JPH10209022A - 処理液供給方法及びその装置 - Google Patents

処理液供給方法及びその装置

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JPH10209022A
JPH10209022A JP9013032A JP1303297A JPH10209022A JP H10209022 A JPH10209022 A JP H10209022A JP 9013032 A JP9013032 A JP 9013032A JP 1303297 A JP1303297 A JP 1303297A JP H10209022 A JPH10209022 A JP H10209022A
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processing
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の吐出が停止されたことに基づいて処
理プログラムの命令を実行することにより、処理プログ
ラムにより意図した処理を長期間にわたって正確に施す
ことができる。 【解決手段】 供給開始命令および供給停止命令を含む
複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理
を規定する処理プログラムに基づいて、供給開始命令を
実行することにより基板の中心付近に処理液の供給を開
始し、一定量の処理液を供給した時点で、供給停止命令
を実行することにより処理液の供給を停止する処理液供
給方法において、供給停止命令をＴE 時点で実行した
後、処理液の吐出が停止されたことを示す吐出停止信号
が出力（時点ｔ1 ）されてから、それ以後の処理プログ
ラムの命令を実行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）に対してフォトレジスト液や現像液などの処理液を
供給する処理液供給方法及びその装置に係り、特に供給
開始命令および供給停止命令を含む複数個の命令からな
り、予め記憶されている一連の処理を規定する処理プロ
グラムに基づいて、予め設定した一定量の処理液を供給
して基板に処理を施す技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理液供給方法につい
て、図１３のタイムチャートを例に採って説明する。こ
のタイムチャートは、所望する膜厚などに応じて予め作
成される処理プログラム（スピンコートプログラムやレ
シピーとも呼ばれる）に相当するものであり、例えば、
基板が静止した状態のＴS 時点で供給開始命令を実行し
て処理液であるフォトレジスト液の供給を開始し、予め
設定されている供給時間ＴSUを経過した時点ＴE で供給
停止命令を実行してその供給を停止するようになってい
る。なお、このように基板が静止した状態でフォトレジ
スト液の供給を開始し、その状態で停止するような手法
を『スタティック法』と称することにする。
【０００３】上記のようにして基板へのフォトレジスト
液の供給を停止した後、予め設定された一定時間が経過
するｔ1 時点において基板の回転数を第１の回転数Ｒ１
（例えば、９００ｒｐｍ）に上げ始め、第１の回転数Ｒ
１による回転を予め設定された時間だけ保持することに
よりフォトレジスト液を基板のほぼ表面全体にわたって
塗り拡げる。次いで、基板の回転数を、第１の回転数Ｒ
１よりも高い第２の回転数Ｒ２（例えば、３，０００ｒ
ｐｍ）に一定時間保持することによって、基板の表面全
体にわたってフォトレジスト液を完全に塗り拡げるとと
もに、余剰分のフォトレジスト液を振り切って、所望膜
厚のフォトレジスト被膜を基板の表面全体にわたって均
一に形成するようになっている。
【０００４】ところで、フォトレジスト液の供給に係る
機構、例えば、フォトレジスト液をノズルに送り込むポ
ンプの出力側には、一般的にフィルタが設けられてい
る。このフィルタは、フォトレジスト液に不純物が含ま
れていた場合などに基板の汚染を防止することが主たる
目的であるが、使用している間にフィルタの目が詰まる
ことなどに起因してフィルタにおける圧損が大きくなっ
てゆく。このように圧損が大きくなってゆくとフォトレ
ジスト液供給時の流速が低下するので、上述したように
予め設定されている供給時間ＴSUだけポンプを駆動して
フォトレジスト液を供給したとしても、供給時間ＴSU内
に供給されるフォトレジスト液の量が意図した量よりも
少なくなってしまう。したがって、処理プログラムによ
り基板に処理を施したとしても、日数が経過するにつれ
て膜厚が不均一となったり、所望膜厚を得ることができ
なくなるという不都合が生じる。
【０００５】また、最近では、半導体装置の製造コスト
削減や環境保全などの問題から、余裕をもって供給して
いたフォトレジスト液の量を必要最小限に抑制して、振
り切られて捨て去られるフォトレジスト液の量を極力少
なくする動きが活発化している（省レジスト化とも呼ば
れている）。特に、このような省レジスト化の場合に
は、フォトレジスト液の供給量が少なくなると、基板の
表面全体をフォトレジスト液で覆うことができないとい
う最悪の事態も生じ得る。
【０００６】そこで、上記のような一定流速でフォトレ
ジスト液が供給されることを前提にした供給方法に生じ
る問題点を解決するために、以下のような方法が提案さ
れている。すなわち、ポンプから送り込まれるフォトレ
ジスト液の量を管理して、予め設定された量のフォトレ
ジスト液が常に供給されるようにする。このようにフォ
トレジスト液の供給時間による管理に代えて供給量によ
る管理を行うことによって、フィルタの圧損が増大して
も予め設定した量のフォトレジスト液を基板に供給する
ことができる。したがって、長期間にわたって予め設定
した一定量のフォトレジスト液を供給することができ、
上述した省レジスト化であっても上記の不都合を回避す
ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来方法には、次のような問題がある。すなわち、
供給開始命令の実行時点ＴS でフォトレジスト液の供給
が開始され、予め設定されている一定量のフォトレジス
ト液の供給が完了した時点ＴE で供給停止命令が実行さ
れてその供給が停止される。それらの命令の間隔が供給
時間ＴSUであったとしても、ある程度の日数が経過して
フィルタの圧損が増大すると、それらの命令の間隔が供
給時間ＴSUよりも長くなるので、供給停止命令によりフ
ォトレジスト液の供給を停止する時点ＴE から基板の回
転を開始する時点ｔ1までの間隔が意図した時間よりも
短くなる。極端な場合には、図中に点線で示すように供
給時間ＴSU1 となって、基板が静止した状態でフォトレ
ジスト液の供給を完了し、その後に基板を回転させる
『スタティック法』が意図する処理であるにも係わら
ず、基板の回転を開始した後にフォトレジスト液の供給
を停止することになる。
【０００８】ところで処理プログラムは、製品基板と同
様の表面状態を有するダミー基板などを利用して、フォ
トレジスト液の供給開始／停止タイミング、回転数Ｒ１
／Ｒ２、回転数Ｒ１／Ｒ２の保持時間などの条件を変え
つつ予め実験を繰り返し、所望する膜厚の被膜が形成で
きて、しかも基板の表面全体にわたって均一に形成する
ことができた最適な条件に設定されているものである。
したがって、上記のようにタイミングがずれると、設定
されている最適条件からはずれた処理が基板に施される
ことになる。
【０００９】なお、上記の『スタティック法』によるフ
ォトレジスト液の供給方法の他に、基板を第１の回転数
Ｒ１で回転させた状態で供給開始命令を実行し、一定量
を供給した時点で供給停止命令を実行してフォトレジス
ト液の供給を完了する供給方法（以下、『ダイナミック
法』と称する）や、基板が静止した状態で供給開始命令
を実行し、第１の回転数Ｒ１に基板の回転数を上げ始め
た後であって、一定量のフォトレジスト液を供給した時
点で供給停止命令を実行して供給を完了する供給方法
（『スタティック法』と『ダイナミック法』とを組み合
わせたような方法であることから、以下、『スタミック
法』と称する）がある。
【００１０】これらの『ダイナミック法』および『スタ
ミック法』の場合には、供給時間が長くなるとフォトレ
ジスト液の供給停止時点から第２の回転数Ｒ２へと回転
数を上げ始めるまでの時間が短くなってゆくので、やは
り上述した『スタティック法』と同様に最適条件からは
ずれた処理が基板に施される問題が生じる。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液の吐出が停止されたことに基づ
いて処理プログラムの命令を実行することにより、処理
プログラムにより意図した処理を長期間にわたって正確
に施すことができる処理液供給方法及びその装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の処理液供給方法は、供給開始命令
および供給停止命令を含む複数個の命令からなり、予め
記憶されている一連の処理を規定する処理プログラムに
基づいて、前記供給開始命令を実行することにより基板
の中心付近に処理液の供給を開始し、一定量の処理液を
供給した時点で、前記供給停止命令を実行することによ
り処理液の供給を停止する処理液供給方法において、前
記供給停止命令が実行された後、処理液の吐出が停止さ
れたことに基づいて、それ以後の処理プログラムの命令
を実行することを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項２に記載の処理液供給方法
は、請求項１に記載の処理液供給方法において、前記基
板が静止した状態で前記供給開始命令を実行するととも
に、その状態で前記供給停止命令を実行するようにした
ことを特徴とするものである。
【００１４】また、請求項３に記載の処理液供給方法
は、請求項１に記載の処理液供給方法において、前記基
板が回転している状態で前記供給開始命令を実行すると
ともに、その状態で前記供給停止命令を実行するように
したことを特徴とするものである。
【００１５】また、請求項４に記載の処理液供給方法
は、請求項１に記載の処理液供給方法において、前記基
板が静止した状態で前記供給開始命令を実行するととも
に、前記基板が回転を開始した後に前記供給停止命令を
実行するようにしたことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項５に記載の処理液供給装置
は、供給開始命令および供給停止命令を含む複数個の命
令からなり、予め記憶されている一連の処理を規定する
処理プログラムに基づいて、制御手段が前記供給開始命
令を実行することにより処理液供給手段を介して基板に
処理液の供給を開始し、一定量の処理液を供給した時点
で、前記供給停止命令を実行することにより処理液の供
給を停止する処理液供給装置において、前記処理液供給
手段から吐出されている処理液が停止されたことを検出
する吐出停止検出手段を備えるとともに、前記制御手段
は、前記処理プログラムに含まれている各命令を順次に
実行してゆく際に、前記処理液供給手段を介して基板に
供給されている処理液の供給を前記供給停止命令の実行
によって停止し、前記吐出停止検出手段が処理液の吐出
停止を検出したことに基づいて、それ以後の命令の実行
を開始することを特徴とするものである。
【００１７】
【作用】請求項１に記載の発明方法の作用は次のとおり
である。予め記憶されている一連の処理を規定する処理
プログラムを実行すると、その中に含まれている供給開
始命令の実行により基板に処理液の供給が開始され、一
定量の処理液が供給された時点で供給停止命令を実行す
ることにより処理液の供給が停止される。処理液供給時
の流速が低下した場合には、予め設定された一定量の処
理液が供給できるように、供給停止命令の実行タイミン
グが遅れることになるが、それ以後の処理プログラムの
命令実行を、供給停止命令が実行されて実際に処理液の
吐出が停止されたことに基づいて行う。これにより供給
停止命令より後の命令の実行タイミングが、供給停止命
令の実行タイミングに応じて遅れることになり、供給停
止命令より後の命令への移行を処理液の吐出が停止され
た時点に依存させることができる。したがって、吐出停
止時点から次の命令を実行するまでの実行間隔を常に一
定化することができる。
【００１８】また、請求項２に記載の発明方法によれ
ば、基板が静止した状態で供給開始命令を実行し、その
状態で供給停止命令を実行する供給方法（『スタティッ
ク法』）の場合、供給停止命令の実行後に回転を開始す
るための命令が実行されて、処理液を基板のほぼ表面全
体にわたって塗り拡げる。このような供給方法を適用し
た場合でも、吐出停止時点から次の命令（回転を開始す
るための命令）を実行するまでの実行間隔を常に一定化
することができる。
【００１９】また、請求項３に記載の発明方法によれ
ば、基板が回転している状態で供給開始命令を実行し、
その状態で供給停止命令を実行する供給方法（『ダイナ
ミック法』）の場合、供給停止命令の実行後に回転数を
高める命令が実行されて、基板のほぼ表面全体に塗り拡
げられた処理液の余剰分を振り切る。このような供給方
法を適用した場合でも、吐出停止時点から次の命令（回
転を高める命令）を実行するまでの実行間隔を常に一定
化することができる。
【００２０】また、請求項４に記載の発明方法によれ
ば、基板が静止した状態で供給開始命令を実行し、基板
が回転を開始した後に供給停止命令を実行する供給方法
（『スタミック法』）の場合、供給停止命令の実行後に
回転数をさらに高める命令が実行されて、基板のほぼ表
面全体に塗り拡げられた処理液の余剰分を振り切る。こ
のような供給方法を適用した場合でも、吐出停止時点か
ら次の命令（回転を高める命令）を実行するまでの実行
間隔を常に一定化することができる。
【００２１】また、請求項５に記載の発明装置の作用は
次のとおりである。制御手段が供給開始命令を実行する
と処理液供給手段から処理液の供給が開始され、一定量
の処理液が供給された時点で供給停止命令が実行されて
供給が停止される。処理液供給手段から供給される処理
液の流速が低下すると、一定量の処理液を供給するため
に供給停止命令の実行タイミングがそれに応じて遅れる
ことになるが、それ以後の命令の実行は吐出停止検出手
段が処理液の吐出停止を検出したことに基づいて行われ
るので、供給停止命令以後の命令の実行タイミングを処
理液の吐出が停止された時点に依存させることができ
る。したがって、吐出停止時点から次の命令の実行間隔
を常に一定化することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る処理液供給装
置の一例を示す回転式基板塗布装置（スピンコータとも
呼ばれる）の概略構成を示すブロック図である。
【００２３】図中、符号１は吸引式スピンチャックであ
り、基板Ｗをほぼ水平姿勢で吸着保持するものである。
この吸引式スピンチャック１は、回転軸２を介して電動
モータ３によって回転駆動され、基板Ｗを水平姿勢で回
転中心Ｐ周りに回転駆動する。なお、電動モータ３の回
転駆動は、後述する制御部２０によって行われる。
【００２４】吸引式スピンチャック１の周囲には、処理
液の一例であるフォトレジスト液や基板Ｗの裏面を洗浄
する洗浄液などの飛散を防止するための飛散防止カップ
４ａが配設されている。また、この飛散防止カップ４ａ
の上部開口には、ダウンフローを取り込むための複数個
の開口を形成された筒状の上部蓋部材４ｂが、この装置
の固定フレームに配設されている。また、図示しない搬
送機構が未処理の基板Ｗを吸引式スピンチャック１に載
置または吸引式スピンチャック１から処理済みの基板Ｗ
を受け取る際には、図示しない昇降機構が飛散防止カッ
プ４ａのみを下降させることによって、飛散防止カップ
４ａと上部蓋部材４ｂとを分離し、吸引式スピンチャッ
ク１を飛散防止カップ４ａの上部開口から上方に突出さ
せる。なお、飛散防止カップ４ａを位置固定とし、図示
しない昇降機構によって上部蓋部材４ｂと回転軸２とを
飛散防止カップ４ａに対して上昇させるような構成とし
てもよく、吸引式スピンチャック１に代えて基板Ｗの周
縁部を当接支持するスピンチャック（いわゆるメカ式ス
ピンチャック）を採用してもよい。
【００２５】飛散防止カップ４ａの側方には、基板Ｗの
上方であって回転中心Ｐの上方に相当する供給位置と、
基板Ｗの上方から側方に離れた待機位置との間で移動可
能に構成された処理液供給ノズル５が配備されている。
この処理液供給ノズル５の下方に向けられた先端部分に
は、本発明の吐出停止検出手段に相当する吐出停止検出
センサ６が取り付けられている。吐出停止検出センサ６
は、図２に示すように、処理液供給ノズル５の先端部分
に取り付け部材６ａを介して取り付けられた投光器６ｂ
と受光器６ｃとによって構成されている。それぞれの投
光部および受光部は処理液供給ノズル５を中心にして対
向するように配設されており、投光器６ｂから照射され
た赤外波長領域の照射光は、赤外波長領域付近に感度を
有する受光素子を内蔵した受光器６ｃに入射される。
【００２６】この装置では、一例として入光時に吐出停
止検出センサ６の検出信号がオンとなるように設定され
ているので、処理液供給ノズル５の吐出孔５ａからフォ
トレジスト液が吐出された時点において検出信号がオフ
となり、吐出が停止された時点において検出信号がオン
するようになっている。なお、『オフ』から『オン』へ
と検出信号のレベルが変化すると制御部２０に『吐出停
止信号』が出力される。
【００２７】処理液供給ノズル５はノズル移動機構１０
により供給位置と待機位置とにわたって移動されるが、
その供給位置では図２に示すように吐出孔５ａが基板Ｗ
の表面から上方に距離Ｌだけ離れた位置である。この距
離Ｌは、例えば４ｍｍ程度であり、フォトレジスト液の
粘度や基板Ｗのサイズ、その表面状態などにより基板Ｗ
の表面に滴下されたフォトレジスト液が表面全体にわた
って拡げられる際にムラが発生しないような距離に設定
されていることが好ましい。
【００２８】また、飛散防止カップ４ａ内の基板Ｗ下方
には、飛散したフォトレジスト液が霧状のミストとなっ
て基板Ｗの裏面に付着したり、基板Ｗの表面周縁部から
裏面に回り込んだ不要なフォトレジスト液を除去するた
めに、洗浄液を基板Ｗ裏面に向けて噴射するバックリン
スノズル１１が配設されている。洗浄液の噴射は、後述
する制御部２０によって制御される。
【００２９】処理液供給ノズル５には供給管１２が接続
されており、この供給管１２と、サックバックバルブ１
３と、フィルタＦと、ベローズポンプ１４と、逆止弁１
５とを介して、フォトレジスト液を貯留している処理液
タンク１６に連通接続されている。サックバックバルブ
１３は、クリーンルーム内に導入されているユーティリ
ティの１つである加圧空気源から加圧空気を送り込まれ
ることにより動作され、この動作により処理液供給ノズ
ル５の先端内部に貯留しているフォトレジスト液を僅か
に引き戻して、いわゆる『ぼた落ち』を防止したり、吐
出孔５ａから露出しているフォトレジスト液の固化を防
止するものである。また、送り込まれた加圧空気が排出
されると非動作、つまり、処理液供給ノズル５内にフォ
トレジスト液を引き戻す動作が解除される。このサック
バックバルブ１３への加圧空気の導入／排出は、制御部
２０からの電気信号により行われるようになっている。
なお、サックバックバルブ１３は、その引き戻し時の圧
力などが調整可能になっているが、一定に調整しておい
たとしても加圧空気源の圧力などにより、電気信号を入
力されてからフォトレジスト液の引き戻し動作やその解
除となるまでの動作速度がある程度変動する場合があ
る。
【００３０】フィルタＦは、処理液タンク１６内のフォ
トレジスト液に不純物などが含まれていた場合に基板Ｗ
が汚染されるのを防止するのが主たる目的である。当然
のことながらフィルタＦの部分では、新品のフィルタＦ
であってもある程度の圧損が生じており、その圧損は日
数が経過するにつれて次第に増大してゆく。
【００３１】ベローズポンプ１４は、複動式エアシリン
ダ１７に連動して動作し、処理液タンク１６内のフォト
レジスト液を供給管１２に送り込む。このときフォトレ
ジスト液が処理液タンク１６に逆流することを防止する
のが、逆止弁１５である。複動式エアシリンダ１７は、
速度制御弁１８を介して加圧空気源により動作するもの
であり、ピストン１７ａにより仕切られた２つの空間の
それぞれに速度制御弁１８ａ，１８ｂを介して加圧空気
が送り込まれたり排出されたりしてピストン１７ａを昇
降動作される。
【００３２】なお、複動式エアシリンダ１７は、昇降さ
れるピストン１７ａの位置が検出可能に構成されてい
る。具体的には、ピストン１７ａの外周面の一部位に埋
設された磁石１７ｂを、複動式エアシリンダ１７の外側
面であって、ピストン１７ａの移動方向の特定位置に取
り付けられたシリンダセンサ１７ｃにより検出するよう
になっている。シリンダセンサ１７ｃには、磁石１７ｂ
の磁気を検出可能な磁気センサを採用しており、例え
ば、磁気を検出するとシリンダセンサ１７ｃの検出信号
がオンになる。このシリンダセンサ１７ｃからの検出信
号は、制御部２０に出力される。なお、シリンダセンサ
１７ｃの取り付け位置は、基板Ｗに対して供給するフォ
トレジスト液の量に応じて適宜に調整されている。
【００３３】上述したようにフィルタＦによる圧損が増
大するとフォトレジスト液の流速が低下するので、一定
時間だけ複動式エアシリンダ１７を駆動してベローズポ
ンプ１４を駆動したとしても、ベローズポンプ１４から
供給管１２に送り込むことができるフォトレジスト液の
量が減少して一定量のフォトレジスト液を基板Ｗに供給
することができなくなる。そこで、この装置では、時間
管理によりフォトレジスト液を供給するのではなく、供
給量により管理する方式を採用している。つまり、シリ
ンダセンサ１７ｃがオンするまで複動式エアシリンダ１
