JPH1076203A - 液処理方法及びその装置 - Google Patents
液処理方法及びその装置Info
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- JPH1076203A JPH1076203A JP8249228A JP24922896A JPH1076203A JP H1076203 A JPH1076203 A JP H1076203A JP 8249228 A JP8249228 A JP 8249228A JP 24922896 A JP24922896 A JP 24922896A JP H1076203 A JPH1076203 A JP H1076203A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
- B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
- B05B15/52—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 待機中における処理液供給ノズルの先端の乾
きを防止しつつ、溶剤によって除去されずにローラに付
着している処理液を効果的に除去可能とすること。 【解決手段】 レジスト液供給ノズル３を待機位置ａか
ら使用位置ｂに移動させ、ノズル３と半導体ウエハと相
対的に移動させてウエハ２上にレジスト液の膜を形成す
るに際し、待機位置では、塗布処理のためノズル３が待
機位置を離れる直前までノズル３からのレジスト液４の
吐出を停止し、かつ、この時点又はその前後においてワ
イパー７をローラ５周面から離した上位置とする。
きを防止しつつ、溶剤によって除去されずにローラに付
着している処理液を効果的に除去可能とすること。 【解決手段】 レジスト液供給ノズル３を待機位置ａか
ら使用位置ｂに移動させ、ノズル３と半導体ウエハと相
対的に移動させてウエハ２上にレジスト液の膜を形成す
るに際し、待機位置では、塗布処理のためノズル３が待
機位置を離れる直前までノズル３からのレジスト液４の
吐出を停止し、かつ、この時点又はその前後においてワ
イパー７をローラ５周面から離した上位置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばレジスト
液のような処理液の膜（塗布膜）を、半導体ウエハのよ
うな被処理体上やこの上に形成された層の上に形成する
ための液処理方法及びその装置に関するものである。
液のような処理液の膜（塗布膜）を、半導体ウエハのよ
うな被処理体上やこの上に形成された層の上に形成する
ための液処理方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体技術の分野では、
半導体ウエハの上に形成された半導体層、絶縁体層、電
極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合
に、パターン部のマスキングとして層の表面にレジスト
膜を形成することが行われている。レジスト膜の形成方
法として、例えば、図６に示すように、溶剤に感光性樹
脂を溶解してなるレジスト液４を吐出するレジスト供給
用のノズル３を保持手段例えばスピンチャック１にて保
持される半導体ウエハ２の上方に移動し、ノズル３から
レジスト液４を供給すなわち滴下すると共に、スピンチ
ャック１を回転して、レジストの吐出方向と直交する方
向に相対称的に移動させ、塗布する方法が知られてい
る。この方法によれば、半導体ウエハ２の中心部から外
周部に向かってレジスト液を拡散するため、半導体ウエ
ハ２の全面に平均してレジスト膜を形成することができ
る。
半導体ウエハの上に形成された半導体層、絶縁体層、電
極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合
に、パターン部のマスキングとして層の表面にレジスト
膜を形成することが行われている。レジスト膜の形成方
法として、例えば、図６に示すように、溶剤に感光性樹
脂を溶解してなるレジスト液４を吐出するレジスト供給
用のノズル３を保持手段例えばスピンチャック１にて保
持される半導体ウエハ２の上方に移動し、ノズル３から
レジスト液４を供給すなわち滴下すると共に、スピンチ
ャック１を回転して、レジストの吐出方向と直交する方
向に相対称的に移動させ、塗布する方法が知られてい
る。この方法によれば、半導体ウエハ２の中心部から外
周部に向かってレジスト液を拡散するため、半導体ウエ
ハ２の全面に平均してレジスト膜を形成することができ
る。
【０００３】従来、この種の塗布膜形成方法において
は、レジスト供給ノズル３の待機中にノズル３にレジス
ト液４が固まると、目詰まりを生じたり均一なレジスト
膜の形成の妨げとなるため、図６に示すように、ノズル
３からレジスト液４を吐出し、その吐出するレジストを
回転するローラ５に付け、固定式のワイパー７でローラ
５上のレジストを除去する方法が考えられている。
は、レジスト供給ノズル３の待機中にノズル３にレジス
ト液４が固まると、目詰まりを生じたり均一なレジスト
膜の形成の妨げとなるため、図６に示すように、ノズル
３からレジスト液４を吐出し、その吐出するレジストを
回転するローラ５に付け、固定式のワイパー７でローラ
５上のレジストを除去する方法が考えられている。
【０００４】この方法の欠点は、待機中もレジスト液を
ノズルから吐出させているので、レジスト液が無駄にな
ることである。この問題を解決する手段として、待機中
は、レジスト液を吐出せず、塗布直前にレジスト液を吐
出させる。ただし、レジスト液の吐出を停止した場合、
ノズル３の先端が乾き易くなるので、ローラ５の下部を
溶剤たるシンナー６中に浸漬させ、このローラで汲み上
げたシンナーを付与することによりノズル先端の乾きを
防止している。
ノズルから吐出させているので、レジスト液が無駄にな
ることである。この問題を解決する手段として、待機中
は、レジスト液を吐出せず、塗布直前にレジスト液を吐
出させる。ただし、レジスト液の吐出を停止した場合、
ノズル３の先端が乾き易くなるので、ローラ５の下部を
溶剤たるシンナー６中に浸漬させ、このローラで汲み上
げたシンナーを付与することによりノズル先端の乾きを
防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ワイパー７は固定式であり、これによりローラ５上のレ
ジストを長時間にわたり削り取っていると、ノズル先端
を湿潤させるシンナー６まで除去されてしまい、レジス
ト供給ノズル３の先端が乾いて目詰まりを生ずるという
問題がある。
ワイパー７は固定式であり、これによりローラ５上のレ
ジストを長時間にわたり削り取っていると、ノズル先端
を湿潤させるシンナー６まで除去されてしまい、レジス
ト供給ノズル３の先端が乾いて目詰まりを生ずるという
問題がある。
【０００６】一方、上記ローラ５上のレジストを除去す
るワイパー７の機能は比較的重要であり、このワイパー
７がないと、シンナー６によって除去されずにローラ５
に付着しているレジスト液がノズル先端の環境を乱すこ
とになり、均一な膜厚が得られなくなる。
るワイパー７の機能は比較的重要であり、このワイパー
７がないと、シンナー６によって除去されずにローラ５
に付着しているレジスト液がノズル先端の環境を乱すこ
とになり、均一な膜厚が得られなくなる。
【０００７】そこで、この発明の目的は、上記課題を解
決し、待機中における処理液供給ノズルの先端の乾きを
防止しつつ、溶剤によって除去されずにローラに付着し
ているレジスト液を効果的に除去することができる液処
理方法及びその装置を提供することにある。
決し、待機中における処理液供給ノズルの先端の乾きを
防止しつつ、溶剤によって除去されずにローラに付着し
ているレジスト液を効果的に除去することができる液処
理方法及びその装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、処理液供給用のノズルが
待機位置のとき、このノズルからの処理液の吐出を停止
する一方、その一部を溶剤と接触させた一方向に回転す
るローラの周面近傍にノズルを対向させローラ周面上の
溶剤にてノズル先端を湿潤可能とし、ワイパーによりロ
ーラ周面上の処理液を除去するようにした液処理方法で
あって、 待機位置では、塗布処理のためノズルが待機
位置を離れる直前の準備期間の開始まで、ワイパーをロ
ーラから離した上位置状態にすることによりノズル先端
の乾燥を防止しながら、ノズルからの処理液の吐出を停
止し、かつ、この準備期間の開始と共にワイパーをロー
ラ周面に接触させた下位置として、処理液の吐出を始
め、 上記準備期間の経過後に、ノズルを待機位置から
使用位置に移動させ、ノズルと被処理体を相対的に移動
させて被処理体上に処理液の液膜を形成することを特徴
とする。
め、請求項１に記載の発明は、処理液供給用のノズルが
待機位置のとき、このノズルからの処理液の吐出を停止
する一方、その一部を溶剤と接触させた一方向に回転す
るローラの周面近傍にノズルを対向させローラ周面上の
溶剤にてノズル先端を湿潤可能とし、ワイパーによりロ
ーラ周面上の処理液を除去するようにした液処理方法で
あって、 待機位置では、塗布処理のためノズルが待機
位置を離れる直前の準備期間の開始まで、ワイパーをロ
ーラから離した上位置状態にすることによりノズル先端
の乾燥を防止しながら、ノズルからの処理液の吐出を停
止し、かつ、この準備期間の開始と共にワイパーをロー
ラ周面に接触させた下位置として、処理液の吐出を始
め、 上記準備期間の経過後に、ノズルを待機位置から
使用位置に移動させ、ノズルと被処理体を相対的に移動
させて被処理体上に処理液の液膜を形成することを特徴
とする。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、待機位置
にあった処理液供給用のノズルを使用位置に移動させ、
このノズルと被処理体を相対的に移動させて被処理体上
に塗布膜を形成する液処理装置であって、 上記ノズル
が待機位置のとき、塗布処理のためノズルが待機位置を
離れる直前の準備期間の開始まではノズルからの処理液
の吐出を停止する液吐出停止手段と、 上記ノズルが待
機位置のとき、ノズルを、一方向に回転するローラの周
面近傍に対向させローラ周面上の溶剤にてノズル先端を
湿潤させる位置とするノズル移動手段と、 上記ノズル
が待機位置のとき、上記準備期間の開始と共にワイパー
をローラ周面から離した上位置とするワイパー昇降手段
と、を有することを特徴とする。
にあった処理液供給用のノズルを使用位置に移動させ、
このノズルと被処理体を相対的に移動させて被処理体上
に塗布膜を形成する液処理装置であって、 上記ノズル
が待機位置のとき、塗布処理のためノズルが待機位置を
離れる直前の準備期間の開始まではノズルからの処理液
の吐出を停止する液吐出停止手段と、 上記ノズルが待
機位置のとき、ノズルを、一方向に回転するローラの周
面近傍に対向させローラ周面上の溶剤にてノズル先端を
湿潤させる位置とするノズル移動手段と、 上記ノズル
が待機位置のとき、上記準備期間の開始と共にワイパー
をローラ周面から離した上位置とするワイパー昇降手段
と、を有することを特徴とする。
【００１０】この発明の方法及び装置においては、処理
液供給用のノズルを待機位置から使用位置に移動させ、
ノズルと被処理体を相対的に移動させて被処理体上に塗
布膜を形成するに際し、待機位置では、塗布処理のため
ノズルが待機位置を離れる直前までノズルからの処理液
の吐出を停止し、かつ、ワイパーをローラ周面から離し
た上位置としているので、待機中における処理液供給ノ
ズルの先端の乾きを防止しつつ、ローラ周面に溶剤によ
って除去されずに付着しているレジスト液を効果的に除
去することができる。
液供給用のノズルを待機位置から使用位置に移動させ、
ノズルと被処理体を相対的に移動させて被処理体上に塗
布膜を形成するに際し、待機位置では、塗布処理のため
ノズルが待機位置を離れる直前までノズルからの処理液
の吐出を停止し、かつ、ワイパーをローラ周面から離し
た上位置としているので、待機中における処理液供給ノ
ズルの先端の乾きを防止しつつ、ローラ周面に溶剤によ
って除去されずに付着しているレジスト液を効果的に除
去することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００１２】この発明の処理液の膜を形成する液処理装
置は、図１に示すように、被塗布体である半導体ウエハ
２（以下にウエハという）を水平状態に保持する保持手
段例えば真空によって吸着保持するスピンチャック１
と、このスピンチャック１の上方に位置してウエハ２に
処理液たるレジスト液４を吐出するパイプノズルから成
るレジスト液供給ノズル３と、レジスト液供給ノズル３
を待機位置ａと使用位置ｂへ移動させる機構を含むノズ
ル移動手段１０と、処理液供給管路であるレジスト液供
給チューブ２１を介してレジスト液供給ノズル３に接続
するレジスト液収容タンク２０（処理液供給源）とを有
する。
置は、図１に示すように、被塗布体である半導体ウエハ
２（以下にウエハという）を水平状態に保持する保持手
段例えば真空によって吸着保持するスピンチャック１
と、このスピンチャック１の上方に位置してウエハ２に
処理液たるレジスト液４を吐出するパイプノズルから成
るレジスト液供給ノズル３と、レジスト液供給ノズル３
を待機位置ａと使用位置ｂへ移動させる機構を含むノズ
ル移動手段１０と、処理液供給管路であるレジスト液供
給チューブ２１を介してレジスト液供給ノズル３に接続
するレジスト液収容タンク２０（処理液供給源）とを有
する。
【００１３】レジスト液供給ノズル３は、レジスト液供
給チューブ２１を介してノズル３に接続するレジスト液
収容タンク２０（処理液供給源）に接続されており、こ
のレジスト液供給チューブ２１は、エアーオペレーショ
ンバルブ２２、レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するた
めの気泡除去機構２３、フィルタ２４及びベローズポン
プのような流量制御手段２５が順次設けられている。こ
の流量制御手段２５は、駆動部により制御された状態で
伸縮可能となっており、所定量のレジスト液Ｂをレジス
ト液供給ノズル３を介してウエハ２の中心部に供給例え
ば滴下可能となっている。従来のレジスト液Ｂの供給量
より少量のレジスト液Ｂの供給量制御を可能としてい
る。この駆動部は、一端が流量制御手段２５の一端に装
着されたねじと、このねじに螺合されるナットとから成
るボールねじ２６と、このナットを回転させることによ
りねじを直線動させるサーボ機構を有するサーボモータ
又はステッピングモータ２７とにより構成されている。
給チューブ２１を介してノズル３に接続するレジスト液
収容タンク２０（処理液供給源）に接続されており、こ
のレジスト液供給チューブ２１は、エアーオペレーショ
ンバルブ２２、レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するた
めの気泡除去機構２３、フィルタ２４及びベローズポン
プのような流量制御手段２５が順次設けられている。こ
の流量制御手段２５は、駆動部により制御された状態で
伸縮可能となっており、所定量のレジスト液Ｂをレジス
ト液供給ノズル３を介してウエハ２の中心部に供給例え
ば滴下可能となっている。従来のレジスト液Ｂの供給量
より少量のレジスト液Ｂの供給量制御を可能としてい
る。この駆動部は、一端が流量制御手段２５の一端に装
着されたねじと、このねじに螺合されるナットとから成
るボールねじ２６と、このナットを回転させることによ
りねじを直線動させるサーボ機構を有するサーボモータ
又はステッピングモータ２７とにより構成されている。
【００１４】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間は流量制御手段２５の
ステッピングモータ２７の駆動時間によって制御される
ようになっている。また、レジスト液の吐出量は、流量
制御手段２５の駆動動作、例えば駆動時間並びに駆動速
度と、レジスト液供給路を開閉するためのエアーオペレ
ーションバルブ２２の開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）に
よって設定されるようになっている。上記流量制御手段
２５の駆動時間の設定及びエアーオペレーションバルブ
２２のＯＮ−ＯＦＦ動作は、制御装置５０により、予め
設定されたプログラムに基づいてコンピュータの作用で
自動的に制御される。
において、レジスト液の吐出時間は流量制御手段２５の
ステッピングモータ２７の駆動時間によって制御される
ようになっている。また、レジスト液の吐出量は、流量
制御手段２５の駆動動作、例えば駆動時間並びに駆動速
度と、レジスト液供給路を開閉するためのエアーオペレ
ーションバルブ２２の開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）に
よって設定されるようになっている。上記流量制御手段
２５の駆動時間の設定及びエアーオペレーションバルブ
２２のＯＮ−ＯＦＦ動作は、制御装置５０により、予め
設定されたプログラムに基づいてコンピュータの作用で
自動的に制御される。
【００１５】符号５は待機位置ａにおかれた一方向に回
転するローラである。制御装置５０により、ノズル移動
手段１０が制御され、塗布操作を終えたレジスト液供給
ノズル３は、使用位置ｂから待機位置ａへと移動され、
次回の塗布に備える。この待機位置ａには光センサから
成る待機位置検出器３０が設けられており、レジスト液
供給ノズル３が待機位置ａに在る場合にはその旨の待機
位置検知信号Ｓ１が発生され、制御装置５０に入力され
る。
転するローラである。制御装置５０により、ノズル移動
手段１０が制御され、塗布操作を終えたレジスト液供給
ノズル３は、使用位置ｂから待機位置ａへと移動され、
次回の塗布に備える。この待機位置ａには光センサから
成る待機位置検出器３０が設けられており、レジスト液
供給ノズル３が待機位置ａに在る場合にはその旨の待機
位置検知信号Ｓ１が発生され、制御装置５０に入力され
る。
【００１６】次に、上記構成の液処理装置の動作を説明
する。図２において、ノズル３が待機位置ａに戻る際、
制御装置５０は、待機位置検出器３０の光がノズル３に
より遮光されるまで、ノズル移動手段１０に待機命令を
発し、待機位置検知信号Ｓ１を受けた時点でノズル３を
静止させる。これによりノズル３はローラ５の周面近傍
に対向して位置する待機位置ａになる。
する。図２において、ノズル３が待機位置ａに戻る際、
制御装置５０は、待機位置検出器３０の光がノズル３に
より遮光されるまで、ノズル移動手段１０に待機命令を
発し、待機位置検知信号Ｓ１を受けた時点でノズル３を
静止させる。これによりノズル３はローラ５の周面近傍
に対向して位置する待機位置ａになる。
【００１７】（i）待機位置ａでの制御（図２参照） ノズル３が待機位置ａに在るときは、制御装置５０によ
りエアーオペレーションバルブ２２がＯＦＦされ、ノズ
ル３からのレジスト液の吐出が停止される。この実施形
態では、ノズル３が塗布操作を終えた時点で既にノズル
３からのレジスト液の吐出が停止されている。従って、
ノズル３が待機位置ａに入る前及びノズル３が待機位置
ａに在る間、ノズル３からのレジスト液の吐出が停止さ
れている。
りエアーオペレーションバルブ２２がＯＦＦされ、ノズ
ル３からのレジスト液の吐出が停止される。この実施形
態では、ノズル３が塗布操作を終えた時点で既にノズル
３からのレジスト液の吐出が停止されている。従って、
ノズル３が待機位置ａに入る前及びノズル３が待機位置
ａに在る間、ノズル３からのレジスト液の吐出が停止さ
れている。
【００１８】なお、このようにレジスト液の吐出を停止
した場合、ノズル３の先端が乾き易くなるので、ローラ
５の下部を溶剤たるシンナー６中に浸漬させ、このロー
ラで汲み上げられてローラ５の周面上に付着するシンナ
ーを付与することによりノズル先端の乾きを防止してい
る。
した場合、ノズル３の先端が乾き易くなるので、ローラ
５の下部を溶剤たるシンナー６中に浸漬させ、このロー
ラで汲み上げられてローラ５の周面上に付着するシンナ
ーを付与することによりノズル先端の乾きを防止してい
る。
【００１９】一方、ローラ５がシンナー６を汲み上げて
ノズル先端を湿潤するその途中には、昇降駆動源として
のエアーシリンダー４０によりローラ５周面に接触する
下位置とローラ５周面から離れた上位置との間を昇降可
能なワイパー４１が設けられている。このワイパー４１
は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ），
ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等の耐
薬品性の樹脂及びパーフロロ−エラストマ等のゴムから
成り、先端がローラ５の周面に摺接して周面上の前回の
回り込みレジスト液を除去できるようになっている。ワ
イパー４１の先端形状は、このレジスト液除去機能が発
揮できるもので在れば良く、この例で用いている楔形の
断面の他、矩形断面や二股状の断面形状の任意の形状を
採用することができる。
ノズル先端を湿潤するその途中には、昇降駆動源として
のエアーシリンダー４０によりローラ５周面に接触する
下位置とローラ５周面から離れた上位置との間を昇降可
能なワイパー４１が設けられている。このワイパー４１
は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ），
ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等の耐
薬品性の樹脂及びパーフロロ−エラストマ等のゴムから
成り、先端がローラ５の周面に摺接して周面上の前回の
回り込みレジスト液を除去できるようになっている。ワ
イパー４１の先端形状は、このレジスト液除去機能が発
揮できるもので在れば良く、この例で用いている楔形の
断面の他、矩形断面や二股状の断面形状の任意の形状を
採用することができる。
【００２０】ノズル３が待機位置にあるとき、このワイ
パー４１を下位置にしておくと、これによりローラ５周
面上のレジスト液が除去されてノズル３先端が乾いてし
まう不都合がある。このため、ノズル３が待機位置にあ
るときは、制御装置５０より上昇指令がエアシリンダ４
０に与えられ、ワイパー４１の先端がローラ５表面から
離れた上位置に切り換えられる。
パー４１を下位置にしておくと、これによりローラ５周
面上のレジスト液が除去されてノズル３先端が乾いてし
まう不都合がある。このため、ノズル３が待機位置にあ
るときは、制御装置５０より上昇指令がエアシリンダ４
０に与えられ、ワイパー４１の先端がローラ５表面から
離れた上位置に切り換えられる。
【００２１】（ii）塗布処理時の制御（図３参照） 次の新たな塗布処理を行うべき場合、制御装置５０は、
上記した待機期間中において、塗布処理のためノズル３
が待機位置を離れる直前の準備期間に入る。ここに「準
備期間」とは、図４に示すように待機期間中の一部であ
って、ノズル３が待機位置を離れる直前の一定時間間隔
をいう。
上記した待機期間中において、塗布処理のためノズル３
が待機位置を離れる直前の準備期間に入る。ここに「準
備期間」とは、図４に示すように待機期間中の一部であ
って、ノズル３が待機位置を離れる直前の一定時間間隔
をいう。
【００２２】制御装置５０は、まず、待機期間中におい
て準備期間に入ると、エアーオペレーションバルブ２２
をＯＮして、ノズル３からのレジスト液の吐出を開始さ
せる。これはノズル３から最初に多めに出るレジスト液
部分をローラ周面に付けて払拭し、その後のレジスト液
部分をウエハ２に塗布することにより、塗布するレジス
ト液の膜厚を均一にするためである。
て準備期間に入ると、エアーオペレーションバルブ２２
をＯＮして、ノズル３からのレジスト液の吐出を開始さ
せる。これはノズル３から最初に多めに出るレジスト液
部分をローラ周面に付けて払拭し、その後のレジスト液
部分をウエハ２に塗布することにより、塗布するレジス
ト液の膜厚を均一にするためである。
【００２３】また、この準備期間の始まりと同時（準備
期間の始まりの直前或いは直後でもよい）において、制
御装置５０からエアシリンダ４０に下降指令が与えら
れ、ワイパー４１がローラ５の周面に対接される。した
がって、ローラ５に付着したレジスト液がワイパー４１
で除去される。
期間の始まりの直前或いは直後でもよい）において、制
御装置５０からエアシリンダ４０に下降指令が与えら
れ、ワイパー４１がローラ５の周面に対接される。した
がって、ローラ５に付着したレジスト液がワイパー４１
で除去される。
【００２４】上記準備期間の終了後、制御装置５０はノ
ズル移動手段１０に塗布動作指令を発生する。これによ
り、図４の使用期間に入り、ノズル移動手段１０は図３
の待機位置ａにあるノズル３を使用位置ｂに移動する。
なお、実際の待機位置ａから使用位置ｂへのノズル移動
は、ノズル３を待機位置ａで上昇させる動作と、その後
に横に移動させる動作と、使用位置ｂに下降させる動作
とを組み合わせて行っている。
ズル移動手段１０に塗布動作指令を発生する。これによ
り、図４の使用期間に入り、ノズル移動手段１０は図３
の待機位置ａにあるノズル３を使用位置ｂに移動する。
なお、実際の待機位置ａから使用位置ｂへのノズル移動
は、ノズル３を待機位置ａで上昇させる動作と、その後
に横に移動させる動作と、使用位置ｂに下降させる動作
とを組み合わせて行っている。
【００２５】このように、ノズル３は、待機位置ａにあ
り吐出準備開始前まではワイパー４１が上位置となって
いることから、乾燥が防止された状態で吐出準備開始と
なりワイパー４１が下位置でダミーディスペンスを行
い、その後使用位置ｂに移動され、使用に供される。
り吐出準備開始前まではワイパー４１が上位置となって
いることから、乾燥が防止された状態で吐出準備開始と
なりワイパー４１が下位置でダミーディスペンスを行
い、その後使用位置ｂに移動され、使用に供される。
【００２６】上記実施形態は、半導体ウエハのレジスト
液塗布装置として使用する場合について説明したが、こ
の発明に係る液処理装置は、例えばＬＣＤ基板に対する
レジスト液の塗布装置としても使用することができる。
なお、ＬＣＤ基板のレジスト塗布装置として使用する場
合には、レジスト液供給ノズルを上記パイプノズルに代
えてレジスト液を帯状に吐出するスリット式ノズルを用
い、また、保持手段を上記スピンチャックに代えて水平
移動あるいは固定式のチャックプレートを用い、そし
て、レジスト液供給ノズルとチャックプレートとを相対
移動させるようにすればよい。
液塗布装置として使用する場合について説明したが、こ
の発明に係る液処理装置は、例えばＬＣＤ基板に対する
レジスト液の塗布装置としても使用することができる。
なお、ＬＣＤ基板のレジスト塗布装置として使用する場
合には、レジスト液供給ノズルを上記パイプノズルに代
えてレジスト液を帯状に吐出するスリット式ノズルを用
い、また、保持手段を上記スピンチャックに代えて水平
移動あるいは固定式のチャックプレートを用い、そし
て、レジスト液供給ノズルとチャックプレートとを相対
移動させるようにすればよい。
【００２７】また、上記は液処理装置を単独で使用する
場合について説明したが、半導体ウエハの塗布・現像処
理システムに組み込んで使用することもできる。
場合について説明したが、半導体ウエハの塗布・現像処
理システムに組み込んで使用することもできる。
【００２８】半導体ウエハの塗布・現像処理システム
は、図５に示すように、被処理体としての半導体ウエハ
Ｗを搬入・搬出するローダ部１０１、ウエハＷをブラシ
洗浄するブラシ洗浄装置１０２、ウエハＷを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置１０３、ウエハＷの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置１０４、
ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１０５、ウ
エハＷの表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置１
０６、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリべ
ーク並びにポストべークを行う加熱処理装置１０７、レ
ジスト塗布されたウエハＷ上の各チップに回路パターン
を投影する露光装置（図示せず）、露光されたウエハＷ
を現像処理しかつ現像後のレジストパターンをリンス処
理する機能を備えた現像処理装置１０８等を集合化して
作業効率の向上を図っている。
は、図５に示すように、被処理体としての半導体ウエハ
Ｗを搬入・搬出するローダ部１０１、ウエハＷをブラシ
洗浄するブラシ洗浄装置１０２、ウエハＷを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置１０３、ウエハＷの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置１０４、
ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１０５、ウ
エハＷの表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置１
０６、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリべ
ーク並びにポストべークを行う加熱処理装置１０７、レ
ジスト塗布されたウエハＷ上の各チップに回路パターン
を投影する露光装置（図示せず）、露光されたウエハＷ
を現像処理しかつ現像後のレジストパターンをリンス処
理する機能を備えた現像処理装置１０８等を集合化して
作業効率の向上を図っている。
【００２９】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、未処理のウエハＷはローダ部１０１か
らウエハ搬送アーム１１１に受け渡され、そして、ブラ
シ洗浄装置１０２内に搬送される。このブラシ洗浄装置
１０２内にブラシ洗浄されたウエハＷは引き続いてジェ
ット水洗浄装置１０３内にて高圧ジェット水により洗浄
される。この後、ウエハＷは、アドヒージョン処理装置
１０４にて疎水化処理が施され、冷却処理装置１０５に
て冷却された後、レジスト塗布装置１０６に搬送され、
上述した手順でレジスト液が塗布されて塗布膜が形成さ
れる。その後、引き続いて塗布膜除去装置によってウエ
ハＷの辺部の不要なレジスト膜が除去される。そして、
このフォトレジストが加熱処理装置１０７にて加熱され
てベーキング処理が施された後、図示しない露光装置に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後のウエ
ハＷは現像処理装置１０８内へ搬送されて現像処理さ
れ、現像液により現像された後は、リンス液により現像
液を洗い流し、現像処理を完了する。現像処理された処
理済みのウエハＷはローダ部１０１に収容され後に、搬
出されて次の処理工程に向けて移送される。
ステムにおいて、未処理のウエハＷはローダ部１０１か
らウエハ搬送アーム１１１に受け渡され、そして、ブラ
シ洗浄装置１０２内に搬送される。このブラシ洗浄装置
１０２内にブラシ洗浄されたウエハＷは引き続いてジェ
ット水洗浄装置１０３内にて高圧ジェット水により洗浄
される。この後、ウエハＷは、アドヒージョン処理装置
１０４にて疎水化処理が施され、冷却処理装置１０５に
て冷却された後、レジスト塗布装置１０６に搬送され、
上述した手順でレジスト液が塗布されて塗布膜が形成さ
れる。その後、引き続いて塗布膜除去装置によってウエ
ハＷの辺部の不要なレジスト膜が除去される。そして、
このフォトレジストが加熱処理装置１０７にて加熱され
てベーキング処理が施された後、図示しない露光装置に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後のウエ
ハＷは現像処理装置１０８内へ搬送されて現像処理さ
れ、現像液により現像された後は、リンス液により現像
液を洗い流し、現像処理を完了する。現像処理された処
理済みのウエハＷはローダ部１０１に収容され後に、搬
出されて次の処理工程に向けて移送される。
【００３０】なお、上記実施形態では、この発明に係る
液処理装置を半導体ウエハへの液膜形成にに適用した場
合について説明したが、ＬＣＤ基板のレジスト塗布やＣ
Ｄ等の被処理体の液膜形成あるいはエレキボードにグリ
ーン膜を塗布する場合にも適用でき、ポリイミド系処理
液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有する処理液（ＳＯＧ）等
にも適用できることは勿論である。
液処理装置を半導体ウエハへの液膜形成にに適用した場
合について説明したが、ＬＣＤ基板のレジスト塗布やＣ
Ｄ等の被処理体の液膜形成あるいはエレキボードにグリ
ーン膜を塗布する場合にも適用でき、ポリイミド系処理
液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有する処理液（ＳＯＧ）等
にも適用できることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
処理液供給ノズルを待機位置から使用位置に移動させ、
ノズルと被処理体と相対的に移動させて被処理体上に塗
布膜を形成するに際し、待機位置では、塗布処理のため
ノズルが待機位置を離れる直前までノズルからの処理液
の吐出を停止し、かつ、ワイパーをローラ周面から離し
た上位置とするので、待機中における処理液供給ノズル
の先端の乾きを防止しつつ、溶剤によって除去されずに
ローラに付着している処理液を効果的に除去し、均一な
処理液の膜厚を形成することができる。
処理液供給ノズルを待機位置から使用位置に移動させ、
ノズルと被処理体と相対的に移動させて被処理体上に塗
布膜を形成するに際し、待機位置では、塗布処理のため
ノズルが待機位置を離れる直前までノズルからの処理液
の吐出を停止し、かつ、ワイパーをローラ周面から離し
た上位置とするので、待機中における処理液供給ノズル
の先端の乾きを防止しつつ、溶剤によって除去されずに
ローラに付着している処理液を効果的に除去し、均一な
処理液の膜厚を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の液処理装置を示す概略構成図であ
る。
る。
【図２】図１の液処理装置の待機状態下の制御を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図３】図１の液処理装置の準備期間及びこれから使用
期間に移る過程での制御を示す概略構成図である。
期間に移る過程での制御を示す概略構成図である。
【図４】図１の液処理装置の制御を示したタイミング図
である。
である。
【図５】塗布膜形成装置を組み込んだ塗布・現像処理シ
ステムを示す斜視図である。
ステムを示す斜視図である。
【図６】従来の液処理装置を示す概略断面図である。
１ スピンチャック（保持手段） ２ 半導体ウエハ（被処理体） ３ レジスト液供給ノズル ４ レジスト液（処理液） ６ シンナー（溶剤） １０ ノズル移動手段 ２２ エアーオペレーションバルブ（液吐出停止手段） ４０ エアシリンダ（昇降駆動源） ４１ ワイパー ５０ 制御装置 ａ 待機位置 ｂ 使用位置
Claims (2)
- 【請求項１】 処理液供給用のノズルが待機位置のと
き、このノズルからの処理液の吐出を停止する一方、そ
の一部を溶剤と接触させた一方向に回転するローラの周
面近傍にノズルを対向させローラ周面上の溶剤にてノズ
ル先端を湿潤可能とし、ワイパーによりローラ周面上の
処理液を除去するようにした液処理方法であって、 待機位置では、塗布処理のためノズルが待機位置を離れ
る直前の準備期間の開始まで、ワイパーをローラから離
した上位置状態にすることによりノズル先端の乾燥を防
止しながら、ノズルからの処理液の吐出を停止し、か
つ、この準備期間の開始と共にワイパーをローラ周面に
接触させた下位置として、処理液の吐出を始め、 上記準備期間の経過後に、ノズルを待機位置から使用位
置に移動させ、ノズルと被処理体を相対的に移動させて
被処理体上に塗布膜を形成することを特徴とする液処理
方法。 - 【請求項２】 待機位置にあった処理液供給用のノズル
を使用位置に移動させ、このノズルと被処理体を相対的
に移動させて被処理体上に塗布膜を形成する液処理装置
であって、 上記ノズルが待機位置のとき、塗布処理のためノズルが
待機位置を離れる直前の準備期間の開始まではノズルか
らの処理液の吐出を停止する液吐出停止手段と、 上記ノズルが待機位置のとき、ノズルを、一方向に回転
するローラの周面近傍に対向させローラ周面上の溶剤に
てノズル先端を湿潤させる位置とするノズル移動手段
と、 上記ノズルが待機位置のとき、上記準備期間の開始と共
にワイパーをローラ周面から離した上位置とするワイパ
ー昇降手段と、を有することを特徴とする液処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922896A JP3245812B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液処理方法及びその装置 |
| US08/915,610 US5912054A (en) | 1996-08-30 | 1997-08-21 | Coating method and apparatus |
| SG1997003149A SG54553A1 (en) | 1996-08-30 | 1997-08-27 | Coating method and apparatus |
| TW086112394A TW358969B (en) | 1996-08-30 | 1997-08-28 | Coating method and apparatus |
| KR1019970042104A KR100365078B1 (ko) | 1996-08-30 | 1997-08-28 | 도포방법및도포장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922896A JP3245812B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1076203A true JPH1076203A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3245812B2 JP3245812B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=17189834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24922896A Expired - Fee Related JP3245812B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 液処理方法及びその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5912054A (ja) |
| JP (1) | JP3245812B2 (ja) |
| KR (1) | KR100365078B1 (ja) |
| SG (1) | SG54553A1 (ja) |
| TW (1) | TW358969B (ja) |
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| KR100987676B1 (ko) | 2003-12-08 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 노즐 세정장치 |
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| US6796517B1 (en) | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
| US7323212B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system of controlling dummy dispense |
| KR100987674B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 노즐 세정장치 및 방법 |
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| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
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| KR101955592B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2019-03-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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1996
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1997
- 1997-08-21 US US08/915,610 patent/US5912054A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1997-08-28 TW TW086112394A patent/TW358969B/zh active
- 1997-08-28 KR KR1019970042104A patent/KR100365078B1/ko not_active IP Right Cessation
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