DE102019200642A1

DE102019200642A1 - Verfahren zur herstellung von euv - masken

Info

Publication number: DE102019200642A1
Application number: DE102019200642.6A
Authority: DE
Inventors: Dieter Weber; Markus Waiblinger; Tristan Bret
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-01-18
Filing date: 2019-01-18
Publication date: 2019-03-14

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von EUV - Masken, die ein Substrat (1), einen Bragg - Reflektor (2), eine Schutzschicht (3) und eine strukturierte Absorberschicht (4) umfassen, wobei nach dem Ausbilden des Bragg - Reflektors (2), der Schutzschicht (3) und der strukturierten Absorberschicht (4) mögliche Defekte (5) der EUV - Maske erfasst und repariert werden, wobei zur Reparatur eines Defekts (5) in einem bestimmten Bereich der EUV - Maske zumindest ein Teil der Schutzschicht (3) und ein Teil des Bragg - Reflektors (2) entfernt werden, sodass eine Vertiefung (10) im Bragg - Reflektor (2) ausgebildet wird, wobei an der Oberfläche der Vertiefung (10) des Bragg - Reflektors (2) eine Schutzschicht (9) ausgebildet wird.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer EUV - Maske, die ein Substrat und darauf einen Bragg - Reflektor, eine Schutzschicht und eine strukturierte Absorberschicht umfasst, wobei die strukturierte Absorberschicht die Struktur aufweist, die mittels einer EUV - Projektionsoptik auf einen Wafer oder dergleichen abgebildet werden soll, um mikrostrukturierte oder nanostrukturierte Bauteile mittels Mikrolithographie zu erzeugen.
STAND DER TECHNIK
In der Mikroelektronik oder Mikrosystemtechnik sollen immer feinere Strukturen mit kleineren Strukturbreiten hergestellt werden, wobei sich die Strukturbreiten teilweise im Nanometermeterbereich befinden. Entsprechend muss die Auflösung einer Projektionsbelichtungsanlage, mit der die Strukturen von einer Maske oder einem Retikel auf einen Wafer in verkleinernder Weise abgebildet werden, entsprechend gesteigert werden.
Im Stand der Technik ist es hierzu bekannt, Projektionsbelichtungsanlagen mit Arbeitslicht im Wellenlängenbereich des extrem ultravioletten Spektrums (extrem ultraviolettes Licht EUV - Licht) zu betreiben.
Allerdings lassen sich nach dem aktuellen Stand der Technik EUV - Maskenrohlinge nicht frei von Defekten herstellen. Die Reparatur von Defekten ist deshalb Teil des Herstellungsprozesses für eine EUV - Maske. Zu diesem Zweck müssen verschiedene Defekttypen so repariert werden, dass sie später bei der Projektion der Masken - Strukturen auf den Wafer nicht mit abgebildet werden.
Eine besonders häufige und schwer zu reparierende Klasse von Defekten wird von kleinen Unebenheiten oder Partikeln auf der Oberfläche des Trägersubstrates verursacht. Wenn der Bragg - Reflektor der EUV - Maske auf solche Unebenheiten des Substrats abgeschieden wird, ist er lokal ausgebeult und verzerrt. Einerseits wird so lokal das Licht gestreut und die Intensität der EUV - Strahlung ist an dieser Stelle verringert. Andererseits ist die optische Weglänge lokal verändert. Das führt zu einer Phasenverschiebung der EUV - Strahlung an dieser Stelle. Da die EUV - Strahlung monochromatisch ist, verursacht das bei der Abbildung zusätzliche Störungen. Entsprechend muss zur Reparatur der EUV - Maske die EUV - Maske so korrigiert werden, dass sowohl Intensität als auch Phase des reflektierten EUV - Lichts korrigiert werden, wie dies beispielsweise in der Publikation Emily E. Gallagher, Gregory Mclntyre, Mark Lawliss, Tod Robinson, Ronald Bozak, Roy Whitec, Jeff LeClaire: EUVL mask repair: expanding options with nanomachining. Proc. SPIE 8522, Photomask Technology 2012, 85221L (December 6, 2012), http://dx.doi.org/10.1117/12.974749 dargelegt ist.
