JP6475071B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
基板処理装置においては、スピンチャックにより水平に支持された基板が回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルから処理液が吐出されることにより、基板の表面全体に処理液が供給される。その後、所定の熱処理が行われることにより、基板の表面に処理液からなる薄膜が形成される。ここで、基板の周縁部に薄膜が形成されると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、膜が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部に薄膜が形成されることを防止するため、基板の表面全体への処理液の供給後に基板の周縁部の処理液を除去する処理が行われる（例えば、特許文献１，２参照）。
特許文献１の塗布膜除去装置においては、スピンチャックに保持された基板の周縁部の位置が検出機構により検出される。この状態で、スピンチャックが３６０°回転することにより、スピンチャックの回転位相とそれに対応する基板の周縁部の位置とが取得される。回転する基板の周縁部にリンス液吐出ノズルからリンス液が吐出されることにより、基板の周縁部のレジスト液が除去される。リンス液の吐出時には、スピンチャックの回転に伴う基板の周縁部の位置変動分が補償されるように、スピンチャックまたはリンス液吐出ノズルの位置がアライメント機構により調整される。
同様に、特許文献２のレジスト塗布装置においては、スピンチャックに保持された基板の周縁部がＣＣＤ（電荷結合素子）カメラにより撮影される。この状態で、スピンチャックが回転することにより、基板の回転角とそれに対応する周縁部の位置との関係が取得される。基板の回転角と周縁部の位置との関係を用いて、基板の回転中に基板の周縁部の位置に合わせてエッジリンスノズルが半径方向に移動されながら、エッジリンス液が基板の周縁部に吐出される。
特開２００１−１１０７１２号公報 特開２００４−１７９２１１号公報
従来、特許文献１，２の方法により、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができると考えられていた。しかしながら、実際には、ノズルを半径方向に移動させながら基板の周縁部の一定幅の領域に処理を行うことは困難である。そのため、ノズルを半径方向に移動させながら基板の周縁部を高い精度で処理することが可能な基板処理装置は実現されていなかった。
近年、製品を作製するために利用可能な基板の領域を増加させるために、薄膜が除去される基板の周縁部の幅をより小さくすることが望まれている。そのため、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが望まれる。
本発明の目的は、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
従来の基板の周縁部の処理においては、基板の周縁部の位置は検出されていたが、ノズルの位置は既知であるとみなされていた。しかしながら、ノズル移動機構を構成する部材の機械精度または回転部材の偏心もしくは遊び等に起因して、ノズルの位置には数百μｍ程度の不確定さが存在する。このような位置の不確定さは、ノズルの寸法に比べて十分小さいため、基板の周縁部の処理において考慮されていなかった。本発明者は、基板の周縁部の処理を高い精度で行う場合において、上記の位置の不確定さは無視することができない要素であることを見出し、以下の発明を案出した。
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、回転保持部により回転される基板の周縁部に処理液を吐出する処理液ノズルを含むノズル機構と、回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置を調整可能に設けられた位置調整部と、回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出するように配置された位置検出ユニットと、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得する変化量取得部と、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ変化量取得部により取得された第１の振幅で周期的に変化するように位置調整部を制御する位置制御部と、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が周期的に変化するように位置制御部が位置調整部を制御した後に、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差が予め定められた値以下になるように位置調整部を制御する位相制御部と、位相制御部による位置調整部の制御後、処理液ノズルから処理液が吐出されるようにノズル機構を制御する吐出制御部とを備える。
この基板処理装置においては、基板が回転保持部により保持して回転される。回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が位置検出ユニットにより検出される。ここで、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置は、位置調整部により回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において調整可能である。回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅が第１の振幅として取得される。
回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化される。その後、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差（以下、単に位相差と呼ぶ。）が位置調整部により予め定められた値以下にされる。位相差が予め定められた値以下になると、処理液ノズルは、基板の外周部の位置の変化に追従するように移動する。この状態で、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液が吐出される。
この構成によれば、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置の変化を基板の外周部の位置の変化に正確に同期させることができる。それにより、処理液ノズルを基板の周縁部の所望の位置に高い精度で配置することができる。その結果、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（２）変化量取得部は、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置と位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置との差分の時間変化の振幅を第２の振幅として取得し、位相制御部は、変化量取得部により取得される第２の振幅が予め定められたしきい値以下になるように位置調整部を制御することにより、処理液ノズルの位置の時間変化の位相と基板の外周部の位置の時間変化の位相との差を予め定められた値以下にしてもよい。
この場合、位相差が小さくなるほど第２の振幅は小さくなるので、第２の振幅を用いて位相差が予め定められた値以下であるか否かを容易かつ高速に判定することができる。これにより、基板の周縁部の処理を効率よく行うことができる。
（３）しきい値は５０μｍであってもよい。この場合、基板の周縁部の処理を十分に高い精度で行うことができる。
（４）位相制御部は、変化量取得部により取得される第２の振幅が最小になるように位置調整部を制御してもよい。この場合、基板の周縁部の処理をより十分に高い精度で行うことができる。
（５）位置調整部の位置調整の分解能は５０μｍ以下であってもよい。この場合、処理液ノズルを高い精度で移動させることができる。そのため、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが容易になる。
（６）位置調整部は、ピエゾ素子またはボイスモータコイルを含んでもよい。この場合、処理液ノズルを高い精度でかつ高い応答性で移動させることができる。そのため、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことがより容易になる。
（７）ノズル機構は、処理液ノズルを支持するノズル支持部を含み、位置調整部は、ノズル支持部に設けられてもよい。この場合、ノズル支持部に大型の位置調整部を用いる必要がない。そのため、基板処理装置をコンパクト化することができる。また、処理液ノズルは軽量であるため、位置調整部を駆動するためのエネルギーを低減することができる。
（８）位置検出ユニットは、基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出する共通の検出装置を含んでもよい。この場合、基板処理装置に複数の検出装置を設ける必要がない。そのため、基板処理装置が大型化することを防止することができる。
（９）位置検出ユニットは、基板の外周部の位置を検出する第１の検出装置と、処理液ノズルの位置を検出する第２の検出装置とを含んでもよい。この場合、基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が別個の検出装置により検出される。そのため、基板の外周部と処理液ノズルとの位置関係の制約なしに処理液ノズルの配置の自由度を向上させることができる。
（１０）位置検出ユニットは、基板の外周部および処理液ノズルの画像を示す画像データを生成し、生成した画像データに基づいて基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出し、変化量取得部は、位置検出ユニットにより生成された画像データを処理することにより第１の振幅を取得してもよい。この場合、画像処理を用いて第１の振幅を容易かつ正確に取得することができる。
（１１）処理液ノズルは、基板の周縁部に塗布された液を除去する除去液を処理液として吐出してもよい。この場合、基板処理装置は基板の周縁部に塗布された液を除去する基板処理を行うことができる。
（１２）処理液ノズルは、基板の周縁部に処理膜を形成するための処理液を吐出してもよい。この場合、基板処理装置は基板の周縁部に処理膜を形成する基板処理を行うことができる。
（１３）第２の発明に係る基板処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、基板を回転保持部により保持して回転させるステップと、回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を位置検出ユニットにより検出するステップと、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得するステップと、回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置を位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化させるステップと、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が位置調整部により周期的に変化された後に、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差を位置調整部により予め定められた値以下にするステップと、位相の差が予め定められた値以下になった後、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液を吐出するステップとを含む。
この基板処理方法によれば、基板が回転保持部により保持して回転される。回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が位置検出ユニットにより検出される。ここで、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置は、位置調整部により回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において調整可能である。回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅が第１の振幅として取得される。
回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化される。その後、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差が位置調整部により予め定められた値以下にされる。位相差が予め定められた値以下になると、処理液ノズルは、基板の外周部の位置の変化に追従するように移動する。この状態で、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液が吐出される。
この方法によれば、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置の変化を基板の外周部の位置の変化に正確に同期させることができる。それにより、処理液ノズルを基板の周縁部の所望の位置に高い精度で配置することができる。その結果、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
本発明によれば、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 塗布処理ユニットの構成を示す平面図である。 図２の塗布処理ユニットに設けられる一方の処理液ノズルの固定手順を示す斜視図である。 図２の塗布処理ユニットに設けられる一方の処理液ノズルの固定手順を示す斜視図である。 図２の塗布処理ユニットに設けられる一方の位置検出ユニットの模式的側面図である。 図６の位置検出ユニットの模式的平面図である。 ローカルコントローラの構成を示すブロック図である。 図８の位置設定部および位置制御部による位置調整部の制御を説明するための図である。 図８の位相制御部による位置調整部の制御を説明するための図である。 基板周縁部処理を示すフローチャートである。 基板周縁部処理を示すフローチャートである。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
（１）基板処理装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向する。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１４参照）が設けられる。
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向する。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１４参照）が設けられる。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向する。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
（２）塗布処理部および塗布現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す平面図である。図２および図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９、複数のノズル機構２００および複数の位置検出ユニット３００を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７、ノズル機構２００および位置検出ユニット３００は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
ノズル機構２００は、処理液ノズル２１０、リンス液供給系２２０、ノズル支持部２３０、ノズル固定部２４０およびノズル取付部２５０を含む。リンス液供給系２２０は、配管２２１およびバルブ２２２を含む。処理液ノズル２１０は、配管２２１により図示しないリンス液貯蔵タンクに接続される。バルブ２２２は配管２２１に介挿される。ノズル機構２００の詳細については後述する。
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない電動モータ等の駆動装置により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。
複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。
また、ノズル機構２００の処理液ノズル２１０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２１０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の処理液ノズル２８からは、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の処理液ノズル２８からは、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が吐出される。塗布処理室３２，３４の処理液ノズル２８からは、レジストカバー膜用の処理液（レジストカバー液）が吐出される。
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８を移動させる移動機構３９を備える。
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
（３）基板周縁部処理の詳細
（ａ）ノズル機構
図４および図５は、図２の塗布処理ユニット１２９に設けられる一方の処理液ノズル２１０の固定手順を示す斜視図である。塗布処理ユニット１２９に設けられる他方の処理液ノズル２１０の固定手順は、図４および図５の処理液ノズル２１０の固定手順と同様である。
図４に示すように、ノズル支持部２３０は、前面２３０Ａ、背面２３０Ｂ、一側面２３０Ｃ、他側面２３０Ｄ、上面２３０Ｅおよび下面２３０Ｆを有する。図４では、ノズル支持部２３０の前面２３０Ａが向く方向をノズル支持部２３０の前方とし、ノズル支持部２３０の背面２３０Ｂが向く方向をノズル支持部２３０の後方とする。本例においては、ノズル支持部２３０は、後端部が下方に突出する断面Ｌ字型のブロックである。
ノズル支持部２３０には、上面２３０Ｅから下面２３０Ｆまで貫通する円形状の貫通孔２３１が形成される。貫通孔２３１の径は、図５の処理液ノズル２１０の径よりもわずかに大きい。また、ノズル支持部２３０には、貫通孔２３１と交差するように上面２３０Ｅから下面２３０Ｆまで貫通しかつ前端部を側方に分離する切欠２３２が形成される。
ノズル支持部２３０の前端部には、一側面２３０Ｃから切欠２３２まで貫通する貫通孔２３３が形成される。また、ノズル支持部２３０の前端部には、他側面２３０Ｄから切欠２３２まで貫通し貫通孔２３３につながるねじ孔２３４が形成される。ノズル支持部２３０の後端部には、一側面２３０Ｃから他側面２３０Ｄまで貫通する貫通孔２３５が形成される。
ノズル固定部２４０は、円盤形状の位置調整部２４１および略円柱形状の固定部材２４２，２４３を含む。位置調整部２４１は、例えばアクチュエータである。位置調整部２４１の分解能は５０μｍ以下であることが好ましい。また、位置調整部２４１は、高い応答性を有することが好ましい。本例では、位置調整部２４１はピエゾ素子を含む。
位置調整部２４１は、例えば接着剤により固定部材２４２，２４３間に固定される。これにより、一方向に延びる略円柱形状のノズル固定部２４０が形成される。図４では、固定部材２４２が配置される方向をノズル固定部２４０の前方とし、固定部材２４３が配置される方向をノズル固定部２４０の後方とする。
固定部材２４２には、前後方向に貫通するねじ孔２４２ａが形成される。固定部材２４３の前後方向における略中央部には、フランジ部２４３ａが形成される。固定部材２４３のフランジ部２４３ａよりも後端部には、雄ねじ２４３ｂが形成される。
ノズル取付部２５０は、平板形状を有する。ノズル取付部２５０は、図２の各塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に略垂直に設けられる。図３のスピンチャック２５の回転中心軸と当該スピンチャック２５に対応するノズル取付部２５０との間の距離は一定である。ノズル取付部２５０には、円形の貫通孔２５１が形成される。貫通孔２５１の径は、ノズル固定部２４０の雄ねじ２４３ｂの径よりもわずかに大きい。
ノズル支持部２３０の他側面２３０Ｄから一側面２３０Ｃに向かって固定ねじ２４４が貫通孔２３５に挿通される。この状態で、固定ねじ２４４の先端がノズル固定部２４０のねじ孔２４２ａに嵌め込まれる。これにより、ノズル支持部２３０がノズル固定部２４０に固定される。
ノズル固定部２４０の雄ねじ２４３ｂがノズル取付部２５０の貫通孔２５１に挿通される。この状態で、雄ねじ２４３ｂがナット２４５に嵌め込まれる。この場合、ノズル固定部２４０のフランジ部２４３ａとナット２４５とによりノズル取付部２５０が挟み込まれる。これにより、ノズル固定部２４０がノズル取付部２５０に固定される。
吐出口が下方を向くように、処理液ノズル２１０（図５）がノズル支持部２３０の貫通孔２３１に挿通される。この状態で、ノズル支持部２３０の貫通孔２３３を通してねじ孔２３４に固定ねじ２３６が嵌め込まれる。この場合、ノズル支持部２３０の一側面２３０Ｃの貫通孔２３３に差し込まれた固定ねじ２３６は、切欠２３２を通ってノズル支持部２３０の他側面２３０Ｄのねじ孔２３４に固定される。
ここで、固定ねじ２３６を締め付けることにより、ノズル支持部２３０の切欠２３２の間隔が小さくなり、貫通孔２３１に挿通された処理液ノズル２１０が一側面２３０Ｃおよび他側面２３０Ｄにより締め付けられる。これにより、図５に示すように、処理液ノズル２１０がノズル支持部２３０に固定される。
上記の取り付け手順により、処理液ノズル２１０が各塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に固定される。周縁部の基板処理（以下、基板周縁部処理と呼ぶ。）において、ノズル固定部２４０の位置調整部２４１が伸縮することにより、スピンチャック２５に対する処理液ノズル２１０の相対的な位置が調整される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの外周部から所定の幅だけ内側の領域をいう。
（ｂ）位置検出ユニット
図６は、図２の塗布処理ユニット１２９に設けられる一方の位置検出ユニット３００の模式的側面図である。図７は、図６の位置検出ユニット３００の模式的平面図である。塗布処理ユニット１２９に設けられる他方の位置検出ユニット３００の構成は、図６および図７の位置検出ユニット３００の構成と同様である。
本実施の形態では、図６および図７に示すように、位置検出ユニット３００は単一の撮像装置３１０により構成される。撮像装置３１０は、照明部３１１、反射ミラー３１２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ３１３を備える。
照明部３１１は基板Ｗの周縁部の上方に配置される。反射ミラー３１２は、処理液ノズル２１０を挟んで照明部３１１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー３１２の上方にＣＣＤラインセンサ３１３が配置される。ＣＣＤラインセンサ３１３は、画素が一列に並ぶように配置される。
照明部３１１から帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部に照射される。また、照明光の一部は、処理液ノズル２１０の先端に照射される。照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー３１２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ３１３に検出される。
これにより、基板Ｗの周縁部近傍の領域が撮像されるとともに、処理液ノズル２１０の先端が撮像される。基板Ｗの周縁部近傍の領域および処理液ノズル２１０の先端の画像を示す画像データは、後述する図８のローカルコントローラに与えられる。
（ｃ）ローカルコントローラ
図８は、ローカルコントローラの構成を示すブロック図である。ローカルコントローラ４００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいてノズル機構２００の動作を制御する。
図８に示すように、ローカルコントローラ４００は、記憶部４１０および制御部４２０を含む。記憶部４１０は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）またはハードディスクにより構成される。記憶部４１０には、ノズル機構２００を含む第１の処理ブロック１２（図１）の動作を制御するためのプログラムが記憶されるとともに、種々のデータが記憶される。
基板周縁部処理を行う基板Ｗの周縁部の領域の幅を周縁部処理幅と呼ぶ。本実施の形態においては、周縁部処理幅は、基板Ｗの周縁部において処理液が除去される領域の幅である。周縁部処理幅は予め設定され、記憶部４１０に記憶される。
制御部４２０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）により構成される。制御部４２０は、回転制御部４２１、変化量取得部４２２、位置設定部４２３、位置制御部４２４、位相制御部４２５および吐出制御部４２６を含む。制御部４２０が記憶部４１０に記憶されたプログラムを実行することにより、回転制御部４２１、変化量取得部４２２、位置設定部４２３、位置制御部４２４、位相制御部４２５および吐出制御部４２６の機能が実現される。
回転制御部４２１は、スピンチャック２５の動作を制御する。具体的には、回転制御部４２１は、スピンチャック２５による基板Ｗの保持、回転および停止の指令ならびにスピンチャック２５の回転速度の制御等を行う。変化量取得部４２２は、位置検出ユニット３００から基板Ｗの周縁部近傍の領域および処理液ノズル２１０の先端の画像を示す画像データを取得する。また、変化量取得部４２２は、取得した画像データを画像処理することにより、基板Ｗの外周部の位置の時間変化を示すデータ等を取得する。
位置設定部４２３は、変化量取得部４２２による画像処理の結果に基づいて、基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の先端の位置を取得する。また、位置設定部４２３は、基板Ｗの外周部と処理液ノズル２１０の先端との間の距離が周縁部処理幅になるように位置調整部２４１を制御する。
位置制御部４２４は、回転制御部４２１によるスピンチャック２５の回転速度（回転周波数）を取得するとともに、変化量取得部４２２により取得された振幅ΔＡを取得する。また、位置制御部４２４は、処理液ノズル２１０（図３）の先端の位置がスピンチャック２５の回転中心に向かって周期的に変化するように位置調整部２４１を制御する。ここで、処理液ノズル２１０の位置の変化の周波数はスピンチャック２５の回転周波数と等しく、処理液ノズル２１０の位置の変化の振幅は基板Ｗの外周部の位置の時間変化の振幅と等しい。
位相制御部４２５は、変化量取得部４２２による画像処理の結果に基づいて、基板Ｗの外周部に対する処理液ノズル２１０の位置の時間変化の位相が基板Ｗの外周部の位置の変化の位相と略一致するように位置調整部２４１を制御する。吐出制御部４２６は、位相制御部４２５により位相が略一致した後、処理液ノズル２１０から処理液が吐出されるようにバルブ２２２を制御する。これにより、基板Ｗの周縁部における周縁部処理幅の領域の処理液が除去される。
（ｄ）位置調整部の制御
図８のローカルコントローラ４００による位置調整部２４１の制御について説明する。図９は、図８の位置設定部４２３および位置制御部４２４による位置調整部２４１の制御を説明するための図である。図１０は、図８の位相制御部４２５による位置調整部２４１の制御を説明するための図である。
上述のように、変化量取得部４２２は、画像処理により基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の先端の位置を取得する。また、変化量取得部４２２は、回転する基板Ｗの外周部の位置の時間変化を示すデータを取得する。図９（ａ）の例では、回転中において最も外方に位置する基板Ｗが実線で図示され、最も内方に位置する基板Ｗが点線で図示される。図９（ａ）に示すように、取得した基板Ｗの外周部の位置の最大変化量、すなわち位置の時間変化の振幅はΔＡである。
位置設定部４２３は、基板Ｗの外周部と処理液ノズル２１０の先端との間の距離が周縁部処理幅ΔＥになるように位置調整部２４１を制御する。図９（ｂ）の例では、最も外方の基板Ｗの外周部の位置から幅ΔＥだけ内方の位置に処理液ノズル２１０の先端が配置されるように位置調整部２４１が制御される。
図９（ｃ）に示すように、位置制御部４２４は、処理液ノズル２１０の先端の位置が上記の位置から図３のスピンチャック２５の回転中心に向かって振幅ΔＡで周期的に変化するように位置調整部２４１を制御する。処理液ノズル２１０の先端の位置の変化の周波数はスピンチャック２５の回転周波数と等しい。
変化量取得部４２２は、基板Ｗの外周部の位置の時間変化を示すデータに加えて、処理液ノズル２１０の先端の位置の時間変化を示すデータを取得する。また、変化量取得部４２２は、基板Ｗの外周部の位置に対する処理液ノズル２１０の先端の相対的な位置の時間変化を示すデータを取得する。
これらのデータに基づく位置の変化を図１０（ａ）〜（ｄ）に示す。図１０（ａ）〜（ｄ）の横軸は時間を示し、縦軸は位置を示す。図１０（ａ）〜（ｄ）においては、基板Ｗの外周部の位置の時間変化を点線で示し、処理液ノズル２１０の先端の位置の時間変化を一点鎖線で示す。また、基板Ｗの外周部の位置に対する処理液ノズル２１０の先端の相対的な位置の時間変化を実線で示す。実線の時間変化は、点線の時間変化と一点鎖線の時間変化との差に相当する。
以下、図１０（ａ）〜（ｄ）の点線の時間変化を基板変化と呼び、一点鎖線の時間変化をノズル変化と呼び、実線の時間変化を差分変化と呼ぶ。なお、図１０（ａ）〜（ｄ）においては、理解を容易にするため、周縁部処理幅ΔＥの位置ずれを無視して基板変化およびノズル変化を図示している。位相制御部４２５は、ノズル変化が遅延するように位置調整部２４１を制御することにより、図１０（ａ）〜（ｄ）のノズル変化の位相を基板変化の位相と略一致させる。ここで、差分変化の振幅ΔＢは、ノズル変化と基板変化との位相差に対応して変化する。
図１０（ａ）の例では、ノズル変化と基板変化との位相差はπである。この場合、差分変化の振幅ΔＢは最大となる。図１０（ｂ）の例では、ノズル変化と基板変化との位相差はπ／３である。この場合、差分変化の振幅ΔＢは図１０（ａ）の振幅ΔＢよりも小さくなる。図１０（ｃ）の例では、ノズル変化と基板変化との位相差はπ／８である。この場合、差分変化の振幅ΔＢは図１０（ｂ）の振幅ΔＢよりも小さくなる。図１０（ｄ）の例では、ノズル変化と基板変化との位相差は０である。この場合、差分変化の振幅ΔＢは最小となる。
そこで、本実施の形態では、予め設定された所定のしきい値（例えば５０μｍ）が図８の記憶部４１０に記憶されている。位相制御部４２５は、差分変化の振幅ΔＢがしきい値以下になるように位置調整部２４１を制御する。これにより、ノズル変化の位相を容易かつ高速に基板変化の位相と略一致させることができる。ノズル変化の位相が基板変化の位相に略一致した後、図８の吐出制御部４２６は、処理液ノズル２１０からリンス液が吐出されるようにバルブ２２２を制御する。
上記のローカルコントローラ４００の制御によれば、基板Ｗの外周部の位置が図９（ａ）〜（ｃ）の実線と点線との間で変動しても、処理液ノズル２１０の先端が基板Ｗの外周部の位置を追従する。そのため、基板Ｗの位置合わせの不完全さにより基板Ｗの位置がわずかに変動する場合でも、基板の周縁部処理幅ΔＥの処理を高い精度で行うことが可能になる。
（ｅ）基板周縁部処理
図１１および図１２は、基板周縁部処理を示すフローチャートである。以下、図３〜図８を参照しながらローカルコントローラ４００の制御部４２０による基板周縁部処理を説明する。基板周縁部処理は、後述する基板処理において基板Ｗに反射防止液、レジスト液またはレジストカバー液が吐出されたときに実行される。
まず、制御部４２０は、処理対象の基板Ｗを保持するスピンチャック２５を回転させる（ステップＳ１）。次に、制御部４２０は、位置検出ユニット３００から画像データを取得する（ステップＳ２）。続いて、制御部４２０は、取得した画像データに基づいて基板変化を示すデータを取得する（ステップＳ３）。また、制御部４２０は、取得した画像データに基づいて処理液ノズル２１０の先端の位置を取得する（ステップＳ４）。ステップＳ３，Ｓ４の処理は、いずれが先に行われてもよい。
次に、制御部４２０は、基板変化および処理液ノズル２１０の先端の位置に基づいて位置調整部２４１を制御することにより、基板Ｗの外周部と処理液ノズル２１０の先端との間の距離を周縁部処理幅ΔＥに設定する（ステップＳ５）。続いて、制御部４２０は、位置調整部２４１を制御することにより、処理液ノズル２１０の先端の位置を時間変化させる（ステップＳ６）。ここで、ノズル変化の振幅および周波数は、基板変化の振幅ΔＡおよび周波数にそれぞれ等しい。
次に、制御部４２０は、位置検出ユニット３００から画像データを取得する（ステップＳ７）。続いて、制御部４２０は、取得した画像データに基づいてノズル変化を示すデータを取得する（ステップＳ８）。また、制御部４２０は、取得した画像データに基づいて差分変化を示すデータを取得する（ステップＳ９）。
ここで、制御部４２０は、差分変化の振幅が記憶部４１０に記憶されたしきい値以下であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。差分変化の振幅がしきい値以上である場合には、制御部４２０は、位置調整部２４１を制御することにより、ノズル変化の位相を遅延させる（ステップＳ１１）。その後、制御部４２０は、ステップＳ７の処理に戻る。差分変化の振幅がしきい値以下になるまで、ステップＳ７〜Ｓ１１の処理が繰り返される。
ステップＳ１０において差分変化の振幅がしきい値以下である場合には、制御部４２０は、バルブ２２２を制御することにより処理液ノズル２１０からリンス液を吐出させる。これにより、その後、制御部４２０は基板周縁部処理を終了する。
（４）熱処理部
図１３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
熱処理部１２３の最上部には、図８のローカルコントローラ４００が設けられる。ローカルコントローラ４００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラ５００が設けられる。ローカルコントローラ５００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
（５）搬送部
図１４は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図１３）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図１３）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図１３）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図１３）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
図１４に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１４）および上段熱処理部３０１（図１３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１４）および下段熱処理部３０２（図１３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
搬送機構１３７は、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１４）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１４）および上段熱処理部３０３（図１３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１４）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１４）および下段熱処理部３０４（図１３）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
（６）基板処理
図１、図２、図１３および図１４を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図１４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１３）、冷却ユニットＣＰ（図１３）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）、冷却ユニットＣＰ（図１３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１４）に順に搬送する。
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１４）に搬送する。
搬送機構１２８（図１４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１３）、冷却ユニットＣＰ（図１３）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）、冷却ユニットＣＰ（図１３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１４）に順に搬送する。
また、搬送機構１２８（図１４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図１３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図１３）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図１４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１４）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
また、搬送機構１３７（図１４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１３）、現像処理室３１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１４）に順に搬送する。
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
搬送機構１３８（図１４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１４）に順に搬送する。
また、搬送機構１３８（図１４）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１３）、現像処理室３３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１４）に順に搬送する。現像処理室３３および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１３）および上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１３）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１４）に搬送する。
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
（７）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、回転する基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の位置が位置検出ユニット３００により検出される。スピンチャック２５に対する処理液ノズル２１０の相対的な位置は、位置調整部２４１によりスピンチャック２５の回転中心を通りかつ回転する基板Ｗに平行な方向において調整可能である。基板Ｗの回転中に検出される基板Ｗの外周部の位置の時間変化（基板変化）の振幅ΔＡが変化量取得部４２２により取得される。
スピンチャック２５に対する処理液ノズル２１０の相対的な位置が位置調整部２４１によりスピンチャック２５の回転周波数と等しい周波数でかつ振幅ΔＡで周期的に変化される。その後、ノズル変化と基板変化との位相差が位置調整部２４１により記憶部４１０に記憶されたしきい値以下にされる。位相差がしきい値以下になると、処理液ノズル２１０は、基板Ｗの外周部の位置の変化に追従するように移動する。この状態で、回転する基板Ｗの周縁部に処理液ノズル２１０から処理液が吐出される。
この構成によれば、スピンチャック２５に対する処理液ノズル２１０の相対的な位置の変化を基板Ｗの外周部の位置の変化に正確に同期させることができる。それにより、処理液ノズル２１０を基板Ｗの周縁部の所望の位置に高い精度で配置することができる。その結果、基板Ｗの周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（８）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、図９（ｂ）の周縁部処理幅ΔＥを設定する処理で、処理液ノズル２１０の先端が最も外方の基板Ｗの外周部の位置を基準として位置決めされるが、本発明はこれに限定されない。処理液ノズル２１０の先端が基板Ｗの外周部の位置を追従し、所望の周縁部処理幅ΔＥで基板Ｗの周縁部を処理可能である限り、処理液ノズル２１０の先端は、任意の時点における基板Ｗの外周部の位置を基準として位置決めされてもよい。
例えば、処理液ノズル２１０の先端は、最も内方の基板Ｗの外周部の位置を基準として位置決めされてもよい。あるいは、回転する基板Ｗの外周部の平均の位置を基準として位置決めされてもよい。
（ｂ）上記実施の形態においては、周縁部処理幅ΔＥを設定する処理（ステップＳ５）が処理液ノズル２１０の先端の位置を時間変化させる処理（ステップＳ６）より先に行われるが、本発明はこれに限定されない。周縁部処理幅ΔＥを設定する処理は、処理液ノズル２１０からリンス液を吐出する処理（ステップＳ１２）よりも先であれば、いずれの時点で行われてもよい。
例えば、周縁部処理幅ΔＥを設定する処理は、ノズル変化の位相を遅延させる処理（ステップＳ１１）より後に行われてもよい。あるいは、周縁部処理幅ΔＥを設定する処理は、処理液ノズル２１０の先端の位置を時間変化させる処理より先に行われた後、ノズル変化の位相を遅延させる処理より後に再び行われてもよい。
（ｃ）上記実施の形態においては、差分変化の振幅ΔＢがしきい値以下になったときにノズル変化の位相が基板変化の位相と略一致したとみなされるが、本発明はこれに限定されない。差分変化の振幅ΔＢが最小値になったときにノズル変化の位相が基板変化の位相と一致したとみなされてもよい。
（ｄ）上記実施の形態においては、差分変化の振幅ΔＢに基づいてノズル変化の位相が基板変化の位相と略一致したか否かが判定されるが、本発明はこれに限定されない。ノズル変化の位相と基板変化の位相とが取得され、これらの位相が比較されることによりノズル変化の位相が基板変化の位相と略一致したか否かが判定されてもよい。
（ｅ）上記実施の形態においては、位置調整部２４１はピエゾ素子を含むが、本発明はこれに限定されない。位置調整部２４１は、例えばボイスモータコイルを含んでもよいし、他の種類のアクチュエータを含んでもよい。
（ｆ）上記実施の形態においては、処理液ノズル２１０の先端の位置を調整可能にノズル支持部２３０に位置調整部２４１が取り付けられる。この場合、小型の位置調整部２４１を用いることができる。そのため、基板処理装置１００をコンパクト化することができる。また、処理液ノズル２１０は軽量であるため、位置調整部２４１を駆動するための電力を低減することができる。
このように、位置調整部２４１は処理液ノズル２１０の先端の位置を調整可能に設けられることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。位置調整部２４１は、基板Ｗの外周部の位置を調整可能にスピンチャック２５に設けられてもよい。
（ｇ）上記実施の形態においては、位置検出ユニット３００は基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の先端の位置を検出する共通の撮像装置３１０により構成される。この場合、基板処理装置１００に複数の撮像装置３１０を設ける必要がない。そのため、基板処理装置１００が大型化することを防止することができる。
このように、位置検出ユニット３００は基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の先端の位置を検出する共通の撮像装置３１０により構成されることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。位置検出ユニット３００は、基板Ｗの外周部の位置および処理液ノズル２１０の先端の位置をそれぞれ検出する２つの撮像装置３１０により構成されてもよい。この場合、基板Ｗの外周部と処理液ノズル２１０との位置関係の制約なしに処理液ノズル２１０の配置の自由度を向上させることができる。
（ｈ）上記実施の形態においては、位置検出ユニット３００が撮像装置３１０により構成される。この場合、画像処理により振幅ΔＡを容易かつ正確に取得することができる。このように、位置検出ユニット３００が撮像装置３１０により構成されることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。位置検出ユニット３００は、撮像装置３１０とは異なる検出装置により構成されてもよい。検出装置は、例えば基板Ｗの外周部を挟んで対向するように配置される投光部および受光部を含んでもよい。
（ｉ）上記実施の形態においては、撮像装置３１０は反射ミラー３１２を含むが、本発明はこれに限定されない。撮像装置３１０は反射ミラー３１２を含まなくてもよい。この場合、ＣＣＤラインセンサ３１３は基板Ｗ上で反射された光を直接検出するように配置される。
（ｊ）上記実施の形態においては、基板周縁部処理として基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止液、レジスト液またはレジストカバー液を除去する処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。基板周縁部処理として基板Ｗの周縁部に処理液の膜を形成する処理が行われてもよい。
例えば、基板Ｗの周縁部の表面が粗いために基板Ｗの周縁部に異物が付着しやすくなることがある。このような場合、基板Ｗの周縁部に処理液の膜を形成することにより、基板Ｗの周縁部が被覆される。これにより、基板Ｗの周縁部に異物が付着することを防止することができる。
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、スピンチャック２５が回転保持部の例であり、処理液ノズル２１０が処理液ノズルの例である。ノズル機構２００がノズル機構の例であり、位置調整部２４１が位置調整部の例であり、位置検出ユニット３００が位置検出ユニットの例であり、変化量取得部４２２が変化量取得部の例であり、位置制御部４２４が位置制御部の例である。位相制御部４２５が位相制御部の例であり、吐出制御部４２６が吐出制御部の例であり、ノズル支持部２３０がノズル支持部の例であり、撮像装置３１０が検出装置または第１および第２の検出装置の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（９）参考形態
（９−１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、回転保持部により回転される基板の周縁部に処理液を吐出する処理液ノズルを含むノズル機構と、回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置を調整可能に設けられた位置調整部と、回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出するように配置された位置検出ユニットと、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得する変化量取得部と、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ変化量取得部により取得された第１の振幅で周期的に変化するように位置調整部を制御する位置制御部と、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差が予め定められた値以下になるように位置調整部を制御する位相制御部と、位相制御部による位置調整部の制御後、処理液ノズルから処理液が吐出されるようにノズル機構を制御する吐出制御部とを備える。
この基板処理装置においては、基板が回転保持部により保持して回転される。回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が位置検出ユニットにより検出される。ここで、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置は、位置調整部により回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において調整可能である。回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅が第１の振幅として取得される。
回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化される。その後、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差（以下、単に位相差と呼ぶ。）が位置調整部により予め定められた値以下にされる。位相差が予め定められた値以下になると、処理液ノズルは、基板の外周部の位置の変化に追従するように移動する。この状態で、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液が吐出される。
この構成によれば、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置の変化を基板の外周部の位置の変化に正確に同期させることができる。それにより、処理液ノズルを基板の周縁部の所望の位置に高い精度で配置することができる。その結果、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
（９−２）変化量取得部は、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置と位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置との差分の時間変化の振幅を第２の振幅として取得し、位相制御部は、変化量取得部により取得される第２の振幅が予め定められたしきい値以下になるように位置調整部を制御してもよい。
この場合、位相差が小さくなるほど第２の振幅は小さくなるので、第２の振幅を用いて位相差が予め定められた値以下であるか否かを容易かつ高速に判定することができる。これにより、基板の周縁部の処理を効率よく行うことができる。
（９−３）しきい値は５０μｍであってもよい。この場合、基板の周縁部の処理を十分に高い精度で行うことができる。
（９−４）位相制御部は、変化量取得部により取得される第２の振幅が最小になるように位置調整部を制御してもよい。この場合、基板の周縁部の処理をより十分に高い精度で行うことができる。
（９−５）位置調整部の位置調整の分解能は５０μｍ以下であってもよい。この場合、処理液ノズルを高い精度で移動させることができる。そのため、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことが容易になる。
（９−６）位置調整部は、ピエゾ素子またはボイスモータコイルを含んでもよい。この場合、処理液ノズルを高い精度でかつ高い応答性で移動させることができる。そのため、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことがより容易になる。
（９−７）ノズル機構は、処理液ノズルを支持するノズル支持部を含み、位置調整部は、ノズル支持部に設けられてもよい。この場合、ノズル支持部に大型の位置調整部を用いる必要がない。そのため、基板処理装置をコンパクト化することができる。また、処理液ノズルは軽量であるため、位置調整部を駆動するためのエネルギーを低減することができる。
（９−８）位置検出ユニットは、基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出する共通の検出装置を含んでもよい。この場合、基板処理装置に複数の検出装置を設ける必要がない。そのため、基板処理装置が大型化することを防止することができる。
（９−９）位置検出ユニットは、基板の外周部の位置を検出する第１の検出装置と、処理液ノズルの位置を検出する第２の検出装置とを含んでもよい。この場合、基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が別個の検出装置により検出される。そのため、基板の外周部と処理液ノズルとの位置関係の制約なしに処理液ノズルの配置の自由度を向上させることができる。
（９−１０）位置検出ユニットは、基板の外周部および処理液ノズルの画像を示す画像データを生成し、生成した画像データに基づいて基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を検出し、変化量取得部は、位置検出ユニットにより生成された画像データを処理することにより第１の振幅を取得してもよい。この場合、画像処理を用いて第１の振幅を容易かつ正確に取得することができる。
（９−１１）処理液ノズルは、基板の周縁部に塗布された液を除去する除去液を処理液として吐出してもよい。この場合、基板処理装置は基板の周縁部に塗布された液を除去する基板処理を行うことができる。
（９−１２）処理液ノズルは、基板の周縁部に処理膜を形成するための処理液を吐出してもよい。この場合、基板処理装置は基板の周縁部に処理膜を形成する基板処理を行うことができる。
（９−１３）第２の参考形態に係る基板処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、基板を回転保持部により保持して回転させるステップと、回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を位置検出ユニットにより検出するステップと、回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得するステップと、回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置を位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化させるステップと、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差を位置調整部により予め定められた値以下にするステップと、位相の差が予め定められた値以下になった後、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液を吐出するステップとを含む。
この基板処理方法によれば、基板が回転保持部により保持して回転される。回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置が位置検出ユニットにより検出される。ここで、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置は、位置調整部により回転保持部の回転中心を通りかつ回転保持部により回転される基板に平行な方向において調整可能である。回転保持部による基板の回転中に位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅が第１の振幅として取得される。
回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置が位置調整部により回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化される。その後、位置検出ユニットにより検出される処理液ノズルの位置の時間変化の位相と位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差が位置調整部により予め定められた値以下にされる。位相差が予め定められた値以下になると、処理液ノズルは、基板の外周部の位置の変化に追従するように移動する。この状態で、回転する基板の周縁部に処理液ノズルから処理液が吐出される。
この方法によれば、回転保持部に対する処理液ノズルの相対的な位置の変化を基板の外周部の位置の変化に正確に同期させることができる。それにより、処理液ノズルを基板の周縁部の所望の位置に高い精度で配置することができる。その結果、基板の周縁部の処理を高い精度で行うことができる。
本発明は、種々の処理液を用いた基板処理に有効に利用することができる。
１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２０ 待機部
２１〜２４，３２，３４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８，２１０ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３１，３３ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 塗布現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２００ ノズル機構
２２０ リンス液供給系
２３０ ノズル支持部
２３０Ａ 前面
２３０Ｂ 背面
２３０Ｃ 一側面
２３０Ｄ 他側面
２３０Ｅ 上面
２３０Ｆ 下面
２３１，２３３，２３５，２５１ 貫通孔
２３２ 切欠
２３４，２４２ａ ねじ孔
２３６，２４４ 固定ねじ
２４０ ノズル固定部
２４１ 位置調整部
２４２，２４３ 固定部材
２４３ａ フランジ部
２４３ｂ 雄ねじ
２４５ ナット
２５０ ノズル取付部
３００ 位置検出ユニット
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１０ 撮像装置
３１１ 照明部
３１２ 反射ミラー
３１３ ＣＣＤラインセンサ
４００，５００ ローカルコントローラ
４１０ 記憶部
４２０ 制御部
４２１ 回転制御部
４２２ 変化量取得部
４２３ 位置設定部
４２４ 位置制御部
４２５ 位相制御部
４２６ 吐出制御部
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (13)

  1. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
    基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
    前記回転保持部により回転される基板の周縁部に処理液を吐出する処理液ノズルを含むノズル機構と、
    前記回転保持部の回転中心を通りかつ前記回転保持部により回転される基板に平行な方向において前記回転保持部に対する前記処理液ノズルの相対的な位置を調整可能に設けられた位置調整部と、
    前記回転保持部により保持された基板の外周部の位置および前記処理液ノズルの位置を検出するように配置された位置検出ユニットと、
    前記回転保持部による基板の回転中に前記位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得する変化量取得部と、
    前記回転保持部に対する前記処理液ノズルの相対的な位置が前記回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ前記変化量取得部により取得された第１の振幅で周期的に変化するように前記位置調整部を制御する位置制御部と、
    前記回転保持部に対する前記処理液ノズルの相対的な位置が周期的に変化するように前記位置制御部が前記位置調整部を制御した後に、前記位置検出ユニットにより検出される前記処理液ノズルの位置の時間変化の位相と前記位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差が予め定められた値以下になるように前記位置調整部を制御する位相制御部と、
    前記位相制御部による前記位置調整部の制御後、前記処理液ノズルから処理液が吐出されるように前記ノズル機構を制御する吐出制御部とを備える、基板処理装置。
  2. 前記変化量取得部は、前記回転保持部による基板の回転中に前記位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置と前記位置検出ユニットにより検出される前記処理液ノズルの位置との差分の時間変化の振幅を第２の振幅として取得し、
    前記位相制御部は、前記変化量取得部により取得される前記第２の振幅が予め定められたしきい値以下になるように前記位置調整部を制御することにより、前記処理液ノズルの位置の時間変化の位相と基板の外周部の位置の時間変化の位相との差を前記予め定められた値以下にする、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記しきい値は５０μｍである、請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記位相制御部は、前記変化量取得部により取得される前記第２の振幅が最小になるように前記位置調整部を制御する、請求項２または３記載の基板処理装置。
  5. 前記位置調整部の位置調整の分解能は５０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記位置調整部は、ピエゾ素子またはボイスモータコイルを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記ノズル機構は、前記処理液ノズルを支持するノズル支持部を含み、
    前記位置調整部は、前記ノズル支持部に設けられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記位置検出ユニットは、基板の外周部の位置および前記処理液ノズルの位置を検出する共通の検出装置を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記位置検出ユニットは、基板の外周部の位置を検出する第１の検出装置と、前記処理液ノズルの位置を検出する第２の検出装置とを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記位置検出ユニットは、基板の外周部および前記処理液ノズルの画像を示す画像データを生成し、生成した画像データに基づいて基板の外周部の位置および前記処理液ノズルの位置を検出し、
    前記変化量取得部は、前記位置検出ユニットにより生成された画像データを処理することにより前記第１の振幅を取得する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 前記処理液ノズルは、基板の周縁部に塗布された液を除去する除去液を処理液として吐出する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 前記処理液ノズルは、基板の周縁部に処理膜を形成するための処理液を吐出する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、
    基板を回転保持部により保持して回転させるステップと、
    前記回転保持部により保持された基板の外周部の位置および処理液ノズルの位置を位置検出ユニットにより検出するステップと、
    前記回転保持部による基板の回転中に前記位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の振幅を第１の振幅として取得するステップと、
    前記回転保持部の回転中心を通りかつ前記回転保持部により回転される基板に平行な方向において、前記回転保持部に対する前記処理液ノズルの相対的な位置を位置調整部により前記回転保持部の回転周波数と等しい周波数でかつ第１の振幅で周期的に変化させるステップと、
    前記回転保持部に対する前記処理液ノズルの相対的な位置が前記位置調整部により周期的に変化された後に、前記位置検出ユニットにより検出される前記処理液ノズルの位置の時間変化の位相と前記位置検出ユニットにより検出される基板の外周部の位置の時間変化の位相との差を前記位置調整部により予め定められた値以下にするステップと、
    位相の差が予め定められた値以下になった後、回転する基板の周縁部に前記処理液ノズルから処理液を吐出するステップとを含む、基板処理方法。
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