JPH1167650A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH1167650A
JPH1167650A JP22673797A JP22673797A JPH1167650A JP H1167650 A JPH1167650 A JP H1167650A JP 22673797 A JP22673797 A JP 22673797A JP 22673797 A JP22673797 A JP 22673797A JP H1167650 A JPH1167650 A JP H1167650A
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JP
Japan
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spin chuck
rotating shaft
rotational shaft
wafer
unit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP22673797A
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English (en)
Inventor
Yutaka Yamahira
豊 山平
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スピンチャックと回転軸との嵌合部分の隙間
を小さくしてもスピンチャックと回転軸とを容易に着脱
できる処理装置を提供する。またスピンチャックと回転
軸との嵌合部分で錆等の異物が発生することのない処理
装置を提供する。 【解決手段】 スピンチャック80側に設けた嵌合孔8
5aに嵌合する回転軸86の表面にフッ素樹脂層88を
形成し、回転軸86と嵌合孔85aとの間の隙間を最小
限まで小さくしても、スピンチャック80と回転軸86
とを容易に着脱できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCDガラス基板を洗浄する洗浄装置やレジスト液
を塗布する塗布装置などの処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より塗布装置では、ウエハW等の被
処理基板にレジスト液を塗布する方法として、ウエハW
をスピンチャック上に保持して高速回転させ、回転する
ウエハWのほぼ中心の真上からレジスト液を滴下し、遠
心力で拡散させるとともに余分のレジスト液を降り飛ば
すことにより所定の厚さのレジスト膜を形成している。
このスピンチャックの構造は図4に示すように、ウエハ
Wを保持するスピンチャック80をその下側に配設され
たモータ90で駆動するようになっており、保守管理の
必要上、モータの回転軸86とスピンチャック80とは
着脱式になっている。
【0003】例えば、スピンチャック80の中心にモー
タの回転軸86の外径より僅かに大きい内径の嵌合孔を
設けて、スピンチャック80と回転軸86とが嵌合する
ようにし、回転軸の上端面に溝を設け、嵌合孔底面には
この溝に嵌まる突起を形成し、これらの溝と突起とを係
合させることにより、モータ90からスピンチャック8
0へ回転駆動力を伝達する。
【0004】ところで、スピンチャックは加速と減速と
を繰り返し、その回転数の制御には高い精度が要求され
るため、モータの回転数変化に対してレスポンス良くス
ピンチャックの回転数が変化することが必要となる。そ
のため回転軸と嵌合孔との隙間をできるだけ小さくして
回転軸と嵌合孔とが嵌合する部分(以下、この回転軸と
嵌合孔とが嵌合する部分を「嵌合部分」という)のガタ
つきによる回転時の振動等をできるだけ小さくする必要
がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、嵌合部
分の隙間があまり小さいと、保守管理時の着脱作業に手
間がかかったり、或いは、回転軸側の溝にクラックが生
じやすくなり、このクラック内に異物等が侵入して嵌合
部分の着脱ができなくなってしまうという問題がある。
【0006】また、最近では、回転軸にSUS等の金属
を用い、スピンチャックの材質としてPEEK等の樹脂
を用いている。しかし、金属と樹脂とでは熱膨張率が異
なるため、塗布装置の温度が変化すると、SUS製の回
転軸表面とこの表面に嵌合するスピンチャックの嵌合孔
との間で摩擦が生じ、この摩擦によりSUS表面の錆
(酸化膜)が剥がれる。この剥がれた錆は空気中の水分
を吸うと膨張するため、嵌合部分の隙間に錆が入ると、
これが膨張して嵌合部分を分離できなくなってしまうと
いう問題がある。
【0007】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、スピンチャックと回転軸との嵌合部
分の隙間を小さくしてもスピンチャックと回転軸とを容
易に着脱できる処理装置を提供することを目的とする。
【0008】また本発明は、スピンチャックと回転軸と
の嵌合部分で錆等の異物が発生することのない処理装置
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の処理装置は、駆動源からの
回転駆動力を伝達する回転軸と、前記回転軸と着脱可能
に嵌合する嵌合孔を備え、被処理基板を保持しながら回
転するスピンチャックと、前記回転軸と前記嵌合孔との
