CN113439235A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明基片处理装置，包括：成膜处理部，进行基片的表面的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，取得表示基片的表面的状态的表面信息；和控制成膜处理部与表面检查部的控制部。控制部实施：调节处理，包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部使覆膜的周边部分除去的工序；使表面检查部取得表面信息，该表面信息表示包含周边部分已被除去了的覆膜的基片的表面的状态并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用成膜处理部使周边部分已被除去了的覆膜剥离的工序，和工艺处理，包括：利用成膜处理部在基片表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部按照在调节处理中所调节的除去宽度除去周边部分的工序。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1中公开有一种液处理装置，其包括：用于使圆形的基片从保持为水平，绕铅直轴旋转的基片保持部；为了将通过该基片保持部进行旋转的基片的周边部的膜除去，而用于将药液供给到该周边部的药液喷嘴。该液处理装置具有判断部，其基于对将基片的周边在周方向上等分的多个拍摄区域进行拍摄所获得的拍摄结果，进行基片保持部的旋转中心与基片的中心的偏移量的计算。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-168429号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法，其能够将在覆膜的周边部分的除去宽度调节中使用的基片有效地利用。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方面的基片处理装置，其包括：成膜处理部，其进行基片的表面的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，其取得表示基片的表面的状态的表面信息；和控制成膜处理部和表面检查部的控制部。控制部实施以下处理：调节处理，其包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部使覆膜的周边部分除去的工序；使表面检查部取得表面信息，该表面信息表示包含周边部分已被除去了的覆膜的基片的表面的状态，并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用成膜处理部使周边部分已被除去了的覆膜剥离的工序，和工艺处理(加工处理)，其包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆膜的工序；和利用成膜处理部按照在调节处理中所调节的除去宽度来除去周边部分的工序。
发明效果
依据本发明，其提供一种基片处理装置和基片处理方法，能够将在覆膜的周边部分的除去宽度调节中使用的基片有效地利用。
附图说明
图1是例示基片处理系统的概略结构的示意图。
图2是例示从涂布显影装置的侧面看到的内部结构的示意图。
图3是例示从涂布显影装置的上面看到的内部结构的示意图。
图4是例示涂布单元的结构的示意图。
图5是例示检查单元的结构的示意图。
图6是例示控制装置的功能结构的模块图。
图7是例示控制装置的硬件结构的模块图。
图8是表示调节处理流程的一例的流程图。
图9是表示条件设定处理流程的一例的流程图。
图10是表示动作条件的修正流程的一例的流程图。
图11(a)～图11(c)是用于说明调节处理流程中的基片表面的样子的图。
图12(a)～图12(c)是用于说明调节处理流程中的基片表面的样子的图。
图13是用于说明调节处理流程中计算出的除去宽度的图。
具体实施方式
以下，关于各种例示的实施方式进行说明。在说明中，对于具有相同要素或者相同功能的要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。以下，为了使位置关系明确，规定了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，使Z轴正方向作为铅直向上。
[基片处理系统]
基片处理系统1是对于基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。处理对象的基片例如是半导体的晶片W。晶片W形成为圆形。在晶片W的周边Wc也可以形成有用于表示该晶片W的方向的缺口即凹口(notch)。感光性覆膜例如可以是抗蚀剂膜。
基片处理系统1具有涂布·显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行在晶片W(基片)上形成的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。具体而言，曝光装置3利用液浸曝光等的方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂布·显影装置2在基于曝光装置3进行的曝光处理之前，对晶片W(基片)的表面进行形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
[基片处理装置]
以下，作为基片处理装置的一例，说明涂布·显影装置2的结构。如图1和图2所示，涂布·显影装置2包括载体模块4、处理模块5、接口模块6和控制装置100(控制部)。
载体模块4进行向涂布·显影装置2内的晶片W的导入和从涂布·显影装置2内的晶片W的导出。例如载体模块4能够支承晶片W用的多个载体C(收容部)，内置有包括交接臂的搬送装置A1。载体C例如收容圆形的多个晶片W。搬送装置A1从载体C取出晶片W交接到处理模块5，并从处理模块5接收晶片W送回载体C内。处理模块5具有多个处理组件11、12、13、14。
处理组件11内置有多个涂布单元U1、多个热处理单元U2、向这些单元搬送晶片W的搬送装置A3。处理组件11利用涂布单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。处理组件11的涂布单元U1将下层膜形成用的处理液涂布在晶片W上。处理组件11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。热处理单元U2例如内置有热板和冷却板，利用热板对晶片W加热，并利用冷却板对加热后的晶片W进行冷却来进行热处理。
处理组件12(成膜处理部)内置有多个涂布单元U1、多个热处理单元U2、多个检查单元U3、和向这些单元搬送晶片W的搬送装置A3(参照图3)。处理组件12利用涂布单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理组件12的涂布单元U1将抗蚀剂膜形成用的处理液涂布在下层膜上，由此在晶片W的表面形成涂布膜AF。另外，处理组件12的涂布单元U1将覆膜的至少一部分除去。例如，处理组件12的涂布单元U1在涂布膜AF形成后将该涂布膜AF的周边部分除去，由此形成周边部分被除去了的涂布膜(以下称为“涂布膜RF”。)。在除去涂布膜AF的周边部分时，处理组件12的涂布单元U1将用于除去涂布膜AF的周边部分的药液涂布在涂布膜AF上。处理组件12的涂布单元U1也可以在晶片W的整周除去涂布膜AF的周边部分。
