TWI700560B - 顯影方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之顯影方法係於對基板供給顯影液而進行顯影處理後，開始自第2沖洗噴嘴朝旋轉中之基板上之自基板之中心偏離之位置噴出界面活性劑沖洗液。該動作係以基板之中心不進入觸液區域、即自第2沖洗噴嘴噴出之界面活性劑沖洗液最先於基板上觸液之區域之方式進行。藉此，將界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置分散，因此抑制於基板之中心及其附近抗蝕圖案之線寬局部地變粗或變細。因此，可改善沖洗處理中之基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。

Description

顯影方法
本發明係關於一種對半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板供給顯影液而進行顯影處理之顯影方法。
顯影方法相關之顯影裝置具備：保持旋轉部，其保持基板並使基板旋轉；顯影噴嘴，其對基板噴出顯影液；及沖洗噴嘴，其對基板噴出沖洗液(例如參照日本：日本專利特開2016-127204號公報)。
專利文獻1中存在如下問題。即，若保持於基板之中心之沖洗液中含有氣泡，則基板之中心附近之離心力較小，又，因自沖洗噴嘴噴出之沖洗液而導致氣泡被自上持續按壓至基板之中心。因此，可能於基板上殘留氣泡，由此，可能導致於殘留之氣泡部分沖洗變得不充分。
因此，於專利文獻1所記載之發明中，於停止顯影液之噴出後，開始對旋轉之基板上且自基板之中心部偏離之預先設定之噴出位置，利用沖洗噴嘴噴出沖洗液(去離子水(DIW)等純水)。然後，藉由被噴出至該噴出位置之沖洗液之擴展來覆蓋基板之中心部。又，於專利文獻1中記載有：沖洗液係不自噴出位置移動地被噴出，但亦可進行往復掃描。
[發明所欲解決之問題]
包含上述方法在內之先前之顯影方法中存在如下問題。即，作為EUV(Extreme Ultra-Violet，遠紫外光)微影之課題之一，可列舉抗蝕圖案之圖案崩塌。其係由於在對基板供給顯影液而進行顯影處理後，僅使用DIW等純水進行沖洗處理而產生。因此，為了防止圖案崩塌，而使用界面活性劑沖洗液進行沖洗處理。然而，若界面活性劑沖洗液因抗蝕劑之種類而使抗蝕圖案膨脹或細化，則會對抗蝕圖案之線寬造成影響。又，若自沖洗噴嘴對基板之中心持續噴出界面活性劑沖洗液，則會局部地於中心及其附近線寬變粗或變細。因此，先前之顯影方法中存在如下問題：於沖洗處理中，基板面內之抗蝕圖案之線寬不均一。再者，所謂線寬，意指沿著基板表面之方向之寬度。
本發明係鑒於此種情況而完成者，目的在於提供如下一種顯影方法：於供給顯影液而進行顯影處理後之沖洗處理中，能夠改善基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。 [解決問題之技術手段]
本發明為了達成此種目的，而採用如下構成。即，本發明之對基板進行顯影之顯影方法包含以下要素：對圍繞基板之中心旋轉中之上述基板供給顯影液而進行顯影處理的步驟；於進行上述顯影處理後，以上述基板之中心不進入觸液區域、即自上述界面活性劑沖洗噴嘴噴出之上述界面活性劑沖洗液最先於上述基板上觸液之區域之方式，開始自界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之上述基板上之自上述基板之中心偏離之位置噴出界面活性劑沖洗液的步驟；於上述界面活性劑沖洗液於上述基板上觸液後，立即藉由在上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心的步驟；以及自上述界面活性劑沖洗液於上述基板上剛觸液後直至停止上述界面活性劑沖洗液之噴出為止，固定上述界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置的步驟。
根據本發明之顯影方法，於對基板供給顯影液而進行顯影處理後，開始自界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之基板上之自基板之中心偏離之位置噴出界面活性劑沖洗液。該動作係以基板之中心不進入觸液區域、即自界面活性劑沖洗噴嘴噴出之界面活性劑沖洗液最先於基板上觸液之區域之方式進行。藉此，將界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置分散，因此，抑制於基板之中心及其附近抗蝕圖案之線寬局部地變粗或變細。因此，可改善沖洗處理中之基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
又，由於藉由在基板上觸液之界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋基板之中心，故而即便將界面活性劑沖洗液噴出至自基板之中心偏離之位置，亦能夠利用界面活性劑沖洗液對基板中心進行清洗。
又，本發明之對基板進行顯影之顯影方法包含以下要素：對圍繞基板之中心旋轉中之上述基板供給顯影液而進行顯影處理的步驟；於進行上述顯影處理後，以上述基板之中心不進入觸液區域、即自上述界面活性劑沖洗噴嘴噴出之上述界面活性劑沖洗液最先於上述基板上觸液之區域之方式，開始自界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之上述基板上之自上述基板之中心偏離之位置噴出界面活性劑沖洗液的步驟；於上述界面活性劑沖洗液於上述基板上觸液後，立即藉由在上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心的步驟；以及藉由上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心後，於上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展不自上述基板之中心偏離之範圍內使上述界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置位移的步驟。
根據本發明之顯影方法，於對基板供給顯影液而進行顯影處理後，開始自界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之基板上之自基板之中心偏離之位置噴出界面活性劑沖洗液。該動作係以基板之中心不進入觸液區域、即自界面活性劑沖洗噴嘴噴出之界面活性劑沖洗液最先於基板上觸液之區域之方式進行。藉此，將界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置分散，因此，抑制於基板之中心及其附近抗蝕圖案之線寬局部地變粗或變細。又，藉由使界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置位移，可使界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置進一步分散。因此，可改善沖洗處理中之基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
又，由於藉由在基板上觸液之界面活性劑沖洗液之擴展來覆蓋基板之中心，故而即便將界面活性劑沖洗液噴出至自基板之中心偏離之位置，亦能夠利用界面活性劑沖洗液對基板中心進行清洗。
又，於使界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置位移期間，若於基板之中心及其附近基板表面乾燥，則會有未自基板表面排出而殘留之例如抗蝕劑溶解生成物附著於基板之中心及其附近之虞。該附著物無法利用界面活性劑沖洗液容易地沖洗掉。藉由在於基板上觸液之界面活性劑沖洗液之擴展不自上述基板之中心偏離之範圍內使界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置位移，而即便使界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置位移，基板之中心亦始終由界面活性劑沖洗液覆蓋。因此，基板之中心不乾燥，例如可防止抗蝕劑溶解生成物附著於基板之中心及其附近，從而減輕由該附著物引起之缺陷。
又，較佳為，於上述顯影方法中，使上述觸液區域之位置位移之步驟係於以隔著上述基板之中心之方式設定有2個折返位置之包含上述基板之中心之路徑上，使上述觸液區域之位置往復移動。
例如，假設若於基板之中心存在往復移動之折返位置，則界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置存在於基板之中心之時間變得相對較長。然而，於上述情形時，由於在以隔著基板之中心之方式設定之2個折返位置之間進行往復移動，故而界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置存在於基板之中心之時間變得相對較短，而可減輕於基板之中心及其附近局部地抗蝕圖案之線寬變細或變粗之情況。
又，較佳為，上述顯影方法進而具備如下步驟：於進行上述顯影處理後且開始上述界面活性劑沖洗液之噴出之前，開始自純水沖洗噴嘴向旋轉中之上述基板上噴出純水；且開始噴出上述界面活性劑沖洗液之步驟與停止噴出上述純水同時進行。藉此，可進行使用純水及界面活性劑沖洗液之沖洗處理。
又，較佳為，上述顯影方法進而具備如下步驟：於開始自上述純水沖洗噴嘴噴出上述純水並使上述基板以第1旋轉速度旋轉後，於以正噴出上述純水之狀態於預先設定之期間，使上述基板自上述第1旋轉速度以較上述第1旋轉速度更快之第2旋轉速度旋轉。即，於利用純水對正以第1旋轉速度進行旋轉之基板進行沖洗處理時，於預先設定之期間內將基板之旋轉速度自第1旋轉速度提高至第2旋轉速度。藉此，可將例如抗蝕劑之溶解生成物容易地排出至基板外。
又，較佳為，於上述顯影方法中，上述第1旋轉速度及上述第2旋轉速度為500 rpm以上2000 rpm以下。於第1旋轉速度及第2旋轉速度為500 rpm以上2000 rpm以下時，可改善沖洗處理中之基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
又，較佳為，上述顯影方法進而具備如下步驟：於開始自上述界面活性劑沖洗噴嘴噴出上述界面活性劑沖洗液後，直至停止上述界面活性劑沖洗液之噴出為止，使上述基板以500 rpm以上2000 rpm以下旋轉。於自開始噴出界面活性劑沖洗液後直至停止噴出為止之基板之旋轉速度為500 rpm以上2000 rpm以下時，可改善沖洗處理中之基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。 [發明之效果]
根據本發明之顯影方法，於供給顯影液而進行顯影處理後之沖洗處理中，可改善基板面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
[實施例1]
以下，參照圖式對本發明之實施例1進行說明。圖1係表示顯影裝置1之概略構成之圖。圖2A係用以說明第1沖洗噴嘴3之圖。圖2B係用以說明第2沖洗噴嘴4之圖。
＜顯影裝置1之構成＞ 參照圖1。顯影裝置1具備顯影噴嘴2、第1沖洗噴嘴3、第2沖洗噴嘴4及保持旋轉部5。
顯影噴嘴2對基板W噴出顯影液。顯影噴嘴2具備於作為移動方向之X方向上排成一行之複數個(例如5個)噴出嘴2A。藉此，範圍廣泛地噴出顯影液，因此可對基板W整面迅速地賦予顯影液。
第1沖洗噴嘴3對基板W噴出去離子水(DIW)等純水。第2沖洗噴嘴4對基板W噴出界面活性劑沖洗液。界面活性劑沖洗液例如包含非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑或雙性界面活性劑。第1沖洗噴嘴3相當於本發明之純水沖洗噴嘴。第2沖洗噴嘴4相當於本發明之界面活性劑沖洗噴嘴。
保持旋轉部5係將基板W以大致水平姿勢保持並使所保持之基板W旋轉者。保持旋轉部5具備旋轉夾頭7及旋轉驅動部9。旋轉夾頭7構成為能夠繞旋轉軸AX旋轉。旋轉夾頭7例如藉由真空吸附基板W之背面而保持基板W。另一方面，旋轉驅動部9進行使旋轉夾頭7繞旋轉軸AX旋轉之驅動。再者，旋轉軸AX係設為通過基板W之中心CT者。旋轉驅動部9由電動馬達等構成。
對顯影噴嘴2，自顯影液供給源11經過顯影液配管13而供給顯影液。開閉閥V1與泵P1設置於顯影液配管13。開閉閥V1進行顯影液之供給及其停止。泵P1將顯影液送出至顯影噴嘴2。
對第1沖洗噴嘴3，自純水供給源15經過純水配管17而供給純水。開閉閥V2與泵P2設置於純水配管17。開閉閥V2進行純水之供給及其停止。泵P2將純水送出至第1沖洗噴嘴3。
對第2沖洗噴嘴4，自界面活性劑沖洗液供給源19經過界面活性劑沖洗液配管21而供給界面活性劑沖洗液。開閉閥V3與泵P3設置於界面活性劑沖洗液配管21。開閉閥V3進行界面活性劑沖洗液之供給及其停止。泵P3將界面活性劑沖洗液送出至第2沖洗噴嘴4。
顯影裝置1具備：顯影噴嘴移動機構23，其使顯影噴嘴2移動至任意位置；及沖洗噴嘴移動機構25，其使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4移動至任意位置。再者，第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4設置於支持塊27。因此，第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4藉由沖洗噴嘴移動機構25而一體地移動。
第1沖洗噴嘴3係如圖2A般，對基板W之表面並非垂直地而是傾斜地噴出純水。第2沖洗噴嘴4係如圖2B般，對基板W垂直地、即朝向正下方噴出界面活性劑沖洗液。即，不改變支持塊27之位置，第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4係以對相同位置(例如基板W之中心CT)噴出純水或界面活性劑沖洗液之方式構成。
返回至圖1。顯影裝置1具備1或2個以上之控制部29、及未圖示之記憶部(記憶體及儲存器中之至少一者)。控制部29具備中央運算處理裝置(CPU)。控制部29對顯影裝置1之各構成(例如泵P1～P3、開閉閥V1～V3、保持旋轉部5、顯影噴嘴移動機構23及沖洗噴嘴移動機構25)進行控制。於記憶部記憶有顯影裝置1之動作程式。
＜顯影噴嘴移動機構23及沖洗噴嘴移動機構25之構成＞ 圖3係表示顯影噴嘴移動機構23及沖洗噴嘴移動機構25之俯視圖。
顯影噴嘴移動機構23使顯影噴嘴2於上下方向(Z方向)、及沿著基板W之表面之特定之第1方向(例如X方向)移動。顯影噴嘴移動機構23具備臂31、上下移動機構33及平面移動機構35。臂31支持顯影噴嘴2。上下移動機構33藉由使臂31於上下方向移動，而使顯影噴嘴2於上下方向移動。平面移動機構35藉由使上下移動機構33於第1方向移動，而使顯影噴嘴2及臂31於第1方向移動。顯影噴嘴2之5個噴出嘴2A於第1方向上排成1行。
沖洗噴嘴移動機構25使顯影噴嘴2於上下方向(Z方向)、及沿著基板W之表面之特定之第1方向(例如X方向)移動。沖洗噴嘴移動機構25具備臂41、上下移動機構43及平面移動機構45。臂41支持設置有第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4之支持塊27。上下移動機構43藉由使臂41於上下方向移動，而使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4等在上下方向移動。平面移動機構45藉由使上下移動機構43於第1方向移動，而使第1沖洗噴嘴3、第2沖洗噴嘴4及臂41等在第1方向移動。
上下移動機構33、43及平面移動機構35、45分別例如具備電動馬達、螺桿、設置有與該螺桿嚙合之母螺紋之滑動構件、及引導滑動構件之導軌。
＜顯影裝置1之動作(顯影方法)＞ 其次，一面參照圖4一面對顯影裝置1之動作進行說明。圖4係表示顯影步驟之時序圖之一例。顯影步驟具備預濕步驟(時間T0～時間T3)、主顯影步驟(時間T3～時間T10)、沖洗步驟(時間T10～時間T16)、及乾燥步驟(時間T16～時間T19)。
於圖1中，未圖示之搬送機構將基板W搬送至保持旋轉部5之旋轉夾頭7上。保持旋轉部5例如藉由真空吸附基板W之背面而保持基板W。於基板W上形成有抗蝕膜(光阻膜)RF(參照圖1)，且經曝光有特定之圖案。抗蝕膜RF設為包含於基板W者。基板W例如使用直徑300 mm之圓形基板W。再者，基板W亦可為直徑300 mm以外者。
〔步驟S01〕預濕步驟 預濕步驟係為了使之後要噴出之顯影液Ldev於基板W上容易擴展而進行。於圖4之時間T0，保持旋轉部5使所保持之基板W以20 rpm旋轉。又，沖洗噴嘴移動機構25使第1沖洗噴嘴3自基板W外之特定待機位置移動至基板W之中心CT附近之上方。
於移動第1沖洗噴嘴3後之時間T1，控制部29如圖2A所示般，開始自第1沖洗噴嘴3對基板W之中心噴出純水。此時，開閉閥V2自關閉狀態(OFF)被操作為打開狀態(ON)。泵P2自純水供給源15朝向第1沖洗噴嘴3送出純水Lpw。自第1沖洗噴嘴3噴出純水係於特定期間(時間T1～時間T2)進行。於基板W上觸液之純水例如藉由基板W之旋轉或於基板W上觸液時之衝擊，而於基板W之表面擴展。
於時間T2，開閉閥V2自打開狀態(ON)被操作為關閉狀態(OFF)。藉此，停止對基板W噴出純水。其後(經過時間T2後)，於經過時間T3之前，圖3所示之顯影噴嘴移動機構23使顯影噴嘴2代替第1沖洗噴嘴3而移動至基板W之中心CT之上方。
〔步驟S02〕主顯影步驟(顯影液噴出步驟及顯影液浸置(puddle)步驟) 主顯影步驟具備顯影液噴出步驟(時間T3～時間T8)及顯影液浸置步驟(時間T8～時間T10)。
於時間T3，控制部29開始自顯影噴嘴2對以20 rpm旋轉之基板W之中心CT噴出顯影液Ldev(參照圖5)。此時，開閉閥V1自關閉狀態被操作為打開狀態。泵P1自顯影液供給源11朝向顯影噴嘴2送出顯影液Ldev。於基板W上形成有純水Lpw之膜，自顯影噴嘴2噴出之顯影液Ldev經由基板W上之純水Lpw之膜於基板W之中心CT觸液。顯影液Ldev於時間T3至時間T8期間持續被噴出。
於時間T4，控制部29一面使顯影液Ldev噴出，一面藉由操作保持旋轉部5而將基板W之旋轉速度提高至2500 rpm。藉此，使純水Lpw及顯影液Ldev於基板W上擴展，並將多餘之純水Lpw及顯影液Ldev排出至基板W外。於時間T5，控制部29操作保持旋轉部5，使基板W之旋轉速度自2500 rpm下降至700 rpm。
於基板W之旋轉速度成為700 rpm後之時間T6至時間T7之前，使顯影噴嘴2進行1次往復移動(往復掃描)。此時，往復移動係於與基板W之中心CT相隔預先設定之距離(例如100 mm)之範圍內進行。即，於自顯影噴嘴2噴出之顯影液Ldev之觸液位置不行至基板W之外緣部E之範圍內進行往復運動。藉此，可改善藉由顯影處理所獲得之抗蝕圖案之線寬於基板W面內之均一性。又，若使顯影噴嘴2移動至基板W之外緣部E及其附近，則顯影液Ldev之霧容易飄揚。例如，若於乾燥步驟之後等飄落於基板W上，則會有對基板W造成問題之虞。藉由使顯影噴嘴2不移動至基板W之外緣部E，可抑制顯影液Ldev之霧之產生。再者，顯影噴嘴2(顯影液Ldev之觸液位置)之往復移動並不限於1次，亦可為2次以上。
於時間T7，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自700 rpm下降至30 rpm。藉此，顯影液Ldev自基板W上向基板W外之排出量受到抑制，而於基板W上形成顯影液Ldev之覆液(浸置)。再者，多餘之顯影液Ldev被排出至基板W外。
於時間T8，停止自顯影噴嘴2噴出顯影液Ldev。此時，開閉閥V1自打開狀態被操作為關閉狀態。又，於基板W上形成有顯影液Ldev之溢液之狀態下，繼續使基板W旋轉。於時間T9，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自30 rpm提高至100 rpm。藉此，保持於基板W上之顯影液Ldev變少。再者，於經過時間T8後且經過時間T10之前，圖3所示之沖洗噴嘴移動機構25使第2沖洗噴嘴4代替顯影噴嘴2移動至基板W之中心CT之上方。再者，顯影噴嘴2藉由顯影噴嘴移動機構23而返回至待機位置。
〔步驟S03〕沖洗步驟 其次，對作為本發明之特徵部分之沖洗步驟進行說明。於時間T10，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自100 rpm提高至1000 rpm。又，於時間T10，控制部29開始自第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf。此時，開閉閥V3自關閉狀態被操作為打開狀態。泵P3自界面活性劑沖洗液供給源19向第2沖洗噴嘴4送出界面活性劑沖洗液Lsf。
此處，對本發明之課題進行說明。例如於EUV微影中，於對基板W噴出顯影液Ldev而進行主顯影步驟(顯影處理)後，若僅使用DIW等純水進行沖洗步驟，則會產生抗蝕圖案之圖案崩塌之課題。為了解決該課題，而使用界面活性劑沖洗液Lsf作為沖洗液。然而，若界面活性劑沖洗液Lsf使抗蝕圖案膨脹或細化，則會對抗蝕圖案之線寬造成影響。即，由於與抗蝕劑之材料之配合性，導致抗蝕圖案之線寬變粗或變細。又，若自沖洗噴嘴向基板之中心持續噴出界面活性劑沖洗液，則會局部地於基板W之中心CT及其附近線寬變粗或變細。因此，存在基板整面之線寬不均一之課題。
因此，控制部29於進行顯影處理(顯影)後，如圖6般開始對正在旋轉之基板W上之自基板W之中心CT偏離之位置51，自第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf。界面活性劑沖洗液Lsf之噴出之開始係以基板W之中心CT不在觸液區域53之方式進行，該觸液區域53係自第2沖洗噴嘴4噴出之界面活性劑沖洗液Lsf於基板W上最先觸液之區域。即，該動作係以自第2沖洗噴嘴4噴出之界面活性劑沖洗液Lsf不於基板W之中心CT觸液之方式進行。再者，觸液位置51例如為與基板W之中心CT相隔10 mm之位置，但並不限於此。觸液位置51例如亦可為中心CT不在觸液區域53且與中心CT相隔10 mm以內之位置。
又，控制部29於界面活性劑沖洗液Lsf於基板W上剛觸液後，立即藉由在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展來覆蓋基板W之中心CT。其原因在於：若不利用界面活性劑沖洗液Lsf覆蓋基板W之中心CT，則無法於基板W之中心CT處將顯影液Ldev、及抗蝕劑之溶解生成物沖洗掉。再者，第2沖洗噴嘴4之噴出口之直徑例如為3 mm，自第2沖洗噴嘴4噴出之界面活性劑沖洗液Lsf之流量例如為2 cc/秒。於圖4中，界面活性劑沖洗液Lsf於時間T10至時間T15期間持續被噴出。
於基板W之旋轉速度達到1000 rpm後之時間T11，圖3所示之沖洗噴嘴移動機構25使第2沖洗噴嘴4往復移動。控制部29於藉由界面活性劑沖洗液Lsf之擴展而覆蓋了基板W之中心CT後，於噴至基板W上之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內，使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51往復移動。上述界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍例如為與基板W之中心CT相隔10 mm之範圍。
圖7A係表示自第2沖洗噴嘴4噴出並噴至基板W上之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展自基板W之中心CT偏離之情形的圖。圖7B係圖7A之俯視圖。於該情形時，在未由界面活性劑沖洗液Lsf覆蓋之基板W之中心CT及其附近，基板W乾燥。假如基板W之中心CT及其附近乾燥，則顯影液Ldev或界面活性劑沖洗液Lsf之液體中所殘留之例如抗蝕劑之溶解生成物會附著於基板W之中心CT及其附近。若抗蝕劑之溶解生成物附著，則其後將難以利用界面活性劑沖洗液Lsf沖洗掉。因此，即便於觸液位置51之移動中，亦需要利用界面活性劑沖洗液Lsf來覆蓋基板W之中心CT，以使基板W之中心CT不乾燥。
因此，沖洗噴嘴移動機構25於與基板W之中心CT相隔例如10 mm之範圍內，使第2沖洗噴嘴4、即界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動。於圖8A、圖8B中，沖洗噴嘴移動機構25使觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)在基板W之中心CT、和與基板W之中心CT相隔距離RD1之位置之間往復移動。
又，亦可如圖9A、圖9B般，沖洗噴嘴移動機構25使觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)於包含基板W之中心CT之直線狀路徑RT上往復移動。該路徑RT以隔著基板W之中心CT之方式設定有2個折返位置55A、55B。於圖9A、圖9B中，折返位置55B與基板W之中心CT之間之距離RD2小於折返位置55A與基板W之中心CT之間之距離RD1。
又，亦可如圖10A、圖10B般，折返位置55A與基板W之中心CT之間之距離RD1和折返位置55B與基板W之中心CT之間之距離RD1相同。即，沖洗噴嘴移動機構25亦可使觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)於與距離RD1之圓之直徑對應之路徑RT上往復移動。又，亦可如圖11A、圖11B般，將2個折返位置55A、55B連結之直線狀路徑RT不通過基板W之中心CT。於該情形時，路徑RT為距離RD3×2。
再者，路徑RT並不限於直線狀，例如亦可為圓弧狀。位置51之移動並不限於往復移動，例如亦可於與基板W之中心CT相隔10 mm之範圍內，使位置51以描繪三角形等二維狀之線或圖形之方式移動。又，位置51之移動亦可僅為直線狀路徑RT之去路。又，路徑RT較佳為以如折返位置55A之觸液區域53與折返位置55B之觸液區域53不重疊般之距離設定。例如，路徑RT以較觸液區域53之寬度之1/2更長之距離設定。
界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51係根據界面活性劑沖洗液Lsf之噴出時間而進行1次或複數次往復移動。於時間T12，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自1000 rpm下降至800 rpm。又，亦可於時間T12至時間T13期間，進行最後之往復移動之返路之移動。其後，觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)返回至作為界面活性劑沖洗液Lsf之噴出開始位置之與基板W之中心CT相隔距離RD1(例如10 mm)之位置。於觸液位置51返回至噴出開始位置後之時間T13，保持旋轉部5進而使基板W之旋轉速度自800 rpm下降至500 rpm。藉由降低旋轉速度，而抑制界面活性劑沖洗液Lsf自基板W排出，相較於使基板W以1000 rpm旋轉時更能於基板W上保持界面活性劑沖洗液Lsf。
於時間T14至時間T16期間，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自500 rpm階段性地提高至650 rpm。於時間T15，停止界面活性劑沖洗液Lsf自第2沖洗噴嘴4之噴出。此時，開閉閥V3自打開狀態被操作為關閉狀態。第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4藉由沖洗噴嘴移動機構25而返回至待機位置。
再者，於圖4中之沖洗步驟中，基板W以500 rpm以上1000 rpm以下旋轉。於此方面，於時間T10開始自第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf後，直至停止界面活性劑沖洗液之噴出為止，基板W亦可以500 rpm以上2000 rpm以下旋轉。又，於使觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)往復移動時，基板W之旋轉速度較佳為800 rpm以上1000 rpm以下。
〔步驟S04〕乾燥步驟 於時間T16，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自650 rpm提高至1800 rpm。進而，於特定期間內維持使基板W以1800 rpm旋轉之狀態。其後，於時間T17，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自1800 rpm進而提高至2500 rpm。藉此，進一步將界面活性劑沖洗液Lsf排出至基板W外。於特定時間內維持使基板W以2500 rpm旋轉之狀態。其後，於時間T18，保持旋轉部5使基板W之旋轉停止。再者，於時間T19，基板W實際上停止(0 rpm)。
於基板W之旋轉停止後，即於步驟S01～步驟S04之顯影處理結束後，保持旋轉部5解除基板W之保持。未圖示之搬送機構使保持旋轉部5之旋轉夾頭7上之基板W例如移動至其他處理部。
根據本實施例，於對基板W供給顯影液Ldev而進行顯影處理後，開始對正在旋轉之基板W上之自基板W之中心CT偏離之位置，自第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf。該動作係以基板W之中心CT不包含於觸液區域53之方式進行，該觸液區域53係自第2沖洗噴嘴4噴出之界面活性劑沖洗液Lsf於基板W上最先觸液之區域。藉此，界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51被分散，因此，抑制於基板W之中心CT及其附近(周邊)局部地抗蝕圖案之線寬變粗或變細。又，藉由使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51往復移動，可使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51進一步分散。因此，可改善沖洗處理中之基板W面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
又，由於藉由在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展來覆蓋基板W之中心CT，故而即便將界面活性劑沖洗液Lsf噴出至自基板W之中心CT偏離之位置，亦能夠利用界面活性劑沖洗液Lsf對基板W之中心CT進行清洗。
又，本實施例之顯影方法係於藉由界面活性劑沖洗液Lsf之擴展而覆蓋了基板W之中心CT後，於自第2沖洗噴嘴4噴出並到達至基板W上之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內(與基板W之中心CT相隔預先設定之距離RD1之範圍內)，使自第2沖洗噴嘴4噴出並於基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51往復移動。
若於使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動期間，於基板W之中心CT及其附近基板W表面乾燥，則會有殘留之例如抗蝕劑溶解生成物附著於基板W之中心CT及其附近之虞。該附著物無法利用界面活性劑沖洗液Lsf容易地沖洗掉。藉由在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內(與基板W之中心CT相隔預先設定之距離RD1之範圍內)使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動，而即便使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動，於基板W之中心CT亦始終由界面活性劑沖洗液Lsf所覆蓋。因此，基板W之中心CT不會乾燥，可防止例如抗蝕劑溶解生成物附著，從而減輕由該附著物引起之缺陷。
又，觸液位置51之往復移動係於以隔著基板W之中心CT之方式設定有2個折返位置之包含基板W之中心CT之路徑上，使自第2沖洗噴嘴4噴出並到達至基板W上之界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動。
例如，假如於基板W之中心CT存在往復移動之折返位置，則界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53存在於基板W之中心CT之時間變得相對較長。然而，於本實施例中，由於在以隔著基板W之中心CT之方式設定之2個折返位置之間進行往復移動，故而界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置存在於基板W之中心CT之時間變得相對較短，而能夠減輕於基板W之中心CT及其附近局部地抗蝕圖案之線寬變細或變粗之情況。再者，本發明並不限於EUV微影。
＜實驗結果＞ 此處，對實驗結果進行說明。圖12A係表示針對各條件之抗蝕圖案之線寬(CD：Critical Dimension，臨界尺寸)之平均值的圖。圖12B係表示針對各條件之抗蝕圖案之線寬之3 sigma的圖。
圖12A、圖12B係於藉由圖4所示之顯影步驟對基板W進行處理後，於基板W之面內將抗蝕圖案之線寬測量幾十處而獲得之結果。「10 s」、「30 s」、「60 s」為10秒、30秒、60秒。如圖13所示，改變界面活性劑沖洗液Lsf自第2沖洗噴嘴4之噴出時間。又，「10 s」、「30 s」、「60 s」係對基板W之中心CT噴出界面活性劑沖洗液Lsf。相對於此，「SCAN30 s」表示對基板W之中心CT將界面活性劑沖洗液Lsf噴出約30秒，其後，一面噴出界面活性劑沖洗液Lsf一面於約30秒內使之進行3次往復移動(10 mm)。
參照圖12A。噴出時間變得越長，如10秒、30秒、60秒，則抗蝕圖案之線寬之平均值變得越細。再者，「SCAN30 s」之結果與60秒之結果幾乎相同。其原因在於：「SCAN30 s」將界面活性劑沖洗液Lsf合計噴出了約60秒。
參照圖12B。噴出時間變得越長，如10秒、30秒、60秒，則3 sigma之值(均一性)變得越大。又，「SCAN30 s」之3 sigma之結果小於「10 s」、「30 s」、「60 s」之結果。即，與將界面活性劑沖洗液Lsf持續噴出至基板W之中心CT之情形相比，使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51自基板W之中心CT移動更能改善基板W面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
再者，於圖12A、圖12B中，於使界面活性劑沖洗液SF之觸液位置51進行往復移動之前，開始對基板W之中心CT噴出界面活性劑沖洗液Lsf。為了更加明確圖12A、圖12B之效果，於本發明中，開始自第2沖洗噴嘴4對自基板W之中心CT偏離之位置51噴出界面活性劑沖洗液Lsf。
圖14係表示改變往復移動之距離時之缺陷數量及缺陷圖之圖。於供給顯影液Ldev而進行顯影處理後，開始對基板W之中心CT噴出界面活性劑沖洗液Lsf。其後，於「0 mm(中心)」中，不進行往復移動，於「10 mm」、「30 mm」中，以中心CT為基準並以該距離進行往復移動。
參照圖14。缺陷例如為抗蝕劑之溶解生成物之殘留。「0 mm(中心)」、「10 mm」、「30 mm」均係基板W整體出現缺陷。「10 mm」之缺陷數量少於「0 mm(中心)」及「30 mm」之缺陷數量。於「0 mm(中心)」中，尤其於基板W之中心附近大量出現缺陷。於「30 mm」中，如圖7所示，缺陷DF呈圓環狀分佈。認為該圓環狀之缺陷分佈係由於界面活性劑沖洗液Lsf之擴展自基板W之中心CT偏離。
基於圖14之結果可知，於與基板W之中心CT相隔之距離較大之往復移動之情形時，出現圓環狀之缺陷分佈，產生與抗蝕圖案之線寬均一性不同之其他問題。因此，需要於不出現圓環狀之缺陷分佈之與基板W中心CT相隔之距離RD1之範圍內、即於到達之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內，進行界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)之往復移動。 [實施例2]
其次，參照圖式對本發明之實施例2進行說明。再者，省略與實施例1重複之說明。圖15係表示對實施例2之顯影步驟進行表示之時序圖之一例的圖。
於實施例1之沖洗步驟中，對基板W僅供給界面活性劑沖洗液Lsf。該點於實施例2之沖洗步驟中，亦可於對基板W供給了純水Lpw後供給界面活性劑沖洗液Lsf。
此處，對在沖洗處理中使用純水Lpw及界面活性劑沖洗液Lsf之理由進行說明。抗蝕圖案之圖案崩塌，與其說是於向基板W供給純水Lpw並進行沖洗處理之過程中發生，不如說是於乾燥處理中將基板W乾燥時發生。為了防止該圖案崩塌，沖洗處理係使用界面活性劑沖洗液Lsf進行。然而，界面活性劑沖洗液Lsf之費用較純水Lpw更高。因此，採用在使用純水Lpw進行之沖洗處理與乾燥處理之間具有使用界面活性劑沖洗液Lsf進行之沖洗處理之方法。
圖15係表示實施例2之顯影步驟之時序圖之一例。於圖15中，預濕步驟(時間T0～時間T3)、主顯影步驟(時間T3～時間T10)、乾燥步驟(時間T16～時間T19)為與實施例1相同之動作，故而省略其等之說明。
於圖15中，於經過時間T8後且經過時間T10之前，圖3所示之沖洗噴嘴移動機構25使第1沖洗噴嘴3取代顯影噴嘴2而移動至基板W之中心CT附近之上方。即，沖洗噴嘴移動機構25使第1沖洗噴嘴3移動至對準基板W之中心CT之位置(參照圖2A)。
〔步驟S03〕沖洗步驟 於時間T10，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自100 rpm提高至1000 rpm。又，於時間T10，控制部29開始對基板W之中心CT自第1沖洗噴嘴3噴出純水Lpw。其後，直至時間T10A為止，於自第1沖洗噴嘴3噴出純水Lpw之狀態下，保持旋轉部5使基板W以1000 rpm(第1旋轉速度)旋轉。
於時間T10A，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自1000 rpm提高至1800 rpm(第2旋轉速度)。於時間T10B，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自1800 rpm下降至1000 rpm。即，保持旋轉部5於開始噴出純水Lpw後，以噴出純水Lpw之狀態於預先設定之期間(時間T10A～時間T10B)內，使基板W以較1000 rpm更快之1800 rpm旋轉。藉此，可容易將存在於顯影液Ldev中或純水Lpw中之抗蝕劑之溶解生成物等浮沫(或灰塵)排出至基板W外。
再者，第2旋轉速度(1800 rpm)係較第2沖洗噴嘴4之往復移動時(時間T11～時間T12)之旋轉速度(800 rpm以上1000 rpm以下)更快之旋轉速度。又，亦可如圖15之時間T10A與時間T10B之間所示之V字形二點鏈線CL般，使旋轉速度自1800 rpm下降至1000 rpm，並再次使旋轉速度自1000 rpm提高至1800 rpm。即，進行2次使旋轉速度自1000 rpm提高至1800 rpm之動作。該動作並不限於2次，亦可為3次以上。
於時間T10B之後且基板W之旋轉速度回到1000 rpm之後，自使用第1沖洗噴嘴3噴出純水Lpw切換為使用第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf。直至切換之時間T10C為止，沖洗噴嘴移動機構25使設置有第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4之支持塊27沿第1方向移動。藉此，使自第1沖洗噴嘴3噴出之純水Lpw之觸液位置61移動至與基板W之中心CT相隔距離RD1(例如10 mm)之位置(參照圖16B)。此時，藉由噴至基板W狀之純水Lpw之擴展而覆蓋基板W之中心CT。
圖16A係表示正自第1沖洗噴嘴3向基板W之中心CT噴出純水Lpw之情況的圖。自第1沖洗噴嘴3噴出之純水Lpw之觸液位置61與基板W之中心CT幾乎一致。圖16B係表示已將純水Lpw之觸液位置61移動至與中心CT相隔距離RD1之位置之狀態的圖。圖16C係表示自圖16B之使用第1沖洗噴嘴3進行之純水Lpw之噴出切換為使用第2沖洗噴嘴4進行之界面活性劑沖洗液Lsf之噴出之動作的圖。於時間T10C，停止純水Lpw之噴出，幾乎與此同時開始界面活性劑沖洗液Lsf之噴出。
於時間T10C之界面活性劑沖洗液Lsf之噴出後且界面活性劑沖洗液Lsf於基板W上剛觸液後，立即藉由在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展來覆蓋基板W之中心CT。
於時間T11，沖洗噴嘴移動機構25使第2沖洗噴嘴4如圖8A、圖9A、圖10A、圖11A之實施例1之往復動作般，進行往復移動。即，控制部29於藉由界面活性劑沖洗液Lsf之擴展而覆蓋了基板W之中心CT後，於基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內使界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53之位置51往復移動。即，於與中心CT相隔預先設定之距離(例如10 mm)之範圍內使位置51往復移動。
時間T12～時間T16之沖洗步驟由於與實施例1之動作相同，故而省略其說明。
根據本實施例，於進行顯影處理後且開始噴出界面活性劑沖洗液Lsf之前，開始自第1沖洗噴嘴3向正在旋轉之基板W上噴出純水Lpw。界面活性劑沖洗液Lsf之噴出之開始與停止純水Lpw之噴出同時進行。藉此，可進行使用純水Lpw及界面活性劑沖洗液Lsf之沖洗處理。
又，於開始自第1沖洗噴嘴3噴出純水Lpw並使基板W以第1旋轉速度旋轉後，以正在噴出純水Lpw之狀態於預先設定之期間內，使基板W自第1旋轉速度以較第1旋轉速度更快之第2旋轉速度旋轉。即，於利用純水Lpw對以第1旋轉速度進行旋轉之基板W進行沖洗處理時，於預先設定之期間內使基板W之旋轉速度自第1旋轉速度提高至第2旋轉速度。藉此，可容易將例如抗蝕劑之溶解生成物排出至基板W外。
再者，圖2A、圖16A所示之第1沖洗噴嘴3對基板W之表面並非垂直地而是傾斜地噴出純水Lpw。於該方面，亦可如圖17A、圖17B般，第1沖洗噴嘴3對基板W之表面垂直地噴出純水Lpw。於該情形時，第2沖洗噴嘴4於相對於第1沖洗噴嘴3相隔距離RD1(例如10 mm)以內之位置設置於支持塊27。進而，第2沖洗噴嘴4以如下方式設置於支持塊27：於純水Lpw之觸液位置61存在於基板W之中心CT時，對如界面活性劑沖洗液Lsf之觸液區域53不包含基板W之中心CT般之位置噴出界面活性劑沖洗液Lsf。
對該情形時之切換動作進行說明。如圖17A般，純水Lpw被噴出至基板W之中心CT。如圖17B般，自純水Lpw之噴出切換為界面活性劑沖洗液Lsf之噴出。界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51成為不使支持塊27移動而與基板W之中心CT相隔距離RD1之位置。再者，亦可將圖16A～圖16C之方法與圖17A、圖17B之方法組合。
本發明並不限於上述實施形態，可如下所述般變化實施。
(1)於上述各實施例中，於圖4及圖15所示之第2沖洗噴嘴4之往復移動期間(時間T11～時間T13)，基板W之旋轉速度為1000 rpm或800 rpm。於該方面，如圖15之時間T10A～時間T10C般，於開始噴出界面活性劑沖洗液Lsf後，使基板W以1000 rpm(第1旋轉速度)旋轉。其後，亦可以正在噴出界面活性劑沖洗液Lsf之狀態於預先設定之期間內，使基板W自1000 rpm(第1旋轉速度)例如以1800 rpm(較第1旋轉速度更快之第2旋轉速度)旋轉。
於第2沖洗噴嘴4之往復移動時，若使基板W高速旋轉，則基板W之中心CT及其附近可能會乾燥。因此，於第2沖洗噴嘴4之往復移動時，控制部29以使基板W之中心CT及其附近不乾燥之方式，對第2沖洗噴嘴4之折返位置55A、55B、旋轉速度、及噴出流量等進行控制。又，亦可對照界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51通過基板W之中心CT之時點，自第1旋轉速度提高至第2旋轉速度。藉由自第1旋轉速度提高至第2旋轉速度，而容易將例如抗蝕劑之溶解生成物排出至基板W外。
(2)於上述各實施例及變化例(1)中，於藉由界面活性劑沖洗液Lsf之擴展而覆蓋了基板W之中心CT後，使自第2沖洗噴嘴4噴出並於基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51往復移動。於該方面，亦可自界面活性劑沖洗液Lsf於基板W上剛觸液後直至停止界面活性劑沖洗液Lsf之噴出為止，不移動界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置而使之固定。即，自開始噴出界面活性劑沖洗液Lsf後至停止界面活性劑沖洗液Lsf之噴出為止，不移動第2沖洗噴嘴4而使之固定。
藉此，於對基板W供給顯影液Ldev而進行顯影處理後，開始對正在旋轉之基板W上之自基板W之中心CT偏離之位置，自第2沖洗噴嘴4噴出界面活性劑沖洗液Lsf。該動作係以基板W之中心CT不進入觸液區域53、即自第2沖洗噴嘴4噴出之界面活性劑沖洗液Lsf最先於基板W上觸液之區域之方式進行。藉此，界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置被分散，因此，抑制於基板W之中心CT及其附近局部地抗蝕圖案之線寬變粗或變細。因此，可改善沖洗處理中之基板W面內之抗蝕圖案之線寬均一性。
又，由於藉由在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展來覆蓋基板W之中心CT，故而即便將界面活性劑沖洗液Lsf噴出至自基板W之中心CT偏離之位置，亦能夠利用界面活性劑沖洗液Lsf對基板W之中心CT進行清洗。
(3)於上述各實施例及各變化例中，如圖4、圖15般，時間T12～時間T16中之旋轉速度未達1000 rpm，但並不限於此。例如，時間T12～時間T16中之旋轉速度亦可為1000 rpm。於該情形時，於時間T16，保持旋轉部5使基板W之旋轉速度自1000 rpm提高至1800 rpm。
