DE102008030052B4

DE102008030052B4 - Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl

Info

Publication number: DE102008030052B4
Application number: DE102008030052.7A
Authority: DE
Inventors: Hitoshi Sunaoshi
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2007-06-27
Filing date: 2008-06-25
Publication date: 2019-02-21
Anticipated expiration: 2028-06-26
Also published as: US20090001293A1; DE102008030052A1; TW200917309A; US7923704B2; JP5008477B2; KR100952006B1; JP2009010076A; KR20080114597A; TWI373786B

Abstract

Muster-Schreibverfahren, umfassend:Schreiben eines Musters auf ein erstes Zielobjekt (101a) unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen (200) in einer Schreibvorrichtung (100); undBefördern eines zweiten Zielobjekts (101b, 101c), nachdem das Muster auf das erste Zielobjekt (101a) geschrieben wurde, wobei, obwohl das zweite Zielobjekt (101b, 101c) auf einem beliebigen der eine Ausbringöffnung und eine Einbringöffnung (120) der Schreibvorrichtung (100) umfassenden Beförderungspfade angeordnet ist, keine Beförderungsoperation für das zweite Zielobjekt (101b, 101c) durchgeführt wird, falls ein Schreibvorgang des Musters auf das erste Zielobjekt (101a) gestartet wird,Bestimmen des Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung einer Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c), wobei eine Musterschreiboperation für das erste Zielobjekt (101a) durch die Anforderung gestoppt würde; undBestimmen, ob eine durch Durchführen der Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) eintretende Stoppzeit der Musterschreiboperation von dem ersten Zielobjekt (101a) in einer Musterschreibvorhersagezeit (Te) des ersten Zielobjekts (101a) enthalten ist,wobei, wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) nicht durchgeführt wird, und das Muster auf das erste Zielobjekt (101a) geschrieben wird.

Description

QUERVERWEIS ZUR ZUGEHÖRIGEN ANMELDUNG
Diese Anmeldung basiert auf und beansprucht die Priorität der am 27. Juni 2007 in Japan eingereichten JP 2007168 518 A , deren gesamten Inhalte hier durch Bezugnahme einbezogen sind.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Eine Lithographietechnik, die die Miniaturisierung bzw. Mikrogestaltung einer Halbleitervorrichtung verbessert, ist ein sehr wichtiger Prozess, der ein besonderes Muster in Halbleiterherstellungsprozessen erzeugt. In den letzten Jahren wurde mit einer hohen Integrationsdichte eines LSI (hoher Integrationsgrad, englisch: large scale integration) eine für eine Halbleitervorrichtung benötigte Schaltkreisleitungsbreite jedes Jahr verkleinert. Um auf der Halbleitervorrichtung ein gewünschtes Halbleitermuster zu bilden, ist ein sehr genaues Originalmuster (auch als Retikel oder Maske bezeichnet) notwendig. In diesem Fall weist eine Elektronenstrahlschreibtechnik ein unverzichtbar exzellentes Auflösungsvermögen auf und wird bei der Herstellung eines hochgenauen Originalmusters verwendet.
5 ist ein Konzeptdiagramm zum Erklären einer Operation einer Schreibvorrichtung mit einem variabel geformten Elektronenstrahl.
Die Schreibvorrichtung mit variabel geformten Elektronenstrahl (EB) arbeitet wie folgt. In einer ersten Lochblende 410 ist eine längliche (beispielweise rechteckige) Öffnung 411 zum Formen eines Elektronenstrahls 330 gebildet. In einer zweiten Lochblende 420 ist eine Öffnung 421 mit variabler Form zum Formen des Elektronenstrahls 330, der durch die rechteckige Öffnung 411 läuft, in eine gewünschte rechteckige Form gebildet. Der Elektronenstrahl 330, der von einer Ladungsteilchenquelle 430 ausgestrahlt wird und durch die rechteckige Öffnung 411 läuft, wird durch einen Strahlablenker abgelenkt. Der Elektronenstrahl 330 läuft durch ein Teil mit der variabel geformten Öffnung 421 und wird auf ein Zielobjekt gestrahlt, das auf einem Gestell bzw. einem Objekttisch platziert ist, und das mit einem Photolackmaterial beschichtet ist. Der Objekttisch bewegt sich kontinuierlich in eine vorbestimmte Richtung (beispielsweise eine X-Richtung) während des Musterschreibens. Auf diese Art und Weise wird eine rechteckige Form, die sowohl durch die Öffnung 411 als auch durch die Öffnung 421 mit variabler Form laufen kann, in einer Schreibregion eines Zielobjekts 340 geschrieben. Ein Schema, das bewirkt, dass ein Elektronenstrahl durch sowohl die Öffnung 411 als auch die Öffnung 421 mit variabler Form läuft, um eine beliebige Form zu bilden, wird als ein variables Formungsschema bezeichnet.
In den letzten Jahren wurde häufig beim Elektronenstrahlverfahren als Photolack ein Photolack vom chemischen Verstärkungstyp verwendet. Der Photolack vom chemischen Verstärkungstyp wird erhalten durch Mischen eines Photosäurenerzeugers in ein Photolackpolymer eines Photolacks. Eine in dem Photolack durch Belichtung erzeugte Säure dient als ein Katalysator, um eine Solubilisationsreaktion oder eine Insolubilisationsreaktion des Photolacks zu fördern bzw. zu begünstigen. Als Photolacke gibt es einen Photolack vom positiven Typ, bei dem ein mit geladenen Teilchen bestrahlter Bereich löslich gemacht wird durch eine Entwicklungslösung, um ein Loch durch Entwicklung zu bilden, und einen Photolack vom negativen Typ, bei dem ein mit geladenen Teilchen bestrahlter Bereich verfestigt wird, um ein Loch in einem nicht bestrahlen Bereich zu bilden. Als ein Basisharz unterscheiden sich Harzmaterialien voneinander, die in dem Photolack vom positiven Typ und in dem Photolack vom negativen Typ verwendet werden können. Als ein Photolack vom positiven Typ ist ein PMMA (Polymethylmethacrylat) bekannt, das durch ein gemischtes Lösungsmittel von MIBK (Methylisobutylketon) und Isopropylalkohohl (IPA) entwickelt wird. Jedoch wurde in letzter Zeit auch ein alkalischer Solubilisationsharz-Photolack verwendet. Als ein Photolack, der einen alkalischen Solubilisationsharz enthält, ist ein Phenol-Harz, ein Phenoplast-Harz, ein substituierter Polysterol-Harz und dergleichen gegeben. Andererseits kann als ein Beispiel für einen Photolack vom negativen Typ eine Mischung verwendet werden, die durch eine Säure vernetzt oder polymerisiert wird und in einer alkalischen Entwicklungslösung verfestigt wird. Im Genaueren können ein Alkylethermelamin-Harz, ein Alkyletherbenzoguanamin-Harz, ein Alkylether-Harnstoff-Harz, eine Phenol enthaltende Alkylethergruppe-Mischung und dergleichen gegeben sein. Als ein Typ eines Säurenerzeugers ist ein Ladungsteilchenstrahlbestrahlungs-Säureerzeuger (im Allgemeinen als eine Photosäurenerzeuger bekannt), der eine Säure abgibt und erzeugt durch Abstrahlung eines geladenen Teilchens, oder ein Säurenerzeuger, der eine Säure durch Heizen erzeugt, bekannt. Als Beispiele des Ladungsteilchenstrahlbestrahlungs-Säureerzeugers können Mischungen verwendet werden, so wie Bis-Sulfonium-Diazomethan, Nitrobenzilederivate, Polyhydroxy-Mischungen, aliphatische oder aromatische Sulfonester, ein Onium-Salz, Sulfonylcarbonylalkane, Sulfonylcarbonyldiazomethan, Halogen enthaltende Triazin-Mischungen, Oxime-Sulfonat basierte Mischungen und Phenylsulfonyloxyphthal-Imide. Andererseits ist als ein thermaler Säureerzeuger Sulfonimide bekannt. Das Sulfonimide erzeugt eine Säure in einem Temperaturbereich von 140° bis 150°. Der Photolack vom chemischen Verstärkungstyp hat dahingehend ein Problem, dass Nachlässigkeit bzw. Unaufmerksamkeit vor und nach einer Belichtung zu einem Fluktuieren einer optimalen Belichtung führt. Mit anderen Worten, wenn ein chemischer Verstärkungsphotolack bei der Maskenherstellung verwendet wird, fluktuiert eine Leitungsbreite (CD) nach dem Schreiben einer Maske, die als ein Zielobjekt dient. Eine Fluktuation (PED) der Leitungsbreite (CD) nach dem Schreiben der Maske kann verursacht werden durch Diffusion einer Säure, die durch Musterschreiben erzeugt wird. Als ein Verfahren zum Lösen des Problems wird ein Musterbreitenzustand bis zu einem Schreibende in einem Testmodus aufgezeichnet, und bei einem tatsächlichen Musterschreiben wird ein Versuchsbetragkorrekturwert aus der Musterbreite bei einem Start des Musterschreibens in dem Testmodus, einem Photolacksensibilitätsverhältnis und einer Schreibvorhersagezeit berechnet. Eine Technik, die den Versuchsbetragkorrekturwert zu den Schreibdaten hinzugefügt, wenn die Korrektur nicht durchgeführt wird, um die Musterschreibgenauigkeit zu korrigieren, ist beispielsweise in der veröffentlichten und ungeprüften Japanischen Patentanmeldung JP 2006303361 A beschrieben.
Weiterhin ist eine Technik, in der, obwohl nicht beim Maskenschreiben, wenn ein mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichteter Wafer durch Verwenden eines Elektronenstrahls bestrahlt wird, eine Belichtung bestimmt wird auf der Basis einer Vernachlässigungszeit, beispielsweise in der veröffentlichten und nicht geprüften Japanischen Patentanmeldung JP H09 - 237745 A beschrieben. Eine Technik, die eine Versuchsgröße eines Strahls um eine verstrichene Zeit von einem Start des Musterschreibens korrigiert, ist beispielsweise in der veröffentlichten und nicht geprüften Japanischen Patentanmeldung JP 200734143 A beschrieben.
In diesem Fall, wenn ein Musterschreibprozess durchgeführt wird, kann ein Prozess, der nicht direkt zu dem Musterschreibprozess zugehörig ist, wie beispielsweise Operationen in einer Schreibvorrichtung, so wie eine Roboteroperation, die sich auf eine Beförderungsoperation einer Maske bezieht, die als ein Zielobjekt für das Musterschreiben dient, eine Ventil-Öffnungs/Schließ-Operation und eine Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe, zusätzlich durchgeführt werden. Jedoch verändert sich eine Spur eines Elektronenstrahls beim Musterschreiben durch den Einfluss von Rauschen, Magnetfeldfluktuation oder dergleichen, die durch diese Operationen verursacht werden, was dazu führt, dass die Positionen eines auszusendenden Strahls fluktuieren. Dieser Fehler ist mit der Miniaturisierung in den letzten Jahren nicht vereinbar. Daher beeinflusst dieser Fehler die Musterschreibgenauigkeit negativ.
Aus diesem Grund kann während der oben beschriebenen Beförderungsoperation ein Verfahren zum temporären Stoppen des Musterschreibens durchgeführt werden (vgl. z.B. US 4 516 030 A . Wenn jedoch Musterschreiben auf einem Zielobjekt, so wie einem Maskensubstrat, das mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, durchgeführt wird, dann ergibt sich das folgende Problem bei dem temporären Stopp des Musterschreibens. Wenn Musterschreiben auf einem Zielobjekt durchgeführt wird, das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, wird eine Schreibvorhersagezeit, die benötigt wird zum Schreiben eines Musters auf einem Zielobjekt, im voraus berechnet, und es wird eine Korrektur, die eine Belichtungsdosis in Abhängigkeit von der verstrichenen Zeit des Musterschreibens ändert, durchgeführt, so dass eine gewünschte Dosis beim Ende des Musterschreibens erhalten wird.
Da sich jedoch eine Zeitsteuerung, bei der das Musterschreiben temporär gestoppt wird, in Abhängigkeit von Erfassungsinhalten einer Musterschreibaufgabe oder Bearbeitungszuständen der Musterschreibaufgabe ändert, kann sich eine tatsächliche Schreibzeit beträchtlich von einer vorhergesagten Musterschreibzeit unterscheiden. Aus diesem Grund arbeitet eine Dosiskorrekturfunktion nicht effektiv. Als eine Folge kann sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtern.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Schreibverfahren bereitzustellen, das verhindert, dass sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtert.
Eine Schreibvorrichtung mit einem geladenen Teilchenstrahl gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Merkmale des unabhängigen Anspruchs 1, Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den von Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen offenbart.
Ein Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst Schreiben von einem Muster auf einem Zielobjekt, das mit einem chemischen Photolack vom Verstärkungstyp beschichtet ist, unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls; Bestimmen der Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung eines Elements, das eine Musterschreiboperation für das Zielobjekt stoppt; und Bestimmen, ob eine Stoppzeit von der Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Elements aufgetreten ist, in einer Musterschreibvorhersagezeit des Zielobjekts enthalten ist, wobei wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit enthalten ist, die Musterschreiboperation für das Zielobjekt fortgeführt wird, ohne das Element auszuführen ungeachtet der Anforderung des Elements.
Figurenliste

1 ist ein Konzeptdiagramm, das eine Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt.
2 ist eine Draufsicht eines Konzeptdiagramms, das einen Beförderungspfad in der Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt.
3 ist ein Flussdiagramm eines Schreibverfahrens gemäß Ausführungsform 1.
4 ist ein Diagramm zum Erklären eines Verfahrens zum Korrigieren einer Dosis in Ausführungsform 1.
5 ist ein Konzeptdiagramm zum Erklären einer Operation einer konventionellen Schreibvorrichtung mit einem variabel geformten Elektronenstrahl.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
In einer Ausführungsform wird eine Konfiguration beschrieben, die einen Elektronenstrahl als ein Beispiel eines geladenen Teilchenstrahls verwendet. Der geladene Teilchenstrahl ist nicht auf den Elektronenstrahl begrenzt. Es kann auch ein Strahl verwendet werden, der andere geladene Teilchen verwendet, so wie ein Ionenstrahl.
Ausführungsform 1
1 ist ein Konzeptdiagramm, das eine Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. In 1 umfasst eine Schreibvorrichtung 100 eine Musterschreibeinheit 150, eine Steuerungseinheit 160, eine Ausbring-/Einbringöffnung bzw. Ladeluke (I/F) 120, eine Ladungsschleusenkammer 130, eine Roboterkammer 140, eine Vorkammer 14 und eine Vakuumpumpe 170. Die Schreibvorrichtung 100 dient als ein Beispiel einer Schreibvorrichtung mit einem geladenen Teilchenstrahl. Die Schreibvorrichtung 100 schreibt ein gewünschtes Muster auf ein Zielobjekt 101. Die Steuerungseinheit 160 umfasst einen Steuerungscomputer 110, eine Speichervorrichtung 112, so wie einen Speicher oder eine Magnetplattenvorrichtung, und einen Steuerkreis bzw. Antriebsschaltkreis 114. Die Musterschreibeinheit 150 weist eine Elektronenspiegelzylinder 102 und eine Musterschreibkammer 103 auf. In dem Elektronenspiegelzylinder 102 sind ein Elektronenkanonenbauteil 201, eine Beleuchtungslinse 202, eine erste Lochblende 203, eine Projektionslinse 204, ein Strahlablenker bzw. Deflektor 205, eine zweite Lochblende 206, eine Objektivlinse 207 und ein Strahlablenker 208 angeordnet. das Zielobjekt 101 ist auf dem X-Y-Objekttisch angeordnet. In der Ladeluke 120 ist ein Beförderungsroboter 122 angeordnet, der das Zielobjekt 101 befördert. In der Roboterkammer 140 ist ein Beförderungsroboter 142 angeordnet, der das Zielobjekt 101 befördert. Die Vakuumpumpe 170 saugt ein Gas aus der Roboterkammer 140 über ein Ventil 172 ab. Auf diese Art und Weise wird eine Vakuumatmosphäre bzw. ein Vakuum bzw. ein Unterdruck in der Roboterkammer 140 aufrechterhalten. Die Vakuumpumpe 170 evakuiert Gase aus dem Elektronenspiegelzylinder 102 und der Musterschreibkammer 103 über ein Ventil 174. Auf diese Art und Weise wird in dem Elektronenspiegelzylinder 102 und der Musterschreibkammer 103 eine Vakuumatmosphäre aufrechterhalten. An den Grenzen zwischen der Ladeluke 120, der Ladungsschleusenkammer 130, der Roboterkammer 140 und der Musterschreibkammer 103 sind Absperrschieber bzw. Durchgangsventile 132, 134 bzw. 136 entsprechend angeordnet. Als ein Zielobjekt 101 ist beispielsweise ein Belichtungsmaskensubstrat zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer enthalten. Das Maskensubstrat enthält beispielsweise Maskenrohlinge, auf denen ein beliebiges Muster gebildet wird. Daten, die eingegeben/ausgegeben oder in dem Steuerungscomputer 110 gespeichert werden, werden in der Speichervorrichtung 112 in jedem Fall gespeichert. Der Antriebsschaltkreis 114 wird durch den Steuerungscomputer 110 gesteuert. Gemäß den Steuerungsinhalten werden Vorrichtungen in der Musterschreibeinheit 150, der Ladeluke 120, der Ladungsschleusenkammer 130, der Vorkammer 146 und der Roboterkammer 140 angetrieben bzw. gesteuert. In diesem Fall sind in 1 Konfigurationskomponenten beschrieben, die zum Erklären von Ausführungsform 1 benötigt werden. Die Schreibvorrichtung 100 kann selbstverständlich im Allgemeinen eine andere notwendige Konfiguration umfassen. Weiterhin können die Beförderungsroboter 122 und 142 mechanische Einrichtungen bzw. Mechanismen, so wie ein Hebemechanismus oder ein Rollmechanismus, sein.
Der Elektronenstrahl 200, der von dem Elektronenkanonenbauteil 201, das als ein Beispiel einer Beleuchtungseinheit dient, emittiert wird, beleuchtet die erste Lochblende 203 komplett, die ein längliches, beispielsweise rechteckiges Loch aufweist, unter Verwendung der Beleuchtungslinse 202. In diesem Fall ist der Elektronenstrahl 200 in eine längliche, beispielsweise rechteckige Form geformt. Der Elektronenstrahl 200 des ersten Blendenbildes und durch die erste Lochblende 203 laufend wird durch die Projektionslinse 204 auf die zweite Lochblende 206 projiziert. Eine Position des ersten Blendenbildes auf der zweiten Lochblende 206 wird durch den Strahlablenker 205 gesteuert, um es zu ermöglichen, dass eine Strahlform und eine Strahlgröße verändert werden. Als eine Folge wird der Elektronenstrahl 200 geformt. Der Elektronenstrahl 200 des zweiten Blendenbildes, das durch die zweite Lochblende 206 läuft, wird durch die Objektivlinse 207 fokussiert und durch den Strahlablenker 208 abgelenkt. Als eine Folge strahlt der Strahl auf eine gewünschte Position des Zielobjekts 101 auf dem X-Y-Objekttisch 105, der sich kontinuierlich bewegt.
2 ist eine Draufsicht eines Konzeptdiagramms, das einen Beförderungspfad in der Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. Das in der Ladeluke 120 angeordnete Zielobjekt 101 wird auf einen Objekttisch in der Ladungsschleusenkammer 130 durch den Beförderungsroboter 122 befördert, nachdem der Absperrschieber 132 geöffnet ist. Nachdem der Absperrschieber 132 geschlossen ist, wird der Absperrschieber 134 geöffnet, das Zielobjekt 101 wird auf einen Objekttisch in der Vorkammer 146 durch den Beförderungsroboter 142 durch die Roboterkammer 140 befördert. Das Zielobjekt 101 befindet sich in der Vorkammer 146 im Wartezustand bzw. Standby, und danach wird der Absperrschieber 136 geöffnet, um das Zielobjekt 101 auf den X-Y-Objekttisch 105 in der Musterschreibkammer 103 zu befördern. Nachdem der Absperrschieber 136 geschlossen ist, wird ein vorbestimmtes Muster auf das Zielobjekt geschrieben, das sich auf dem X-Y-Objekttisch 105 befindet. Nachdem das Musterschreiben beendet ist, wird der Absperrschieber 136 geöffnet und das Zielobjekt 101 wird von dem X-Y-Objekttisch 105 in der Musterschreibkammer 103 in die Roboterkammer 140 durch den Beförderungsroboter 142 bewegt. Nachdem der Absperrschieber 136 geschlossen ist, wird der Absperrschieber 134 geöffnet und das Zielobjekt 101 wird auf den Objekttisch in der Ladungsschleusenkammer 130 durch den Beförderungsroboter 142 befördert. Nachdem der Absperrschieber 134 geschlossen ist, wird der Absperrschieber 132 geöffnet und das Zielobjekt 101 wird durch den Beförderungsroboter 122 zu der Ladeluke 120 befördert. Jedes mal, wenn sich bei diesen Operationen ein Grad des Vakuums in jeder der Kammern vermindert, arbeitet die Vakuumpumpe 170, um den Vakuumzustand beizubehalten. Alternativ wird das Ventil 172 oder das Ventil 174 geöffnet oder geschlossen und Evakuierung wird durch die sich im Betrieb befindliche Vakuumpumpe 170 durchgeführt, um ein gewünschtes Vakuum zu erhalten.
Wenn ein Muster auf dem Zielobjekt 101a in der Musterschreibvorrichtung 103 beschrieben ist, wird ein nächstes Zielobjekt 101b in die Vorkammer 146 befördert. Ein zweites nächstes Zielobjekt 101c kann sich im Wartezustand in der Ladeluke 120 befinden. In diesem Fall wird, in der Mitte des Musterschreibens auf dem Zielobjekt 101c in der Musterschreibkammer 103, wenn eine Beförderungsoperation des Zielobjekts durchgeführt wird, auf dem als nächstes nachfolgend wie oben beschrieben eine Beschriftung durchgeführt wird, der Elektronenstrahl 200 durch die Beförderungsoperation beeinflusst, und die Musterschreibgenauigkeit wird verschlechtert. Im Genaueren wird eine Spur des Elektronenstrahls 200 beim Musterschreiben durch die Einflüsse von Rauschen, einer Magnetfeldfluktuation und dergleichen verändert, die durch Beförderungsoperationen verursacht werden, so wie die Operationen der Beförderungsroboter 122 und 142, die Öffnungs-/Schließ-Operationen der Absperrschieber 132, 134 und 136, oder die Betätigungsoperation der Vakuumpumpe 170, und die Position eines auszustrahlenden Strahls fluktuiert. Daher wird in Ausführungsform 1 die folgende Gegenmaßnahme durchgeführt. In diesem Fall wird ein Zielobjekt 101, das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, unten als ein Beispiel beschrieben, in dem die Wirkung bzw. der Effekt der vorliegenden Erfindung bedeutender ist. Jedoch kann ein Zielobjekt verwendet werden, das mit einem Photolack beschichtet ist, der sich vom Photolack vom chemischen Verstärkungstyp unterscheidet.
3 ist ein Flussdiagramm eines Schreibverfahrens nach Ausführungsform 1. In Schritt S102 wird als der Musterschreibschritt in der Musterschreibkammer 103 der Schreibvorrichtung 100 unter Verwendung des Elektronenstrahls 200 Musterschreiben auf dem Zielobjekt 101a (erstes Zielobjekt) gestartet. Es wird angenommen, dass das Zielobjekt 101a mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, oder dass dieser auf das Zielobjekt 101a „angewendet“ ist. Eine Musterschreibvorhersagezeit, bis die Musterschreiboperation auf dem Zielobjekt 101a beendet ist, wird im voraus abgeschätzt, und eine Dosis (Belichtungsdosis) wird basierend auf der Musterschreibvorhersagezeit eingestellt. Anstelle eines Photolacks vom chemischen Verstärkungstyp wird vorzugsweise ein Photolack verwendet, dessen Empfindlichkeit bzw. Sensitivität sich mit der Zeit verändert.
4 ist ein Diagramm zum Erklären eines Verfahrens zum Korrigieren einer Belichtungsdosis in Ausführungsform 1. Eine Dosis D(t), die beim tatsächlichen Musterschreiben verwendet wird, kann wie folgt definiert werden durch Verwenden einer Zeit t, die seit dem Start des Musterschreibens verstrichen ist, einer Musterschreibvorhersagezeit Te, eines Dosiskorrekturkoeffizienten δD und einer Referenzdosis D₀. Die Gleichung kann ausgedrückt werden durch eine lineare Funktion, z.B. D(t) = D₀ - δD (Te-t) . Eine Mustergröße x(t) kann in ähnlicher Weise wie folgt definiert werden unter Verwendung der Zeit t, die seit dem Start des Musterschreibens verstrichen ist, der Musterschreibvorhersagezeit Te, eines Mustergrößenkorrekturkoeffizienten δx und einer Referenzgröße x₀. Die Gleichung kann ausgedrückt werden durch eine lineare Funktion, z.B. x(t) = x0 - δx (Te-t).
In S104, als der erste Bestimmungsschritt, bestimmt eine erste Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110 das Vorhandensein/Nichtvorhandensein eines angeforderten Vorgangs (Element), der eine Musterschreiboperation stoppt. Dieser Vorgang entspricht einer Beförderungsoperation. Die Beförderungsoperation umfasst mindestens einer der Operationen der Beförderungsroboter 122 und 142, der Öffnungs-/Schließ-Operationen der Absperrschieber 132, 134 und 136 und einer Betätigungsoperation der Vakuumpumpe 170. Wenn der Vorgang als eine Folge des Bestimmens angefordert wird, verlagert sich die Operation zu S106. Wenn der Vorgang nicht angefordert wird, verlagert sich die Operation zu Schritt S116. Wenn der erste Bestimmungsschritt eingestellt ist, kann das Vorhandensein/Nichtvorhandensein des Vorgangs erfasst werden, der die Schreiboperation stoppt.
In S106, als der zweite Bestimmungsschritt, bestimmt eine zweite Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110, ob eine Zeit (Stoppzeit) zum Stoppen einer Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Vorgangs aufgetreten ist, in der Musterschreibvorhersagezeit Te des Zielobjekts 101a enthalten ist. Wenn die Zeit in der Musterschreibvorhersagezeit Te als eine Folge der Bestimmung enthalten ist, verlagert sich die Operation zu S110. Wenn die Zeit nicht in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, verlagert sich die Operation zu S108. Wenn der zweite Bestimmungsschritt eingestellt ist, kann erfasst werden, ob der Vorgang in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist.
In S108, wenn die Zeit zum Stoppen der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, fährt die Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110 mit der Musterschreiboperation fort, ohne den Vorgang auszuführen und ungeachtet der Anforderung des Vorgangs. Im Genaueren, obwohl das Zielobjekt 101b (zweites Zielobjekt), auf dem ein Muster als nächstes geschrieben wird, in einer Ladeluke 120 des Schreibvorrichtung 100 angeordnet ist, befindet sich das Zielobjekt 101b in einem Wartezustand der Beförderungsoperation des Zielobjekts 101b, die nicht während des Schreibens eines Musters auf dem Zielobjekt 101a durchgeführt wird. Auf diese Art und Weise kann verhindert werden, dass der Elektronenstrahl 200 durch die Beförderungsoperation während des Musterschreibens beeinflusst wird. Im Genaueren, wenn ein Muster auf dem Zielobjekt 101a geschrieben wird, das mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, dann wird vorzugsweise vermieden, dass sich die Musterschreibvorhersagezeit Te verschiebt.
In S110, wenn die Zeit zum Stoppen der Musterschreiboperation in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, stoppt die Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110 temporär die Musterschreiboperation, während der Vorgang durchgeführt wird.
In S112 führt die Vorgangsbearbeitungsfunktion in dem Steuerungscomputer 110 einen angeforderten Vorgang aus. Eine periodische Vorrichtungsdiagnose, so wie eine Stromdichtemessung, wird als ein Beispiel angeführt. Als eine Periode für die Messung wird die Messung beispielsweise für 1 Minute alle 15 Minuten durchgeführt. Die Zeiten für diese periodischen Vorgänge sind vorzugsweise in der Musterschreibvorhersagezeit Te im Voraus enthalten. Im Genaueren wird eine Zeitzunahme durch die Stromdichtemessung zu der Vorhersagezeit hinzugefügt, die lediglich durch die Musterschreiboperation erhalten wird. Wenn die anfängliche Musterschreibvorhersagezeit (Ausführungszeit) 10 Stunden ist (600 Minuten), wird davon ausgegangen, dass die gesamte Musterschreibvorhersagezeit von 640 Minuten erhalten wird durch Hinzufügen der Zeitzunahme durch die Stromdichtemessung. Daher wird die Musterschreibvorhersagezeit Te bei 640 Minuten eingestellt. Auf diese Art und Weise wird selbst beim Musterschreiben, bei dem eine Korrektur bei einer verstrichenen Zeit durchgeführt wird, eine Erhöhung der Musterschreibzeit berücksichtigt durch Verwenden einer Ausführungszeit, die im Voraus berechnet wird, und einer eingestellten Vorgangsperiode, so dass hoch genaues und korrigiertes Musterschreiben realisiert werden kann.
Wenn alternativ eine Zeit im Voraus bekannt ist, die benötigt wird für einen Vorgang, der gelegentlich auftritt, und wenn eine Erhöhung der Musterschreibzeit durch den Stopp des Musterschreibens durch den Vorgang in eine voreingestellte und zugelassene Zeit fällt, kann die Musterschreiboperation temporär gestoppt werden, um den Vorgang auszuführen. Beispielsweise, wie in 4 gezeigt, wenn eine Erhöhung/Verminderung der Zeit hinsichtlich eines zugelassenen Größenfehlers ±Δx ±Δt ist, kann eine Musterschreiboperation selbst für einen nur gelegentlich auftretenden Vorgang temporär gestoppt werden, wenn der Prozess des Vorgangs innerhalb der Periode Δt endet. Beispielsweise können etwa ±15 Minuten für Musterschreiben von 10 Stunden zulässig sein. Auf diese Art und Weise, wenn die Musterschreibvorhersagezeit Te eine vorbestimmte Spanne aufweist, wird die Musterschreiboperation während der Ausführung des Vorgangs vorzugsweise gestoppt, wenn eine Zeit zum Stoppen des Musterschreibens in ein vorbestimmte Spanne fällt.
In S114 startet eine Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110 eine Musterschreiboperation neu, nachdem ein Vorgang beendet ist. Die Operation verlagert sich zu S116.
In S116, als der dritte Bestimmungsschritt, bestimmt eine dritte Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110, ob eine Fortführung der Musterschreiboperation notwendig ist. Wenn das Musterschreiben nicht beendet ist, kehrt die Operation zurück zu S104. Wenn die Fortführung der Musterschreiboperation nicht notwendig ist, verlagert sich die Operation zu Schritt S118.
In S118, wenn die Musterschreibfunktion in dem Steuerungscomputer 110 das Musterschreiben auf dem Zielobjekt 101a beendet, wird die Musterschreiboperation beendet.
In S120, als der vierte Bestimmungsschritt, bestimmt die vierte Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer 110, ob ein angeforderter Vorgang ausgeführt wird. Wenn der Vorgang ausgeführt wird, wird die Operation beendet. Sich immer noch in einem Wartezustand befindend verlagert sich die Operation zu Schritt S122.
In S122 führt eine Vorgangsbearbeitungsfunktion in dem Steuerungscomputer 110 einen angeforderten Vorgang aus. Im Genaueren, obwohl das Zielobjekt 101b an der Ladeluke 120 der Schreibvorrichtung 100 angeordnet ist, wird eine Beförderungsoperation des Zielobjekts 101b nicht durchgeführt, während ein Muster auf das Zielobjekt 101a geschrieben wird, und das Zielobjekt 101b wird befördert, nachdem das Musterschreiben auf dem Zielobjekt 101a beendet ist. Nachdem der Vorgang beendet ist, endet der Verfahrensfluss.
Wie oben beschrieben kann gemäß der Ausführungsform ein Einfluss einer Beförderungsoperation ausgeschlossen werden. Im Genaueren, wenn ein Muster auf ein Zielobjekt geschrieben wird, das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, kann verhindert werden, dass sich eine Musterschreibvorhersagezeit verschiebt. Daher kann verhindert werden, dass sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtert.
In der oberen Ausführung können die oben beschriebenen „Einheiten“ oder „Schritte“ durch einen Computer betriebene Programme sein. Die Einheiten oder die Schritte können nicht lediglich nur durch ein Programm ausgeführt werden, das als Software dient, sondern auch durch eine Kombination von Hardware und Software oder einer Kombination von Hardware und Firmware. Wenn die Einheiten oder die Schritte durch Programme gebildet sind, können die Programme auf einem lesbaren Aufzeichnungsmedium gespeichert werden, so wie einer Magnetplattenvorrichtung, einem Magnetbandvorrichtung, einer FD, einer CD, einer DVD, einer MO oder einem ROM. Zumindest eines dieser Aufzeichnungsmedien kann mit dem Steuerungscomputer 110 verbunden sein. Das Aufzeichnungsmedium kann in dem Steuerungscomputer 110 angeordnet sein.
Die Ausführungsform ist mit Bezug auf konkrete Beispiele beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese konkreten Beispiele beschränkt.
Für die Erklärung der vorliegenden Erfindung nicht direkt notwendige Teile, so wie eine Vorrichtungskonfiguration und eine Steuerungsverfahren, wurden weggelassen. Jedoch können eine notwendige Vorrichtungskonfiguration und ein notwendiges Steuerungsverfahren beliebig ausgewählt und verwendet werden. Beispielweise ist eine Beschreibung einer Konfiguration der Steuerungseinheit zum Steuern der Schreibvorrichtung 100 weggelassen. Jedoch kann selbstverständlich eine notwendige Konfiguration der Steuerungseinheit beliebig ausgewählt und verwendet werden.
Darüber hinaus sind alle Schreibverfahren und Schreibvorrichtungen mit geladenen Teilchenstrahlen, die von einem Fachmann beliebig im Design verändert werden können, in dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten.
Zusätzliche Vorteile und Modifizierungen sind für den Fachmann leicht ersichtlich. Daher ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht durch die spezifischen Details und durch die stellvertretenden Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben sind. Folglich können verschiedene Modifizierungen durchgeführt werden, ohne sich vom Schutzbereich der Ansprüche zu entfernen.

Claims

Muster-Schreibverfahren, umfassend: Schreiben eines Musters auf ein erstes Zielobjekt (101a) unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen (200) in einer Schreibvorrichtung (100); und Befördern eines zweiten Zielobjekts (101b, 101c), nachdem das Muster auf das erste Zielobjekt (101a) geschrieben wurde, wobei, obwohl das zweite Zielobjekt (101b, 101c) auf einem beliebigen der eine Ausbringöffnung und eine Einbringöffnung (120) der Schreibvorrichtung (100) umfassenden Beförderungspfade angeordnet ist, keine Beförderungsoperation für das zweite Zielobjekt (101b, 101c) durchgeführt wird, falls ein Schreibvorgang des Musters auf das erste Zielobjekt (101a) gestartet wird, Bestimmen des Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung einer Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c), wobei eine Musterschreiboperation für das erste Zielobjekt (101a) durch die Anforderung gestoppt würde; und Bestimmen, ob eine durch Durchführen der Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) eintretende Stoppzeit der Musterschreiboperation von dem ersten Zielobjekt (101a) in einer Musterschreibvorhersagezeit (Te) des ersten Zielobjekts (101a) enthalten ist, wobei, wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) nicht durchgeführt wird, und das Muster auf das erste Zielobjekt (101a) geschrieben wird.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Beförderungsoperation eine Operation eines Beförderungsroboters (122,142), Öffnungs-/Schließ-Operationen eines Absperrschiebers (132, 134, 136) und/oder eine Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe (170) umfasst.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei, wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (101a) in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (101a) gestoppt wird, während die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) durchgeführt wird.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Musterschreibvorhersagezeit (Te) eine vorbestimmte Spanne aufweist, und wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (101a) in die vorbestimmte Spanne fällt, die Musterschreiboperation von dem ersten Zielobjekt (101a) gestoppt wird, während die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b, 101c) durchgeführt wird.
Muster-Schreibverfahren, umfassend: Schreiben eines Muster auf ein Zielobjekt (101), das mit einem chemischen Photolack vom Verstärkungstyp beschichtet ist, unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen (200); Bestimmen des Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung eines Vorgangs, der eine Musterschreiboperation für das Zielobjekt (101) stoppt; und Bestimmen, ob eine Stoppzeit von der Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Vorgangs aufgetreten ist, in einer Musterschreibvorhersagezeit (Te) des Zielobjekts enthalten ist, wobei wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation für das Zielobjekt (101) fortgeführt wird, ohne den Vorgang auszuführen ungeachtet der Anforderung des Vorgangs.
Das Verfahren nach Anspruch 5, wobei, wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation des Zielobjekts (101) gestoppt wird, während der Vorgang ausgeführt wird.
Das Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Musterschreibvorhersagezeit (Te) eine vorbestimmte Spanne aufweist, und wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation in die vorbestimmte Spanne fällt, die Musterschreiboperation von dem Zielobjekt (101) gestoppt wird, während der Vorgang ausgeführt wird.
Das Verfahren nach Anspruch 5, wobei, wenn das Zielobjekt (101), auf dem die Musterschreiboperation durchgeführt wird, als ein erstes Zielobjekt (101a) verwendet wird, der Vorgang eine Beförderungsoperation eines zweiten Zielobjekts (101b, 101c) umfasst.
Das Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Beförderungsoperation mindestens eine aus einer Operation eines Beförderungsroboters (122,142), Öffnungs-/Schließ-Operationen eines Absperrschiebers (132, 134, 136) und einer Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe (170) umfasst.