JPH08316130A - レジストパタ−ンの形成方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光されてから熱処理されるまでの時間を管
理することにより、いわゆる化学増幅系レジストに適し
たレジストパタ−ンの形成方法を提供すること。 【構成】 まず、ウェ−ハが露光処理工程に送られてか
ら、所定の露光処理が施され、露光後熱処理工程にむけ
て送り出されるまでの露光処理時間Ｃを、ロットの１枚
目のウェ−ハについて求める（Ｓ２）。その後、求めた
露光処理時間Ｃを、露光後熱処理工程におけるウェ−ハ
１枚あたりに必要な熱処理時間Ｄと比較し（Ｓ３）、露
光処理時間Ｃが熱処理時間Ｄより短い場合に、熱処理時
間Ｄと露光処理時間Ｃとの差より少なくとも長い遅延時
間αを設定する（Ｓ４）。２枚目以降の各ウェ−ハにつ
いては、ウェ−ハが露光処理工程に送られる所定の搬送
時間ｂに、設定した遅延時間αを加算し（Ｓ５）、その
後、露光を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光のほかに、露光後
熱処理を行うことによりパターンが確定されるタイプの
レジストに適したパタ−ン形成方法に関し、とりわけ露
光後に露光後熱処理されるまでの時間が、フォトリソグ
ラフィ工程間で一定になるように管理しながらレジスト
パタ−ンを形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体デバイスの高集積化によ
り、ますます微細な加工技術が要求されてきた。このた
め、フォトリソグラフィ工程での線幅のバラツキを低レ
ベルで、しかも安定に制御することが、以前にもまして
重要になってきている。

【０００３】また、微細加工のために露光波長が短波長
化し、これにともなって使用されるレジスト材料も大き
く変化している。すなわち、これまでのｇ線（波長：４
３６ｎｍ），ｉ線（波長：３６５ｎｍ）リソグラフィで
は、ノボラック樹脂／ナフトキノン系のレジストが主に
使用されてきた。しかし、このノボラック樹脂／ナフト
キノン系のレジストは、さらに短い波長領域では、吸収
が大きいことから感度や形状制御性の確保が難くなって
きた。したがって、現在導入が検討されているＫｒＦエ
キシマレ−ザリソグラフィ（波長：２４８ｎｍ）では、
いわゆる化学増幅型のレジストが使われはじめている。
代表的な化学増幅型レジストとしては、短波長領域でも
比較的透明なＰＨＳ（Poly-Hydroxy-styreneの略）等の
低吸収樹脂に、少ない吸収でも反応を触媒的に起こすた
めの光酸発生剤を加えた低吸収化学増幅レジストがあ
る。

【０００４】この種の化学増幅型レジストでは、露光に
より光酸発生剤から分解生成した酸が、続くＰＥＢ（Po
st Exposure Bake：露光後熱処理）工程で、ベ−ス樹脂
の架橋，重合，官能基変換などのレジスト反応の触媒と
して働くことで、現像液に対する局部的な溶解度変化を
生じさせる。したがって、露光した直後は、生成した酸
が拡散等により動く状態にあり、この不安定さに起因し
て、化学増幅型のレジスト材料を用いた場合の線幅は、
処理条件の変動による影響を受けやすいといわれてい
る。

【０００５】一方、かかる化学増幅型レジストのフォト
リソグラフィ工程においても、自動化や生産性などの観
点から、従来と同様に、ステッパ等の露光装置とレジス
ト塗布／現像装置（コ−タ／ディベロッパ）とがインラ
インで接続され、厳密な時間管理の下に使用されてい
る。

【０００６】図５に一般的なフォトリソグラフィ工程の
フロ−図を示す。図中、工程フロ−の下に示した大文字
の記号は、各処理工程での処理時間であり、小文字の記
号はウェ−ハを次工程に搬送するための所要時間を表し
ている。このリソグラフィ工程は、半導体製造過程で何
度も繰り返えして行われるが、各処理工程での処理時間
は、所定のプロセス条件にもとづいて、各リソグラフィ
工程間で同じような値に予め設定されることが多い。た
だし、「Exposure（露光）」については、その処理時間
が多くの条件や特殊処理を加味したものであり、しか
も、各リソグラフィ工程で要求される解像度や重ね合わ
せ精度が異なることから、露光処理の時間に大きな開き
を生じることがある。たとえば、ステッパのショットレ
イアウトおよびショット数，露光量，アライメントや重
ね合わせのシ−ケンス，あるいは特殊処理（ＦＬＥＸ
法，変形照明，位相シフト等）の有無により、８インチ
ウェ−ハで１〜５分程度の範囲で、露光処理に時間差が
生じる。この時間差は、従来のノボラック樹脂／ナフト
キノン系のレジストをパタ−ンニングする限りにおいて
は、あまり大きな問題ではなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した化学
増幅型のレジストをパタ−ニングする場合には、前記露
光処理の時間差が原因で、露光をしてからＰＥＢがされ
るまでの時間を各リソグラフィ工程間で一定にすること
ができず、これがレジストの線幅安定性を大きく劣化さ
せるといった第１の問題点があった。

【０００８】たとえば、ポジ型レジストを用いた場合、
露光により発生した酸がこの時間内に未露光領域に拡散
して溶解阻止剤を過剰に分解すると、パタ−ンの線幅が
変動したり、コントラストが低下したりする。また、雰
囲気中にわずかでもアルカリ性物質があると、曝されて
いる時間によっては、酸が失活して線幅が太くなること
があった。

【０００９】以下、このＰＥＢまでの時間差がどのよう
な場合に発生するかを、図５の例で具体的に説明する。
露光をしてからＰＥＢがされるまでの時間を一定にする
ためには、「Exposure」の処理が終了してウェ−ハを搬
送する際に、次の「ＰＥＢ」処理の前で待機しているウ
ェ−ハがない状態を確保する必要がある。この状態は、
次の２つの式を同時に満たすことで実現できる。

【００１０】

【１式】 Ｃ（露光処理時間）≧ｃ（露光〜ＰＥＢの搬送時間）

【００１１】

【２式】Ｃ（露光処理時間）≧Ｄ（ＰＥＢ処理時間） ここで、ｃ，Ｄは、いずれも設定された時間である。た
だし、一般的には、ｃ（露光〜ＰＥＢの搬送時間）は、
搬送ロボットが動いている時間で数十秒程度と短いこと
を考慮すると、上記［２式］のみ満足すればよい。この
場合でも、Ｃ（露光処理時間）は、先に述べたように、
例えば１〜５分程度の範囲で大きく異なるため、上記
［２式］を満足できないことがある（Ｄは、通常１〜２
分程度である）。すなわち、次の［３式］が成立しまう
と、ＰＥＢ前で待機しているウェ−ハが発生し、［２
式］を満たす場合に比べて、露光をしてからＰＥＢがさ
れるまでの時間が長くなってしまっていた。

【００１２】

【３式】Ｃ（露光処理時間）＜Ｄ（ＰＥＢ処理時間） 一方、かりに露光処理の時間差がなく、全てのリソグラ
フィ工程で上記［２式］を満たす場合においても、後述
する他の要因でＰＥＢ前に待機するウェ−ハが発生する
ことがあり、レジストの線幅安定性を劣化させるといっ
た第２の問題点もあった。この場合、ＰＥＢまでの時間
は各リソグラフィ工程間で一定であるが、時間全体とし
て長くなり、前記したアルカリ性物質による酸の失活な
ど、レジストが環境要因による影響を受けやすくなると
いった点から、線幅安定性にきいてくる。

【００１３】ＰＥＢ前に待機するウェ−ハが発生する原
因については、以下のことが考えられる。すなわち、こ
れまでの議論では、Ｃ（露光処理時間）とＤ（ＰＥＢ処
理時間）との大小関係に着目してきたが、これはＰＥＢ
以後の工程でウェ−ハがスム−ズに流れていることを前
提としていた。この前提がくずれると、ＰＥＢの前で待
機するウェ−ハが発生し、露光〜ＰＥＢの搬送時間が、
見かけ上、設定した前記ｃの値より長くなってしまう。
いわば、前記［１式］が成り立たなくなる場合である。
この場合、前記した第１の問題点の場合と異なり、各リ
ソグラフィ工程で一様に、待機するウェ−ハが発生す
る。

【００１４】なお、これを防止するために、ｃの値その
ものを予め長めに設定して対処することがあった。しか
し、待機ウェ−ハがあるとないとにかかわらず、一律に
ｃの値を長く設定することは、スル−プットの点から好
ましいものではなかった。また、この場合においても、
化学増幅系のレジストの線幅安定性を損なう結果を招い
てしまうことに変わりはなかった。

【００１５】

【発明の目的】本発明は、このような実状に鑑み、前記
問題点を解決するため成されたものであり、露光されて
から熱処理されるまでの時間が、必要最小限で、しかも
フォトリソグラフィ工程間において一定になるように管
理することにより、とくに、露光処理のほかに、露光後
熱処理を行うことによりパタ−ンが確定されるタイプの
レジストに適したレジストパタ−ンの形成方法および装
置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明者
は、露光されてから熱処理までの時間を一定とするため
に、露光処理時間より熱処理時間が長いときの時間差だ
け、露光処理の前でウェ−ハの送り時間を調整すること
を思いついた。

【００１７】すなわち、本発明に係る第１のレジストパ
タ−ンの形成方法は、ウェ−ハが露光処理工程に送られ
てから、所定の露光処理が施され、露光後熱処理工程に
むけて送り出されるまでの露光処理時間を、計測により
求める工程と、求めた前記露光処理時間を、露光後熱処
理工程におけるウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処理時間
と比較する工程と、前記露光処理時間と前記熱処理時間
とを比較した結果、露光処理時間が熱処理時間より短い
場合に、熱処理時間と露光処理時間との差より少なくと
も長い待機時間を設定する工程と、前記露光処理時間を
求めたウェ−ハより後に露光処理される各ウェ−ハにつ
いて、前記露光処理工程へのウェ−ハの搬入を前記待機
時間だけ遅らせる工程とを少なくとも含むことを特徴と
する。

【００１８】このレジストパタ−ンの形成方法は、露光
処理のほかに、露光後熱処理を行うことによりパターン
が確定されるタイプのレジストに適している。前記待機
時間は、前記熱処理時間から前記露光処理時間を差し引
いた時間であることが好ましい。

【００１９】前記熱処理時間は、通信ケ−ブルを介し
て、前記露光処理時間を熱処理時間と比較する工程に送
られることが好ましい。本発明に係るレジストパタ−ン
の形成装置は、ウェ−ハが露光処理部に送られてから、
所定の露光処理が施され、露光後熱処理部にむけて送り
出されるまでの露光処理時間を、計測により求める処理
時間算出手段と、求めた露光処理時間を、露光後熱処理
部におけるウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処理時間と比
較する処理時間比較手段と、露光処理時間と熱処理時間
とを比較した結果、露光処理時間が熱処理時間より短い
場合に、熱処理時間と露光処理時間との差より少なくと
も長い待機時間を設定する待機時間設定手段と、前記露
光処理時間を求めたウェ−ハより後に露光処理される各
ウェ−ハについて、露光処理工程へのウェ−ハの搬入を
前記待機時間だけ遅らせる送り間隔調整手段とを少なく
とも備えたことを特徴とする。

【００２０】本発明者は、また、露光後熱処理より後に
発生した待機ウェ−ハの影響で、露光されてから熱処理
までの時間が長くなることはないように、熱処理の後に
バッファ工程を設けることを思いついた。すなわち、本
発明に係る第２のレジストパタ−ンの形成方法には、前
記露光後熱処理工程と現像処理工程との間に、露光後熱
処理がされたウェ−ハを一時的に溜めることができる工
程を備えたことを特徴とする。

【００２１】これは、レジストパタ−ンの形成装置にお
いて、ウェ−ハ貯留部を露光後熱処理部と現像処理部と
の間に設けることで実現できる。

【００２２】

【作用】本発明に係る第１のレジストパタ−ンの形成方
法および装置によれば、まず、レジストが成膜されたウ
ェ−ハについて、処理時間算出手段により露光処理時間
が求められる。ここで、露光処理時間とは、ウェ−ハが
露光処理工程に送られてから、所定の露光処理を施さ
れ、次の露光後熱処理工程にむけて送り出されるまでの
時間である。

【００２３】つぎに、処理時間比較手段により、求めた
露光処理時間を、露光後熱処理工程におけるウェ−ハ１
枚あたりに必要な熱処理時間と比較する。この比較の結
果、露光処理時間が熱処理時間より短い場合には、遅延
時間設定手段により待機時間が設定される。待機時間
は、熱処理時間と露光処理時間との差より少なくとも長
い時間にする必要がある。

【００２４】その後、送り間隔調整手段により、露光処
理時間を求めたウェ−ハより後に露光処理される各ウェ
−ハについて、露光処理の前で送り間隔が調整される。
この送り間隔の調整は、露光処理工程へのウェ−ハの搬
入を前記待機時間だけ遅らせることにより行う。これに
より、露光処理の時間が異なるフォトリソグラフィ工程
間で、ウェ−ハに露光処理がされて露光後熱処理までの
時間を一定にすることができる。

【００２５】したがって、このレジストパタ−ンの形成
方法は、露光処理のほかに、露光後熱処理を行うことに
よりパターンが確定されるタイプのレジストに適してい
る。前記待機時間は、熱処理時間から露光処理時間を差
し引いた時間であることが好ましい。ウェ−ハに露光処
理がされて露光後熱処理までの時間を、できるだけ短く
するためである。

【００２６】また、熱処理時間を、通信ケ−ブルを介し
て、前記露光処理時間を熱処理時間と比較する工程に送
ることが好ましい。手入力等の煩わしい作業をなくし、
熱処理時間の入力ミスにより誤った待機時間が設定され
るのを防止するためである。本発明に係る第２のレジス
トパタ−ンの形成方法および装置によれば、上記第１の
形成方法および装置が奏する作用に加え、露光後熱処理
がされ、現像処理工程に送られるウェ−ハが、ウェ−ハ
貯留部に一時的に溜められる。これにより、ウェ−ハ貯
留部の後にウェ−ハが滞留しても、ウェ−ハ貯留部より
前に影響を与えることがない。

【００２７】一方、ウェ−ハの滞留がない場合には、ウ
ェ−ハはウェ−ハ貯留部で溜められることなく、次工程
に送るようにすることもできる。これにより、ウェ−ハ
を貯留することによるスル−プットの低下を、必要最小
限に抑えることが可能となる。

【００２８】

【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例について説
明する。ここで本発明に係るレジストパタ−ンの形成方
法の説明に先立ち、まず、本発明を実施するために使用
した半導体製造装置について、図４を参照しながら説明
する。

【００２９】同図に示すように、本実施例で用いる半導
体製造装置は、ステッパ２とコ−タ／ディベロッパ４と
を、双方向の搬送が可能なウェ−ハ搬送機６を介してイ
ンライン接続したシステムを用いた。本実施例で使用し
たコ−タ／ディベロッパ４は、図４に示すように、互い
に平行な２ライン、すなわち、レジストを塗布するコ−
ティングライン８と、露光後に現像を行う現像ライン１
０とから構成されている。具体的な処理ユニットとして
は、レジストを所定膜厚でウェ−ハ上に塗布するコ−タ
ユニット１２と、レジストの余分な溶剤を熱処理により
揮発させるためのプリベ−クユニット１４とが、コ−テ
ィングライン８上に配置され、搬送系で接続されてい
る。また、現像ライン１０上には、露光後さらに熱処理
を施すためのＰＥＢユニット１６と、現像ユニット１８
とが配置され、搬送系で接続されている。

【００３０】ステッパ２およびコ−タ／ディベロッパ４
は、ぞれぞれコントロ−ラ２ａ，４ａを備えており、こ
れらは通信ケ−ブル２０を介して相互に接続されてい
る。コントロ−ラ２ａ，４ａは、所定のプロセス条件に
もとづいて各種処理ユニットに処理条件を指示し、ある
いは随所に設けられたセンサからのウェ−ハ位置情報を
監視して、ウェ−ハの処理タイミングを指示する。

【００３１】なお、コ−タ／ディベロッパ４には、特に
図示していないが、ウェ−ハカセットに収納されたウェ
−ハを搬送系に載せるためのキャリアステ−ションや、
現像後の熱処理を行うポストベ−クユニットを備えてい
る。そして、キャリアステ−ションから搬送系に載せら
れたウェ−ハは、コ−タユニット１２を始めとして、順
次、プリベ−クユニット１４，ステッパ２，ＰＥＢユニ
ット１６，現像ユニット１８に搬送されながら各種処理
が行われ、ポストベ−ク後に、再びキャリアステ−ショ
ンに戻される。

【００３２】この半導体製造装置は、あくまでも一例で
あり、各種処理ユニット１２〜１８の配置などについて
は、特に限定されるものではない。第１実施例 本実施例は、本発明に係るレジストパタ−ンの形成方法
の実施例である。実施の際には、前記した半導体製造装
置を用いた。また、パタ−ンニングするレジストは、前
述した化学増幅型のレジストである。

【００３３】本発明に係るレジストパタ−ンの形成方法
は、前述したように、フォトリソグラフィ工程におい
て、露光されてからＰＥＢされるまでの時間が一定とな
るように管理しながら、レジストパタ−ンを形成する方
法である。この時間管理は、露光されてからＰＥＢされ
るまでの時間を、前記ウェ−ハ搬送機６の搬送時間に揃
えることにより行う。搬送時間を揃えるには、１枚目の
ウェ−ハを用いて露光処理とＰＥＢ処理との処理時間を
比較し、この比較結果をもとに、露光処理に送られる２
枚目以降のウェ−ハの送り間隔の調整を行う。

【００３４】図１は、本発明のパタ−ン形成方法のう
ち、本発明の特徴である上記時間管理が行われる露光処
理工程を表したフロ−図である。露光処理以外の工程と
して、通常のフォトリソグラフィ工程に沿って各種処理
を行うことができる。また、各種処理時間および搬送時
間は、前に述べたように、図５で定義する。

【００３５】まず、ステップ１で、ロットの１枚目のウ
ェ−ハについて露光処理が行われ、続くステップ２で、
このときの処理時間を計測し、露光処理時間Ｃを算出す
る。この処理時間の計測は、露光処理を構成するシ−ケ
ンス、たとえばステ−ジ移動，アライメント，露光ごと
に行う。ここで、露光処理時間Ｃとは、ウェ−ハが前記
露光処理工程に送られてから、露光処理が行われ、次の
ＰＥＢ処理にむけて送り出されるまでの時間をいう。具
体的には、ステ−ジ移動時間，アライメント時間，露光
時間等を積算した時間をいうが、たとえばベ−スアライ
メント計測等、ロットの最初のみ行う処理の時間は除外
する。

【００３６】ステップ３では、ステップ２で算出した露
光処理時間Ｃを、次のＰＥＢ処理におけるウェ−ハ１枚
あたりに必要な熱処理時間Ｄと比較する。熱処理時間Ｄ
の情報は、前記コ−タ／ディベロッパ４に具備するコン
トロ−ラ４ａから、通信ケ−ブル２０を介して送る。こ
の比較の結果、露光処理時間Ｃが熱処理時間Ｄより短い
場合は、ステップ４で、待機時間αを次の［４式］によ
り算出する。

【００３７】

【４式】α＝ｋ・（Ｄ−Ｃ） ｋ≧１ ここで、ｋは１以上の任意係数であるが、スル−プット
や化学増幅系レジストの線幅安定性を考慮すると、最小
値である「１」にすることが好ましい。通常は、αに数
秒のマ−ジンを持たせるような値を選択する。一方、露
光処理時間Ｃが熱処理時間Ｄと同じか長い場合には、α
＝０とする。

【００３８】そして、次のステップ５で、図５のプリベ
−ク〜露光の所定の搬送時間ｂに求めたαを加算する。
このため、２枚目以降の各ウェ−ハについては、遅い搬
送速度で送られ、あるいは一時的に待機した後に露光処
理工程に搬入され、露光が行われる（ステップ６）。そ
の後、２枚目以降の各ウェ−ハは、直前のウェ−ハにつ
いてＰＥＢ処理が終わっていないという理由で、露光〜
ＰＥＧ間の搬送系で待機させられることがなく、露光後
はスム−ズにＰＥＢ処理に搬入される。したがって、化
学増幅型レジストに代表される露光後熱処理によっても
パタ−ンが確定されるタイプのレジストであっても、線
幅安定性のよいパタ−ンニングを行うことができる。

【００３９】第２実施例 本実施例は、上述した第１実施例のレジストパタ−ンの
形成手順のほかに、前記ＰＥＢ処理が施されたウェ−ハ
を、前記現像処理の前で一時的に溜めることができる工
程を追加したパタ−ン形成方法である。第１実施例に対
し、さらに上記工程を追加した理由は、たとえＰＥＢ以
降でウェ−ハがスム−ズに流れないことがあっても、前
記露光〜ＰＥＢの搬送時間が変動しないようにするため
である。すなわち、リソグラフィ工程によって、ＰＥＢ
以降に処理時間が長い工程があり、その工程より前の搬
送系にウェ−ハが次々に滞留することがある。また、ウ
ェ−ハが搬送途中に機械的に詰まってしまうことも考え
られる。本実施例に係る発明は、ウェ−ハを一時的に溜
めることができる工程をＰＥＢ工程の搬出側に設けるこ
とにより、その搬入側で待機するウェ−ハの発生を防止
するものである。

【００４０】図２は、本発明のパタ−ン形成方法のう
ち、前記露光処理工程から現像処理工程までのフロ−図
である。この露光処理（ステップ１０）でも、第１実施
例と同様に、前記した時間管理が行われ、露光されてか
らＰＥＢされるまでの時間が一定となるように露光処理
がされる。

【００４１】その後、ＰＥＢ処理（ステップ２０）を経
て、次のステップ３０では、ＰＥＢ処理後のウェ−ハを
一時的に溜めておくことができる。このウェ−ハの貯留
工程では、各リソグラフィ工程の処理条件に応じて、貯
留時間が調整される。たとえば、現像時間が長い等の理
由により、あるリソグラフィ工程をウェ−ハがスム−ズ
に流れないことが予想される場合には、その長い時間差
がコントロ−ラ４ａからウェ−ハ貯留工程に予め指示さ
れ、ウェ−ハ貯留工程では、送られてきたウェ−ハがこ
の時間差だけ一時的に溜められる。また、コントロ−ラ
４ａは、ウェ−ハの位置も監視しており、たとえばウェ
−ハが機械的に詰まった等の不慮の事態にも対応するこ
とができる。これにより、ウェ−ハ貯留工程より後のウ
ェ−ハの滞留があっても、露光〜ＰＥＢ間のウェ−ハ搬
送時間が変動することがない。

【００４２】一方、ウェ−ハがスム−ズに流れる場合に
は、ウェ−ハの貯留工程では全く貯留をせずに、そのま
ま次工程にウェ−ハを送るようにすることもできる。こ
れにより、ウェ−ハの貯留によるスル−プットの低下
を、必要最小限に抑えることが可能となる。

【００４３】第３実施例 本実施例は、上述した第１，２実施例に係るレジストパ
タ−ンの形成方法の発明を、具体的な装置で実現したも
のである。図３には、本発明に係るレジストパタ−ンの
形成装置の概略構成を示す。なお、本装置は、先に説明
した図４の半導体製造装置と基本的な構成は同じであ
り、重複した構成要素については、同一符号をもって説
明を省略する。

【００４４】図３のレジストパタ−ンの作成装置は、図
４の場合と比較すると、以下の構成が異なっている。す
なわち、ステッパ２内には、ロットの１枚目のウェ−ハ
について、前記露光処理時間Ｃを計測により求める処理
時間算出手段２２と、求めた露光処理時間Ｃを、ＰＥＢ
ユニット１６におけるウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処
理時間Ｄと比較する処理時間比較手段２４と、露光処理
時間Ｃと熱処理時間Ｄとを比較した結果、露光処理時間
Ｃが熱処理時間Ｄより短い場合に、熱処理時間Ｄと露光
処理時間Ｃとの差より少なくとも長い待機時間αを設定
する遅延時間設定手段２６とを備えている。

【００４５】また、ウェ−ハ搬送機６には、２枚目のウ
ェ−ハ以降の各ウェ−ハについて、ウェ−ハがステッパ
２に送られる所定の搬送時間ｂに求めた前記待機時間α
を加算することにより、ＰＥＢユニット１６へのウェ−
ハの搬入を遅らせる送り間隔調整手段２８を備えてい
る。

【００４６】さらに、コ−タ／ディベロッパ４内の前記
ＰＥＢユニット１６と現像ユニット１８との間には、ウ
ェ−ハを一時的に溜めることができるバッファカセット
３０を備えている。このバッファカセット３０により、
これより後の搬送系でウェ−ハが滞留することに起因し
た露光〜ＰＥＢの搬送時間の変動を防止することができ
る。

【００４７】このレジストパタ−ンの形成装置は、あく
までも一例であり、各種処理ユニット１２〜１８や各機
能手段２２〜２８の配置などについては、特に限定され
るものではない。

【００４８】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明を用いれ
ば、露光されてから熱処理されるまでの時間が、フォト
リソグラフィ工程間において一定になるように管理する
ことにより、とくに、露光のほかに、露光後熱処理を行
うことによりパタ−ンが確定されるタイプのレジストに
適したレジストパタ−ンの形成方法および装置を提供す
ることができる。

【００４９】また、露光されてから熱処理されるまでの
時間を必要最小限にして、さらに安定にレジストのパタ
−ンニングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明に係るレジストパタ−ンの形成
方法を構成する工程のうち、要部を表した工程フロ−図
である。

【図２】図２は、本発明に係るレジストパタ−ンの形成
方法を構成する工程のうち、他の要部を表した工程フロ
−図である。

【図３】図３は、本発明に係るレジストパタ−ンの形成
装置の概略構成図である。

【図４】図４は、本発明の実施に用いることができる半
導体製造装置の概略構成図である。

【図５】図５は、一般的なフォトリソグラフィ工程のフ
ロ−図である。

【符号の説明】

２ …ステッパ ４ａ…コ−タ／ディベロッパ ４ａ…コントロ−ラ ６ …ウェ−ハ搬送機 ６ａ…コントロ−ラ ８ …コ−ティングライン １０ …現像ライン １２ …コ−タユニット １４ …プリベ−クユニット １６ …ＰＥＢユニット １８ …現像ユニット ２０ …通信ケ−ブル ２２ …処理時間算出手段 ２４ …処理時間比較手段 ２６ …遅延時間設定手段 ２８ …送り間隔調整手段 ３０ …バッファカセット（ウェ−ハ貯留部）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｇ ５６６ ５６９Ｄ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各ウェ−ハ上にレジストを成膜した後、
   露光処理，露光後熱処理，現像処理の各種処理工程を、
   ウェ−ハを搬送しながら行うレジストパタ−ンの形成方
   法において、 ウェ−ハが前記露光処理工程に送られてから、所定の露
   光処理が施され、前記露光後熱処理工程にむけて送り出
   されるまでの露光処理時間を、計測により求める工程
   と、 求めた前記露光処理時間を、前記露光後熱処理工程にお
   けるウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処理時間と比較する
   工程と、 前記露光処理時間と前記熱処理時間とを比較した結果、
   露光処理時間が熱処理時間より短い場合に、熱処理時間
   と露光処理時間との差より少なくとも長い待機時間を設
   定する工程と、 前記露光処理時間を求めたウェ−ハより後に露光処理さ
   れる各ウェ−ハについて、前記露光処理工程へのウェ−
   ハの搬入を前記待機時間だけ遅らせる工程とを少なくと
   も含むレジストパタ−ンの形成方法。
2. 【請求項２】 前記レジストは、前記露光処理のほか
   に、前記露光後熱処理を行うことによりパターンが確定
   されるタイプのレジストである請求項１に記載のレジス
   トパタ−ンの形成方法。
3. 【請求項３】 前記待機時間は、前記熱処理時間から前
   記露光処理時間を差し引いた時間である請求項１または
   請求項２に記載のレジストパタ−ンの形成方法。
4. 【請求項４】 前記露光後熱処理工程と前記現像処理工
   程との間には、露光後熱処理が施されたウェ−ハを一時
   的に溜めることができる工程を備えた請求項１または請
   求項２に記載のレジストパタ−ンの形成方法。
5. 【請求項５】 前記熱処理時間は、通信ケ−ブルを介し
   て、前記露光処理時間を熱処理時間と比較する工程に送
   られる請求項１，２，４のいずれか１項に記載のレジス
   トパタ−ンの形成方法。
6. 【請求項６】 レジスト塗布，塗布後熱処理，露光処
   理，露光後熱処理，現像処理を各々行う各種処理部をイ
   ンラインで接続して構成されるレジストパタ−ンの形成
   装置において、 ウェ−ハが前記露光処理部に送られてから、所定の露光
   処理が施され、前記露光後熱処理部にむけて送り出され
   るまでの露光処理時間を、計測により求める処理時間算
   出手段と、 求めた前記露光処理時間を、前記露光後熱処理部におけ
   るウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処理時間と比較する処
   理時間比較手段と、 前記露光処理時間と前記熱処理時間とを比較した結果、
   露光処理時間が熱処理時間より短い場合に、熱処理時間
   と露光処理時間との差より少なくとも長い待機時間を設
   定する待機時間設定手段と、 前記露光処理時間を求めたウェ−ハより後に露光処理さ
   れる各ウェ−ハについて、前記露光処理工程へのウェ−
   ハの搬入を前記待機時間だけ遅らせる送り間隔調整手段
   とを少なくとも備えたレジストパタ−ンの形成装置。
7. 【請求項７】 前記露光後熱処理部と前記現像処理部と
   の間には、露光後熱処理が施されたウェ−ハを一時的に
   溜めることができるウェ−ハ貯留部を設けた請求項６に
   記載のレジストパタ−ンの形成装置。