(4)於上述各實施例及各變化例中，圖3所示之平面移動機構45使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4等沿第1方向(例如X方向)移動。於該方面，平面移動機構45亦可以如下方式構成：除了使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4沿第1方向移動以外，還沿與第1方向正交之第2方向(Y方向)移動。
又，於上述各實施例中，第2沖洗噴嘴4係對基板W之表面垂直地噴出界面活性劑沖洗液Lsf，但並不限於此，只要剛開始噴出後之觸液區域53成為自基板W之中心CT偏離之位置，則亦可對基板W之表面傾斜地噴出界面活性劑沖洗液Lsf。
(5)於上述各實施例及各變化例中，圖3所示之沖洗噴嘴移動機構25之平面移動機構45使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4等沿第1方向(例如X方向)移動。亦可代替此種構成，而使沖洗噴嘴移動機構25以如下方式構成：於圖3中，使第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4繞配置於基板W之外側之旋轉軸旋轉(移動)。又，沖洗噴嘴移動機構25亦可具備多關節臂。於該等情形時，沖洗噴嘴移動機構25具備電動馬達。
又，顯影噴嘴2、第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4亦可以分別被移動之方式構成。又，顯影噴嘴2亦可以與第1沖洗噴嘴3及第2沖洗噴嘴4中之至少一者一體地移動之方式構成。
(6)於上述各實施例及各變化例中，於預濕步驟、顯影步驟及圖15所示之時間T10～時間T10C之噴出純水Lpw之步驟中，顯影液Ldev或純水Lpw被噴出至基板W之中心CT。於該方面，亦可開始對正在旋轉之基板W上之自基板W之中心CT偏離之位置，自第1沖洗噴嘴3噴出純水Lpw。該動作係以基板W之中心CT不在觸液區域之方式進行，該觸液區域係自第1沖洗噴嘴3噴出之純水Lpw於基板W上最先觸液之區域。又，亦可於純水Lpw於基板W上剛觸液後，立即藉由在基板W上觸液之純水Lpw之擴展來覆蓋基板W之中心CT。顯影液Ldev之情形亦同樣如此。
(7)於上述各實施例及各變化例中，界面活性劑沖洗液Lsf之觸液位置51係如下般移動。即，例如於圖4所示之時間T10，對自基板W之中心CT偏離之觸液位置51(例如與中心CT相隔10 mm之位置)噴出界面活性劑沖洗液Lsf。於時間T11，於在基板W上觸液之界面活性劑沖洗液Lsf之擴展不自基板W之中心CT偏離之範圍內(例如與中心CT相隔10 mm之範圍內)，使觸液位置51往復移動1次或複數次。其後，使觸液位置51返回至最初之觸液位置(例如與中心CT相隔10 mm之位置)。
即，觸液位置51之往復移動係以次數決定。並不限於此。例如，觸液位置51之往復移動亦可由期間來決定。即，例如於圖4中，亦可自時間T11之往復移動之開始至時間T15之停止界面活性劑沖洗液Lsf之噴出為止，使觸液位置51(第2沖洗噴嘴4)持續移動。
本發明可於不脫離其思想或本質之前提下以其他具體形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，應參照隨附之申請專利範圍而非以上之說明。
1‧‧‧顯影裝置 2‧‧‧顯影噴嘴 2A‧‧‧噴出嘴 3‧‧‧第1沖洗噴嘴 4‧‧‧第2沖洗噴嘴 5‧‧‧保持旋轉部 7‧‧‧旋轉夾頭 9‧‧‧旋轉驅動部 11‧‧‧顯影液供給源 13‧‧‧顯影液配管 15‧‧‧純水供給源 17‧‧‧純水配管 19‧‧‧界面活性劑沖洗液供給源 21‧‧‧界面活性劑沖洗液配管 23‧‧‧顯影噴嘴移動機構 25‧‧‧沖洗噴嘴移動機構 27‧‧‧支持塊 29‧‧‧控制部 31‧‧‧臂 33‧‧‧上下移動機構 35‧‧‧平面移動機構 41‧‧‧臂 43‧‧‧上下移動機構 45‧‧‧平面移動機構 51‧‧‧觸液位置 53‧‧‧觸液區域 55A‧‧‧折返位置 55B‧‧‧折返位置 61‧‧‧觸液位置 AX‧‧‧旋轉軸 CL‧‧‧二點鏈線 CT‧‧‧基板W之中心 DF‧‧‧缺陷 E‧‧‧基板W之外緣部 Ldev‧‧‧顯影液 Lpw‧‧‧純水 Lsf‧‧‧界面活性劑沖洗液 P1‧‧‧泵 P2‧‧‧泵 P3‧‧‧泵 RD1‧‧‧距離 RD2‧‧‧距離 RD3‧‧‧距離 RF‧‧‧抗蝕膜(光阻膜) RT‧‧‧路徑 T0‧‧‧時間 T1‧‧‧時間 T2‧‧‧時間 T3‧‧‧時間 T4‧‧‧時間 T5‧‧‧時間 T6‧‧‧時間 T7‧‧‧時間 T8‧‧‧時間 T9‧‧‧時間 T10‧‧‧時間 T10A‧‧‧時間 T10B‧‧‧時間 T10C‧‧‧時間 T11‧‧‧時間 T12‧‧‧時間 T13‧‧‧時間 T14‧‧‧時間 T15‧‧‧時間 T16‧‧‧時間 T17‧‧‧時間 T18‧‧‧時間 T19‧‧‧時間 V1‧‧‧開閉閥 V2‧‧‧開閉閥 V3‧‧‧開閉閥 W‧‧‧基板 X‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 Z‧‧‧方向
為了說明發明而圖示了當前被認為較佳之若干個形態，但請理解為發明並不限定於如圖所示之構成及對策。
圖1係表示實施例1之顯影裝置之概略構成之圖。 圖2A係用以說明第1沖洗噴嘴之圖，圖2B係用以說明第2沖洗噴嘴之圖。 圖3係表示顯影噴嘴移動機構及沖洗噴嘴移動機構之概略構成之圖。 圖4係表示對實施例1之顯影步驟進行表示之時序圖之一例的圖。 圖5係用以說明主顯影步驟之圖。 圖6係用以說明界面活性劑沖洗液之噴出之圖。 圖7A係表示噴至基板上之界面活性劑沖洗液之擴展自基板之中心偏離之情形之圖，圖7B係圖7A之俯視圖。 圖8A係用以說明第2沖洗噴嘴之往復移動之圖，圖8B係表示往復移動之路徑及2個折返位置等之俯視圖。 圖9A係用以說明變化例之第2沖洗噴嘴之往復移動之圖，圖9B係表示往復移動之路徑及2個折返位置等之俯視圖。 圖10A係用以說明另一變化例之第2沖洗噴嘴之往復移動之圖，圖10B係表示往復移動之路徑及2個折返位置等之俯視圖。 圖11A係用以說明另一變化例之第2沖洗噴嘴之往復移動之圖，圖11B係表示往復移動之路徑及2個折返位置等之俯視圖。 圖12A係表示針對各條件之抗蝕圖案之線寬之平均值的圖，圖12B係表示針對各條件之抗蝕圖案之線寬之3 sigma的圖。 圖13係表示圖12A、圖12B之沖洗步驟之實驗條件之圖。 圖14係表示改變往復移動之距離時之缺陷數量及缺陷圖之圖。 圖15係表示對實施例2之顯影步驟進行表示之時序圖之一例的圖。 圖16A～圖16C係用以說明自純水之噴出向界面活性劑沖洗液之噴出之切換的圖。 圖17A、圖17B係用以說明自純水之噴出向界面活性劑沖洗液之噴出之切換之變化例的圖。
3‧‧‧第1沖洗噴嘴
4‧‧‧第2沖洗噴嘴
5‧‧‧保持旋轉部
7‧‧‧旋轉夾頭
9‧‧‧旋轉驅動部
27‧‧‧支持塊
51‧‧‧觸液位置
53‧‧‧觸液區域
AX‧‧‧旋轉軸
CT‧‧‧基板W之中心
E‧‧‧基板W之外緣部
Ldev‧‧‧顯影液
Lsf‧‧‧界面活性劑沖洗液
RD1‧‧‧距離
W‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種顯影方法，其係對基板進行顯影者，且包含以下要素：對繞基板之中心旋轉中之上述基板供給顯影液而進行顯影處理的步驟；於進行上述顯影處理後，以上述基板之中心不位於觸液區域內之方式，開始自上述界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之上述基板上之自上述基板之中心偏離之位置噴出上述界面活性劑沖洗液的步驟，其中，上述觸液區域係自界面活性劑沖洗噴嘴噴出之界面活性劑沖洗液最先在上述基板上觸液之區域；於上述界面活性劑沖洗液在上述基板上觸液後，立即藉由在上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心的步驟；以及自上述界面活性劑沖洗液於上述基板上觸液起直至停止噴出上述界面活性劑沖洗液為止，固定上述界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置的步驟。
  2. 一種顯影方法，其係對基板進行顯影者，且包含以下要素：對繞基板之中心旋轉中之上述基板供給顯影液而進行顯影處理的步驟；於進行上述顯影處理後，以上述基板之中心不位於觸液區域內之方式，開始自上述界面活性劑沖洗噴嘴朝旋轉中之上述基板上之自上述基板之中心偏離之位置噴出上述界面活性劑沖洗液的步驟，其中，上述觸液區 域係自界面活性劑沖洗噴嘴噴出之界面活性劑沖洗液最先在上述基板上觸液之區域；於上述界面活性劑沖洗液於上述基板上觸液後，立即藉由在上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心的步驟；以及藉由上述界面活性劑沖洗液之擴展而覆蓋上述基板之中心後，在於上述基板上觸液之上述界面活性劑沖洗液之擴展不自上述基板之中心偏離之範圍內，使上述界面活性劑沖洗液之觸液區域之位置移位的步驟。
  3. 如請求項2之顯影方法，其中使上述觸液區域之位置移位之步驟係於以隔著上述基板之中心之方式設定有2個折返位置且包含上述基板之中心之路徑上，使上述觸液區域之位置往復移動。
  4. 如請求項1至3中任一項之顯影方法，其進而具備如下步驟：於進行上述顯影處理後且開始上述界面活性劑沖洗液之噴出之前，開始自純水沖洗噴嘴向旋轉中之上述基板上噴出純水；且開始噴出上述界面活性劑沖洗液之步驟係與停止噴出上述純水同時進行。
  5. 如請求項4之顯影方法，其進而具備如下步驟：於開始自上述純水沖洗噴嘴噴出上述純水並使上述基板以第1旋轉速度旋轉後，在噴出上述純水之狀態下於預先設定之期間，使上述基板自上 述第1旋轉速度以較上述第1旋轉速度更快之第2旋轉速度旋轉。
  6. 如請求項5之顯影方法，其中上述第1旋轉速度及上述第2旋轉速度為500rpm以上2000rpm以下。
  7. 如請求項1至3中任一項之顯影方法，其進而具備如下步驟：於開始自上述界面活性劑沖洗噴嘴噴出上述界面活性劑沖洗液後，直至停止上述界面活性劑沖洗液之噴出為止，使上述基板以500rpm以上2000rpm以下旋轉。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230105000A (ko) * 2020-03-05 2023-07-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11747729B2 (en) * 2021-03-19 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor developer tool and methods of operation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060048792A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and developing apparatus
TW200908108A (en) * 2007-07-30 2009-02-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20100203250A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Tokyo Electron Limited Developing device, developing method and storage medium
US20100233637A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing method, and storage medium

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319870A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理方法
TWI230974B (en) * 2003-09-23 2005-04-11 Mosel Vitelic Inc Method for developing
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
US20070059640A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Masakazu Sanada Processing method of substrate and processing apparatus of substrate
JP2007081177A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
JP4900116B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP6007925B2 (ja) * 2013-05-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
US9733568B2 (en) * 2014-02-25 2017-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool and method of developing
JP6314779B2 (ja) * 2014-10-01 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
JP6545464B2 (ja) * 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
JP6481644B2 (ja) * 2016-03-10 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP6814847B2 (ja) * 2019-06-19 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060048792A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and developing apparatus
TW200908108A (en) * 2007-07-30 2009-02-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20100203250A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Tokyo Electron Limited Developing device, developing method and storage medium
US20100233637A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Tokyo Electron Limited Developing apparatus, developing method, and storage medium

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