JP2002177845A - レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 - Google Patents
レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法Info
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Abstract
の塗布品質の管理を容易にすることを目的とする。 【解決手段】 半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐
出ノズルを備える。撮像データをCCDカメラ34に供
給するファイバースコープ32を設ける。ファイバース
コープ32の先端をレジスト吐出ノズルの先端位置に移
動させるファイバー駆動部40を設ける。ファイバース
コープ32で撮像した画像に基づいて、吐出ノズルに異
物が付着しているか否かを判断する。異物が認められる
場合は、クリーニング機構駆動部44によりブラシ46
を移動させ、ブラシ46によってその異物を除去する。
Description
およびレジスト塗布工程の管理方法に係り、特に、レジ
ストの塗布品質の管理を容易にするうえで有用なレジス
ト塗布装置および管理方法に関する。
ハ上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をマスクと
してエッチングや不純物注入などの処理が実行される。
図7は、従来のレジスト塗布装置が備えるノズルブロッ
ク10を側面視で表した図を示す。図7において、ノズ
ルブロック10には、レジスト塗布用の吐出ノズル12
が複数保持されている。これらの吐出ノズル12は、レ
ジストの種類に応じて準備されており、個々の工程にお
いて塗布すべきレジストの種類に応じて適宜選択的に使
用される。
物14が付着した状態を示す。また、図8(B)は、正
常な吐出ノズル12の先端部を示す。吐出ノズル12の
先端に異物14が付着していると、レジストの塗布ムラ
などの不具合が生ずる。このため、従来のレジスト塗布
装置では、異物14の有無に関わらず、半導体ウェハ上
にレジストを塗布する前に、定期的にレジストの空出し
(以下、「ダミーディスペンス」と称す)が実行され
る。このようなダミーディスペンスによれば、異物14
を洗い流すことができるため、異物14の存在に起因す
る塗布ムラなどの発生を効果的に抑制することができ
る。
ペンスの実行は、吐出ノズル12の先端に異物14が存
在しないことを保証するものではない。このため、従来
のレジスト塗布装置では、ダミーディスペンスによって
異物14が除去できなかった場合に、半導体ウェハ上に
塗布ムラが生じて初めてその異常に気がつくという事態
が生じ得る。
無駄に消費する行為である。このため、従来のレジスト
塗布装置では、ダミーディスペンスの実行に起因して、
レジスト材料につき大きな損失が発生していた。
吐出ノズル12の先端でレジストが固形化するのを防ぐ
ため、吐出ノズル12からレジストを吐出した後に、そ
の先端部に存在するレジストを僅かに吸い上げる処理、
すなわち、いわゆるサックバックが実行される。このサ
ックバックの際には、条件次第で、吐出ノズル12の先
端付近に空気が巻き込まれることがある。
空気が巻き込まれると、以後半導体ウェハ上にレジスト
が塗布される際に、レジストの塗布ムラなどが生ずる。
従って、レジストの塗布ムラを防止するうえでは、サッ
クバックに伴う空気の巻き込みなどが検知できる事が望
ましい。しかしながら、従来のレジスト塗布装置によっ
ては、サックバックに伴う空気の巻き込みを検知するこ
とはできない。
レジストの塗布ムラなどを防止するうえで、未だ改良の
余地を残すものであった。本発明は、上記のような課題
を解決するためになされたもので、半導体ウェハ上に常
に安定した条件でレジストを塗布することのできるレジ
スト塗布装置を提供することを第1の目的とする。ま
た、本発明は、半導体ウェハ上に常に安定した条件でレ
ジストを塗布するためのレジスト塗布工程の管理方法を
提供することを第2の目的とする。
半導体ウェハ上にレジストを塗布するレジスト塗布装置
であって、半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノ
ズルと、撮像データをカメラに供給するファイバースコ
ープと、前記ファイバースコープの先端をレジスト吐出
ノズルの先端位置に移動させるファイバー駆動部と、を
備えることを特徴とするものである。
ジスト塗布装置であって、前記吐出ノズルの先端部をク
リーニングするためのクリーニング機構と、前記クリー
ニング機構を、前記吐出ノズルの位置に応じた適切な位
置に移動させるクリーニング機構駆動部と、を備えるこ
とを特徴とするものである。
ジスト塗布装置であって、正常な吐出ノズルの状態を表
す画像データと、前記カメラが取得した撮像データとを
比較して、前記吐出ノズルの先端に異物が存在するか否
かを判断する異物判断部と、前記異物判断部によって異
物の存在が認識された場合に、前記クリーニング機構に
より前記吐出ノズルを清掃させるための処理を実行する
