KR101769166B1

KR101769166B1 - 기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템

Info

Publication number: KR101769166B1
Application number: KR1020120037260A
Authority: KR
Inventors: 신이찌 하야시; 스구루 에노끼다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-04-12
Filing date: 2012-04-10
Publication date: 2017-08-17
Also published as: JP5691767B2; KR20120116351A; JP2012222238A

Abstract

본 발명의 과제는, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부(80)에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판을 미리 기판 반송부(A3)에 의해 반송할 때에, 기판 반송부(A3)에 설치된 검출부(5)에 의해, 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 린스액 공급부(80)의 위치를 결정한다.

Description

기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM WHICH RECORDED PROGRAM FOR EXECUTING SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법, 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 LCD의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피 기술을 이용함으로써, 반도체 웨이퍼나 글래스 기판 등의 피처리 기판의 표면에 미세한 패턴을 고정밀도이며 또한 고밀도로 형성한다.

예를 들어, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포한 후, 이것을 소정의 패턴으로 노광하고, 다시 현상 처리·에칭 처리함으로써 소정의 회로 패턴을 형성하도록 하고 있다.

여기서, 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼에 레지스트액을 도포하기 위한 방법으로서는, 스핀 코팅법이 주로 채용되어 있다. 이 스핀 코팅법은, 웨이퍼의 중심부에 레지스트액을 공급한 후, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 레지스트액을 원심력에 의해 웨이퍼 전체에 확산시킴으로써, 웨이퍼의 전체면에 걸쳐 대략 균일한 막 두께의 레지스트막을 형성하는 방법이다.

그러나 이 스핀 코팅법에 따르면, 웨이퍼의 회로 패턴 형성에 기여하지 않는 주변부에도 레지스트막이 형성된다. 주변부에 형성된 레지스트막은, 나중에 파티클의 발생원으로 될 우려가 있다. 이로 인해, 예를 들어 레지스트막을 형성한 웨이퍼의 주변부에 시너 등의 용제로 이루어지는 린스액을 공급하여, 린스액을 공급한 위치의 레지스트막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행한다(예를 들어 특허 문헌 1 참조).

일본 특허 출원 공개 제2001-110712호 공보

그런데, 상기한 바와 같은 레지스트막 등의 도포막의 에지 린스 처리를 행하는 기판 처리 방법에는, 다음과 같은 문제가 있다.

에지 린스 처리에 있어서, 웨이퍼의 회로 패턴 형성에 기여하지 않는 주변부의 도포막만이 제거되는 것이 바람직하다. 따라서, 도포막이 제거되는 영역의 웨이퍼의 외측 테두리로부터의 폭은, 모든 웨이퍼에 있어서 일정한 것이 바람직하다.

그러나 웨이퍼의 외경 치수는, 소정의 기준값으로부터 변동되는 경우가 있다. 웨이퍼의 외경 치수가 변동되면, 웨이퍼를 보유 지지하는 스핀 척에 대해, 린스액을 공급하는 린스액 공급 노즐의 상대 위치가 일정해도, 도포막이 제거되는 영역의 웨이퍼의 외측 테두리로부터의 폭이 변동될 우려가 있다.

특허 문헌 1에 개시하는 예에서는, 웨이퍼의 주변부에 린스액을 공급함으로써 도포막을 제거하는 모듈에, 위치 결정용 센서를 설치하고 있다. 그러나 처리 시스템 중에 이러한 모듈이 복수 있을 때에는, 모듈마다 위치 결정용 센서를 설치할 필요가 있다.

또한, 상기한 과제는, 기판의 주변부에 린스액을 공급함으로써 주변부의 도포막을 선택적으로 제거하는 경우에 한정되지 않고, 기판의 주변부를 주변 노광하고, 그 후 현상 처리함으로써 주변부의 도포막을 선택적으로 제거하는 경우에도 공통되는 과제이다.

본 발명은 상기한 점에 비추어 이루어진 것이며, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.

상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 다음에 서술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 기판 처리 방법이 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포액이 공급된 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하고, 상기 표면에 도포막이 형성된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 도포액 공급부와 상기 린스액 공급부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하고, 결정한 상기 위치로, 상기 이동부에 의해 상기 린스액 공급부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 표면에 도포막이 형성된 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 노광하는 기판 처리 장치에 있어서, 표면에 도포막이 형성된 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시키는 회전부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광부와, 상기 기판 보유 지지부 및 상기 주변 노광부 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대해 이동시키는 이동부와, 상기 기판 보유 지지부와 상기 회전부와 상기 주변 노광부와 상기 이동부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 기판을 미리 기판 반송부에 의해 반송할 때에, 상기 기판 반송부에 설치된 검출부에 의해, 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하고, 검출한 상기 위치에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하고, 결정한 상기 상대 위치로 되도록, 상기 이동부에 의해 상기 기판 보유 지지부 또는 상기 주변 노광부를 이동시키도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.

본 발명에 따르면, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 기판마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 기판의 주변부에 있어서의 도포막을 제거하는 영역의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.

도 1은 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도.
도 4는 제3 블록의 구성을 도시하는 사시도.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 반송 아암을 도시하는 사시도.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 반송 아암을 도시하는 평면도 및 측면도.
도 7은 제1 실시 형태에 관한 반송 아암의 포크를 확대하여 도시하는 평면도.
도 8은 검출부 및 제어부의 구성을 도시하는 블록도.
도 9는 도포 모듈의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 10은 도포 모듈의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 11은 제어부를 제3 블록에 있어서의 반송 아암 및 도포 모듈과 함께 도시하는 구성도.
도 12는 웨이퍼를 전달할 때의 도포 모듈과 반송 아암의 상태를 도시하는 도면.
도 13은 리니어 이미지 센서의 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타내는 그래프.
도 14는 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출할 때의, 리니어 이미지 센서 및 웨이퍼를 도시하는 평면도.
도 15는 도포 모듈을 사용하여 행하는 각 공정에 있어서의 웨이퍼의 표면의 상태를 도시하는 도면.
도 16은 제거 모듈의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 제거 모듈의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 18은 주변 노광 모듈의 일부 단면을 포함하는 측면도.
도 19는 웨이퍼가 주변 노광 모듈에 의해 주변 노광되는 모습을 도시하는 도면.
도 20은 주변 노광 모듈에 의해 주변 노광이 행해질 때의 웨이퍼의 표면의 상태를 도시하는 도면.

이하, 본 발명에 관한 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을, 도포 현상 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.

(제1 실시 형태)

우선, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 여기서는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을 도포 현상 장치에 적용하고, 또한 그 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치에 대해 설명한다.

도 1은 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도이다. 도 3은 본 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도이다. 도 4는 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 도시하는 사시도이다.

레지스트 패턴 형성 장치는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3)을 갖는다. 또한, 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록(S3)측에, 노광 장치(S4)가 설치되어 있다. 처리 블록(S2)은, 캐리어 블록(S1)에 인접하도록 설치되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은, 처리 블록(S2)의 캐리어 블록(S1)측과 반대측에, 처리 블록(S2)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 장치(S4)는, 인터페이스 블록(S3)의 처리 블록(S2)측과 반대측에, 인터페이스 블록(S3)에 인접하도록 설치되어 있다.

캐리어 블록(S1)은, 캐리어(20), 적재대(21) 및 전달 수단(C)을 갖는다. 캐리어(20)는, 적재대(21) 상에 적재되어 있다. 전달 수단(C)은, 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 처리 블록(S2)에 전달하는 동시에, 처리 블록(S2)에 있어서 처리된 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여, 캐리어(20)로 복귀시키기 위한 것이다.

처리 블록(S2)은, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1), 선반 유닛(U2), 제1 블록(DEV층)(B1), 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3), 제4 블록(TCT층)(B4)을 갖는다. 제1 블록(DEV층)(B1)은, 현상 처리를 행하기 위한 것이다. 제2 블록(BCT층)(B2)은, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다. 제3 블록(COT층)(B3)은, 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 것이다. 제4 블록(TCT층)(B4)은, 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다.

