JP3893241B2 - レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 - Google Patents

レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3893241B2
JP3893241B2 JP2000379646A JP2000379646A JP3893241B2 JP 3893241 B2 JP3893241 B2 JP 3893241B2 JP 2000379646 A JP2000379646 A JP 2000379646A JP 2000379646 A JP2000379646 A JP 2000379646A JP 3893241 B2 JP3893241 B2 JP 3893241B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
discharge nozzle
resist coating
coating apparatus
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000379646A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002177845A (ja
Inventor
智明 村松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2000379646A priority Critical patent/JP3893241B2/ja
Priority to KR1020010048439A priority patent/KR100687156B1/ko
Publication of JP2002177845A publication Critical patent/JP2002177845A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3893241B2 publication Critical patent/JP3893241B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法に係り、特に、レジストの塗布品質の管理を容易にするうえで有用なレジスト塗布装置および管理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造過程では、半導体ウェハ上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をマスクとしてエッチングや不純物注入などの処理が実行される。図7は、従来のレジスト塗布装置が備えるノズルブロック10を側面視で表した図を示す。図7において、ノズルブロック10には、レジスト塗布用の吐出ノズル12が複数保持されている。これらの吐出ノズル12は、レジストの種類に応じて準備されており、個々の工程において塗布すべきレジストの種類に応じて適宜選択的に使用される。
【0003】
図8(A)は、吐出ノズル12の先端に異物14が付着した状態を示す。また、図8(B)は、正常な吐出ノズル12の先端部を示す。吐出ノズル12の先端に異物14が付着していると、レジストの塗布ムラなどの不具合が生ずる。このため、従来のレジスト塗布装置では、異物14の有無に関わらず、半導体ウェハ上にレジストを塗布する前に、定期的にレジストの空出し(以下、「ダミーディスペンス」と称す)が実行される。このようなダミーディスペンスによれば、異物14を洗い流すことができるため、異物14の存在に起因する塗布ムラなどの発生を効果的に抑制することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ダミーディスペンスの実行は、吐出ノズル12の先端に異物14が存在しないことを保証するものではない。このため、従来のレジスト塗布装置では、ダミーディスペンスによって異物14が除去できなかった場合に、半導体ウェハ上に塗布ムラが生じて初めてその異常に気がつくという事態が生じ得る。
【0005】
また、ダミーディスペンスは、レジストを無駄に消費する行為である。このため、従来のレジスト塗布装置では、ダミーディスペンスの実行に起因して、レジスト材料につき大きな損失が発生していた。
【0006】
ところで、従来のレジスト塗布装置では、吐出ノズル12の先端でレジストが固形化するのを防ぐため、吐出ノズル12からレジストを吐出した後に、その先端部に存在するレジストを僅かに吸い上げる処理、すなわち、いわゆるサックバックが実行される。このサックバックの際には、条件次第で、吐出ノズル12の先端付近に空気が巻き込まれることがある。
【0007】
吐出ノズル12の内部に、このようにして空気が巻き込まれると、以後半導体ウェハ上にレジストが塗布される際に、レジストの塗布ムラなどが生ずる。従って、レジストの塗布ムラを防止するうえでは、サックバックに伴う空気の巻き込みなどが検知できる事が望ましい。しかしながら、従来のレジスト塗布装置によっては、サックバックに伴う空気の巻き込みを検知することはできない。
【0008】
このように、従来のレジスト塗布装置は、レジストの塗布ムラなどを防止するうえで、未だ改良の余地を残すものであった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、半導体ウェハ上に常に安定した条件でレジストを塗布することのできるレジスト塗布装置を提供することを第1の目的とする。
また、本発明は、半導体ウェハ上に常に安定した条件でレジストを塗布するためのレジスト塗布工程の管理方法を提供することを第2の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、半導体ウェハ上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であって、
半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノズルと、
撮像データをカメラに供給するファイバースコープと、
前記ファイバースコープの先端を前記吐出ノズルの開口内が撮像できる位置に移動させるファイバー駆動部と、
前記吐出ノズルの開口内をクリーニングするためのクリーニング機構と、
前記クリーニング機構を、前記吐出ノズルの位置に応じた適切な位置に移動させるクリーニング機構駆動部と、
を備えることを特徴とするものである。
【0010】
請求項記載の発明は、請求項記載のレジスト塗布装置であって、
正常な吐出ノズルの開口内の状態を表す画像データと、前記カメラが取得した撮像データとを比較して、前記吐出ノズルの先端に異物が存在するか否かを判断する異物判断部と、
前記異物判断部によって異物の存在が認識された場合に、前記クリーニング機構により前記吐出ノズルを清掃させるための処理を実行する制御ユニットと、
を備えることを特徴とするものである。
【0011】
請求項記載の発明は、請求項1または2記載のレジスト塗布装置であって、
前記カメラが取得した撮像データをオペレータに表示するためのモニタと、
前記クリーニング機構による前記吐出ノズルの清掃を、前記オペレータが手動で指示するためのマニュアル指示機構と、
を備えることを特徴とするものである。
【0012】
請求項記載の発明は、半導体ウェハ上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であって、
半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノズルと、
撮像データをカメラに供給するファイバースコープと、
前記ファイバースコープの先端を前記吐出ノズルの先端位置に移動させるファイバー駆動部とを備え、
前記ファイバースコープは、前記吐出ノズルからレジストが吐出される状態を撮像することができ、かつ、ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出が停止された直後の状態と、サックバックの後の状態とを撮像することができることを特徴とするものである。
【0013】
請求項記載の発明は、請求項記載のレジスト塗布装置であって、前記サックバックが正常に行われた場合の状態を表す画像データと、前記カメラが取得した撮像データとを比較して、前記サックバックが正常であるか否かを判断するサックバック状態判断部を備えることを特徴とするものである。
【0014】
請求項記載の発明は、請求項記載のレジスト塗布装置であって、前記サックバック状態判断部によって前記サックバックが正常でないと判断された場合に、前記サックバックの条件を自動的に調整するサックバック条件調整機構を備えることを特徴とするものである。
【0015】
請求項記載の発明は、請求項5または6記載のレジスト塗布装置であって、
前記カメラが取得した撮像データをオペレータに表示するためのモニタと、
前記サックバックの条件をオペレータが手動で調整するためのマニュアル機構と、
を備えることを特徴とするものである。
【0016】
請求項記載の発明は、半導体ウェハ上にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、
前記レジストを吐出する吐出ノズルの開口内の画像を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記吐出ノズルの開口内に異物が付着しているか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップで異物が認識された場合に、前記吐出ノズルの開口内から前記異物を除去するクリーニングステップと、
を含むことを特徴とするものである。
【0017】
請求項記載の発明は、半導体ウェハ上にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、
吐出ノズルから前記レジストが吐出される状態を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記レジストが前記吐出ノズルから適正に吐出されているか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップで、前記レジストが適正に吐出されていないと判断された場合に、前記レジストの吐出条件を調整する条件調整ステップとを含み
前記撮像ステップは、ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出が停止された直後の状態と、サックバックの後の状態とを撮像するサブステップを含み、
前記判断ステップは、前記レジストの吐出が停止された直後の状態と、前記サックバックの後の状態とに基づいて、サックバックの条件が適正であるか否かを判断するサブステップを含み、
前記条件調整ステップは、サックバックの条件が適正でないと判断された場合に、そのサックバック条件を調整するサブステップを含むことを特徴とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。尚、各図において共通する要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【0019】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1のレジスト塗布装置の特徴部分の概要を表すブロック図である。また、図2は、レジスト塗布装置の一般的な構成を説明するための平面図を示す。本実施形態のレジスト塗布装置は、図2に示す一般的な構成に対して、図1に示す特徴部分を加えることで実現されている。
【0020】
図2に示すように、本実施形態のレジスト塗布装置は、レジスト塗布室20の中にノズルブロック10を備えている。ノズルブロック10には、複数の吐出ノズル12が保持されている。複数の吐出ノズル12は、吐出すべきレジストの種類の応じて、適宜選択的に用いられる。
【0021】
レジスト塗布室20の中には、また、処理カップ22が設けられている。処理カップ22の中には、静電力などで半導体ウェハ(図示せず)を保持するチャック24が設けられている。チャック24は、その上に置かれる半導体ウェハを、処理カップ22の内部で、紙面に平行な平面内で回転させることができる。
【0022】
処理カップ22の近傍には、アーム駆動部26が設けられている。アーム駆動部26には、アーム28が連結されている。アーム駆動部26は、アーム28を、図2における左右方向に移動させることができる。また、アーム28は、ノズルブロック10上の任意の吐出ブロック12の位置に合わせて、ノズル保持部30を図2における上下方向に移動させることができる。
【0023】
レジスト塗布装置は、レジストの塗布が要求される場合、先ず、塗布すべきレジストの種類に応じて使用する吐出ノズル12を決定する。次に、アーム28を移動させて任意の吐出ノズル12をノズル保持部30にセットする。次いで、吐出ノズル12を半導体ウェハの回転中心付近に移動させる。そして、所定速度で回転している半導体ウェハの中心付近に、吐出ノズル12からレジストを吐出する。半導体ウェハ上に吐出されたレジストは、遠心力によりウェハ全面に均一に広がり、膜厚の均一なレジスト膜となる。
【0024】
図1に示すように、本実施形態のレジスト塗布装置は、ファイバースコープ32、およびCCDカメラ34を備えている。ファイバースコープ32は、その先端部分を自由に移動させ得るだけの柔軟性を有している。CCDカメラ34は、ファイバースコープ32の先端部が捕らえた光を画像データとして取り込むことができる。CCDカメラ34には、制御ユニット36が接続されている。また、制御ユニット36には、モニタ38が接続されている。モニタ38は、CCDカメラ34によって撮像された画像をレジスト塗布装置のオペレータに対して表示することができる。
【0025】
制御ユニット36には、また、ファイバー駆動部40が接続されている。ファイバー駆動部40は、ファイバースコープ32の先端付近を支持しており、その先端付近を、制御ユニット36の指示に従って3次元的に移動させることができる。
【0026】
図3は、ファイバースコープ32の動作をより詳しく説明するための図を示す。上述の如く、本実施形態のレジスト塗布装置は、アーム28のノズル保持部30によって、レジスト塗布室20の内部に準備されている全ての吐出ノズル12をノズルブロック10から取り上げることができる。ファイバー駆動部40は、このようにして取り上げられた任意の吐出ノズル12の開口内がファイバースコープ32で撮像できるように、ファイバースコープ32の先端付近を自由に移動させることができる。
【0027】
制御ユニット36には、更に、コントローラ42が接続されている。また、コントローラ42には、クリーニング機構駆動部44が接続されている。クリーニング機構駆動部44には、ブラシ46を備えた回転駆動部48が固定されている。クリーニング機構駆動部44は、コントローラ42の指示に従ってブラシ46を3次元的に移動させることができる。
【0028】
図4(A)および図4(B)は、ブラシ46の動作をより詳しく説明するための図を示す。上述したクリーニング機構駆動部44は、より具体的には、図4(A)に示すように、ブラシ46を、レジスト塗布室20内でノズル保持部30に取り上げられている任意の吐出ノズル12の開口付近に移動させることができる。更に、クリーニング機構駆動部44は、図4(B)に示すように、ブラシ46を吐出ノズル12の開口内に挿入させることができる。回転駆動部48は、吐出ノズル12の中に挿入されたブラシ46を回転させることができる。ブラシ46は吐出ノズル12の清掃に適した大きさを有しているため、上記の如くブラシ46を回転させると、吐出ノズル12の開口部に付着していた異物14を除去することができる。
【0029】
次に、図5を参照して、本実施形態のレジスト塗布装置の動作について説明する。図5は、レジスト塗布装置が、半導体ウェハ上にレジストを塗布する際に実行する一連の処理の流れを表すフローチャートである。