Den Intensitätsverlust kann man durch lokales Entfernen der Absorberschicht um den Defekt herum ausgleichen (Compensational Repair). Die Phasenverschiebung wird derzeit in der Praxis noch nicht kompensiert, obwohl in der oben zitierten Publikation ein Ansatz dafür offengelegt ist. Danach sollen lokal Teile des Bragg - Reflektors entfernt werden, sodass durch die dadurch verursachte Phasenverschiebung der Phaseneffekt eines Defekts kompensiert werden kann.
Dafür muss jedoch die Schutzschicht durchbrochen werden, sodass die Haltbarkeit der Reparaturstelle problematisch ist.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer EUV - Maske bereitzustellen, bei welchem Defekte der EUV - Maske in zuverlässiger Weise repariert werden können, sodass eine unbeeinträchtigte Abbildung der Strukturen auf der EUV - Maske auf einen Wafer möglich ist, wobei gleichzeitig eine lange Lebensdauer der EUV - Maske gewährleistet werden kann. Die Reparatur der EUV - Maske soll zudem möglichst einfach und zuverlässig durchführbar sein.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die Erfindung schlägt vor, bei einer EUV - Maske mit einem Substrat, einem darauf angeordneten Bragg - Reflektor, einer Schutzschicht sowie einer strukturierten Absorberschicht mit einem strahlbasierten Verfahren im Bereich einer Vertiefung im Bragg - Reflektor, die zur Phasenkorrektur eines Defekts in den Bragg - Reflektor eingebracht worden ist, die Oberfläche der Vertiefung wieder mit einer Schutzschicht zu versehen, die die Vielzahl von Teilschichten, durch die der Bragg - Reflektor gebildet ist, vor äußeren Umgebungseinflüssen schützt.
Bei dem strahlbasierten Verfahren zur Aufbringung einer Schutzschicht an der Oberfläche der Vertiefung kann ein Prozessgas, welches mindestens einen Bestandteil enthält, der die aufzubringende Schutzschicht zumindest mitbildet, und ein energiereicher Strahl Verwendung finden, der mit oberflächennahen Bereichen des Bragg - Reflektors im Bereich der Vertiefung im Bragg - Reflektor und/oder dem Prozessgas, welches in der umgebenden Prozessatmosphäre vorliegt, wechselwirkt, sodass durch das in der Prozessatmosphäre vorliegende Prozessgas eine Abscheidung einer Schutzschicht bewirkt werden kann.
Der energiereiche Strahl kann hierbei über die Vertiefung und den Randbereich der Vertiefung verfahren werden, insbesondere in einer Scan - Bewegung, sodass eine flächendeckende Strahlbearbeitung und somit Abscheidung einer Schutzschicht möglich ist.
Vorteilhafterweise kann als energiereicher Strahl ein Partikelstrahl, wie ein Elektronenstrahl eingesetzt werden. Durch die Interaktion eines Elektronenstrahls mit den Feststoffen des Bragg - Reflektors kann die Schutzschicht wirksam insbesondere auch an senkrechten Seitenwänden oder sogar unter Überhängen der Vertiefung hergestellt werden.
Ein Elektronenstrahl, der zur Abscheidung der Schutzschicht Verwendung finden kann, kann Elektronen mit einer Energie von bis zu 10 keV, insbesondere bis zu 8 keV aufweisen. Elektronen mit so niedriger Energie verursachen üblicherweise keine Schäden an der EUV - Maske.
Die Energie der Elektronen kann an die Form und Größe der Reparaturstelle angepasst werden. Für tiefe Vertiefungen im Bragg - Reflektor können Elektronen mit hoher Energie und Eindringtiefe benutzt werden, also mit Energien bis zu 8 keV. Für weniger tiefe Vertiefungen können Elektronen mit weniger Energie, z.B. im Bereich bis zu 6 keV, verwendet werden, welche die Depositions - Reaktion in geringerer Tiefe und lokaler auslösen.