制御ユニットと、を備えることを特徴とするものであ
る。
記載のレジスト塗布装置であって、前記カメラが取得し
た撮像データをオペレータに表示するためのモニタと、
前記クリーニング機構による前記吐出ノズルの清掃を、
前記オペレータが手動で指示するためのマニュアル指示
機構と、を備えることを特徴とするものである。
ジスト塗布装置であって、前記ファイバースコープは、
前記吐出ノズルからレジストが吐出される状態を撮像す
ることができることを特徴とするものである。
ジスト塗布装置であって、前記ファイバースコープは、
ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジ
ストの吐出が停止された直後の状態と、サックバックの
後の状態とを撮像することができることを特徴とするも
のである。
記載のレジスト塗布装置であって、前記吐出ノズルから
レジストが正常に吐出される状態を表す画像データと、
前記カメラが取得した撮像データとを比較して、前記レ
ジストの吐出状態が正常であるか否かを判断する吐出状
態判断部を備えることを特徴とするものである。
ジスト塗布装置であって、前記吐出状態判断部によって
前記レジストの吐出状態が正常でないと判断された場合
に、前記レジストの吐出条件を自動的に調整する吐出条
件調整機構を備えることを特徴とするものである。
何れか1項記載のレジスト塗布装置であって、前記カメ
ラが取得した撮像データをオペレータに表示するための
モニタと、前記レジストの吐出条件をオペレータが手動
で調整するためのマニュアル機構と、を備えることを特
徴とするものである。
にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、前
記レジストを吐出する吐出ノズルの先端の画像を撮像す
る撮像ステップと、前記撮像ステップで取得した画像に
基づいて、前記吐出ノズルの先端に異物が付着している
か否かを判断する判断ステップと、前記判断ステップで
異物が認識された場合に、前記吐出ノズルの先端から前
記異物を除去するクリーニングステップと、を含むこと
を特徴とするものである。
にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、吐
出ノズルから前記レジストが吐出される状態を撮像する
撮像ステップと、前記撮像ステップで取得した画像に基
づいて、前記レジストが前記吐出ノズルから適正に吐出
されているか否かを判断する判断ステップと、前記判断
ステップで、前記レジストが適正に吐出されていないと
判断された場合に、前記レジストの吐出条件を調整する
条件調整ステップと、を含むことを特徴とするものであ
る。
のレジスト塗布工程の管理方法であって、前記撮像ステ
ップは、ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルか
らのレジストの吐出が停止された直後の状態と、サック
バックの後の状態とを撮像するサブステップを含み、前
記判断ステップは、前記レジストの吐出が停止された直
後の状態と、前記サックバックの後の状態とに基づい
て、サックバックの条件が適正であるか否かを判断する
サブステップを含み、前記条件調整ステップは、サック
バックの条件が適正でないと判断された場合に、そのサ
ックバック条件を調整するサブステップを含むことを特
徴とするものである。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
態1のレジスト塗布装置の特徴部分の概要を表すブロッ
ク図である。また、図2は、レジスト塗布装置の一般的
な構成を説明するための平面図を示す。本実施形態のレ
ジスト塗布装置は、図2に示す一般的な構成に対して、
図1に示す特徴部分を加えることで実現されている。
塗布装置は、レジスト塗布室20の中にノズルブロック
10を備えている。ノズルブロック10には、複数の吐
出ノズル12が保持されている。複数の吐出ノズル12
は、吐出すべきレジストの種類の応じて、適宜選択的に
用いられる。
カップ22が設けられている。処理カップ22の中に
は、静電力などで半導体ウェハ(図示せず)を保持する
チャック24が設けられている。チャック24は、その
上に置かれる半導体ウェハを、処理カップ22の内部
で、紙面に平行な平面内で回転させることができる。
26が設けられている。アーム駆動部26には、アーム
28が連結されている。アーム駆動部26は、アーム2
8を、図2における左右方向に移動させることができ
る。また、アーム28は、ノズルブロック10上の任意
の吐出ブロック12の位置に合わせて、ノズル保持部3
0を図2における上下方向に移動させることができる。
求される場合、先ず、塗布すべきレジストの種類に応じ
て使用する吐出ノズル12を決定する。次に、アーム2
8を移動させて任意の吐出ノズル12をノズル保持部3
0にセットする。次いで、吐出ノズル12を半導体ウェ
ハの回転中心付近に移動させる。そして、所定速度で回
転している半導体ウェハの中心付近に、吐出ノズル12
からレジストを吐出する。半導体ウェハ上に吐出された
レジストは、遠心力によりウェハ全面に均一に広がり、
膜厚の均一なレジスト膜となる。
