JP5008477B2 - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、化学増幅型レジストが塗布された試料を描画する描画装置の描画方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図５は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載されたレジスト材が塗布された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

ここで、近年、電子ビーム描画に多く用いられているレジストの１つとして化学増幅型レジストがある。化学増幅型レジストは、レジストのレジストポリマーに光酸発生剤を配合したもので、露光によりレジストに発生した酸が、触媒となってレジストの可溶化反応若しくは不溶化反応を促進させる。レジストには、荷電粒子照射部分が現像液に可溶化して現像により孔を形成するポジ型と、荷電粒子照射部分が不溶化して非照射部分に孔を形成するネガ型があり、ベース樹脂としては、ポジ型とネガ型のいずれとするかによって、使用できる樹脂材料が異なっている。ポジ型レジストとしては、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）と、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）との混合溶媒によって現像されるＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）がよく知られているが、最近では、アルカリ可溶化樹脂レジストも用いられている。アルカリ可溶化樹脂を含有するレジストとしては、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、置換ポリスチレンなどが挙げられる。一方ネガ型レジストの例としては、酸によって架橋若しくは重合が進行し、アルカリ系現像材に不溶化する化合物を用いることができ、具体的には、アルキルエーテル化メラミン樹脂、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂、アルキルエーテル化ユリア樹脂、及びアルキルエーテル基含有フェノール系化合物などを挙げることができる。 酸発生剤の種類としては、荷電粒子の照射によって酸を分離発生させる荷電粒子線照射酸発生剤（通常光酸発生剤として知られている）、あるいは加熱によって酸を発生させる熱酸発生剤が知られている。荷電粒子線照射酸発生剤の例としては、ビススルホニウジアゾメタン類、ニトロベンジル誘導体、ポリヒドロキシ化合物と脂肪族または芳香族スルホン酸エステル類、オニウム塩、スルホニルカルボニルアルカン類、スルホニルカルボニルジアゾメタン類、ハロゲン含有トリアジン化合物類、オキシムスルホネート系化合物類、フェニルスルホニルオキシフタルイミド類などの化合物を用いることができる。一方、熱酸発生剤としては、スルホンイミドが知られている。このスルホンイミドは、１４０〜１５０℃の温度範囲で酸を生成する。化学増幅型レジストは、露光前後の放置によって最適露光量が変化するという問題を抱えている。言い換えれば、化学増幅型レジストをマスク製造に用いた場合、試料となるマスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動が起こる。上述したマスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動（ＰＥＤ）は、描画により生成した酸の拡散によるものと考えられる。これを解決する手法として、テストモードでパターン幅の状態を描画エンドまで記録し、実際の描画にあたっては、テストモード時における描画スタート時のパターン幅とレジスト感度比と描画予測時間とからショット量補正値を求める。そして、補正がなかった時の描画データに前記ショット量補正値を加えることで、描画精度の補正をおこなうとする技術が文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。

その他、マスク描画ではないが、化学増幅型レジストが塗布されたウェハに電子ビームを用いて露光する際に、放置時間に基づいて露光量を決定する技術が文献に開示されている（例えば、特許文献２参照）。また、描画開始からの経過時間によってビームのショットサイズを補正する技術が文献に開示されている（例えば、特許文献３参照）。
特開２００６−３０３３６１号公報 特開平９−２３７７４５号公報 特開２００７−３４１４３号公報

ここで、描画処理を行なっている際に、描画処理と直接関係がない処理、例えば、次に描画するための試料となるマスク搬送動作に関わるロボット動作やバルブの開閉や真空ポンプの作動動作といった描画装置内の処理が並行して行なわれる場合がある。しかし、これらの動作によるノイズや磁場変動等の影響で描画中の電子ビームの軌道が変化し、照射されるビーム位置が変動する。この誤差が近年のパターンの微細化に伴い許容できなくなってきた。このように、描画精度に影響を与えてしまうといった問題が出てきた。