선반 유닛(U1)은, 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U1)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, TRS4)을 갖는다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1)의 근방에는, 승강 가능한 전달 아암(D)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1)의 각 처리 모듈끼리의 사이에서는, 전달 아암(D)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.

선반 유닛(U2)은, 각종 처리 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U2)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된 전달 모듈(TRS6, TRS6, CPL12)을 갖는다.

또한, 도 3에 있어서, CPL이 부여되어 있는 전달 모듈은, 온도 조절용 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.

제1 블록(DEV층)(B1)은, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 현상 모듈(22), 반송 아암(A1) 및 셔틀 아암(E)을 갖는다. 현상 모듈(22)은, 1개의 제1 블록(DEV층)(B1) 내에, 상하 2단으로 적층되어 있다. 반송 아암(A1)은, 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 것이다. 즉, 반송 아암(A1)은, 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이 공통화되어 있는 것이다. 셔틀 아암(E)은, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 것이다.

제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3) 및 제4 블록(TCT층)(B4)은, 각각 도포 모듈, 가열·냉각계의 처리 모듈군 및 반송 아암(A2, A3, A4)을 갖는다. 처리 모듈군은, 도포 모듈에 있어서 행해지는 처리인 전처리 및 후처리를 행하기 위한 것이다. 반송 아암(A2, A3, A4)은, 도포 모듈과 처리 모듈군 사이에 설치되어 있고, 도포 모듈 및 처리 모듈군의 각 처리 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.

제2 블록(BCT층)(B2)으로부터 제4 블록(TCT층)(B4)의 각 블록은, 제2 블록(BCT층)(B2) 및 제4 블록(TCT층)(B4)에 있어서의 약액이 반사 방지막용 약액이고, 제3 블록(COT층)(B3)에 있어서의 약액이 레지스트액인 것을 제외하고, 마찬가지의 구성을 갖는다.

또한, 반송 아암(A1 내지 A4)은, 본 발명에 있어서의 기판 반송부에 상당하는 것이며, 반송 아암(A1 내지 A4)의 구성에 대해서는 후술한다.

또한, 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)도, 본 발명에 있어서의 기판 반송부에 상당하는 것이다. 이하에서는, 기판 반송부로서, 반송 아암(A1 내지 A4), 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)을 대표하여, 반송 아암(A1 내지 A4)에 대해 설명하는 것으로 한다.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(A1)에는, 후술하는 검출부(5)를 지지하는 지지 부재(53)가 설치되어 있다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 전달 수단(C), 전달 아암(D) 및 후술하는 인터페이스 아암(F)에도, 후술하는 검출부(5)를 지지하는 지지 부재(53)가 설치되어 있어도 된다.

여기서, 도 4를 참조하여, 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3) 및 제4 블록(TCT층)(B4)을 대표하여, 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 설명한다.

제3 블록(COT층)(B3)은, 도포 모듈(23), 선반 유닛(U3) 및 반송 아암(A3)을 갖는다. 선반 유닛(U3)은, 가열 모듈, 냉각 모듈 등의 열처리 모듈군을 구성하도록 적층된 복수의 처리 모듈을 갖는다. 선반 유닛(U3)은, 도포 모듈(23)과 대향하도록 배열되어 있다. 반송 아암(A3)은, 도포 모듈(23)과 선반 유닛(U3) 사이에 설치되어 있다. 도 4 중 부호 24는, 각 처리 모듈과 반송 아암(A3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구이다.

인터페이스 블록(S3)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 아암(F)을 갖는다. 인터페이스 아암(F)은, 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U2)의 근방에 설치되어 있다. 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈끼리의 사이 및 노광 장치(S4)와의 사이에서는, 인터페이스 아암(F)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.

캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는, 선반 유닛(U1) 중 하나의 전달 모듈, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 모듈(CPL2)로, 전달 수단(C)에 의해 순차 반송된다. 전달 모듈(CPL2)로 반송된 웨이퍼(W)는, 제2 블록(BCT층)(B2)의 반송 아암(A2)에 전달되고, 반송 아암(A2)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.

반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A2), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF2), 전달 아암(D), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL3)을 통해, 제3 블록(COT층)(B3)의 반송 아암(A3)에 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF3)로 전달된다.

또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층)(B4)에 있어서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해, 제4 블록(TCT층)(B4)의 반송 아암(A4)으로 전달되고, 반송 아암(A4)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다. 그리고 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4)을 통해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS4)로 전달된다.

레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 또는 레지스트막 상에 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D), 전달 모듈(BF3, TRS4)을 통해 전달 모듈(CPL11)에 전달된다. 전달 모듈(CPL11)에 전달된 웨이퍼(W)는, 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)에 직접 반송된 후, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스 아암(F)에 전달된다.

인터페이스 아암(F)에 전달된 웨이퍼(W)는, 노광 장치(S4)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다. 소정의 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(F)을 통해, 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS6)에 적재되어, 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 처리 블록(S2)으로 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)에 있어서 현상 처리가 행해진다. 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A1), 선반 유닛(U1) 중 어느 하나의 전달 모듈(TRS1), 전달 수단(C)을 통해 캐리어(20)로 복귀된다.

다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명에 있어서의 기판 반송부인 반송 아암(A1 내지 A4)에 대해 설명한다. 반송 아암(A1 내지 A4)은 마찬가지로 구성되어 있으므로, 제3 블록(COT층)(B3)에 설치된 반송 아암(A3)을 대표하여 설명한다. 도 5는 반송 아암(A3)을 도시하는 사시도이다. 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 반송 아암(A3)을 도시하는 평면도 및 측면도이다.

도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(A3)은, 2매의 포크[3(3A, 3B)], 베이스(31), 회전 기구(32), 진퇴 기구(33A, 33B), 승강대(34), 검출부[5(5A 내지 5D)]를 갖는다. 또한, 반송 아암(A3)은, 제어부(9)에 의해 제어된다. 제어부(9)에 대해서는, 후술하는 도 8 및 도 9를 이용하여 설명한다.

2매의 포크(3A, 3B)는, 상하로 겹쳐지도록 설치되어 있다. 베이스(31)는, 회전 기구(32)에 의해, 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)는, 각각 그 기단부측이 각각 진퇴 기구(33A, 33B)에 지지되어 있고, 진퇴 기구(33A, 33B)에 의해 베이스(31)로부터 진퇴 가능하게 설치되어 있다.

또한, 포크[3(3A, 3B)]는, 본 발명에 있어서의 보유 지지부에 상당한다. 또한, 본 실시 형태는, 2매의 포크(3A, 3B)는 상하로 겹쳐지도록 설치되어 있는 예에 한정되는 것은 아니며, 2매의 포크(3A, 3B)가 수평 방향으로 나란히 설치되어 있어도 된다.

또한, 포크(3)는 1매뿐이어도 되고, 혹은 3매 이상이 상하로 겹쳐지도록, 또는 수평 방향으로 나란히 설치되어 있어도 된다.

진퇴 기구(33A, 33B)는, 베이스(31) 내부에 설치된 구동 기구인, 후술하는 도 11에 도시하는 모터(M)에, 타이밍 벨트 등의 전달 기구를 사용하여 연결되어 있고, 베이스(31)로부터 진퇴 가능하게 설치된 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동한다. 전달 기구로서는, 볼 나사 기구나 타이밍 벨트를 사용한 기구 등, 주지의 구성을 이용할 수 있다.

또한, 후술하는 도 11에는, 베이스(31)의 하방측에 진퇴 기구(33A)의 구동 기구(33)를 도시하고 있다. 진퇴 기구(33A)는, 베이스(31) 내부에 설치된 구동 기구(33)를 모터(M)에 의해 회전시킴으로써, 포크(3A, 3B)를 베이스(31)로부터 진퇴 구동하도록 구성되어 있다. 모터(M)는, 인코더(38)에 접속되어 있다. 도 11 중 부호 39는, 인코더(38)의 펄스수를 카운트하는 카운터이다.

승강대(34)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 기구(32)의 하방측에 설치되어 있다. 승강대(34)는, 상하 방향(도 4 중 Z축 방향)으로 직선 형상으로 연장되는 도시하지 않은 Z축 가이드 레일을 따라, 승강 기구에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 기구로서는, 볼 나사 기구나 타이밍 벨트를 사용한 기구 등, 주지의 구성을 사용할 수 있다. 이 예에서는 Z축 가이드 레일 및 승강 기구는 각각 커버체(35)에 의해 덮여 있고, 예를 들어 상부측에 있어서 접속되어 일체로 되어 있다. 또한 커버체(35)는, Y축 방향으로 직선 형상으로 신장되는 Y축 가이드 레일(36)을 따라 미끄럼 이동하도록 구성되어 있다.

다음에, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 포크(3), 검출부(5)에 대해 설명한다. 도 7은 포크(3A)를 확대하여 도시하는 평면도이다. 도 7에서는, 도시를 용이하게 하기 위해, 포크(3A)에 대해, 보유 지지 갈고리[4(4A 내지4D)]를 약간 확대하여 도시하고 있다. 도 8은 검출부(5) 및 제어부(9)의 구성을 도시하는 블록도이다. 도 8에 있어서의 제어부(9)는, 후술하는 도 11을 사용하여 설명하는 제어부(9)와 동일하다.

도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이, 포크(3A, 3B)는 원호 형상으로 형성되어, 반송하는 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)에는, 각각 보유 지지 갈고리(4)가 형성되어 있다. 보유 지지 갈고리(4)는, 포크(3A, 3B)의 내측 테두리로부터 각각 내측으로 돌출되는 동시에, 내측 테두리를 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 주변부가 적재됨으로써 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 것이다. 보유 지지 갈고리(4)는, 3개 이상이 설치된다. 도 5 및 도 6에 도시하는 예에서는, 웨이퍼(W)의 주변부의 4개소를 보유 지지하기 위해, 4개의 보유 지지 갈고리(4A, 4B, 4C, 4D)가 설치되어 있다.

도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)의 각각에는, 진공 흡착부(41A 내지 41D)가 설치되어 있다. 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 웨이퍼(W)의 주변부가 적재되었을 때에, 웨이퍼(W)의 주변부를 진공 흡착함으로써, 웨이퍼(W)를 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 보유 지지하는 것이다. 또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 형성된 흡착 구멍(42A 내지 42D)을 갖는다. 흡착 구멍(42A 내지 42D)은, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 포크(3A, 3B)의 내부, 상면 또는 하면에 형성된 진공 배관(43A, 43B)과 연통되어 있고, 진공 배관(43A, 43B)을 통해 도시하지 않은 진공 배기부에 접속되어 있다. 이러한 구성을 가짐으로써, 진공 흡착부(41A 내지 41D)는, 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 수 있다.

본 실시 형태에 관한 포크(3A, 3B)는, 진공 흡착부(41A 내지 41D)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지 갈고리(4A 내지 4D)에 보유 지지한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주변부의 수평 위치를 위치 결정할 수 있도록, 포크(3A, 3B)에, 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 가이드를 설치하고, 가이드의 내측을 경사지게 하여, 웨이퍼(W)를 포크(3A, 3B)의 소정 위치로 낙하시키는 낙하 기구를 가질 필요가 없다. 따라서, 레지스트막 등의 도포막이 도포 처리된 웨이퍼(W)를 적재할 때에, 웨이퍼(W)의 외주에 도포되어 있는 도포막이 가이드와 접촉하여 박리되어, 파티클을 발생시킬 우려는 없다.

또한, 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있으므로, 포크(3A, 3B)는 낙하 기구 대신에 단순히 적재하는 구조를 갖는 것이면 되고, 반드시 진공 흡착부를 가질 필요는 없다.

검출부[5(5A 내지 5D)]는, 도 5 내지 도 7에 도시하는 바와 같이 4개 설치되어 있다. 검출부[5(5A 내지 5D)]는, 각각의 포크(3A, 3B)가 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 다른 위치에서 검출하기 위한 것이다. 검출부[5(5A 내지 5D)]는, 포크(3A, 3B)가 후퇴되었을 때에 포크(3A, 3B)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주변부와 평면에서 볼 때 겹쳐지도록 설치되어 있다. 또한, 4개의 검출부(5A 내지 5D)는, 평면에서 볼 때, 포크(3A, 3B)가 후퇴되었을 때에 포크(3A, 3B)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 외주를 따라 서로 간격을 두고 설치되어 있다.

검출부[5(5A 내지 5D)]는, 한 쌍의 광원[51(51A 내지 51D)]과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부(52)에 의해 구성되어 있다. 또한, 수광부(52)로서, 예를 들어 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]를 사용할 수 있다. 광원[51(51A 내지 51D)]과 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]는, 후퇴되어 있는 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 전부를 상하로부터 끼우도록 설치되어 있다. 검출부(5A 내지 5D)는, 포크(3A, 3B) 중 어느 1매가 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A, 3B) 중 어느 하나가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출하기 위한 것이다.

구체적으로는, 광원[51(51A 내지 51D)]과 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)]는, 한쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 하방에 설치되고, 다른 쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 상방에 설치된다. 광원[51(51A 내지 51D)] 또는 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)] 중 어느 한쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 하방에 설치되는 경우에는, 베이스(31)에 장착되어 있어도 되고, 하측의 포크(3B)의 베이스(31)측에 장착되어 있어도 된다. 한편, 광원[51(51A 내지 51D)] 또는 리니어 이미지 센서[52(52A 내지 52D)] 중 어느 다른 쪽이 2매의 포크(3A, 3B)의 상방에 설치되는 경우에는, 베이스(31)에 장착되어 있어도 되고, 상측의 포크(3A)의 베이스(31)측과 반대측에 장착되어 있어도 된다.

도 5 및 도 6에 도시하는 예에서는, 광원(51)이 베이스(31)에 장착되어 있고, 리니어 이미지 센서(52)가, 지지 부재(53)를 통해 베이스(31)에 장착되어 있는 예를 도시한다.

상기한 구성을 가짐으로써, 2매의 포크(3A, 3B)의 각각에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 주변부가 있는 위치를 검출하는 데에, 광원(51) 및 리니어 이미지 센서(52) 모두 포크(3A, 3B)마다 설치할 필요가 없다. 따라서, 사용하는 광원(51) 및 리니어 이미지 센서(52)의 수를 적게 할 수 있다.

단, 2매의 포크(3A, 3B)에 검출부(5)가 4개 설치되어 있는 구성으로 하는 것도 가능하다. 포크(3A, 3B)마다 검출부(5)가 4개 설치되는 경우에는, 검출부(5)를 구성하는 한 쌍의 광원(51)과 리니어 이미지 센서(52)는, 후퇴되어 있는 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 중 어느 하나를 상하로부터 끼우도록 설치된 것이면 된다.

또한, 검출부(5)를 4개(5A 내지 5D) 설치함으로써, 후술하는 바와 같이, 주변부에 노치(절결부)(WN)를 갖는 웨이퍼(W)를 보유 지지하고, 반송하는 경우에도, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다. 또한, 검출부(5)는 4개 이상 설치되어 있어도 된다.

광원(51)으로서, 이하에서는, LED(Light Emitting Diode)를 사용한 예를 설명하지만, 구체적으로는 복수의 LED를 직선 형상으로 배열시킨 광원, 또는 단일의 LED의 발광측에 직선 형상으로 도광 재료를 설치하여 직선 형상의 광원으로 한 것을 사용할 수 있다. 또한, 리니어 이미지 센서(52)로서, CCD(Charge Coupled Device) 라인 센서, 파이버 라인 센서, 광전 센서 등 각종 리니어 이미지 센서를 사용할 수 있다. 즉, 리니어 이미지 센서로 이루어지는 수광부(52)의 수광 소자로서, CCD, 광전 센서 등의 각종 수광 소자를 사용할 수 있다. 이하에서는, 이들 각종 리니어 이미지 센서를 대표하여, CCD 라인 센서를 사용하는 예에 대해 설명한다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 검출부(5A)는, LED(51), CCD 라인 센서(52)에 더하여, CCD 라인 센서 제어부(54), 디지털 아날로그 컨버터(DAC)(55), 아날로그 디지털 컨버터(ADC)(56)를 갖는다. 또한, 도 8에서는 도시를 생략하지만, 검출부(5B, 5C, 5D)도, 검출부(5A)와 마찬가지의 구성을 갖는다.

CCD 라인 센서 제어부(54)는, 도시하지 않은 클록으로부터의 클록 신호에 기초하여 CCD 라인 센서(52)의 각 CCD 소자의 동작 타이밍을 어긋나게 하여, 전하 이동시키기 위한 것으로, 타이밍 제너레이터이다. 또한, CCD 라인 센서 제어부(54)는 LED(51)의 전류 제어도 행한다. DAC(55)는 CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 디지털 제어 신호를, LED(51)에 입력하기 위해, 아날로그 변환하기 위한 것이다. ADC(56)는, CCD 라인 센서(52)로부터의 검출 신호인 아날로그 출력 신호를, 검출부(5A 내지 5D)로부터 출력하기 위해, 디지털 변환하기 위한 것이다.

검출부(5)로부터 출력된 검출 신호(검출값)는, 제어부(9)에 입력된다. 제어부(9)는, 앰프(57)를 통해 진퇴 기구(33A, 33B)에 설치된 X축 구동용 모터(M1, M2), 베이스(31)에 설치된 Y축 구동용 모터(M3), 승강대(34)에 설치된 Z축 구동용 모터(M4), 회전 기구(32)에 설치된 회전 구동용 모터(M5)의 총 5축 구동용 모터(M1 내지 M5)를 제어한다.

이상과 같은 구성에 의해, CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 제어 신호가, DAC(55)에 의해 아날로그 변환되고, 아날로그 변환된 제어 신호가 LED(51)에 입력됨으로써, LED(51)는 직선 형상으로 광을 발광한다. LED(51)로부터 발광된 광은, CCD 라인 센서(52)에 있어서 수광된다. 광을 수광한 CCD 라인 센서(52)는, CCD 라인 센서 제어부(54)로부터의 제어 신호의 타이밍에 기초하여, 센서 내에서 전하 이동됨으로써 수광량에 따른 신호를 출력한다. CCD 라인 센서(52)로부터 출력된 검출 신호(검출값)는, ADC(56)에 의해 디지털 변환된 후, 제어부(9) 내의 연산 처리부(91)에 입력된다.

연산 처리부(91)에서의 처리를 포함하여, 제어부(9) 내에서는, 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 계측하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하고, 웨이퍼(W)의 반경을 산출하여, 4개의 검출부(5A 내지 5D) 모두 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하고 있지 않은지 여부의 판정을 행한다. 그리고 4개의 검출부(5A 내지 5D) 중 1개가 절결부(WN)를 검출하였다고 판정하였을 때에, 그 이외의 3개의 검출부(5)의 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다.

다음에, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치인 도포 모듈(23)의 구성에 대해 설명한다. 도 9는 도포 모듈(23)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 10은 도포 모듈(23)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.

도포 모듈(23)은, 예를 들어 도 9에 도시하는 바와 같이 케이싱(60)을 갖고, 그 케이싱(60) 내의 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 스핀 척(61)이 설치되어 있다. 스핀 척(61)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(61) 상에 흡착 지지할 수 있다.

스핀 척(61)은, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동 기구(62)를 갖고, 그 척 구동 기구(62)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(62)에는, 실린더 등의 승강 구동 수단이 설치되어 있고, 스핀 척(61)은 상하 이동 가능하다.

또한, 스핀 척(61)은, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 척 구동 기구(62)는 본 발명에 있어서의 회전부에 상당한다.

또한, 척 구동 기구(62)가 구동하는 스핀 척(61)의 회전수는, 후술하는 제어부(9)에 의해 제어되어 있다.

스핀 척(61)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수하는 컵(63)이 설치되어 있다. 컵(63)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(64)과, 컵(63) 내의 분위기를 배기하는 배기관(65)이 접속되어 있다.

도 10에 도시하는 바와 같이, 컵(63)의 X방향 부(負)방향(도 10의 하방향)측에는, Y방향(도 10의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(70)이 형성되어 있다. 레일(70)은, 예를 들어 컵(63)의 Y방향 부방향(도 10의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y방향 정(正)방향(도 10의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(70)에는, 예를 들어 2개의 아암(71, 72)이 장착되어 있다.

제1 아암(71)에는, 도 9 및 도 10에 도시하는 바와 같이 도포액으로서의 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(73)이 지지되어 있다. 제1 아암(71)은, 도 10에 도시하는 노즐 구동부(74)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 레지스트액 노즐(73)은, 컵(63)의 Y방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(75)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제1 아암(71)은, 노즐 구동부(74)에 의해 승강 가능하며, 레지스트액 노즐(73)의 높이를 조정할 수 있다.

또한, 레지스트액 노즐(73)은, 본 발명에 있어서의 도포액 공급부에 상당한다.

레지스트액 노즐(73)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 레지스트액 공급원(76)에 연통되는 공급관(77)이 접속되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 레지스트액 공급원(76)에는, 예를 들어 얇은 레지스트막 예를 들어 150㎚ 이하의 레지스트막을 형성하기 위한 저점도의 레지스트액이 저류되어 있다. 또한, 공급관(77)에는, 밸브(78)가 설치되어 있고, 이 밸브(78)의 개폐에 의해 레지스트액의 토출을 ON·OFF할 수 있다.

제2 아암(72)에는, 레지스트액의 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 지지되어 있다. 제2 아암(72)은, 예를 들어 도 10에 도시하는 노즐 구동부(81)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하며, 용제 노즐(80)을, 컵(63)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(82)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(81)에 의해, 제2 아암(72)은 승강 가능하며, 용제 노즐(80)의 높이를 조절할 수 있다.

용제 노즐(80)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 용제 공급원(83)에 연통되는 공급관(84)이 접속되어 있다. 또한, 이상의 구성에서는, 레지스트액을 토출하는 레지스트액 노즐(73)과 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 각각의 아암에 지지되어 있다. 그러나 레지스트액 노즐(73)과 용제 노즐(80)을 동일한 아암에 지지되도록 설치해도 되고, 그 아암의 이동의 제어에 의해, 레지스트액 노즐(73)과 용제 노즐(80)의 이동과 토출 타이밍을 제어해도 된다.

또한, 용제 노즐(80)은, 스핀 척(61)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행하기 위한 것이기도 하다.

또한, 용제 노즐(80)은, 본 발명에 있어서의 린스액 공급부에 상당하고, 노즐 구동부(81)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.

도 11은 제어부(9)를 제3 블록(COT층)(B3)에 있어서의 반송 아암(A3) 및 도포 모듈(23)과 함께 도시하는 구성도이다. 또한, 도 11에서는, 도포 모듈(23)의 레지스트액 노즐(73), 용제 노즐(80) 등의 도시를 생략하고 있다.

제어부(9)는, 연산 처리부(91), 기억부(92), 표시부(93) 및 알람 발생부(94)를 갖는다.

연산 처리부(91)는, 예를 들어 메모리, CPU(Central Processing Unit)를 갖는 데이터 처리부인 컴퓨터이다. 연산 처리부(91)는, 기억부(92)에 기록된 프로그램을 판독하여, 그 프로그램에 포함되는 명령(코맨드)에 따라서, 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부로 제어 신호를 보내고, 레지스트 패턴 형성 처리에 포함되는 각종 기판 처리를 실행한다. 또한, 연산 처리부(91)는, 기억부(92)에 기록된 프로그램을 판독하여, 그 프로그램에 포함되는 명령(코맨드)에 따라서, 반송 아암(A3)의 각 모터(M1 내지 M5)에 제어 신호를 보내고, 웨이퍼(W)의 전달 및 반송을 실행한다.

기억부(92)는, 연산 처리부(91)에, 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 기록 매체로서, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광자기(Magnetoptical;MO) 디스크 등을 사용할 수 있다.

표시부(93)는, 예를 들어 컴퓨터의 화면으로 이루어진다. 표시부(93)에서는, 각종 기판 처리의 선택이나, 각 기판 처리에 있어서의 파라미터의 입력 조작을 행할 수 있다.

알람 발생부(94)는, 반송 아암(A3)을 포함하여, 레지스트 패턴 형성 장치의 각 부에 이상이 발생하였을 때에 알람을 발생시킨다.

또한, 전술한 바와 같이, 연산 처리부(91)는, 반송 아암(A3)의 진퇴 기구(33A, 33B), 베이스(31), 승강대(34), 회전 기구(32)에 설치된 모터(M1 내지 M5), 인코더(38)나 카운터(39) 등에 대해 소정의 제어 신호를 보내, 제어하도록 구성되어 있다. 그리고 기억부(92)에는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 포함되어 있다.

다음에, 도포 모듈(23)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스를 설명한다. 또한, 레지스트 도포 처리 프로세스는, 본 발명에 있어서의 기판 처리 방법에 상당한다.

도 12는 웨이퍼(W)를 전달할 때의 도포 모듈(23)과 반송 아암(A3)의 상태를 도시하는 도면이다.

도 12의 (a)에 도시하는 바와 같이, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 용제 노즐(80)의 위치를 결정해 둔다. 또한, 도 12의 (a)에 도시하는 상태는, 후술하는 도 15의 (a)에 도시하는 상태와 마찬가지이다.

웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있는 상태에서 포크(3A)가 후퇴되어 있을 때에, 포크(3A)의 하방에 설치되어 있는 광원(51)에 의해 하방으로부터 상방을 향해 광을 발광한다. 발광한 광을 포크(3A)의 상방에 설치되어 있는 리니어 이미지 센서(52)에 의해 수광한다. 수광한 리니어 이미지 센서(52)가, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 CCD가 직선 형상으로 배열되어 이루어지는 CCD 라인 센서일 때에는, 각 화소인 각 CCD의 검출값에 기초하여, 수광한 화소와 수광하지 않는 화소의 경계의 위치를 결정할 수 있다. 그리고 결정한 경계의 위치에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 계측할 수 있다.

도 13은 리니어 이미지 센서(52)의 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타내는 그래프이다.

도 13에 나타내는 바와 같이, 광원(51)에 의해 발광한 광을 수광하고 있지 않은 화소의 검출값(이하, 「수광량」이라 함)을 제1 값 n1로 하고, 광원(51)에 의해 발광한 광을 수광하고 있는 화소의 수광량을 제2 값 n2로 한다. 이때, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각 화소의 수광량이 제1 값 n1과 제2 값의 사이에서 변화하는 위치 E로서 검출할 수 있다. 수광량을 8비트의 데이터로서 처리할 때에는, 제1 값 n1을 예를 들어 0으로 하고, 제2 값 n2를 예를 들어 255 이하의 소정의 값으로 할 수 있다.

또한, 전술한 바와 같이, 광원(51)으로서, LED 대신에, 각종 광원을 사용할 수 있고, 리니어 이미지 센서(52)의 수광 소자로서, CCD 대신에, 각종 수광 소자를 사용할 수 있다.

도 14는 리니어 이미지 센서(52)에 의해 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출할 때의, 리니어 이미지 센서(52) 및 웨이퍼(W)를 도시하는 평면도이다.

도 14에 도시하는 바와 같이, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)가 연장되는 방향과 Y축이 이루는 각을 θ1, θ2, θ3, θ4로 한다.

포크(3A)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 어긋나 있지 않을 때의 리니어 이미지 센서(52) 상의 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 a점, b점, c점, d점으로 한다. 또한, 포크(3A)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 어긋나 있을 때의 리니어 이미지 센서(52) 상의 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를, 각각 a'점, b'점, c'점, d'점으로 한다.

각 리니어 이미지 센서(52)에 있어서의, a점, b점, c점, d점과 a'점, b'점, c'점, d'점의 거리를 Δa, Δb, Δc, Δd로 한다. 이때, Δa, Δb, Δc, Δd는,

또한, a점의 화소수라 함은, 리니어 이미지 센서(52)의 웨이퍼(W)의 중심측에 있어서의 시작점으로부터 a점까지에 있어서의 화소의 수를 의미한다.

그러면, a점 내지 d점, a'점 내지 d'점의 좌표는, 다음과 같이 나타내어진다.

따라서, 식(6), 식(8), 식(10), 식(12)에 의해, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3'), d'점(X4', Y4')의 좌표를 구할 수 있다.

다음에, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 3점으로부터 어긋남 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')를 산출한다.

예를 들어, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3')의 3점으로부터 어긋남 위치에 있어서의 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')를 산출하는 식은, 하기 식(13)

및 하기 식(14)

로 나타내어진다.

또한, 반경 R'은, 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')와 a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3')의 각 좌표로부터, 하기 식(15)

에 의해 구해진다. 즉, 리니어 이미지 센서(52)에 의해 검출한 웨이퍼(W)의 주변부의 위치에 기초하여, 웨이퍼(W)의 외경(반경 R'의 2배)이 산출된다.

또한, a'점, b'점, c'점, d'점 중, 전술한 3점(a'점, b'점, c'점)과 다른 3점의 조합, 예를 들어 (a'점, b'점, d'점), (a'점, c'점, d'점), (b'점, c'점, d'점)을 추출하고, 그 3점에 대응하여, 중심 위치 o'의 좌표(X', Y') 및 반경 R'을 산출해 둔다.

다음에, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중 어느 하나가 웨이퍼(W)의 주변부이며 절결부가 형성된 부분(절결부)(WN)을 검출하였는지 여부를 판정한다. a'점, b'점, c'점, d'점 중, 어느 3점의 조합에 대응하여 산출한 중심 위치 o'의 좌표(X', Y') 및 반경 R'에 대해, 판정을 행한다.

우선, 어느 3점의 조합에 대응하는 반경 R'이, 웨이퍼(W)의 기지의 반경인 R과 대략 동등한지를 판정한다.

도 14에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 노치(절결부)(WN)가, 평면에서 보아, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 근방에도 없을 때에는, a'점, b'점, c'점, d'점 중, 어느 3점의 조합에 대응하여 산출한 반경 R'도 반경 R과 대략 동등해진다. 이때는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 모두 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하고 있지 않다고 판정된다.

이때는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 어느 3개의 리니어 이미지 센서(52)의 검출값을 선택해도 된다.

또한, 웨이퍼(W)의 노치(절결부)(WN)가, 평면에서 보아, a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 하나의 근방에 있을 때에는, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출한 리니어 이미지 센서(52) 이외의 3개의 리니어 이미지 센서(52)를 선택한다. 그리고 선택한 3개의 리니어 이미지 센서(52)의 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다.

혹은, 4개의 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D) 중, 어느 1개의 리니어 이미지 센서가 웨이퍼(W)의 절결부(WN)를 검출하였을 때에는, 포크(3A)를 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)에 대해 약간 전방으로 이동시킨다. 이것은, 리니어 이미지 센서(52A 내지 52D)에 절결부(WN)가 검출되지 않도록 하기 위한 이동이다. 그리고 이동한 포크(3A)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 다시 검출하고, 검출한 재검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출해도 된다.

이때, 산출한 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')와, 기준 위치 o에 있어서의 웨이퍼(W)의 좌표 o(X, Y) 사이의 어긋남량(ΔX, ΔY)은,

에 의해 산출한다.

그리고 산출한 중심 위치 o'가 기준 위치 o로 되도록, 도포 모듈(23)의 웨이퍼(W)의 전달 위치로 보정한다.

이어서, 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 도포 모듈(23)의 스핀 척(61)의 바로 위까지 웨이퍼(W)가 반송된다[도 12의 (b)]. 이어서, 웨이퍼(W)는, 예를 들어 에어 실린더로 이루어지는 도시하지 않은 승강 구동 수단에 의해 상승해 온 스핀 척(61)에 의해 수취되는 동시에, 진공 흡착된다[도 12의 (c)]. 이어서, 스핀 척(61)이 상승해 있는 상태에서, 반송 아암(A3)은, 포크(3A)를 도포 모듈(23) 내로부터 후퇴시킨다[도 12의 (d)]. 이어서, 스핀 척(61)을 도시하지 않은 승강 구동 수단에 의해 하강시킴으로써 도포 모듈(23)에의 웨이퍼(W)의 전달을 종료한다[도 12의 (e)].

도 15는 도포 모듈(23)을 사용하여 행하는 각 공정에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면의 상태를 도시하는 도면이다.

도 15의 (a)는, 도 12의 (a)를 사용하여 전술한 바와 같이, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출할 때의 상태를 도시하고 있다. 이때, 웨이퍼(W)의 외경이, 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD인 것으로 한다.

이러한 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 0 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 1000rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 예를 들어 0.1초간, 용제 노즐(80)에 의해 웨이퍼(W)의 대략 중앙에 예를 들어 시너로 이루어지는 프리웨트액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시켜, 웨이퍼(W)의 표면이 용제에 의해 젖은 상태로 하는 프리웨트 처리를 행한다.

이어서, 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 2000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 2500rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 예를 들어 1.5초간, 레지스트액 노즐(73)에 의해 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급한다[도 15의 (b) 참조]. 이어서, 레지스트액(PR)의 공급을 정지한 상태에서, 웨이퍼(W)를 50 내지 2000rpm, 보다 바람직하게는 100rpm의 회전수로, 예를 들어 1.0초간 회전시킴으로써, 레지스트액(PR)의 형상을 조정한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 1000 내지 4000rpm, 보다 바람직하게는 1500rpm의 회전수로, 예를 들어 2.5초간 회전시킴으로써, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시켜 도포하는 동시에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내고, 건조시켜, 레지스트막(PR)을 형성한다[도 15의 (c) 참조].

다음에, 표면에 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 척 구동 기구(62)에 의해, 웨이퍼(W)를 10 내지 100rpm, 보다 바람직하게는 50rpm의 회전수로 회전시킨다. 그리고 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 소정 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에, 용제 노즐(80)에 의해, 예를 들어 시너로 이루어지는 린스액(R)을 공급한다. 그리고 린스액(R)을 공급함으로써, 린스액(R)을 공급한 위치의 레지스트막(PR)을 선택적으로 제거한다[도 15의 (d) 참조].

여기서, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D일 때에, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거되는 용제 노즐(80)의 소정 위치가, 스핀 척(61)의 회전 중심으로부터 Y방향으로 Y1의 위치인 것으로 한다. 그리고 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 용제 노즐(80)의 소정 위치가 기준 위치 Y1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 Y1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 소정 위치로, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 주변부의 레지스트막을 제거하는 영역의 웨이퍼 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 리니어 이미지 센서에 의해 검출한 웨이퍼의 주변부의 위치에 기초하여, 웨이퍼의 외경을 산출하고, 산출한 외경에 기초하여, 용제 노즐의 위치를 결정하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나 미리 계산식을 준비해 두고, 웨이퍼의 주변부의 위치에 기초하여 직접 용제 노즐의 위치를 결정하도록 해도 된다.

(제1 실시 형태의 변형예)

다음에, 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다.

본 변형예에 관한 기판 처리 장치는, 도포 모듈(23)과는 별도로 설치된, 웨이퍼(W)의 주변부로부터 레지스트막을 제거하기 위한 제거 모듈(23a)인 점에서, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치와 다르다.

본 변형예에 있어서의 기판 처리 시스템 중, 제거 모듈(23a) 이외의 부분은, 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템과 마찬가지로 할 수 있어, 설명을 생략한다.

다음에, 본 변형예에 관한 기판 처리 장치인 제거 모듈(23a)의 구성에 대해 설명한다. 도 16은 제거 모듈(23a)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 17은 제거 모듈(23a)의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.

제거 모듈(23a)에는, 레지스트액 노즐(73)이 설치되어 있지 않고, 용제 노즐(80)만이 설치되어 있다. 따라서, 제거 모듈(23a)은 아암(71), 레지스트액 노즐(73), 노즐 구동부(74), 대기부(75), 레지스트액 공급원(76), 공급관(77), 밸브(78)가 설치되어 있지 않은 점에서, 도포 모듈(23)과 다르다.

한편, 아암(72)에는, 레지스트액의 용제를 토출하는 용제 노즐(80)이 지지되어 있다. 아암(72)은, 예를 들어 도 17에 도시하는 노즐 구동부(81)에 의해 레일(70) 상을 이동 가능하며, 용제 노즐(80)을, 컵(63)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(82)로부터 컵(63) 내의 웨이퍼(W)의 대략 중심 상까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(81)에 의해, 아암(72)은 승강 가능하며, 용제 노즐(80)의 높이를 조절할 수 있다. 용제 노즐(80)에는, 도 16에 도시하는 바와 같이 용제 공급원(83)에 연통되는 공급관(84)이 접속되어 있다. 용제 노즐(80)은, 스핀 척(61)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주변부에 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 에지 린스 처리를 행하기 위한 것이다. 그 밖에, 스핀 척(61), 척 구동 기구(62)를 포함하여, 상기한 부분 이외의 부분에 대해서는 도포 모듈(23)과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

또한, 제거 모듈(23a)은, 레지스트 패턴 형성 장치 중 어딘가의 장소에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)에, 각 처리 모듈과 인접하여 설치할 수 있다.

또한, 스핀 척(61)은, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 척 구동 기구(62)는, 본 발명에 있어서의 회전부에 상당한다. 또한, 용제 노즐(80)은, 본 발명에 있어서의 린스액 공급부에 상당하고, 노즐 구동부(81)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.

본 변형예에 있어서의, 도포 모듈(23) 및 제거 모듈(23a)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스에서도, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다[도 15의 (a) 참조]. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 용제 노즐(80)의 위치를 결정해 둔다.

그리고 웨이퍼(W)를 도포 모듈(23)의 스핀 척(61)에 진공 흡착시킨 상태에서, 프리웨트 처리한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 레지스트액 노즐(73)로부터 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 레지스트액(PR)을 공급한다. 이에 의해, 레지스트액(PR)을 웨이퍼(W)의 직경 방향 외주측으로 확산시키면서 도포하고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(PR)을 떨쳐내고, 건조시켜, 레지스트막(PR)을 형성한다[도 15의 (b) 및 도 15의 (c) 참조]. 여기까지는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.

한편, 본 변형예에서는, 이후, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를, 도포 모듈(23)로부터 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 수취한다. 이어서, 포크(3A)에 의해 수취한 웨이퍼(W)를, 제거 모듈(23a)의 스핀 척(61)에 진공 흡착시킴으로써 전달한다. 그리고 제거 모듈(23a)에 있어서, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 소정 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 회전하는 웨이퍼(W)의 주변부의 표면에, 용제 노즐(80)에 의해, 예를 들어 시너로 이루어지는 린스액(R)을 공급한다. 그리고 린스액(R)을 공급함으로써, 린스액(R)을 공급한 위치의 레지스트막(PR)을 선택적으로 제거한다[도 15의 (d) 참조].

본 변형예에서도, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 용제 노즐(80)의 소정 위치가 기준 위치 Y1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 Y1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 소정 위치로, 노즐 구동부(81)에 의해 용제 노즐(80)을 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 제거된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 주변부의 레지스트막을 제거하는 영역의 웨이퍼 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.

또한, 본 변형예에서는, 도포 모듈에 의해 도포 처리가 행해지기 전에, 웨이퍼를 반송 아암에 의해 반송할 때에, 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출하는 예에 대해 설명하였다. 그러나 도포 모듈에 의해 도포 처리가 행해진 후, 제거 모듈에 의해 에지 린스 처리가 행해지기 전에, 표면에 레지스트막이 형성된 웨이퍼를 반송 아암에 의해 반송할 때에, 리니어 이미지 센서에 의해 웨이퍼의 주변부의 위치를 검출해도 된다.

(제2 실시 형태)

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 설명한다.

본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 표면에 레지스트막이 형성된 웨이퍼의 주변부를 노광하기 위한 주변 노광 모듈인 점에서, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치와 다르다.

본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템 중, 주변 노광 모듈 이외의 부분은, 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템과 마찬가지로 할 수 있어, 설명을 생략한다.

다음에, 주변 노광 처리를 행하는 주변 노광 모듈에 대해 설명한다. 도 18은 주변 노광 모듈(100)의 일부 단면을 포함하는 측면도이다. 도 19의 (a)는, 웨이퍼(W)가 주변 노광 모듈(100)에 의해 주변 노광되는 모습을 도시하는 사시도이다. 도 19의 (b)는, 도 19의 (a)의 G-G선을 따르는 단면도이다.

주변 노광 모듈(100)은, 전술한 바와 같이, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)의 각 모듈에서 처리가 행해지고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해, 주변부를 노광하여, 주변 노광을 행하기 위한 것이다. 주변 노광 모듈(100)은, 레지스트 패턴 형성 장치의 어딘가의 장소에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 제3 블록(COT층)(B3)에, 각 처리 모듈과 인접하여 설치할 수 있다.

주변 노광 모듈(100)은, 케이싱(101), 반송부(102), 주변 노광부(120)를 갖는다.

반송부(102)는, 적재대(103), 회전 구동부(104), 이동 구동부(105), 얼라인먼트부(110)를 갖는다. 적재대(103)는, 적재된 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 것으로, 외측을 덮는 케이싱(101) 내의 하방 공간에 설치되어 있다. 적재대(103)는, 예를 들어 진공 척으로 이루어진다. 적재대(103)는, 회전 가능하게 설치되어 있고, 모터 등의 회전 구동부(104)에 의해 회전 구동된다.

또한, 적재대(103)는, 본 발명에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당하고, 회전 구동부(104)는, 본 발명에 있어서의 회전부에 상당하고, 이동 구동부(105)는, 본 발명에 있어서의 이동부에 상당한다.

이동 구동부(105)는, 가이드 레일(107)을 갖는다. 가이드 레일(107)은, 케이싱(101)의 저면측에, 케이싱(101)의 일단부측(도 18의 좌측)으로부터 타단부측(도 18의 우측)까지 연장되도록 설치되어 있다. 적재대(103)는, 가이드 레일(107)을 따라 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 적재대(103) 및 회전 구동부(104)는, 이동 구동부(105)에 구비된 도시하지 않은 이동용 모터를 정역으로 회전 구동시킴으로써, 가이드 레일(107)을 따라 ±X방향으로 이동 구동된다.

얼라인먼트부(110)는, 적재대(103) 상의 웨이퍼(W)의 노치부(절결부)의 위치를 검출하기 위한 것이다. 얼라인먼트부(110)는, 예를 들어 한 쌍의 발광 소자(112)와 수광 소자(113)를 구비한 것이다. 얼라인먼트부(110)는, 적재대(103)에 적재되고, 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 케이싱(101)의 타단부측인 얼라인먼트 위치 P2에 배치되어 있을 때에, 웨이퍼(W)의 주변부를 상하로부터 발광 소자(112)와 수광 소자(113)에 의해 끼우도록 설치되어 있다. 얼라인먼트부(110)에 의한 노치부의 위치의 검출 결과에 기초하여, 회전 구동부(104)에 의해 적재대(103)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 각도를 얼라인먼트할 수 있다.

케이싱(101) 내의 일단부측의 단부에는, 반송 아암(A3)이 적재대(103)에 대해 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동시켜, 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위한 반송구(114)(도 4에 있어서의 부호 24와 동일함)가 설치되어 있다. 적재대(103)에 적재되고, 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)가 케이싱(101)의 일단부측, 즉 반송구(114)측에 있을 때의 위치를, 웨이퍼 반입출 위치 P1로 한다.

주변 노광부(120)는, 발광 유닛(121), 도광 부재(122), 조사 유닛(123)을 갖는다.

발광 유닛(121)은, 예를 들어 초고압 수은 램프로 이루어지는 도시하지 않은 광원을 갖고, 적재대(103)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 노광하기 위한 광을 발광한다. 도광 부재(122)는, 발광 유닛(121)과 조사 유닛(123)을 접속하도록 설치되어 있다. 도광 부재(122)는, 예를 들어 석영 등의, 광에 대해 투명한 코어재를 갖는, 예를 들어 광파이버로 이루어지는 것이며, 광을 발광 유닛(121)으로부터 조사 유닛(123)으로 유도한다.

조사 유닛(123)은, 출사측 슬릿(124)을 갖는다[도 19의 (a) 참조]. 조사 유닛(123)에 입사된 광은, 도시하지 않은 렌즈, 미러를 통해, 방향 및 광속의 형상이 변경되어, 출사측 슬릿(124)으로 유도된다. 출사측 슬릿(124)은, 예를 들어 직사각 형상을 갖고 있고, 광을 조사 유닛(123)으로부터 출사할 때에, 광속의 단면 형상을 조정한다.

이러한 주변 노광부(120)에 따르면, 도 19의 (a)에 도시하는 바와 같이, 광 B가, 조사 유닛(123)에 설치된 출사측 슬릿(124)으로부터 출사되어, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 소정의 영역 A에 균일하게 조사된다. 이 상태에서, 회전 구동부(104)에 의해 웨이퍼(W)가 회전함으로써, 도 19의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광 B를 조사, 즉 노광(주변 노광)할 수 있다.

본 실시 형태에 있어서의, 도포 모듈(23) 및 주변 노광 모듈(100)에서 행해지는 레지스트 도포 처리 프로세스에서도, 미리 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 반송 아암(A3)에 설치된 리니어 이미지 센서(52)에 의해, 웨이퍼(W)의 주변부의 위치를 검출한다[도 15의 (a) 참조]. 그리고 검출한 위치에 기초하여, 주변부를 노광할 때의 적재대(103)에 대한 조사 유닛(123)의 상대 위치를 결정해 둔다.

한편, 본 실시 형태에서는, 이후, 레지스트막(PR)이 형성된 웨이퍼(W)를, 도포 모듈(23)로부터 반송 아암(A3)의 포크(3A)에 의해 수취한다. 이어서, 포크(3A)에 의해 수취한 웨이퍼(W)를, 주변 노광 모듈(100)의 적재대(103)에 전달한다. 그리고 주변 노광 모듈(100)에 있어서, 결정한 상대 위치로 되도록 이동 구동부(105)에 의해 적재대(103)를 이동시킨다. 이 상태에서, 발광 유닛(121)으로부터의 광 B가, 조사 유닛(123)에 형성된 출사측 슬릿(124)으로부터 출사된다. 그리고 조사 유닛(123)에 의해 광 B를 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 소정의 영역 A에 균일하게 조사하면서, 회전 구동부(104)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광 B가 조사되어 주변 노광이 행해진다[도 19의 (a) 참조].

도 20은 주변 노광 모듈(100)에 의해 주변 노광이 행해질 때의 웨이퍼(W)의 표면의 상태를 도시하는 도면이다.

도 20에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D일 때에, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 잉여 레지스트막(RA)이 선택적으로 노광되는, 적재대(103)의 회전 중심에 관한 출사측 슬릿(124)의 중심의 상대 위치가, X방향으로 X1인 것으로 한다. 그리고 웨이퍼(W)의 외경이 기준값 D에 대해 ΔD 변동된 D＋ΔD일 때, 적재대(103)의 회전 중심에 대한 출사측 슬릿(124)의 중심의 상대 위치가 기준 위치 X1에 대해, 예를 들어 ΔD/2만큼 변동된 X1＋ΔD/2로 되도록 결정한다. 그리고 결정한 상대 위치로 되도록, 이동 구동부(105)에 의해 적재대(103)를 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외경의 변동에 관계없이, 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터 소정 폭 WE의 영역에 있어서의 레지스트막(PR)이 선택적으로 노광된다. 따라서, 모듈마다 위치 결정 센서를 설치할 필요가 없고, 웨이퍼마다 외경 치수가 변동된 경우라도, 웨이퍼(W)의 주변부에 있어서의 레지스트막을 노광하는 영역의 웨이퍼(W)의 외측 테두리로부터의 폭 치수를 일정하게 할 수 있다.

또한, 적재대(103) 대신에, 조사 유닛(123)이 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있어도 되고, 이동 가능하게 설치된 조사 유닛(123)이 도시하지 않은 이동부에 의해 X방향으로 이동해도 된다. 즉, 적재대(103) 및 조사 유닛(123)의 어느 한쪽이 다른 쪽에 대해 상대 이동 가능하게 설치되어 있으면 되고, 결정한 상대 위치로 되도록 적재대(103) 및 조사 유닛(123) 중 어느 한쪽을 이동시키면 된다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 기술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.

23 : 도포 모듈
23a : 제거 모듈
3, 3A, 3B : 포크(보유 지지부)
31 : 베이스
5, 5A 내지 5D : 검출부
51, 51A 내지 51D : 광원
52, 52A 내지 52D : 리니어 이미지 센서
61 : 스핀 척
62 : 척 구동 기구
73 : 레지스트액 노즐
74 : 노즐 구동부
80 : 용제 노즐
81 : 노즐 구동부
9 : 제어부
100 : 주변 노광 모듈
103 : 적재대
104 : 회전 구동부
105 : 이동 구동부
110 : 얼라인먼트부
120 : 주변 노광부
123 : 조사 유닛

Claims

표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지시켜 상기 기판 보유 지지부를 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부를 사용하고,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 공정과,
상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 공정과,
상기 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출 하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 상기 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
하나의 검출부가 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결이 설치된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대하여 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치의 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 공정과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 린스액을 기판의 주변부의 표면에 공급하기 전에, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 도포액을 공급함과 함께 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 방법에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부를 사용하고,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 공정과,
상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 공정과,
상기 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출 하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 상기 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
하나의 검출부가 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결이 설치된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대하여 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 공정과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 공정은, 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 비교하고, 양자가 동등할 때에는 상기 절결이 설치된 부분을 검출하고 있지 않다고 판정하고, 양자가 동등하지 않을 때에는 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하는 공정인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지시켜 상기 기판 보유 지지부를 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부와,를 갖는 기판 반송부를 사용하고,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 4개 이상의 검출부 중에서 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 3개의 검출부의 조합마다 비교하는 공정과,
이 비교 결과에 의해 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출 하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
상기 비교의 결과, 구한 반경과 기판의 기지 반경이 상이하게 됨으로써 하나의 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하였다고 판정하였을 때에는, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부를 사용해서 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 공정과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제5항에 있어서, 상기 린스액을 기판의 주변부의 표면에 공급하기 전에 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 도포액을 공급함과 함께 기판을 회전시킴으로써, 상기 기판의 표면에 도포막을 형성하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 방법에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부를 사용하고,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 4개 이상의 검출부 중에서 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 3개의 검출부의 조합마다 비교하는 공정과,
이 비교 결과에 의해 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 구한 중심 위치와 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
상기 비교의 결과, 구한 반경과 기판의 기지 반경이 상이하게 됨으로써 하나의 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하였다고 판정하였을 때에는, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부를 사용해서 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 공정과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 공정과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검출부의 각각은 후퇴하고 있는 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 기판 어느 것이라도 상하로부터 끼울 수 있게 설치된 한 쌍의 광원과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부에 의해 구성되는 것인, 기판 처리 방법.
제8항에 있어서, 상기 수광부는, 리니어 이미지 센서인, 기판 처리 방법.
컴퓨터에 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지시켜 상기 기판 보유 지지부를 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부와,
상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 스텝과, 상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 스텝과,
상기 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 상기 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과,
하나의 검출부가 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결이 설치된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대하여 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과, 구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 스텝과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제11항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 대하여 기판이 회전하고 있을 때에 도포액을 공급해서 기판 상에 도포막을 형성하기 위한 도포액 공급부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 장치에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 각각 상이한 위치에서 검출하는 3개 이상의 검출부와,를 갖는 기판 반송부와,
상기 기판 보유 지지부 및 상기 주변 노광부 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대하여 이동시키는 이동부와,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 검출부에 의해 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 스텝과, 상기 검출부가 상기 주변부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 상기 검출부 중 어느 하나가 상기 기판의 주변부이며 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 스텝과,
상기 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 상기 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과,
하나의 검출부가 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하였을 때에, 상기 절결이 설치된 부분이 상기 검출부에 검출되지 않도록 상기 보유 지지부를 상기 검출부에 대하여 이동시키고, 이동한 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 상기 검출부에 의해 다시 검출한 재검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고,
구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과, 구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 스텝과,
구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였는지 여부를 판정하는 스텝은, 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 비교하고, 양자가 동등할 때에는 상기 절결이 설치된 부분을 검출하고 있지 않다고 판정하고, 양자가 동등하지 않을 때에는 상기 절결이 설치된 부분을 검출하였다고 판정하는 스텝인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지시켜 상기 기판 보유 지지부를 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부의 표면에 린스액 공급부에 의해 린스액을 공급함으로써, 린스액을 공급한 위치의 도포막을 선택적으로 제거하는 기판 처리 장치에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 각각 상이한 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부와,
상기 린스액 공급부를 이동시키는 이동부와,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 4개 이상의 검출부 중에서 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 3개의 검출부의 조합마다 비교하는 스텝과,
이 비교 결과에 의해 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과,
상기 비교의 결과, 구한 반경과 기판의 기지 반경이 상이하게 됨으로써 하나의 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하였다고 판정하였을 때에는, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부를 사용해서 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 스텝과, 구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부의 표면에 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 공급부의 위치를 결정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제15항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판에 대하여 기판이 회전하고 있을 때에 도포액을 공급해서 기판상에 도포막을 형성하기 위한 도포액 공급부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
표면에 도포막이 형성된 원형의 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판을 회전시킨 상태에서, 상기 기판의 주변부를 주변 노광부에 의해 노광하는 기판 처리 장치에 있어서,
베이스와, 상기 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판의 이면을 보유 지지 갈고리에 의해 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 각각 상이한 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부를 갖는 기판 반송부와,
상기 기판 보유 지지부 및 상기 주변 노광부 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대하여 이동시키는 이동부와,
상기 보유 지지부가 후퇴해 기판을 보유 지지한 상태에서 있을 때에, 상기 4개 이상의 검출부 중에서 3개의 검출부의 조합에 의한 검출값에 기초하여 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 반경과 기판의 기지 반경을 3개의 검출부의 조합마다 비교하는 스텝과,
이 비교 결과에 의해 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하고 있지 않다고 판정하였을 때에는, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과, 상기 비교의 결과, 구한 반경과 기판의 기지 반경이 상이하게 됨으로써 하나의 검출부가 기판의 주변부의 절결을 검출하였다고 판정하였을 때에는, 상기 하나의 검출부 이외의 3개의 검출부를 사용해서 기판의 중심 위치 및 기판의 반경을 구하고, 구한 중심 위치와, 보유 지지부의 기준 위치에 보유 지지되고 있을 때의 기판 중심 위치 사이의 어긋남량을 구하는 스텝과,
구한 중심 위치의 어긋남량에 기초하여 기판이 상기 기판 보유 지지부의 전달 위치에 전달되도록 기판 반송부의 반송 동작을 보정하는 스텝과, 구한 기판의 반경에 기초하여, 상기 주변부를 노광할 때의 상기 기판 보유 지지부에 대한 상기 주변 노광부의 상대 위치를 결정하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제11항 내지 제13항 및 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보유 지지부는, 상하에 겹치도록 복수개 설치되어 있고,
상기 검출부는, 상기 보유 지지부 중 어느 한 개가 기판을 보유 지지한 상태에서 후퇴하고 있을 때에, 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 상기 기판의 주변부의 위치를 검출하는 것인, 기판 처리 장치.
제11항 내지 제13항 및 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검출부의 각각은 후퇴하고 있는 상기 보유 지지부가 보유 지지하고 있는 기판을 모두 상하로부터 끼우도록 설치된 한 쌍의 광원과, 복수의 수광 소자가 배열되어 이루어지는 수광부에 의해 구성되는 것인, 기판 처리 장치.