JP6239893B2 - ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 - Google Patents
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Description
このCMP装置は、一般的に、研磨パッドを回転させる研磨テーブルと、基板(半導体ウェハ)を研磨パッドに押圧するためのトップリングと、研磨パッドをドレッシングするためのドレッシングリングとを備えている。CMP装置は、研磨材を含む研磨砥液をスラリーラインから研磨パッドの上面に供給し、トップリングが保持した基板を回転している研磨テーブル上の研磨パッドに接触させることで基板を研磨するとともに、ドレッシングリングを研磨パッドに接触させて、研磨後の研磨パッド表面の目立て・再生を行う。
図6は従来のウェット処理装置の例を示す概略側面図である。
図6に示すように、ウェット処理装置100は、基板処理装置本体及び搬送装置を搭載するための、剛性の高いベースフレーム101を備え、ベースフレーム101の大きさに合わせた複数の防水パン102(ここでは二つ)が、その端部同士が重なるようにベースフレーム101上に配置されている。防水パン102は、基板処理に用いられた処理液を受け入れることができるように構成されており、装置外部へ処理液が漏洩することを防止している。
さらに、このウェット処理装置の他、一つのベースフレーム上に複数の防水パンを互いに離間するように配置しつつ、その離間した防水パンの端部間を他の部材で覆うことも知られている。
しかしながら、基板処理装置のような半導体製造装置は、フットプリント(装置の占有
面積)最小化、及び生産性(時間当たりの処理基板枚数/フットプリント)最大化を達成すべく、装置構造が改良されているので、その装置構造は複雑であり、特にウェット処理装置を有する基板処理装置の場合は、ベースフレーム及び防水パンが複雑な構造を成している。
図7aに示すように、ウェット処理装置110は、第1のベースフレーム111と、第2のベースフレーム112とを有している。また、第1のベースフレーム111上には、第1のベースフレーム111の大きさに合わせた第1の防水パン113が配置され、第2のベースフレーム112上には、第2のベースフレーム112に大きさに合わせた第2の防水パン114が配置されている。
続いて、図7dに示すように、第1の防水パン113の端部が第2の防水パン114の端部に対して上から重なるように、第1のベースフレーム111を下す。
図1に示すように、このCMP装置1は、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C及び第4研磨ユニット3Dと、第1研磨ユニット3A及び第2研磨ユニット3Bに基板を搬送するための第1搬送機構2Aと、第3研磨ユニット3C及び第4研磨ユニット3Dに基板を搬送するための第2搬送機項2Bと、を有している。さらに、CMP装置1は、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B及び第1搬送機項2Aにおいて基板処理時に発生する液体を受けるためのウェット処理装置10と、第3研磨ユニット3C、第3研磨ユニット3D及び第2搬送機項2Bにおいて基板処理時に発生する液体を受けるためのウェット処理装置11と、を有している。
図2は、本実施形態に係るウェット処理装置10の概略側面図である。
図示のようにウェット処理装置10は、図1に示した第1研磨ユニット3A及び第2研磨ユニット3B(基板処理機)を搭載可能に構成された第1のベースフレーム13と、図1に示した第1搬送機構2A(基板搬送機)を搭載可能に構成され、第1のベースフレーム13と隣接して配置された第2のベースフレーム14とを備えている。また、第1のベースフレーム13の基板処理機を搭載する搭載面13aには、搭載面13aの大きさ(占有面積)に合わせた第1の防水パン15が配置され、第2のベースフレーム14の基板搬送機を搭載する搭載面14aには、搭載面14aに大きさ(占有面積)に合わせた第2の防水パン16が配置されている。
第1の防水パン15の端部15aには、可撓性を有する板状構造体17が設けられている。板状構造体17は、第1の防水パン15の端部15aと第2の防水パン16の端部16aとの隙間を覆うように構成されており、第1の防水パン15の端部15aと第2の防水パン16の端部16aとの間を防水することができる。
板状構造体17は、例えば、接着、溶接、リベット接合、ねじ接合により、第1の防水パン15の端部に取り付けられている。
板状構造体17は、第1の防水パン15及び第2の防水パン16の材質よりも剛性の小さいものであって、柔軟性がある材質、例えば軟質の塩化ビニル、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、ゴム、プラスチックなどの合成樹脂、または金属から形成される。また、板状構造体17は、第1の防水パン15及び第2の防水パン16の材質よりも剛性の小さい公知の材料から成る織物、不織布又はこれらの織物および不織布に樹脂を含有させた板状(シート状)の構造体であってもよい。
図3は、分割されたウェット処理装置10の組み立て工程を説明する図である。
図3aに示すように、第1のベースフレーム13と第2のベースフレーム14に、予め夫々第1の防水パン15及び第2の防水パン16が設置されている状態で、第1のベースフレーム13と第2のベースフレーム14がクリーンルーム等に搬入される。また、第1の防水パン15の端部15aには、予め板状構造体17が取り付けられている。
このとき、第1の防水パン15の端部15aの高さが、第2のベースフレーム14の端部14aの高さよりも高く構成されているので、第1のベースフレーム13を第2のベースフレーム14に隣接するように移動させても、第1の防水パン15の端部15aが第2のベースフレーム14の端部14aに接触することがなく、各防水パンの破損を確実に防止することができる。
このとき、板状構造体17は、第1の防水パン15及び第2の防水パン16の材質よりも軟質な材質で形成されているので、第2の防水パン16と接触しても、第2の防水パンを破損させることがない。また、板状構造体17は、可撓性を有している、即ち湾曲可能な程度に柔軟性を有しており、必要に応じて変形して、第2の防水パン16と接触しても破損しないように構成されている。また、板状構造体17には、上述したようにスリットが形成されているので、より柔軟に湾曲することができ、板状構造体17と第2の防水パン16との接触による互いの破損をより確実に防止することができる。
パン16との隙間を板状構造体17により確実に防水することができ、且つ、第1の防水パン15及び第2の防水パン16を破損させることなく、容易に組み立てることができる。
また、第1の防水パン15の端部15aが、第2の防水パン16の端部16aと少なくとも一部が平面視上重なるように構成され、この端部15aに板状構造体17が取り付けられているので、第1の防水パン15が受けた処理液が、板状構造体17を介して確実に第2の防水パン16へ流れ込むので、処理液の漏洩を防止することができる。
さらに、予め第1の防水パン15に板状構造体が取り付けられた状態で、ウェット処理装置10の組み立てを行うことができるので、現場で板状構造体17を取り付ける必要がなく、現場での作業時間を短縮することができる。
また、本実施形態では、板状構造体17は、相対的に高い位置に配置された第1の防水パン15の端部15aに取り付けられているが、これに代えて第2の防水パン16の端部16aに取り付けるようにしてもよい。この場合は、板状構造体17は、第2の防水パン16の端部16aに取り付けられた状態で鉛直方向に自立可能な程度の剛性を有する材料が選択される。
Claims (7)
- 第1ベースフレームと、
前記第1ベースフレームに隣接して配置される第2ベースフレームと、
前記第1ベースフレームの上面に設置される第1防水パンと、
前記第2ベースフレームの上面に設置される第2防水パンと、
前記第1防水パン又は前記第2防水パンに取り付けられ、前記第1防水パンと前記第2防水パンとの隙間を防水するように構成された、可撓性を有する構造体と、を備えた、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。 - 前記第1防水パンの端部は、前記第2防水パンの端部と少なくとも一部が平面視上重なるように構成され、
前記構造体は、前記第1防水パンの前記端部又は前記第2防水パンの前記端部に取り付けられた、請求項1に記載された、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。 - 前記第1防水パンの前記端部は、前記第2防水パンの前記端部よりも高い位置に配置された、請求項2に記載された、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。
- 前記構造体は、合成樹脂又は金属で形成され、前記第1ベースフレーム及び第2ベースフレームより剛性が小さい、請求項1ないし3のいずれか一項に記載された、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。
- 前記構造体は、板状、ブラシ状又はすだれ状に形成された、請求項1ないし4のいずれか一項に記載された、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。
- 前記第1ベースフレームは基板処理機を搭載可能に構成され、
前記第2ベースフレームは基板搬送機を搭載可能に構成された、請求項1ないし5のい
ずれか一項に記載された、基板を処理する基板処理装置に用いられるウェット処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載されたウェット処理装置を備えた、基板処理装置。
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