そのため、上述したような搬送動作中は、描画を一時停止するという手法も考えられる。しかしながら、上述したような化学増幅型レジストが塗布されたマスク基板等の試料を描画する場合には、描画を一時停止してしまうと次のような問題が起こってしまう。化学増幅型レジストが塗布された試料を描画する場合、その試料１枚を描画するためにかかる描画予測時間を予め求める。そして、描画終了時に所望の照射量（ドーズ：Ｄｏｓｅ）になるように、描画の時間経過に応じてドーズを変化させるといった補正が行われる。

しかしながら、描画ジョブの登録内容や描画ジョブの処理状態によって描画を一時停止するタイミングが異なるため、予測した描画時間と大きく異なってしまう場合が発生する。そのため、ドーズ補正機能が有効に働かず、結果として描画精度が劣化してしまう場合があるといった問題があった。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、描画精度の劣化を抑制する描画方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画装置内で、荷電粒子ビームを用いて、第１の試料を描画する描画工程と、
描画装置の搬出口と搬入口を含む搬送経路のいずれかに第２の試料が配置されている場合でも第１の試料を描画している間第２の試料の搬送動作を行なわず、第１の試料の描画終了後に第２の試料の搬送を行なう搬送工程と、
を備えたことを特徴とする。

かかる構成により、描画中にビームが搬送動作による影響を受けずに済ますことができる。特に、化学増幅型レジストが塗布された試料を描画する場合には、描画予測時間のずれも抑制することができるためなお好適である。

そして、搬送動作には、搬送ロボットの動作とゲートバルブの開閉動作と真空ポンプの作動動作との少なくとも１つが含まれる。

本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを用いて、化学増幅型レジストが塗布された第１の試料を描画する描画工程と、
描画動作を停止させる事項の要求有無を判定する第１の判定工程と、
上述した事項を行なうことによる描画動作の停止時間が第１の試料の描画予測時間に含まれているかどうかを判定する第２の判定工程と、
を備えた荷電粒子ビーム描画方法であって、
描画動作の停止時間が描画予測時間に含まれていない場合には、上述した事項の要求に関わらずこの事項を行なわずに描画動作を継続することを特徴とする。

第１の判定工程を設けることで、描画動作を停止させる事項の要求有無を把握することができる。そして、第２の判定工程を設けることで、その事項が描画予測時間に含まれているかどうかを把握することができる。そして、描画動作の停止時間が描画予測時間に含まれていない場合に描画を継続することで描画予測時間のずれも抑制することができる。

なお、描画動作の停止時間が描画予測時間に含まれている場合には、上述した事項が行なわれている間、描画動作を停止すればよい。

或いは、描画予測時間は、所定のマージン幅を有し、
描画動作の停止時間が所定のマージン幅で納まる場合には、上述した事項が行なわれている間、描画動作を停止するようにしても好適である。また、上述した化学増幅型レジストの代わりに、時間的に感度が変化するレジストを用いた場合でも有効である。

本発明によれば、搬送動作の影響を排除することができる。特に、化学増幅型レジストが塗布された試料を描画する場合には、描画予測時間のずれも抑制することができる。よって、描画精度の劣化を抑制することができる。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０、制御部１６０、搬出入口（Ｉ／Ｆ）１２０、ロードロックチャンバ１３０、ロボットチャンバ１４０、プリチャンバ１４６、及び真空ポンプ１７０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリや磁気ディスク装置等の記憶装置１１２、及び駆動回路１１４を備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。搬出入口１２０内には、試料１０１を搬送する搬送ロボット１２２が配置されている。ロボットチャンバ１４０内には、試料１０１を搬送する搬送ロボット１４２が配置されている。真空ポンプ１７０は、バルブ１７２を介してロボットチャンバ１４０内の気体を排気する。これにより、ロボットチャンバ１４０内は真空雰囲気に維持される。また、真空ポンプ１７０は、バルブ１７４を介して電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内の気体を排気する。これにより、電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内は真空雰囲気に維持される。また、搬出入口１２０とロードロックチャンバ１３０とロボットチャンバ１４０と描画室１０３とのそれぞれの境界には、ゲートバルブ１３２，１３４，１３６が配置される。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。また、このマスク基板は、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御計算機１１０内での入出力或いは演算されたデータは都度記憶装置１１２に記憶される。また、駆動回路１１４は、制御計算機１１０によって制御され、その制御内容に従って、描画部１５０、搬出入口１２０、ロードロックチャンバ１３０、プリチャンバ１４６、及びロボットチャンバ１４０内の各機器を駆動させる。ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。また、搬送ロボット１２２，１４２は、エレベータ機構や回転機構など機械的な機構であれば構わない。

