを有する半導体装置の製造装
置において、半導体基板周辺端部の位置を検知するセン
サと、検知された信号を起点として所望の移動量が制御
できる駆動機構と制御システムを備えた前記ノズル機構
を有する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05158482A JP3093523B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05158482A JP3093523B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142332A true JPH07142332A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3093523B2 JP3093523B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=15672706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05158482A Expired - Fee Related JP3093523B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093523B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1092711A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135105A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135106A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| KR100330596B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2002-03-29 | 윤종용 | 에지 빌드-업을 제거하는 폴리머막 형성장치 |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| KR20160126904A (ko) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2019159742A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| WO2020175194A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP05158482A patent/JP3093523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1092711A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135105A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| JPH10135106A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周辺露光装置 |
| KR100330596B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2002-03-29 | 윤종용 | 에지 빌드-업을 제거하는 폴리머막 형성장치 |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| US8084194B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate edge treatment for coater/developer |
| KR20160126904A (ko) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2019159742A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| KR20200119312A (ko) | 2018-02-13 | 2020-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
| JPWO2019159742A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| WO2020175194A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
| CN113439235A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-09-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 |
| JPWO2020175194A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2021-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
| US11905597B2 (en) | 2019-02-28 | 2024-02-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093523B2 (ja) | 2000-10-03 |
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