間に介挿された耐摩耗性材料部と、を具備する。
【0010】請求項2記載の本発明の処理装置は、請求
項1に記載の処理装置であって、耐摩耗性材料部が、前
記回転軸表面に形成されたフッ素樹脂層であることを特
徴とする。
【0011】請求項3記載の本発明の処理装置は、請求
項1又は2に記載の処理装置であって、前記スピンチャ
ックが前記駆動軸の材料に比較して熱膨張率の小さい材
料で構成されていることを特徴とする。
【0012】請求項4記載の本発明の処理装置は、請求
項3に記載の処理装置であって、耐摩耗性材料部が、耐
摩耗性セラミック、アモルファス金属、又は形状記憶合
金で構成されている。
【0013】請求項1の処理装置では、回転軸とスピン
チャックの嵌合孔との間に耐摩耗性材料部を設けたの
で、スピンチャックと回転軸との嵌合部分の隙間を小さ
くしてもスピンチャックと回転軸とを容易に着脱でき
る。
【0014】また、この耐摩耗性材料部が回転軸表面の
保護層として機能するので、スピンチャックと回転軸と
の嵌合部分で錆等の異物が発生することがない。
【0015】請求項2の処理装置では、請求項1に記載
の処理装置であって、耐摩耗性材料部として、回転軸表
面に形成されたフッ素樹脂層を設けているので、スピン
チャックと回転軸との嵌合部分の隙間を小さくしてもこ
のフッ素樹脂層が滑りをよくする結果、スピンチャック
と回転軸とを容易に着脱できる。
【0016】また、このフッ素樹脂層が回転軸表面の保
護層として機能するので、スピンチャックと回転軸との
嵌合部分で錆等の異物が発生することがない。
【0017】請求項3の処理装置では、請求項1又は2
に記載の処理装置であって、スピンチャックとして、回
転軸の材料に比較して熱膨張率の小さい材料で構成され
たものを用いているので、処理装置作動前の熱が作用し
ない状態では、回転軸が収縮して回転軸との嵌合部分に
隙間が形成される結果、スピンチャックと回転軸との嵌
合部分の隙間を小さくしてもスピンチャックと回転軸と
を容易に着脱できる。また耐摩耗性材料部が回転軸表面
の保護層として機能することに加え、処理装置の作動時
には熱で回転軸が膨張し、スピンチャックとの嵌合部分
の密着度を上げるので、スピンチャックと回転軸との嵌
合部分で錆等の異物が発生しないことに加え、スピンチ
ャックと回転軸との嵌合部分に錆等の異物が入り込んで
スピンチャックと回転軸とが着脱できなくなることが防
止される。
【0018】請求項4の処理装置では、請求項3に記載
の処理装置であって、耐摩耗性材料部が、耐摩耗性セラ
ミック、アモルファス金属、又は形状記憶合金で構成さ
れているので、スピンチャックと回転軸との嵌合部分の
隙間を小さくしてもスピンチャックと回転軸とを容易に
着脱できる。
【0019】また、この耐摩耗性材料部が回転軸表面の
保護層として機能するので、スピンチャックと回転軸と
の嵌合部分で錆等の異物が発生することがない。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。
【0021】図1は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット(COT)を備えた半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1全体を示
した平面図である。
【0022】この塗布現像処理システム1では、被処理
体としてのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例
えば25枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション10と、塗布現
像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション11と、この処理ステーション11に隣接し
て設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを
受け渡しするためのインタフェース部12とが一体的に
接続されている。このカセットステーション10では、
カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、
複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向
(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセッ卜CR内に収納さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に
移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに
選択的にアクセスする。
【0023】このウエハ搬送体21はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション11側の第3
の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット(ALIM)やイクステンションユ
ニット(EXT)にもアクセスできる。
【0024】処理ステーション11には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段に配置されている。
【0025】図2は上記塗布現像処理システム1の正面
図である。
【0026】第1の処理ユニット群G1 では、カップC
P内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット
群G2 では、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(D
EV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0027】図3は上記塗布現像処理システム1の背面
図である。
【0028】主ウエハ搬送機構22では、筒状支持体4
9の内側に、ウエハ搬送装置46が上下方向(Z方向)
に昇降自在に装備されている。筒状支持体49はモータ
(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置46はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体49は前記モータによって回転される別の回転軸
(図示せず)に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置46には、搬送基台47の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材48が配設されており、これらの保
持部材48は各処理ユニット間でのウエハWの受け渡し
を可能にしている。
【0029】また、図1に示すようにこの塗布現像処理
システム1では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G
3 、G4 、G5 が配置可能であり、第1および第2の処
理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正
面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニ
ット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10
に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段
ユニットはインタフェース部12に隣接して配置され、
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。
【0030】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3 では、ウエハWを保持台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメン
トユニット(ALIM)、イクステンションユニット
(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)
が、下から順に例えば8段に重ねられている。第4の処
理ユニット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例
えばクーリングユニット(COL)、イクステンション
・クーリングユニット(EXTCOL)、イクステンシ
ョンユニット(EXT)、クーリングユニッ卜(CO
L)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およ
びポストベーキングユニット(POBAKE)が下から
順に、例えば8段に重ねられている。
【0031】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【0032】図1に示すように、インタフェース部12
では、奥行方向(X方向)は前記処理ステーション11
と同じ寸法を有するが、幅方向(Y方向)はより小さな
サイズである。このインタフェース部12の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRとが2段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置23が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24
は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRお
よび周辺露光装置23にアクセスする。
【0033】ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4 の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット(EXT)や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にもアクセスできる。
【0034】また塗布現像処理システム1では、既述の
如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも図1中破線で示
した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを配置で
きるが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
は、案内レール25に沿ってY方向へ移動可能である。
従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。
【0035】次に、本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)について説明する。図4は本実施形態に
係るレジスト塗布ユニット(COT)の概略断面図であ
る。 このレジスト塗布ユニット(COT)の中央部に
は環状のカップCΡが配設され、カップCΡの内側には
スピンチャック80が配置されている。スピンチャック
80は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で
駆動モータ90によって回転駆動される。
【0036】駆動モータ90は、ユニット底板50に設
けられた開口50aに昇降移動可能に配置され、たとえ
ばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材51
を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段5
2および昇降ガイド手段53と結合されている。
【0037】ウエハW表面に塗布液としてのレジスト液
を吐出するためのレジストノズル60は、レジストノズ
ルスキャンアーム61の先端部にノズル保持体62を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズ
ルスキャンアーム61は、ユニット底板50の上に一方
向(Y方向)に敷設されたガイドレール63上で水平移
動可能な垂直支持部材64の上端部に取り付けられてお
り、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材6
4と一体にY方向に移動するようになっている。 図5
は、本実施形態に係るレジスト塗布ユニット(COT)
の概略平面図である。
【0038】レジストノズルスキャンアーム61は、レ
ジストノズル待機部65でレジストノズル60を選択的
に取り付けるためにY方向と直角なΧ方向にも移動可能
であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方向にも
移動できる。
【0039】さらに、レジストノズル待機部65でレジ
ストノズル60の吐出口が溶媒雰囲気室の口65aに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、レジスト
ノズル60先端のレジスト液が固化または劣化しないよ
うになっている。また、複数本のレジストノズル60,
60,…が設けられ、レジスト液の種類・粘度に応じて
それらのレジストノズル60が使い分けられるようにな
っている。
【0040】さらに、ガイドレール63上には、レジス
トノズルスキャンアーム61を支持する垂直支持部材6
4だけでなく、リンスノズルスキャンアーム70を支持
しY方向に移動可能な垂直支持部材71も設けられてい
る。
【0041】Y方向駆動機構(図示せず)によってリン
スノズルスキャンアーム70はカップCPの側方に設定
されたリンスノズル待機位置(実線の位置)とスピンチ
ャック80に設置されている半導体ウエハWの周辺部の
真上に設定されたリンス液吐出位置(点線の位置)との
間で並進または直線移動するようになっている。
【0042】図4に示すように、レジストノズル60
は、レジスト供給管66を介してレジスト塗布ユニット
(COT)の下方室内に配設されたレジスト液供給機構
に接続されている。
【0043】図6は本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)のスピンチャック80を回転軸86と嵌
合させた状態を示した垂直断面図である。
【0044】図6に示すように、このスピンチャック8
0では、円錐型のスピンチャック本体81の下側に中空
管状のスリーブ85が結合されている。
【0045】このスリーブ85は回転軸86の外径より
僅かに大きな内径を有しており、スリーブ85を回転軸
86に被せることにより、スピンチャック80が回転軸
86と嵌合し、この回転軸86上に保持されるようにな
っている。
【0046】スピンチャック本体81の底面82上には
直方体状の係合用突起83が取り付けられている。
【0047】図7は本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)のスピンチャック80を底面82側から
見た状態を示した図である。
【0048】図7に示したように、係合用突起83はス
ピンチャック本体81の底面82の中心を通り、半径方
向に一文字状に配設されている。そしてその中心にはウ
エハWを吸着するための真空配管を構成する貫通孔84
が設けられている。
【0049】係合用突起83を含め、スピンチャック8
0全体は熱膨張率がステンレスよりも小さく、低温時と
高温時の体積変化が小さい材料、例えばPEEK等の樹
脂で構成されている。
【0050】一方、回転軸86の上端面には、係合溝8
7が設けられている。この係合溝87は回転軸86の上
端面の中心を通り、半径方向に一文字状に配設されてい
る。この係合溝87の幅は前記係合用突起83の幅より
僅かに大きい寸法となっており、スリーブ85を被せた
ときに容易に係合用突起83と係合溝87とが係合する
ように形成されている。
【0051】この係合溝87はSUS製の回転軸86の
上端面上に形成されており、係合溝87を含む回転軸8
6の表面にはフッ素樹脂をコーティングしたフッ素樹脂
層88が形成されている。
【0052】また回転軸86の中心には貫通孔89が設
けられており、回転軸86上にスピンチャック80を被
せて係合用突起83と係合溝87とを係合させると、ス
ピンチャック80の中心を貫通する貫通孔84下端の開
口部と上記貫通孔89の上端開口部とが重なって、一本
の連結した真空配管が形成される。
【0053】次に上記のように構成された塗布現像処理
システム1の動作を説明する。
【0054】本実施形態のレジスト塗布ユニット(CO
T)を備えた塗布現像処理システム1を起動すると、ウ
エハカセットCRからウエハWが取り出され、主ウエハ
搬送機構22により搬送されてレジスト塗布ユニット
(COT)内のスピンチャック80に吸着保持された
後、以下のレジスト塗布操作が開始される。
【0055】まず、スピンチャック80の回転を開始し
て所定の回転速度になるまで加速する。ウエハWを回転
させ始めると同時に図示しないシンナー吐出機構が作動
してウエハWのほぼ中心真上の位置からシンナーをウエ
ハWに吐出する。滴下されたシンナーは遠心力によりウ
エハW表面全体に広がり、余分のシンナーは遠心力で振
り切られ除去される。
【0056】次いで、レジストノズルスキャンアーム6
1が移動してレジストノズル60をウエハWのほぼ中心
の真上の位置まで移動させる。
【0057】次に、ウエハWを保持したスピンチャック
80を加速して高速で回転させると同時に、ウエハWの
ほぼ中心の真上で停止したレジストノズル60から所定
量のレジスト液を滴下する。
【0058】滴下されたレジスト液は前記シンナーと同
様に遠心力によりウエハW表面全体に広がる。次いでス
ピンチャック80を減速して中速で回転させることによ
り、余分のレジスト液を遠心力で振り切って除去する。
その後、スピンチャック80を更に減速して停止させ、
ウエハWをレジスト塗布ユニット(COT)から取り出
し、後続の処理ユニット、例えば乾燥ユニットへ搬送す
る。
【0059】このように、一連のレジスト塗布工程では
スピンチャック80の加速と減速とを何度も繰り返すた
め、スピンチャック80と回転軸との嵌合部分に隙間が
あると加速や減速の際にガタつきを生じて塗膜不良など
の欠陥を惹起するが、本実施形態にかかるレジスト塗布
ユニット(COT)では、回転軸86の外径に対するス
ピンチャック80のスリーブ85の内径を近い値にして
あり、また、スピンチャック80側の係合用突起83の
幅と回転軸86側の係合溝87と幅とを近い値にしてあ
るため、回転軸86とスリーブ85との間の隙間や、係
合用突起83と係合溝87との間に形成される隙間は小
さく、加速や減速の際にガタつきを生じることはない。
【0060】その一方で、係合溝87を含む回転軸86
の表面にはコーティングによりフッ素樹脂層88が形成
されているので、保守管理時においてはスピンチャック
80と回転軸86とを容易に着脱することができる。
【0061】また、このフッ素樹脂層88が回転軸86
表面の保護層として機能するので回転軸86表面から錆
(酸化膜)が剥がれ、これがスピンチャック80と回転
軸86との嵌合部分に入り込んでスピンチャック80と
回転軸86とが着脱できなくなることが防止される。
【0062】更に、本実施形態にかかるレジスト塗布ユ
ニット(COT)では、回転軸86の材料であるステン
レス鋼と比較して熱膨張率の小さい樹脂であるPEEK
を用いてスピンチャック80全体を形成しているので、
レジスト塗布工程時のようにスピンチャック80と回転
軸86に熱が加わると回転軸が膨張してスリーブ85と
回転軸86表面との間の隙間や、係合用突起83と係合
溝87との間の隙間を狭め、密着性を高くするので、ス
ピンチャック80の加速や減速の際にガタつきを生じる
ことが防止される。
【0063】また、PEEKの使用により、レジスト塗
布工程時にはスリーブ85と回転軸86表面との間の隙
間が狭められ、スピンチャック80側の配管84と回転
軸86側の配管との気密性が大となり、前記隙間から空
気が入り込んでウエハWの吸着力が弱まることがないの
で、ウエハWの保持力不足が原因で起こる塗膜不良など
の欠陥が未然に防止される。
【0064】なお、本発明は上述した実施形態には限定
されない。
【0065】例えば、上記実施の形態では耐摩耗性材料
部としてコーティングにより形成されたフッ素樹脂層を
用いたが、これ以外にも耐摩耗性セラミックや、アモル
ファス金属、形状記憶合金などの耐摩耗性材料を用いた
ものでも良い。
【0066】また、上記実施形態では回転軸86の表面
にフッ素樹脂をコーティングして形成した層状のものを
用いたが、回転軸86のうち、スリーブ85内に収容さ
れる部分を中まで耐摩耗性材料で構成したものであって
もよい。
【0067】また、本実施形態ではレジスト塗布ユニッ
トに本発明を適用した場合について説明したが、本発明
は、例えば反射防止膜をウエハに塗布形成する装置やウ
エハを洗浄する洗浄装置など、被処理体を回転させるた
めのスピンチャックを備えた装置であれば、塗布装置以
外の処理装置にも適用できることは言うまでもない。さ
らに、本発明は、半導体ウエハ以外の基板、例えばLC
D基板にレジスト塗布やその他の処理を施す処理装置に
も適用可能である。
【0068】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載の本
発明によれば、回転軸とスピンチャックの嵌合孔との間
に耐摩耗性材料部を設けたので、スピンチャックと回転
軸との嵌合部分の隙間を小さくしてもスピンチャックと
回転軸とを容易に着脱できる。また、この耐摩耗性材料
部が回転軸表面の保護層として機能するので、スピンチ
ャックと回転軸との嵌合部分で錆等の異物が発生するこ
とがない。
【0069】請求項2記載の本発明によれば、請求項1
に記載の処理装置において、耐摩耗性材料部として、回
転軸表面に形成されたフッ素樹脂層を設けているので、
スピンチャックと回転軸との嵌合部分の隙間を小さくし
てもこのフッ素樹脂層が滑りをよくする結果、スピンチ
ャックと回転軸とを容易に着脱できる。
【0070】また、このフッ素樹脂層が回転軸表面の保
護層として機能するので、スピンチャックと回転軸との
嵌合部分で錆等の異物が発生することがない。
【0071】請求項3記載の本発明によれば、請求項1
又は2に記載の処理装置において、スピンチャックとし
て、回転軸の材料に比較して熱膨張率の小さい材料で構
成されたものを用いているので、処理装置作動前の熱が
作用しない状態では、回転軸が収縮してスピンチャック
の嵌合部分に隙間が形成される結果、スピンチャックと
回転軸との嵌合部分の隙間を小さくしてもスピンチャッ
クと回転軸とを容易に着脱できる。
【0072】また耐摩耗性材料部が回転軸表面の保護層
として機能することに加え、処理装置の作動時には熱で
回転軸が膨張し、スピンチャックとの嵌合部分の密着度
を上げるので、スピンチャックと回転軸との嵌合部分で
錆等の異物が発生しないことに加え、スピンチャックと
回転軸との嵌合部分に錆等の異物が入り込んでスピンチ
ャックと回転軸とが着脱できなくなることが防止され
る。
【0073】請求項4記載の本発明によれば、請求項3
に記載の処理装置において、耐摩耗性材料部が、耐摩耗
性セラミック、アモルファス金属、又は形状記憶合金で
構成されているので、スピンチャックと回転軸との嵌合
部分の隙間を小さくしてもスピンチャックと回転軸とを
容易に着脱できる。
【0074】また、この耐摩耗性材料部が回転軸表面の
保護層として機能するので、スピンチャックと回転軸と
の嵌合部分で錆等の異物が発生することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の全体構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の正面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の背面図である。
【図4】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の概略構成を示す垂直断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の平面図である。
【図6】本発明の実施形態に係るスピンチャックと回転
軸とが嵌合した状態の垂直断面図である。
【図7】本発明の実施形態に係るスピンチャックの平面
図である。
【符号の説明】
90 モータ 86 回転軸 85a 嵌合孔 W ウエハ 80 スピンチャック 87 係合溝 88 フッ素樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03F 7/30 501 G03F 7/30 501

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 駆動源からの回転駆動力を伝達する回転
    軸と、 前記回転軸と着脱可能に嵌合する嵌合孔を備え、被処理
    基板を保持しながら回転するスピンチャックと、 前記回転軸と前記嵌合孔との間に介挿された耐摩耗性材
    料部と、を具備することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の処理装置であって、 耐摩耗性材料部が、前記回転軸表面に形成されたフッ素
    樹脂層であることを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の処理装置であっ
    て、 前記スピンチャックが前記回転軸の材料に比較して熱膨
    張率の小さい材料で構成されていることを特徴とする処
    理装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の処理装置であって、 耐摩耗性材料部が、耐摩耗性セラミック、アモルファス
    金属、又は形状記憶合金で構成されていることを特徴と
    する処理装置。
JP22673797A 1997-08-22 1997-08-22 処理装置 Withdrawn JPH1167650A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8007634B2 (en) * 2007-10-22 2011-08-30 Semes Co., Ltd. Wafer spin chuck and an etcher using the same
CN112198772A (zh) * 2020-11-17 2021-01-08 上海微世半导体有限公司 一种晶圆片自动定位显影装置及方法

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