JP4682734B2 - フォトマスクのパターン描画方法 - Google Patents
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そのために、フォトマスクの製造工程において、電子線描画装置による描画工程においても、描画後のパターンの微細化、高精度化が要求されている。
その一つは、フォトマスク面内の寸法バラツキである。
1枚のフォトマスクの面内でも、面内の位置により寸法のバラツキが発生することがある。傾向をもって発生する寸法バラツキは、1〜2nm程度であっても、問題となるレベルになっている。
PEDとは、描画してからPEB(Post Exposure Bake)するまでの時間の遅れのことである。
特に、化学増幅型レジストを使用する場合には、真空中において描画してからPEBするまでの間に寸法が変動してしまう。
その原因としては、化学増幅型レジストは描画により発生する酸を触媒として反応を促進し、レジストが不溶化あるいは可溶化するものであるが、発生した酸がレジスト中で露光領域から非露光領域に拡散することや、雰囲気中に塩基性成分が存在する場合に塩基性成分がレジストに吸着することで酸の活性が損なわれることが原因となる。
真空中のPEDによる寸法変動は、従来は無視されてきたが、描画時間に数十時間かかるような場合には、描画の始めと終わりで数nm程度変動する可能性がある。
れる。
このため、その後の現像処理によって形成されるパターンは、電荷が蓄積した量に対応してパターン形成がなされるので、予期しない位置にパターンが形成されることがある。これらの現象は近接効果と呼ばれ、高精度なパターン形成では阻害要因となっている。
さらにその歪みを補正する計算を行ない、その計算した結果を描画データ中の電子描画露光装置の制御データに加えて、描画データを更新する。その後、更新した描画データを入力した電子ビーム露光装置で露光を行なう。
これにより、露光面積密度の大きい領域の方は、露光時間に応じた電子反射による露光量分多く露光されるからである。これはフォギング効果と言われている。
現在、フォギング効果を補正するために、描画密度からフォギング効果の影響を受けるエリア及びフォギング効果の影響を受ける量を、あらかじめ計算により算出し、描画時にフォギング効果の影響を受けるパターンの露光量を下げることにより、フォギング効果による寸法変動を補正する方法が利用されている。
また、描画機によっては、面内の場所によって露光量を変える機能がついていない場合がある。
図1(a)〜(c)は、1μmのショットサイズに対し1nm、−1nmのオフセット補正した場合のショットサイズの変化を示す。
図1(a)は、オフセット補正なしの1μmのショットサイズを示す。
図1(b)は、1μmのショットサイズに対し、−1nmのオフセット補正した場合の0.999μmのショットサイズを示し、ショット間には0.2nmの隙間が空くことになる。
図1(c)は、1μmのショットサイズに対し、1nmのオフセット補正した場合の1.001μmのショットサイズを示し、ショット間には0.1nmのオーバーラップができることになる。
このように、1μmのショットサイズに対し1nm、−1nmのオフセット補正した場合ショット間に隙間が空いたり、2重露光になったりするが、1〜2nm程度のズレで有れば、パターン形状に影響を及ぼすことはない。
このように、フォトマスク面内の各位置に応じたオフセット補正をかけてショットサイズを変更してパターン描画することにより、オフセット補正をかけないときに面内のパターン寸法の変動バラツキが2nm有ったものが、0.8nmに改善される。
オフセット補正エリアを細かく分割すれば、さらなる面内のパターン寸法の変動バラツキの改善を図ることができる。
y軸に各描画時間におけるパターン寸法の変動量を、x軸に描画開始からの経過時間をそれぞれ示す。
図5の補正なしのグラフでは、描画開始から20時間後のパターン寸法の変動量が2.0nm発生している。
このため、補正ありのグラフでは、1時間ごとにショットサイズを0.1nmづつ小さくするオフセット補正をいれることで、描画終了後のパターン寸法変動量を0.1nm以内に制御することができ、結果として、パターン描画して得られたフォトマスクの面内のパターン寸法の変動バラツキを抑えることができる。
110…フォトマスク面内の各位置に応じたオフセット補正の一例
Claims (1)
- 電子線によるフォトマスクのパターン描画において、電子ビーム描画装置のショットサイズに対し、フォトマスク面内の各位置に応じたオフセット補正をかけてショットサイズを変更しながら、パターン描画することを特徴とするフォトマスクのパターン描画方法。
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