塗布装置は、ファイバースコープ32、およびCCDカ
メラ34を備えている。ファイバースコープ32は、そ
の先端部分を自由に移動させ得るだけの柔軟性を有して
いる。CCDカメラ34は、ファイバースコープ32の
先端部が捕らえた光を画像データとして取り込むことが
できる。CCDカメラ34には、制御ユニット36が接
続されている。また、制御ユニット36には、モニタ3
8が接続されている。モニタ38は、CCDカメラ34
によって撮像された画像をレジスト塗布装置のオペレー
タに対して表示することができる。
駆動部40が接続されている。ファイバー駆動部40
は、ファイバースコープ32の先端付近を支持してお
り、その先端付近を、制御ユニット36の指示に従って
3次元的に移動させることができる。
より詳しく説明するための図を示す。上述の如く、本実
施形態のレジスト塗布装置は、アーム28のノズル保持
部30によって、レジスト塗布室20の内部に準備され
ている全ての吐出ノズル12をノズルブロック10から
取り上げることができる。ファイバー駆動部40は、こ
のようにして取り上げられた任意の吐出ノズル12の開
口内がファイバースコープ32で撮像できるように、フ
ァイバースコープ32の先端付近を自由に移動させるこ
とができる。
ラ42が接続されている。また、コントローラ42に
は、クリーニング機構駆動部44が接続されている。ク
リーニング機構駆動部44には、ブラシ46を備えた回
転駆動部48が固定されている。クリーニング機構駆動
部44は、コントローラ42の指示に従ってブラシ46
を3次元的に移動させることができる。
6の動作をより詳しく説明するための図を示す。上述し
たクリーニング機構駆動部44は、より具体的には、図
4(A)に示すように、ブラシ46を、レジスト塗布室
20内でノズル保持部30に取り上げられている任意の
吐出ノズル12の開口付近に移動させることができる。
更に、クリーニング機構駆動部44は、図4(B)に示
すように、ブラシ46を吐出ノズル12の開口内に挿入
させることができる。回転駆動部48は、吐出ノズル1
2の中に挿入されたブラシ46を回転させることができ
る。ブラシ46は吐出ノズル12の清掃に適した大きさ
を有しているため、上記の如くブラシ46を回転させる
と、吐出ノズル12の開口部に付着していた異物14を
除去することができる。
スト塗布装置の動作について説明する。図5は、レジス
ト塗布装置が、半導体ウェハ上にレジストを塗布する際
に実行する一連の処理の流れを表すフローチャートであ
る。図5に示すルーチンによれば、先ず、塗布すべきレ
ジストの種類に応じて、適切な吐出ノズル12がアーム
28によって取り上げられる(ステップ100)。
口内部が撮像できる位置に、ファイバースコープ32の
先端部が移動される(ステップ102)。ファイバース
コープ32が適切な位置に到達した後、CCDカメラ3
4により、吐出ノズル12の開口内部の画像が取り込ま
れる(ステップ104)。
存在しない正常な開口内部の様子を表した画像が記憶さ
れている。上記ステップ104において、CCDカメラ
34によって開口内部の画像が取り込まれると、次に、
その画像と、予め記憶されている正常状態の画像とを比
較する処理が実行される(ステップ106)。
果に基づいて、検査対象たる吐出ノズル12の開口部に
異物14が存在するか否かが判断される(ステップ10
8)。その結果、異物が存在ステップしないと判断され
た場合は、以後、通常の手法でレジストを塗布する処理
が続行される(ステップ110)。一方、異物が存在す
ると判断された場合は、ブラシ46によるクリーニング
処理が自動的に実行された後(ステップ112)、再び
上記ステップ102以降の処理が実行される。
置は、ファイバースコープ32を用いて吐出ノズル12
の画像を直接取り込み、その画像に基づいて異物14の
存在を判断する。更に、異物14が認められる場合に
は、自動的にその異物14をブラシ46により除去する
ことができる。このため、本実施形態の装置によれば、
常に、吐出ノズル12の中に異物14が存在しないこと
が保証された状態で、安定した条件の下で、半導体ウェ
ハ上にレジストを塗布することができる。従って、本実
施形態の装置によれば、レジストの塗布ムラなどの不具
合を確実に防止することができる。
2に異物14が存在しているか否かをレジスト塗布装置
が自動的に判断し、更に、異物14が存在する場合に
は、レジスト塗布装置が自動的に異物14のクリーニン
グを行うこととしているが、本発明はこれに限定される
ものではない。すなわち、異物14が存在するか否か
は、モニタ38に表示される画像に基づいて、オペレー
タが判断することとしてもよい。更に、クリーニングの
実行は、オペレータによる開始指示により実行されるこ
ととしてもよい。
発明の実施の形態2のレジスト塗布装置について説明す
る。実施の形態1のレジスト塗布装置、および本実施形
態のレジスト塗布装置は、何れも、吐出ノズル12の先
端付近でレジストが固形化するのを防ぐために、いわゆ
るサックバックを実行する。すなわち、吐出ノズル12
からレジストを塗布した後に、吐出ノズル12の先端付
近に残存するレジストを僅かに吸い上げて、吐出ノズル
12の先端付近でレジストが固形化するのを防止する。
は、上述したサックバックの処理を可能とするため、レ
ジストの供給経路にレジスト貯留室を備えている。レジ
スト貯留室の上流側には、レジストの供給を制御するた
めの開閉弁が設けられている。また、上記のレジスト貯
留室は、その内部の体積を変化させるダイヤフラム弁を
備えている。上記の構成によれば、開閉弁を閉じること
によりレジストの吐出を停止させることができる。そし
て、その後、ダイヤフラム弁によりレジスト貯留室の体
積を増大させることにより、サックバックを実現するこ
とができる。
度は、ダイヤフラム弁の動作速度を制御するスピードコ
ントローラなどにより調整することができる。その吸い
上げ速度が過度に高速であると、サックバックに伴って
吐出ノズル12の中に空気が混入するなどの不都合が起
きることがある。このため、上記のスピードコントロー
ラの条件など、サックバックの特性を決める条件は、空
気の混入などの不都合が生じないように適切に設定する
必要がある。本実施形態のレジスト塗布装置は、特に、
上述したサックバック条件を、自動的に調整するための
駆動部を備えているものとする。
が、サックバック条件を調整するために実行する一連の
処理の流れを説明するためのフローチャートを示す。図
6に示すように、本実施形態では、先ず、調整の対象と
して選択された吐出ノズル12がアーム28によって取
り上げられる(ステップ120)。
端部分が撮像できる位置にファイバースコープ32の先
端が移動される(ステップ122)。ファイバースコー
プ32が適切な位置に到達した後、レジストのダミーデ
ィスペンスが実行される(ステップ124)。レジスト
の吐出が停止された後、サックバックによってレジスト
が吸い上げられる様子がCCDカメラ34によって撮像
される(ステップ126)。
ク条件が適正である場合におけるレジストの挙動が画像
データとして記憶されている。上記ステップ126にお
いて、CCDカメラ34によってレジストの様子を表す
画像が取り込まれると、次に、その画像と、予め記憶さ
れている正常状態の画像とが比較される(ステップ12
8)。
理の結果に基づいて、サックバック時のレジスト挙動が
適正であるか否かが判断される。より具体的には、サッ
クバックの前に吐出ノズル12の先に残存していたレジ
ストの量(長さ)、サックバックの過程でレジストが吸
い上げられる速度、更には、サックバック後に吐出ノズ
ル12の先端とレジスト表面との間に確保される距離な
どが適正であるか否かが判断される(ステップ13
0)。
挙動が適正であると判断された場合は、条件の調整が不
要であるから、そのまま今回のルーチンが終了される。
一方、レジストの挙動が適正ではないと判断された場合
は、サックバック条件の調整が自動的に実行された後
(ステップ132)、再び上記ステップ122以降の処
理が実行される。
置は、ファイバースコープ32を用いて、サックバック
時におけるレジストの挙動を直接撮像し、その結果得ら
れた画像に基づいてサックバック条件が適正であるか否
かを判断する。更に、本実施形態の装置は、サックバッ
ク条件が不適正である場合には、その条件を自動的に適
正な条件に調整する。このため、本実施形態の装置で
は、サックバック条件が不適当な条件のまま維持される
ことがなく、レジスト内への空気の混入が有効に防止さ
れる。
条件が適正であるか否かをレジスト塗布装置が自動的に
判断し、更に、その条件が不適正である場合には、レジ
スト塗布装置が自動的に条件調整を行うこととしている
が、本発明はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、サックバック条件が適正か否かは、モニタ38に表
示される画像に基づいて、オペレータが判断することと
してもよい。更に、サックバック条件の調整は、オペレ
ータによる開始指示により実行されることとしても、或
いはオペレータが手動で行うこととしてもよい。
サックバック条件に限定されているが、本発明はこれに
限定されるものではない。すなわち、ファイバースコー
プ32によって吐出ノズル12から吐出されるレジスト
の状態を撮像し、その結果に基づいてレジストの吐出条
件を調整することとしてもよい。
ースコープによって吐出ノズルの先端付近の画像を撮像
し、その画像に基づいて直接的にレジスト塗布工程の管
理を行うことができる。このため、本発明によれば、半
導体ウェハ上に安定した条件でレジストを塗布するうえ
で必要な状況を常に維持することができる。
特徴部分の概要を表すブロック図である。
図である。
作を説明するための図(その1)である。
作を説明するための図(その2)である。
ェハ上にレジストを塗布するために実行する一連の処理
の流れを説明するためのフローチャートである。
ック条件を調整するために実行する一連の処理の流れを
説明するためのフローチャートである。
ックを側面視で表した図である。
ルとを対比して表した図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体ウェハ上にレジストを塗布するレ
