KR20080114597A - 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

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Abstract

하전 입자 빔 묘화 방법은 묘화 장치 내에서 하전 입자 빔을 이용하여 제1 시료를 묘화하고, 상기 묘화 장치의 반출구와 반입구를 포함하는 반송 경로 중 어느 한쪽에 제2 시료가 배치되어 있는 경우에도, 상기 제1 시료를 묘화하고 있는 동안 상기 제2 시료의 반송 동작을 행하지 않고, 상기 제1 시료의 묘화 종료 후에 상기 제2 시료의 반송을 행하는 것을 특징으로 한다.
묘화 장치, 제어 계산기, 기억 장치, 반출입구, 로드 로크 챔버, 로봇 챔버

Description

하전 입자 빔 묘화 방법 {CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD}
본 출원은 일본에서 2007년 6월 27에 이미 출원된 일본 특허 출원 제2007-168518호를 기초로 하여 그 우선권을 주장하고, 그 전체 내용이 본 명세서 내에 참조로 포함된다.
반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 최근, LSI의 고집적화에 수반하여 반도체 디바이스에 요구되는 회로선 폭은 해마다 미세화되고 있다. 이들 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 고정밀도의 원화 패턴(原畵 pattern)(레티클 혹은 마스크라고도 함)이 필요해진다. 여기서, 전자선(전자 빔) 묘화 기술은 본질적으로 우수한 해상성(解像性)을 갖고 있어, 고정밀도의 원화 패턴의 생산에 이용된다.
도5는 가변 성형형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
가변 성형형 전자선(EB : Electron beam) 묘화 장치는 이하와 같이 동작한다. 우선, 제1 조리개(410)에는 전자선(330)을 성형하기 위한 직사각형의 개구(411)가 형성되어 있다. 또한, 제2 조리개(420)에는 개구(411)를 통과한 전자 선(330)을 원하는 직사각형 형상으로 성형하기 위한 가변 성형 개구(421)가 형성되어 있다. 하전 입자 소스(430)로부터 조사되어 개구(411)를 통과한 전자선(330)은 편향기에 의해 편향된다. 그리고, 가변 성형 개구(421)의 일부를 통과하여 스테이지 상에 탑재된 레지스트재가 도포된 시료에 조사된다. 스테이지는 묘화 중 소정의 일방향(예를 들어 X 방향이라 함)으로 연속적으로 이동하고 있다. 이와 같이, 개구(411)와 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과할 수 있는 직사각형 형상이 시료(340)의 묘화 영역에 묘화된다. 개구(411)와 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과시켜 임의 형상을 작성하는 방식을 가변 성형 방식이라 한다.
여기서, 최근 전자 빔 묘화에 많이 이용되고 있는 레지스트의 하나로서 화학 증폭형 레지스트가 있다. 화학 증폭형 레지스트는 레지스트의 레지스트 폴리머에 광산 발생제(photo acid generator)를 배합한 것으로, 노광에 의해 레지스트에 발생한 산이 촉매가 되어 레지스트의 가용화 반응 혹은 불용화 반응을 촉진시킨다. 레지스트에는 하전 입자 조사 부분이 현상액에 가용화되어 현상에 의해 구멍을 형성하는 포지티브형과, 하전 입자 조사 부분이 불용화되어 비조사 부분에 구멍을 형성하는 네거티브형이 있고, 베이스 수지로서는 포지티브형과 네거티브형 중 어느 것으로 할지에 따라 사용할 수 있는 수지 재료가 다르다. 포지티브형 레지스트로서는 MIBK(메틸이소부틸케톤)와, 이소프로필알코올(IPA)의 혼합 용매에 의해 현상되는 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)가 잘 알려져 있지만, 최근에는 알칼리 가용화 수지 레지스트도 이용되고 있다. 알칼리 가용화 수지를 함유하는 레지스트로서는, 페놀 수지, 노볼락 수지, 치환 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 한편 네거티브형 레 지스트의 예로서는, 산에 의해 가교 혹은 중합이 진행되고, 알칼리계 현상재에 불용화하는 화합물을 이용할 수 있고, 구체적으로는 알킬에테르화 멜라민 수지, 알킬에테르화 벤조구아나민 수지, 알킬에테르화 유리아 수지 및 알킬에테르기 함유 페놀계 화합물 등을 예로 들 수 있다. 산 발생제의 종류로서는, 하전 입자의 조사에 의해 산을 분리 발생시키는 하전 입자선 조사 산 발생제(통상 광산 발생제로서 알려져 있음), 혹은 가열에 의해 산을 발생시키는 열산 발생제가 알려져 있다. 하전 입자선 조사 산 발생제의 예로서는, 비스술포닐디아조메탄류, 니트로벤질 유도체, 폴리히드록시 화합물과 지방족 또는 방향족 술폰산에스테르류, 오늄염, 술포닐카르보닐알칸류, 술포닐카르보닐디아조메탄류, 할로겐 함유 트리아진 화합물류, 옥심술포네이트계 화합물류, 페닐술포닐옥시프탈이미드류 등의 화합물을 이용할 수 있다. 한편, 열산 발생제로서는 술폰이미드가 알려져 있다. 이 술폰이미드는 140 내지 150 ℃의 온도 범위에서 산을 생성한다. 화학 증폭형 레지스트는 노광 전후의 방치에 의해 최적 노광량이 변화한다는 문제를 안고 있다. 바꿔 말하면, 화학 증폭형 레지스트를 마스크 제조에 이용한 경우, 시료가 되는 마스크의 묘화 후의 선 폭 치수(CD) 변동이 일어난다. 상술한 마스크의 묘화 후의 선 폭 치수(CD) 변동(PED)은 묘화에 의해 생성된 산의 확산에 의한 것이라 생각된다. 이를 해결하는 방법으로서, 테스트 모드로 패턴 폭의 상태를 묘화 종료까지 기록하고, 실제의 묘화에 있어서는 테스트 모드시에 있어서의 묘화 개시시의 패턴 폭과 레지스트 감도비와 묘화 예측 시간으로부터 샷량 보정치(shot amount correction value)를 구한다. 그리고, 보정이 없었을 때의 묘화 데이터에 상기 샷량 보정치를 가함으로써, 묘화 정 밀도의 보정을 행하는 것으로 하는 기술이 문헌에 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2006-303361호 참조).
그 밖에, 마스크 묘화는 아니지만, 화학 증폭형 레지스트가 도포된 웨이퍼에 전자 빔을 이용하여 노광할 때에, 방치 시간을 기초로 하여 노광량을 결정하는 기술이 문헌에 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 평9-237745호 공보 참조). 또한, 묘화 개시로부터의 경과 시간에 의해 빔의 샷 사이즈(shot size)를 보정하는 기술이 문헌에 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2007-34143호 공보 참조).
여기서, 묘화 처리를 행하고 있을 때에, 묘화 처리와 직접 관계가 없는 처리, 예를 들어 다음에 묘화하기 위한 시료가 되는 마스크 반송 동작에 관한 로봇 동작이나 밸브의 개폐나 진공 펌프의 작동 동작 등의 묘화 장치 내의 처리가 병행하여 행해지는 경우가 있다. 그러나, 이들 동작에 의한 노이즈나 자장 변동 등의 영향으로 묘화 중의 전자 빔의 궤도가 변화되어 조사되는 빔 위치가 변동한다. 이 오차가 최근 패턴의 미세화에 수반하여 허용될 수 없게 되었다. 이와 같이, 묘화 정밀도에 영향을 미치게 되는 등의 문제가 발생하였다.
그로 인해, 상술한 바와 같은 반송 동작 중에는 묘화를 일시 정지하는 방법도 생각할 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 화학 증폭형 레지스트가 도포된 마스크 기판 등의 시료를 묘화하는 경우에는, 묘화를 일시 정지해 버리면 다음과 같은 문제가 발생해 버린다. 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료를 묘화하는 경우, 그 시료 1매를 묘화하기 위해 걸리는 묘화 예측 시간을 미리 구한다. 그리고, 묘화 종료시에 원하는 조사량(도즈 : Dose)이 되도록 묘화의 시간 경과에 따라서 도즈를 변화시키는 등의 보정이 행해진다.
그러나, 묘화 작업의 등록 내용이나 묘화 작업의 처리 상태에 따라 묘화를 일시 정지하는 타이밍이 다르기 때문에, 예측한 묘화 시간과 크게 달라지는 경우가 발생한다. 그로 인해, 도즈 보정 기능이 유효하게 작용하지 않고, 결과적으로 묘화 정밀도가 열화되어 버리는 경우가 있는 등의 문제가 있었다.
본 발명은 묘화 정밀도의 열화를 억제하는 묘화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태의 하전 입자 빔 묘화 방법은,
묘화 장치 내에서 하전 입자 빔을 이용하여 제1 시료를 묘화하고,
상기 묘화 장치의 반출구와 반입구를 포함하는 반송 경로 중 어느 한쪽에 제2 시료가 배치되어 있는 경우에도, 상기 제1 시료를 묘화하고 있는 동안 상기 제2 시료의 반송 동작을 행하지 않고, 상기 제1 시료의 묘화 종료 후에 상기 제2 시료의 반송을 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 하전 입자 빔 묘화 방법은,
하전 입자 빔을 이용하여 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료를 묘화하고,
상기 시료의 묘화 동작을 정지시키는 사항의 요구 유무를 판정하고,
상기 사항을 행하는 것에 의한 상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 시료의 묘화 예측 시간에 포함되어 있는지 여부를 판정하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며,
상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 묘화 예측 시간에 포함되어 있지 않은 경우에는 상기 사항의 요구에 상관없이 상기 사항을 행하지 않고 상기 시료의 묘화 동작이 계속되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 묘화 정밀도의 열화를 억제하는 묘화 방법을 제공할 수 있다.
이하, 실시 형태에서는 하전 입자 빔의 일례로서 전자 빔을 이용한 구성에 대해 설명한다. 단, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정되는 것은 아니며, 이온 빔 등의 다른 하전 입자를 이용한 빔이라도 상관없다.
(제1 실시 형태)
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다.
도1에 있어서, 묘화 장치(100)는 묘화부(150), 제어부(160), 반출입구(I/F)(120), 로드 로크 챔버(130), 로봇 챔버(140), 프리 챔버(146) 및 진공 펌프(170)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 하전 입자 빔 묘화 장치의 일례가 된다. 그리고, 묘화 장치(100)는 시료(101)에 원하는 패턴을 묘화한다. 제어부(160)는 제어 계산기(110), 메모리나 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(112) 및 구동 회로(114)를 구비하고 있다. 묘화부(150)는 전자 경통(102), 묘화실(103)을 갖고 있다. 전자 경통(102) 내에는 전자총(201), 조명 렌즈(202), 제1 조리개(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제2 조리개(206), 대물 렌즈(207) 및 편향기(208)가 배치되어 있다. 또한, 묘화실(103) 내에는 이동 가능하게 배치된 XY 스테이지(105)가 배치되어 있다. XY 스테이지(105) 상에는 시료(101)가 배치되어 있다. 반출입구(120) 내부는 시료(101)를 반송하는 반송 로봇(122)이 배치되어 있다. 로봇 챔버(140) 내부는 시료(101)를 반송하는 반송 로봇(142)이 배치되어 있다. 진공 펌프(170)는 밸브(172)를 통해 로봇 챔버(140) 내의 기체를 배기한다. 이에 의해, 로봇 챔버(140) 내에는 진공 분위기로 유지된다. 또한, 진공 펌 프(170)는 밸브(174)를 통해 전자 경통(102) 내 및 묘화실(103) 내의 기체를 배기한다. 이에 의해, 전자 경통(102) 내 및 묘화실(103) 내에는 진공 분위기로 유지된다. 또한, 반출입구(120)와 로드 로크 챔버(130)와 로봇 챔버(140)와 묘화실(103)의 각각의 경계에는 게이트 밸브(132, 134, 136)가 배치된다. 시료(101)로서, 예를 들어 웨이퍼에 패턴을 전사하는 노광용 마스크 기판이 포함된다. 또한, 이 마스크 기판은, 예를 들어 아직 아무런 패턴이 형성되어 있지 않은 마스크 블랭크가 포함된다. 제어 계산기(110) 내에서의 입출력 혹은 연산된 데이터는 그때마다 기억 장치(112)에 기억된다. 또한, 구동 회로(114)는 제어 계산기(110)에 의해 제어되고, 그 제어 내용에 따라서 묘화부(150), 반출입구(120), 로드 로크 챔버(130), 프리 챔버(146) 및 로봇 챔버(140) 내의 각 기기를 구동시킨다. 여기서, 도1에서는 제1 실시 형태를 설명하는 데 있어서 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 있어서, 통상 필요한 그 밖의 구성이 포함되어도 상관없는 것은 물론이다. 또한, 반송 로봇(122, 142)은 엘리베이터 기구나 회전 기구 등 기계적인 기구이면 상관없다.
조사부의 일례가 되는 전자총(201)으로부터 나온 전자 빔(200)은 조명 렌즈(202)에 의해 직사각형의 구멍을 갖는 제1 조리개(203) 전체를 조명한다. 여기서, 전자 빔(200)을 우선 직사각형으로 성형한다. 그리고, 제1 조리개(203)를 통과한 제1 조리개 이미지의 전자 빔(200)은 투영 렌즈(204)에 의해 제2 조리개(206) 상에 투영된다. 이러한 제2 조리개(206) 상에서의 제1 조리개 이미지의 위치는 편향기(205)에 의해 편향 제어되어 빔 형상과 치수를 변화시킬 수 있다. 그 결과, 전자 빔(200)은 성형된다. 그리고, 제2 조리개(206)를 통과한 제2 조리개 이미지의 전자 빔(200)은 대물 렌즈(207)에 의해 초점을 맞추고, 편향기(208)에 의해 편향된다. 그 결과, 연속 이동하는 XY 스테이지(105) 상의 시료(101)의 원하는 위치에 조사된다.
도2는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치 내의 반송 경로를 나타내는 상면 개념도이다.
반출입구(120)에 배치된 시료(101)는 게이트 밸브(132)를 개방한 후, 반송 로봇(122)에 의해 로드 로크 챔버(130) 내의 스테이지에 반송된다. 그리고, 게이트 밸브(132)를 폐쇄한 후, 게이트 밸브(134)를 개방하여 반송 로봇(142)에 의해 로봇 챔버(140)를 거쳐서 프리 챔버(146) 내의 스테이지에 반송된다. 그리고, 프리 챔버(146) 내에서 시료(101)는 대기되고, 그 후, 게이트 밸브(136)를 개방하여 묘화실(103)의 XY 스테이지(105) 상에 반송된다. 그리고, 게이트 밸브(136)를 폐쇄한 후, XY 스테이지(105) 상의 시료(101)에는 소정의 패턴이 묘화된다. 묘화가 종료되면, 게이트 밸브(136)를 개방하여 묘화실(103)의 XY 스테이지(105)로부터 반송 로봇(142)에 의해 시료(101)를 로봇 챔버(140) 내로 이동한다. 그리고, 게이트 밸브(136)를 폐쇄한 후, 게이트 밸브(134)를 개방하여 반송 로봇(142)에 의해 시료(101)는 로드 로크 챔버(130) 내의 스테이지에 반송된다. 그리고, 게이트 밸브(134)를 폐쇄한 후, 게이트 밸브(132)를 개방하여 반송 로봇(122)에 의해 시료(101)는 반출입구(120)에 반출된다. 이들 동작시, 각 챔버 내의 진공도가 내려간 경우에는 그때마다 진공 펌프(170)가 작동하여 진공도를 유지한다. 혹은, 밸 브(172) 또는 밸브(174)가 개폐되어, 작동 중인 진공 펌프(170)에 의해 진공화되어 원하는 진공도를 유지한다.
시료(101a)가 묘화실(103) 내에서 묘화되고 있을 때에 다음 시료(101b)가 프리 챔버(146)에 반송되고, 또한 반출입구(120)에는 그 다음 시료(101c)가 대기하고 있는 경우가 있다. 여기서, 시료(101a)가 묘화실(103) 내에서 한창 묘화되고 있을 때, 다음회 이후에 묘화될 시료(101b)의 반송 동작을 행해 버리면 상술한 바와 같이 전자 빔(200)이 그 영향을 받게 되어 묘화 정밀도가 열화되어 버린다. 즉, 반송 로봇(122, 142)의 동작, 게이트 밸브(132, 134, 136)의 개폐 동작, 혹은 진공 펌프(170)의 작동 동작 등의 반송 동작에 의한 노이즈나 자장 변동 등의 영향으로 묘화 중의 전자 빔(200)의 궤도가 변화되어 조사되는 빔 위치가 변동해 버린다. 그래서, 제1 실시 형태에서는 다음과 같이 대처한다. 여기서는, 효과가 보다 현저하게 발휘되는 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료(101)를 일례로 하여 이하에 설명한다. 단, 화학 증폭형 레지스트 이외의 레지스트가 도포된 시료라도 상관없다.
도3은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 방법의 흐름도이다.
S(스텝)102에 있어서, 묘화 공정으로서 묘화 장치(100)의 묘화실(103) 내에서 전자 빔(200)을 이용하여 시료(101a)(제1 시료)의 묘화를 개시한다. 시료(101a)에는 화학 증폭형 레지스트가 도포되어 있는 것으로 한다. 그리고, 시료(101a)의 묘화 동작이 종료될 때까지의 묘화 예측 시간을 미리 예상해 두고, 그 묘화 예측 시간을 기초로 하여 조사량(도즈량)이 설정된다. 상술한 화학 증폭형 레지스트 대신에 시간적으로 감도가 변화되는 레지스트를 이용한 경우에도 적합하 다.
도4는 제1 실시 형태에 있어서의 조사량의 보정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
실제로 묘화할 때에 이용하는 도즈량 D(t)는, 묘화 개시로부터의 시간 t, 묘화 예측 시간 Te, 도즈 보정 계수 δD 및 기준 도즈량 D0을 이용하여 다음과 같이 정의할 수 있다. 그 식은, 예를 들어 D(t) = D0 - δD(Te - t)의 일차 함수로 나타낼 수 있다. 또한, 패턴 치수 x(t)는, 마찬가지로 묘화 개시로부터의 시간 t, 묘화 예측 시간 Te, 패턴 치수 보정 계수 δx 및 기준 치수 x0을 이용하여 다음과 같이 정의할 수 있다. 그 식은, 예를 들어 x(t) = x0 - δx(Te - t)의 일차 함수로 나타낼 수 있다.
S104에 있어서, 제1 판정 공정으로서, 제어 계산기(110) 내의 제1 판정 처리 기능은 묘화 동작을 정지시키는 이벤트(사항)의 요구 유무를 판정한다. 이 이벤트에는 반송 동작이 해당한다. 그리고, 반송 동작에는 반송 로봇(122, 142)의 동작과 게이트 밸브(132, 134, 136)의 개폐 동작과 진공 펌프(170)의 작동 동작 중 적어도 하나가 포함된다. 판정의 결과, 요구가 있는 경우에는 S106으로 진행하고, 요구가 없는 경우에는 S116으로 진행한다. 제1 판정 공정을 마련함으로써, 묘화 동작을 정지시키는 이벤트의 요구 유무를 파악할 수 있다.
S106에 있어서, 제2 판정 공정으로서, 제어 계산기(110) 내의 제2 판정 처리 기능은 상술한 이벤트를 행하는 것에 의한 묘화 동작의 정지 시간이 시료(101a)의 묘화 예측 시간 Te에 포함되어 있는지 여부를 판정한다. 판정의 결과, 포함되는 경우에는 S110으로 진행하고, 포함되지 않는 경우에는 S108로 진행한다. 제2 판정 공정을 마련함으로써, 그 이벤트가 묘화 예측 시간 Te에 포함되어 있는지 여부를 파악할 수 있다.
S108에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 묘화 처리 기능은 묘화 동작의 정지 시간이 묘화 예측 시간 Te에 포함되어 있지 않은 경우에는 이벤트의 요구에 상관없이 이 이벤트를 행하지 않고 묘화 동작을 계속한다. 즉, 묘화 장치(100)의 반출입구(120)에 다음에 묘화하기 위한 시료(101b)(제2 시료)가 배치되어 있는 경우에도 시료(101a)를 묘화하고 있는 동안 시료(101b)의 반송 동작을 행하지 않고 대기시킨다. 이에 의해, 묘화 중에 전자 빔(200)이 반송 동작에 의한 영향을 받지 않고 마칠 수 있다. 특히, 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료(101a)를 묘화하는 경우에는 묘화 예측 시간 Te의 어긋남도 억제할 수 있기 때문에 더욱 적합하다.
S110에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 묘화 처리 기능은 묘화 동작의 정지 시간이 묘화 예측 시간 Te에 포함되어 있는 경우에는 이 이벤트가 행해지고 있는 동안 묘화 동작을 일시 정지시킨다.
S112에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 이벤트 처리 기능은 요구가 있었던 이벤트를 실행시킨다. 예를 들어, 전류 밀도 측정 등의 정기 장치 진단을 들 수 있다. 측정 기간은 예를 들어 15분에 1회의 피치로 1분간 행한다. 이와 같은 정기적인 이벤트에 대해서는, 미리 묘화 예측 시간 Te에 포함시켜 두면 적합하다. 구체적으로는, 묘화 동작에서만의 예측 시간에 전류 밀도 측정에 의한 시간 증가를 가산한다. 당초의 묘화 예측 시간(실행 시간)이 10시간(600분)이었던 경우, 전류 밀도 측정에 의한 시간 증가분을 가산하면 총 묘화 예측 시간이 640분이 되는 것이 예상된다. 그래서, 묘화 예측 시간 Te를 640분으로 설정한다. 이와 같이, 경과 시간에 따른 보정을 행하는 묘화 중이라도 정기적으로 행해지는 처리에 대해서는 미리 구해 둔 실행 시간과 설정되는 이벤트 기간을 이용하여, 묘화 시간의 증가분을 고려함으로써 보다 고정밀도의 보정 묘화를 실현할 수 있다.
혹은, 부정기적으로 발생하는 이벤트라도 그 소요 시간을 미리 알고 있고, 또한 그에 따른 묘화 정지에 의한 묘화 시간의 증가가 미리 설정한 허용 시간 내이면, 묘화 동작을 일시 정지하여 이벤트를 실행시켜도 좋다. 예를 들어, 도4에 도시한 바와 같이 허용 치수 오차 ±Δx에 상당하는 증감 시간이 ±Δt인 경우, 부정기적으로 발생하는 이벤트라도 그 처리가 Δt 이내에 종료하는 것이면 묘화 동작을 일시 정지시켜도 상관없다. 예를 들어, 10시간의 묘화에 대해 ±15분 정도 허용할 수 있다. 이와 같이, 묘화 예측 시간 Te는 소정의 마진 폭을 갖고 있는 경우, 묘화 동작의 정지 시간이 소정의 마진 폭에 들어가는 경우에는, 상술한 이벤트가 행해지고 있는 동안 묘화 동작을 정지하도록 해도 적합하다.
S114에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 묘화 처리 기능은 이벤트 종료 후, 묘화 동작을 재개시킨다. 그리고, S116으로 진행한다.
S116에 있어서, 제3 판정 공정으로서, 제어 계산기(110) 내의 제3 판정 처리 기능은 묘화 동작의 계속이 필요한지 여부를 판정한다. 그리고, 아직 묘화가 종료되지 않은 경우에는 S104로 복귀된다. 묘화 동작의 계속이 불필요하면, S118로 진 행한다.
S118에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 묘화 처리 기능은 시료(101a)의 묘화가 종료되었으면 묘화 동작을 종료한다.
S120에 있어서, 제4 판정 공정으로서, 제어 계산기(110) 내의 제4 판정 처리 기능은 요구된 이벤트가 실행되었는지 여부를 판정한다. 이미 실행되어 있는 경우에는 종료한다. 아직 대기중인 경우에는 S122로 진행된다.
S122에 있어서, 제어 계산기(110) 내의 이벤트 처리 기능은 요구가 있었던 이벤트를 실행시킨다. 구체적으로는, 묘화 장치(100)의 반출입구(120)에 시료(101b)가 배치되어 있는 경우에도 시료(101a)를 묘화하고 있는 동안 시료(101b)의 반송 동작을 행하지 않고, 시료(101a)의 묘화 종료 후에 시료(101b)의 반송을 행한다. 그리고, 이벤트를 실행한 후 흐름을 종료한다.
이상과 같이 실시 형태에 따르면, 반송 동작의 영향을 배제할 수 있다. 특히, 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료를 묘화하는 경우에는 묘화 예측 시간의 어긋남도 억제할 수 있다. 따라서, 묘화 정밀도의 열화를 억제할 수 있다.
이상의 설명에 있어서,「~부」혹은「~공정」으로 기재된 것은 컴퓨터에서 동작 가능한 프로그램에 의해 구성할 수 있다. 혹은, 소프트웨어가 되는 프로그램뿐만 아니라, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 상관없다. 혹은, 하드웨어와 펌웨어의 조합이라도 상관없다. 또한, 프로그램에 의해 구성되는 경우, 프로그램은 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, CD, DVD, MO 혹은 ROM 등의 판독 가능한 기록 매체에 기록된다. 예를 들어, 프로그램은 기억 장치(112)에 기 억된다. 혹은, 별도로 이들 기록 매체 중 적어도 하나가 제어 계산기(110)에 접속되어 있으면 된다. 혹은, 제어 계산기(110) 내부에 탑재되어 있으면 된다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 장치 구성이나 제어 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요한 장치 구성이나 제어 방법을 적절하게 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요한 제어부 구성을 적절하게 선택하여 이용하는 것은 물론이다.
그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절하게 설계 변경할 수 있는 모든 하전 입자 빔 묘화 방법 및 장치는 본 발명의 범위에 포함된다.
추가적인 이점 및 변경들은 당업계의 숙련자에게 용이하게 생각될 것이다. 그러므로 보다 넓은 관점에서 본 발명은 본 명세서에 도시되고 설명된 특정 설명 및 대표적인 실시예들에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의된 일반적인 본 발명의 개념의 사상 및 범주를 벗어나지 않는 한 다양한 변경들이 이루어질 수 있다.
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도.
도2는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치 내의 반송 경로를 나타내는 상면 개념도.
도3은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 방법의 흐름도.
도4는 제1 실시 형태에 있어서의 조사량의 보정 방법을 설명하기 위한 도면.
도5는 종래의 가변 성형형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 묘화 장치
110 : 제어 계산기
112 : 기억 장치
120 : 반출입구(I/F)
130 : 로드 로크 챔버
140 : 로봇 챔버
146 : 프리 챔버
150 : 묘화부
160 : 제어부
170 : 진공 펌프

Claims (5)

  1. 묘화 장치 내에서 하전 입자 빔을 이용하여 제1 시료를 묘화하고,
    상기 묘화 장치의 반출구와 반입구를 포함하는 반송 경로 중 어느 한쪽에 제2 시료가 배치되어 있는 경우에도, 상기 제1 시료를 묘화하고 있는 동안 상기 제2 시료의 반송 동작을 행하지 않고, 상기 제1 시료의 묘화 종료 후에 상기 제2 시료의 반송을 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송 동작에는 반송 로봇의 동작과 게이트 밸브의 개폐 동작과 진공 펌프의 작동 동작 중 적어도 하나가 포함되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  3. 하전 입자 빔을 이용하여 화학 증폭형 레지스트가 도포된 시료를 묘화하고,
    상기 시료의 묘화 동작을 정지시키는 사항의 요구 유무를 판정하고,
    상기 사항을 행하는 것에 의한 상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 시료의 묘화 예측 시간에 포함되어 있는지 여부를 판정하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며,
    상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 묘화 예측 시간에 포함되어 있지 않은 경우에는 상기 사항의 요구에 상관없이 상기 사항을 행하지 않고 상기 시료의 묘화 동작이 계속되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 묘화 예측 시간에 포함되어 있는 경우에는, 상기 사항이 행해지고 있는 동안 상기 시료의 묘화 동작이 정지되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 묘화 예측 시간은 소정의 마진 폭을 갖고,
    상기 묘화 동작의 정지 시간이 상기 소정의 마진 폭에 들어가는 경우에는 상기 사항이 행해지고 있는 동안 상기 시료의 묘화 동작이 정지되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
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