Zur Bildung der Schutzschicht können Ruthenium oder Chrom Verwendung finden.
Als Prozessgas für Ruthenium kann ein Ruthenium-Carbonyl, wie zum Beispiel Ru₃(C0)₁₂, oder ein flüchtiges Ruthenium-Salz ,wie zum Beispiel Ruthenium-Acetat, verwendet werden. Auch organische Ruthenium - Verbindungen können eingesetzt werden, wie beispielsweise Ruthenocen Ru(C₅H₅)₂, Ruthenocen - Derivate, Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃CH₂)C₅H₄]₂Ru, Bis(methylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)C₅H₄]₂Ru, Bis(dimethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)₂C₅H₃]₂Ru, Bis(pentamethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)₅C₅]₂Ru, Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclo-octadiene)ruthenium(II) (C₁₁H₁₉0₂)₂(C₈H₁₂)Ru, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)ruthenium(III) (C₁₁H₁₉0₂)₃Ru. Auch Rutheniumoxide, wie Rutheniumtetroxid können verwendet werden.
Zur Abscheidung von Chrom können als Prozessgas ein Chrom - Carbonyl, wie Cr(CO)6, oder organische Chromverbindungen verwendet werden. Beispiele für in Frage kommenden Organo - Chrom - Verbindungen sind: Chromacen Cr(C₅H₅), Chromacen - Derivate; Bis(benzene)chrom Cr(C₅H₆)₂, Bis(benzene)chrom - Derivate, (Benzene)chromtricarbonyl Cr(C₆H₆)(C0)₃ und Chromium(III)tris(2,2,6,6-tetramethy1-3,5-heptanedionate) Cr(OCC(CH₃)₃CHCOC(CH₃)₃)₃.
die Schutzschicht an der Oberfläche der Vertiefung im Projekt-Reflektor soll mit einer möglichst gleichbleibenden Dicke über der Oberfläche der Vertiefung abgeschieden werden. Da die Depositionsrate von der Strahldosis, insbesondere der Energiedosis des Strahls bzw. der Elektronen, dem Partialdruck des Prozessgases, der Energie der Elektronen, und der genauen Topografie der Vertiefung abhängt, kann die Scan-Bewegung des energiereichen Strahls über die Vertiefung und die Randbereiche davon entsprechend variiert werden. Insbesondere können bei der Reparatur von verschiedenen Defekten die Abscheideparameter, wie Strahlendosis des energiereichen Strahls, Partialdruck des Prozessgases sowie die Bewegungsgeschwindigkeit des Strahls an die unterschiedlichen Topographien der Defekte angepasst werden. Die Abscheideparameter können über eine Simulation der Gasdiffusion und der Wechselwirkung der Elektronen mit dem Material berechnet werden. Zusätzlich oder alternativ können die Berechnungen mit experimentellen Daten an Referenzstellen verglichen und entsprechende Abscheideparameter gewonnen werden. Alternativ kann auch ein rein empirisches Modell aus Referenzmessungen mit variierten Parametern zur Bestimmung der Abscheideparameter eingesetzt werden.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in

1 eine teilweise Schnittansicht durch eine EUV - Maske mit einer Defektstelle,
2 eine teilweise Schnittansicht der EUV - Maske aus 1 nach dem teilweisen Entfernen der Schutzschicht und des Bragg - Reflektors,
3 eine teilweise Schnittansicht der EUV - Maske gemäß den 1 und 2 mit einer Darstellung der Aufbringung einer Schutzschicht auf der Oberfläche in der Vertiefung des Bragg - Reflektors und in
4 eine teilweise Schnittansicht der EUV - Maske gemäß den vorangegangenen Figuren mit einer fertig hergestellten Schutzschicht in der Vertiefung des Bragg - Reflektors.

AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsbeispiele ersichtlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.
Die 1 zeigt eine teilweise Schnittansicht durch eine EUV - Maske, welche ein Substrat 1 umfasst, auf dem ein Bragg - Reflektor 2 aus einer Vielzahl von Teilschichten angeordnet ist, die beispielsweise aus einer Vielzahl von abwechselnden Teilschichten aus Molybdän und Silizium gebildet sein können. Auf der dem Substrat 1 abgewandten Seite des Bragg - Reflektors 2 ist eine Schutzschicht 3 vorgesehen, auf welcher wiederum eine strukturierte Absorberschicht 4 angeordnet ist, die die durch eine Projektionsoptik abzubildende Struktur aufweist. EUV - Licht, welches auf eine EUV - Maske mit dem in 1 gezeigten Aufbau trifft, wird entweder von dem Absorber von der Absorberschicht 4 absorbiert, sodass in Bereichen, in denen das Absorbermaterial der Absorberschicht 4 vorliegt, keine EUV - Strahlung durch den darunter liegenden Bragg - Reflektor reflektiert werden kann, oder wird in Bereichen, in denen in der Absorberschicht 4 kein Absorbermaterial auf dem Bragg - Reflektor 2 vorliegt, auf den Bragg - Reflektor 2 treffen, sodass das EUV - Licht durch entsprechende Reflexion an den Grenzflächen zwischen den einzelnen Teilschichten des Bragg - Reflektors 2 reflektiert wird.
Befindet sich ein Defekt in oder auf der EUV - Maske, wie beispielsweise der Defekt 5, der durch ein Partikel verursacht wird, welches auf dem Substrat 1 vor dem Aufbringen des Bragg - Reflektors 2 vorgelegen hat, so kann die Reflexion der EUV - Strahlung aus den Bereichen der EUV - Maske 2, in denen kein Absorbermaterial in der Absorberschicht 4 vorliegt, gestört werden. Dadurch kann die Abbildung der durch die Absorberschicht 4 vorgegebenen Struktur auf einen Wafer gestört werden.
Bei dem in 1 gezeigten Defekt 5 kommt es durch die durch den Partikel 5 verursachte Unebenheit der Substratoberfläche zu einer unebenen Abscheidung der Teilschichten des Bragg - Reflektors 2, sodass die Schichtabfolge der Teilschichten im Bereich des Defekts 5 ausgebeult und verzerrt ist. Dadurch wird lokal das auftreffende EUV - Licht gestreut und die Intensität der reflektierten EUV - Strahlung ist an dieser Stelle verringert. Außerdem ist die optische Weglänge der reflektierten EUV - Strahlung lokal verändert, sodass es zu einer Phasenverschiebung bei dem reflektierten EUV - Licht an dieser Stelle kommt. Dies kann bei dem monohromatischen EUV - Licht zusätzliche Störungen in der Abbildung verursachen.
Der Intensitätsverlust im Bereich des Defekts 5 kann durch lokales Entfernen der Absorberschicht 4 um den Defekt 5 herum zumindest teilweise ausgeglichen werden. Die Phasenverschiebung kann durch teilweises Entfernen des Bragg - Reflektors 2 kompensiert werden, wie dies in der gezeigt ist. Die entsprechende Materialentfernung kann durch geeignete Verfahren der Nanostrukturierung, wie durch strahlbasiertes Ätzen oder dergleichen durchgeführt werden. Durch das teilweise Entfernen des Bragg - Reflektors 2 wird entsprechend eine Vertiefung 10 im Bragg-Reflektor ausgebildet. Allerdings muss hierzu die Schutzschicht 3 durchbrochen werden und der Stapel aus Teilschichten des Bragg - Reflektors 2 bildet die Oberfläche in der Vertiefung 10, sodass die Teilschichten des Bragg - Reflektors 2 Umgebungseinflüssen, wie beispielsweise Reinigungsmitteln und dergleichen, ungeschützt ausgesetzt sind.
Um die Reparaturstelle mit der Vertiefung 10 im Bragg - Reflektor 2 zu schützen, wird erfindungsgemäß die Oberfläche der Vertiefung 10 mit einer neuen Schutzschicht 9 versehen. Hierzu wird ein Elektronenstrahl 6 in einer Scan - Bewegung über die Vertiefung 10 und den diese umgebenden Randbereich geführt, sodass die Elektronen des Elektronenstrahls mit dem Material in den Teilschichten des Bragg - Reflektors 2 wechselwirken können, sodass beispielsweise eine Ionisierung des Materials und Sekundärelektronen entstehen können. Auf diese Weise kann Prozessgas 8, welches in die Prozesskammer für die Elektronenstrahlbearbeitung eingeführt worden ist und somit im Bereich der Oberfläche der Vertiefung 10 vorliegt, so reagieren, dass eine gewünschte Schutzschicht 9, beispielsweise aus Ruthenium oder Chrom, an der Oberfläche der Vertiefung 10 abgeschieden wird. Als Prozessgase kommen verschiedene Substanzen oder Mischungen davon in Betracht, die Ruthenium oder Chrom enthalten und aufgrund der Wechselwirkung des Elektronenstrahl mit dem Material des Bragg - Reflektors 2 zu einer Abscheidung von Ruthenium bzw. Chrom auf der Oberfläche in der Vertiefung 10 führen.
Die entsprechenden Parameter für die Schichtabscheidung, wie beispielsweise die Energiedosis des Elektronenstrahls, die Energie der verwendeten Elektronen und / oder der Partialdruck des Prozessgases können in geeigneter Weise eingestellt werden. Für die Beschichtung von tiefen Vertiefungen 10 können beispielsweise Elektronenstrahlen mit höher energetischen Elektronen, beispielsweise Elektronen mit Energien im Bereich von bis zu 8 keV Verwendung finden, um die Seitenwände der Vertiefung 10 gleichmäßig beschichten zu können, während bei Vertiefungen 10, die eine geringere Tiefe aufweisen, Elektronenstrahlen mit Elektronen mit niedrigeren Energien im Bereich von weniger 6 keV oder dergleichen eingesetzt werden können.
Die Schutzschicht 9 im Bereich der Vertiefung 10 soll möglichst gleichmäßig ausgebildet werden, wozu abhängig von der Topographie der zu beschichtenden Oberfläche der Vertiefung 10 sowie der Energiedosis der Strahlung, dem Partialdruck des Prozessgases und der Energie der verwendeten Elektronen die Scan - Geschwindigkeit des Elektronenstrahls über die Vertiefung 10 und deren Randbereiche eingestellt und insbesondere variiert werden kann, sodass unterschiedliche Depositionsraten berücksichtigt werden und eine gleichmäßige Schichtbildung erreicht wird. Neben der Scan - Geschwindigkeit des Elektronenstrahls können auch die Abscheideparameter, wie Energiedosis der Strahlung und / oder die Energie der Elektronen des Elektronenstrahls, variiert werden. Insbesondere können die Abscheideparameter variiert werden, wenn die Reparatur bei verschiedenen Defekten durchgeführt wird.
Die anwendbaren Abscheideparameter können durch Simulation, beispielsweise der Gasdiffusion und der Wechselwirkung der Elektronen mit dem Material des Bragg - Reflektors 2 berechnet werden und / oder durch Referenzversuche ermittelt werden.
Die 4 zeigt entsprechend die Vertiefung 10 im Bragg - Reflektor 2 mit einer geschlossenen Schutzschicht 9 nach der entsprechenden Oberflächenbehandlung, die den Bragg - Reflektor 2 auch im Bereich der Reparaturstelle mit der Vertiefung 10 zur Korrektur des Defekts 5 abdeckt und schützt.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Insbesondere schließt die vorliegende Offenbarung sämtliche Kombinationen der in den verschiedenen Ausführungsbeispielen gezeigten Einzelmerkmale mit ein, sodass einzelne Merkmale, die nur in Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel beschrieben sind, auch bei anderen Ausführungsbeispielen oder nicht explizit dargestellten Kombinationen von Einzelmerkmalen eingesetzt werden können.
Bezugszeichenliste

1: Substrat
2: Bragg - Reflektor
3: Schutzschicht
4: strukturierte Absorberschicht
5: Defekt
6: Elektronenstrahl
7: Wechselwirkungsbereichs des Elektronenstrahls im Material
8: Prozessgas
9: abgeschiedene Schutzschicht in der Vertiefung des Bragg - Reflektors
10: Vertiefung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Nicht-Patentliteratur

Emily E. Gallagher, Gregory Mclntyre, Mark Lawliss, Tod Robinson, Ronald Bozak, Roy Whitec, Jeff LeClaire: EUVL mask repair: expanding options with nanomachining. Proc. SPIE 8522, Photomask Technology 2012, 85221L (December 6, 2012) [0005]

Claims

Verfahren zur Herstellung von EUV - Masken, die ein Substrat (1), einen Bragg - Reflektor (2), eine Schutzschicht (3) und eine strukturierte Absorberschicht (4) umfassen, wobei nach dem Ausbilden des Bragg - Reflektors (2), der Schutzschicht (3) und der strukturierten Absorberschicht (4) auf dem Substrat (1) mögliche Defekte (5) der EUV - Maske erfasst und repariert werden, wobei zur Reparatur eines Defekts (5) in einem bestimmten Bereich der EUV - Maske zumindest ein Teil der Schutzschicht (3) und ein Teil des Bragg - Reflektors (2) entfernt werden, sodass eine Vertiefung (10) im Bragg - Reflektor (2) ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass an der Oberfläche der Vertiefung (10) des Bragg - Reflektors (2) eine Schutzschicht (9) ausgebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (9) an der Oberfläche der Vertiefung (10) durch Wechselwirkung eines energiereichen Strahls (6) mit den oberflächennahen Bereichen des Bragg - Reflektors (2) im Bereich der Vertiefung und / oder eines Prozessgases (8) durch Abscheidung mindestens eines Bestandteils des Prozessgases (6) erzeugt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der energiereiche Strahl (6) über die Vertiefung (10) und den Randbereich der Vertiefung verfahren wird, insbesondere flächendeckend in einer Scan - Bewegung über die Vertiefung (10) verfahren wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutzschicht (9) Ruthenium oder Chrom abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als energiereicher Strahl (6) ein Elektronenstrahl verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass Elektronen mit einer Energie von bis zu 10 keV, insbesondere 8 keV eingesetzt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Prozessgas (8) mindestens ein Stoff aus der Gruppe ausgewählt wird, die ein Ruthenium - Carbonyl, ein Ruthenium - Salz, eine organische Rutheniumverbindung und Rutheniumoxid umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Prozessgas (8) mindestens ein Stoff aus der Gruppe ausgewählt wird, die Ru₃(C0)₁₂, Ruthenium-Acetat, Ruthenocen Ru(C₅H₅)₂, Ruthenocen - Derivate, Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃CH₂)C₅H₄]₂Ru, Bis(methylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)C₅H₄]₂Ru, Bis(dimethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)₂C₅H₃]₂Ru, Bis(pentamethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) [(CH₃)₅C₅]₂Ru, Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclo-octadiene)ruthenium(II) (C₁₁H₁₉0₂)₂(C₈H₁₂)Ru, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)ruthenium(III) (C₁₁H₁₉0₂)₃Ru und Rutheniumtetroxid umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Prozessgas (8) mindestens ein Stoff aus der Gruppe ausgewählt wird, die ein Chrom - Carbonyl oder eine organische Chrom - Verbindung umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Prozessgas (8) mindestens ein Stoff aus der Gruppe ausgewählt wird, die Chromacen Cr(C₅H₅), Chromacen - Derivate; Bis(benzene)chrom Cr(C₅H₆)₂, Bis(benzene)chrom - Derivate, (Benzene)chromtricarbonyl Cr(C₆H₆)(C0)₃ und Chromium(III)tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)Cr(OCC(CH₃)₃CHCOC(CH₃)₃)₃ umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (9) mit einer möglichst gleichbleibenden Dicke über der Oberfläche der Vertiefung (10) des Bragg - Reflektors (2) abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Defekte (5) repariert werden und die Strahlendosis des energiereichen Strahls und / oder der Partialdruck des Prozessgases für die Reparatur der verschiedenen Defekte variiert wird.