ジスト塗布装置であって、 半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノズルと、 撮像データをカメラに供給するファイバースコープと、 前記ファイバースコープの先端をレジスト吐出ノズルの
先端位置に移動させるファイバー駆動部と、 を備えることを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項2】 前記吐出ノズルの先端部をクリーニング
するためのクリーニング機構と、 前記クリーニング機構を、前記吐出ノズルの位置に応じ
た適切な位置に移動させるクリーニング機構駆動部と、 を備えることを特徴とする請求項1記載のレジスト塗布
装置。 - 【請求項3】 正常な吐出ノズルの状態を表す画像デー
タと、前記カメラが取得した撮像データとを比較して、
前記吐出ノズルの先端に異物が存在するか否かを判断す
る異物判断部と、 前記異物判断部によって異物の存在が認識された場合
に、前記クリーニング機構により前記吐出ノズルを清掃
させるための処理を実行する制御ユニットと、 を備えることを特徴とする請求項2記載のレジスト塗布
装置。 - 【請求項4】 前記カメラが取得した撮像データをオペ
レータに表示するためのモニタと、 前記クリーニング機構による前記吐出ノズルの清掃を、
前記オペレータが手動で指示するためのマニュアル指示
機構と、 を備えることを特徴とする請求項2または3記載のレジ
スト塗布装置。 - 【請求項5】 前記ファイバースコープは、前記吐出ノ
ズルからレジストが吐出される状態を撮像することがで
きることを特徴とする請求項1記載のレジスト塗布装
置。 - 【請求項6】 前記ファイバースコープは、ダミーディ
スペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出
が停止された直後の状態と、サックバックの後の状態と
を撮像することができることを特徴とする請求項5記載
のレジスト塗布装置。 - 【請求項7】 前記吐出ノズルからレジストが正常に吐
出される状態を表す画像データと、前記カメラが取得し
た撮像データとを比較して、前記レジストの吐出状態が
正常であるか否かを判断する吐出状態判断部を備えるこ
とを特徴とする請求項5または6記載のレジスト塗布装
置。 - 【請求項8】 前記吐出状態判断部によって前記レジス
トの吐出状態が正常でないと判断された場合に、前記レ
ジストの吐出条件を自動的に調整する吐出条件調整機構
を備えることを特徴とする請求項7記載のレジスト塗布
装置。 - 【請求項9】 前記カメラが取得した撮像データをオペ
レータに表示するためのモニタと、 前記レジストの吐出条件をオペレータが手動で調整する
ためのマニュアル機構と、 を備えることを特徴とする請求項5乃至8の何れか1項
記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項10】 半導体ウェハ上にレジストを塗布する
工程を管理する方法であって、 前記レジストを吐出する吐出ノズルの先端の画像を撮像
する撮像ステップと、 前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記吐出
ノズルの先端に異物が付着しているか否かを判断する判
断ステップと、 前記判断ステップで異物が認識された場合に、前記吐出
ノズルの先端から前記異物を除去するクリーニングステ
ップと、 を含むことを特徴とするレジスト塗布工程の管理方法。 - 【請求項11】 半導体ウェハ上にレジストを塗布する
工程を管理する方法であって、 吐出ノズルから前記レジストが吐出される状態を撮像す
る撮像ステップと、 前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記レジ
ストが前記吐出ノズルから適正に吐出されているか否か
を判断する判断ステップと、 前記判断ステップで、前記レジストが適正に吐出されて
いないと判断された場合に、前記レジストの吐出条件を
調整する条件調整ステップと、 を含むことを特徴とするレジスト塗布工程の管理方法。 - 【請求項12】 前記撮像ステップは、ダミーディスペ
ンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出が停
止された直後の状態と、サックバックの後の状態とを撮
像するサブステップを含み、 前記判断ステップは、前記レジストの吐出が停止された
直後の状態と、前記サックバックの後の状態とに基づい
て、サックバックの条件が適正であるか否かを判断する
サブステップを含み、 前記条件調整ステップは、サックバックの条件が適正で
ないと判断された場合に、そのサックバック条件を調整
するサブステップを含むことを特徴とする請求項11記
載のレジスト塗布工程の管理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379646A JP3893241B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 |
KR1020010048439A KR100687156B1 (ko) | 2000-12-14 | 2001-08-11 | 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379646A JP3893241B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002177845A true JP2002177845A (ja) | 2002-06-25 |
JP3893241B2 JP3893241B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=18847966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000379646A Expired - Fee Related JP3893241B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3893241B2 (ja) |
KR (1) | KR100687156B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101098454B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2011-12-23 | 나노에프에이 주식회사 | 영상 처리를 이용한 포토레지스트 도포 공정의 검사 방법 및 이에 이용되는 포토레지스트 도포 공정의 검사 시스템 |
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CN116020815A (zh) * | 2021-10-26 | 2023-04-28 | 北京方正印捷数码技术有限公司 | 喷嘴清洗设备 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100839154B1 (ko) * | 2001-10-13 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 클리닝 장치 |
KR100877472B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2009-01-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치 |
JP4982527B2 (ja) | 2009-06-08 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176734A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Sony Corp | レジスト塗布装置 |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000379646A patent/JP3893241B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-11 KR KR1020010048439A patent/KR100687156B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012049153A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
KR101758927B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2017-07-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
KR101098454B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2011-12-23 | 나노에프에이 주식회사 | 영상 처리를 이용한 포토레지스트 도포 공정의 검사 방법 및 이에 이용되는 포토레지스트 도포 공정의 검사 시스템 |
JP2013071027A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 塗布方法及び塗布装置 |
CN116020815A (zh) * | 2021-10-26 | 2023-04-28 | 北京方正印捷数码技术有限公司 | 喷嘴清洗设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100687156B1 (ko) | 2007-02-27 |
JP3893241B2 (ja) | 2007-03-14 |
KR20020046908A (ko) | 2002-06-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040511 |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051019 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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