照射部の一例となる電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。

図２は、実施の形態１における描画装置内の搬送経路を示す上面概念図である。
搬出入口１２０に配置された試料１０１は、ゲートバルブ１３２を開けた後、搬送ロボット１２２によりロードロックチャンバ１３０内のステージに搬送される。そして、ゲートバルブ１３２を閉めた後、ゲートバルブ１３４を開けて、搬送ロボット１４２によりロボットチャンバ１４０を介してプリチャンバ１４６内のステージに搬送される。そして、プリチャンバ１４６内で試料１０１は待機され、その後、ゲートバルブ１３６を開けて、描画室１０３のＸＹステージ１０５上に搬送される。そして、ゲートバルブ１３６を閉めた後、ＸＹステージ１０５上の試料１０１には所定のパターンが描画される。描画が終了すると、ゲートバルブ１３６を開けて、描画室１０３のＸＹステージ１０５から搬送ロボット１４２により試料１０１をロボットチャンバ１４０内に移動する。そして、ゲートバルブ１３６を閉めた後、ゲートバルブ１３４を開けて、搬送ロボット１４２により試料１０１はロードロックチャンバ１３０内のステージに搬送される。そして、ゲートバルブ１３４を閉めた後、ゲートバルブ１３２を開けて、搬送ロボット１２２により試料１０１は搬出入口１２０に搬出される。これらの動作の際、各チャンバ内の真空度が下がった場合にはその都度真空ポンプ１７０が作動し、真空度を維持する。或いは、バルブ１７２又はバルブ１７４が開閉し、作動中の真空ポンプ１７０によって真空引きされ、所望する真空度を維持する。

試料１０１ａが描画室１０３内で描画している際に、次の試料１０１ｂがプリチャンバ１４６に搬送され、また、搬出入口１２０には、その次の試料１０１ｃが待機している場合がある。ここで、試料１０１ａが描画室１０３内で描画している最中に、次回以降に描画される試料１０１ｂの搬送動作を行なってしまうと上述したように、電子ビーム２００がその影響を受けてしまい描画精度が劣化してしまう。すなわち、搬送ロボット１２２，１４２の動作、ゲートバルブ１３２，１３４，１３６の開閉動作、或いは真空ポンプ１７０の作動動作等によるノイズや磁場変動等の影響で描画中の電子ビーム２００の軌道が変化し、照射されるビーム位置が変動してしまう。そこで、実施の形態１では、次のように対処する。ここでは、効果がより顕著に発揮される化学増幅型レジストが塗布された試料１０１を一例として以下に説明する。但し、化学増幅型レジスト以外のレジストが塗布された試料であっても構わない。

図３は、実施の形態１における描画方法のフローチャート図である。
Ｓ（ステップ）１０２において、描画工程として、描画装置１００の描画室１０３内で、電子ビーム２００を用いて、試料１０１ａ（第１の試料）の描画を開始する。試料１０１ａには、化学増幅型レジストが塗布されているものとする。そして、試料１０１ａの描画動作が終了するまでの描画予測時間を予め見積もっておき、その描画予測時間に基づいて照射量（ドーズ量）が設定される。上述した化学増幅型レジストの代わりに、時間的に感度が変化するレジストを用いた場合でも好適である。

図４は、実施の形態１における照射量の補正方法を説明するための図である。
実際に描画する際に用いるドーズ量Ｄ（ｔ）は、描画開始からの時間ｔ、描画予測時間Ｔｅ、ドーズ補正係数δＤ、及び基準ドーズ量Ｄ_０を用いて次のように定義することができる。その式は、例えば、Ｄ（ｔ）＝Ｄ_０−δＤ（Ｔｅ−ｔ）の一次関数で表わすことができる。また、パターン寸法ｘ（ｔ）は、同様に、描画開始からの時間ｔ、描画予測時間Ｔｅ、パターン寸法補正係数δｘ、及び基準寸法ｘ_０を用いて次のように定義することができる。その式は、例えば、ｘ（ｔ）＝ｘ_０−δｘ（Ｔｅ−ｔ）の一次関数で表わすことができる。

Ｓ１０４において、第１の判定工程として、制御計算機１１０内の第１の判定処理機能は、描画動作を停止させるイベント（事項）の要求有無を判定する。このイベントには、搬送動作が該当する。そして、搬送動作には、搬送ロボット１２２，１４２の動作とゲートバルブ１３２，１３４，１３６の開閉動作と真空ポンプ１７０の作動動作との少なくとも１つが含まれる。判定の結果、要求がある場合は、Ｓ１０６に進み、要求が無い場合にはＳ１１６に進む。第１の判定工程を設けることで、描画動作を停止させるイベントの要求有無を把握することができる。

Ｓ１０６において、第２の判定工程として、制御計算機１１０内の第２の判定処理機能は、上述したイベントを行なうことによる描画動作の停止時間が試料１０１ａの描画予測時間Ｔｅに含まれているかどうかを判定する。判定の結果、含まれる場合は、Ｓ１１０に進み、含まれない場合にはＳ１０８に進む。第２の判定工程を設けることで、そのイベントが描画予測時間Ｔｅに含まれているかどうかを把握することができる。

Ｓ１０８において、制御計算機１１０内の描画処理機能は、描画動作の停止時間が描画予測時間Ｔｅに含まれていない場合には、イベントの要求に関わらずこのイベントを行なわずに描画動作を継続する。すなわち、描画装置１００の搬出入口１２０に次に描画するための試料１０１ｂ（第２の試料）が配置されている場合でも試料１０１ａを描画している間試料１０１ｂの搬送動作を行なわないで待機させる。これにより、描画中に電子ビーム２００が搬送動作による影響を受けずに済ますことができる。特に、化学増幅型レジストが塗布された試料１０１ａを描画する場合には、描画予測時間Ｔｅのずれも抑制することができるためなお好適である。

Ｓ１１０において、制御計算機１１０内の描画処理機能は、描画動作の停止時間が描画予測時間Ｔｅに含まれている場合には、このイベントが行なわれている間、描画動作を一時停止させる。

Ｓ１１２において、制御計算機１１０内のイベント処理機能は、要求のあったイベントを実行させる。例えば、電流密度測定などの定期装置診断が挙げられる。測定の期間は、例えば、１５分に１回のピッチで１分間行なう。このような定期的なイベントについては、予め、描画予測時間Ｔｅに含めておくと好適である。具体的には、描画動作のみでの予測時間に、電流密度測定による時間増加を加算する。当初の描画予測時間（実行時間）が１０時間（６００分）であった場合、電流密度測定による時間増加分を加算すると合計の描画予測時間が６４０分になることが見込まれる。そこで、描画予測時間Ｔｅを６４０分と設定する。このように、経過時間による補正を行なう描画中であっても定期的に行なわれる処理については予め求めておいた実行時間と設定されるイベント期間とを用いて、描画時間の増加分を考慮することでより高精度な補正描画を実現することができる。

或いは、不定期に発生するイベントであってもその所要時間が予めわかっており、かつそれによる描画停止による描画時間の増加が予め設定した許容時間内であれば、描画動作を一時停止してイベントを実行させてもよい。例えば、図４に示すように、許容寸法誤差±Δｘに相当する増減時間が±Δｔであった場合、不定期に発生するイベントであってもその処理がΔｔ以内に終了するようであれば描画動作を一時停止させても構わない。例えば、１０時間の描画に対して±１５分程度許容することができる。このように、描画予測時間Ｔｅは、所定のマージン幅を有している場合、描画動作の停止時間が所定のマージン幅で納まる場合には、上述したイベントが行なわれている間、描画動作を停止するようにしても好適である。

Ｓ１１４において、制御計算機１１０内の描画処理機能は、イベント終了後、描画動作を再開させる。そして、Ｓ１１６に進む。

Ｓ１１６において、第３の判定工程として、制御計算機１１０内の第３の判定処理機能は、描画動作の継続が必要かどうかを判定する。そして、まだ、描画が終了していない場合には、Ｓ１０４に戻る。描画動作の継続が不要であれば、Ｓ１１８に進む。

Ｓ１１８において、制御計算機１１０内の描画処理機能は、試料１０１ａの描画が終了していれば、描画動作を終了する。

Ｓ１２０において、第４の判定工程として、制御計算機１１０内の第３の判定処理機能は、要求されたイベントが実行されたか否かを判定する。既に実行されている場合には終了する。まだ待機中である場合には、Ｓ１２２に進む。

Ｓ１２２において、制御計算機１１０内のイベント処理機能は、要求のあったイベントを実行させる。具体的には、描画装置１００の搬出入口１２０に試料１０１ｂが配置されている場合でも試料１０１ａを描画している間試料１０１ｂの搬送動作を行なわず、試料１０１ａの描画終了後に試料１０１ｂの搬送を行なう。そして、イベントを実行した後、フローを終了する。

以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯ或いはＲＯＭ等の読み取り可能な記録媒体に記録される。例えば、プログラムは、記憶装置１１２に記憶される。或いは、別途、これらの記録媒体の少なくとも１つが制御計算機１１０に接続されればよい。或いは、制御計算機１１０内部に搭載されていればよい。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における描画装置内の搬送経路を示す上面概念図である。 実施の形態１における描画方法のフローチャート図である。 実施の形態１における照射量の補正方法を説明するための図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

符号の説明

１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ 記憶装置
１１４ 駆動回路
１２０ 搬出入口
１２２，１４２ 搬送ロボット
１３０ ロードロックチャンバ
１３２，１３４，１３６ ゲートバルブ
１４０ ロボットチャンバ
１４６ プリチャンバ
１５０ 描画部
１６０ 制御部
１７０ 真空ポンプ
１７２，１７４ バルブ
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (3)

1. 荷電粒子ビームを用いて、化学増幅型レジストが塗布された第１の試料を描画する描画工程と、
   描画動作を停止させる事項の要求有無を判定する第１の判定工程と、
   前記事項を行なうことによる前記描画動作の停止時間が前記第１の試料の描画予測時間に含まれているかどうかを判定する第２の判定工程と、
   を備えた荷電粒子ビーム描画方法であって、
   前記描画動作の停止時間が前記描画予測時間に含まれていない場合には、前記事項の要求に関わらず前記事項を行なわずに前記描画動作を継続することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
2. 前記描画動作の停止時間が前記描画予測時間に含まれている場合には、前記事項が行なわれている間、前記描画動作を停止することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
3. 前記描画予測時間は、所定のマージン幅を有し、
   前記描画動作の停止時間が前記所定のマージン幅で納まる場合には、前記事項が行なわれている間、前記描画動作を停止することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
   

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