JPH0470754A - 露光方法および装置 - Google Patents

露光方法および装置

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JPH0470754A
JPH0470754A JP2182842A JP18284290A JPH0470754A JP H0470754 A JPH0470754 A JP H0470754A JP 2182842 A JP2182842 A JP 2182842A JP 18284290 A JP18284290 A JP 18284290A JP H0470754 A JPH0470754 A JP H0470754A
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JP
Japan
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exposure
shot
time
photosensitive material
accordance
Prior art date
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Pending
Application number
JP2182842A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Aoki
明夫 青木
Izumi Tsukamoto
泉 塚本
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH0470754A publication Critical patent/JPH0470754A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、IC,LSI等の製造における露光方法およ
び装置に関する。
[従来の技術] IC,LSI等の半導体デバイスを製造する際、ウェハ
上に回路パターンを形成する段階において利用されるレ
ジストとして現在様々な感光材料か提供されている。近
年特にチーブUV領域のレジストとして注目されている
化学増幅系感光材は、その特徴である高感度性により利
用の拡大が予想される。
一方、化学増幅系感光材をレジストとして塗布したウェ
ハに対して、縮小投影露光装置(ステッパ)を用いて、
第5図のフローチャートで示すように、一定の露光エネ
ルギにより露光を行なった場合、露光開始位置(第1シ
ョット)から露光終了位置(最終ショット)までの各位
置におけるレジストの反応の進行度に差がでる。これは
第1ショットから最終ショットまての時間経過によって
、露光後の経過時間がそれぞれのショットことに異なっ
ているからである。この状態でFEBおよび現像を行な
った場合、化学増幅系感光材の感度は露光後時間経過と
ともに減少していくため、露光後の経過時間の差異はレ
ジスト像のパターン寸法およびプロファイルの不均一性
として現れる。したがって、前記の露光において均一な
レジスト像を得るためには、露光完了後PEB (露光
後ベーキング)までの経過時間に対して非常に慎重な配
慮が必要とされる。すなわち、化学増幅系感光材は露光
後、FEBまでの放置時間によって感度が変わるという
性質をもフている。
[発明が解決しようとする課題] 今後さらに展開されてい<LSIの高集積化、素子の微
細化に対応じていくために、縮小露光装置の光源として
より波長の短いものが採用される傾向にある。一方、現
在光波として主流となっているg線の次の候補として考
えられているのかi線あるいはエキシマレーザであるか
、これらのより波長の短い光源に適応するフォトレジス
トとして最も有望なものが化学増幅系感光材である。し
かしながら、上記従来例では露光後時間経過とともに変
化する化学増幅系感光材の感度のために現像後のレジス
ト像におけるパターン寸法およびフロファイルが不均一
になる欠点があった。このことは、i線あるいはエキシ
マレーザを光源として採用する目的と大きく矛盾する。
本発明は、上記従来例における問題点に鑑みてなされた
もので、化学増幅系感光材のように露光後の経過時間に
よって感度が左右される感光材を用いてステップアンド
リピート露光を行なフた場合にも全ショットに対して最
良の露光条件を与え、もって容易かつ低コストに製造ラ
インの効率化が可能な露光方法および装置を提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため、本発明では、被露光体をス
テップ送りしながら複数のショットに順次露光を行なう
際、露光開始位置(第1ショット)から(露光終了位置
(最軽ショット)に至る各ショットの露光エネルギーを
露光してからFEBまたは現像など所定の露光後処理を
行なうまでの時間に応じて順次変化させるようにしたこ
とを特徴としている。
[作用] 化学増幅系感光材も含め半導体デバイスの製造において
レジストとして用いられるほとんどの感光材は、′s2
図aに示すように、露光エネルギーによって現像後のレ
ジスト像におけるパターンの寸法あるいはプロファイル
を制御することができる。化学増幅系感光材を上記レジ
ストとして用いた場合には、第2図すに示すように、露
光からPEBまでの経過時間に応じて現像後のレジスト
像におけるパターン寸法あるいはプロファイルか変化す
る。したがって、露光前に露光後FEBまでの経過時間
が確定される場合、上記露光エネルギーによる制御によ
って上記経過時間による変化を補正することができる。
本発明では、化学増幅系感光材のように感度か感光後の
経過時間に影響される感光材をレジストとして塗布した
ウェハに対して、縮小投影露光装置等のステップアンド
リピート式露光装置により順次行なわれる露光に関して
上記補正を取り入れることにより化学増幅系感光材の感
度によるレジスト像の均一性の低下を防ぐことができる
[実施例] 第1図は、本発明に一実施例に係る縮小投影露光装置に
おける露光の手順の流れを示す。この露光装置は、公知
の縮小投影露光装置に対してその制御系のプログラムを
変更することによフて露光の手順のみを変更したもので
ある。
マス、露光の対象・どなるウェハについて最終ショット
終了からFEBが実施されるまでの経過時間(1)を確
定する(手順[1コ)。続いて、手順[1]で得た時間
tに基づいてウェハ上の第1番目の露光位置(第3図2
1)から最終露光位置(第3図P。)までの各露光位置
における露光エネルギー(El 、  E2 、 E3
 、・・・・・・Fo)を算出する([手順2])。次
に、第1番目の露光位置ヘウエハを移動しく[手順3]
)、手順[2コで算出した現在の位置に対する露光エネ
ルギーをも)て露光を行ない(手順[4])、最終露光
位置に対する露光が終了したかどうかを判断する([手
順5コ)。未終了の場合(No)には次の露光位置へク
エへを移動した(手順[6])後で手順[4]へ戻る。
以下、手順[5]の判断において終了(Yes)となる
まで上記の手順[4]  [5]および[6コを繰り返
す。
第2図(a)は、露光エネルギと露光されたパターンの
現像後の寸法との関係を示すグラフである。第2図(b
)は露光後の経過時間と露光されたパターンの現像後の
寸法との関係を示すグラフである。これらの関係は主に
化学増幅系感光材の種類、塗布条件、現像条件等から決
定されるので露光に先立って知ることができる。したが
って、上記手順[2]において上記時間tに基づいてウ
ェハ全面において均一なレジスト像を得ることができる
露光エネルギを算出することができる。
第4図(a)は1台の縮小投影露光装置41と1台の現
像システム42との間を自動搬送手段43で結合した製
造ラインを示す。このような構成においては、上記手順
[2コにおける時間tは搬送時間によって決定される。
縮小投影露光装置における露光エネルギの制御は、照射
時間あるいはセンサによる計測値に基づいて行なわれる
ものであり、上記露光寸法の実現においては装置の構成
の変更および性能の向上などを必要としていない。
[他の実施例コ 第4図(b)に複数の縮小投影露光装置41−141−
2.・・・・と複数の現像システム42〜1.42−2
.・・・・を自動搬送手段43で結合し、各装置相互の
あるいは各装置と制御システム44との間のデータ通信
を可能にする通信手段45を設けた製造ラインの構成を
示す。このような構成においては、前記実施例の手順[
2コにおける時間tは通信手段45を介して収集した他
の装置の状態から、あるいは制御システム44からの指
示にしたがって確定することができる。
以上説明したように、化学増幅系感光材をレジストとし
て使用したウェハに対して縮小投影露光装置により回路
パターンを露光するときに順次露光エネルギーを変化さ
せることにより次の効果が得られる。
(1)感光された上記レジストの反応不均一と無関係に
FEBを実施できるので、製造ラインの効率が向上する
(2)従来の装置のハードウェア構成の変更あるいは改
良を必要とせず、容易かつ低コストで実現できる。
[発明の通用範囲コ なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実施することができる。
例えば、上述の実施例においては、縮小投影露光装置に
本発明を通用した例について説明したが、本発明は縮小
投影方以外のステッパ、例えばX線ステッパ等にも適用
可能である。
また、上述において、感光材は、化学増幅系感光材を用
いたが、感光後の経過時間が感度に影響するものであれ
ば、他の感光材を用いる場合にも本発明は適用可能であ
る。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、化学増幅系感光
材のように感度が感光後の処理までの経過時間に影響さ
れる感光材をレジストとして塗布した被露光体に対して
、ステップアンドリピート式の露光装置により順次行な
われる露光に関して露光してから露光後所定の処理を行
なうまでの経過時間に応じて各ショット(露光位置)ご
との露光エネルギーを制御するようにしたため、感光材
の感度変化によるレジスト像の均一性の低下を防ぐこと
ができ、その結果、製造ラインの効率向上を図ることが
できる。
また、本発明は、従来の装置またはシステムのハードウ
ェア構成の変更あるいは改良を必要とせず、ソフトウェ
アを変更するだけで、容易かつ低コストで実施すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置に
おける露光手順のフローチャート、第2図は、露光エネ
ルギーおよび露光後経過時間に対する現像後パターン寸
法の変化を表わすグラ乙 第3図は、ウェハの露光位置の一例を示す図、第4図は
、本発明を実施する際の製造ラインの構成例を示す図、
そして 第5図は、従来の露光手順のフローチャートである。 43、自!!111iI送手段 44:制御システム 45 通信手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ステップアンドリピート方式の露光装置を用いて
    複数のショットに順次露光を行なう露光方法において、
    第1ショットから最終ショットまでの各ショットの露光
    エネルギーを露光してから所定の露光後処理を行なうま
    での時間に応じて順次変化させることを特徴とする露光
    方法。
  2. (2)被露光体をステップ送りしながら複数のショット
    に順次露光を行なうステップアンドリピート方式の露光
    装置において、第1ショットから最終ショットまでの各
    ショットの露光エネルギーを露光してから所定の露光後
    処理を行なうまでの時間に応じて順次変化させる露光量
    制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
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