处理组件12的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。处理组件12的热处理单元U2对形成有涂布膜RF的晶片W实施热处理来形成抗蚀剂膜R。检查单元U3进行用于检查晶片W的表面Wa的状态的处理。例如，检查单元U3取得表示晶片W的表面Wa的状态的信息(以下称为“表面信息”。)。此外，以下，存在将涂布膜AF、涂布膜RF和抗蚀剂膜R总称为“抗蚀剂覆膜”的情况。像这样，处理组件12具有多个涂布单元U1(多个处理单元)，其进行晶片W的表面Wa的抗蚀剂覆膜的形成和抗蚀剂覆膜的至少一部分的除去。
处理组件13内置有多个涂布单元U1、多个热处理单元U2、向这些单元中搬送晶片W的搬送装置A3。处理组件13利用涂布单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜R上形成上层膜。处理组件13的涂布单元U1将上层膜形成用的液体涂布在抗蚀剂膜R上。处理组件13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理组件14内置有多个涂布单元U1、多个热处理单元U2、向这些单元搬送晶片W的搬送装置A3。处理组件14利用涂布单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀剂膜R的显影处理。处理组件14的涂布单元U1在曝光完成的晶片W的表面上涂布显影液后，将其用冲洗液冲洗，由此进行抗蚀剂膜R的显影处理。处理组件14的热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举例显影处理前的加热处理(PEB：Post ExposureBake)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。
在处理模块5内的载体模块4侧设置有搁板单元(搁架单元)U10。搁板单元U10被划分为在上下方向上排列的多个单元格。搁板单元U10的近旁设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7在搁板单元U10的单元格彼此间使晶片W升降。
在处理模块5内的接口模块6侧设置有搁板单元U11。搁板单元U11被划分为在上下方向上排列的多个单元格。
接口模块6在与曝光装置3之间进行晶片W的交接。例如接口模块6内置有包含交接臂的搬送装置A8，与曝光装置3连接。搬送装置A8将配置于搁板单元U11中的晶片W交接到曝光装置3，从曝光装置3接收晶片W送回搁板单元U11中。
(搬送装置)
接着，具体说明搬送装置A3的构成的一例。如图3所示，搬送装置A3包括臂90、可动部91、移动台92、可动部93。臂90水平地支承搬送对象的晶片W。
可动部91使臂90沿着多个涂布单元U1排列的方向(Y轴方向)往复移动。可动部91包括例如使移动台92沿着Y轴方向移动的线性致动器。可动部91也可以具有产生旋转扭矩的电动机(动力源)、和架设于一对滑轮的同步带。例如通过同步带，由电动机产生的旋转扭矩被转换为沿着Y轴方向的平动的力而传递到移动台92，移动台92沿着Y轴方向移动。
可动部93设置在移动台92上，与移动台92一同移动。可动部93使臂90沿着与多个涂布单元U1排列的方向正交的方向(X轴方向)移动(使其出入)。可动部93包括例如使臂90沿着X轴方向移动的线性致动器。可动部93也可以具有产生旋转扭矩的电动机(动力源)、和架设于一对滑轮的同步带。例如通过同步带，由电动机产生的旋转扭矩转换为沿着X轴方向平动的力而传递到臂90，臂90沿着X轴方向移动。可动部93使臂90在待机位置至进出位置之间往复移动。待机位置是移动台92上的区域内的位置，进出位置是移动台92上的区域外的位置。
可动部91、93基于来自控制装置100的动作指示分别进行动作。例如对可动部91、93发送作为动作指示的表示臂90的行程量的信号。臂90的在Y轴方向上的行程量是以可动部91的靠近搁板单元U10的端部为基准位置，从该基准位置起的臂90的移动距离。臂90的在X轴方向上的行程量是从待机位置至进出位置的臂90的移动距离。可动部91、93可以分别具有编码器，其将对应于电动机的从规定位置起的旋转量的脉冲信号输出到控制装置100。例如控制装置100以使脉冲信号的计数值成为预先所设定的目标值(以下称为“脉冲目标值”。)的方式，将动作指示输出到可动部91、93。
(涂布单元)
接着，详细说明处理组件12中的涂布单元U1的构成的一例。涂布单元U1将抗蚀剂膜形成用的处理液供给到晶片W的表面Wa，形成抗蚀剂覆膜。另外，涂布单元U1向抗蚀剂覆膜的周边部供给用于除去抗蚀剂覆膜的药液，形成除去了周边部分的抗蚀剂覆膜。涂布单元U1将用于除去已被除去了周边部分的剩余的抗蚀剂覆膜的药液供给到晶片W的表面Wa，将抗蚀剂覆膜从晶片W剥离。此外，在本说明书中的“剥离”是指，将在晶片W的表面Wa剩余的抗蚀剂覆膜的大致全部除去。如图4所示，涂布单元U1具有旋转保持部20、处理液供给部30和药液供给部40。
旋转保持部20保持晶片W并使其旋转。例如旋转保持部20具有保持部21和旋转驱动部22。保持部21支承以表面Wa朝向上方的状态水平地配置的晶片W的中心部，并通过吸附(例如真空吸附)该晶片W来保持。旋转驱动部22例如以电动机作为动力源，使保持部21绕铅直的中心轴CL旋转。由此晶片W旋转。
处理液供给部30对晶片W的表面Wa供给抗蚀剂膜形成用的处理液。例如处理液供给部30具有喷嘴31、液源32、送液部33和喷嘴移动部34。喷嘴31向晶片W的表面Wa喷出处理液。液源32收容处理液，并且将该处理液压送到喷嘴31。送液部33将处理液从液源32向喷嘴31引导。例如送液部33具有送液管路L1和阀V1。送液管路L1连接液源32与喷嘴31。阀V1例如是气动阀，开闭送液管路L1内的流路。喷嘴移动部34将电动机等作为动力源使喷嘴31在水平方向上移动。例如，喷嘴移动部34使喷嘴31在中心轴CL与晶片W外的区域之间移动。阀V1和喷嘴移动部34基于来自控制装置100的动作指示进行动作。
药液供给部40对晶片W的表面Wa供给用于除去抗蚀剂覆膜的药液。药液是能够除去(溶解)由从处理液供给部30供给的处理液形成的抗蚀剂覆膜的溶剂。作为药液的具体例子，能够举例稀释剂等的有机溶剂。例如药液供给部40具有喷嘴41、液源42、送液部43和喷嘴移动部44。喷嘴41向通过旋转保持部20进行旋转的晶片W的表面Wa喷出药液。液源42收容药液并将该药液向喷嘴41侧压送。送液部43将药液从液源42向喷嘴41引导。例如送液部43具有送液管路L2和阀V2。送液管路L2连接液源42和喷嘴41。阀V2例如为气动阀，开闭送液管路L2内的流路。阀V2基于来自控制装置100的动作指示进行动作。
喷嘴移动部44以电动机等作为动力源使喷嘴41在水平方向上移动。例如，喷嘴移动部44从上方看使喷嘴41沿着大致保持水平晶片W的半径方向(例如Y轴方向)移动。喷嘴41利用喷嘴移动部44沿着晶片W的半径方向移动，由此从喷嘴41向表面Wa的药液的供给位置发生变化。因此，根据喷嘴41的配置位置，利用从喷嘴41喷出的药液被除去的抗蚀剂覆膜的周边部分的除去宽度发生改变。喷嘴移动部44基于来自控制装置100的动作指示进行动作。喷嘴移动部44具有编码器，其将对应于从电动机的规定位置起的旋转量的脉冲信号输出到控制装置100。例如，控制装置100以使脉冲信号的计数值成为预先设定的目标值(脉冲目标值)的方式，向喷嘴移动部44输出动作指示。
此外，药液供给部40可以具有喷出用于除去抗蚀剂覆膜的周边部分的药液的喷嘴；和喷出用于剥离已被除去了周边部分的抗蚀剂覆膜的药液的喷嘴。周边部分的除去用的药液和覆膜的剥离用的药液可以彼此不同。在该情况下，药液供给部40可以具有将彼此不同的药液分别供给到喷嘴的2个送液部和2个液源。
(检查单元)
接着，关于检查单元U3的构成的一例进行详细说明。检查单元U3通过拍摄晶片W的表面Wa，作为表示表面Wa的状态的表面信息取得图像数据。另外，检查单元U3利用在晶片W形成的凹口调节晶片W的方向。如图5所示，检查单元U3具有保持部51、旋转驱动部52、凹口检测部53、拍摄部57(表面检查部)。
保持部51支承以使表面Wa朝向上方的状态水平地配置的晶片W的中心部，并通过吸附(例如真空吸附)保持该晶片W。旋转驱动部52例如将电动机作为动力源，使保持部51绕铅直的中心轴旋转。由此晶片W旋转。
凹口检测部53检测晶片W的凹口。例如凹口检测部53具有投光部55和受光部56。投光部55向旋转的晶片W的周边部射出光。例如投光部55配置在晶片W的周边部的上方，向下方射出光。受光部56接收从投光部55射出的光。例如，受光部56以与投光部55相对的方式配置在晶片W的周边部的下方。旋转驱动部52、投光部55和受光部56基于来自控制装置100的动作指示进行动作。受光部56将表示受光的结果的受光信息输出到控制装置100。基于该受光信息，由控制装置100以凹口成为规定的方向的方式进行调节。即，晶片W的防锈被调节。
拍摄部57是拍摄晶片W的表面Wa的至少周边部的摄像机。例如在晶片W的表面Wa上形成有周边部分已被除去了的状态的抗蚀剂覆膜的情况下，拍摄部57在包括抗蚀剂覆膜的外边缘和晶片W的外边缘的拍摄范围中拍摄晶片W的表面Wa。拍摄部57配置在被保持于保持部51的晶片W的上方。拍摄部57根据来自控制装置100的动作指示进行动作，将所取得的图像数据输出到控制装置100。基于该图像数据，由控制装置100检查晶片W的表面Wa的状态。
(控制装置)
接着，关于控制装置100的一例进行详细说明。控制装置100控制涂布·显影装置2中包含的各要素。控制装置100以实施工艺处理(生成处理)的方式构成，上述工艺处理包括：利用涂布单元U1在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；和利用涂布单元U1以所设定的除去宽度除去抗蚀剂覆膜的周边部分的工序。另外，控制装置100以实施调节处理的方式构成，该调节处理通过设定对工艺处理中的抗蚀剂覆膜的周边部分的除去宽度造成影响的装置的动作条件来调节除去宽度。关于这些工艺处理和调节处理的详细内容在后文说明。
如图6所示，控制装置100作为功能上的构成包括：动作指令保持部110、除去控制部101、搬入控制部111、收容控制部102、剥离控制部103、条件设定部104、状态判断部105和膜形成控制部106。
动作指令保持部110存储关于抗蚀剂覆膜的周边部分的除去宽度的信息(以下称为“保持信息”。)。该保持信息中也可以包括：关于对于除去宽度造成影响的装置的动作的设定信息(动作条件)；和预先由操作员(工作人员)或者其它的装置输入的调节处理实施时的各种条件。例如，在设定信息中包括在旋转保持部20中的晶片W的保持位置、和除去周边部分时的喷嘴41的配置位置。在旋转保持部20中的晶片W的保持位置也可以根据臂90的在X轴方向和Y轴方向上的行程量来确定。调节处理的实施条件中例如包括除去宽度的目标值、反复次数的上限和设定信息的界限值等。
除去控制部101构成为实施利用涂布单元U1除去抗蚀剂覆膜的周边部分的工序。具体而言，除去控制部101基于存储在动作指令保持部110中的表示喷嘴41的配置位置的信息，控制喷嘴移动部44以使喷嘴41配置在该配置位置。另外，除去控制部101控制药液供给部40，以使得从配置于上述配置位置的喷嘴41喷出用于除去抗蚀剂覆膜的周边部分的药液。
搬入控制部111构成为实施利用搬送装置A3使抗蚀剂覆膜的形成前的晶片W配置在旋转保持部20的规定位置的工序。例如，搬入控制部111以基于存储在动作指令保持部110中的表示在旋转保持部20中的晶片W的保持位置的信息，将晶片W搬入涂布单元U1，并将晶片W配置在旋转保持部20中的该保持位置的方式控制搬送装置A3。搬入控制部111也可以以按对应于表示保持位置的信息的行程量(脉冲目标值)移动臂90的方式控制搬送装置A3。
收容控制部102也可以构成为，实施在调节处理中利用搬送装置A1从载体C(收容抗蚀剂覆膜的形成前的晶片W的载体C)将调节处理用的晶片W搬出的工序；和利用搬送装置A1、A3(搬送部)将抗蚀剂覆膜的剥离后的晶片W搬入载体C中的工序。
剥离控制部103构成为，实施利用涂布单元U1剥离周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜的工序。例如剥离控制部103以将喷嘴41配置在由旋转保持部20保持的晶片W的中心轴CL的方式控制喷嘴移动部44。另外，剥离控制部103以使从配置在中心轴CL的喷嘴41喷出用于剥离抗蚀剂覆膜的药液的方式控制药液供给部40。
条件设定部104构成为，实施使拍摄部57取得表示包括周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜的晶片W的表面Wa的状态的表面信息，并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序。例如，条件设定部104使拍摄部57在晶片W的整周或者整周中的一部分，以包括周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜的外边缘和晶片W的外边缘的的拍摄范围拍摄，由此使拍摄部57取得表示包括抗蚀剂覆膜的的晶片W的表面Wa的状态的图像数据。另外，条件设定部104根据图像数据测量周边部分已除去的宽度，基于该宽度的测量值，调节(修正)对除去宽度造成影响的装置的动作条件，由此调节周边部分的除去宽度。
状态判断部105构成为，实施使拍摄部57取得图像数据作为表示抗蚀剂覆膜的形成前的晶片W的表面Wa的状态的表面信息，并基于该图像数据判断该晶片W是否能够利用于除去宽度的调节的工序。例如，状态判断部105使拍摄部57在包括涂布膜AF的形成前的晶片W的表面Wa整体的拍摄范围拍摄晶片W的表面Wa，由此使拍摄部57取得表示该晶片W的表面Wa整体的状态的图像数据。另外，状态判断部105基于该图像数据，判断在晶片W的表面Wa是否剩余有覆膜(例如抗蚀剂覆膜)。例如，状态判断部105判断为在晶片W的表面Wa剩余有规定量以上的抗蚀剂覆膜的情况下，关于该晶片W判断为不能利用于除去宽度的调节。
膜形成控制部106构成为，实施利用涂布单元U1在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序。具体而言，膜形成控制部106以使喷嘴31配置在被旋转保持部20保持的晶片W的中心轴CL的方式控制喷嘴移动部34。另外，膜形成控制部106以使从配置于中心轴CL的喷嘴31喷出抗蚀剂膜形成用的处理液的方式控制处理液供给部30。
控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如控制装置100具有如图7所示的回路120。回路120具有一个或多个处理器121、内存122、存储器123、输入输出端口124。存储器123具有例如硬盘等、由计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使后述的工艺处理流程和调节处理流程在控制装置100中实施的程序。存储介质可以是非易失性的半导体内存、磁盘和光盘等的能够取出的介质。内存122暂时地存储从存储器123的存储介质安装的程序和由处理器121进行的运算结果。处理器121与内存122协作实施上述程序，由此构成上述的各功能组件。输入输出端口124根据来自处理器121的指令，在与控制对象的部件之间进行电信号的输入输出。
此外，控制装置100的硬件构成不一定限定于由程序构成各功能组件。例如控制装置100的各功能组件也可以由专用的逻辑电路或者集成了该逻辑电路的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
(工艺处理流程)
接着，作为涂布·显影处理的一例关于在涂布·显影装置2中实施的工艺处理流程进行说明。该工艺处理流程包括：利用涂布单元U1(处理液供给部30)在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；按照在调节处理流程中所调节的抗蚀剂覆膜的周边部分的除去宽度利用涂布单元U1(药液供给部40)除去该周边部分的工序。
在工艺处理流程中，首先，控制装置100以将载体C内的工艺处理对象的晶片W搬送到搁板单元U10的方式控制搬送装置A1，并以将该晶片W配置在处理组件11用的单元格中的方式控制搬送装置A7。
接着，控制装置100以将搁板单元U10的晶片W搬送到处理组件11内的涂布单元U1和热处理单元U2的方式控制搬送装置A3。另外，控制装置100以在该晶片W的表面上形成下层膜的方式控制涂布单元U1和热处理单元U2。之后，控制装置100以将形成了下层膜的晶片W送回搁板单元U10的方式控制搬送装置A3，并以将该晶片W配置在处理组件12用的单元格中的方式控制搬送装置A7。
接着，控制装置100以将搁板单元U10的晶片W搬送到处理组件12内的涂布单元U1和热处理单元U2中的方式控制搬送装置A3。另外，控制装置100以在该晶片W的下层膜上形成抗蚀剂膜R的方式控制涂布单元U1和热处理单元U2。例如，控制装置100以通过在晶片W的下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用的处理液而形成抗蚀剂覆膜(涂布膜AF)的方式控制涂布单元U1。并且，控制装置100以通过在晶片W上的抗蚀剂覆膜的周边部分涂布药液而除去抗蚀剂覆膜的周边部分的方式控制涂布单元U1。
接着，控制装置100以对抗蚀剂覆膜(涂布膜RF)实施热处理的方式控制热处理单元U2。之后，控制装置100以将晶片W送回搁板单元U10的方式控制搬送装置A3，并以将该晶片W配置在处理组件13用的单元格中的方式控制搬送装置A7。此外，在抗蚀剂膜R的形成后，控制装置100以将晶片W搬送到检查单元U3的方式控制搬送装置A3，并使用检查单元U3检查该晶片W的表面的状态(例如除去宽度)。
接着，控制装置100以将搁板单元U10的晶片W搬送到处理组件13内的各单元的方式控制搬送装置A3，并以在该晶片W的抗蚀剂膜R上形成上层膜的方式控制涂布单元U1和热处理单元U2。之后，控制装置100以将晶片W搬送到搁板单元U11中的方式控制搬送装置A3。
接着，控制装置100以将搁板单元U11的晶片W送出到曝光装置3的方式控制搬送装置A8。之后，控制装置100以从曝光装置3接收实施了曝光处理的晶片W，并配置在搁板单元U11中的处理组件14用的单元格中的方式控制搬送装置A8。
接着，控制装置100以将搁板单元U11的晶片W搬送到处理组件14内的各单元中的方式控制搬送装置A3，并以对该晶片W的抗蚀剂膜R实施显影处理的方式控制涂布单元U1和热处理单元U2。之后，控制装置100以将晶片W送回搁板单元U10的方式控制搬送装置A3，并以将该晶片W送回载体C内的方式控制搬送装置A7和搬送装置A1。以上，完成了工艺处理。
(调节处理流程)
接着，关于用于调节工艺处理中的抗蚀剂覆膜的周边部分的除去宽度的调节处理流程进行说明。该调节处理流程包括：在晶片W的表面Wa利用涂布单元U1(处理液供给部30)形成抗蚀剂覆膜的工序；和利用涂布单元U1(药液供给部40)除去抗蚀剂覆膜的周边部分的工序。该调节处理流程包括：使拍摄部57取得表示晶片W的表面Wa的状态的表面信息，该晶片W包括周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜，基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用涂布单元U1(药液供给部40)使周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜剥离的工序。
此外，以下，为了是说明简单，在处理组件12的多个涂布单元U1之中的一个涂布单元U1中进行一系列的调节处理流程。另外，将该涂布单元U1记作“调节对象的涂布单元U1”。并且，为了说明的方便，在一系列的调节处理流程中，设定为使用相同的晶片W，将该晶片W记作“调节处理用的晶片W”。
如图8所示，首先，控制装置100实施步骤S01在。步骤S01中，收容控制部102以从载体C搬出调节处理用的晶片W的方式控制搬送装置A1。并且，收容控制部102以将所搬出的调节处理用的晶片W配置在搁板单元U10中的处理组件12用的单元格的方式控制搬送装置A1。之后，收容控制部102以将配置于搁板单元U10的调节处理用的晶片W搬送到检查单元U3的方式控制搬送装置A3。
接着，控制装置100实施步骤S02。在步骤S02中，控制装置100实施设定前处理。在设定前处理中，首先，控制装置100以使调节处理用的晶片W的方向与规定的方向一致的方式控制检查单元U3。具体而言，控制装置100以使形成于调节处理用的晶片W的凹口成为规定的方向的方式，基于来自受光部56的受光信息控制旋转驱动部52。由此，晶片W的凹口的方向成为规定的方向(例如X轴负方向)。
接着，在设定前处理中，状态判断部105使拍摄部57拍摄没有形成抗蚀剂覆膜的调节处理用的晶片W的表面Wa，并使拍摄部57取得表示该表面Wa的状态的图像数据。状态判断部105基于该图像数据判断调节处理用的晶片W是否能够利用于除去宽度的调节。例如，状态判断部105判断为在调节处理用的晶片W的表面Wa剩余了规定量以上的抗蚀剂覆膜的情况下，关于该调节处理用的晶片W判断为不能利用于除去宽度的调节。控制装置100在判断为调节处理用的晶片W不能利用于除去宽度的调节的情况下，中断调节处理的实施，使用其它的晶片从最初实施调节处理。
在判断为调节处理用的晶片W能够用于除去宽度的调节的情况下，接着，控制装置100实施步骤S03。在步骤S03中，条件设定部104实施条件设定处理。条件设定部104在条件设定处理中，在调节处理用的晶片W上形成测试用的抗蚀剂覆膜，在除去该抗蚀剂覆膜的周边部分后，调节对除去宽度造成影响的装置的动作条件。关于步骤S03的条件设定处理的详细内容在后文说明。
接着，控制装置100实施步骤S04。在步骤S04中，例如收容控制部102以将进行了条件设定处理的调节处理用的晶片W搬入载体C中的方式控制搬送装置A3、A1。
接着，控制装置100实施步骤S05。在步骤S05中，例如收容控制部102以将调节处理用的晶片W从载体C搬出，并将调节处理用的晶片W配置在搁板单元U10中的处理组件12用的单元格中的方式控制搬送装置A1。并且，控制装置100以将配置在搁板单元U10中的调节处理用的晶片W搬送到调节对象的涂布单元U1中的方式控制搬送装置A3。
接着，控制装置100实施步骤S06。在步骤S06中，剥离控制部103以将调节处理用的晶片W的表面Wa上剩余的抗蚀剂覆膜剥离的方式控制调节对象的涂布单元U1的药液供给部40。此外，在步骤S03中的条件设定处理的结束时间点，如图11(a)所示，在调节处理用的晶片W的表面Wa剩余抗蚀剂覆膜(抗蚀剂膜R)。在步骤S06中，具体而言，如图11(b)所示，剥离控制部103以药液供给部40的喷嘴41配置在由旋转保持部20保持的调节处理用的晶片W的中心轴CL的方式控制喷嘴移动部44。并且，剥离控制部103以使得从配置在中心轴CL的喷嘴41喷出用于剥离抗蚀剂覆膜的药液62的方式控制药液供给部40的阀V1。此外，控制装置100也可以以在进行药液62的喷出期间使调节处理用的晶片W旋转的方式，控制旋转保持部20的旋转驱动部22。由此，如图11(c)所示，抗蚀剂覆膜被从调节处理用的晶片W的表面Wa剥离。
接着，控制装置100实施步骤S07。在步骤S07中，收容控制部102以将抗蚀剂覆膜剥离后的调节处理用的晶片W搬入载体C中的方式控制搬送装置A1、A3。
接着，控制装置100实施步骤S08。在步骤S08中，控制装置100判断结束标志是否为OFF。在该结束标志是用于判断是否使调节处理结束的标志，在步骤S03的条件设定处理中设定。此外，结束标志在调节处理实施前被预先设定为OFF。
在步骤S08中，判断为结束标志为OFF的情况下(步骤S08：是)，控制装置100反复进行步骤S01～步骤S08的处理。在步骤S08中，判断为结束标志为ON的情况下(步骤S08：否)，控制装置100结束调节处理流程。控制装置100反复进行调节处理流程，直至结束标志判断为ON为止。如上所述，在该例子中，因为相同的调节处理用的晶片W被用于调节处理，所以控制装置100使用相同的调节处理用的晶片W对调节对象的涂布单元U1反复实施调节处理。控制装置100在调节对象的涂布单元U1的调节处理的实施后，可以依次地实施多个涂布单元U1直至的其它涂布单元的调节处理。控制装置100可以在它们的调节处理全部结束后实施工艺处理。
(条件设定处理)
接着，关于步骤S03中的条件设定处理进行说明。如图9所示，在条件设定处理中，首先，控制装置100实施步骤S11。在步骤S11中，例如搬入控制部111以将调节处理用的晶片W从检查单元U3搬送至调节对象的涂布单元U1，并且将调节处理用的晶片W配置在旋转保持部20的方式控制搬送装置A3。这时，搬入控制部111以基于在动作指令保持部110中存储的、表示在旋转保持部20中的晶片W的保持位置的信息(以下称为“保持位置信息”。)，将晶片W搬入涂布单元U1，并将晶片W配置在旋转保持部20中的该保持位置的方式，控制搬送装置A3。这时，搬入控制部111可以以在维持在步骤S02中所调节的凹口的方向的状态下搬送调节处理用的晶片W并配置在旋转保持部20的方式，控制搬送装置A3。例如，搬入控制部111基于保持位置信息设定臂90的在X轴方向和Y轴方向上的行程量(脉冲设定值)，由此将调节处理用的晶片W配置在旋转保持部20中的保持位置的方式控制搬送装置A3。
接着，控制装置100实施步骤S12。在步骤S12中，膜形成控制部106以在调节处理用的晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的方式控制处理液供给部30。具体而言，如图12(a)所示，膜形成控制部106以将处理液供给部30的喷嘴31配置在被旋转保持部20保持的晶片W的中心轴CL的方式控制喷嘴移动部34。并且，膜形成控制部106以使从配置于中心轴CL的喷嘴31喷出用于形成抗蚀剂覆膜的处理液61的方式控制处理液供给部30的阀V1。此外，控制装置100可以以在进行处理液61的喷出期间使调节处理用的晶片W旋转的方式，控制旋转保持部20的旋转驱动部22。由此，如图12(b)所示，在调节处理用的晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜(涂布膜AF)。
接着，控制装置100实施步骤S13。在步骤S13中，除去控制部101基于存储在动作指令保持部110中的表示喷嘴41的配置位置的信息(以下称为“配置位置信息”。)，以将喷嘴41配置在该配置位置的方式控制喷嘴移动部44。例如，除去控制部101基于配置位置信息设定喷嘴移动部44中的脉冲目标值，由此以喷嘴41配置于上述配置位置的方式控制喷嘴移动部44。
接着，控制装置100实施步骤S14。在步骤S14中，如图12(c)所示，除去控制部101以使得从配置在上述配置位置的喷嘴41喷出用于除去抗蚀剂覆膜的药液62的方式控制药液供给部40的阀V2。此外，控制装置100可以以在进行药液62的喷出期间使调节处理用的晶片W旋转的方式控制旋转驱动部22。由此，如图11(a)所示，在调节处理用的晶片W的表面Wa中，抗蚀剂覆膜的周边部分被除去。并且，控制装置100以将包含周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜(涂布膜RF)的调节处理用的晶片W搬送到处理组件12内的任意的热处理单元U2中的方式控制搬送装置A3，并以对抗蚀剂覆膜实施热处理的方式控制该热处理单元U2。由此，在调节处理用的晶片W的表面Wa形成测试用的抗蚀剂膜R。之后，控制装置100以将调节处理用的晶片W搬送到检查单元U3的方式控制搬送装置A3。
接着，控制装置100实施步骤S15、S16。在步骤S15中，条件设定部104使拍摄部57取得表示抗蚀剂覆膜形成后的调节处理用的晶片W的表面Wa的状态的图像数据。在步骤S16中，条件设定部104基于该图像数据计算出已被除去了的周边部分的除去宽度。例如，条件设定部104如图13所示，基于该图像数据计算出在晶片W的中心P1的周方向上在彼此以90°间隔离开的4个角度的除去宽度ΔX1、ΔX2、ΔY1、ΔY2。例如，条件设定部104计算出在形成有凹口的位置的除去宽度作为除去宽度ΔX1。
