DE102008030052A1 - Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl - Google Patents
Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008030052A1 DE102008030052A1 DE102008030052A DE102008030052A DE102008030052A1 DE 102008030052 A1 DE102008030052 A1 DE 102008030052A1 DE 102008030052 A DE102008030052 A DE 102008030052A DE 102008030052 A DE102008030052 A DE 102008030052A DE 102008030052 A1 DE102008030052 A1 DE 102008030052A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- target object
- pattern
- writing
- pattern write
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
Abstract
Description
- QUERVERWEIS ZUR ZUGEHÖRIGEN ANMELDUNG
- Diese Anmeldung basiert auf und beansprucht die Priorität der am 27. Juni 2007 in Japan eingereichten Japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-168518, deren gesamten Inhalte hier durch Bezugnahme einbezogen sind.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Eine Lithographietechnik, die die Miniaturisierung bzw. Mikrogestaltung einer Halbleitervorrichtung verbessert, ist ein sehr wichtiger Prozess, der ein besonderes Muster in Halbleiterherstellungsprozessen erzeugt. In den letzten Jahren wurde mit einer hohen Integrationsdichte eines LSI (hoher Integrationsgrad, englisch: large scale integration) eine für eine Halbleitervorrichtung benötigte Schaltkreisleitungsbreite jedes Jahr verkleinert. Um auf der Halbleitervorrichtung ein gewünschtes Halbleitermuster zu bilden, ist ein sehr genaues Originalmuster (auch als Retikel oder Maske bezeichnet) notwendig. In diesem Fall weist eine Elektronenstrahlschreibtechnik ein unverzichtbar exzellentes Auflösungsvermögen auf und wird bei der Herstellung eines hochgenauen Originalmusters verwendet.
-
5 ist ein Konzeptdiagramm zum Erklären einer Operation einer Schreibvorrichtung mit einem variabel geformten Elektronenstrahl. - Die Schreibvorrichtung mit variabel geformten Elektronenstrahl (EB) arbeitet wie folgt. In einer ersten Lochblende
410 ist eine längliche (beispielweise rechteckige) Öffnung411 zum Formen eines Elektronenstrahls330 gebildet. In einer zweiten Lochblende420 ist eine Öffnung421 mit variabler Form zum Formen des Elektronenstrahls330 , der durch die rechteckige Öffnung411 läuft, in eine gewünschte rechteckige Form gebildet. Der Elektronenstrahl330 , der von einer Ladungsteilchenquelle430 ausgestrahlt wird und durch die rechteckige Öffnung411 läuft, wird durch einen Strahlablenker abgelenkt. Der Elektronenstrahl330 läuft durch ein Teil mit der variabel geformten Öffnung421 und wird auf ein Zielobjekt gestrahlt, das auf einem Gestell bzw. einem Objekttisch platziert ist, und das mit einem Photolackmaterial beschichtet ist. Der Objekttisch bewegt sich kontinuierlich in eine vorbestimmte Richtung (beispielsweise eine X-Richtung) während des Musterschreibens. Auf diese Art und Weise wird eine rechteckige Form, die sowohl durch die Öffnung411 als auch durch die Öffnung421 mit variabler Form laufen kann, in einer Schreibregion eines Zielobjekts340 geschrieben. Ein Schema, das bewirkt, dass ein Elektronenstrahl durch sowohl die Öffnung411 als auch die Öffnung421 mit variabler Form läuft, um eine beliebige Form zu bilden, wird als ein variables Formungsschema bezeichnet. - In den letzten Jahren wurde häufig beim Elektronenstrahlverfahren als Photolack ein Photolack vom chemischen Verstärkungstyp verwendet. Der Photolack vom chemischen Verstärkungstyp wird erhalten durch Mischen eines Photosäurenerzeugers in ein Photolackpolymer eines Photolacks. Eine in dem Photolack durch Belichtung erzeugte Säure dient als ein Katalysator, um eine Solubilisationsreaktion oder eine Insolubilisationsreaktion des Photolacks zu fördern bzw. zu begünstigen. Als Photolacke gibt es einen Photolack vom positiven Typ, bei dem ein mit geladenen Teilchen bestrahlter Bereich löslich gemacht wird durch eine Entwicklungslösung, um ein Loch durch Entwicklung zu bilden, und einen Photolack vom negativen Typ, bei dem ein mit geladenen Teilchen bestrahlter Bereich verfestigt wird, um ein Loch in einem nicht bestrahlen Bereich zu bilden. Als ein Basisharz unterscheiden sich Harzmaterialien voneinander, die in dem Photolack vom positiven Typ und in dem Photolack vom negativen Typ verwendet werden können. Als ein Photolack vom positiven Typ ist ein PMMA (Polymethylmethacrylat) bekannt, das durch ein gemischtes Lösungsmittel von MIBK (Methylisobutylketon) und Isopropylalkohohl (IPA) entwickelt wird. Jedoch wurde in letzter Zeit auch ein alkalischer Solubilisationsharz-Photolack verwendet. Als ein Photolack, der einen alkalischen Solubilisationsharz enthält, ist ein Phenol-Harz, ein Phenoplast-Harz, ein substituierter Polysterol-Harz und dergleichen gegeben. Andererseits kann als ein Beispiel für einen Photolack vom negativen Typ eine Mischung verwendet werden, die durch eine Säure vernetzt oder polymerisiert wird und in einer alkalischen Entwicklungslösung verfestigt wird. Im Genaueren können ein Alkylethermelamin-Harz, ein Alkyletherbenzoguanamin-Harz, ein