図5に示すルーチンによれば、先ず、塗布すべきレジストの種類に応じて、適切な吐出ノズル12がアーム28によって取り上げられる(ステップ100)。
【0030】
次に、取り上げられた吐出ノズル12の開口内部が撮像できる位置に、ファイバースコープ32の先端部が移動される(ステップ102)。
ファイバースコープ32が適切な位置に到達した後、CCDカメラ34により、吐出ノズル12の開口内部の画像が取り込まれる(ステップ104)。
【0031】
制御ユニット36には、予め、異物14が存在しない正常な開口内部の様子を表した画像が記憶されている。上記ステップ104において、CCDカメラ34によって開口内部の画像が取り込まれると、次に、その画像と、予め記憶されている正常状態の画像とを比較する処理が実行される(ステップ106)。
【0032】
上記ステップ106における画像処理の結果に基づいて、検査対象たる吐出ノズル12の開口部に異物14が存在するか否かが判断される(ステップ108)。
その結果、異物が存在ステップしないと判断された場合は、以後、通常の手法でレジストを塗布する処理が続行される(ステップ110)。
一方、異物が存在すると判断された場合は、ブラシ46によるクリーニング処理が自動的に実行された後(ステップ112)、再び上記ステップ102以降の処理が実行される。
【0033】
上述の如く、本実施形態のレジスト塗布装置は、ファイバースコープ32を用いて吐出ノズル12の画像を直接取り込み、その画像に基づいて異物14の存在を判断する。更に、異物14が認められる場合には、自動的にその異物14をブラシ46により除去することができる。このため、本実施形態の装置によれば、常に、吐出ノズル12の中に異物14が存在しないことが保証された状態で、安定した条件の下で、半導体ウェハ上にレジストを塗布することができる。従って、本実施形態の装置によれば、レジストの塗布ムラなどの不具合を確実に防止することができる。
【0034】
ところで、上記の説明では、吐出ノズル12に異物14が存在しているか否かをレジスト塗布装置が自動的に判断し、更に、異物14が存在する場合には、レジスト塗布装置が自動的に異物14のクリーニングを行うこととしているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、異物14が存在するか否かは、モニタ38に表示される画像に基づいて、オペレータが判断することとしてもよい。更に、クリーニングの実行は、オペレータによる開始指示により実行されることとしてもよい。
【0035】
実施の形態2.
次に、図6を参照して、本発明の実施の形態2のレジスト塗布装置について説明する。実施の形態1のレジスト塗布装置、および本実施形態のレジスト塗布装置は、何れも、吐出ノズル12の先端付近でレジストが固形化するのを防ぐために、いわゆるサックバックを実行する。すなわち、吐出ノズル12からレジストを塗布した後に、吐出ノズル12の先端付近に残存するレジストを僅かに吸い上げて、吐出ノズル12の先端付近でレジストが固形化するのを防止する。
【0036】
実施の形態1および2のレジスト塗布装置は、上述したサックバックの処理を可能とするため、レジストの供給経路にレジスト貯留室を備えている。レジスト貯留室の上流側には、レジストの供給を制御するための開閉弁が設けられている。また、上記のレジスト貯留室は、その内部の体積を変化させるダイヤフラム弁を備えている。上記の構成によれば、開閉弁を閉じることによりレジストの吐出を停止させることができる。そして、その後、ダイヤフラム弁によりレジスト貯留室の体積を増大させることにより、サックバックを実現することができる。
【0037】
サックバックに伴うレジストの吸い上げ速度は、ダイヤフラム弁の動作速度を制御するスピードコントローラなどにより調整することができる。その吸い上げ速度が過度に高速であると、サックバックに伴って吐出ノズル12の中に空気が混入するなどの不都合が起きることがある。このため、上記のスピードコントローラの条件など、サックバックの特性を決める条件は、空気の混入などの不都合が生じないように適切に設定する必要がある。本実施形態のレジスト塗布装置は、特に、上述したサックバック条件を、自動的に調整するための駆動部を備えているものとする。
【0038】
図6は、本実施形態のレジスト塗布装置が、サックバック条件を調整するために実行する一連の処理の流れを説明するためのフローチャートを示す。
図6に示すように、本実施形態では、先ず、調整の対象として選択された吐出ノズル12がアーム28によって取り上げられる(ステップ120)。
【0039】
次に、取り上げられた吐出ノズル12の先端部分が撮像できる位置にファイバースコープ32の先端が移動される(ステップ122)。
ファイバースコープ32が適切な位置に到達した後、レジストのダミーディスペンスが実行される(ステップ124)。
レジストの吐出が停止された後、サックバックによってレジストが吸い上げられる様子がCCDカメラ34によって撮像される(ステップ126)。
【0040】
制御ユニット36には、予め、サックバック条件が適正である場合におけるレジストの挙動が画像データとして記憶されている。上記ステップ126において、CCDカメラ34によってレジストの様子を表す画像が取り込まれると、次に、その画像と、予め記憶されている正常状態の画像とが比較される(ステップ128)。
【0041】
次に、上記ステップ128における画像処理の結果に基づいて、サックバック時のレジスト挙動が適正であるか否かが判断される。より具体的には、サックバックの前に吐出ノズル12の先に残存していたレジストの量(長さ)、サックバックの過程でレジストが吸い上げられる速度、更には、サックバック後に吐出ノズル12の先端とレジスト表面との間に確保される距離などが適正であるか否かが判断される(ステップ130)。
【0042】
その結果、サックバックに伴うレジストの挙動が適正であると判断された場合は、条件の調整が不要であるから、そのまま今回のルーチンが終了される。一方、レジストの挙動が適正ではないと判断された場合は、サックバック条件の調整が自動的に実行された後(ステップ132)、再び上記ステップ122以降の処理が実行される。
【0043】
上述の如く、本実施形態のレジスト塗布装置は、ファイバースコープ32を用いて、サックバック時におけるレジストの挙動を直接撮像し、その結果得られた画像に基づいてサックバック条件が適正であるか否かを判断する。更に、本実施形態の装置は、サックバック条件が不適正である場合には、その条件を自動的に適正な条件に調整する。このため、本実施形態の装置では、サックバック条件が不適当な条件のまま維持されることがなく、レジスト内への空気の混入が有効に防止される。
【0044】
ところで、上記の説明では、サックバック条件が適正であるか否かをレジスト塗布装置が自動的に判断し、更に、その条件が不適正である場合には、レジスト塗布装置が自動的に条件調整を行うこととしているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、サックバック条件が適正か否かは、モニタ38に表示される画像に基づいて、オペレータが判断することとしてもよい。更に、サックバック条件の調整は、オペレータによる開始指示により実行されることとしても、或いはオペレータが手動で行うこととしてもよい。
【0045】
また、上記の実施形態では、調整の対象がサックバック条件に限定されているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、ファイバースコープ32によって吐出ノズル12から吐出されるレジストの状態を撮像し、その結果に基づいてレジストの吐出条件を調整することとしてもよい。
【0046】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、ファイバースコープによって吐出ノズルの先端付近の画像を撮像し、その画像に基づいて直接的にレジスト塗布工程の管理を行うことができる。このため、本発明によれば、半導体ウェハ上に安定した条件でレジストを塗布するうえで必要な状況を常に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1のレジスト塗布装置の特徴部分の概要を表すブロック図である。
【図2】 レジスト塗布装置の一般的な構造を表す平面図である。
【図3】 実施の形態1のレジスト塗布装置の特徴的動作を説明するための図(その1)である。
【図4】 実施の形態1のレジスト塗布装置の特徴的動作を説明するための図(その2)である。
【図5】 実施の形態1のレジスト塗布装置が半導体ウェハ上にレジストを塗布するために実行する一連の処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【図6】 実施の形態2のレジスト塗布装置がサックバック条件を調整するために実行する一連の処理の流れを説明するためのフローチャートである。
【図7】 従来のレジスト塗布装置が備えるノズルブロックを側面視で表した図である。
【図8】 異物の付着した吐出ノズルと正常な吐出ノズルとを対比して表した図である。
【符号の説明】
10 ノズルブロック
12 吐出ノズル
14 異物
32 ファイバースコープ
34 CCDカメラ
36 制御ユニット
38 モニタ
40 ファイバー駆動部
42 コントローラ
44 クリーニング機構駆動部
46 ブラシ
48 回転駆動部

Claims (9)

  1. 半導体ウェハ上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であって、
    半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノズルと、
    撮像データをカメラに供給するファイバースコープと、
    前記ファイバースコープの先端を前記吐出ノズルの開口内が撮像できる位置に移動させるファイバー駆動部と、
    前記吐出ノズルの開口内をクリーニングするためのクリーニング機構と、
    前記クリーニング機構を、前記吐出ノズルの位置に応じた適切な位置に移動させるクリーニング機構駆動部と、
    を備えることを特徴とするレジスト塗布装置。
  2. 正常な吐出ノズルの開口内の状態を表す画像データと、前記カメラが取得した撮像データとを比較して、前記吐出ノズルの先端に異物が存在するか否かを判断する異物判断部と、
    前記異物判断部によって異物の存在が認識された場合に、前記クリーニング機構により前記吐出ノズルを清掃させるための処理を実行する制御ユニットと、