条件设定部104可以计算出除去宽度ΔX1、ΔX2、ΔY1、ΔY2的平均作为平均除去宽度ΔA。另外，条件设定部104可以计算出除去宽度ΔX1与除去宽度ΔX2的差量作为在X轴方向上的偏心值ΔX，并计算出除去宽度ΔY1与除去宽度ΔY2的差量作为在Y轴方向上的偏心值ΔY。此外，偏心值ΔX、ΔY表示晶片W的中心P1与抗蚀剂膜R的中心P2之间的偏离的程度(偏离量ΔZ的大小)。偏心值ΔX、ΔY的值，根据在周边除去时的在旋转保持部20中的晶片W的保持位置而发生变动。
接着，控制装置100实施步骤S17。在步骤S17在，条件设定部104判断在步骤S16中所计算出的除去宽度(以下称为“算出除去宽度”。)是否在预先设定的目标范围外。例如，条件设定部104求得在步骤S16中所计算的除去宽度与作为目标范围的上限的目标值的差量(偏差)，判断该差量是否没有达到规定水平。作为一例，条件设定部104判断偏心值ΔX、ΔY是否比阈值Th1大，以及平均除去宽度ΔA与目标值的偏差δ是否比阈值Th2大。条件设定部104在任意一者的条件能够满足的情况下，判断为算出除去宽度为目标范围外。
在步骤S17中，判断为算出除去宽度为目标范围外的情况下(步骤S17：是)，控制装置100实施步骤S18。在步骤S18中，条件设定部104以除去宽度称为目标范围内的方式(以接近目标值的方式)进行对除去宽度造成影响的动作条件的修正。该动作条件的修正流程的具体例子在后文说明。
另一方面，在步骤S17中，判断为算出除去宽度为目标范围内的情况下(步骤S17：否)，控制装置100实施步骤S19。在步骤S19中，控制装置100将结束标志设定为ON。在上述的例子中，在偏心值ΔX、ΔY两者均为阈值Th1以下，且平均除去宽度ΔA与目标值的偏差δ为阈值Th2以下的情况下，控制装置100将结束标志设定为ON。通过以上内容，控制装置100结束条件设定处理。
在该条件设定处理中，在步骤S17中算出除去宽度为目标范围外的情况下，进行步骤S18的动作条件的修正，结束标志不变成ON。因此，反复实施包括步骤S01～S08的处理的调节处理。每次反复实施时，在步骤S18中以除去宽度接近目标值的方式进行动作条件的修正。换言之，控制装置100反复实施调节处理，直至除去宽度(算出除去宽度)与目标值的偏差达到规定水平。
(动作条件的修正处理)
接着，关于步骤S18中的动作条件的修正处理的具体例进行说明。图10是表示在步骤S16中计算偏心值ΔX、ΔY和平均除去宽度ΔA的情况下进行的动作条件的修正流程的一例的流程图。
在该动作条件的修正流程中，首先，控制装置100实施步骤S21、S22。在步骤S21中，条件设定部104使表示反复次数的变量k递增。换言之，条件设定部104在变量k上加1。此外，在调节处理的实施前，变量k设定为0。在步骤S22中，条件设定部104判断变量k是否比预先设定的常数N(例如N为3以上的整数)小。在步骤S22中，判断为变量k为常数N以上的情况下(步骤S22：否)，控制装置100实施步骤S30。关于步骤S30在后文说明。
在步骤S22中，判断为变量k比常数N小的情况下(步骤S22：是)，控制装置100实施步骤S23。在步骤S23中，例如条件设定部104判断偏心值ΔX、ΔY的任意一者是否比阈值Th1大。在步骤S23中，判断为偏心值ΔX、ΔY的任意一者比阈值Th1大的情况下(步骤S23：是)，控制装置100实施步骤S24、S25。在步骤S23中，判断为偏心值ΔX、ΔY的双方为阈值Th1以下的情况下(步骤S23：否)，控制装置100不实施步骤S24、S25。
在步骤S24中，条件设定部104判断已经判断为比阈值Th1大的偏心值ΔX、ΔY的至少一者是否是能够修正的范围。例如，关于偏心值ΔX、ΔY的能够修正的范围可以由操作员(工作人员)预先存储在控制装置100(动作指令保持部110)中。在步骤S24中，判断为偏心值ΔX、ΔY的任意一者并不是能够修正的范围的情况下(步骤S24：否)，控制装置100实施步骤S30。在步骤S24中，判断为偏心值ΔX、ΔY是能够修正的范围的情况下(步骤S24：是)，控制装置100实施步骤S25。
在步骤S25中，条件设定部104根据偏心值ΔX、ΔY修正动作指令保持部110中存储的保持位置信息。例如，条件设定部104根据偏心值ΔX、ΔY以偏心值ΔX、ΔY接近关于偏心值的目标值的方式修正保持位置信息。条件设定部104通过修正关于可动部91、93中包含的电动机的脉冲目标值，来修正保持位置信息。
接着，控制装置100实施步骤S26。在步骤S26中，条件设定部104判断平均除去宽度ΔA与目标值的偏差δ是否比阈值Th2大。在步骤S26中，在判断为偏差δ比阈值Th2大的情况下(步骤S26：是)，控制装置100实施步骤S27～S29。在步骤S26中，判断为偏差δ为阈值Th2以下的情况下(步骤S26：否)，控制装置100不实施步骤S27～S29。
步骤S27中，条件设定部104判断偏差δ是否为能够修正的范围。例如，关于偏差δ的能够修正的范围可以预先由操作员(工作人员)存储在控制装置100(动作指令保持部110)中。在步骤S27中，判断为偏差δ不是能够修正的范围的情况下(步骤S27：否)，控制装置100实施步骤S30。在步骤S27中，判断为偏差δ是能够修正的范围的情况下(步骤S27：是)，控制装置100实施步骤S28。
步骤S28中，条件设定部104根据偏差δ计算出关于喷嘴41的配置位置信息的修正量。例如，条件设定部104以按照与平均除去宽度ΔA减去目标值所得的值相同的量使喷嘴41的配置位置偏移的方式来计算修正量。并且，在步骤S29中，条件设定部104使用在步骤S28中所算出的修正量修正动作指令保持部110中所存储的配置位置信息。例如，条件设定部104可以根据上述修正量对喷嘴移动部44中的关于电动机的脉冲目标值进行修正，由此修正喷嘴41的配置位置信息。
步骤S30中，条件设定部104将结束标志设定为ON。该情况下的结束标志，在反复次数超过了设定次数时、或者偏差δ等为不能修正的范围时成为ON，因此与步骤S19不同，表示是异常结束。通过以上内容，控制装置100结束动作条件的修正处理。通过进行该例所示的动作条件的修正处理，控制装置100在调节处理中调节在旋转保持部20中的调节处理用的晶片W的保持位置和喷出药液时的喷嘴41的位置。
此外，在条件设定处理和动作条件的修正处理中，控制装置100也可以不进行平均除去宽度ΔA的计算和药液喷出时的喷嘴位置的调整(配置位置信息的修正)，而进行偏心值ΔX、ΔY的计算和保持位置信息的修正。换言之，控制装置100可以不进行偏心值ΔX、ΔY的计算和保持位置信息的修正，而进行平均除去宽度ΔA的计算和配置位置信息的修正。换言之，控制装置100(条件设定部104)在调节处理中，通过调节在旋转保持部20中的晶片W的保持位置和喷出药液时的喷嘴41的位置的任意一者，也可以调节除去宽度。
[实施方式的效果]
以上所说明的本实施方式的涂布·显影装置2包括：处理组件12(处理液供给部30和药液供给部40)，其进行晶片W的表面Wa中的抗蚀剂覆膜的形成和抗蚀剂覆膜的至少一部分的除去；拍摄部57，其取得表示晶片W的表面Wa的状态的表面信息；和控制处理组件12和拍摄部57的控制装置100。控制装置100实施以下的处理：调节处理，其包括：利用处理液供给部30在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；利用药液供给部40使抗蚀剂覆膜的周边部分除去的工序；使拍摄部57取得表面信息，该表面信息表示包括周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜的晶片W的表面Wa的状态，并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用药液供给部40使周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜剥离的工序，和工艺处理，其包括：利用处理液供给部30在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；和利用药液供给部40按照在调节处理中所调节的除去宽度除去周边部分的工序。
本实施方式的基片处理方法，其包括实施调节处理的步骤和实施工艺处理的步骤，上述调节处理包括：利用进行晶片W的表面Wa的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去的处理组件12(处理液供给部30和药液供给部40)，在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；利用药液供给部40使抗蚀剂覆膜的周边部分除去的工序；基于表面信息调节周边部分的除去宽度的工序，该表面信息表示包括周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜的晶片W的表面Wa的状态；和利用药液供给部40使周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜剥离的工序，上述工艺处理包括：利用处理液供给部30在晶片W的表面Wa形成抗蚀剂覆膜的工序；和利用药液供给部40按照在调节处理中所调节的除去宽度除去周边部分的工序。
在上述涂布·显影装置2和基片处理流程中，在调节处理中周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜被剥离。因此，能够将抗蚀剂覆膜的大致全部已被除去了的晶片W用于其它的处理，因此在涂布·显影装置2和基片处理流程中，在除去宽度调节中所使用的晶片W能够被有效地利用。
在以上的实施方式中，控制装置100反复实施调节处理，直至除去宽度与目标值的偏差达到规定水平为止。在反复实施调节处理时，每次反复都需要调节处理用的晶片W。在上述结构中，因为每次反复时晶片W上的抗蚀剂覆膜被剥离，所以能够有效地利用在除去宽度调节中所使用的晶片W的优点更大。
在以上的实施方式中，控制装置100使用相同的晶片W反复实施调节处理。通过剥离晶片W上的抗蚀剂覆膜，能够使用该晶片W再次进行调节处理。在上述结构中，因为使用相同的晶片W反复进行除去宽度的调节，所以在除去宽度的调节中减小了由晶片W间的个体差导致的影响。因此，能够更高精度地调节除去宽度。
在以上的实施方式中，涂布·显影装置2还包括搬送晶片W的搬送装置A1、A3。控制装置100还实施：在调节处理中，利用搬送装置A1从收容覆膜的形成前的晶片W的载体C将调节处理用的晶片W搬出的工序；和利用搬送装置A1、A3将覆膜的剥离后的调节处理用的晶片W搬入载体C中的工序。在该情况下，因为调节处理用的晶片W成为可再利用的状态并被收容在载体C中，所以该晶片W的再利用是容易的。
在以上的实施方式中，涂布·显影装置2还具有保持晶片W并使其旋转的旋转保持部20。处理液供给部30和药液供给部40具有喷嘴41，其向通过旋转保持部20进行旋转的晶片W喷出用于除去周边部分的药液。控制装置100在调节处理中，通过调节在旋转保持部20中的晶片W的保持位置和喷出药液时的喷嘴41的位置的至少一者，来调节除去宽度。因为在旋转保持部20中的晶片W的保持位置和喷嘴41的配置位置对周边部分的除去宽度造成较大的影响，所以通过调节该保持位置和配置位置的至少一者，能够更高精度地调节除去宽度。
在以上的实施方式中，控制装置100还实施：使拍摄部57取得表示抗蚀剂覆膜的形成前的晶片W的表面Wa的状态的表面信息，并基于该表面信息判断该调节处理用的晶片W是否能够用于除去宽度的调节的工序。由于晶片W的表面Wa的状态而不能以良好的精度进行除去宽度的调节的情况下，在上述结构中，在进行除去宽度的调节前进行是否能够利用的判断，因此能够以更高精度进行除去宽度的调节。
以上，关于实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
(变形例1)
控制装置100也可以一边实施工艺处理，一边实施多个涂布单元U1之中的任一涂布单元(例如调节对象的涂布单元U1)中的调节处理。具体而言，控制装置100可以在除了调节对象的涂布单元U1以外的多个涂布单元U1中实施工艺处理的期间，使调节对象的涂布单元U1实施调节处理的至少一部分。此外，控制装置100也可以使一边实施工艺处理一边进行调节处理的一部分的处理(以下称为“工艺和调节的并列处理”)，在全部的调节处理结束且转移到工艺处理之后实施。或者，也可以在关于多个涂布单元U1的一部分结束了调节处理后，以从结束了调节处理的涂布单元U1起依次地转移到工艺处理的方式实施工艺和调节的并列处理。
该变形例1中，处理组件12具有进行抗蚀剂覆膜的形成和抗蚀剂覆膜的至少一部分的除去的多个涂布单元U1。控制装置100也可以在多个涂布单元U1之中的任一涂布单元U1中实施工艺处理的期间，使多个涂布单元U1之中的其它涂布单元U1中实施调节处理的至少一部分。在该情况下，不因进行调节处理而停止工艺处理，而能够实施工艺处理。
(变形例2)
控制装置100也可以一边实施一个涂布单元U1中的调节处理，一边实施其它涂布单元U1中的调节处理。具体而言，控制装置100可以使在多个涂布单元U1之中的任一涂布单元U1(例如调节对象的涂布单元U1)中实施调节处理期间，使其它涂布单元U1实施调节处理。控制装置100也可以使用多个调节处理用的晶片W进行在多个涂布单元U1中并行地实施调节处理的处理(以下称为“调节的并行处理”。)。控制装置100也可以将变形例1的工艺和调节的并行处理中进行的调节处理，用与变形例2的调节的并行处理同样的方法进行。
该变形例2中，处理组件12具有进行抗蚀剂覆膜的形成和抗蚀剂覆膜的至少一部分的除去的多个涂布单元U1。控制装置100在使多个涂布单元U1之中的任一涂布单元U1中实施调节处理的期间，使多个涂布单元U1之中的其它涂布单元U1实施调节处理。因为多个涂布单元U1中的调节处理并行地进行，所以调节处理在短期间内结束。因此，能够较快地转移到工艺处理。
(变形例3)
处理组件12可以具有：进行抗蚀剂覆膜的形成和周边部分的除去的调节对象的涂布单元U1(第一处理单元)；和作为相对于该调节对象的涂布单元U1的另外的涂布单元U1(第二处理单元)的、进行抗蚀剂覆膜的剥离的涂布单元U1。在该情况下，调节对象的涂布单元U1的药液供给部40可以具有剥离抗蚀剂覆膜的功能，也可以不具有该功能。另外的涂布单元U1可以不具有处理液供给部30，涂布单元U1的药液供给部40也可以不具有除去周边部分的功能。即，另外的涂布单元U1也可以是专用于进行抗蚀剂覆膜的剥离的单元。控制装置100也可以在调节对象的涂布单元U1中的调节除去宽度的调节处理中，利用另外的涂布单元U1实施使抗蚀剂覆膜剥离的工序。此外，在变形例3的具有处理组件12的涂布·显影装置2中，控制装置100也可以实施变形例1的工艺和调节的并列处理，也可以实施变形例2的调节的并行处理。
在该变形例3中，处理组件12具有：进行抗蚀剂覆膜的形成和周边部分的除去的调节对象的涂布单元U1；和进行抗蚀剂覆膜的剥离的另外的涂布单元U1。控制装置100在调节对象的涂布单元U1中的调节除去宽度的调节处理中，实施利用第二处理单元使周边部分已被除去了的抗蚀剂覆膜剥离的工序。在该情况下，调节处理中的抗蚀剂覆膜的剥离由另外的涂布单元U1进行，由此，能够不必等待剥离处理而进行调节处理用的涂布单元U1中的处理。
(其它的变形例)
涂布·显影装置2只要具有进行抗蚀剂覆膜的形成和周边部分的除去的成膜处理部、和能够控制它们的控制装置100，就可以是任意的结构。成膜处理部不限于上述的结构，例如也可以具有分别进行覆膜的形成、周边部分的除去和覆膜的剥离的不同的单元。检查单元U3也可以配置在处理组件12以外。例如，检查单元U3也可以配置在载体模块4或者搁板单元U10的一部分。步骤S02的设定前处理和步骤S15的表面信息的取得也可以由不同的检查单元U3进行。作为调节处理的对象的除去宽度不限于抗蚀剂覆膜(抗蚀剂膜R)中的除去宽度。成为调节处理的对象的除去宽度也可以是形成于晶片W的表面Wa的任意的覆膜的除去宽度。
处理对象的基片不限于半导体晶片，例如玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)等。
附图标记的说明
2…涂布·显影装置、U1…涂布单元、U3…检查单元、A1、A3…搬送装置、20…旋转保持部、30…处理液供给部、40…药液供给部、41…喷嘴、57…拍摄部、100…控制装置、W…晶片、Wa…表面。

Claims (11)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
成膜处理部，其进行基片的表面的覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去；
表面检查部，其取得表示所述基片的表面的状态的表面信息；和
控制所述成膜处理部和所述表面检查部的控制部，
所述控制部实施以下处理：
调节处理，其包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；利用所述成膜处理部使所述覆膜的周边部分除去的工序；使所述表面检查部取得所述表面信息，该表面信息表示包含所述周边部分已被除去了的所述覆膜的所述基片的表面的状态，并基于该表面信息调节所述周边部分的除去宽度的工序；和利用所述成膜处理部使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序；和
工艺处理，其包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；和利用所述成膜处理部按照在所述调节处理中所调节的所述除去宽度来除去所述周边部分的工序。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部反复实施所述调节处理直至所述除去宽度与目标值的偏差达到规定水平为止。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部使用相同的所述基片反复实施所述调节处理。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
进一步包括搬送所述基片的搬送部，
所述控制部在所述调节处理中进一步实施：
利用所述搬送部从收容所述覆膜形成前的所述基片的收容部搬出所述调节处理用的所述基片的工序；和
利用所述搬送部将所述覆膜剥离后的所述基片搬入所述收容部的工序。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
进一步包括保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，
所述成膜处理部具有向通过所述旋转保持部进行旋转的所述基片喷出用于除去所述周边部分的药液的喷嘴，
所述控制部在所述调节处理中，通过调节在所述旋转保持部中的所述基片的保持位置和喷出所述药液时的所述喷嘴的位置的至少一者，来调节所述除去宽度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部进一步实施使所述表面检查部取得表示所述覆膜形成前的所述基片的表面的状态的所述表面信息，并基于该表面信息判断该基片是否能够利用于所述除去宽度的调节的工序。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的多个处理单元，
所述控制部在使所述多个处理单元之中的任一处理单元实施所述工艺处理的期间中，使所述多个处理单元之中的另外的处理单元实施所述调节处理的至少一部分。
8.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的多个处理单元，
所述控制部在使所述多个处理单元之中的任一处理单元实施所述调节处理的期间中，使所述多个处理单元之中的另外的处理单元实施所述调节处理。
9.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述周边部分的除去的第一处理单元以及进行所述覆膜的剥离的第二处理单元，
所述控制部在所述第一处理单元中的调节所述除去宽度的所述调节处理中，利用所述第二处理单元实施使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序。
10.一种基片处理方法，其特征在于：
实施调节处理和工艺处理，其中，
所述调节处理包括：利用进行在基片的表面的覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的成膜处理部，在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；利用所述成膜处理部使所述覆膜的周边部分除去的工序；基于表面信息调节所述周边部分的除去宽度的工序，所述表面信息表示包含所述周边部分已被除去了的所述覆膜的所述基片的表面的状态；和利用所述成膜处理部使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序，
所述工艺处理包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；和利用所述成膜处理部按照在所述调节处理中所调节的所述除去宽度除去所述周边部分的工序。
11.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使权利要求10记载的基片处理方法在装置中实施的程序。
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