７を駆動することにより、フィルタＦの圧損が増大して
も一定量のフォトレジスト液が供給できるようになって
いる。
【００３４】速度制御弁１８は、制御部２０からの電気
信号によって加圧空気を複動式エアシリンダ１７に送り
込む動作状態とされ、同様にして複動式エアシリンダ１
７から加圧空気を排出する非動作状態とされるが、手動
調整によって加圧空気源からの加圧空気導入速度や複動
式エアシリンダ１７からの加圧空気排出速度が調整され
るようになっている。したがって、その調整度合いや加
圧空気源の圧力によって、複動式エアシリンダ１７の動
作速度が変わり、その結果、ベローズポンプ１４の動
作、すなわち、処理液供給ノズル５からフォトレジスト
液が吐出／停止されるまでの速度が変わる。なお、処理
液供給ノズル５と、供給管１２と、フィルタＦと、ベロ
ーズポンプ１４と、逆止弁１５と、処理液タンク１６
と、複動式エアシリンダ１７と、速度制御弁１８とが本
発明の処理液供給手段に相当する。
【００３５】本発明の制御手段に相当する制御部２０
は、図示しないクロックや内蔵タイマ、ＲＡＭなどを備
えている。ＲＡＭには、種々の条件を変えつつ繰り返し
行った実験により所望する処理に最適であるとされた条
件で作成された処理プログラムなどが予め格納されてい
る。この処理プログラムは、クロックや内蔵タイマを基
準にして実行されるようになっている。但し、詳細は後
述するが、処理プログラムに含まれている命令群のう
ち、処理液供給ノズル５から吐出されているフォトレジ
スト液を停止させる供給停止命令が実行された後は、上
述した吐出停止検出センサ６から『吐出停止信号』が出
力されてから次の命令を実行するようになっている。つ
まり、供給停止命令の実行後は、『吐出停止信号』が出
力されるまで次の命令の実行が禁止された状態となる。
【００３６】上部蓋部材４ｂの上部内周面には、その左
側にＣＣＤカメラ３０が、その右側にはストロボ４０が
取り付けられている。ＣＣＤカメラ３０は、固体撮像素
子であるＣＣＤと、電子シャッターと、レンズとから構
成されている。その撮影視野は、処理液供給ノズル５の
吐出孔５ａと基板Ｗ表面との間隙を含む基板Ｗの回転中
心付近、すなわち、フォトレジスト液が処理液供給ノズ
ル５から吐出されて基板Ｗに到達する位置を含む領域に
設定されている。なお、図１では、処理液供給ノズル５
の水平方向に延びた部分により、基板Ｗの回転中心付近
が遮られているように見えるが、ＣＣＤカメラ３０と処
理液供給ノズル５とは平面視で横方向にずらした状態で
配設されているので、上記間隙を含む回転中心付近を撮
影できるようになっている。また、ストロボ４０は、フ
ォトレジスト液が感光しないように装置自体が暗室内に
設置されているので、基板Ｗを撮影する際の照明として
用いる。ストロボ４０としては、フォトレジスト液の分
光感度に応じて感光しないように適宜に選択すればよ
い。この例では、キセノンランプと、５００ｎｍ以上の
波長を透過するバンドパスフィルタＢＰＦとを組み合わ
せているが、赤外光付近に分光感度を有する高輝度赤外
発光ダイオードまたは赤外発光ダイオードアレイを採用
してバンドパスフィルタＢＰＦを省略するように構成し
てもよい。なお、ＣＣＤカメラ３０およびスロトボ４０
は、吐出停止確認部５０に接続されている。
【００３７】図３を参照して吐出停止確認部５０につい
て説明する。ストロボ４０は、ストロボ電源５１から所
要電力を供給されて連続的に点灯される。ＣＣＤカメラ
３０は、その動作制御、例えば、撮影タイミングを決定
する電子シャッターの動作がカメラ制御部５２によって
制御される。カメラ制御部５２への撮影開始指示は、制
御部２０からＩ／Ｏ制御部５３へトリガ信号が入力され
ることにより行われ、その時点でＣＣＤカメラ３０によ
り基板Ｗの表面を撮影する。撮影された画像信号は、カ
メラ制御部５２およびＩ／Ｏ制御部５３を介して画像処
理部５４に伝送され、静止画像として画像メモリ５５に
格納される。なお、上記ストロボ電源５１は、連続的に
ストロボ４０に電力供給を行う必要はなく、撮影時を含
む適宜の範囲内においてのみ電力を供給してストロボ４
０を間欠的に点灯させるようにしてもよい。なお、上述
したＣＣＤカメラ３０の撮影視野を、上記の画像処理に
係る処理速度を勘案して設定することが好ましい。
【００３８】画像処理部５４は、画像メモリ５５内の静
止画像をＩ／Ｏ制御部５３を介してモニタ５９に出力す
る。装置のオペレータは、モニタ５９に表示された静止
画像を観察して吐出停止の検出が正常に行われているか
否かを判断する。もし、その静止画像が不適切な場合に
は、吐出停止検出センサ６が誤動作しているなどの原因
が考えられるので、装置の動作をオペレータが手動で停
止させればよい。これにより不適切な処理が継続的に全
ての基板に対し施されることを未然に防止できる。
【００３９】次に、図４のタイムチャートおよび図５，
図６のフローチャートを参照して、装置の動作について
説明する。なお、図４は塗布処理を施す処理プログラム
のタイムチャートであり、図５は制御部２０の動作を示
すフローチャートであり、図６は吐出停止確認部５０の
動作を示すフローチャートである。また、以下の説明に
おいては、図示しない搬送機構により既に基板Ｗが吸引
式スピンチャック１に吸着保持されているものとし、処
理液供給ノズル５は、ノズル移動機構１０によって既に
供給位置（図１に実線で示す状態）に移動されて、その
吐出孔５ａが基板Ｗの上方に距離Ｌを隔てて位置してい
るものとする。
【００４０】なお、フォトレジスト液の供給方法として
は、基板Ｗが静止した状態で供給開始命令を実行して供
給を開始し、その状態で供給停止命令を実行して供給を
完了する『スタティック法』と、基板が回転している状
態で供給開始命令を実行して供給を開始し、その状態で
供給停止命令を実行して供給を完了する『ダイナミック
法』と、基板が静止した状態で供給開始命令を実行して
供給を開始し、基板が回転を開始した後に供給停止命令
を実行して供給を完了する『スタミック法』があるが、
まず、『スタティック法』について詳細に説明し、次い
で『ダイナミック法』と『スタミック法』について簡単
に説明する。
【００４１】＜スタティック法＞（請求項２に記載の発
明方法） この処理プログラムによる塗布処理の基本的な流れは次
のとおりである。まず、ＴS 時点において供給開始命令
を実行して、静止した基板Ｗに対してフォトレジスト液
の供給を開始し、予め設定されている一定量のフォトレ
ジスト液が供給されてシリンダセンサ１７ｃがオンとな
った時点ＴE （基板Ｗは依然として静止した状態）で、
供給停止命令を実行してフォトレジスト液の供給を停止
する。供給停止命令の実行時点ＴE からある程度の遅れ
時間（停止遅れ時間ＴDE）が経過した時点ｔ1 におい
て、処理液供給ノズル５の吐出孔５ａから吐出されてい
るフォトレジスト液の吐出が実際に停止する。この停止
時点は吐出停止検出センサ６によって検出され、この時
点から経過時間の計数が開始される（タイマスター
ト）。そして、処理プログラムに予め設定されている一
定時間ＴW が経過した時点ｔ2 で回転開始命令が実行さ
れ、ｔ4 時点で第１の回転数Ｒ１（例えば、９００ｒｍ
ｐ）に到達するように加速される。第１の回転数Ｒ１に
よる駆動をｔ 7 時点まで保持することにより、基板Ｗの
表面に供給されたフォトレジスト液を基板Ｗのほぼ表面
全体に塗り拡げ、その後、ｔ8 時点で第２の回転数Ｒ２
（例えば、３，０００ｒｐｍ）に達するように加速され
る。この第２の回転数Ｒ２により基板Ｗのほぼ表面全体
にわたって塗り拡げられたフォトレジスト液を完全に塗
り拡げ、余剰分のフォトレジスト液を振り切って所望膜
厚のフォトレジスト被膜を基板Ｗの表面全体に均一に形
成する。
【００４２】なお、上記の処理中においては、基板Ｗの
周囲に飛散したフォトレジスト液が霧状のミストとなっ
て基板Ｗの裏面に付着したり、基板Ｗの表面から裏面に
周り込んで付着したフォトレジスト液を除去するため
に、バックリンスノズル１１（図１参照）から洗浄液を
噴出させる命令を付加しておくことが好ましい。
【００４３】さらに、上記の処理プログラムは、『吐出
停止信号』が出力された時点ｔ1 から所定の時間間隔を
おいて、Ｉ／Ｏ制御部５３に対して撮影をするように指
示するためのトリガ信号を出力するようにされている。
【００４４】ステップＳ１（供給開始命令？） 制御部２０は、処理プログラムに含まれている複数個の
命令を逐次実行してゆくにあたって、その命令が、フォ
トレジスト液を処理液供給ノズル５から吐出するための
供給開始命令であるか否かを判断して処理を分岐する。
『スタティック法』では、最初に実行される命令が供給
開始命令であるので、ステップＳ３へ分岐する。しか
し、後述する『ダイナミック法』では、最初の命令が回
転開始命令であるので、その場合にはステップＳ２へと
処理を分岐して回転開始命令を実行する。
【００４５】ステップＳ３（供給開始命令の実行） ＴS 時点で供給開始命令が実行されると次のようにして
フォトレジスト液が処理液供給ノズル５を介して吐出さ
れ始める。まず、サックバックバルブ１３が非動作状態
にされて処理液供給ノズル５内の吸引が解除されるとと
もに、速度制御弁１８の一方１８ａが非動作状態とさ
れ、他方１８ｂが動作状態とされる。これにより複動式
エアシリンダ１７内のピストン１７ａが上昇を開始し、
この動作に連動してベローズポンプ１４が動作する。す
るとベローズポンプ１４の動作速度に応じて処理液タン
ク１６内からフォトレジスト液が送り出され、供給管１
２にフォトレジスト液が送り込まれる。しかしながら、
このときピストン１７ａの移動速度は、速度制御弁１８
を介して複動式エアシリンダ１７に導入される加圧空気
の導入速度に応じたものとならず、フィルタＦの圧損に
応じたベローズポンプ１４の動作速度に依存するものと
なる。
【００４６】ステップＳ４（シリンダセンサＯＮ？） そして、ピストン１７ａが上昇してシリンダセンサ１７
ｃにより検出されるまで、このステップＳ４を繰り返し
実行する。なお、この例では、ピストン１７ａが一度上
昇してシリンダセンサ１７ｃをオンにした時点で一定量
のフォトレジスト液が供給されたものとして説明する
が、フォトレジスト液の所要量によっては、ピストン１
７ａの昇降を繰り返し行う必要がある。この場合には、
シリンダセンサ１７ｃがオンした回数を計数して一定量
のフォトレジスト液が供給されたと判断すればよい。
【００４７】ステップＳ５（供給停止命令の実行） ＴE 時点において、上昇したピストン１７ａがシリンダ
センサ１７ｃにより検出されて、シリンダセンサ１７ｃ
がオンしたとする。これを受けて制御部２０は、一定量
のフォトレジスト液を供給したと判断してその供給を停
止するための供給停止命令を実行する。
【００４８】この命令が実行されると次のようにしてフ
ォトレジスト液の供給が停止される。まず、速度制御弁
１８ａを非動作として、複動式エアシリンダ１７の動作
を停止する。するとベローズポンプ１４によるフォトレ
ジスト液の送り出しが停止される。さらにサックバック
バルブ１３を動作状態にして処理液供給ノズル５内のフ
ォトレジスト液を先端部から僅かに引き戻す。これらの
一連の動作により、処理液供給ノズル５からのフォトレ
ジスト液の供給が実際に停止される。つまり、供給停止
命令の実行時点ＴE から停止遅れ時間ＴDEだけ遅れて、
フォトレジスト液の吐出が停止される。なお、この停止
遅れ時間ＴDEは、加圧空気源の圧力やサックバックバル
ブ１３の動作速度によって多少変動する。また、図４の
タイムチャート中では、停止遅れ時間ＴDEの存在を理解
しやすいように長く示しているが、実際の値としては短
時間（０．１ｓｅｃ程度）なものである。
【００４９】ステップＳ６（吐出停止？） 上記の供給停止命令を実行した後、吐出停止検出センサ
６から『吐出停止信号』が出力されるまで、このステッ
プＳ６を繰り返し実行する。すなわち、吐出孔５ａから
吐出されているフォトレジスト液が遮断されるまでの間
は、次の命令の実行を禁止された状態である。したがっ
て、上記停止遅れ時間ＴDEの間は、このステップＳ６を
繰り返し実行することになる。
【００５０】そして、吐出停止検出センサ６から制御部
２０に対して『吐出停止信号』が出力されると、ステッ
プＳ６の実行を停止して次のステップＳ７に処理が移行
する。なお、供給開始命令の実行時点ＴS から『吐出停
止信号』が出力される時点ｔ 1 までがフォトレジスト液
の供給されていた時間であり、一定量のフォトレジスト
液を供給するために要した時間である。この時間は日数
が経過するにつれて大きくなるフィルタＦの圧損に起因
して大きくなってゆくが、ここでは供給時間Ｔ SUであっ
たとする。
【００５１】ステップＳ７（タイマスタート） 制御部２０は、『吐出停止信号』に基づきタイマによる
計数をｔ1 時点で開始し、予め処理プログラム中に設定
された待機時間ＴW に到達するのを待つ。なお、処理プ
ログラムによっては待機時間ＴW が『０』に設定されて
いる場合もある。
【００５２】ステップＳ８（トリガ信号出力） 制御部２０は、タイマをスタートさせたｔ1 時点から所
定の時間間隔をおいてトリガ信号を出力する。このトリ
ガ信号が出力されると、吐出停止確認部５０はＩ／Ｏ制
御部５３を介して基板Ｗの表面を撮影する。なお、この
トリガ信号を入力されたときの吐出停止確認部５０の動
作については後述する。
【００５３】ステップＳ９（命令の実行） 上記のように各種命令が実行された後は、それ以後の命
令が逐次に実行されてゆく。すなわち、まず、図示しな
い内蔵タイマによるカウントが待機時間ＴW となった時
点ｔ2 において回転開始命令が実行され、基板Ｗを第１
の回転数Ｒ１でｔ7時点まで回転駆動し、その後、ｔ7
時点で回転上昇命令が実行され、基板Ｗを第２の回転数
Ｒ２でｔ11時点まで回転駆動し、ｔ11時点で回転停止命
令を実行してｔ12時点で１枚の基板Ｗに対する処理を完
了する。
【００５４】上述したようにして一定量のフォトレジス
ト液の吐出が停止されたことに基づいて、供給開始命令
の次の命令である回転開始命令を実行することにより、
供給停止命令より後の命令の実行タイミングをフォトレ
ジスト液の吐出が実際に停止された時点に依存させるこ
とができる。したがって、供給停止命令が実行されて実
際にフォトレジスト液の吐出が停止された時点ｔ1 から
次の命令（回転開始命令）までの時間を待機時間ＴW に
一定化することができる。
【００５５】次に、日数が経過してフィルタＦの圧損が
増大した状態で、新たな基板Ｗを処理する場合について
説明する。この場合、同じ条件で複動式エアシリンダ１
７を駆動してもベローズポンプ１４によって供給管１２
に送り込まれるフォトレジスト液の流速は低下する。し
たがって、一定量のフォトレジスト液を供給するのに要
する時間が長くなる。ここでは、その時間が上述した供
給時間ＴSUよりも長いＴSU1 となったとして説明する。
なお、以下に説明する新たな基板Ｗの処理時における命
令などの実行タイミングが先の処理時と異なる部分は、
図４中において括弧書き及び点線矢印で示すことにす
る。
【００５６】このような場合には、供給開始命令の実行
タイミングは、ＴS 時点で先の処理時と同一であるが、
一定量のフォトレジスト液を供給するのに要する時間が
供給時間ＴSUよりも長い供給時間ＴSU1 となっているた
め、シリンダセンサがＯＮする時点もそれらの差分だけ
遅れて（ＴE ）時点になる。さらに、『吐出停止信号』
が制御部２０に出力されてタイマによる計数が開始され
るタイミングも、上記差分だけ遅れて（ｔ3 ）時点とな
る。これに伴い回転開始命令の実行時点も（ｔ 5 ）に遅
れることになる。その結果、『吐出停止信号』が出力さ
れた時点（ｔ3）から回転開始命令が実行されるまでの
実行間隔を、先の処理時と同様に待機時間ＴW にするこ
とができる。したがって、供給された一定量のフォトレ
ジスト液を第１の回転数Ｒ１により基板Ｗのほぼ表面全
体に塗り拡げる処理を先の処理時と同じだけ施すことが
できる。さらに回転開始命令より後の各命令の実行タイ
ミングも同様に遅れる。具体的には、回転上昇命令がｔ
7 から（ｔ9 ）に、回転停止命令がｔ11から（ｔ13）に
遅れる。したがって、基板Ｗの表面に塗り拡げられたフ
ォトレジスト液を第２の回転数Ｒ２によって振り切るた
めの処理を、先の処理時と同じだけ施すことができる。
つまり、フィルタＦの圧損に起因して一定量のフォトレ
ジスト液を供給するのに要する時間が変動したとして
も、処理プログラムにより意図した処理を施すことがで
き、長期間にわたって安定して処理を施すことができ
る。さらに、フォトレジスト液の供給量を極力少なくす
る省レジスト化を実現するのに好適である。また、フィ
ルタＦの交換頻度を低減できることにもなるので、装置
の稼働率向上が期待できる。
【００５７】なお、上記の説明では、供給停止命令の実
行から実際に吐出が停止するまでの遅延が停止遅れ時間
ＴDEで一定としているが、上述したようにサックバック
バルブ１３の調整度合いや加圧空気源の圧力によっては
この値も変動する場合がある。しかし、上記のように吐
出停止を検出したことに基づいて次の命令を実行するの
で、その変動分をも自ずと吸収することができる。した
がって、他の装置により加圧空気源の利用度合いが高ま
ってその圧力が低下したり、変動したことに起因して停
止遅れ時間ＴDEが変動したとしても処理プログラムによ
る処理を的確に施すことができる。
【００５８】次に、上記ステップＳ８においてトリガ信
号が出力された時点における吐出停止確認部５０の動作
について図６のフローチャートを参照して説明する。
【００５９】ステップＴ１（基板表面の撮影） トリガ信号を入力されるとＩ／Ｏ制御部５３がカメラ制
御部５２を介してＣＣＤカメラ３０を制御し、上述した
撮影視野の撮影を行う。すなわち、処理液供給ノズル５
の吐出孔５ａと基板Ｗの表面の間隙を含む基板Ｗの表面
を撮影する。この撮影された画像信号は、Ｉ／Ｏ制御部
５３を介して画像処理部５４に出力される。
【００６０】ステップＴ２（静止画像として格納） 画像信号を静止画像として画像メモリ５５に格納する。
この画像メモリ５５に格納される静止画像は、トリガ信
号に基づく画像のみであるので、画像メモリ５５の記憶
容量としては少なくとも上記画像を記憶できるだけあれ
ばよい。なお、記憶容量を少なくするために画像処理部
５４において２値化処理などを施した後に画像メモリ５
５に格納するようにしてもよい。
【００６１】ステップＴ３（静止画像をモニタに出力） 画像処理部５４は、画像メモリ５５に格納されている静
止画像を取り出してＩ／Ｏ制御部５３を介してモニタ５
９に出力する。
【００６２】このようにして『吐出停止信号』に基づい
て基板Ｗの表面を撮影し、この静止画像をモニタ５９に
出力し、その静止画像を装置のオペレータが確認するこ
とにより、吐出停止と判断されたタイミングが適切か否
かを判断することができる。不適切であると判断された
場合には、オペレータが装置を手動で停止させればよ
い。例えば、ミストなどが付着して吐出停止検出センサ
６が誤動作すると、命令の実行タイミングがずれて不適
切な処理が施されることになるが、オペレータが装置を
停止させることにより基板に不適切な処理が施されるこ
とを未然に防止することができる。
【００６３】なお、上記装置では、吐出停止センサ６
（吐出停止検出手段）を光センサにより構成したが、撮
影視野を吐出孔５ａ付近に設定したＣＣＤカメラにより
吐出停止を検出するようにしてもよい。
【００６４】＜ダイナミック法＞（請求項３に記載の発
明方法） 次に、図７のタイムチャートを参照して、基板Ｗが回転
している状態でフォトレジスト液の供給を開始し、その
状態でフォトレジスト液の供給を完了するダイナミック
法を採用した処理プログラムによる塗布処理について説
明する。なお、図７中のタイムチャートに示したトリガ
信号による動作や、括弧書き、点線矢印などの意味は上
述したとおりである。
【００６５】このダイナミック法では、基板Ｗを第１の
回転数Ｒ１で回転させつつ、ＴS 時点で供給開始命令を
実行してフォトレジスト液の供給を開始し、第１の回転
数Ｒ１で回転させた状態で供給停止命令を実行（ＴE 時
点）してフォトレジスト液の供給を完了するようになっ
ている。
【００６６】このようなダイナミック法による塗布処理
であっても、上述した＜スタティック法＞と同様に、フ
ォトレジスト液が吐出停止されたことに基づいて、供給
停止命令の次の命令である回転上昇命令を実行すること
により、供給時間ＴSUが供給時間ＴSU1 に長くなったと
しても、それらの実行間隔を待機時間ＴW に一定化する
ことができる。したがって、フォトレジスト液の吐出を
停止した時点から第２の回転数Ｒ２へと回転数を上げ始
めるまでの時間を一定化でき、第２の回転数Ｒ２によっ
てフォトレジスト液を振り切る時間も一定化することが
できる。よって、処理プログラムにより意図した処理を
長期間にわたってほぼ正確に施すことができ、上述した
＜スタティック法＞と同様の効果を得ることができる。
【００６７】＜スタミック法＞（請求項４に記載の発明
方法） 次に、図８のタイムチャートを参照して、基板Ｗが静止
した状態でフォトレジスト液の供給を開始し、基板Ｗを
回転させ始めた後にフォトレジスト液の供給を完了する
スタミック法を採用した処理プログラムによる塗布処理
について説明する。
【００６８】このスタミック法では、基板Ｗの回転数が
『０』回転、すなわち、基板Ｗが静止した状態のＴS 時
点で供給開始命令を実行してフォトレジスト液の供給を
開始し、回転開始命令の実行時点ｔ1 よりも後のＴE 時
点で供給停止命令を実行してフォトレジスト液の供給を
停止するようになっている。
【００６９】このようなスタミック法による塗布処理で
あっても、上述した＜スタティック法＞および＜ダイナ
ミック法＞と同様に、フォトレジスト液が吐出停止され
たことに基づいて、供給停止命令の次の命令である回転
上昇命令を実行することにより、供給時間ＴSUが供給時
間ＴSU1 に長くなったとしても、それらの実行間隔を待
機時間ＴW に一定化することが可能である。よって、吐
出を停止した時点から第２の回転数Ｒ２へと回転数を上
げ始めるまでの時間を一定化することができ、第２の回
転数Ｒ２によってフォトレジスト液を振り切る時間も一
定化することができる。その結果、処理プログラムによ
り意図した処理を長期間にわたってほぼ正確に施すこと
ができ、上述した各供給方法と同様の効果を奏する。
【００７０】＜好適な塗布方法＞上述したように処理プ
ログラムにより意図した処理を長期間にわたって正確に
施すことができる装置を用いることにより好適に実施す
ることができる塗布方法の一例について説明する。な
お、フォトレジスト液の供給方法としては＜スタティッ
ク法＞を例に採って説明する。
【００７１】まず、上述した図４のタイムチャートに示
す処理プログラムにより処理を行った場合には、図９の
模式図に示すようなフォトレジスト液Ｒの挙動によって
フォトレジスト被膜が形成される。なお、この図では、
簡略的に基板を円で示し、フォトレジスト液をハッチン
グした領域で示すとともに、基板の回転数を矢印の大き
さで模式的に示す。
【００７２】まず、基板Ｗの表面にフォトレジスト液Ｒ
を供給し始めた直後では、図９（ａ）に示すようにフォ
トレジスト液Ｒは平面視で円形状の塊Ｒa （以下、これ
をコアＲa と称する）となって基板Ｗの中心付近にあ
る。さらにフォトレジスト液Ｒを供給時間ＴSUだけ供給
し続けると、このコアＲa は、自重により半径方向に拡
がって同心円状に拡がって行く（図９（ａ）中の点
線）。
【００７３】その後、フォトレジスト液Ｒの供給を停止
するとともに基板Ｗを回転数Ｒ１で回転させ始めると、
コアＲa は暫くの間は円形状を保ってその径を拡大して
ゆくが、その後に大きく形を変えてゆく。つまり、コア
Ｒa の円周部から多数の細長いフォトレジスト液Ｒb の
流れ（以下、これをヒゲＲb と称する）が放射状に延び
始める（図９（ａ）の点線）。この多数のヒゲＲb は、
回転数Ｒ１に伴う遠心力によってコアＲa の径の拡大と
ともに延び続けるが、ヒゲＲb はコアＲa の径の拡大よ
りも速く基板Ｗの周縁部に向かって延びる（図９
（ｂ））。
【００７４】さらに基板Ｗの回転を回転数Ｒ１で続ける
と、多数のヒゲＲb の先端部は、基板Ｗの周縁部に到達
する（図９（ｃ））。このように多数のヒゲＲb が基板
Ｗの周縁部に到達すると、フォトレジスト液ＲはヒゲＲ
b を通って基板Ｗの周縁部に到達して飛散（飛散フォト
レジスト液Ｒc ）する。さらにコアＲa の径が大きくな
るとともにヒゲＲb の幅が拡がる（図９（ｃ）中の二点
鎖線と図９（ｄ））ことによって、ヒゲＲb 間の領域が
次第に少なくなって基板Ｗの全面がフォトレジスト液Ｒ
（コアＲa ，ヒゲＲb ）によって覆われる（図９
（ｅ））。
【００７５】以上のように、フォトレジスト液Ｒで基板
Ｗのほぼ表面全体を覆った後、現在の回転数Ｒ１よりも
高い回転数２として、基板Ｗの表面全体を覆っているフ
ォトレジスト液Ｒの余剰分（余剰フォトレジスト液
Ｒd ）を振り切って、基板Ｗの表面に所望膜厚のフォト
レジスト被膜Ｒ’を形成する。
【００７６】ところが、図９（ｃ）に示すように、多数
のヒゲＲb が基板Ｗの周縁部に到達すると、基板Ｗの表
面に供給されたフォトレジスト液Ｒの大部分がヒゲＲb
を通って基板Ｗの周囲に放出されて飛散する（飛散フォ
トレジスト液Ｒc ）ことになる。したがって、基板Ｗの
表面全体がフォトレジスト液Ｒによって覆われるように
するためには、飛散フォトレジスト液Ｒc の量を見込ん
で多めにフォトレジスト液Ｒを供給する必要があり、使
用量が極めて多くなる。
【００７７】そこで、図１０のタイムチャートに示すよ
うに、フォトレジスト液Ｒを供給完了した後、基板Ｗの
回転数を第１の回転数Ｒ３（例えば、１，０００ｒｐ
ｍ）に上げ始めた時点ｔ2 から時間Ｔa ’（例えば、
０．１〜０．３ｓｅｃ程度であり、回転数切換開始時間
と称する）内に基板Ｗの回転数を上げてゆく。なお、回
転数切換開始時間Ｔa ’は、ヒゲＲa が第１の回転数Ｒ
３により伸長し、基板Ｗの周縁部に到達するまでの時間
（到達時間）内となるように設定する（例えば、約０．
５ｓｅｃ）。
【００７８】このときコアＲa は暫くの間は円形状を保
っているが、その後、図１１に示すように、コアＲa か
ら新たな放射状のフォトレジスト液Ｒの流れＲb ’（新
たなヒゲＲb ’と称する）が生じて、多数のヒゲＲb の
間から新たなヒゲＲb ’（図１１の二点鎖線）が基板Ｗ
の周縁部に向かって延び始める。さらに、フォトレジス
ト液Ｒが基板Ｗの表面全体を覆う前に、基板Ｗの回転数
を第２の回転数Ｒ４（例えば、３，０００ｒｐｍ）に上
げてゆく。なお、その回転数切換時間Ｔb は、０．０７
ｓｅｃ程度が好ましい。
【００７９】このように基板Ｗの回転数を回転数切換時
間Ｔb 内に第１の回転数Ｒ３から第２の回転数Ｒ４に急
激に上げることにより、基板Ｗの周縁部に向かって直線
的に延びてゆくはずのヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’
に慣性力、つまり回転方向（図１２の矢印）とは逆方向
の力が作用することになる。したがって、遠心力と慣性
力との合力によりヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’は、
図１２に示すように周方向に曲げられるようにその幅を
拡大するとともに、遠心力によってその先端部が基板Ｗ
の周縁部に向かって伸長し、コアＲa の径も拡大するこ
とになる。
【００８０】このように静止した状態の基板Ｗにフォト
レジスト液Ｒを供給した後に、基板Ｗを第１の回転数Ｒ
３で回転させ、基板Ｗの回転を開始した時点ｔ2 から回
転数切換開始時間Ｔa ’後に、第１の回転数Ｒ３よりも
高い第２の回転数４に回転数を上げ始め、その回転上昇
を短い回転数切換時間Ｔb 内に完了させることにより、
被覆所要時間を大幅に短縮することができる。したがっ
て、ヒゲＲb および新たなヒゲＲb ’が基板Ｗの周縁部
に到達してから、基板Ｗの表面全体をフォトレジスト液
Ｒが覆い尽くすまでの時間が短くなるので、ヒゲＲb お
よび新たなヒゲＲb ’を通して基板Ｗの周囲に放出・飛
散するフォトレジスト液Ｒの量を少なくすることができ
る。その結果、所望膜厚のフォトレジスト被膜Ｒ’を形
成するのに要するフォトレジスト液Ｒの量を極めて少な
くすることができる。
【００８１】このように基板Ｗの回転数を制御するので
あるが、従来方法によると供給時間ＴSUが変動してゆく
ので、回転数切換開始時間Ｔa ’が変動することにな
る。したがって、加速度を加える時点のフォトレジスト
液Ｒの形状が変わってゆくことになる。これにより日数
が経過するにつれて塗布状態が不均一となる不都合が生
じる。
【００８２】一方、本発明装置によれば、上述したよう
に日数が経過して供給時間ＴSUが変動しても処理プログ
ラムに正確に処理を施すことができるので、そのような
不都合が生じることを防止できる。したがって、処理プ
ログラムにより意図する処理を長期間にわたって正確に
施すことができるともに、所望膜厚の被膜を得るために
供給するフォトレジスト液の量を極めて少なくすること
ができる。その結果、省レジスト化により半導体装置の
製造コストを低減することができる。
【００８３】また、上記の塗布方法では、図１０の回転
上昇命令の実行時点ｔ4 においてトリガ信号を出力し
て、加速時点のフォトレジスト液の形状を撮影すること
が好ましい。これによりタイミングにずれが生じていな
いかを確認することができ、適切に処理が施されている
か否かを容易に確認できる。
【００８４】なお、＜ダイナミック法＞および＜スタミ
ック法＞であっても、上記＜スタティック法＞のように
ヒゲＲb に慣性力を与えるように加速すればよい。
【００８５】なお、処理液としてフォトレジスト液を例
に採って説明したが、その他に、表面保護や絶縁のため
に利用されるＳＯＧ(Spin On Glass) 液やポリイミド樹
脂などであってもよい。
【００８６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明方法によれば、供給停止命令が実行され
た後、処理液の吐出が停止されたことに基づいて、それ
以後の命令を実行することにより、供給停止命令より後
の命令への移行を処理液の吐出が停止された時点に依存
させることができる。したがって、処理液供給時の流速
が低下して供給停止命令の実行タイミングが遅れたとし
ても、吐出停止時点から次の命令を実行するまでの間隔
を常に一定化することができる。その結果、予め作成し
た処理プログラムにより意図した処理を、長期間にわた
って正確に基板に対して施すことができる。また、フォ
トレジスト液の使用量を極めて少なくする省レジスト化
を好適に実施可能である。
【００８７】また、請求項２に記載の発明方法によれ
ば、基板が静止した状態で供給開始命令を実行し、その
状態で供給停止命令を実行して処理液を供給する方法
（スタティック法）であっても、請求項１に記載の効果
を得ることができる。
【００８８】また、請求項３に記載の発明方法によれ
ば、基板が回転している状態で供給開始命令を実行し、
その状態で供給停止命令を実行して処理液を供給する方
法（ダイナミック法）であっても、請求項１とほぼ同様
の効果を得ることができる。
【００８９】また、請求項４に記載の発明方法によれ
ば、基板が静止した状態で供給開始命令を実行し、基板
が回転を開始した後に供給停止命令を実行して処理液を
供給する方法（スタミック法）であっても、請求項１と
ほぼ同様の効果を奏する。
【００９０】また、請求項５に記載の発明装置によれ
ば、請求項１ないし請求項４に記載の発明方法を好適に
実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理液供給装置の一例である回転
式基板塗布装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】吐出停止検出センサを示す図である。
【図３】吐出停止確認部を示すブロック図である。
【図４】スタティック法による塗布処理を示すタイムチ
ャートである。
【図５】制御部の動作を示すフローチャートである。
【図６】吐出停止確認部の動作を示すフローチャートで
ある。
【図７】ダイナミック法による塗布処理を示すタイムチ
ャートである。
【図８】スタミック法による塗布処理を示すタイムチャ
ートである。
【図９】フォトレジスト液の挙動を示す模式図である。
【図１０】本発明装置により実施するのに好適な塗布処
理プログラムを、スタティック法により実施した一例を
示すタイムチャートである。
【図１１】好適な塗布処理プログラムによるフォトレジ
スト液の挙動を示す模式図である。
【図１２】好適な塗布処理プログラムによるフォトレジ
スト液の挙動を示す模式図である。
【図１３】従来例に係る処理液供給方法（スタティック
法）を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
Ｗ … 基板 １ … 吸引式スピンチャック ５ … 処理液供給ノズル（処理液供給手段） ６ … 吐出停止検出センサ（吐出停止検出手段） ６ａ … 取り付け部材 ６ｂ … 投光器 ６ｃ … 受光器 Ｆ … フィルタ（処理液供給手段） １４ … ベローズポンプ（処理液供給手段） １７ … 複動式エアシリンダ（処理液供給手段） １７ｂ … マグネット １７ｃ … シリンダセンサ １８ … 速度制御弁（処理液供給手段） ２０ … 制御部（制御手段） ３０ … ＣＣＤカメラ ４０ … ストロボ ５０ … 吐出停止確認部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 供給開始命令および供給停止命令を含む
    複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理
    を規定する処理プログラムに基づいて、前記供給開始命
    令を実行することにより基板の中心付近に処理液の供給
    を開始し、一定量の処理液を供給した時点で、前記供給
    停止命令を実行することにより処理液の供給を停止する
    処理液供給方法において、 前記供給停止命令が実行された後、処理液の吐出が停止
    されたことに基づいて、それ以後の処理プログラムの命
    令を実行することを特徴とする処理液供給方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の処理液供給方法におい
    て、前記基板が静止した状態で前記供給開始命令を実行
    するとともに、その状態で前記供給停止命令を実行する
    ようにしたことを特徴とする処理液供給方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の処理液供給方法におい
    て、前記基板が回転している状態で前記供給開始命令を
    実行するとともに、その状態で前記供給停止命令を実行
    するようにしたことを特徴とする処理液供給方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の処理液供給方法におい
    て、前記基板が静止した状態で前記供給開始命令を実行
    するとともに、前記基板が回転を開始した後に前記供給
    停止命令を実行するようにしたことを特徴とする処理液
    供給方法。
  5. 【請求項５】 供給開始命令および供給停止命令を含む
    複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理
    を規定する処理プログラムに基づいて、制御手段が前記
    供給開始命令を実行することにより処理液供給手段を介
    して基板に処理液の供給を開始し、一定量の処理液を供
    給した時点で、前記供給停止命令を実行することにより
    処理液の供給を停止する処理液供給装置において、 前記処理液供給手段から吐出されている処理液が停止さ
    れたことを検出する吐出停止検出手段を備えるととも
    に、 前記制御手段は、前記処理プログラムに含まれている各
    命令を順次に実行してゆく際に、前記処理液供給手段を
    介して基板に供給されている処理液の供給を前記供給停
    止命令の実行によって停止し、前記吐出停止検出手段が
    処理液の吐出停止を検出したことに基づいて、それ以後
    の命令の実行を開始することを特徴とする処理液供給装
    置。
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