    を備えることを特徴とする請求項記載のレジスト塗布装置。
  3. 前記カメラが取得した撮像データをオペレータに表示するためのモニタと、
    前記クリーニング機構による前記吐出ノズルの清掃を、前記オペレータが手動で指示するためのマニュアル指示機構と、
    を備えることを特徴とする請求項または記載のレジスト塗布装置。
  4. 半導体ウェハ上にレジストを塗布するレジスト塗布装置であって、
    半導体ウェハ上にレジストを塗布する吐出ノズルと、
    撮像データをカメラに供給するファイバースコープと、
    前記ファイバースコープの先端を前記吐出ノズルの先端位置に移動させるファイバー駆動部とを備え、
    前記ファイバースコープは、前記吐出ノズルからレジストが吐出される状態を撮像することができ、かつ、ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出が停止された直後の状態と、サックバックの後の状態とを撮像することができることを特徴とするレジスト塗布装置。
  5. 前記サックバックが正常に行われた場合の状態を表す画像データと、前記カメラが取得した撮像データとを比較して、前記サックバックが正常であるか否かを判断するサックバック状態判断部を備えることを特徴とする請求項記載のレジスト塗布装置。
  6. 前記サックバック状態判断部によって前記サックバックが正常でないと判断された場合に、前記サックバックの条件を自動的に調整するサックバック条件調整機構を備えることを特徴とする請求項5記載のレジスト塗布装置。
  7. 前記カメラが取得した撮像データをオペレータに表示するためのモニタと、
    前記サックバックの条件をオペレータが手動で調整するためのマニュアル機構と、
    を備えることを特徴とする請求項5または6記載のレジスト塗布装置。
  8. 半導体ウェハ上にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、
    前記レジストを吐出する吐出ノズルの開口内の画像を撮像する撮像ステップと、
    前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記吐出ノズルの開口内に異物が付着しているか否かを判断する判断ステップと、
    前記判断ステップで異物が認識された場合に、前記吐出ノズルの開口内から前記異物を除去するクリーニングステップと、
    を含むことを特徴とするレジスト塗布工程の管理方法。
  9. 半導体ウェハ上にレジストを塗布する工程を管理する方法であって、
    吐出ノズルから前記レジストが吐出される状態を撮像する撮像ステップと、
    前記撮像ステップで取得した画像に基づいて、前記レジストが前記吐出ノズルから適正に吐出されているか否かを判断する判断ステップと、
    前記判断ステップで、前記レジストが適正に吐出されていないと判断された場合に、前記レジストの吐出条件を調整する条件調整ステップとを含み
    前記撮像ステップは、ダミーディスペンスの際に、前記吐出ノズルからのレジストの吐出が停止された直後の状態と、サックバックの後の状態とを撮像するサブステップを含み、
    前記判断ステップは、前記レジストの吐出が停止された直後の状態と、前記サックバックの後の状態とに基づいて、サックバックの条件が適正であるか否かを判断するサブステップを含み、
    前記条件調整ステップは、サックバックの条件が適正でないと判断された場合に、そのサックバック条件を調整するサブステップを含むことを特徴とするレジスト塗布工程の管理方法。
JP2000379646A 2000-12-14 2000-12-14 レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法 Expired - Fee Related JP3893241B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000379646A JP3893241B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法
KR1020010048439A KR100687156B1 (ko) 2000-12-14 2001-08-11 레지스트 도포 장치 및 레지스트 도포 공정의 관리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000379646A JP3893241B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002177845A JP2002177845A (ja) 2002-06-25
JP3893241B2 true JP3893241B2 (ja) 2007-03-14

Family

ID=18847966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000379646A Expired - Fee Related JP3893241B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3893241B2 (ja)
