JP2010171266A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010171266A JP2010171266A JP2009013313A JP2009013313A JP2010171266A JP 2010171266 A JP2010171266 A JP 2010171266A JP 2009013313 A JP2009013313 A JP 2009013313A JP 2009013313 A JP2009013313 A JP 2009013313A JP 2010171266 A JP2010171266 A JP 2010171266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- unit
- processing apparatus
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 622
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 441
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 176
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 74
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 57
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 claims description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 98
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 87
- 238000011161 development Methods 0.000 description 48
- 101000582989 Homo sapiens Phospholipid phosphatase-related protein type 4 Proteins 0.000 description 23
- 102100030368 Phospholipid phosphatase-related protein type 4 Human genes 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 15
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 101100322810 Arabidopsis thaliana AHL1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100215719 Arabidopsis thaliana AHL3 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100206185 Arabidopsis thaliana TCP18 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100206195 Arabidopsis thaliana TCP2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100004651 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) brc1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 101100480814 Arabidopsis thaliana TCP12 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、加熱処理部35にて先に処理する基板Wの加熱処理条件を取得し、当該処理条件に基づいて加熱処理して、加熱処理部35から搬出する。そして、加熱処理部35にて次に処理すべき基板Wがある場合には、次の基板Wの加熱処理条件を取得し、先の基板Wの処理条件と次の基板Wの処理条件とが特定の処理条件の組み合わせかどうかを判定する。特定の組み合わせである場合には、基板処理装置1は、次の基板Wを、所定時間の間、所定位置(基板待機位置34)にて待機させる待ち処理を実行する。そして、所定の時間が経過すると、ローカル搬送機構36が次の基板Wを加熱処理部35へ搬入する。
【選択図】図5
Description
<1.1. 基板処理装置1の構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を示す平面図である。また、図2は、第1実施形態に係る基板処理装置1の液処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。また、図3は、第1実施形態に係る基板処理装置1の熱処理ユニットの配置を示すための概略側面図である。また、図4は、第1実施形態に係る基板処理装置1の基板載置部PASS1〜PASS6の周辺構成を示す図である。
インデクサブロック10は、外部装置から受け取った未処理の基板Wをバークブロック20やレジスト塗布ブロック30に払い出すとともに、現像処理ブロック40から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック10は、キャリアCが載置される複数(本実施形態では4個)の載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納する基板移載機構12とを備えている。
バークブロック20は、露光時に発生する反射の影響(定在波効果やハレーション)を減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成する。すなわち、バークブロック20は、基板W上にBARCの形成処理を行う処理ブロックである。
レジスト塗布ブロック30は、バークブロック20と現像処理ブロック40との間に挟み込まれるようにして設けられており、バークブロック20にて反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する処理ブロックである。
図5は、第1実施形態に係る加熱ユニットPHP1の概略構成を示す部分断面図である。図5に示すように、加熱ユニットPHP1は、主に基板待機部34、基板待機部34の下方に配置される熱処理部35、基板待機部34と熱処理部35との間で基板Wを搬送するローカル搬送機構36を備えている。
現像処理ブロック40は、現像処理ブロック40は、露光処理後の基板Wに対して現像処理を行うための処理ブロックであり、レジスト塗布ブロック30とインターフェイスブロック50との間に挟み込まれるようにして設けられている。レジスト塗布ブロック30と現像処理ブロック40との間には、雰囲気遮断用の隔壁37が設けられている。この隔壁37には、レジスト塗布ブロック30と現像処理ブロック40との間で基板Wの受け渡しを行うために、基板Wを載置する2つの基板載置部PASS5,PASS6が鉛直方向に沿って積層されて設けられている。基板載置部PASS5,PASS6は、上述の基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。
インターフェイスブロック50は、現像処理ブロック40に対して(+X)側に隣接するように設けられ、レジスト膜が形成された基板Wをレジスト塗布ブロック30から受け取って基板処理装置1とは別体の外部装置である露光ユニットEXPに渡すとともに、露光済みの基板Wを露光ユニットEXPから受け取って現像処理ブロック40に渡すブロックである。
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図6は、第1実施形態に係る基板処理装置1の制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置1は、主制御部MC、ブロック制御部BC、ユニット制御部(具体的には、塗布処理ユニット制御部SCC、熱処理ユニット制御部TUC)の3階層からなる制御階層を備えている。
次に、本実施形態に係る基板処理装置1の動作について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ100から受け取った処理レシピD1の記述内容に従って図6に示す制御機構が各要素を制御することにより実行される。
「(1)先の基板Wの加熱温度が100℃であり、(2)次の基板Wの加熱温度が120℃である。」
といったように、先の基板Wと次の基板Wについての特定の処理条件の組み合わせが記述されている。なお、このような特定の処理条件の組み合わせは、1組だけであってもよいし、複数組設定されてもよい。
本実施形態に係る基板処理装置1によれば、次の基板Wの搬入時機を遅延させる特定の処理条件(ここでは加熱温度)の組み合わせを、オペレータが予め適当に設定しておくことで、先の基板処理と次の基板処理との間で、適切な時間間隔を設けることができる。
上記実施形態では、特定の処理条件として処理温度情報を取得するようにしていたが、特定の処理条件の組み合わせの条件として、処理温度だけでなく、熱処理する際の基板に塗布されている薬液の種類を含ませてもよい。
「(1)先の基板Wの処理温度が100℃で塗布されている薬液が組成1のレジストであり、(2)次の基板Wの処理温度が120℃である。」
といったように、特定の処理条件の組み合わせの条件として、特定の薬液情報を含むようにしてもよい。
「(1)先の基板Wの処理温度が100℃で加熱時間がX分間処理であり、(2)次の基板Wの処理温度が120℃である。」
といったように、特定の処理条件の組み合わせの条件に、加熱処理の時間を含むようにしてもよい。
「(1)先の基板Wの処理温度が120℃であり、(2)次の基板Wの処理温度が90℃である。」
に設定し、待ち処理の条件を適切に設定することで、加熱プレート351の温度が90℃以下にまで冷やすための時間を確保できる。したがって、次の基板Wが90℃を越える高温で処理されることを抑制できる。したがって、基板製造の歩留まり低下を防止できる。
「(1)先の基板Wの処理温度が100℃であり、(2)次の基板Wの処理温度の先の基板のWの処理温度との差が30℃である。」
といったように、温度差で条件設定できるようにすることも妨げられない。
上記実施形態では、加熱ユニットPHP1〜PHP6において処理する基板Wの処理条件が特定の処理条件の組み合わせのときに、待ち処理を実行させていたが、その他の熱処理ユニット(ホットプレートHP1〜HP11、コールドプレートCP1〜CP14、加熱ユニットPHP7〜PHP12、密着強化処理ユニットAHL1〜AHL3)で処理する場合において待ち処理を実行させることも有効である。
100 ホストコンピュータ
21 下地塗布処理部
31 レジスト塗布処理部
34 基板待機部
341 載置プレート
342 上下ピン
35 熱処理部
351 加熱プレート
352 上下ピン
353 カバー部材
354 上下駆動機構
355 排気ポンプ
36 ローカル搬送機構
361 ハンド
362 上下駆動部
363 進退駆動部
41 現像処理部
43 熱処理部
BRC 塗布処理ユニット
C キャリア
HP ホットプレート
PASS1〜PASS10 基板載置部
PHP 加熱ユニット
SC 塗布処理ユニット
SD 現像処理ユニット
TR1〜TR4 搬送ロボット
BC ブロック制御部
MC 主制御部
MCm 記憶部
TRC 搬送ロボット制御部
TUC 熱処理ユニット制御部
D1 処理レシピ
D2 設定情報
W 基板
Claims (10)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の処理条件を記憶する記憶部と、
前記処理条件に従って、基板に対して特定の処理を行う処理部と、
前記処理部に対して基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記処理部において、先に処理されるべき第1基板の処理条件とその次に処理されるべき第2基板の処理条件とに基づいて、前記搬送機構が前記第2基板を前記処理部に搬送する搬送時機を決定することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、
前記第1基板の処理条件と前記第2基板の処理条件とが特定の処理条件の組み合わせであるときに、前記第2基板の前記処理部への搬送時機を所定時間遅延させるように前記搬送機構を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記処理部に搬送する搬送時機となるまで、前記第2基板を待機させるための待機部、を含み、
前記搬送機構は、前記待機部で待機している基板を前記処理部へ搬送することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記処理部が、基板を熱処理する熱処理部であり、
前記処理条件には、熱処理に関する処理条件が含まれることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記処理条件には、加熱処理の温度に関する情報が含まれることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4または請求項5に記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、加熱により昇華する薬液が塗布された基板を加熱処理することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5または請求項6に記載の基板処理装置において、
前記処理条件には、基板に塗布されている薬液の種類に関する情報が含まれることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6または請求項7に記載の基板処理装置において、
前記熱処理部の雰囲気を排気する排気機構、を含み、
前記排気機構は、
前記第1基板が前記熱処理部から搬出された後から、前記第2基板を前記熱処理部に搬入するまでの間、前記熱処理部の雰囲気を排気することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
(a) 処理部において先に処理すべき第1基板の処理条件を取得する工程と、
(b) 前記(a)工程にて取得した前記第1基板の処理条件に従って、前記処理部により前記第1基板を処理する工程と、
(c) 前記処理部において前記第1基板の次に処理すべき第2基板の処理条件を取得する工程と、
(d) 前記(a)工程にて取得した第1基板の処理条件と前記(c)工程にて取得した第2基板の処理条件とに基づいて、前記(b)工程が完了した前記処理部に対して前記第2基板を搬入する搬入時機を決定する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項9に記載の基板処理方法であって、
前記(d)工程は、
(d-1) 前記第1基板の処理条件と前記第2基板の処理条件とが、予め設定された特定の処理条件の組み合わせか否かを判定する工程、を含み、
前記(d-1)工程にて、前記特定の処理条件の組み合わせであると判定されるときに、前記第2基板の前記処理部への搬送時機を所定時間遅延させることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013313A JP5579991B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013313A JP5579991B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010171266A true JP2010171266A (ja) | 2010-08-05 |
JP5579991B2 JP5579991B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=42703094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009013313A Active JP5579991B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5579991B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017102254A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2019004179A (ja) * | 2018-09-21 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316130A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Sony Corp | レジストパタ−ンの形成方法および装置 |
JP2001210581A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2001230201A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 加熱・冷却処理装置及び方法,基板処理装置 |
JP2005317686A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 |
-
2009
- 2009-01-23 JP JP2009013313A patent/JP5579991B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316130A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Sony Corp | レジストパタ−ンの形成方法および装置 |
JP2001230201A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 加熱・冷却処理装置及び方法,基板処理装置 |
JP2001210581A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005317686A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017102254A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2019004179A (ja) * | 2018-09-21 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5579991B2 (ja) | 2014-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4444154B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101176238B1 (ko) | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 | |
KR100888301B1 (ko) | 기판처리시스템 및 기판처리장치 | |
TWI425586B (zh) | 基板搬送裝置及熱處理裝置 | |
JP2007317987A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH1084029A (ja) | 処理システム | |
JP4549959B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007081117A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008186934A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2009021275A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4279102B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4080405B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4105617B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI642090B (zh) | 基板處理方法、基板處理系統及基板處理裝置 | |
JP2009123817A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP4833005B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5243205B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5936853B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5579991B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4255791B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5270108B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006165187A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005191239A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置および基板処理装置 | |
JP4262037B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4323905B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130520 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140416 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140708 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579991 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |