JP3245769B2 - 液処理方法及びその装置 - Google Patents

液処理方法及びその装置

Info

Publication number
JP3245769B2
JP3245769B2 JP24922796A JP24922796A JP3245769B2 JP 3245769 B2 JP3245769 B2 JP 3245769B2 JP 24922796 A JP24922796 A JP 24922796A JP 24922796 A JP24922796 A JP 24922796A JP 3245769 B2 JP3245769 B2 JP 3245769B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
nozzle
processing
processing liquid
standby position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP24922796A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1076205A (ja
Inventor
川崎　　哲
公男 元田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP24922796A priority Critical patent/JP3245769B2/ja
Priority to TW086111211A priority patent/TW344856B/zh
Priority to US08/907,419 priority patent/US5853812A/en
Priority to KR1019970043253A priority patent/KR100505923B1/ko
Publication of JPH1076205A publication Critical patent/JPH1076205A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3245769B2 publication Critical patent/JP3245769B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/52—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter for removal of clogging particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば現像液の
ような処理液の膜を、半導体ウエハのような被処理体上
やこの上に形成された層の上に形成するための液処理方
法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハのような被処理体に
衝撃を与えたり、気泡を発生させることなく、短時間で
迅速に所定の液体を被処理体に供給することができ、少
量の液体で効率良く処理を実施できることが望まれてい
る。
【０００３】このような要請に応えるものとして、半導
体ウエハを保持するスピンチャック上部に設けられる液
体供給ノズルであって、矩形容器状の液体収容部の底部
に多数の細孔を設けた構成とし、現像液がこの多数の細
孔からにじみ出るようにして現像液を半導体ウエハに供
給するものが知られている（特開平５−５５１３３号公
報）。
【０００４】また、液体ノズル内に設けられた液溜部か
ら複数の細管を介して帯状の吐出部に液体を供給し、上
記帯状の吐出部から帯状の液体が流出されるように構成
した帯状液体ノズルも知られている（特開平４−１２４
８１２号公報）。
【０００５】更に、静止状態において、現像液供給ノズ
ルから少量の現像液を供給して現像液供給ノズルの直下
における半導体ウエハ表面に液膜を形成した後、現像液
供給ノズルから所定の液膜厚に必要な量の現像液を供給
すると共に、現像液供給ノズルと半導体ウエハを相対移
動して半導体ウエハ表面に所定厚の液膜を形成する処理
方法も知られている（特開平７−３２６５５４号公
報）。
【０００６】ところで、この種の液膜形成方法において
は、ノズルを使用するに際し、待機位置にてノズル先端
を回転するローラ周面に近接させ、ノズル先端から出る
現像液をローラ周面に付けてその調子を整えた後、ノズ
ルを待機位置から使用位置に移し、ノズルと半導体ウエ
ハを相対的に移動させて半導体ウエハ上に現像液の膜を
形成する方法が提案されている。なお、ローラ周面に残
っている現像液はワイパーで除去している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法で形成される膜厚は、特にその初期において一定化せ
ず、図８に示すように、現像スタート位置から４０ｍｍ
〜５０ｍｍの間に徐々に設定膜厚値（図８のゼロレベ
ル）に漸近する態様を示す。
【０００８】この理由は、ノズルが待機位置から使用位
置に来るまでには、ある程度の時間を要するため、待機
位置にて整えられたノズル先端から出る現像液の調子
を、ノズルが待機位置から使用位置に来るまでの期間中
保持しておくことができず、ノズル先端の現像液の付着
量（溜まる量）が多過ぎたり或いは少な過ぎることに起
因する。
【０００９】そこで、この発明の目的は、上記課題を解
決し、待機位置にて整えられたノズル先端から出る現像
液の調子を、ノズルが待機位置から使用位置に移行する
までの期間中保持しておくことができる液処理方法及び
その装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、次のように構成したものである。
【００１１】請求項１に記載の液処理方法は、処理液供
給用のノズルを使用するに際し、被処理体の外方の待機
位置にてノズル先端を回転するローラの周面に近接して
ノズル先端から吐出する処理液の調子を整えた後、ノズ
ルの待機位置と、上記被処理体に処理液を供給する使用
位置との間に設けた除去手段にノズル先端を近接しつつ
ノズルを待機位置から使用位置に移し、ノズルと被処理
体を相対的に移動させて被処理体上に処理液の膜を形成
するものである。
【００１２】請求項２に記載の液処理方法は、被処理体
に処理液を供給して処理液の膜を形成する液処理方法に
おいて、上記被処理体の外方位置に設けられた待機位置
にて上記処理液を処理液供給用のノズルから吐出させつ
つこの処理液に処理液用の溶剤を液状の状態で接触させ
て処理液の調子を整えた後、上記待機位置から上記被処
理体の上方位置までの間に上記ノズルから吐出した処理
液を除去手段に付着して処理液の調子を保持し、その
後、上記ノズルと被処理体を相対的に移動させて被処理
体上に処理液の膜を形成するものである。
【００１３】上記請求項１，２に記載の液処理方法によ
れば、ノズル先端から吐出する処理液の調子は、予め待
機位置において十分に整えられる。このため、使用位置
に至ったノズルを、そのまま走査移動させた場合、この
ノズルにより被処理体に塗布される処理液の膜厚は、そ
の使用位置始端から均一なものとなる。また、ノズルが
待機位置から使用位置へ移行される間も、除去手段によ
り処理液の調子を保持することで、更に、処理液の膜圧
を均一にすることができる。
【００１４】請求項３に記載の液処理装置は、被処理体
に処理液を供給し、ノズルと被処理体を相対的に移動さ
せて被処理体上に処理液の膜を形成する液処理装置にお
いて、上記被処理体に上記処理液を供給するノズルと、
上記被処理体の外方の待機位置に設けられ、上記ノズル
先端に近接してノズル先端から吐出する処理液の調子を
整える手段と、上記ノズルを待機位置から上記被処理体
に処理液を供給する使用位置に移すノズル移動手段と、
上記待機位置と使用位置との間において上記ノズル先端
の移行する軌跡に沿って設けられ、ノズル先端から吐出
する処理液の調子を保持する除去手段と、を具備するも
のである。
【００１５】請求項４に記載の液処理装置は、被処理体
に処理液を供給し、ノズルと被処理体を相対的に移動さ
せて被処理体上に処理液の膜を形成する液処理装置にお
いて、上記被処理体に上記処理液を供給するノズルと、
上記被処理体の外方の待機位置に設けられ、上記ノズル
先端に近接してノズル先端から吐出する処理液の調子を
整える手段と、上記被処理体に処理液を供給する使用位
置と、上記待機位置との間における上記ノズル先端の移
行する軌跡に沿って設けられ、ノズル先端から吐出する
処理液の調子を保持する除去手段と、を具備するもので
ある。
【００１６】請求項３，４に記載の液処理装置の場合
も、ノズル先端が待機位置から使用位置へ移行される間
も、除去手段によりノズル先端から吐出する処理液の調
子が保持されているため、ノズルにより被処理体に塗布
される処理液の膜厚は、その使用位置始端から均一なも
のとなる。また、ノズル先端から吐出する処理液の調子
を予め待機位置において十分に整えることにより、処理
液の膜圧を更に均一にすることができる。
【００１７】請求項５に記載の液処理装置は、上記除去
手段が、上記待機位置と使用位置との間において上記ノ
ズル先端の移行する旋回軌跡に沿って設けられ、ノズル
先端から吐出する処理液を付着により除去する湾曲した
ダミー板から成る構成のものである。
【００１８】請求項６に記載の液処理装置は、上記除去
手段が、上記待機位置と使用位置との間において上記ノ
ズル先端の移行する旋回軌跡に沿って設けられ、ノズル
先端から吐出する処理液を付着して除去する直線状のダ
ミー板から成る構成のもので ある 。
【００１９】請求項５，６に記載の液処理装置におい
て、上記ダミー板の下方位置に、溶剤を収容するタンク
を配設し、上記ダミー板を上下に回動可能に形成すると
共に、上記タンク内の溶剤に浸漬可能に形成する方が好
ましい（請求項７）。
【００２０】この構成の液処理装置の場合も、待機位置
と使用位置との間に、ノズル先端の旋回軌跡に沿ってダ
ミー板が設けられているため、ノズル先端から吐出する
処理液の調子が、ノズル先端が待機位置から使用位置へ
移行される間も保持される。
【００２１】請求項８に記載の液処理装置は、上記処理
液の調子を整える手段が、回転するローラであることを
特徴とするものである。
【００２２】この液処理装置によれば、ノズルが待機位
置に在る間、そのノズル先端が回転するローラに近接し
ているので、ノズル先端から吐出する処理液の調子が十
分に整えられる。
【００２３】この場合、ローラの周面にワイパーを摺接
することにより、ローラの周面に付着した処理液をワイ
パーによって払拭することができる（請求項９）。ま
た、ローラの一部を処理液用の溶剤中に浸漬することに
より、回転によりローラの周面に付着する処理液用の溶
剤が、ノズルから吐出する処理液と接触して処理液の調
子を更に十分に整えることができ、また、ローラの周面
に付着した処理液を溶剤によって除去することができる
（請求項１０）。
【００２４】請求項１１に記載の液処理装置は、上記処
理液の調子を整える手段及び上記除去手段が、上記待機
位置と使用位置との間に設けられた無端ベルトであっ
て、その一部の走行区間が上記ノズル先端の移行する軌
跡に沿って設けられ、ノズル先端から吐出する処理液を
付着により除去して待機位置から使用位置まで保持させ
る回転走行する無端ベルトと、処理液用の溶剤を入れた
タンクであって、上記無端ベルトの他の一部をタンク内
の溶剤中に浸漬させるタンクと、を具備するものであ
る。
【００２５】この液処理装置によれば、ノズルが待機位
置に在る間、そのノズル先端が無端ベルトに近接してい
るので、ノズル先端から吐出する処理液と処理液用の溶
剤が接触して処理液の調子が十分に整えられる。
【００２６】このノズルが待機位置から使用位置へ移行
する場合、その待機位置から使用位置への区間における
無端ベルト上をノズル先端が通過するため、ノズル先端
から吐出する処理液の調子は、ノズルが待機位置から使
用位置に至るまでそのまま保持される。したがって、こ
のノズルにより被処理体に塗布される処理液の膜厚は、
その使用位置始端から均一なものとなる。
【００２７】また、無端ベルトが、待機位置でノズル先
端から吐出する処理液の調子を整える作用と、このノズ
ル先端の調子が整えられたノズルを、待機位置から使用
位置へ移行させる際に、ノズル先端から吐出する処理液
の調子を保持する作用とを有する。したがって、部品点
数及び製作費用の低減を図ることができる。
【００２８】なお、無端ベルトは上記区画とは異なる他
の一部がタンク内の溶剤中を通ることにより、無端ベル
トに付着した処理液が除去される。
【００２９】なお、上記タンクの上部には、排気ダクト
を設けたり（請求項１２）、ノズルが待機位置になる前
に開かれ待機位置を去ったとき閉じられる蓋を設ける
（請求項１３）とよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。
【００３１】この発明の処理液の膜を形成する処理装置
は、図１に示すように、被処理体である半導体ウエハ２
（以下にウエハという）を水平状態に保持する保持手段
例えば真空によって吸着保持する載置台１と、この載置
台１の上方に位置してウエハ２の幅とほぼ等しい長さに
渡って帯状に処理液として現像液４を吐出する現像液供
給ノズル（処理液供給ノズル）３と、この現像液供給ノ
ズル３をウエハ２及び載置台１の外方の待機位置ａから
使用位置ｂへ又はその逆に移行させる移行機構及び更に
現像液供給ノズル３をウエハ２の一方向から他方向に渡
って移送（矢印ｃ方向）するスキャン機構を含むノズル
移動手段１０と、処理液供給管路である現像液供給チュ
ーブ２１を介して現像液供給ノズル３に接続する現像液
収容タンク２０（処理液供給源）とを有する。
【００３２】現像液供給ノズル３は、現像液供給チュー
ブ２１を介して現像液収容タンク２０（処理液供給源）
に接続されており、この現像液供給チューブ２１は、エ
アーオペレーションバルブ２２、現像液４中の気泡を分
離除去するための気泡除去機構２３、フィルタ２４及び
ベローズポンプのような流量制御手段２５が順次設けら
れている。この流量制御手段２５は、駆動部により制御
された状態で伸縮可能となっており、所定量の現像液４
を現像液供給ノズル３を介してウエハ２の中心部に供給
例えば滴下可能となっている。従来の現像液４の供給量
より少量の現像液４の供給量制御を可能としている。こ
の駆動部は、一端が流量制御手段２５の一端に装着され
たねじと、このねじに螺合されるナットとから成るボー
ルねじ２６と、このナットを回転させることによりねじ
を直線動させるサーボ機構を有するサーボモータ又はス
テッピングモータ２７とにより構成されている。
【００３３】上記のように構成される現像液供給系にお
いて、現像液の吐出時間は流量制御手段２５のステッピ
ングモータ２７の駆動時間によって制御されるようにな
っている。また、現像液の吐出量は、流量制御手段２５
の駆動動作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、現像液
供給路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ２
２の開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）によって設定される
ようになっている。上記流量制御手段２５の駆動時間の
設定及びエアーオペレーションバルブ２２のＯＮ−ＯＦ
Ｆ動作は、予め設定されたプログラムに基づいてコンピ
ュータの作用で自動的に制御される。
【００３４】５は、上記ノズル３先端から吐出する現像
液４の調子を整える手段であって、待機位置ａにおかれ
た一方向に回転するローラにて形成されており、その下
部はタンク８に入れられた水から成る現像液用の溶剤６
中に浸漬されている。ノズル３を使用するに際し、待機
位置ａにてノズル先端が、周面に溶剤６が付着した回転
するローラ５の周面に近接して、これによりノズル先端
から吐出する現像液４の調子が整えられる。この際、回
転によりローラ５の周面に付着する溶剤６が現像液４と
接触して更に十分に現像液４の調子が整えられる。な
お、ローラ５の周面に付着した現像液は溶剤６で除去さ
れるが、完全に除去されずに残っているものは、ローラ
５周面に摺接されているワイパー７により払拭される。
【００３５】その後、ノズル移動手段１０の移行機構に
より、ノズル３は待機位置ａから使用位置ｂと移される
が、この間にノズル先端から出る現像液４の調子が変わ
ることを避けるため、ローラ５と同様にノズル先端から
吐出する現像液４を予備的に付着させて除去するための
除去手段３０が設けられている。
【００３６】図１の実施形態の場合、ノズル３を移行機
構により旋回させる形態であるため、除去手段３０は、
待機位置ａと使用位置（正確には使用位置始端）ｂとの
間において、ノズル先端の移行する旋回軌跡に沿って設
けられた湾曲したダミー板３１から成る。ノズル３が待
機位置ａから使用位置始端ｂに移行する間、ノズル先端
から出る現像液４は、このダミー板３１の表面に予備的
に付着させられて除去される状態が続くため、待機位置
ａで整えられたノズル先端から出る処理液の調子が保持
される。
【００３７】このようにしてダミー板３１にノズル先端
を接近させ、ノズル先端から吐出する現像液４をダミー
板３１に付けつつ、ノズルを待機位置ａから使用位置ｂ
に移すため、ノズル先端の現像液の性状や環境が乱され
なくなる。したがって、ノズル３とウエハ２を相対的に
移動させて、ウエハ２上に現像液４を吐出させた場合、
その塗布走査移動の最初の位置から均一な膜厚の処理液
の膜が形成される。
【００３８】図２は、上記ダミー板３１を軸３２を中心
として上下に回動可能に構成し、その回動下位置では、
下方に設けたタンク３３内の水から成る溶剤３４中にダ
ミー板３１が浸漬され、ダミー板３１に付着した現像液
の除去がなされるように構成したものである。
【００３９】上記は湾曲したダミー板３１を例にした
が、除去手段３０はこれに限られるものではなく、直線
的なダミー板、無端走行ベルト等、予備的に付着させて
現像液を除去できるものであれば使用することができ
る。
【００４０】図３は、除去手段３０として直線的なダミ
ー板３５を用い、これを待機位置ａと使用位置始端ｂと
の間に配設した例である。
【００４１】図４は、除去手段３０として待機位置ａと
使用位置（使用位置始端）ｂとの間に無端ベルト４０を
設けた例である。この無端ベルト４０は、使用位置始端
ｂのウエハ２の近傍に設けた従動ローラ４１と、このロ
ーラ４１より使用位置始端ｂから離れた位置でローラ４
１とほぼ同一高さに設けられた駆動ローラ４２と、両ロ
ーラ４１，４２の間の下方の位置に設けられた従動ロー
ラ４３とに、全体として逆三角形をなすように巻掛けら
れている。この無端ベルト４０の一部の走行区間、つま
りローラ４１，４２間のベルト部分４０ａは、ノズル３
のノズル先端が移行する軌跡に沿って配設されている。
この実施形態の場合、ベルト部分４０ａはウエハ２と同
一高で連なっており、ノズル３が待機位置ａから使用位
置ｂへ移行する方向とは逆方向（矢印ｄ方向）に走行さ
れる。
【００４２】このため、ノズル３は待機位置ａにある
間、又は、その使用に先だって現像液が吐出されたとき
以降において、ノズル先端から出る現像液がベルト４０
で払拭され、ノズル先端から出る現像液の調子が整えら
れる。
【００４３】一方、無端ベルト４０の他の部分、つまり
ローラ４３の部分は、下側に設けたタンク４４内の水か
ら成る溶剤４５中に浸されており、溶剤４５中を通過す
る間にベルト４０についた現像液が除去される。また、
それでも除去できない現像液のため、無端ベルト４０の
ローラ４３と４１との間には、ワイパー７が設けられて
いる。
【００４４】更に、溶剤蒸気によってウエハ２への塗布
が影響を受けるのを避けるため、タンク４４の上部後方
には、排気ダクト４６が設けられ、タンク４４を配置す
るローラ４３の位置はウエハ２から遠ざけられている。
【００４５】この図４の構成の利点は、無端ベルト４０
が、待機位置ａでノズル先端から吐出する現像液の調子
を整える作用と、このノズル先端から吐出する現像液の
調子を整えられたノズル３を、待機位置ａから使用位置
ｂへ移行させる際に、先端から出る現像液の調子を保持
する作用とが、同一要素である回転走行する無端ベルト
４０によって得られる点である。即ち、両機能を無端ベ
ルト４０が果たすため、部品点数及び製作費用の低減を
達成することができる。
【００４６】図５は、溶剤蒸気によってウエハ２への塗
布が影響を受けるのを避けるため、タンク４４の上部に
蓋４７を設け、ノズル３が待機位置ａになる前に二点鎖
線で示されるように軸４７ａを中心として開かれ、待機
位置ａを去ったとき実線で示すように閉じられる構成と
したものである。
【００４７】図６は、更に、ウエハ２への溶剤蒸気の影
響を十分に避けるため、現像液用の水から成る溶剤４５
を入れたタンク４４を包囲体４８内に入れ、且つ、その
タンク４４の包囲体４８内の位置は、ウエハ２から最も
遠い位置とし、このタンク４４内の溶剤４５中に、無端
ベルト４０の使用位置ｂから遠い側の一部、つまりロー
ラ４３の部分を浸漬させた例である。ただし、ベルト４
０はできるだけウエハ２に近づけるため、ローラ４１の
ベルト部分は楔状に突き出している。
【００４８】なお、上記の各要素のダミー板３１、軸３
２、タンク３３、ダミー板３５、無端ベルト４０、ロー
ラ４１〜４３、タンク４４、排気ダクト４６、蓋４７、
包囲体４８は、耐食性をもたせるために全てステンレス
製部材にて形成されている。
【００４９】上記は、半導体ウエハの現像液塗布装置と
して使用する実施形態について説明したが、この発明に
係る液処理装置は、例えばＬＣＤ基板に対するレジスト
液の塗布装置としても使用することができる。この場合
は、上記溶剤６，３４，４５としてシンナーを扱うこと
になるので、特に溶剤蒸気の影響を十分に避けるための
工夫として、図２、図４〜図６の構成が好ましいものと
なる。
【００５０】また、上記は液処理装置を単独で使用する
場合について説明したが、半導体ウエハの塗布・現像処
理システムに組み込んで使用することもできる。
【００５１】半導体ウエハの塗布・現像処理システム
は、図７に示すように、被処理体としての半導体ウエハ
Ｗを搬入・搬出するローダ部１０１、ウエハ２をブラシ
洗浄するブラシ洗浄装置１０２、ウエハ２を高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置１０３、ウエハ２の
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置１０４、
ウエハ２を所定温度に冷却する冷却処理装置１０５、ウ
エハ２の表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置１
０６、レジスト塗布の前後でウエハ２を加熱してプリべ
ーク並びにポストべークを行う加熱処理装置１０７、レ
ジスト塗布されたウエハ２上の各チップに回路パターン
を投影する露光装置（図示せず）、露光されたウエハ２
を現像処理しかつ現像後のレジストパターンをリンス処
理する機能を備えた現像処理装置１０８等を集合化して
作業効率の向上を図っている。
【００５２】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路１１０が設け
られ、このウエハ搬送路１１０に各装置１０２〜１０８
が正面を向けて配置され、各装置１０２〜１０８との間
でウエハ２の受け渡しを行うウエハ搬送アーム１１１を
備えたウエハ搬送機構１１２がウエハ搬送路１１０に沿
って移動自在に設けられている。そして、例えば、ロー
ダ部１０１の図示省略のウエハカセット内に収納されて
いる処理前のウエハ２を１枚取り出して搬送し、順に、
洗浄、アドヒージョン処理、冷却し、レジスト塗布装置
１０６によってレジストを塗布すると共に、ウエハ２の
周辺部のレジスト膜を除去した後、プリベーク、露光装
置による夜露光後に、現像処理、ポストベークを行い、
処理後のウエハ２をローダ部１０１の図示省力のウエハ
カセット内に搬送して収納するように構成されている。
【００５３】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、未処理のウエハ２はローダ部１０１か
らウエハ搬送アーム１１１に受け渡され、そして、ブラ
シ洗浄装置１０２内に搬送される。このブラシ洗浄装置
１０２内にブラシ洗浄されたウエハ２は引き続いてジェ
ット水洗浄装置１０３内にて高圧ジェット水により洗浄
される。この後、ウエハ２は、アドヒージョン処理装置
１０４にて疎水化処理が施され、冷却処理装置１０５に
て冷却された後、レジスト塗布装置１０６にて、ウエハ
２の一側から漸次他側に向かってレジスト液を塗布して
レジスト膜が形成され、引き続いて塗布膜除去装置によ
ってウエハ２の辺部の不要なレジスト膜が除去される。
そして、このフォットレジストが加熱処理装置１０７に
て加熱されてベーキング処理が施された後、図示しない
露光装置にて所定のパターンが露光される。そして、露
光後のウエハ２は現像処理装置１０８内へ搬送され、上
述した手順によりウエハ２の一方向から漸次他方向に向
かって現像液が塗布されて液膜が形成される。現像液に
より現像された後は、リンス液により現像液を洗い流
し、現像処理を完了する。現像処理された処理済みのウ
エハ２はローダ部１０１に収容され後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
【００５４】上記実施形態では、この発明に係る液処理
装置を半導体ウエハへの液膜形成にに適用した場合につ
いて説明したが、ＬＣＤ基板のレジスト塗布やＣＤ等の
被処理体の液膜形成あるいはエレキボードにグリーン膜
を塗布する場合にも適用でき、ポリイミド系処理液（Ｐ
ＩＱ）やガラス剤を含有する処理液（ＳＯＧ）等にも適
用できることは勿論である。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
次のような優れた効果が得られる。
【００５６】（１）請求項１，２に記載の液処理方法に
よれば、処理液供給用ノズル先端から吐出する処理液の
調子は、予め待機位置において十分に整えられるため、
使用位置に至ったノズルを、そのまま走査移動させた場
合、このノズルにより被処理体に塗布される処理液の膜
厚は、その使用位置始端から均一なものとなる。また、
ノズルが待機位置から使用位置へ移行される間も、除去
手段により処理液の調子を保持することにより、更に処
理液の膜圧を均一にすることができる（請求項１，
３）。
【００５７】（２）請求項３，４に記載の液処理装置に
よれば、ノズル先端が待機位置から使用位置へ移行され
る間も、除去手段によりノズル先端から吐出する処理液
の調子が保持されているため、ノズルにより被処理体に
塗布される処理液の膜厚は、その使用位置始端から均一
なものとなる。 また、ノズル先端から吐出する処理液
の調子が予め待機位置において十分に整えられるので、
処理液の膜圧を更に均一にすることができる（請求項
４，６）。
【００５８】（３）請求項５〜７に記載の液処理装置に
よれば、待機位置と使用位置との間に、ノズル先端の旋
回軌跡に沿ってダミー板が設けられているため、ノズル
先端から吐出する処理液の調子が、ノズル先端が待機位
置から使用位置へ移行される間も保持される。
【００５９】（４）請求項８に記載の液処理装置によれ
ば、ノズルが待機位置に在る間、そのノズル先端が回転
するローラに近接しているので、ノズル先端から吐出す
る処理液の調子が十分に整えられる。この場合、ローラ
の周面にワイパーを摺接することにより、ローラの周面
に付着した処理液をワイパーによって払拭することがで
きる（請求項９）。また、ローラの一部を溶剤中に浸漬
することにより、回転によりローラの周面に付着する処
理液用の溶剤が、ノズルから吐出する処理液と接触して
処理液の調子を更に十分に整えることができ、また、ロ
ーラの周面に付着した処理液を溶剤によって除去するこ
とができる（請求項１０）。
【００６０】（５）請求項１１に記載の液処理装置によ
れば、待機位置と使用位置との間に無端ベルトが設けら
れ、ノズルが待機位置に在る間は、そのノズル先端が無
端ベルトに近接しているので、ノズル先端から吐出する
処理液と処理液用の溶剤とが接触して処理液の調子が十
分に整えられる。また、このノズルが待機位置から使用
位置へ移行する場合、その待機位置から使用位置への区
間における無端ベルト上をノズル先端が通過するため、
ノズル先端から吐出する処理液の調子は、ノズルが待機
位置から使用位置に至るまでそのまま保持される。した
がって、このノズルにより被処理体に塗布される処理液
の膜厚は、その使用位置始端から均一なものとなる。ま
た、無端ベルトが、待機位置でノズル先端から吐出する
処理液の調子を整える作用と、このノズル先端の調子が
整えられたノズルを、待機位置から使用位置へ移行させ
る際に、ノズル先端から吐出する処理液の調子を保持す
る作用とを有する。したがって、部品点数及び製作費用
の低減を図ることができる。
【００６１】（６）請求項１２に記載の液処理装置によ
れば、上記タンクの上部に、排気ダクトを設けているの
で、タンクの溶剤蒸気を確実に逃がすことができ、溶剤
雰囲気による塗布液の性状の乱れを防止することができ
る。したがって、溶剤としてシンナー等を扱う場合に有
効である。
【００６２】（７）請求項１３に記載の液処理装置によ
れば、上記タンクの上部に、ノズルが待機位置になる前
に開かれ待機位置を去ったとき閉じられる蓋を設けてい
るので、それぞれタンクの溶剤拡散を防止することがで
き、溶剤雰囲気による処理液の性状の乱れを防止するこ
とができる。したがって、溶剤としてシンナー等を扱う
場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態の液処理装置を示す概略
構成図である。
【図２】図１の液処理装置の変形例を示す概略断面図で
ある。
【図３】この発明の他の実施形態の液処理装置を示す概
略断面図である。
【図４】この発明の更に他の実施形態の液処理装置を示
す概略断面図である。
【図５】図４の液処理装置に蓋を付けた実施形態を示す
概略断面図である。
【図６】この発明の別の実施形態の液処理装置を示す概
略断面図である。
【図７】この発明の液処理装置を組み込んだ塗布・現像
処理システムを示す斜視図である。
【図８】従来の液処理装置における現像スタート位置か
ら後の膜厚の変化を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 載置台 ２ 半導体ウエハ（被処理体） ３ 現像液供給ノズル（処理液供給ノズル） ４ 現像液（処理液） ５ ローラ ６ 溶剤 ７ ワイパー ８ タンク １０ ノズル移動手段 ３０ 除去手段 ３１ ダミー板 ３２ 軸 ３３ タンク ３４ 溶剤 ３５ 直線的なダミー板 ４０ 無端ベルト ４４ タンク ４５ 溶剤 ４６ 排気ダクト ４７ 蓋 ４８ 包囲体 ａ 待機位置 ｂ 使用位置始端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−80386（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−339658（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1862（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05C 5/00 - 5/02 B05C 11/08 - 11/10 B05D 1/40,3/00 H01L 21/027

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理液供給用のノズルを使用するに際
    し、被処理体の外方の待機位置にてノズル先端を回転す
    るローラの周面に近接してノズル先端から吐出する処理
    液の調子を整えた後、ノズルの待機位置と、上記被処理
    体に処理液を供給する使用位置との間に設けた除去手段
    にノズル先端を近接しつつノズルを待機位置から使用位
    置に移し、ノズルと被処理体を相対的に移動させて被処
    理体上に処理液の膜を形成することを特徴とする液処理
    方法。
  2. 【請求項２】 被処理体に処理液を供給して処理液の膜
    を形成する液処理方法において、 上記被処理体の外方位置に設けられた待機位置にて上記
    処理液を処理液供給用のノズルから吐出させつつこの処
    理液に処理液用の溶剤を液状の状態で接触させて処理液
    の調子を整えた後、上記待機位置から上記被処理体の上
    方位置までの間に上記ノズルから吐出した処理液を除去
    手段に付着して処理液の調子を保持し、その後、上記ノ
    ズルと被処理体を相対的に移動させて被処理体上に処理
    液の膜を形成することを特徴とする液処理方法。
  3. 【請求項３】 被処理体に処理液を供給し、ノズルと被
    処理体を相対的に移動させて被処理体上に処理液の膜を
    形成する液処理装置において、 上記被処理体に上記処理液を供給するノズルと、 上記被処理体の外方の待機位置に設けられ、上記ノズル
    先端に近接してノズル先端から吐出する処理液の調子を
    整える手段と、 上記ノズルを待機位置から上記被処理体に処理液を供給
    する使用位置に移すノズル移動手段と、 上記待機位置と使用位置との間において上記ノズル先端
    の移行する軌跡に沿って設けられ、ノズル先端から吐出
    する処理液の調子を保持する除去手段と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
  4. 【請求項４】 被処理体に処理液を供給し、ノズルと被
    処理体を相対的に移動させて被処理体上に処理液の膜を
    形成する液処理装置において、 上記被処理体に上記処理液を供給するノズルと、 上記被処理体の外方の待機位置に設けられ、上記ノズル
    先端に近接してノズル先端から吐出する処理液の調子を
    整える手段と、 上記被処理体に処理液を供給する使用位置と、上記待機
    位置との間における上記ノズル先端の移行する軌跡に沿
    って設けられ、ノズル先端から吐出する処理液の調子を
    保持する除去手段と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
  5. 【請求項５】 上記除去手段が、上記待機位置と使用位
    置との間において上記ノズル先端の移行する旋回軌跡に
    沿って設けられ、ノズル先端から吐出する処理液を付着
    して除去する湾曲したダミー板から成ることを特徴とす
    る請求項３又は４記載の液処理装置。
  6. 【請求項６】 上記除去手段が、上記待機位置と使用位
    置との間において上記ノズル先端の移行する旋回軌跡に
    沿って設けられ、ノズル先端から吐出する処理液を付着
    して除去する直線状のダミー板から成ることを特徴とす
    る請求項３又は４記載の液処理装置。
  7. 【請求項７】 上記ダミー板の下方位置に、溶剤を収容
    するタンクを配設し、上記ダミー板を上下に回動可能に
    形成すると共に、上記タンク内の溶剤に浸漬可能に形成
    して成ることを特徴とする請求項５又は６記載の液処理
    装置。
  8. 【請求項８】 上記処理液の調子を整える手段が、回転
    するローラであることを特徴とする請求項３又は４記載
    の液処理装置。
  9. 【請求項９】 上記ローラの周面にワイパーを摺接して
    成ることを特徴とする請求項８記載の液処理装置。
  10. 【請求項１０】 上記ローラの一部を処理液用の溶剤中
    に浸漬して成ることを特徴とする請求項８又は９記載の
    液処理装置。
  11. 【請求項１１】 上記処理液の調子を整える手段及び上
    記除去手段が、 上記待機位置と使用位置との間に設けられた無端ベルト
    であって、その一部の走行区間が上記ノズル先端の移行
    する軌跡に沿って設けられ、ノズル先端から吐出する処
    理液を付着により除去して待機位置から使用位置まで保
    持させる回転走行する無端ベルトと、 処理液用の溶剤を入れたタンクであって、上記無端ベル
    トの他の一部をタンク内の溶剤中に浸漬させるタンク
    と、 を具備することを特徴とする請求項３又は４記載の液処
    理装置。
  12. 【請求項１２】 上記タンクの上部に排気ダクトを設け
    たことを特徴とする請求項１１記載の液処理装置。
  13. 【請求項１３】 上記タンクの上部に、ノズルが待機位
    置になる前に開かれ待機位置を去ったとき閉じられる蓋
    を設けたことを特徴とする請求項１１記載の液処理装
    置。
JP24922796A 1996-08-30 1996-08-30 液処理方法及びその装置 Expired - Fee Related JP3245769B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24922796A JP3245769B2 (ja) 1996-08-30 1996-08-30 液処理方法及びその装置
TW086111211A TW344856B (en) 1996-08-30 1997-08-05 Method and apparatus for processing substrates
US08/907,419 US5853812A (en) 1996-08-30 1997-08-07 Method and apparatus for processing substrates
KR1019970043253A KR100505923B1 (ko) 1996-08-30 1997-08-29 기판처리방법및기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24922796A JP3245769B2 (ja) 1996-08-30 1996-08-30 液処理方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1076205A JPH1076205A (ja) 1998-03-24
JP3245769B2 true JP3245769B2 (ja) 2002-01-15

Family

ID=17189818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24922796A Expired - Fee Related JP3245769B2 (ja) 1996-08-30 1996-08-30 液処理方法及びその装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5853812A (ja)
JP (1) JP3245769B2 (ja)
KR (1) KR100505923B1 (ja)
TW (1) TW344856B (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3278714B2 (ja) * 1996-08-30 2002-04-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
US6159291A (en) * 1997-08-11 2000-12-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JPH1199354A (ja) * 1997-09-27 1999-04-13 Tdk Corp 回転式塗布方法及び塗布装置
WO1999034929A1 (en) * 1998-01-09 1999-07-15 Fastar, Ltd. System and method for cleaning and priming extrusion head
US7160389B2 (en) * 1998-01-09 2007-01-09 Fastar, Ltd. System and method for cleaning and priming an extrusion head
JP2002500099A (ja) * 1998-01-09 2002-01-08 エフエイスター、リミティド 可動ヘッド、塗装装置、および方法
DE19851775A1 (de) * 1998-11-10 2000-05-11 Focke & Co Verpackungsmaschine für Zigaretten
IT1311388B1 (it) * 1999-11-10 2002-03-12 Gd Spa Unita' di gommatura a spruzzo.
IT1320936B1 (it) * 2000-01-31 2003-12-18 Gd Spa Unita' di gommatura.
JP4614509B2 (ja) * 2000-07-31 2011-01-19 大日本印刷株式会社 塗布装置および塗布方法
JP4614508B2 (ja) * 2000-07-31 2011-01-19 大日本印刷株式会社 塗布装置および塗布方法
JP4736177B2 (ja) * 2000-11-16 2011-07-27 大日本印刷株式会社 枚葉基板の製造方法
US20030041893A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Solar cell, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
DE10224896A1 (de) * 2002-06-04 2003-12-18 Topack Verpacktech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen wenigstens einer Leimdüse
KR100987674B1 (ko) * 2003-11-27 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 노즐 세정장치 및 방법
JP4541690B2 (ja) * 2003-12-04 2010-09-08 平田機工株式会社 流体塗布装置及び流体塗布制御方法
KR100987676B1 (ko) * 2003-12-08 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 노즐 세정장치
JP4343018B2 (ja) * 2004-04-20 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2006078382A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Yokogawa Electric Corp バイオチップ作成装置
JP4727203B2 (ja) * 2004-10-18 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100796572B1 (ko) * 2004-11-24 2008-01-21 주식회사 나래나노텍 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이 패널의 코팅용도액 공급 장치
JP2006159161A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Nitto Seiko Co Ltd 塗布ロボット
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
KR100787908B1 (ko) * 2006-07-28 2007-12-27 주식회사 케이씨텍 예비 토출 장치와 이를 포함하는 기판 코팅 장치 및 기판 코팅 방법
WO2008124830A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Nfjv, Llc Dba Nextechfas Method and apparatus for extruding a liquid onto a substrate and inspecting the same
KR200467097Y1 (ko) 2007-11-30 2013-05-27 주식회사 케이씨텍 슬릿코터의 예비토출장치
KR100982245B1 (ko) 2008-08-13 2010-09-14 주식회사 나래나노텍 더미 코팅 플레이트 장치 및 이를 구비한 코팅 장치 및 코팅 방법
WO2011077959A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 シャープ株式会社 塗布システム
WO2011080933A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 タツモ株式会社 基板用塗布装置及び基板塗布方法
JP5288383B2 (ja) * 2010-12-20 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP5757777B2 (ja) * 2011-04-15 2015-07-29 パナソニック株式会社 基板塗布方法及び基板塗布装置並びに同方法を用いた有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法
KR101914991B1 (ko) * 2012-02-08 2019-01-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101307006B1 (ko) * 2012-03-14 2013-09-26 주식회사 디엠에스 기판처리장치
JP6223222B2 (ja) 2014-02-19 2017-11-01 株式会社巴川製紙所 光学接続部品製造装置および光学接続部品製造方法
JP6223221B2 (ja) * 2014-02-19 2017-11-01 株式会社巴川製紙所 光学接続部品製造装置および高分子材料被膜形成装置
CN105413961B (zh) * 2016-01-05 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种胶涂覆设备
TW201910403A (zh) 2017-07-28 2019-03-16 日商道康寧東麗股份有限公司 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法
KR102221258B1 (ko) * 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 약액 토출 장치
EP4015092A1 (de) * 2020-12-18 2022-06-22 Henkel AG & Co. KGaA Verfahren und vorrichtung zum abstreifen eines materialrests von einer dosierdüse

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899929A (en) * 1959-08-18 Cleaning spray nozzles
US3797453A (en) * 1970-08-21 1974-03-19 Afco Prod Inc Apparatus coating sheeted material with a tacky substance
US3635054A (en) * 1970-08-31 1972-01-18 Gulf & Western Syst Co Apparatus for washing fabric web
US3989569A (en) * 1975-02-10 1976-11-02 Columbia Ribbon And Carbon Manufacturing Co., Inc. Continuous copying method
JPS584111B2 (ja) * 1978-07-05 1983-01-25 株式会社山東鉄工所 繊維品への定量液付与装置
DE3012371C2 (de) * 1980-03-29 1983-06-30 Maschinenfabrik Alfred Schmermund Gmbh & Co, 5820 Gevelsberg Klebstoffauftragsvorrichtung
JPS57135066A (en) * 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
US4530306A (en) * 1984-01-06 1985-07-23 Graphic Enterprises Of Ohio, Inc. Coating device for plates
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
JPH021862A (ja) * 1988-06-13 1990-01-08 Tokyo Electron Ltd 塗布方法
JP2892476B2 (ja) * 1990-09-14 1999-05-17 東京エレクトロン株式会社 帯状液体ノズル及び液処理装置及び液処理方法
JP2923044B2 (ja) * 1990-11-30 1999-07-26 東京エレクトロン株式会社 コーティング装置
JP2816510B2 (ja) * 1991-01-23 1998-10-27 東京エレクトロン株式会社 液体供給ノズル
JP3236703B2 (ja) * 1993-05-31 2001-12-10 平田機工株式会社 流体塗布装置
JP3120168B2 (ja) * 1994-05-30 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100505923B1 (ko) 2005-10-25
JPH1076205A (ja) 1998-03-24
TW344856B (en) 1998-11-11
KR19980019187A (ko) 1998-06-05
US5853812A (en) 1998-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3245769B2 (ja) 液処理方法及びその装置
JP4678658B2 (ja) 塗布装置
KR100365078B1 (ko) 도포방법및도포장치
KR101447759B1 (ko) 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치
KR100803147B1 (ko) 도포장치 및 이를 이용한 처리액의 도포 방법
JPH11340119A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
KR101067143B1 (ko) 도포막형성 장치 및 도포막형성 방법
KR20060045531A (ko) 도포막형성장치
JPH1116830A (ja) 現像装置、現像方法および基板処理装置
JP3824054B2 (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
JP2002361167A (ja) 膜形成方法
JP3704059B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP3625752B2 (ja) 液処理装置
JP3843200B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006253515A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP4256583B2 (ja) 塗布膜形成装置
JP2002043210A (ja) 現像処理装置
JP2002204992A (ja) 基板処理装置
JP3703281B2 (ja) 基板処理装置
JP3842221B2 (ja) 塗布装置
JP3719843B2 (ja) 基板処理方法
JP3002942B2 (ja) 処理方法及び処理装置
JP3290773B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP4191421B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2004095708A (ja) 液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011005

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071102

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees