JP2012222238A - 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び基板処理システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 273
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 157
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 104
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 91
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 215
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 38
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 38
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 CPL11 Proteins 0.000 description 1
- 101000931525 Homo sapiens Forkhead box protein G1 Proteins 0.000 description 1
- 101001031356 Sphaenorhynchus lacteus Buforin-2 Proteins 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67727—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using a general scheme of a conveying path within a factory
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部80によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部A3により搬送する際に、基板搬送部A3に設けられた検出部5により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部80の位置を決定する。
【選択図】図9
Description
(第1の実施の形態)
始めに、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。ここでは、本実施の形態に係る基板処理装置を備えた基板処理システムを、塗布現像装置に適用し、更にその塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について説明する。
Δa[mm]={(a'点の画素数)−(a点の画素数)}×画素間隔[mm] (1)
Δb[mm]={(b'点の画素数)−(b点の画素数)}×画素間隔[mm] (2)
Δc[mm]={(c'点の画素数)−(c点の画素数)}×画素間隔[mm] (3)
Δd[mm]={(d'点の画素数)−(d点の画素数)}×画素間隔[mm] (4)
なお、a点の画素数とは、リニアイメージセンサ52のウェハWの中心側における始点からa点までにおける画素の数を意味する。
a'点 (X1',Y1')=(X1−Δasinθ1,Y1−Δacosθ1)
=(X−(R+Δa)sinθ1,Y−(R+Δa)cosθ1) (6)
b点 (X2,Y2)=(X−Rsinθ2,Y+Rcosθ2) (7)
b'点 (X2',Y2')=(X2−Δbsinθ2,Y2+Δbcosθ2)
=(X−(R+Δb)sinθ2,Y+(R+Δb)cosθ2) (8)
c点 (X3,Y3)=(X+Rsinθ3,Y+Rcosθ3) (9)
c'点 (X3',Y3')=(X3+Δcsinθ3,Y3+Δccosθ3)
=(X+(R+Δc)sinθ3,Y+(R+Δc)cosθ3) (10)
d点 (X4,Y4)=(X+Rsinθ4,Y−Rcosθ4) (11)
d'点 (X4',Y4')=(X4+Δdsinθ4,Y4−Δdcosθ4)
=(X+(R+Δd)sinθ4,Y−(R+Δd)cosθ4) (12)
従って、式(6)、式(8)、式(10)、式(12)により、a´点(X1´,Y1´)、b´点(X2´,Y2´)、c´点(X3´,Y3´)、d´点(X4´,Y4´)の座標を求めることができる。
ΔX[mm]=X´−X (16)
ΔY[mm]=Y´−Y (17)
により算出する。
(第1の実施の形態の変形例)
次に、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。
23a 除去モジュール
3、3A、3B フォーク(保持部)
31 基台
5、5A〜5D 検出部
51、51A〜51D 光源
52、52A〜52D リニアイメージセンサ
61 スピンチャック
62 チャック駆動機構
73 レジスト液ノズル
74 ノズル駆動部
80 溶剤ノズル
81 ノズル駆動部
9 制御部
100 周辺露光モジュール
103 載置台
104 回転駆動部
105 移動駆動部
110 アライメント部
120 周辺露光部
123 照射ユニット
Claims (19)
- 表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、
前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法。 - 表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、
前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法。 - 検出した前記位置に基づいて、前記基板の外径を算出し、算出した前記外径に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定するものである、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。
- 表面に塗布膜が形成された基板を基板保持部に保持し、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を周辺露光部により露光する基板処理方法において、
前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定する、基板処理方法。 - 前記基板搬送部は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する3個以上の検出部とを有し、
前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法。 - 前記基板搬送部は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する4個以上の検出部とを有し、
前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の3個の検出部の前記検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法。 - 前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項7に記載の基板処理方法。
- コンピュータに請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、
表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液供給部を移動させる移動部と、
前記基板保持部と前記回転部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置。 - 表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液供給部を移動させる移動部と、
前記基板保持部と前記回転部と前記塗布液供給部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置。 - 前記制御部は、検出した前記位置に基づいて、前記基板の外径を算出し、算出した前記外径に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定するように制御するものである、請求項10又は請求項11に記載の基板処理装置。
- 表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を露光する基板処理装置において、
表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部を露光する周辺露光部と、
前記基板保持部及び前記周辺露光部のいずれか一方を他方に対して移動させる移動部と、
前記基板保持部と前記回転部と前記周辺露光部と前記移動部とを制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定し、決定した前記相対位置になるように、前記移動部により前記基板保持部又は前記周辺露光部を移動させるように制御する、基板処理装置。 - 基板を搬送する基板搬送部と、基板を処理する基板処理部とを備えた基板処理システムにおいて、
前記基板搬送部は、
基台と、
前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、
前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する3個以上の検出部と
を有し、
前記基板処理部は、請求項10から請求項13のいずれかに記載の基板処理装置である、基板処理システム。 - 前記制御部は、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出するように制御するものである、請求項14に記載の基板処理システム。
- 前記検出部は、4個以上であり、
前記制御部は、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の3個の検出部の前記検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出するように制御するものである、請求項14に記載の基板処理システム。 - 前記保持部は、上下に重なるように複数個設けられており、
前記検出部は、前記保持部のいずれか1個が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を検出するものである、請求項14から請求項16のいずれかに記載の基板処理システム。 - 前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項14から請求項17のいずれかに記載の基板処理システム。
- 前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項18に記載の基板処理システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088371A JP5691767B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び基板処理システム |
KR1020120037260A KR101769166B1 (ko) | 2011-04-12 | 2012-04-10 | 기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088371A JP5691767B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012222238A true JP2012222238A (ja) | 2012-11-12 |
JP5691767B2 JP5691767B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=47273409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011088371A Active JP5691767B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体、基板処理装置及び基板処理システム |
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Country | Link |
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