KR100687156B1 - 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레지스트 도포 장치에 관한 것으로, 레지스트의 도포 품질의 관리를 용이하게 하는 것을 목적으로 한다.
반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 토출 노즐을 구비한다. 촬상 데이타를 CCD 카메라(34)에 공급하는 파이버 스코프(32)를 설치한다. 파이버 스코프(32)의 선단부를 레지스트 토출 노즐의 선단부 위치로 이동시키는 파이버 구동부(40)를 설치한다. 파이버 스코프(32)로 촬상한 화상에 기초하여, 토출 노즐에 이물질이 부착되어 있는지의 여부를 판단한다. 이물질이 확인되는 경우는 세척 기구 구동부(44)에 의해 브러시(46)를 이동시키고, 브러시(46)에 의해서 그 이물질을 제거한다.
토출 노즐, CCD 카메라, 파이버 스코프, 파이버 구동부, 레지스트 도포 장치

Description

레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법{RESIST APPLYING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING RESIST APPLYING PROCESS}
도1은 본 발명의 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치의 특징 부분의 개요를 도시한 블록도.
도2는 레지스트 도포 장치의 일반적인 구조를 도시한 평면도.
도3은 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치의 특징적 동작을 설명하기 위한 제1 도면.
도4의 (a), (b)는 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치의 특징적 동작을 설명하기 위한 제2 도면.
도5는 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치가 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하기 위해서 실행하는 일련의 처리의 흐름을 설명하기 위한 흐름도.
도6은 제2 실시 형태의 레지스트 도포 장치가 후방 흡입 조건을 조정하기 위해서 실행하는 일련의 처리의 흐름을 설명하기 위한 흐름도.
도7은 종래의 레지스트 도포 장치가 구비하는 노즐 블록을 측면으로부터 본 도면.
도8의 (a), (b)는 이물질이 부착된 토출 노즐과 정상적인 토출 노즐을 대조하여 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 노즐 블록
12 : 토출 노즐
14 : 이물질
32 : 파이버 스코프
34 : CCD 카메라
36 : 제어 유닛
38 : 모니터
40 : 파이버 구동부
42 : 제어기
44 : 세척 기구 구동부
46 : 브러시
48 : 회전 구동부
본 발명은 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법에 관한 것으로, 특히 레지스트의 도포 품질의 관리를 용이하게 하는 데 있어서 유용한 레지스트 도포 장치 및 관리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에서는 반도체 웨이퍼 상에 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막을 마스크로 하여 엣칭이나 불순물 주입 등의 처리가 실행된다. 도7은 종래의 레지스트 도포 장치가 구비하는 노즐 블록(10)을 측면으로부터 본 도면을 도시한다. 도7에 있어서, 노즐 블록(10)에는 레지스트 도포용의 토출 노즐(12)이 복수 보유 지지되어 있다. 이들 토출 노즐(12)은 레지스트의 종류에 따라서 준비되어 있고, 각각의 공정에 있어서 도포해야 하는 레지스트의 종류에 따라서 적절하게 선택적으로 사용된다.
도8의 (a)는 토출 노즐(12)의 선단부에 이물질(14)이 부착된 상태를 도시한다. 또, 도8의 (b)는 정상적인 토출 노즐(12)의 선단부를 도시한다. 토출 노즐(12)의 선단부에 이물질(14)이 부착되어 있으면, 레지스트의 도포 불균일 등의 문제가 발생한다. 이로 인해, 종래의 레지스트 도포 장치에서는 이물질(14)의 유무에 관계없이, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하기 전에, 정기적으로 레지스트의 성출(이하,「더미 디스펜스」라고 함)이 실행된다. 이러한 더미 디스펜스에 따르면, 이물질(14)을 씻어낼 수 있으므로, 이물질(14)의 존재에 기인하는 도포 불균일 등의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
그러나, 더미 디스펜스의 실행은 토출 노즐(12)의 선단부에 이물질(14)이 존재하지 않음을 보증하는 것은 아니다. 이로 인해, 종래의 레지스트 도포 장치에서는 더미 디스펜스에 의해서 이물질(14)이 제거되지 못한 경우에, 반도체 웨이퍼 상에 도포 불균일이 생겨서 비로소 그 이상에 주위가 미치는 사태가 발생할 수 있다.
또, 더미 디스펜스는 레지스트를 쓸데없이 소비하는 행위이다. 이로 인해, 종래의 레지스트 도포 장치에서는 더미 디스펜스의 실행에 기인하여, 레지스트 재료에 대하여 큰 손실이 발생하고 있었다.
그런데, 종래의 레지스트 도포 장치에서는 토출 노즐(12)의 선단부에서 레지스트가 고형화되는 것을 방지하기 위해서, 토출 노즐(12)로부터 레지스트를 토출한 후에 그 선단부에 존재하는 레지스트를 약간 흡상하는 처리, 즉 소위 후방 흡입이 실행된다. 이 후방 흡입시에는 조건에 따라 토출 노즐(12)의 선단부 부근으로 공기가 휩쓸리는 경우가 있다.
토출 노즐(12)의 내부로 이와 같이 해서 공기가 휩쓸려 들어가면, 이후 반도체 웨이퍼 상에 레지스트가 도포될 때, 레지스트의 도포 불균일 등이 발생한다. 따라서, 레지스트의 도포 불균일을 방지하는 데 있어서는 후방 흡입에 수반되는 공기의 휩쓸림 등을 검지할 수 있는 것이 바람직하다. 그러나, 종래의 레지스트 도포 장치에 의해서는 후방 흡입에 수반되는 공기의 휩쓸림을 검지할 수는 없다.
이와 같이, 종래의 레지스트 도포 장치는 레지스트의 도포 불균일 등을 방지하는 데 있어서, 아직 개량의 여지를 남기는 것이었다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼 상에 항상 안정된 조건으로 레지스트를 도포할 수 있는 레지스트 도포 장치를 제공하는 것을 제1 목적으로 한다.
또, 본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 항상 안정된 조건으로 레지스트를 도포하기 위한 레지스트 도포 공정의 관리 방법을 제공하는 것을 제2 목적으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치로서,
반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 토출 노즐과,
촬상 데이타를 카메라에 공급하는 파이버 스코프와,
상기 파이버 스코프의 선단부를 레지스트 토출 노즐의 선단부 위치로 이동시키는 파이버 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 2에 기재된 발명은 청구항 1에 기재된 레지스트 도포 장치로서,
상기 토출 노즐의 선단부를 세척하기 위한 세척 기구와,
상기 세척 기구를 상기 토출 노즐의 위치에 따른 적절한 위치로 이동시키는 세척 기구 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 3에 기재된 발명은 청구항 2에 기재된 레지스트 도포 장치로서,
정상적인 토출 노즐의 상태를 나타내는 화상 데이타와 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 비교하여, 상기 토출 노즐의 선단부에 이물질이 존재하는지의 여부를 판단하는 이물질 판단부와,
상기 이물질 판단부에 의해서 이물질의 존재가 인식된 경우에, 상기 세척 기구에 의해 상기 토출 노즐을 청소시키기 위한 처리를 실행하는 제어 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 4에 기재된 발명은 청구항 2 또는 3에 기재된 레지스트 도포 장치로서,
상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 오퍼레이터에 표시하기 위한 모니터와,
상기 세척 기구에 의한 상기 토출 노즐의 청소를 상기 오퍼레이터가 수동으로 지시하기 위한 매뉴얼 지시 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 5에 기재된 발명은 청구항 1에 기재된 레지스트 도포 장치로서, 상기 파이버 스코프는 상기 토출 노즐로부터 레지스트가 토출되는 상태를 촬상할 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 6에 기재된 발명은 청구항 5에 기재된 레지스트 도포 장치로서, 상기 파이버 스코프는 더미 디스펜스시에, 상기 토출 노즐로부터의 레지스트의 토출이 정지된 직후의 상태와 후방 흡입 후의 상태를 촬상할 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 7에 기재된 발명은 청구항 5 또는 6에 기재된 레지스트 도포 장치로서, 상기 토출 노즐로부터 레지스트가 정상적으로 토출되는 상태를 나타내는 화상 데이타와 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 비교하여, 상기 레지스트의 토출 상태가 정상인지의 여부를 판단하는 토출 상태 판단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 8에 기재된 발명은 청구항 7에 기재된 레지스트 도포 장치로서, 상기 토출 상태 판단부에 의해서 상기 레지스트의 토출 상태가 정상이 아니라고 판단된 경우에, 상기 레지스트의 토출 조건을 자동적으로 조정하는 토출 조건 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 9에 기재된 발명은 청구항 5 또는 6에 기재된 레지스트 도포 장치로서,
상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 오퍼레이터에 표시하기 위한 모니터와,
상기 레지스트의 토출 조건을 오퍼레이터가 수동으로 조정하기 위한 매뉴얼 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 10에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 공정을 관리하는 방법으로서,
상기 레지스트를 토출하는 토출 노즐의 선단부의 화상을 촬상하는 촬상 단계와,
상기 촬상 단계에서 취득한 화상에 기초하여, 상기 토출 노즐의 선단부에 이물질이 부착되어 있는지의 여부를 판단하는 판단 단계와,
상기 판단 단계에서 이물질이 인식된 경우에, 상기 토출 노즐의 선단부로부터 상기 이물질을 제거하는 세척 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 11에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 공정을 관리하는 방법으로서,
토출 노즐로부터 상기 레지스트가 토출되는 상태를 촬상하는 촬상 단계와,
상기 촬상 단계에서 취득한 화상에 기초하여, 상기 레지스트가 상기 토출 노즐로부터 적정하게 토출되고 있는지의 여부를 판단하는 판단 단계와,
상기 판단 단계에서 상기 레지스트가 적정하게 토출되고 있지 않다고 판단된 경우에, 상기 레지스트의 토출 조건을 조정하는 조건 조정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 12에 기재된 발명은 청구항 11에 기재된 레지스트 도포 공정의 관리 방법으로서,
상기 촬상 단계는 더미 디스펜스시에, 상기 토출 노즐로부터의 레지스트의 토출이 정지된 직후의 상태와 후방 흡입 후의 상태를 촬상하는 보조 단계를 포함하고,
상기 판단 단계는 상기 레지스트의 토출이 정지된 직후의 상태와 상기 후방 흡입 후의 상태에 기초하여, 후방 흡입의 조건이 적정한지의 여부를 판단하는 보조 단계를 포함하고,
상기 조건 조정 단계는 후방 흡입의 조건이 적정하지 않다고 판단된 경우에, 그 후방 흡입 조건을 조정하는 보조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 공통되는 요소에는 동일한 부호를 부여하고 중복되는 설명을 생략한다.
<제1 실시 형태>
도1은 본 발명의 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치의 특징 부분의 개요를 도시한 블록도이다. 또, 도2는 레지스트 도포 장치의 일반적인 구성을 설명하기 위한 평면도를 도시한다. 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 도2에 도시한 일반적인 구성에 대하여, 도1에 도시한 특징 부분을 부가함으로써 실현되고 있다.
도2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 레지스트 도포실(20)의 내부에 노즐 블록(10)을 구비하고 있다. 노즐 블록(10)에는 복수의 토출 노즐(12)이 보유 지지되어 있다. 복수의 토출 노즐(12)은 토출해야 하는 레지 스트의 종류의 따라서 적절하게 선택적으로 사용된다.
레지스트 도포실(20)의 내부에는 또한 처리컵(22)이 설치되어 있다. 처리컵(22)의 내부에는 정전력 등으로 반도체 웨이퍼(도시 생략)를 보유 지지하는 척(24)이 설치되어 있다. 척(24)은 그 상부에 놓여지는 반도체 웨이퍼를 처리컵(22)의 내부에서, 지면에 평행한 평면 내에서 회전시킬 수 있다.
처리컵(22)의 근방에는 아암 구동부(26)가 설치되어 있다. 아암 구동부(26)에는 아암(28)이 연결되어 있다. 아암 구동부(26)는 아암(28)을 도2에 있어서의 좌우 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 아암(28)은 노즐 블록(10) 상의 임의의 토출 블록(12)의 위치에 맞추어, 노즐 보유 지지부(30)를 도2에 있어서의 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
레지스트 도포 장치는 레지스트의 도포가 요구되는 경우, 우선 도포해야 하는 레지스트의 종류에 따라서 사용할 토출 노즐(12)을 결정한다. 다음에, 아암(28)을 이동시켜 임의의 토출 노즐(12)을 노즐 보유 지지부(30)에 장착한다. 이어서, 토출 노즐(12)을 반도체 웨이퍼의 회전 중심 부근으로 이동시킨다. 그리고, 소정 속도로 회전하고 있는 반도체 웨이퍼의 중심 부근에, 토출 노즐(12)로부터 레지스트를 토출한다. 반도체 웨이퍼 상에 토출된 레지스트는 원심력에 의해 웨이퍼 전체면에 균일하게 확산되어, 막두께가 균일한 레지스트막이 된다.
도1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 파이버 스코프(32), 및 CCD 카메라(34)를 구비하고 있다. 파이버 스코프(32)는 그 선단 부분을 자유롭게 이동시킬 수 있을 만큼의 유연성을 갖고 있다. CCD 카메라(34)는 파 이버 스코프(32)의 선단부가 포착한 빛을 화상 데이타로서 취입할 수 있다. CCD 카메라(34)에는 제어 유닛(36)이 접속되어 있다. 또, 제어 유닛(36)에는 모니터(38)가 접속되어 있다. 모니터(38)는 CCD 카메라(34)에 의해서 촬상된 화상을 레지스트 도포 장치의 오퍼레이터에 대하여 표시할 수 있다.
제어 유닛(36)에는 또한 파이버 구동부(40)가 접속되어 있다. 파이버 구동부(40)는 파이버 스코프(32)의 선단부 부근을 지지하고 있고, 그 선단부 부근을 제어 유닛(36)의 지시에 따라서 3차원적으로 이동시킬 수 있다.
도3은 파이버 스코프(32)의 동작을 보다 상세하게 설명하기 위한 도면을 도시한다. 상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 아암(28)의 노즐 보유 지지부(30)에 의해서, 레지스트 도포실(20)의 내부에 준비되어 있는 모든 토출 노즐(12)을 노즐 블록(10)으로부터 들어올릴 수 있다. 파이버 구동부(40)는 이와 같이 해서 들어올려진 임의의 토출 노즐(12)의 개구 내부를 파이버 스코프(32)로 촬상할 수 있도록, 파이버 스코프(32)의 선단부 부근을 자유롭게 이동시킬 수 있다.
제어 유닛(36)에는 또한 제어기(42)가 접속되어 있다. 또, 제어기(42)에는 세척 기구 구동부(44)가 접속되어 있다. 세척 기구 구동부(44)에는 브러시(46)를 구비한 회전 구동부(48)가 고정되어 있다. 세척 기구 구동부(44)는 제어기(42)의 지시에 따라서 브러시(46)를 3차원적으로 이동시킬 수 있다.
도4의 (a) 및 (b)는 브러시(46)의 동작을 보다 상세하게 설명하기 위한 도면을 도시한다. 상술한 세척 기구 구동부(44)는, 보다 구체적으로는 도4의 (a)에 도 시한 바와 같이, 브러시(46)를 레지스트 도포실(20) 내에서 노즐 보유 지지부(30)로 들어올려져 있는 임의의 토출 노즐(12)의 개구 부근으로 이동시킬 수 있다. 그리고, 세척 기구 구동부(44)는 도4의 (b)에 도시한 바와 같이, 브러시(46)를 토출 노즐(12)의 개구 내에 삽입시킬 수 있다. 회전 구동부(48)는 토출 노즐(12)의 내부에 삽입된 브러시(46)를 회전시킬 수 있다. 브러시(46)는 토출 노즐(12)의 청소에 적합한 크기를 갖고 있으므로, 상기한 바와 같이 브러시(46)를 회전시키면 토출 노즐(12)의 개구부에 부착되어 있던 이물질(14)을 제거할 수 있다.
다음에, 도5를 참조하여 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치의 동작에 대하여 설명한다. 도5는 레지스트 도포 장치가 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포할 때 실행하는 일련의 처리의 흐름을 도시한 흐름도이다.
도5에 도시한 과정에 따르면, 우선 도포해야 하는 레지스트의 종류에 따라서 적절한 토출 노즐(12)이 아암(28)에 의해서 들어올려진다(단계 100).
다음에, 들어올려진 토출 노즐(12)의 개구 내부를 촬상할 수 있는 위치로 파이버 스코프(32)의 선단부가 이동된다(단계 102).
파이버 스코프(32)가 적절한 위치에 도달한 후, CCD 카메라(34)에 의해 토출 노즐(12)의 개구 내부의 화상이 취입된다(단계 104).
제어 유닛(36)에는 미리 이물질(14)이 존재하지 않는 정상적인 개구 내부의 상태를 나타낸 화상이 기억되어 있다. 상기 단계(104)에 있어서, CCD 카메라(34)에 의해서 개구 내부의 화상이 취입되면, 다음에 그 화상과 미리 기억되어 있는 정상 상태의 화상을 비교하는 처리가 실행된다(단계 106).
상기 단계(106)에 있어서의 화상 처리의 결과에 기초하여, 검사 대상인 토출 노즐(12)의 개구부에 이물질(14)이 존재하는지의 여부가 판단된다(단계 108).
그 결과, 이물질이 존재하지 않는다고 판단된 경우는, 이후 통상의 방법으로 레지스트를 도포하는 처리가 속행된다(단계 110).
한편, 이물질이 존재한다고 판단된 경우는 브러시(46)에 의한 세척 처리가 자동적으로 실행된 후(단계 112), 다시 상기 단계(102) 이후의 처리가 실행된다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 파이버 스코프(32)를 사용하여 토출 노즐(12)의 화상을 직접 취입하고, 그 화상에 기초하여 이물질(14)의 존재를 판단한다. 그리고, 이물질(14)이 확인되는 경우에는 자동적으로 그 이물질(14)을 브러시(46)에 의해 제거할 수 있다. 이로 인해, 본 실시 형태의 장치에 따르면, 항상 토출 노즐(12) 내에 이물질(14)이 존재하지 않는 것이 보증된 상태로, 안정된 조건하에서 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 장치에 따르면, 레지스트의 도포 불균일 등의 문제점을 확실하게 방지할 수 있다.
그런데, 상기의 설명에서는 토출 노즐(12)에 이물질(14)이 존재하고 있는지의 여부를 레지스트 도포 장치가 자동적으로 판단하고, 그리고 이물질(14)이 존재하는 경우에는 레지스트 도포 장치가 자동적으로 이물질(14)의 세척을 행하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 즉, 이물질(14)이 존재하는지의 여부는 모니터(38)에 표시되는 화상에 기초하여, 오퍼레이터가 판단하는 것으로 해도 된다. 또한, 세척의 실행은 오퍼레이터에 의한 개시 지시에 의해 실행되는 것으로 해도 된다.
<제2 실시 형태>
다음에, 도6을 참조하여 본 발명의 제2 실시 형태의 레지스트 도포 장치에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태의 레지스트 도포 장치, 및 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 모두 토출 노즐(12)의 선단부 부근에서 레지스트가 고형화되는 것을 방지하기 위해서, 소위 후방 흡입을 실행한다. 즉, 토출 노즐(12)로부터 레지스트를 도포한 후에, 토출 노즐(12)의 선단부 부근에 잔존하는 레지스트를 약간 흡상하여, 토출 노즐(12)의 선단부 부근에서 레지스트가 고형화되는 것을 방지한다.
제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 상술한 후방 흡입의 처리를 가능하게 하기 위해서, 레지스트의 공급 경로에 레지스트 저장실을 구비하고 있다. 레지스트 저장실의 상류측에는 레지스트의 공급을 제어하기 위한 개폐 밸브가 설치되어 있다. 또한, 상기의 레지스트 저장실은 그 내부의 체적을 변화시키는 다이어프램 밸브를 구비하고 있다. 상기의 구성에 따르면, 개폐 밸브를 폐쇄함으로써 레지스트의 토출을 정지시킬 수 있다. 그리고, 그 후 다이어프램 밸브에 의해 레지스트 저장실의 체적을 증대시킴으로써, 후방 흡입을 실현할 수 있다.
후방 흡입에 수반되는 레지스트의 흡상 속도는 다이어프램 밸브의 동작 속도를 제어하는 속도 제어기 등에 의해 조정할 수 있다. 그 흡상 속도가 과도하게 고속이면, 후방 흡입에 수반하여 토출 노즐(12) 내에 공기가 혼입되는 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 상기의 속도 제어기의 조건 등, 후방 흡입의 특성을 결정하는 조건은 공기의 혼입 등의 문제가 발생하지 않도록 적절하게 설정할 필요가 있다. 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는, 특히 상술한 후방 흡입 조건을 자동적으로 조정하기 위한 구동부를 구비하고 있는 것으로 한다.
도6은 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치가 후방 흡입 조건을 조정하기 위해서 실행하는 일련의 처리의 흐름을 설명하기 위한 흐름도를 도시한다.
도6에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 우선 조정의 대상으로서 선택된 토출 노즐(12)이 아암(28)에 의해서 들어올려진다(단계 120).
다음에, 들어올려진 토출 노즐(12)의 선단 부분을 촬상할 수 있는 위치로 파이버 스코프(32)의 선단부가 이동된다(단계 122).
파이버 스코프(32)가 적절한 위치에 도달한 후, 레지스트의 더미 디스펜스가 실행된다(단계 124).
레지스트의 토출이 정지된 후, 후방 흡입에 의해서 레지스트가 흡상되는 상태가 CCD 카메라(34)에 의해서 촬상된다(단계 126).
제어 유닛(36)에는 미리 후방 흡입 조건이 적정한 경우에 있어서의 레지스트의 거동이 화상 데이타로서 기억되어 있다. 상기 단계(126)에 있어서, CCD 카메라(34)에 의해서 레지스트의 상태를 나타내는 화상이 취입되면, 다음에 그 화상과 미리 기억되어 있는 정상 상태의 화상이 비교된다(단계 128).
다음에, 상기 단계(128)에 있어서의 화상 처리의 결과에 기초하여, 후방 흡입시의 레지스트 거동이 적정한지의 여부가 판단된다. 보다 구체적으로는, 후방 흡입 전에 토출 노즐(12)의 선단부에 잔존하고 있던 레지스트의 양(길이), 후방 흡 입 과정에서 레지스트가 흡상되는 속도, 또한 후방 흡입 후에 토출 노즐(12)의 선단부와 레지스트 표면 사이에 확보되는 거리 등이 적정한지의 여부가 판단된다(단계 130).
그 결과, 후방 흡입에 수반되는 레지스트의 거동이 적정하다고 판단된 경우는 조건의 조정이 불필요하므로, 그대로 금회의 과정이 종료된다. 한편, 레지스트의 거동이 적정하지 않다고 판단된 경우는 후방 흡입 조건의 조정이 자동적으로 실행된 후(단계 132), 다시 상기 단계(122) 이후의 처리가 실행된다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 도포 장치는 파이버 스코프(32)를 사용하여 후방 흡입시에 있어서의 레지스트의 거동을 직접 촬상하고, 그 결과 얻어진 화상에 기초하여 후방 흡입 조건이 적정한지의 여부를 판단한다. 그리고, 본 실시 형태의 장치는 후방 흡입 조건이 적정하지 않은 경우에는 그 조건을 자동적으로 적정한 조건으로 조정한다. 이에 의해, 본 실시 형태의 장치에서는 후방 흡입 조건이 부적당한 조건인 채로 유지되지 않으며, 레지스트 내로의 공기의 혼입이 유효하게 방지된다.
그런데, 상기의 설명에서는 후방 흡입 조건이 적정한지의 여부를 레지스트 도포 장치가 자동적으로 판단하고, 그리고 그 조건이 부적정한 경우에는 레지스트 도포 장치가 자동적으로 조건 조정을 행하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 즉, 후방 흡입 조건이 적정한지의 여부는 모니터(38)에 표시되는 화상에 기초하여, 오퍼레이터가 판단하는 것으로 해도 된다. 또한, 후방 흡입 조건의 조정은 오퍼레이터에 의한 개시 지시에 의해 실행되는 것으로 해 도 되고, 또는 오퍼레이터가 수동으로 행하는 것으로 해도 된다.
또, 상기의 실시 형태에서는 조정의 대상이 후방 흡입 조건으로 한정되어 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 즉, 파이버 스코프(32)에 의해서 토출 노즐(12)로부터 토출되는 레지스트의 상태를 촬상하고, 그 결과에 기초하여 레지스트의 토출 조건을 조정하는 것으로 해도 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 파이버 스코프에 의해서 토출 노즐의 선단부 부근의 화상을 촬상하고, 그 화상에 기초하여 직접적으로 레지스트 도포 공정의 관리를 행할 수 있다. 이에 의해, 본 발명에 따르면 반도체 웨이퍼 상에 안정된 조건으로 레지스트를 도포하는 데 있어서 필요한 상황을 항상 유지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치이며,
    반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 토출 노즐과,
    촬상 데이타를 카메라에 공급하는 파이버 스코프와,
    상기 파이버 스코프의 선단부를 레지스트 토출 노즐의 선단부 위치로 이동시키는 파이버 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 토출 노즐의 선단부를 세척하기 위한 세척 기구와,
    상기 세척 기구를 상기 토출 노즐의 위치에 따른 적절한 위치로 이동시키는 세척 기구 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  3. 제2항에 있어서, 정상적인 토출 노즐의 상태를 나타내는 화상 데이타와 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 비교하여, 상기 토출 노즐의 선단부에 이물질이 존재하는지의 여부를 판단하는 이물질 판단부와,
    상기 이물질 판단부에 의해서 이물질의 존재가 인식된 경우에, 상기 세척 기구에 의해 상기 토출 노즐을 청소시키기 위한 처리를 실행하는 제어 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 오퍼레이 터에 표시하기 위한 모니터와,
    상기 세척 기구에 의한 상기 토출 노즐의 청소를 상기 오퍼레이터가 수동으로 지시하기 위한 매뉴얼 지시 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 파이버 스코프는 상기 토출 노즐로부터 레지스트가 토출되는 상태를 촬상할 수 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 파이버 스코프는 더미 디스펜스시에, 상기 토출 노즐로부터의 레지스트의 토출이 정지된 직후의 상태와 후방 흡입 후의 상태를 촬상할 수 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 토출 노즐로부터 레지스트가 정상적으로 토출되는 상태를 나타내는 화상 데이타와 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 비교하여, 상기 레지스트의 토출 상태가 정상인지의 여부를 판단하는 토출 상태 판단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 토출 상태 판단부에 의해서 상기 레지스트의 토출 상태가 정상이 아니라고 판단된 경우에, 상기 레지스트의 토출 조건을 자동적으로 조정하는 토출 조건 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  9. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 카메라가 취득한 촬상 데이타를 오퍼레이터에 표시하기 위한 모니터와,
    상기 레지스트의 토출 조건을 오퍼레이터가 수동으로 조정하기 위한 매뉴얼 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 장치.
  10. 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 공정을 관리하는 방법이며,
    상기 레지스트를 토출하는 토출 노즐의 선단부의 화상을 촬상하는 촬상 단계와,
    상기 촬상 단계에서 취득한 화상에 기초하여 상기 토출 노즐의 선단부에 이물질이 부착되어 있는지의 여부를 판단하는 판단 단계와,
    상기 판단 단계에서 이물질이 인식된 경우에, 상기 토출 노즐의 선단부로부터 상기 이물질을 제거하는 세척 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 도포 공정의 관리 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
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