KR (1) KR100687156B1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839154B1 (ko) * 2001-10-13 2008-06-19 삼성전자주식회사 포토레지스트 클리닝 장치
KR100877472B1 (ko) * 2002-01-22 2009-01-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치
JP4982527B2 (ja) 2009-06-08 2012-07-25 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5336441B2 (ja) * 2010-08-24 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR101098454B1 (ko) * 2010-10-08 2011-12-23 나노에프에이 주식회사 영상 처리를 이용한 포토레지스트 도포 공정의 검사 방법 및 이에 이용되는 포토레지스트 도포 공정의 검사 시스템
JP5892756B2 (ja) * 2011-09-26 2016-03-23 株式会社東芝 塗布方法及び塗布装置
CN116020815A (zh) * 2021-10-26 2023-04-28 北京方正印捷数码技术有限公司 喷嘴清洗设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176734A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Sony Corp レジスト塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002177845A (ja) 2002-06-25
KR100687156B1 (ko) 2007-02-27
KR20020046908A (ko) 2002-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101608509B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101184808B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
US10155246B2 (en) Adjusment method of chemical liquid supply device, non-transitory storage medium, and chemical liquid supply device
JP4810411B2 (ja) 処理装置
JP5314657B2 (ja) ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP3893241B2 (ja) レジスト塗布装置およびレジスト塗布工程の管理方法
JP3718647B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JPH1076203A (ja) 液処理方法及びその装置
JP4252740B2 (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
JP4040270B2 (ja) 基板の処理装置
JP5127080B2 (ja) 液処理装置
JP2003347205A (ja) 処理液供給機構および処理液供給方法
JPH11329936A (ja) 基板処理装置
JP3386656B2 (ja) 塗布液の乾燥防止方法及びその装置
JP2001198515A (ja) 薄膜形成装置及び薄膜除去装置
JP3970432B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3458063B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP3920897B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JP2003347206A (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
JP3920608B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JP3544801B2 (ja) 処理液供給方法およびその装置
JP4024351B2 (ja) 現像装置
KR20070000922A (ko) 린스된 웨이퍼 에지 영역을 확인하기 위한 모니터링유니트를 갖는 반도체 소자 제조용 장치
JPH0582431A (ja) 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040330

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040511

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20051019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees