JP2011022617A - フォトマスクのパターン描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子線によるフォトマスクのパターン描画において、描画開始からの経過時間にしたがって、電子ビーム描画装置のショットサイズに付加するオフセット値を漸次増加、もしくは減少させるオフセット補正を行い、ショットサイズを変更してパターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法である。
【選択図】なし
Description
る。これらの現象は近接効果と呼ばれ、高精度なパターン形成では阻害要因となっている。
さらにその歪みを補正する計算を行ない、その計算した結果を描画データ中の電子描画露光装置の制御データに加えて、描画データを更新する。その後、更新した描画データを入力した電子ビーム露光装置で露光を行なう。
ト補正を行い、ショットサイズを変更してパターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法としたものである。
図1(a)〜(c)は、1μmのショットサイズに対し1nm、−1nmのオフセット補正した場合のショットサイズの変化を示す。
図1(a)は、オフセット補正なしの1μmのショットサイズを示す。図1(b)は、1μmのショットサイズに対し、−1nmのオフセット補正した場合の0.999μmのショットサイズを示し、ショット間には0.2nmの隙間が空くことになる。図1(c)は、1μmのショットサイズに対し、1nmのオフセット補正した場合の1.001μmのショットサイズを示し、ショット間には0.1nmのオーバーラップができることになる。このように、1μmのショットサイズに対し1nm、−1nmのオフセット補正した場合ショット間に隙間が空いたり、2重露光になったりするが、1〜2nm程度のズレで有れば、パターン形状に影響を及ぼすことはない。
ラツキを模式的に、図2(b)は、フォトマスクの面内を36分割したときのパターン寸法の変動バラツキをデータでそれぞれ示したもので、このフォトマスク面内のパターン寸法の変動バラツキレンジは2nmである。
図5の補正なしのグラフでは、描画開始から20時間後のパターン寸法の変動量が2.0nm発生している。このため、補正ありのグラフでは、1時間ごとにショットサイズを0.1nmづつ小さくするオフセット補正をいれることで、描画終了後のパターン寸法変動量を0.1nm以内に制御することができ、結果として、パターン描画して得られたフォトマスクの面内のパターン寸法の変動バラツキを抑えることができる。
110・・・フォトマスク面内の各位置に応じたオフセット補正の一例
Claims (1)
- 電子線によるフォトマスクのパターン描画において、描画開始からの経過時間にしたがって、電子ビーム描画装置のショットサイズに付加するオフセット値を漸次増加、もしくは減少させるオフセット補正を行い、ショットサイズを変更してパターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008134500A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及びローディング効果に伴う寸法変動量リサイズ方法 |
JP2012134213A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016086042A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP7549540B2 (ja) | 2021-01-26 | 2024-09-11 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0470754A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-05 | Canon Inc | 露光方法および装置 |
JP2000047365A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Nec Corp | 光近接効果補正マスクの製造方法 |
JP2000058417A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | レジストパターン予測方法 |
JP2001338865A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Nec Corp | 半導体露光方法及び半導体製造装置 |
JP2002296754A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | マスクの製造方法 |
JP2004513528A (ja) * | 2000-11-09 | 2004-04-30 | インフィネオン テクノロジース エスシー300 ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 半導体ウェハを露光する方法 |
JP2005322930A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィプロジェクタにおけるダイナミック用量適合を行う方法およびリソグラフィプロジェクタ |
JP2006203067A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置における露光調整方法 |
JP2006339404A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置 |
-
2010
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0470754A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-05 | Canon Inc | 露光方法および装置 |
JP2000047365A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Nec Corp | 光近接効果補正マスクの製造方法 |
JP2000058417A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | レジストパターン予測方法 |
JP2001338865A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Nec Corp | 半導体露光方法及び半導体製造装置 |
JP2004513528A (ja) * | 2000-11-09 | 2004-04-30 | インフィネオン テクノロジース エスシー300 ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 半導体ウェハを露光する方法 |
JP2002296754A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | マスクの製造方法 |
JP2005322930A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィプロジェクタにおけるダイナミック用量適合を行う方法およびリソグラフィプロジェクタ |
JP2006203067A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置における露光調整方法 |
JP2006339404A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008134500A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及びローディング効果に伴う寸法変動量リサイズ方法 |
JP2012134213A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016086042A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP7549540B2 (ja) | 2021-01-26 | 2024-09-11 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
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