Alkylether-Harnstoff-Harz, eine Phenol enthaltende Alkylethergruppe-Mischung und dergleichen gegeben sein. Als ein Typ eines Säurenerzeugers ist ein Ladungsteilchenstrahlbestrahlungs-Säureerzeuger (im Allgemeinen als eine Photosäurenerzeuger bekannt), der eine Säure abgibt und erzeugt durch Abstrahlung eines geladenen Teilchens, oder ein Säurenerzeuger, der eine Säure durch Heizen erzeugt, bekannt. Als Beispiele des Ladungsteilchenstrahlbestrahlungs-Säureerzeugers können Mischungen verwendet werden, so wie Bis-Sulfonium-Diazomethan, Nitrobenzilederivate, Polyhydroxy-Mischungen, aliphatische oder aromatische Sulfonester, ein Onium-Salz, Sulfonylcarbonylalkane, Sulfonylcarbonyldiazomethan, Halogen enthaltende Triazin-Mischungen, Oxime-Sulfonat basierte Mischungen und Phenylsulfonyloxyphthal-Imide. Andererseits ist als ein thermaler Säureerzeuger Sulfonimide bekannt. Das Sulfonimide erzeugt eine Säure in einem Temperaturbereich von 140° bis 150°. Der Photolack vom chemischen Verstärkungstyp hat dahingehend ein Problem, dass Nachlässigkeit bzw. Unaufmerksamkeit vor und nach einer Belichtung zu einem Fluktuieren einer optimalen Belichtung führt. Mit anderen Worten, wenn ein chemischer Verstärkungsphotolack bei der Maskenherstellung verwendet wird, fluktuiert eine Leitungsbreite (CD) nach dem Schreiben einer Maske, die als ein Zielobjekt dient. Eine Fluktuation (PED) der Leitungsbreite (CD) nach dem Schreiben der Maske kann verursacht werden durch Diffusion einer Säure, die durch Musterschreiben erzeugt wird. Als ein Verfahren zum Lösen des Problems wird ein Musterbreitenzustand bis zu einem Schreibende in einem Testmodus aufgezeichnet, und bei einem tatsächlichen Musterschreiben wird ein Versuchsbetragkorrekturwert aus der Musterbreite bei einem Start des Musterschreibens in dem Testmodus, einem Photolacksensibilitätsverhältnis und einer Schreibvorhersagezeit berechnet. Eine Technik, die den Versuchsbetragkorrekturwert zu den Schreibdaten hinzugefügt, wenn die Korrektur nicht durchgeführt wird, um die Musterschreibgenauigkeit zu korrigieren, ist beispielsweise in der veröffentlichten und ungeprüften
Japanischen Patentanmeldung Nr. 2006-303361 - Weiterhin ist eine Technik, in der, obwohl nicht beim Maskenschreiben, wenn ein mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichteter Wafer durch Verwenden eines Elektronenstrahls bestrahlt wird, eine Belichtung bestimmt wird auf der Basis einer Vernachlässigungszeit, beispielsweise in der veröffentlichten und nicht geprüften
Japanischen Patentanmeldung Nr. H9-237745 Japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-34143 - In diesem Fall, wenn ein Musterschreibprozess durchgeführt wird, kann ein Prozess, der nicht direkt zu dem Musterschreibprozess zugehörig ist, wie beispielsweise Operationen in einer Schreibvorrichtung, so wie eine Roboteroperation, die sich auf eine Beförderungsoperation einer Maske bezieht, die als ein Zielobjekt für das Musterschreiben dient, eine Ventil-Öffnungs/Schließ-Operation und eine Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe, zusätzlich durchgeführt werden. Jedoch verändert sich eine Spur eines Elektronenstrahls beim Musterschreiben durch den Einfluss von Rauschen, Magnetfeldfluktuation oder dergleichen, die durch diese Operationen verursacht werden, was dazu führt, dass die Positionen eines auszusendenden Strahls fluktuieren. Dieser Fehler ist mit der Miniaturisierung in den letzten Jahren nicht vereinbar. Daher beeinflusst dieser Fehler die Musterschreibgenauigkeit negativ.
- Aus diesem Grund kann während der oben beschriebenen Beförderungsoperation ein verfahren zum temporären Stoppen des Musterschreibens durchgeführt werden. Wenn jedoch Musterschreiben auf einem Zielobjekt, so wie einem Maskensubstrat, das mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, durchgeführt wird, dann ergibt sich das folgende Problem bei dem temporären Stopp des Musterschreibens. Wenn Musterschreiben auf einem Zielobjekt durchgeführt wird, das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, wird eine Schreibvorhersagezeit, die benötigt wird zum Schreiben eines Musters auf einem Zielobjekt, im voraus berechnet, und es wird eine Korrektur, die eine Belichtungsdosis in Abhängigkeit von der verstrichenen Zeit des Musterschreibens ändert, durchgeführt, so dass eine gewünschte Dosis beim Ende des Musterschreibens erhalten wird.
- Da sich jedoch eine Zeitsteuerung, bei der das Musterschreiben temporär gestoppt wird, in Abhängigkeit von Erfassungsinhalten einer Musterschreibaufgabe oder Bearbeitungszuständen der Musterschreibaufgabe ändert, kann sich eine tatsächliche Schreibzeit beträchtlich von einer vorhergesagten Musterschreibzeit unterscheiden. Aus diesem Grund arbeitet eine Dosiskorrekturfunktion nicht effektiv. Als eine Folge kann sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtern.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Schreibverfahren bereitzustellen, das verhindert, dass sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtert.
- Eine Schreibvorrichtung mit einem geladenen Teilchenstrahl gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Schreiben eines Musters auf ein erstes Zielobjekt unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls in einer Schreibvorrichtung; und das Befördern eines zweiten Zielobjekts, nachdem das Muster auf dem ersten Zielobjekt geschrieben wurde, wobei selbst wenn das zweite Zielobjekt auf einem beliebigen der Beförderungspfade angeordnet ist, eine Ausbringöffnung und eine Einbringöffnung der Schreibvorrichtung umfassend, eine Beförderungsoperation für das zweite Zielobjekt nicht durchgeführt wird während des Schreibens des Musters auf dem ersten Zielobjekt.
- Ein Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst Schreiben von einem Muster auf einem Zielobjekt, das mit einem chemischen Photolack vom Verstärkungstyp beschichtet ist, unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls; Bestimmen der Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung eines Elements, das eine Musterschreiboperation für das Zielobjekt stoppt; und Bestimmen, ob eine Stoppzeit von der Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Elements aufgetreten ist, in einer Musterschreibvorhersagezeit des Zielobjekts enthalten ist, wobei wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit enthalten ist, die Musterschreiboperation für das Zielobjekt fortgeführt wird, ohne das Element auszuführen ungeachtet der Anforderung des Elements.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist ein Konzeptdiagramm, das eine Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. -
2 ist eine Draufsicht eines Konzeptdiagramms, das einen Beförderungspfad in der Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. -
3 ist ein Flussdiagramm eines Schreibverfahrens gemäß Ausführungsform 1. -
4 ist ein Diagramm zum Erklären eines Verfahrens zum Korrigieren einer Dosis in Ausführungsform 1. -
5 ist ein Konzeptdiagramm zum Erklären einer Operation einer konventionellen Schreibvorrichtung mit einem variabel geformten Elektronenstrahl. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- In einer Ausführungsform wird eine Konfiguration beschrieben, die einen Elektronenstrahl als ein Beispiel eines geladenen Teilchenstrahls verwendet. Der geladene Teilchenstrahl ist nicht auf den Elektronenstrahl begrenzt. Es kann auch ein Strahl verwendet werden, der andere geladene Teilchen verwendet, so wie ein Ionenstrahl.
- Ausführungsform 1
-
1 ist ein Konzeptdiagramm, das eine Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. In1 umfasst eine Schreibvorrichtung100 eine Musterschreibeinheit150 , eine Steuerungseinheit160 , eine Ausbring-/Einbringöffnung bzw. Ladeluke (I/F)120 , eine Ladungsschleusenkammer130 , eine Roboterkammer140 , eine Vorkammer14 und eine Vakuumpumpe170 . Die Schreibvorrichtung100 dient als ein Beispiel einer Schreibvorrichtung mit einem geladenen Teilchenstrahl. Die Schreibvorrichtung100 schreibt ein gewünschtes Muster auf ein Zielobjekt101 . Die Steuerungseinheit160 umfasst einen Steuerungscomputer110 , eine Speichervorrichtung112 , so wie einen Speicher oder eine Magnetplattenvorrichtung, und einen Steuerkreis bzw. Antriebsschaltkreis114 . Die Musterschreibeinheit150 weist eine Elektronenspiegelzylinder102 und eine Musterschreibkammer103 auf. In dem Elektronenspiegelzylinder102 sind ein Elektronenkanonenbauteil201 , eine Beleuchtungslinse202 , eine erste Lochblende203 , eine Projektionslinse204 , ein Strahlablenker bzw. Deflektor205 , eine zweite Lochblende206 , eine Objektivlinse207 und ein Strahlablenker208 angeordnet. das Zielobjekt101 ist auf dem X-Y-Objekttisch angeordnet. In der Ladeluke120 ist ein Beförderungsroboter122 angeordnet, der das Zielobjekt101 befördert. In der Roboterkammer140 ist ein Beförderungsroboter142 angeordnet, der das Zielobjekt101 befördert. Die Vakuumpumpe170 saugt ein Gas aus der Roboterkammer140 über ein Ventil172 ab. Auf diese Art und Weise wird eine Vakuumatmosphäre bzw. ein Vakuum bzw. ein Unterdruck in der Roboterkammer140 aufrechterhalten. Die Vakuumpumpe170 evakuiert Gase aus dem Elektronenspiegelzylinder102 und der Musterschreibkammer103 über ein Ventil174 . Auf diese Art und Weise wird in dem Elektronenspiegelzylinder102 und der Musterschreibkammer103 eine Vakuumatmosphäre aufrechterhalten. An den Grenzen zwischen der Ladeluke120 , der Ladungsschleusenkammer130 , der Roboterkammer140 und der Musterschreibkammer103 sind Absperrschieber bzw. Durchgangsventile132 ,134 bzw.136 entsprechend angeordnet. Als ein Zielobjekt101 ist beispielsweise ein Belichtungsmaskensubstrat zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer enthalten. Das Maskensubstrat enthält beispielsweise Maskenrohlinge, auf denen ein beliebiges Muster gebildet wird. Daten, die eingegeben/ausgegeben oder in dem Steuerungscomputer110 gespeichert werden, werden in der Speichervorrichtung112 in jedem Fall gespeichert. Der Antriebsschaltkreis114 wird durch den Steuerungscomputer110 gesteuert. Gemäß den Steuerungsinhalten werden Vorrichtungen in der Musterschreibeinheit150 , der Ladeluke120 , der Ladungsschleusenkammer130 , der Vorkammer146 und der Roboterkammer140 angetrieben bzw. gesteuert. In diesem Fall sind in1 Konfigurationskomponenten beschrieben, die zum Erklären von Ausführungsform 1 benötigt werden. Die Schreibvorrichtung100 kann selbstverständlich im Allgemeinen eine andere notwendige Konfiguration umfassen. Weiterhin können die Beförderungsroboter122 und142 mechanische Einrichtungen bzw. Mechanismen, so wie ein Hebemechanismus oder ein Rollmechanismus, sein. - Der Elektronenstrahl
200 , der von dem Elektronenkanonenbauteil201 , das als ein Beispiel einer Beleuchtungseinheit dient, emittiert wird, beleuchtet die erste Lochblende203 komplett, die ein längliches, beispielsweise rechteckiges Loch aufweist, unter Verwendung der Beleuchtungslinse202 . In diesem Fall ist der Elektronenstrahl200 in eine längliche, beispielsweise rechteckige Form geformt. Der Elektronenstrahl200 des ersten Blendenbildes und durch die erste Lochblende203 laufend wird durch die Projektionslinse204 auf die zweite Lochblende206 projiziert. Eine Position des ersten Blendenbildes auf der zweiten Lochblende206 wird durch den Strahlablenker205 gesteuert, um es zu ermöglichen, dass eine Strahlform und eine Strahlgröße verändert werden. Als eine Folge wird der Elektronenstrahl200 geformt. Der Elektronenstrahl200 des zweiten Blendenbildes, das durch die zweite Lochblende206 läuft, wird durch die Objektivlinse207 fokussiert und durch den Strahlablenker208 abgelenkt. Als eine Folge strahlt der Strahl auf eine gewünschte Position des Zielobjekts101 auf dem X-Y-Objekttisch105 , der sich kontinuierlich bewegt. -
2 ist eine Draufsicht eines Konzeptdiagramms, das einen Beförderungspfad in der Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. Das in der Ladeluke120 angeordnete Zielobjekt101 wird auf einen Objekttisch in der Ladungsschleusenkammer130 durch den Beförderungsroboter122 befördert, nachdem der Absperrschieber132 geöffnet ist. Nachdem der Absperrschieber132 geschlossen ist, wird der Absperrschieber134 geöffnet, das Zielobjekt101 wird auf einen Objekttisch in der Vorkammer146 durch den Beförderungsroboter142 durch die Roboterkammer140 befördert. Das Zielobjekt101 befindet sich in der Vorkammer146 im Wartezustand bzw. Standby, und danach wird der Absperrschieber136 geöffnet, um das Zielobjekt101 auf den X-Y-Objekttisch105 in der Musterschreibkammer103 zu befördern. Nachdem der Absperrschieber136 geschlossen ist, wird ein vorbestimmtes Muster auf das Zielobjekt geschrieben, das sich auf dem X-Y-Objekttisch105 befindet. Nachdem das Musterschreiben beendet ist, wird der Absperrschieber136 geöffnet und das Zielobjekt101 wird von dem X-Y-Objekttisch105 in der Musterschreibkammer103 in die Roboterkammer140 durch den Beförderungsroboter142 bewegt. Nachdem der Absperrschieber136 geschlossen ist, wird der Absperrschieber134 geöffnet und das Zielobjekt101 wird auf den Objekttisch in der Ladungsschleusenkammer130 durch den Beförderungsroboter142 befördert. Nachdem der Absperrschieber134 geschlossen ist, wird der Absperrschieber132 geöffnet und das Zielobjekt101 wird durch den Beförderungsroboter122 zu der Ladeluke120 befördert. Jedes mal, wenn sich bei diesen Operationen ein Grad des Vakuums in jeder der Kammern vermindert, arbeitet die Vakuumpumpe170 , um den Vakuumzustand beizubehalten. Alternativ wird das Ventil172 oder das Ventil174 geöffnet oder geschlossen und Evakuierung wird durch die sich im Betrieb befindliche Vakuumpumpe170 durchgeführt, um ein gewünschtes Vakuum zu erhalten. - Wenn ein Muster auf dem Zielobjekt
101a in der Musterschreibvorrichtung103 beschrieben ist, wird ein nächstes Zielobjekt101b in die Vorkammer146 befördert. Ein zweites nächstes Zielobjekt101c kann sich im Wartezustand in der Ladeluke120 befinden. In diesem Fall wird, in der Mitte des Musterschreibens auf dem Zielobjekt101c in der Musterschreibkammer103 , wenn eine Beförderungsoperation des Zielobjekts durchgeführt wird, auf dem als nächstes nachfolgend wie oben beschrieben eine Beschriftung durchgeführt wird, der Elektronenstrahl200 durch die Beförderungsoperation beeinflusst, und die Musterschreibgenauigkeit wird verschlechtert. Im Genaueren wird eine Spur des Elektronenstrahls200 beim Musterschreiben durch die Einflüsse von Rauschen, einer Magnetfeldfluktuation und dergleichen verändert, die durch Beförderungsoperationen verursacht werden, so wie die Operationen der Beförderungsroboter122 und142 , die Öffnungs-/Schließ-Operationen der Absperrschieber132 ,134 und136 , oder die Betätigungsoperation der Vakuumpumpe170 , und die Position eines auszustrahlenden Strahls fluktuiert. Daher wird in Ausführungsform 1 die folgende Gegenmaßnahme durchgeführt. In diesem Fall wird ein Zielobjekt101 , das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, unten als ein Beispiel beschrieben, in dem die Wirkung bzw. der Effekt der vorliegenden Erfindung bedeutender ist. Jedoch kann ein Zielobjekt verwendet werden, das mit einem Photolack beschichtet ist, der sich vom Photolack vom chemischen Verstärkungstyp unterscheidet. -
3 ist ein Flussdiagramm eines Schreibverfahrens nach Ausführungsform 1. In Schritt S102 wird als der Musterschreibschritt in der Musterschreibkammer103 der Schreibvorrichtung100 unter Verwendung des Elektronenstrahls200 Musterschreiben auf dem Zielobjekt101a (erstes Zielobjekt) gestartet. Es wird angenommen, dass das Zielobjekt101a mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, oder dass dieser auf das Zielobjekt101a „angewendet" ist. Eine Musterschreibvorhersagezeit, bis die Musterschreiboperation auf dem Zielobjekt101a beendet ist, wird im voraus abgeschätzt, und eine Dosis (Belichtungsdosis) wird basierend auf der Musterschreibvorhersagezeit eingestellt. Anstelle eines Photolacks vom chemischen Verstärkungstyp wird vorzugsweise ein Photolack verwendet, dessen Empfindlichkeit bzw. Sensitivität sich mit der Zeit verändert. -
4 ist ein Diagramm zum Erklären eines Verfahrens zum Korrigieren einer Belichtungsdosis in Ausführungsform 1. Eine Dosis D(t), die beim tatsächlichen Musterschreiben verwendet wird, kann wie folgt definiert werden durch Verwenden einer Zeit t, die seit dem Start des Musterschreibens verstrichen ist, einer Musterschreibvorhersagezeit Te, eines Dosiskorrekturkoeffizienten δD und einer Referenzdosis D0. Die Gleichung kann ausgedrückt werden durch eine lineare Funktion, z. B. D(t) = D0 – δD (Te – t). Eine Mustergröße x(t) kann in ähnlicher Weise wie folgt definiert werden unter Verwendung der Zeit t, die seit dem Start des Musterschreibens verstrichen ist, der Musterschreibvorhersagezeit Te, eines Mustergrößenkorrekturkoeffizienten δx und einer Referenzgröße x0. Die Gleichung kann ausgedrückt werden durch eine lineare Funktion, z. B. x(t) = x0 – δx (Te – t). - In S104, als der erste Bestimmungsschritt, bestimmt eine erste Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 das Vorhandensein/Nichtvorhandensein eines angeforderten Vorgangs (Element), der eine Musterschreiboperation stoppt. Dieser Vorgang entspricht einer Beförderungsoperation. Die Beförderungsoperation umfasst mindestens einer der Operationen der Beförderungsroboter122 und142 , der Öffnungs-/Schließ-Operationen der Absperrschieber132 ,134 und136 und einer Betätigungsoperation der Vakuumpumpe170 . Wenn der Vorgang als eine Folge des Bestimmens angefordert wird, verlagert sich die Operation zu S106. Wenn der Vorgang nicht angefordert wird, verlagert sich die Operation zu Schritt S116. Wenn der erste Bestimmungsschritt eingestellt ist, kann das Vorhandensein/Nichtvorhandensein des Vorgangs erfasst werden, der die Schreiboperation stoppt. - In S106, als der zweite Bestimmungsschritt, bestimmt eine zweite Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 , ob eine Zeit (Stoppzeit) zum Stoppen einer Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Vorgangs aufgetreten ist, in der Musterschreibvorhersagezeit Te des Zielobjekts101a enthalten ist. Wenn die Zeit in der Musterschreibvorhersagezeit Te als eine Folge der Bestimmung enthalten ist, verlagert sich die Operation zu S110. Wenn die Zeit nicht in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, verlagert sich die Operation zu S108. Wenn der zweite Bestimmungsschritt eingestellt ist, kann erfasst werden, ob der Vorgang in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist. - In S108, wenn die Zeit zum Stoppen der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, fährt die Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 mit der Musterschreiboperation fort, ohne den Vorgang auszuführen und ungeachtet der Anforderung des Vorgangs. Im Genaueren, obwohl das Zielobjekt101b (zweites Zielobjekt), auf dem ein Muster als nächstes geschrieben wird, in einer Ladeluke120 des Schreibvorrichtung100 angeordnet ist, befindet sich das Zielobjekt101b in einem Wartezustand der Beförderungsoperation des Zielobjekts101b , die nicht während des Schreibens eines Musters auf dem Zielobjekt101a durchgeführt wird. Auf diese Art und Weise kann verhindert werden, dass der Elektronenstrahl200 durch die Beförderungsoperation während des Musterschreibens beeinflusst wird. Im Genaueren, wenn ein Muster auf dem Zielobjekt101a geschrieben wird, das mit dem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, dann wird vorzugsweise vermieden, dass sich die Musterschreibvorhersagezeit Te verschiebt. - In S110, wenn die Zeit zum Stoppen der Musterschreiboperation in der Musterschreibvorhersagezeit Te enthalten ist, stoppt die Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 temporär die Musterschreiboperation, während der Vorgang durchgeführt wird. - In S112 führt die Vorgangsbearbeitungsfunktion in dem Steuerungscomputer
110 einen angeforderten Vorgang aus. Eine periodische Vorrichtungsdiagnose, so wie eine Stromdichtemessung, wird als ein Beispiel angeführt. Als eine Periode für die Messung wird die Messung beispielsweise für 1 Minute alle 15 Minuten durchgeführt. Die Zeiten für diese periodischen Vorgänge sind vorzugsweise in der Musterschreibvorhersagezeit Te im Voraus enthalten. Im Genaueren wird eine Zeitzunahme durch die Stromdichtemessung zu der Vorhersagezeit hinzugefügt, die lediglich durch die Musterschreiboperation erhalten wird. Wenn die anfängliche Musterschreibvorhersagezeit (Ausführungszeit)10 Stunden ist (600 Minuten), wird davon ausgegangen, dass die gesamte Musterschreibvorhersagezeit von 640 Minuten erhalten wird durch Hinzufügen der Zeitzunahme durch die Stromdichtemessung. Daher wird die Musterschreibvorhersagezeit Te bei 640 Minuten eingestellt. Auf diese Art und Weise wird selbst beim Musterschreiben, bei dem eine Korrektur bei einer verstrichenen Zeit durchgeführt wird, eine Erhöhung der Musterschreibzeit berücksichtigt durch Verwenden einer Ausführungszeit, die im Voraus berechnet wird, und einer eingestellten Vorgangsperiode, so dass hoch genaues und korrigiertes Musterschreiben realisiert werden kann. - Wenn alternativ eine Zeit im Voraus bekannt ist, die benötigt wird für einen Vorgang, der gelegentlich auftritt, und wenn eine Erhöhung der Musterschreibzeit durch den Stopp des Musterschreibens durch den Vorgang in eine voreingestellte und zugelassene Zeit fällt, kann die Musterschreiboperation temporär gestoppt werden, um den Vorgang auszuführen. Beispielsweise, wie in
4 gezeigt, wenn eine Erhöhung/Verminderung der Zeit hinsichtlich eines zugelassenen Größenfehlers ±Δx ±Δt ist, kann eine Musterschreiboperation selbst für einen nur gelegentlich auftretenden Vorgang temporär gestoppt werden, wenn der Prozess des Vorgangs innerhalb der Periode Δt endet. Beispielsweise können etwa ±15 Minuten für Musterschreiben von 10 Stunden zulässig sein. Auf diese Art und Weise, wenn die Musterschreibvorhersagezeit Te eine vorbestimmte Spanne aufweist, wird die Musterschreiboperation während der Ausführung des Vorgangs vorzugsweise gestoppt, wenn eine Zeit zum Stoppen des Musterschreibens in ein vorbestimmte Spanne fällt. - In S114 startet eine Musterschreibprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 eine Musterschreiboperation neu, nachdem ein Vorgang beendet ist. Die Operation verlagert sich zu S116. - In S116, als der dritte Bestimmungsschritt, bestimmt eine dritte Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 , ob eine Fortführung der Musterschreiboperation notwendig ist. Wenn das Musterschreiben nicht beendet ist, kehrt die Operation zurück zu S104. Wenn die Fortführung der Musterschreiboperation nicht notwendig ist, verlagert sich die Operation zu Schritt S118. - In S118, wenn die Musterschreibfunktion in dem Steuerungscomputer
110 das Musterschreiben auf dem Zielobjekt101a beendet, wird die Musterschreiboperation beendet. - In S120, als der vierte Bestimmungsschritt, bestimmt die vierte Bestimmungsprozessfunktion in dem Steuerungscomputer
110 , ob ein angeforderter Vorgang ausgeführt wird. Wenn der Vorgang ausgeführt wird, wird die Operation beendet. Sich immer noch in einem Wartezustand befindend verlagert sich die Operation zu Schritt S122. - In S122 führt eine Vorgangsbearbeitungsfunktion in dem Steuerungscomputer
110 einen angeforderten Vorgang aus. Im Genaueren, obwohl das Zielobjekt101b an der Ladeluke120 der Schreibvorrichtung100 angeordnet ist, wird eine Beförderungsoperation des Zielobjekts101b nicht durchgeführt, während ein Muster auf das Zielobjekt101a geschrieben wird, und das Zielobjekt101b wird befördert, nachdem das Musterschreiben auf dem Zielobjekt101a beendet ist. Nachdem der Vorgang beendet ist, endet der Verfahrensfluss. - Wie oben beschrieben kann gemäß der Ausführungsform ein Einfluss einer Beförderungsoperation ausgeschlossen werden. Im Genaueren, wenn ein Muster auf ein Zielobjekt geschrieben wird, das mit einem Photolack vom chemischen Verstärkungstyp beschichtet ist, kann verhindert werden, dass sich eine Musterschreibvorhersagezeit verschiebt. Daher kann verhindert werden, dass sich die Musterschreibgenauigkeit verschlechtert.
- In der oberen Ausführung können die oben beschriebenen „Einheiten" oder „Schritte" durch einen Computer betriebene Programme sein. Die Einheiten oder die Schritte können nicht lediglich nur durch ein Programm ausgeführt werden, das als Software dient, sondern auch durch eine Kombination von Hardware und Software oder einer Kombination von Hardware und Firmware. Wenn die Einheiten oder die Schritte durch Programme gebildet sind, können die Programme auf einem lesbaren Aufzeichnungsmedium gespeichert werden, so wie einer Magnetplattenvorrichtung, einem Magnetbandvorrichtung, einer FD, einer CD, einer DVD, einer MO oder einem ROM. Zumindest eines dieser Aufzeichnungsmedien kann mit dem Steuerungscomputer
110 verbunden sein. Das Aufzeichnungsmedium kann in dem Steuerungscomputer110 angeordnet sein. - Die Ausführungsform ist mit Bezug auf konkrete Beispiele beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese konkreten Beispiele beschränkt.
- Für die Erklärung der vorliegenden Erfindung nicht direkt notwendige Teile, so wie eine Vorrichtungskonfiguration und eine Steuerungsverfahren, wurden weggelassen. Jedoch können eine notwendige Vorrichtungskonfiguration und ein notwendiges Steuerungsverfahren beliebig ausgewählt und verwendet werden. Beispielweise ist eine Beschreibung einer Konfiguration der Steuerungseinheit zum Steuern der Schreibvorrichtung
100 weggelassen. Jedoch kann selbstverständlich eine notwendige Konfiguration der Steuerungseinheit beliebig ausgewählt und verwendet werden. - Darüber hinaus sind alle Schreibverfahren und Schreibvorrichtungen mit geladenen Teilchenstrahlen, die von einem Fachmann beliebig im Design verändert werden können, in dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten.
- Zusätzliche Vorteile und Modifizierungen sind für den Fachmann leicht ersichtlich. Daher ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht durch die spezifischen Details und durch die stellvertretenden Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben sind. Folglich können verschiedene Modifizierungen durchgeführt werden, ohne sich vom Geist bzw. der Grundidee oder dem Schutzbereich des allgemein erfinderischen Konzepts zu entfernen, die durch die beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente definiert sind.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - JP 2006-303361 [0005]
- - JP 9-237745 [0006]
- - JP 2007-34143 [0006]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - Japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-168518 [0001]
Claims (10)
- Ein Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl zum Schreiben eines Musters auf einem Zielobjekt (
101 ) unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls (200 ), umfassend: Schreiben eines Musters auf ein erstes Zielobjekt (101a ) unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls (200 ) in einer Schreibvorrichtung (100 ); und Befördern eines zweiten Zielobjekts (101b ,101c ), nachdem das Muster auf dem ersten Zielobjekt (101a ) geschrieben wurde, wobei selbst wenn das zweite Zielobjekt (101b ,101c ) auf einem beliebigen der Beförderungspfade angeordnet ist, eine Ausbringöffnung und eine Einbringöffnung (120 ) der Schreibvorrichtung (100 ) umfassend, eine Beförderungsoperation für das zweite Zielobjekt (101b ,101c ) nicht durchgeführt wird während des Schreibens des Musters auf dem ersten Zielobjekt (101a ). - Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Beförderungsoperation mindestens eine aus einer Operation eines Beförderungsroboters (
122 ,142 ), Öffnungs-/Schließ-Operationen eines Absperrschiebers (132 ,134 ,136 ) und einer Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe (170 ) umfasst. - Das Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Bestimmen des Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung einer Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (
101b ,101c ), wobei eine Musterschreiboperation für das erste Zielobjekt (101a ) durch die Anforderung gestoppt wird; und Bestimmen, ob eine Stoppzeit der Musterschreiboperation von dem ersten Zielobjekt (101a ), die aufgetreten ist durch Durchführen der Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b ,101c ), in einer Musterschreibvorhersagezeit (Te) des ersten Zielobjekts (101a ) enthalten ist, wobei, wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b ,101c ) nicht durchgeführt wird, und das Muster wird auf dem ersten Zielobjekt (101a ) geschrieben. - Das Verfahren nach Anspruch 3, wobei, wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (
101a ) in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (101a ) gestoppt wird, während die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b ,101c ) durchgeführt wird. - Das Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Musterschreibvorhersagezeit (Te) eine vorbestimmte Spanne aufweist, und wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation des ersten Zielobjekts (
101a ) in die vorbestimmte Spanne fällt, die Musterschreiboperation von dem ersten Zielobjekt (101a ) gestoppt wird, während die Beförderungsoperation des zweiten Zielobjekts (101b ,101c ) durchgeführt wird. - Ein Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl zum Schreiben eines Musters auf einem Zielobjekt unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls (
200 ), umfassend: Schreiben von einem Muster auf einem Zielobjekt (101 ), das mit einem chemischen Photolack vom Verstärkungstyp beschichtet ist, unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls (200 ); Bestimmen der Vorhandenseins/Nichtvorhandenseins einer Anforderung eines Elements, das eine Musterschreiboperation für das Zielobjekt (101 ) stoppt; und Bestimmen, ob eine Stoppzeit von der Musterschreiboperation, die beim Durchführen des Elements aufgetreten ist, in einer Musterschreibvorhersagezeit (Te) des Zielobjekts enthalten ist, wobei wenn die Stoppzeit von der Musterschreiboperation nicht in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation für das Zielobjekt (101 ) fortgeführt wird, ohne das Element auszuführen ungeachtet der Anforderung des Elements. - Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei, wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation in der Musterschreibvorhersagezeit (Te) enthalten ist, die Musterschreiboperation des Zielobjekts (
101 ) gestoppt wird, während das Element ausgeführt wird. - Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Musterschreibvorhersagezeit (Te) eine vorbestimmte Spanne aufweist, und wenn die Stoppzeit der Musterschreiboperation in die vorbestimmte Spanne fällt, die Musterschreiboperation von dem Zielobjekt (
101 ) gestoppt wird, während das Element ausgeführt wird. - Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei, wenn das Zielobjekt (
101 ), auf dem die Musterschreiboperation durchgeführt wird, als ein erstes Zielobjekt (101a ) verwendet wird, das Element eine Beförderungsoperation eines zweiten Zielobjekts (101b ,101c ) umfasst. - Das Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Beförderungsoperation mindestens eine aus einer Operation eines Beförderungsroboters (
122 ,142 ), Öffnungs-/Schließ-Operationen eines Absperrschiebers (132 ,134 ,136 ) und einer Betätigungsoperation einer Vakuumpumpe (170 ) umfasst.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-168518 | 2007-06-27 | ||
JP2007168518A JP5008477B2 (ja) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008030052A1 true DE102008030052A1 (de) | 2009-01-08 |
DE102008030052B4 DE102008030052B4 (de) | 2019-02-21 |
Family
ID=40092745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008030052.7A Active DE102008030052B4 (de) | 2007-06-27 | 2008-06-25 | Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7923704B2 (de) |
JP (1) | JP5008477B2 (de) |
KR (1) | KR100952006B1 (de) |
DE (1) | DE102008030052B4 (de) |
TW (1) | TWI373786B (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5315100B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置 |
KR101097716B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2011-12-22 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 3차원 형상 측정방법 |
JP5480555B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-04-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5566234B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2014-08-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5809419B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-11-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US8389962B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-03-05 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for compensating for magnetic noise |
JP5894856B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016184605A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237745A (ja) | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法、露光装置、及び半導体装置 |
JP2006303361A (ja) | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置のショット量補正方法及び装置 |
JP2007034143A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターン描画方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652700B2 (ja) * | 1981-09-26 | 1994-07-06 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置における電子ビーム露光方法 |
JPH08111364A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
KR19990069176A (ko) * | 1998-02-05 | 1999-09-06 | 윤종용 | 반도체소자의 사진식각공정을 수행하는 제조시스템 |
JP2001230175A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法及び電子線露光装置 |
JP2001267210A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
US7212017B2 (en) * | 2003-12-25 | 2007-05-01 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus |
KR100550352B1 (ko) | 2004-07-02 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치 |
JP4737968B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 補正装置、補正方法、補正プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP2007168518A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | タイヤ及びタイヤのマーキング方法。 |
-
2007
- 2007-06-27 JP JP2007168518A patent/JP5008477B2/ja active Active
-
2008
- 2008-06-11 TW TW097121785A patent/TWI373786B/zh active
- 2008-06-11 US US12/137,146 patent/US7923704B2/en active Active
- 2008-06-25 DE DE102008030052.7A patent/DE102008030052B4/de active Active
- 2008-06-26 KR KR1020080060542A patent/KR100952006B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237745A (ja) | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法、露光装置、及び半導体装置 |
JP2006303361A (ja) | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置のショット量補正方法及び装置 |
JP2007034143A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクのパターン描画方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-168518 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090001293A1 (en) | 2009-01-01 |
DE102008030052B4 (de) | 2019-02-21 |
TW200917309A (en) | 2009-04-16 |
US7923704B2 (en) | 2011-04-12 |
JP5008477B2 (ja) | 2012-08-22 |
KR100952006B1 (ko) | 2010-04-08 |
JP2009010076A (ja) | 2009-01-15 |
KR20080114597A (ko) | 2008-12-31 |
TWI373786B (en) | 2012-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008030052B4 (de) | Schreibverfahren mit einem geladenen Teilchenstrahl | |
DE112013000700B4 (de) | Metall-Peroxo-Verbindungen mit organischen Koliganden für Elektronenstrahl-, Tief-UV- und Extrem-UV-Fotolackanwendungen | |
DE102007041160B4 (de) | Substratabdeckung, und Einrichtung und Verfahren zum Schreiben mit einem Strahl geladener Teilchen | |
DE102007007080B4 (de) | Mustererzeugungsverfahren und Einrichtung zum Schreiben mit geladenen Teilchen | |
DE69815412T2 (de) | Verfahren zur Resistbeschichtung und Entwicklung des Resists | |
DE102019126271A1 (de) | Fotolackzusammensetzung und Verfahren zum Bilden einer Fotolackstruktur | |
DE102018103231B4 (de) | Verfahren zur optischen nahbereichskorrektur und verfahren zur erzeugung einer maske unter verwendung desselben | |
KR20100102159A (ko) | 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크의 제조 방법 | |
DE102020131427B4 (de) | Photoresistzusammensetzung und Herstellungsverfahren von Photoresiststruktur | |
EP0525625A1 (de) | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
JP3433153B2 (ja) | パターン形成材料、パターン形成方法、及び露光用マスクの製造方法 | |
DE3443400A1 (de) | Verfahren zur erzeugung eines bildes | |
JP3493094B2 (ja) | パターン形成方法、露光装置、及び半導体装置 | |
KR20070101789A (ko) | 레지스트 패턴의 형성 방법 및 하전 입자선 묘화 방법 | |
KR100674932B1 (ko) | Pag및 tag를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
US20080228309A1 (en) | Method and System for Reducing Critical Dimension Side-to-Side Tilting Error | |
DE10243742B4 (de) | Verfahren zur Strukturierung von Halbleitersubstraten unter Verwendung eines Fotoresists | |
Rau et al. | Sensitivity and image quality of resists with electron-beam, ion-beam, and optical exposure | |
DE102006022361B4 (de) | Verfahren zum mehrfachen Bestrahlen eines Resists | |
EP0520265A2 (de) | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch mit Disulfonsäurespendern | |
DE102019200642A1 (de) | Verfahren zur herstellung von euv - masken | |
Livesay | Vertical lithography: controlling resist profiles in optical lithography with a large area electron beam | |
DE102023104562A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
Fuller et al. | Photoresist processing for high-resolution DUV lithography at 257 nm | |
DE102004025203B4 (de) | Fotolackverarbeitungsverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., YOKOHAMA, JP Free format text: FORMER OWNER: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., NUMAZU-SHI, SHIZUOKA, JP Effective date: 20140102 Owner name: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., YOKOHAMA-SHI, JP Free format text: FORMER OWNER: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., NUMAZU-SHI, SHIZUOKA, JP Effective date: 20140102 Owner name: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., JP Free format text: FORMER OWNER: NUFLARE TECHNOLOGY, INC., NUMAZU-SHI, JP Effective date: 20140102 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HOFFMANN - EITLE PATENT- UND RECHTSANWAELTE PA, DE Effective date: 20140102 Representative=s name: HOFFMANN - EITLE, DE Effective date: 20140102 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |